KR20210062772A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20210062772A
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윤일구
이지은
조준영
최민희
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 표시 영역에 배치되는 화소 구조물, 표시 영역에 인접한 주변 영역에 배치되는 제1 신호 배선, 제1 신호 배선과 중첩하며 제1 신호 배선과 동일한 방향으로 연장되는 제2 신호 배선, 주변 영역에 배치되며, 제1 신호 배선 및 제2 신호 배선과 전기적으로 연결되는 구동 회로부 및 제1 신호 배선과 제2 신호 배선 사이에 배치되는 차폐 패턴을 포함한다.

Description

표시 장치 {DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 데드 스페이스가 감소된 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 표시 장치는 전압 또는 신호를 제공받아 빛을 방출하는 표시 소자들을 포함함으로써, 소정의 이미지를 표시할 수 있다. 표시 소자들에 전압 또는 신호를 제공하기 위해, 표시 장치의 주변 영역에는 배선들이 배치된다.
한편, 표시 소자들이 배치될 수 없는 주변 영역에서는 이미지가 표시되지 않는다. 이미지가 표시되지 않는 주변 영역을 데드 스페이스(dead space)라 한다. 데드 스페이스의 증가는 사용자의 몰입도를 감소시키고, 표시 장치의 크기를 불필요하게 증가시키므로, 데드 스페이스를 감소시키기 위한 연구가 지속되고 있다. 그러나, 전압 또는 신호가 흐르는 배선들 간의 커플링 현상을 방지하기 위해, 주변 영역에 배치되는 배선들은 서로 일정한 간격을 두고 배치되어야 하므로, 데드 스페이스를 감소시키는데 한계가 있다.
본 발명의 목적은 데드 스페이스가 감소된 표시 장치를 제공하는 것이다. 다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역에 배치되는 화소 구조물, 상기 표시 영역에 인접한 주변 영역에 배치되는 제1 신호 배선, 상기 제1 신호 배선과 중첩하며 상기 제1 신호 배선과 동일한 방향으로 연장되는 제2 신호 배선, 상기 주변 영역에 배치되며, 상기 제1 신호 배선 및 상기 제2 신호 배선과 전기적으로 연결되는 구동 회로부 및 상기 제1 신호 배선과 상기 제2 신호 배선 사이에 배치되는 제1 차폐 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 차폐 패턴에는 정전압이 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 정전압은 고전원 전압일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 정전압은 초기화 전압일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 차폐 패턴의 폭은 상기 제1 및 제2 신호 배선들 각각의 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 제1 차폐 패턴과 상기 제1 신호 배선 사이에 배치되고, 상기 제1 신호 배선과 상기 구동 회로부를 전기적으로 연결하는 제1 신호 전달 배선을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 제2 신호 배선 상에 배치되고, 상기 제2 신호 배선과 상기 구동 회로부를 전기적으로 연결하는 제2 신호 전달 배선을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소 구조물은 제1 액티브 패턴, 상기 제1 액티브 패턴 상에 배치되는 제1 게이트 전극, 상기 제1 게이트 전극 상에 배치되는 커패시터 전극 패턴, 상기 커패시터 전극 패턴 상에 배치되는 제2 액티브 패턴, 상기 제2 액티브 패턴 상에 배치되는 제2 게이트 전극, 상기 제2 게이트 전극 상에 배치되는 데이터 배선 패턴 및 상기 데이터 배선 패턴 상에 배치되는 연결 전극을 포함하고, 상기 제1 차폐 패턴은 상기 제2 게이트 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제1 신호 배선은 상기 제1 게이트 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 제2 신호 배선은 상기 데이터 배선 패턴과 동일한 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 신호 전달 배선은 상기 커패시터 전극 패턴과 동일한 층에 배치되고, 상기 제2 신호 전달 배선은 상기 연결 전극과 동일한 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 및 제2 신호 전달 배선들은 상기 커패시터 전극 패턴과 동일한 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 신호 배선은 상기 제2 신호 전달 배선과 중첩하는 연장부를 포함하고, 상기 연장부는 상기 제1 차폐 패턴과 이격하는 콘택부를 통해 상기 제2 신호 전달 배선과 연결될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 액티브 패턴은 실리콘 반도체를 포함하고, 상기 제2 액티브 패턴은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 주변 영역에 배치되는 제3 신호 배선 및 상기 제3 신호 배선과 중첩하며 상기 제3 신호 배선과 동일한 방향으로 연장되는 제4 신호 배선을 더 포함하고, 상기 제1 차폐 패턴은 상기 제3 신호 배선과 상기 제4 신호 배선 사이에 더 배치되며, 상기 구동 회로부는 상기 제1 내지 제4 신호 배선들과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 차폐 패턴은 제1 보조 차폐 패턴 및 제2 보조 차폐 패턴을 포함하고, 상기 제1 보조 차폐 패턴은 상기 제1 신호 배선과 상기 제2 신호 배선 사이에 배치되며, 상기 제2 보조 차폐 패턴은 상기 제3 신호 배선과 상기 제4 신호 배선 사이에 배치되고, 상기 제1 및 제2 보조 차폐 패턴들은 서로 이격할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 표시 영역에 배치되는 복수의 데이터선들, 상기 주변 영역에 배치되어 제1 데이터선과 전기적으로 연결되는 제1 전달 배선, 상기 제1 전달 배선과 중첩하며 제2 데이터선과 전기적으로 연결되는 제2 전달 배선 및 상기 제1 전달 배선과 상기 제2 전달 배선 사이에 배치되며 정전압이 제공되는 제2 차폐 패턴을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역에 배치되는 화소 구조물, 상기 표시 영역에 배치되는 복수의 데이터선들, 상기 표시 영역에 인접한 주변 영역에 배치되어 제1 데이터선과 전기적으로 연결되는 제1 전달 배선, 상기 제1 전달 배선과 중첩하며 제2 데이터선과 전기적으로 연결되는 제2 전달 배선 및 상기 제1 전달 배선과 상기 제2 전달 배선 사이에 배치되며 정전압이 제공되는 차폐 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 정전압은 고전원 전압일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 정전압은 초기화 전압일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소 구조물은 제1 액티브 패턴, 상기 제1 액티브 패턴 상에 배치되는 제1 게이트 전극, 상기 제1 게이트 전극 상에 배치되는 커패시터 전극 패턴, 상기 게이트 배선 패턴 상에 배치되는 제2 액티브 패턴, 상기 제2 액티브 패턴 상에 배치되는 제2 게이트 전극, 상기 제2 게이트 전극 상에 배치되는 데이터 배선 패턴 및 상기 데이터 배선 패턴 상에 배치되는 연결 전극을 포함하고, 상기 차폐 패턴은 상기 제2 게이트 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제1 전달 배선은 상기 제1 게이트 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 제2 전달 배선은 상기 데이터 배선 패턴과 동일한 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는 상기 주변 영역에 배치되어 제3 데이터선과 전기적으로 연결되는 제3 전달 배선 및 상기 제3 전달 배선과 중첩하며 제4 데이터선과 전기적으로 연결되는 제4 전달 배선을 더 포함하고, 상기 차폐 패턴은 상기 제3 전달 배선과 상기 제4 전달 배선 사이에 더 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 주변 영역에 배치되는 제1 신호 배선과 제2 신호 배선을 서로 중첩시킴으로써, 상기 표시 장치의 상기 주변 영역을 감소시키거나, 또는 상기 주변 영역에 별도의 배선이 더 설계될 수 있는 공간을 확보할 수 있다.
또한, 상기 표시 장치는 상기 제1 및 제2 신호 배선들 사이에 배치되는 차폐 패턴을 포함함으로써, 상기 제1 및 제2 신호 배선들 사이에 발생될 수 있는 커플링 현상을 억제할 수 있다. 나아가, 상기 차폐 패턴에 정전압이 제공됨으로써, 상기 표시 장치는 커플링 현상의 발생을 더욱 효과적으로 억제할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 표시 영역의 화소 구조물을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 A 영역을 확대 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 II-II'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 6은 도 3의 III-III'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1의 A 영역을 확대 도시한 평면도이다.
도 8은 도 7의 IV-IV'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 9는 도 7의 V-V'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 B 영역을 확대 도시한 평면도이다.
도 11는 도 10의 VI-VI'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 12는 도 10의 VII-VII'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 13은 도 10의 VIII-VIII'선에 따라 도시한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 영역(DA) 및 상기 표시 영역(DA)에 인접한 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)에는 화소 구조물(PX) 및 상기 화소 구조물(PX)에 전압 또는 신호를 제공하기 위한 배선들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 배선들은 게이트선(GL), 데이터선(DL), 구동 전압선(PL), 초기화 전압 배선 등을 포함할 수 있다.
상기 데이터선(DL)은 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있으며, 상기 화소 구조물(PX)로 데이터 전압을 제공할 수 있다. 상기 구동 전압선(PL)은 상기 데이터선(DL)과 나란하게 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있으며, 상기 화소 구조물(PX)로 고전원 전압(예를 들어, VDD)을 제공할 수 있다. 상기 게이트선(GL)은 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있으며, 상기 화소 구조물(PX)로 게이트 신호(또는, 스캔 신호)를 제공할 수 있다. 상기 초기화 전압 배선은 상기 게이트선(GL)과 나란하게 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있으며, 상기 화소 구조물(PX)로 초기화 전압(예를 들어, VINT)을 제공할 수 있다. 한편, 상기 초기화 전압은 게이트 전극(예를 들어, 도 2의 제1 게이트 전극(GE1))을 통해 상기 화소 구조물(PX)로 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 게이트 전극은 상기 초기화 전압으로 초기화될 수 있다.
상기 화소 구조물(PX)은 상기 데이터선(DL)과 상기 게이트선(GL)이 교차하는 지점마다 배치될 수 있다. 상기 화소 구조물(PX)은 표시 소자 및 상기 표시 소자를 구동하기 위한 구동 소자를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 표시 소자는 유기 발광 소자를 포함할 수 있고, 상기 구동 소자는 둘 이상의 트랜지스터를 포함할 수 있다. 상기 구동 소자에 상기 데이터 전압, 상기 고전원 전압, 상기 게이트 신호, 상기 초기화 전압 등이 제공됨으로써, 상기 화소 구조물(PX)은 빛을 방출할 수 있다.
한편, 상기 게이트선(GL)과 상기 데이터선(DL)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트선(GL)과 상기 초기화 전압 배선은 제1 층에 배치되어 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있으며, 상기 데이터선(DL)과 상기 구동 전압선(PL)은 상기 제1 층보다 상부에 위치하는 제2 층에 배치되어 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다.
주변 영역(PA)에는 상기 화소 구조물(PX)을 구동하기 위한 패드, 구동 회로부, 전원 배선, 신호 배선(10), 전달 배선(40) 등이 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 패드는 상기 표시 장치(1000)의 평면 상 하측에 배치될 수 있으며, 외부로부터 전압 또는 신호를 제공받아 상기 표시 장치(1000)로 전달할 수 있다.
예를 들어, 상기 구동 회로부는 상기 게이트 신호를 생성하기 위한 게이트 구동부(GDV), 상기 데이터 전압을 생성하기 위한 데이터 구동부 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 게이트 구동부(GDV)는 상기 표시 장치(1000)의 평면 상 좌측 및/또는 우측에 배치될 수 있다. 상기 게이트 구동부(GDV)는 상기 게이트 신호를 생성할 수 있다. 상기 게이트 구동부(GDV)는 상기 게이트 신호를 생성하여 게이트선(GL)에 출력하기 위하여 트랜지스터, 커패시터 등과 같은 회로 요소들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 데이터 구동부는 상기 표시 장치(1000)의 외부에 배치되어 상기 패드를 통해 상기 표시 장치(1000)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 데이터 구동부는 상기 데이터 신호를 생성할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 데이터 구동부는 상기 표시 장치(1000)의 내부(예를 들어, 상기 표시 장치(1000)의 평면 상 하부)에 실장될 수도 있다.
예를 들어, 상기 전원 배선은 상기 화소 구조물(PX)에 상기 고전원 전압을 제공하기 위한 고전원 전압 배선(60) 및 상기 화소 구조물(PX)에 저전원 전압(예를 들어, VSS)을 제공하기 위한 저전원 전압 배선을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 고전원 전압은 고전원 전압 배선(60) 및 구동 전압선(PL)을 통해 상기 화소 구조물(PX)로 제공될 수 있다. 상기 저전원 전압은 상기 저전원 전압 배선 및 공통 전극(예를 들어, 도 2의 제2 전극(230))을 통해 상기 화소 구조물(PX)로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 신호 배선(10)은 제1 내지 제4 신호 배선들(11, 12, 13, 14)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 신호 배선들(11, 12, 13, 14)은 상기 표시 장치(1000)의 평면 상 좌측 및/또는 우측에 배치되어, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 내지 제4 신호 배선들(11, 12, 13, 14)은 상기 게이트 구동부(GDV)에 전기적으로 연결되어, 상기 게이트 구동부(GDV)에 클럭 신호를 전달할 수 있다. 이를 위해, 상기 게이트 구동부(GDV)는 상기 제1 내지 제4 신호 배선들(11, 12, 13, 14)과 상기 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 신호 배선(10)은 상술한 바에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 신호 배선(10)은 5개 이상의 신호 배선들을 포함할 수 있으며, 또는 필요에 따라 제3 및 제4 신호 배선들(13, 14)은 생략될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전달 배선(40)은 제1 내지 제4 전달 배선들(41, 42, 43, 44)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제4 전달 배선들(41, 42, 43, 44)은 상기 표시 장치(1000)의 평면 상 하측에 배치되어, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 내지 제4 전달 배선들(41, 42, 43, 44) 각각은 상기 데이터 구동부에 전기적으로 연결되어, 상기 데이터선(DL)으로 데이터 전압을 전달할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 전달 배선(40)은 상술한 바에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 전달 배선(40)은 5개 이상의 전달 배선들을 포함할 수 있으며, 상기 전달 배선(40)은 제1 방향(D1)과 교차하는 사선 방향을 따라 연장될 수 있다.
도 2는 표시 영역의 화소 구조물을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 영역(DA)에 배치되는 화소 구조물(PX)은 기판(100) 상에 배치되는 복수의 트랜지스터들, 적어도 하나의 스토리지 커패시터 및 상기 트랜지스터들와 전기적으로 연결되는 유기 발광 소자(200)를 포함할 수 있다.
상기 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 기판(100)은 폴리이미드(polyimide) 계열의 플라스틱 기판을 포함할 수 있고, 이에 따라 상기 표시 장치(1000)는 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 기판(100)은 적어도 하나의 폴리이미드층 및 적어도 하나의 배리어층이 번갈아 가며 적층된 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판(100) 상에는 버퍼층(110)이 더 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(110)은 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 제1 액티브 패턴(ACT1)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(110)은 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)을 균일하게 형성할 수 있다.
상기 제1 액티브 패턴(ACT1)은 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)은 비정질 실리콘, 상기 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘 등의 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)은 제1 트랜지스터(T1)를 구성하기 위한 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역의 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다.
제1 절연층(120)은 제1 액티브 패턴(ACT1)을 커버할 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등으로 이루어질 수 있다.
제1 게이트 전극(GE1)은 상기 제1 절연층(120) 상에 배치되어, 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 함께 제1 트랜지스터(T1)를 구성할 수 있다. 상기 제1 게이트 전극(GE1)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 게이트 전극(GE1)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제2 절연층(130)은 상기 제1 게이트 전극(GE1)을 커버할 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 절연층(130)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등으로 이루어질 수 있다.
게이트 배선 패턴은 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 배선 패턴은 상기 게이트선(GL), 커패시터 전극 패턴(GP), 상기 초기화 전압 배선 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 커패시터 전극 패턴(GP)은 상기 제1 게이트 전극(GE1)과 중첩할 수 있다. 이 경우, 상기 커패시터 전극 패턴(GP)은 상기 제1 게이트 전극(GE1)과 함께 상기 스토리지 커패시터를 구성할 수 있다.
제3 절연층(140)은 상기 커패시터 전극 패턴(GP)을 커버할 수 있다. 상기 제3 절연층(140)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 절연층(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등으로 이루어질 수 있다.
제2 액티브 패턴(ACT2)은 상기 제3 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 아연 주석 산화물(IZTO), 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)은 제2 트랜지스터(T2)를 구성하기 위한 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역의 사이에 위치하는 채널 영역을 포함할 수 있다.
게이트 절연 패턴(160)은 상기 제2 액티브 패턴(GP)의 상기 채널 영역을 커버할 수 있다. 상기 게이트 절연 패턴(160)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연 패턴(160)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등으로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 상기 게이트 절연 패턴(160)은 제2 게이트 전극(GE2)과 함께 패터닝될 수 있고, 이 경우 상기 게이트 절연 패턴(160)은 상기 제2 게이트 전극(GE2)과 평면 상에서 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 게이트 전극(GE2)은 상기 게이트 절연 패턴(160) 상에 배치되어, 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 함께 제2 트랜지스터(T2)를 구성할 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(GE2)은 금속, 합금, 도전 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 게이트 전극(GE2)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제4 절연층(150)은 상기 제2 게이트 전극(GE2)을 커버할 수 있다. 상기 제4 절연층(150)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 절연층(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물 등으로 이루어질 수 있다.
데이터 배선 패턴은 상기 제4 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 상기 데이터 배선 패턴은 상기 데이터선(DL), 상기 구동 전압선(PL), 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(D2) 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 소스 및 제1 드레인 전극들(SE1, DE1)은 제1 액티브 패턴(ACT1)의 상기 소스 및 드레인 영역들에 각각 접촉할 수 있다. 상기 제2 소스 및 제2 드레인 전극들(SE2, DE2)은 제2 액티브 패턴(ACT2)의 상기 소스 및 드레인 영역들에 각각 접촉할 수 있다.
상기 데이터 배선 패턴은 금속, 합금, 도전 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 배선 패턴은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 서로 다른 금속층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 트랜지스터(T1)는 상기 유기 발광 소자(200)에 전류를 공급하는 구동 트랜지스터일 수 있고, 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 구동 트랜지스터를 제어하는 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, 상기 제2 게이트 전극(GE2)은 상기 게이트선(GL)에 연결되어, 상기 게이트 신호를 제공받을 수 있다. 또한, 상기 제2 소스 전극(SE2)은 상기 데이터선(DL)에 연결되어, 상기 데이터 전압을 제공받을 수 있다.
제1 비아 절연층(170)은 상기 데이터 배선 패턴을 커버하며, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 연결 전극(CE)은 상기 제1 비아 절연층(170) 상에 배치되며, 상기 제1 드레인 전극(DE1)과 접촉할 수 있다. 제2 비아 절연층(180)은 상기 연결 전극(CE)을 커버하며, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 비아 절연층들(170, 180)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 비아 절연층들(170, 180)은 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 에폭시 수지 등으로 이루어질 수 있다.
제1 전극(210)은 상기 제2 비아 절연층(180) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(210)은 투과 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(210)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다. 한편, 상기 제1 전극(210)은 상기 유기 발광 소자(200)의 애노드 전극일 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 상기 제2 비아 절연층(180) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(210)의 적어도 일부를 노출하는 개구를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
발광층(220)은 상기 제1 전극(210) 상에서 상기 개구에 배치될 수 있다. 상기 발광층(220)은 적색, 녹색 또는 청색을 갖는 빛을 방출할 수 있다. 이를 위해, 상기 발광층(220)은 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다.
제2 전극(230)은 상기 발광층(220) 및 상기 화소 정의막(PDL) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 전극(230)은 표시 영역(DA)에 배치되는 복수의 화소 구조물들에 걸쳐 연속적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 전극은 투과 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 한편, 상기 제2 전극(230)은 상기 유기 발광 소자(200)의 캐소드 전극일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전극(230) 상에는 박막 봉지층이 더 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층은 외부로부터 수분 및 공기의 침투를 방지할 수 있다. 이를 위해, 상기 박막 봉지층은 교대로 적층되는 무기층과 유기층을 포함할 수 있다.
한편, 상기 화소 구조물(PX)의 구조가 상술한 바에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)은 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 동일한 층에 배치될 수 있고, 상기 제2 게이트 전극(GE2)은 상기 제1 게이트 전극(GE1)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 또한, 상기 연결 전극(CE)과 제2 비아 절연층(180)은 선택적으로 생략될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 A 영역을 확대 도시한 평면도이다. 도 4는 도 3의 I-I'선에 따라 도시한 단면도이다. 도 5는 도 3의 II-II'선에 따라 도시한 단면도이다. 도 6은 도 3의 III-III'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 1, 도 2, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제1 신호 배선(11)은 상기 주변 영역(PA)에 배치되고, 상기 제2 신호 배선(12)은 상기 제1 신호 배선(11)과 중첩하며 상기 제1 신호 배선(11)과 동일한 방향으로 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 신호 배선(11)은 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 신호 배선(11)은 상기 제1 게이트 전극(GE1)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 신호 배선(12)은 상기 제4 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2 신호 배선(12)은 상기 데이터 배선 패턴과 동일한 층에 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)은 서로 중첩하여 배치될 수 있다. 상기 표시 장치(1000)는 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)을 서로 중첩하여 배치함으로써, 주변 영역(PA)의 폭(예를 들어, 제2 방향(D2)으로의 폭)을 감소시키거나, 또는 주변 영역(PA)에 별도의 배선이 더 설계될 수 있는 공간을 확보할 수 있다.
제1 차폐 패턴(30)은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 차폐 패턴(30)은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)과 중첩할 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 차폐 패턴(30)은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)과 동일한 방향을 따라 연장될 수 있다. 또한, 상기 제1 차폐 패턴(30)의 폭은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12) 각각의 폭보다 클 수 있다.
한편, 각각의 신호들을 전달하는 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)이 서로 중첩함에 따라, 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12) 사이에는 커플링 현상이 발생될 수 있다. 그러나, 상기 제1 차폐 패턴(30)이 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12) 사이에 배치됨으로써 상기 커플링 현상이 발생되는 것을 억제할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 커플링 현상의 발생을 더욱 효과적으로 억제하기 위해, 상기 제1 차폐 패턴(30)에는 정전압이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 정전압은 상기 고전원 전압일 수 있다. 이 경우, 상기 고전원 전압이 제1 차폐 패턴(30)에 제공되기 위해, 제1 차폐 패턴(30)은 고전원 전압 배선(60)에 연결될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 정전압은 상기 초기화 전압일 수 있다. 다만, 상기 정전압이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 정전압은 제1 차폐 패턴(30)에 제공되기 위해 마련되는 별도의 정전압일 수도 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 차폐 패턴(30)은 상기 제3 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 차폐 패턴(30)은 상기 제2 게이트 전극(GE2)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 차폐 패턴(30)은 상기 제2 게이트 전극(GE2)과 함께 형성할 수 있으며, 상기 제1 차폐 패턴(30)을 형성하기 위해 추가적인 공정이 요구되지 않을 수 있다.
한편, 도 3에서는 상기 제1 신호 배선(11)의 폭이 상기 제2 신호 배선(12)의 폭보다 큰 것으로 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것이며, 상기 제1 신호 배선(11)의 폭은 상기 제2 신호 배선(12)의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)과 상기 제1 차폐 패턴(30)이 배치되는 층은 상술한 바에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 제1 차폐 패턴(30)은 제2 절연층(130) 상에서 게이트 금속 패턴(GP)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 차폐 패턴(30)이 배치되는 층은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12) 사이에 배치되는 층의 범위 내에서 적절하게 선택될 수 있다.
도 5는 도 3의 II-II'선에 따라 도시한 단면도이다. 도 6은 도 3의 III-III'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 1, 도 2, 도 3, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 표시 장치(1000)는 제1 신호 전달 배선(21) 및 제2 신호 전달 배선(22)을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 신호 전달 배선(21)은 상기 제1 신호 배선(11)과 상기 구동 회로부를 연결할 수 있다. 또한, 상기 제2 신호 전달 배선(22)은 상기 제2 신호 배선(12)과 상기 구동 회로부를 연결할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)은 상기 클럭 신호들을 각각 전달할 수 있고, 상기 구동 회로부는 상기 게이트 구동부(GDV)일 수 있다. 이 경우, 상기 제1 및 제2 신호 전달 배선들(21, 22)은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)로부터 상기 게이트 구동부(GDV)로 클럭 신호들을 각각 전달할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 신호 전달 배선(21)은 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 신호 전달 배선(21)은 상기 커패시터 전극 패턴(GP)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제1 신호 전달 배선(21)은 제1 콘택부(CNT1)를 통해 상기 제1 신호 배선(11)과 접촉할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 신호 전달 배선(22)은 상기 제1 비아 절연층(170) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2 신호 전달 배선(22)은 상기 연결 전극(CE)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제2 신호 전달 배선(22)은 제2 콘택부(CNT2)를 통해 상기 제2 신호 배선(12)과 접촉할 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 제2 신호 전달 배선(22)은 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 이에 대한 자세한 내용은 도 9를 참조하여 후술하기로 한다.
한편, 상기 표시 장치(1000)는 제3 신호 배선(13)과 제4 신호 배선(14) 및 제3 신호 전달 배선(23)과 제4 신호 전달 배선(24)을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 및 제4 신호 배선들(13, 14)의 구조는 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)의 구조와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 제3 및 제4 신호 전달 배선들(23, 24)은 상기 제3 및 제4 신호 배선들(13, 14)과 상기 구동 회로부를 각각 연결할 수 있고, 상기 제3 및 제4 신호 전달 배선들(23, 24)의 구조들도 상기 제1 및 제2 신호 전달 배선들(21, 22)의 구조들과 각각 실질적으로 동일할 수 있다.
또한, 도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 차폐 패턴(30)은 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12) 사이에 배치됨과 동시에 제3 및 제4 신호 배선들(13, 14) 사이에도 배치될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1의 A 영역을 확대 도시한 평면도이다. 도 8은 도 7의 IV-IV'선에 따라 도시한 단면도이다. 도 9는 도 7의 V-V'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 1, 도 2, 도 7, 도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 신호 배선(11), 제3 신호 배선(13), 제1 신호 전달 배선(21) 및 제3 신호 전달 배선(23)은 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한 상기 제1 신호 배선(11), 상기 제3 신호 배선(13), 상기 제1 신호 전달 배선(21) 및 상기 제3 신호 전달 배선(23)과 실질적으로 동일할 수 있다. 이하에서는, 제2 신호 배선(12), 제4 신호 배선(14), 제2 신호 전달 배선(22), 제4 신호 전달 배선(24), 제1 보조 차폐 패턴(30_1) 및 제2 보조 차폐 패턴(30_2)에 대하여 자세히 설명한다.
상술한 바와 같이, 상기 제2 신호 전달 배선(22)은 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2 신호 전달 배선(22)은 상기 커패시터 전극 패턴(GP)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 신호 전달 배선(22)은 상기 제1 신호 전달 배선(21)과 동일한 층에서 동일한 방향으로 나란하게 연장될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 신호 전달 배선(22)은 상기 제1 신호 전달 배선(21) 및 상기 커패시터 전극 패턴(GP)과 함께 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 신호 배선(12)은 상기 제4 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2 신호 배선(12)은 상기 데이터 배선 패턴과 동일한 층에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 신호 배선(12)은 상기 제2 신호 전달 배선(22)과 중첩하는 연장부(EXT)를 포함할 수 있다. 상기 제2 신호 배선(12)은 상기 연장부(EXT) 및 제2 콘택부(CNT2)를 통해 상기 제2 신호 전달 배선(22)과 접촉할 수 있다. 상기 제2 콘택부(CNT2)는 상기 연장부(EXT)와 중첩하며 상기 제1 및 제2 보조 차폐 패턴들(30_1, 30_2)과 이격하는 영역에 배치될 수 있다.
상기 제1 보조 차폐 패턴(30_1)은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 보조 차폐 패턴(30_1)은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)과 중첩할 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 보조 차폐 패턴(30_1)은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12)과 동일한 방향을 따라 연장될 수 있다. 또한, 상기 제1 보조 차폐 패턴(30_1)의 폭은 상기 제1 및 제2 신호 배선들(11, 12) 각각의 폭보다 클 수 있다.
또한, 상기 제1 보조 차폐 패턴(30_1)에는 정전압이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 정전압은 상기 고전원 전압일 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 정전압은 상기 초기화 전압일 수 있다.
한편, 상기 제4 신호 배선(14)의 구조는 상기 제2 신호 배선(12)의 구조와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 제4 신호 전달 배선(24)은 상기 제4 신호 배선(14)과 상기 구동 회로부를 각각 연결할 수 있고, 상기 제4 신호 전달 배선(24)의 구조도 상기 제2 신호 전달 배선(22)의 구조와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 제2 보조 차폐 패턴(30_2)은 상기 제3 및 제4 신호 배선들(13, 14) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 보조 차폐 패턴(30_2)은 상기 제3 및 제4 신호 배선들(13, 14)과 중첩할 수 있다. 그에 따라, 상기 제2 보조 차폐 패턴(30_2)은 상기 제3 및 제4 신호 배선들(13, 14)과 동일한 방향을 따라 연장될 수 있다. 또한, 상기 제2 보조 차폐 패턴(30_2)의 폭은 상기 제3 및 제4 신호 배선들(13, 14) 각각의 폭보다 클 수 있다.
또한, 상기 제2 보조 차폐 패턴(30_2)에는 정전압이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 정전압은 상기 제1 보조 차폐 패턴(30_1)에 제공되는 정전압과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 표시 장치(1000)의 상기 제2 및 제4 신호 전달 배선들(22, 24)은 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 각각의 상기 제2 및 제4 신호 배선들(12, 14)은 상기 연장부(EXT)를 포함할 수 있다.
한편, 도 7 내지 도 9 에서는 서로 이격하는 제1 및 제2 보조 차폐 패턴들(30_1, 30_2)을 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 제2 콘택부(CNT2)가 형성되지 않는 영역에서는 제1 및 제2 보조 차폐 패턴들(30_1, 30_2)이 서로 연결될 수도 있다.
한편, 도 3 내지 도 6 및 도 7 내지 도 9를 참조하여 각각 설명한 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 상기 표시 장치가 가질 수 있는 다양한 구조들 중 예시적인 구조에 불과하다. 따라서, 상기 배선들이 배치되는 층은 다양하게 변경될 수 있으며, 이는 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 자명하게 이해할 것이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 B 영역을 확대 도시한 평면도이다. 도 11는 도 10의 VI-VI'선에 따라 도시한 단면도이다. 도 12는 도 10의 VII-VII'선에 따라 도시한 단면도이다. 도 13은 도 10의 VIII-VIII'선에 따라 도시한 단면도이다.
도 1, 도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 전달 배선(40)은 상기 제1 및 제2 전달 배선들(41, 42)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 전달 배선(41)은 상기 제4 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제2 전달 배선(42)은 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전달 배선들(41, 42)은 제1 및 제2 데이터선들(DL1, DL2)로 데이터 전압을 각각 전달할 수 있다.
상기 제1 및 제2 전달 배선들(41, 42)은 서로 중첩하여 배치될 수 있다. 상기 표시 장치(1000)는 제1 및 제2 전달 배선들(41, 42)을 서로 중첩하여 배치함으로써, 주변 영역(PA)의 폭(예를 들어, 제1 방향(D1)으로의 폭)을 감소시키거나, 또는 주변 영역(PA)에 별도의 배선이 더 설계될 수 있는 공간을 확보할 수 있다.
제2 차폐 패턴(70)은 상기 제1 및 제2 전달 배선들(41, 42) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 차폐 패턴(70)은 상기 제3 절연층(140) 상에 배치되어, 상기 제1 및 제2 전달 배선들(41, 42)과 중첩할 수 있다. 상기 제2 차폐 패턴(70)에는 정전압이 제공됨으로써, 상기 제2 차폐 패턴(70)은 상기 제1 및 제2 전달 배선들(41, 42) 사이에 발생할 수 있는 커플링 현상을 억제할 수 있다.
도 1, 도 10 및 도 12를 참조하면, 상기 제1 전달 배선(41)이 상기 고전원 전압 배선(60)을 우회하여 제1 데이터선(DL1)에 연결되기 위해, 상기 표시 장치(1000)는 브릿지 패턴(BP)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 브릿지 패턴(BP)은 상기 제3 절연층(140) 상에 배치될 수 있다.
도 1, 도 10 및 도 13을 참조하면, 상기 제2 전달 배선(42)은 별도의 브릿지 패턴 없이, 상기 고전원 전압 배선(60)의 하부에서 연장함으로써 제2 데이터선(DL2)에 연결될 수 있다.
한편, 상기 전달 배선(40)은 제3 및 제4 전달 배선들(43, 44)을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 전달 배선(43)은 상기 제4 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제4 전달 배선(44)은 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 및 제4 전달 배선들(43, 44)은 제3 및 제4 데이터선들(DL3, DL4)로 데이터 전압을 각각 전달할 수 있다.
상기 제2 차폐 패턴(70)은 상기 제3 및 제4 전달 배선들(43, 44) 사이에 더 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제2 차폐 패턴(70)은 제1 및 제2 전달 배선들(41, 42) 사이에 배치됨과 동시에 제3 및 제4 전달 배선들(43, 44) 사이에도 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(1000)는 주변 영역(PA)에 배치되는 신호 배선들 및/또는 전달 배선들을 서로 중첩하여 배치함으로써, 주변 영역(PA)의 폭을 감소시키거나, 또는 주변 영역(PA)에 별도의 배선이 더 설계될 수 있는 공간을 확보할 수 있다. 이와 동시에, 상기 표시 장치(1000)는 서로 중첩하는 배선들 사이에 배치되는 차폐 패턴(예를 들어, 제1 차폐 패턴(30) 또는 제2 차폐 패턴(70))을 포함함으로써, 상기 배선들 사이에 발생할 수 있는 커플링 현상을 억제할 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
1000 : 표시 장치 DA : 표시 영역
PA : 주변 영역 10 : 신호 배선
20 : 신호 전달 배선 40 : 전달 배선
30 : 제1 차폐 패턴 70 : 제2 차폐 패턴
GL : 게이트선 DL : 데이터선
PL : 구동 전압선

Claims (20)

  1. 표시 영역에 배치되는 화소 구조물;
    상기 표시 영역에 인접한 주변 영역에 배치되는 제1 신호 배선;
    상기 제1 신호 배선과 중첩하며 상기 제1 신호 배선과 동일한 방향으로 연장되는 제2 신호 배선;
    상기 주변 영역에 배치되며, 상기 제1 신호 배선 및 상기 제2 신호 배선과 전기적으로 연결되는 구동 회로부; 및
    상기 제1 신호 배선과 상기 제2 신호 배선 사이에 배치되는 제1 차폐 패턴을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 차폐 패턴에는 정전압이 제공되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 정전압은 고전원 전압인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 정전압은 초기화 전압인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제1 차폐 패턴의 폭은 상기 제1 및 제2 신호 배선들 각각의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 제1 차폐 패턴과 상기 제1 신호 배선 사이에 배치되고, 상기 제1 신호 배선과 상기 구동 회로부를 전기적으로 연결하는 제1 신호 전달 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 제2 신호 배선 상에 배치되고, 상기 제2 신호 배선과 상기 구동 회로부를 전기적으로 연결하는 제2 신호 전달 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 화소 구조물은
    제1 액티브 패턴;
    상기 제1 액티브 패턴 상에 배치되는 제1 게이트 전극;
    상기 제1 게이트 전극 상에 배치되는 커패시터 전극 패턴;
    상기 게이트 배선 패턴 상에 배치되는 제2 액티브 패턴;
    상기 제2 액티브 패턴 상에 배치되는 제2 게이트 전극;
    상기 제2 게이트 전극 상에 배치되는 데이터 배선 패턴; 및
    상기 데이터 배선 패턴 상에 배치되는 연결 전극을 포함하고,
    상기 제1 차폐 패턴은 상기 제2 게이트 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제1 신호 배선은 상기 제1 게이트 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 제2 신호 배선은 상기 데이터 배선 패턴과 동일한 층에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 제1 신호 전달 배선은 상기 커패시터 전극 패턴과 동일한 층에 배치되고, 상기 제2 신호 전달 배선은 상기 연결 전극과 동일한 층에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 신호 전달 배선들은 상기 커패시터 전극 패턴과 동일한 층에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 제2 신호 배선은 상기 제2 신호 전달 배선과 중첩하는 연장부를 포함하고,
    상기 연장부는 상기 제1 차폐 패턴과 이격하는 콘택부를 통해 상기 제2 신호 전달 배선과 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제8 항에 있어서, 상기 제1 액티브 패턴은 실리콘 반도체를 포함하고, 상기 제2 액티브 패턴은 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 주변 영역에 배치되는 제3 신호 배선; 및
    상기 제3 신호 배선과 중첩하며 상기 제3 신호 배선과 동일한 방향으로 연장되는 제4 신호 배선을 더 포함하고,
    상기 제1 차폐 패턴은 상기 제3 신호 배선과 상기 제4 신호 배선 사이에 더 배치되며,
    상기 구동 회로부는 상기 제1 내지 제4 신호 배선들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 제1 차폐 패턴은 제1 보조 차폐 패턴 및 제2 보조 차폐 패턴을 포함하고,
    상기 제1 보조 차폐 패턴은 상기 제1 신호 배선과 상기 제2 신호 배선 사이에 배치되며,
    상기 제2 보조 차폐 패턴은 상기 제3 신호 배선과 상기 제4 신호 배선 사이에 배치되고,
    상기 제1 및 제2 보조 차폐 패턴들은 서로 이격하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 영역에 배치되는 복수의 데이터선들;
    상기 주변 영역에 배치되어 제1 데이터선과 전기적으로 연결되는 제1 전달 배선;
    상기 제1 전달 배선과 중첩하며 제2 데이터선과 전기적으로 연결되는 제2 전달 배선; 및
    상기 제1 전달 배선과 상기 제2 전달 배선 사이에 배치되며 정전압이 제공되는 제2 차폐 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 표시 영역에 배치되는 화소 구조물;
    상기 표시 영역에 배치되는 복수의 데이터선들;
    상기 표시 영역에 인접한 주변 영역에 배치되어 제1 데이터선과 전기적으로 연결되는 제1 전달 배선;
    상기 제1 전달 배선과 중첩하며 제2 데이터선과 전기적으로 연결되는 제2 전달 배선; 및
    상기 제1 전달 배선과 상기 제2 전달 배선 사이에 배치되며 정전압이 제공되는 차폐 패턴을 포함하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 정전압은 고전원 전압인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제16 항에 있어서, 상기 정전압은 초기화 전압인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제16 항에 있어서, 상기 화소 구조물은
    제1 액티브 패턴;
    상기 제1 액티브 패턴 상에 배치되는 제1 게이트 전극;
    상기 제1 게이트 전극 상에 배치되는 커패시터 전극 패턴;
    상기 게이트 배선 패턴 상에 배치되는 제2 액티브 패턴;
    상기 제2 액티브 패턴 상에 배치되는 제2 게이트 전극;
    상기 제2 게이트 전극 상에 배치되는 데이터 배선 패턴; 및
    상기 데이터 배선 패턴 상에 배치되는 연결 전극을 포함하고,
    상기 차폐 패턴은 상기 제2 게이트 전극과 동일한 층에 배치되며, 상기 제1 전달 배선은 상기 제1 게이트 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 제2 전달 배선은 상기 데이터 배선 패턴과 동일한 층에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 주변 영역에 배치되어 제3 데이터선과 전기적으로 연결되는 제3 전달 배선; 및
    상기 제3 전달 배선과 중첩하며 제4 데이터선과 전기적으로 연결되는 제4 전달 배선을 더 포함하고,
    상기 차폐 패턴은 상기 제3 전달 배선과 상기 제4 전달 배선 사이에 더 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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