CN211528859U - 电光学装置 - Google Patents

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CN211528859U CN201922441298.0U CN201922441298U CN211528859U CN 211528859 U CN211528859 U CN 211528859U CN 201922441298 U CN201922441298 U CN 201922441298U CN 211528859 U CN211528859 U CN 211528859U
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Abstract

本实用新型涉及电光学装置,其提高电光学装置的可靠性。作为电光学装置的显示装置(DSP1)具有:形成有液晶层(LQ)的显示区域(DA)、以及具有屈曲区域(BND)的非显示区域(NDA)。具备挠性的支承基板(10)被设置于屈曲区域(BND)的内径面侧,具备挠性的支承基板(20)被设置于屈曲区域(BND)的外径面侧。其中,屈曲区域(BND)中,在支承基板(10)与支承基板(20)之间、从支承基板(10)侧朝向支承基板(20)侧依次形成有电连接于晶体管的布线(WR1)、由无机材料形成的阻隔膜(BR)、以及冲击吸收层(BFL1)。另外,冲击吸收层(BFL1)具有的韧性大于支承基板(20)以及阻隔膜(BR)各自的韧性。

Description

电光学装置
技术领域
本实用新型涉及电光学装置,例如涉及使具有挠性的基板的周边区域屈曲而进行使用的电光学装置。
背景技术
专利文献1中公开了将具有挠性的基板用作构成作为显示装置的电光学装置的基板的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-118373号公报
发明内容
发明所要解决的课题
具有液晶层的显示装置这样的电光学装置中,使用了具有挠性的基板的情况下,可使基板屈曲。通过使处于显示区域外侧的周边区域的基板屈曲,从而能够减小周边区域的面积。另一方面,将形成于显示区域的电极与处于周边区域的驱动电路进行电连接的布线以跨着屈曲区域的方式延伸。
但是,在施加于屈曲区域的应力的影响下,有时会发生如下的不良情况:形成于屈曲区域的结构体发生损伤,上述布线发生断线;等等。因此,为了不发生这样的不良情况,期望开发出抑制屈曲区域中的结构体的损伤、并且提高显示装置这样的电光学装置的可靠性的技术。
另外,从本说明书的记述以及附图可知其他课题以及新型的特征。
用于解决课题的手段
作为一个实施方式的电光学装置,具有:显示区域、以及位于前述显示区域的周边的作为非显示区域的一部分的屈曲区域。另外,电光学装置具有:具备挠性的第一支承基板、以及具备挠性的第二支承基板。此处,前述显示区域中,前述第一支承基板与前述第二支承基板之间,从前述第一支承基板侧朝向前述第二支承基板侧依次形成有晶体管、电光学层以及无机膜。另外,前述屈曲区域中,前述第一支承基板被设置于前述屈曲区域的内径面侧,前述第二支承基板被设置于前述屈曲区域的外径面侧。另外,前述屈曲区域中,前述第一支承基板与前述第二支承基板之间,从前述第一支承基板侧朝向前述第二支承基板侧依次形成有电连接于前述晶体管的第一布线、前述无机膜以及第一冲击吸收层。另外,前述第一冲击吸收层具有的韧性大于前述第二支承基板以及前述无机膜各自的韧性。
附图说明
图1为示出实施方式1的显示装置的俯视图。
图2为示出实施方式1的显示装置中的一个像素的周边的电路构成例的电路图。
图3为示出实施方式1的显示装置的剖视图。
图4为示出实施方式1的显示装置的放大剖视图。
图5为示出实施方式1的显示装置的放大俯视图。
图6为示出实施方式1的显示装置的放大剖视图。
图7为示出实施方式1的显示装置的放大剖视图。
图8为示出实施方式2的显示装置的放大剖视图。
图9为示出实施方式3的显示装置的放大剖视图。
图10是示出本申请的发明人在实施方式4的显示装置中得到的实验数据的图表。
图11为示出研究例的显示装置的放大剖视图。
附图标记说明
10、20 支承基板
FS1、FS2 表面
BS1、BS2 背面
11、12、14、15 绝缘膜(无机膜)
13 绝缘膜(有机膜)
ACF 各向异性导电膜
AL1、AL2 取向膜
BFL1、BFL2 冲击吸收层(缓冲层)
BL 背光单元
BM 遮光膜
BND 屈曲区域
BR 阻隔膜(无机膜)
CB 电路基板
CD 公共电极驱动电路
CE 公共电极
CFB、CFG、CFR 彩色滤光片
CH 开口部
CML 公共信号线
CR1、CR2、CR3 裂纹
CS 容量,CVM 盖部件
DA 显示区域
DE 漏极
DSP1、DSP2 显示装置(电光学装置)
FWB 布线板
GD 栅极驱动电路
GE 栅电极
GL 栅极线
Gsi 扫描信号
LQ 液晶层(电光学层)
NDA 非显示区域
NP 中立面
OC 平坦化膜(绝缘膜)
OD1、OD2 光学元件
OF1、OF2、OF3 有机膜
PE 像素电极
PF1、PF2 周边区域
PSW 像素开关元件
PX 像素
SCL 信号用连接布线
SD 源极驱动电路
SE 源极
SL 源极线
SLM 密封件
Spic 视频信号
SUB1、SUB2 基板
SWS 开关电路部
TM1、TM2 端子
Tr1 晶体管
WR1、WR2 布线
具体实施方式
以下,参照附图的同时对本实用新型的各实施方式进行说明。需要说明的是,公开内容终归仅是一个例子,对于本领域技术人员可容易地想到的保持了发明主旨的适当变更,当然包含在本实用新型的范围内。另外,为了使得说明更加明确,因而有时与实际的形态相比,附图存在示意性地示出各部的宽度、厚度或者形状等的情况,但是附图终归只是一个例子,并不对本实用新型的解释进行限定。另外,本说明书以及各附图中,有时对于与已说明的图中叙述的要素同样的要素会赋予相同或者关联的附图标记,从而适当省略详细说明。
(实施方式1)
以下,作为具备有液晶层这样的电光学层的电光学装置,对使显示区域显示各种图像的显示装置进行说明。需要说明的是,本实施方式中,主要对智能手机或者平板电脑终端设备等中使用的显示装置进行说明,但是电光学装置也包括在汽车的后视镜(roommirror)等中使用的用于控制光的透射的光闸(shutter)液晶元件等。
另外,就具备液晶层的显示装置而言,根据用于改变液晶层的液晶分子的取向的电场的施加方向,大体上分类为以下2种。即,作为第一分类,存在沿显示装置的厚度方向或者显示面的面外方向施加电场的、所谓纵向电场模式。纵向电场模式中,存在例如TN(Twisted Nematic、扭曲向列)模式以及VA(Vertical Alignment、垂直取向)模式。另外,作为第二分类,存在沿显示装置的平面方向或者显示面的面内方向施加电场的、所谓横向电场模式。横向电场模式中,存在例如IPS(In-Plane Switching、平面转换)模式以及作为IPS模式之一的FFS(Fringe Field Switching、边缘场开关)模式。以下说明的技术都可适用于纵向电场模式以及横向电场模式中的任意模式,在本实施方式中,对横向电场模式的显示装置进行说明。
以下,使用图1~7对本实施方式中的作为电光学装置的显示装置DSP1进行详细说明。
图1为示出本实施方式的显示装置DPS1的俯视图。图2为示出显示装置DPS1中的一个像素PX的周边的电路构成例的电路图。图3是沿着图1所示的A1-A1线的剖视图。图4是将显示区域DA的一部分进行放大而得到的剖视图。图5是将图1的一部分进行放大而得到的俯视图。图6是沿着图5所示的A2-A2线的剖视图,且是将图3的一部分进行放大而得到的剖视图。图7是沿着图5所示的B-B线的剖视图。
<显示装置DSP1的构成>
如图1所示,显示装置DSP1具有:根据从显示装置DSP1的外部供给的输入信号而形成图像的显示区域DA、以及俯视下位于显示区域DA的周边的非显示区域(边框区域)NDA。另外,图1中主要示出了基板SUB1的俯视图,省略了图3等所示那样的基板SUB2以及盖部件CVM的图示。
图1中,俯视下的显示区域DA与非显示区域NDA的边界由双点划线表示。显示区域DA是形成有图3等所示的液晶层(电光学层)LQ的区域,俯视下,显示区域DA被非显示区域NDA包围。换言之,非显示区域NDA是未形成液晶层LQ的区域。需要说明的是,图1所示的显示区域DA是四边形,但是显示区域DA也可以是多边形或者圆形等除了四边形以外的形状。另外,图1中,利用实线而示意性地示出了显示装置DSP1具备的电路中的、相当于显示图像的显示部的电路框以及布线的一部分。
关于非显示区域NDA,按照接近显示区域DA的顺序,具有周边区域PF2、屈曲区域BND以及周边区域PF1。周边区域PF1电连接于被配置在显示装置DSP1的外部的布线板(柔性布线板)FWB、以及图3所示的电路基板CB等。另外,图1中,为了方便,周边区域PF1与屈曲区域BND的边界、以及周边区域PF2与屈曲区域BND的边界由虚线表示。
另外,虽然下文使用图3等进行说明,但是由于基板SUB1具有挠性,实际上在屈曲区域BND中屈曲,因而从相对于显示区域DA的法线方向(Z方向)观察的俯视下,无法看到周边区域PF1。然而,为了容易理解基板SUB1的构成,因而在图1中示出了屈曲区域BND以及周边区域PF1。
另外,图1中,俯视下,在配置有密封件(粘接材料)SLM的区域(密封区域)标注点状图案。关于密封件SLM,以包围显示区域DA的周边的方式形成于包含周边区域PF2、屈曲区域BND以及周边区域PF1的非显示区域NDA,未形成于显示区域DA。
如图1所示,显示区域DA中,多个栅极线(扫描线)GL沿X方向延伸,多个源极线(信号线、视频信号线)SL沿Y方向延伸。多个栅极线GL沿Y方向以相互地空出间隔的方式排列,多个源极线SL沿X方向以相互地空出间隔的方式排列。各个栅极线GL与各个源极线SL交叉的位置成为形成像素PX的区域。
多个栅极线GL被引出到显示区域DA外侧的非显示区域NDA,而连接于栅极驱动电路(扫描线驱动电路)GD。多个源极线SL被引出到显示区域DA外侧的非显示区域NDA,而连接于开关(switch)电路部SWS。关于栅极驱动电路GD以及开关电路部SWS,经由信号用连接布线SCL(布线WR1)而电连接于布线板FWB。需要说明的是,信号用连接布线SCL具有沿Y方向延伸的部分,但也具有沿与Y方向交叉的方向延伸的部分。
本实施方式中,源极线SL与信号用连接布线SCL之间设置有开关电路部SWS。开关电路部SWS是例如多路复用器(multiplexer)电路,将信号供给(输出)于从多个源极线SL中选择的源极线SL。例如,在具有红色用、蓝色用以及绿色用的3种源极线SL的情况下,开关电路部SWS将信号供给于所选择的颜色用的源极线SL。在多个源极线SL连接于开关电路SWS的情况下,可使得对开关电路SWS与源极驱动电路(信号线驱动电路)SD进行连接的布线的数量少于源极线SL的数量。
开关电路部SWS被设置于周边区域PF2。通过将开关电路部SWS配置在显示区域DA的附近,从而可减少对开关电路部SWS与布线板FWB进行电连接的布线WR1的数量。
图2中示出了一个像素PX的周边的电路构成例。栅极驱动电路GD是将输入于各个栅极线GL的扫描信号Gsi进行输出的扫描信号输出电路。源极驱动电路SD是经由各个源极线SL将输入于各个像素PX所具备的像素电极PE的视频信号Spic进行输出的视频信号输出电路。关于源极驱动电路SD,例如,形成于布线板FWB或者图3所示的电路基板CB。
像素PX具有像素开关元件PSW,关于像素开关元件PSW,利用例如薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)这样的晶体管Tr1而构成。晶体管Tr1具有连接于栅极线GL的栅电极GE、连接于源极线SL的源电极SE、以及连接于像素电极PE的漏电极DE。
公共电极CE中,在显示期间内,相对于多个像素PX供给有共通的驱动电位。关于共通的驱动电位,经由图4所示的公共信号线CML而从公共电极驱动电路CD被供给。需要说明的是,公共电极驱动电路CD形成于布线板FWB或者图3所示的电路基板CB。漏电极DE经由容量CS而电连接于公共电极CE,像素电极PE经由液晶层LQ而电连接于公共电极CE。
晶体管Tr1为导通状态时,从源极线SL供给的视频信号Spic经由漏电极DE而被送于像素电极PE。此时,在显示装置DSP1显示图像的显示期间,根据公共电极CE与像素电极PE之间的电位差,形成有对液晶分子进行驱动的电场。由此,液晶层LQ的液晶取向发生变化,从而能够调整透射液晶层LQ的光的强度。
需要说明的是,公共电极CE形成于显示区域DA的整体,但是可在显示区域DA形成一个公共电极CE,也可在显示区域DA形成多个公共电极CE。
图3是沿着图1所示的A1-A1线的剖视图。如图3所示,显示装置DSP1具备:具有表面FS1以及背面BS1的基板SUB1、以及具有表面FS2以及背面BS2的基板SUB2。基板SUB1沿Z方向(厚度方向)与基板SUB2对置。显示区域DA中,基板SUB1与基板SUB2之间形成有液晶层(电光学层)LQ。即,液晶层LQ被贴合于基板SUB1的表面FS1、和基板SUB2的背面BS2。换言之,显示区域DA中,基板SUB1以及基板SUB2与液晶层LQ叠置。本实施方式中,在显示区域DA,基板SUB2的表面FS2侧成为显示装置DSP1的显示面侧。
另外,基板SUB1的背面BS1侧设置有背光单元(光源)BL,基板SUB1与背光单元BL之间设置有光学元件OD1。背光单元BL具有沿从基板SUB1朝向基板SUB2的方向发射光的功能。另外,基板SUB2的表面FS2侧设置有光学元件OD2。光学元件OD1以及光学元件OD2各自至少包含偏光板,也可根据需要而包含相位差板。
基板SUB2的表面FS2上隔着光学元件OD2而设置有盖部件CVM。盖部件CVM是用于保护基板SUB1、基板SUB2、光学元件OD1以及光学元件OD2的构件,以覆盖显示装置DSP1的显示面的方式被设置。但是,盖部件CVM并非必需,也存在根据制品规格而不在显示装置DSP1中设置盖部件CVM的情况。
虽然在后述的图4等中进行了详细说明,但是基板SUB1是阵列状地形成有多个晶体管Tr1的阵列基板,基板SUB1中形成有多个栅极线GL、多个源极线SL、多个公共电极CE、多个公共信号线CML、多个像素电极PE以及取向膜AL1等。另外,基板SUB2是形成有彩色滤光片CFR、彩色滤光片CFG以及彩色滤光片CFB等的彩色滤光片基板,基板SUB2中形成有取向膜AL2、平坦化膜(绝缘膜)OC、遮光膜BM以及阻隔膜BR等。
液晶层LQ具备如下的功能:通过使用晶体管Tr1而对形成在像素PX周边的电场的状态进行控制,从而将从背光单元BU发射的光进行调制。
非显示区域NDA中,基板SUB1与基板SUB2介由密封件SLM而被粘接。关于密封件SLM,也发挥用于将成为液晶层LQ的液晶封入基板SUB1与基板SUB2之间的作用。
另外,基板SUB1以及基板SUB2具备可弯曲变形的程度的挠性。由此,通过使基板SUB1以及基板SUB2进行屈曲,从而可在Y方向上减小非显示区域NDA的宽度。如图3所示,本实施方式中,非显示区域NDA具有:基板SUB1以及基板SUB2发生了屈曲的屈曲区域;与显示区域DA相邻,且位于显示区域DA与屈曲区域BND之间的周边区域PF2;电连接于布线板FWB,且位于屈曲区域BND与布线板FWB之间的周边区域PF1。周边区域PF2与显示区域DA同样地是平坦的区域,周边区域PF1也是平坦的区域。
另外,在剖视下,设置在屈曲区域BND的内径侧的是基板SUB1,设置在屈曲区域BND的外径侧的是基板SUB2。换言之,屈曲区域BND的内径面相当于基板SUB1的背面BS1,屈曲区域BND的外径面相当于基板SUB2的表面FS2。
需要说明的是,关于此处所说的内径面以及外径面,各自在剖视下,可以是正圆的弧,也可以是曲率半径不同的曲线连续地连接着的弧。另外,上述曲线也包括曲率半径为零的直线。
布线板FWB设置于在俯视下与背光单元BL叠置的位置,经由端子TM1以及端子TM2而电连接于基板SUB1。端子TM1是布线WR1的一部分,端子TM2是在布线板FWB的内部形成的布线的一部分。各向异性导电膜ACF是具有导电性的绝缘膜,例如是包含多个导电粒子的绝缘膜。关于电路基板CB,与布线板FWB同样地设置于在俯视下与背光单元BL叠置的位置,电连接于布线板FWB的内部的布线。在电路基板CB中,例如,形成了图2所示的源极驱动电路SD以及公共电极驱动电路CD等。
此处,以沿Z方向从作为显示面侧的基板SUB2的表面FS2朝向基板SUB1的背面BS1的方式观察显示装置DSP1的情况下,只要可在能够视认的范围内减小非显示区域NDA的面积,那么可提高显示装置DSP1的显示区域DA的有效面积率。因此,在本实施方式中,可从非显示区域NDA削减相当于用于使基板SUB1电连接于布线板FWB以及电路基板CB而所需的空间部分。另外,越减小屈曲区域BND中的曲率半径,则越可减小非显示区域NDA的面积。
通过这样地使基板SUB1进行屈曲,从而在显示区域DA的背面侧配置布线板FWB、电路基板CB的情况下,需要将形成于显示区域DA的晶体管Tr1以及各种电极与配置于显示区域DA的背面侧的电路基板CB进行电连接。由此,基板SUB1中,在周边区域PF2,引出了与形成在显示区域DA的晶体管Tr1以及各种电极进行电连接的布线WR2。即,布线WR2是电连接于多个栅极线GL、多个源极线SL以及多个公共信号线CML的布线。
周边区域PF2中,布线WR2连接于布线WR1。布线WR1跨着周边区域PF2、屈曲区域BND以及周边区域PF1而延伸。而且,非显示区域NDA中,在布线WR1与基板SUB1之间形成了有机膜OF1,在布线WR1与密封件SLM之间形成了有机膜OF2。即,布线WR1形成于有机膜OF1与有机膜OF2之间。另外,周边区域PF1中,从有机膜OF2露出着的布线WR1的一部分成为上述的端子TM1。
有机膜OF1也可以是与有机膜OF2不同的材料,但是在本实施方式中,例示了构成有机膜OF1以及有机膜OF2的材料是相同的情况。有机膜OF1以及有机膜OF2分别为例如丙烯酸树脂膜,由感光性树脂材料形成。
需要说明的是,关于布线WR1,例如是由钼(Mo)或者钨(W)等金属形成的单层膜、或者由它们的合金形成的金属膜的层叠膜。作为构成布线WR1的材料的其它例子,布线WR1也可以是以铝(Al)为主成分的金属膜,也可以是例如通过将铝膜夹持于钛(Ti)膜以及氮化钛(TiN)膜等而得到的层叠膜。
图4是通过将显示区域DA的一部分进行放大而得到的剖视图,示出了显示区域DA中的基板SUB1以及基板SUB2的内部的详细结构。另外,关于以下说明的栅极线GL、源极线SL、公共电极CE、公共信号线CML以及像素电极PE,也存在实际上形成于不同截面的情况,图4旨在示出Z方向上的它们的位置关系。
若简洁地记述本实施方式中的主要的截面结构,则显示区域DA中,在支承基板10与支承基板20之间,从支承基板10侧朝向支承基板20依次形成有多个晶体管Tr1、液晶层LQ、彩色滤光片CFR、CFG、CFB以及阻隔膜BR。
首先,对基板SUB1的详细结构进行说明。
基板SUB1具有具备挠性且具备可见光透射的特性的支承基板(绝缘性基板、树脂基板)10。支承基板10是有机膜,例如由包含聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯或者聚酯等聚合物的树脂材料形成。另外,支承基板10的背面与基板SUB1的背面BS1对应。即,屈曲区域BND的内径面相当于支承基板10的背面BS1,支承基板10设置在屈曲区域BND的内径面侧。
支承基板10上形成有由无机材料形成的绝缘膜11(阻隔膜BR)。绝缘膜11是例如氮化硅(SiN)膜、氧化硅(SiO)膜、氮氧化硅(SiON)膜或者氧化铝(AlOx)膜这样的单层膜、或者通过将它们适当层叠而得到的层叠膜。这些膜具有防止水分渗透的效果,作为阻隔膜而发挥功能。
绝缘膜11上形成有栅极线GL作为第一导电层。栅极线GL是金属膜,例如是钼(Mo)或者钨(W)等的单层膜、或者由它们的合金形成的合金膜。需要说明的是,栅极线GL电连接于晶体管Tr1的栅电极GE。另外,也存在栅极线GL构成了晶体管Tr1的栅电极GE的情况。
绝缘膜11上,以覆盖栅极线GL的方式形成有由无机材料形成的绝缘膜12。构成绝缘膜12的材料与绝缘膜11是同样的。
另外,在绝缘膜11与绝缘膜12之间,除了形成有栅极线GL之外,还形成有构成晶体管Tr1的栅电极GE以及半导体层等。假如在支承基板10的表面上直接形成栅极线GL的情况下,在支承基板10的表面上使成为栅极线GL的金属膜进行成膜,将该金属膜进行图案化(patterning)。此处,支承基板10由有机膜形成,具备挠性。因此,不易精度良好地进行金属膜的图案化,此外,存在成为栅极线GL的金属膜的图案从支承基板10剥离的担忧。与此相对,绝缘膜11由无机材料形成,与由有机膜形成的支承基板10相比较而言挠性低,但是只要如本实施方式那样,在支承基板10与栅极线GL之间配置有绝缘膜11,则与没有绝缘膜11的情况相比,可精度良好地进行金属膜的图案化,金属膜的图案变得不易剥离,可抑制上述的担忧。
绝缘膜12上形成有源极线SL作为第二导电层。关于源极线SL,例如,如通过将铝(Al)膜夹持于钛(Ti)膜、氮化钛(TiN)膜等而得到的层叠膜那样,包含多层结构的金属膜。需要说明的是,源极线SL电连接于晶体管Tr1的源极SE。
绝缘膜12上,以覆盖源极线SL的方式形成有绝缘膜13作为有机膜。绝缘膜13是例如丙烯酸类树脂膜,由感光性树脂材料形成。
绝缘膜13上形成有公共电极CE作为第3导电层。关于公共电极CE,例如由ITO(Indium Tin Oxide、氧化铟锡)或者IZO(Indium Zinc Oxide、氧化铟锌)等透明度高的导电材料形成,由具有导电性的金属氧化物形成。
此处,为了维持公共电极CE的平坦性,优选绝缘膜13的表面为平坦。此处,为了使绝缘膜13的表面尽可能地平坦,绝缘膜13的厚度优选为厚。因此,与无机膜相比,有机膜可厚厚地层叠,因而与由无机材料形成的绝缘膜11以及绝缘膜12相比较而言,绝缘膜13可使用容易平坦化的有机膜。
绝缘膜13上,以覆盖公共电极CE的方式形成有由无机材料形成的绝缘膜14。构成绝缘膜14的材料与绝缘膜11是同样的。
绝缘膜14上形成有公共信号线CML作为第4导电层。公共信号线CML主要是用于将驱动电位供给于公共电极CE的布线,构成公共信号线CML的材料与源极线SL是同样的。需要说明的是,本实施方式中,公共电极CE与公共信号线CML被绝缘膜14间隔开,作为变形例,也存在公共电极CE上不介由绝缘膜14而直接形成公共信号线CML的情况。在此情况下,不需要形成绝缘膜14。
绝缘膜14上,按照覆盖公共信号线CML的方式形成有由无机材料形成的绝缘膜15。构成绝缘膜15的材料与绝缘膜11是同样的。
绝缘膜15上形成有像素电极PE作为第5导电层。构成像素电极PE的材料与公共电极CE同样。另外,本实施方式中,在俯视下,多个像素电极PE位于彼此相邻的两个源极线SL之间。
另外,作为变形例,也可在第3导电层形成像素电极PE,在第5导电层形成公共电极CE。在此情况下,也可不形成绝缘膜15,而在公共信号线CML上直接形成公共电极CE。
另外,本实施方式中,多个公共电极CE以及多个像素电极PE形成于相互不同的导电层,作为变形例,多个公共电极CE以及多个像素电极PE也可形成于相同的导电层,以彼此相邻的方式交替排列。即,也可在绝缘膜13上形成多个公共电极CE以及多个像素电极PE。另外,也存在公共电极CE设置于基板SUB2的情况。
绝缘膜15上,以覆盖像素电极PE的方式形成有作为有机膜的取向膜AL1。取向膜AL1具备使得液晶层LQ所含的液晶分子的初始取向变得一致的功能,例如由聚酰亚胺这样的树脂材料形成。另外,取向膜AL1相接于液晶层LQ。
接着,对基板SUB2的详细结构进行说明。
基板SUB2具有具备挠性且具备可见光透射的特性的支承基板(绝缘性基板、树脂基板)20。支承基板20是有机膜,例如由包含聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯或者聚酯等聚合物的树脂材料形成。另外,支承基板20的表面与基板SUB2的表面FS2对应。即,屈曲区域BND的外径面相当于支承基板20的表面FS2,支承基板20设置在屈曲区域BND的外径面侧。
支承基板20与液晶层LQ之间形成有阻隔膜BR、遮光膜(黑色矩阵)BM、彩色滤光片CFR、彩色滤光片CFG、彩色滤光片CFB、平坦化膜OC以及取向膜AL2。
关于阻隔膜BR,以覆盖支承基板20的方式形成于支承基板20的背面整体。阻隔膜BR由无机材料形成,例如是包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者氧化铝中的至少1者的无机膜(无机绝缘膜)。即,阻隔膜BR可以是氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或者氧化铝膜的单层膜,也可以是它们的层叠膜。另外,关于阻隔膜BR,为了下述目的而设置:在存在于支承基板20的外部的水分渗透到支承基板20的内部的情况下,防止该水分也向彩色滤光片CFR、CFG、CFB以及液晶层LQ等渗透。
在支承基板20的背面侧,经由阻隔膜BR而形成有三色的彩色滤光片(颜色转换层)。在本实施方式中,周期性地排列有红色(R)的彩色滤光片CFR、绿色(G)的彩色滤光片CFG、以及蓝色(B)的彩色滤光片CFB。显示装置DSP1中,例如通过将红色(R)、绿色(G)以及蓝色(B)这三色的像素设为1组,从而显示彩色图像。关于基板SUB2的多个彩色滤光片CFR、CFG、CFB,配置在与形成于基板SUB1的具有像素电极PE的各个像素PX(参照图1)相互对置的位置。需要说明的是,彩色滤光片的种类不限定于红色(R)、绿色(G)以及蓝色(B)这3种颜色。另外,本实施方式的彩色滤光片CFR、CFG、CFB也包括可使得透过其自身的光的波长发生变化的颜色转换层。
另外,在多个彩色滤光片CFR、CFG、CFB各自的边界配置有遮光膜BM。遮光膜BM例如由黑色的树脂、或者具有低反射性的金属形成。遮光膜BM在俯视下例如形成为格子状。换言之,遮光膜BM沿X方向以及Y方向延伸,俯视下在与像素电极PE叠置的位置具有开口部。这样地,通过由遮光膜BM划分各像素PX,从而可在各个彩色滤光片CFR、CFG、CFB中抑制漏光以及混色的产生。一般而言,将遮光膜BM的开口部中的形成于最靠近周边部侧的开口部的端部规定为显示区域DA与非显示区域NDA的边界。另外,遮光膜BM也可形成于非显示区域NDA,在下文中会详细说明。
平坦化膜OC在支承基板20的背面BS2侧覆盖彩色滤光片CFR、CFG、CFB。平坦化膜OC是用于防止杂质从彩色滤光片CFR、CFG、CFB向液晶层LQ扩散的保护膜,并且是吸收彩色滤光片与遮光膜的高低差的平坦化膜。平坦化膜OC由聚酰亚胺等有机树脂材料形成。
取向膜AL2相接于液晶层LQ,形成于液晶层LQ与平坦化膜OC之间。与取向膜AL1同样地,取向膜AL2具备使得液晶层LQ中所含的液晶分子的初始取向变得一致的功能,且例如由聚酰亚胺这样的有机的树脂材料形成。
<非显示区域NDA的详细结构>
以下,对显示装置DSP1的非显示区域NDA的详细结构进行说明。图5是将图1所示的显示装置DSP1之中的屈曲区域NDA的周边进行放大而得到的俯视图。图6是沿着图5的A2-A2线的放大剖视图,图7是沿着图5的B-B线的放大剖视图。
图5中,多个布线WR1以及多个开口部(接触孔)CH各自由实线表示,多个布线WR2由虚线表示。另外,图5中,由四边形示意性地示出了电连接于布线WR2的多个晶体管Tr1。布线WR2从显示区域DA向非显示区域NDA引出,开口部CH中,与非显示区域NDA的布线WR1连接。
如图6所示,本实施方式中,例示了与源极线SL或者栅极线GL处于同层的布线WR2被引出到周边区域PF2的情况。周边区域PF2中,有机膜OF1选择性地设置有开口部CH,开口部CH的内部形成有布线WR1的一部分,在开口部CH的内部,布线WR2与布线WR1连接。即,显示区域DA的晶体管Tr1经由布线WR2而电连接于非显示区域NDA的布线WR1。
另外,本实施方式中,在非显示区域NDA,以覆盖布线WR1和开口部CH的方式形成有机膜OF2。由此,布线WR1形成在有机膜OF1与有机膜OF2之间。这是为了利用有机膜OF1而使得布线WR1接近于中立面,利用有机膜OF2而使得源自密封件SLM侧的裂纹传播不会传递到布线WR1,其原因在下文详细地说明。
另外,如图7所示,在形成有多个布线WR1的区域以外的区域中,有机膜OF1与有机膜OF2相接。由此,利用有机膜OF2将多个布线WR1相互绝缘分离。
在非显示区域NDA中,在支承基板10与支承基板20之间,从支承基板10侧朝向支承基板20侧依次形成了有机膜OF1、布线WR1、有机膜OF2、密封件SLM、平坦化膜OC、遮光膜BM、阻隔膜BR以及冲击吸收层(缓冲层)BFL1。另外,它们全都跨着周边区域PF2、屈曲区域BND以及周边区域PF1而形成。需要说明的是,显示区域DA的遮光膜BM形成为格子状,在平坦化膜OC与阻隔膜BR之间没有间隙地形成了非显示区域NDA的遮光膜BM。
另外,显示区域DA中,阻隔膜BR是为了防止存在于支承基板20外部的水分向彩色滤光片CFR、CFG、CFB渗透而设置,阻隔膜BR也可形成于非显示区域NDA。通过在非显示区域NDA形成阻隔膜BR,从而在存在于支承基板20外部的水分向支承基板20的内部渗透的情况下,可防止该水分也向遮光膜BM或者密封件SLM等渗透。因此,可防止包含屈曲区域BND的非显示区域NDA中的结构体被腐蚀等不良情况。
本实施方式的主要特征在于,在非显示区域NDA中,特别是在屈曲区域BND中,在阻隔膜BR与支承基板20之间形成有冲击吸收层BFL1,但是在详细说明这样的特征之前,对本申请发明人的研究例进行说明。
<研究例的显示装置DSP2>
图11示出了本申请的发明人所研究的研究例的显示装置DSP2,示出了屈曲区域BND的放大剖视图。需要说明的是,研究例的显示装置DSP2不是已知的结构,而是本申请的发明人所新开发的结构。
在研究例中,与本实施方式同样地,在支承基板10与支承基板20之间形成了有机膜OF1、布线WR1、有机膜OF2、密封件SLM、平坦化膜OC、遮光膜BM以及阻隔膜BR。然而,关于研究例的显示装置DSP2,在未形成冲击吸收层BFL1这一点上与本实施方式的显示装置DSP1不同。
以下,对研究例的显示装置DSP2所具有的特征以及问题进行说明。
屈曲区域BND中,在将基板弯曲的情况下,在外径面侧产生拉伸应力,在屈曲区域BND的内径面侧产生压缩应力。即,屈曲区域BND中,在支承基板20的表面FS2侧产生了拉伸应力,在支承基板10的背面BS1侧产生压缩应力。关于相对于施加于屈曲区域BND的结构体的弯矩(bending moment)而言的中立面NP的位置,如图11的左图的“裂纹产生时”所示,处于密封件SLM附近。
需要说明的是,本实施方式中说明的中立面NP是指,在屈曲区域BND的外径面侧产生的拉伸应力与在屈曲区域BND的内径面侧产生的压缩应力相抵、理想上不发生应变的面。中立面NP的位置根据构成屈曲区域BND的结构体的各材料的密度、杨氏模量以及截面积等的值而变化,在如本实用新型这样的上下基板都弯曲的显示装置中,按照如下的方式构成:中立面NP位于比布线WR1更靠近外径侧的密封件SLM附近。
通过这样地调整中立面NP的位置,从而对布线WR1施加压缩应力。关于由金属材料形成的布线WR1,一般是应对压缩应力的耐受力强,但是应对拉伸应力的耐受力弱,受到拉伸应力时会出现断线的可能性。由此,通过使中立面NP位于图11的左图中示出的位置,从而不易发生布线WR1的断线。在这一点上,在研究例中,可提高显示装置DSP2的可靠性。
另一方面,对于相较于中立面NP而形成于支承基板20的表面FS2侧的阻隔膜BR,被施加强的拉伸应力。如上所述,阻隔膜BR是包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者氧化铝这样的无机材料的膜,是韧性小的膜。即,阻隔膜BR是容易破裂的膜。
由此,在因拉伸应力而阻隔膜BR发生破裂时,阻隔膜BR破损的部位成为起点,从而产生裂纹。而后,裂纹从阻隔膜BR朝向支承基板20的表面FS2侧以及支承基板10的背面BS1侧而扩展。图11的左图的“裂纹产生时”示出了朝向支承基板20的表面FS2侧而扩展的裂纹CR1、以及朝向支承基板10的背面BS1侧而扩展的裂纹CR2。
其后,如图11的右图的“裂纹产生后”所示,因扩展的裂纹CR1以及裂纹CR2而屈曲区域BND的结构体发生破损。此处,示出了裂纹CR1到达支承基板20,并且裂纹CR2贯穿至密封件SLM的情形。裂纹CR2贯穿至密封件SLM的情况下,由于密封件SLM与有机膜OF2之间的粘接力原本并不太高,因而有时会发生密封件SLM以及形成于密封件SLM上方的结构体从有机膜OF2剥落这样的不良情况。
发生这样的不良情况时,则中立面NP超过布线WR1的位置,向接近于支承基板10的背面BS1的位置移动。这样的话,有机膜OF2以及布线WR1被施加强的拉伸应力。此外,也存在有机膜OF2无法耐受拉伸应力,从有机膜OF2的表面产生裂纹CR3的情况。由此,因强的拉伸应力以及裂纹CR3,而产生布线WR1发生断线这样的问题。在布线WR1发生断线时,则各种信号无法传输到形成于显示区域DA的晶体管Tr1,显示装置DSP2变为故障。因此要求防止布线WR1的断线并且提高显示装置DSP2的可靠性。
<本实施方式的主要特征>
关于本实施方式的显示装置DSP1,是考虑到使用研究例说明了的问题而提出的。
首先,本实施方式的显示装置DSP1中,与研究例的显示装置DSP2同样地,在布线WR1的上方形成了有机膜OF2、密封件SLM、平坦化膜OC、遮光膜BM、阻隔膜BR以及支承基板20。由此,关于相对于被施加于屈曲区域BND的结构体的弯矩而言的中立面NP,位于阻隔膜BR与布线WR1之间,且位于密封件SLM附近。因此,由于布线WR1被施加压缩应力,因而变得不易发生布线WR1的断线。
本实施方式的主要特征在于,如图6所示的那样在非显示区域NDA的屈曲区域BND中,在阻隔膜BR与支承基板20之间形成有冲击吸收层(缓冲层)BFL1。冲击吸收层BFL1由拉伸强度以及延展性大的材料形成,即由韧性大的材料形成。具体而言,由金属材料形成,冲击吸收层BFL1的韧性至少大于支承基板20以及阻隔膜BR各自的韧性,进一步大于遮光膜BM、平坦化膜OC以及密封件SLM各自的韧性。
由此,即使在对冲击吸收层BFL1施加了拉伸应力的情况下,冲击吸收层BFL1也不会发生破裂,即使在从阻隔膜BR产生了裂纹CR1的情况下,也利用冲击吸收层BFL1而防止裂纹CR1的扩展。因此,可抑制因裂纹CR1而使得支承基板20发生开裂那样的不良情况。
另外,即使从阻隔膜BR产生的裂纹CR2到达至密封件SLM等,支承基板20也以未开裂的状态存在,由此可保持屈曲区域BND中的结构体的形状。另外,由于利用冲击吸收层BFL1而保护支承基板20,因而中立面NP的位置不移动。因此,可抑制对有机膜OF2以及布线WR1施加强的拉伸应力的担忧,也可抑制布线WR1发生断线这样的担忧。因此,可提高显示装置DSP1的可靠性。
需要说明的是,关于本实施方式中的冲击吸收层BFL1,例如是由钼(Mo)或者钨(W)等金属形成的单层膜,或者由它们的合金形成的金属膜的层叠膜。另外,冲击吸收层BFL1也可以是以铝(Al)为主成分的金属膜,也可以是例如添加了铜或者银的铝膜。另外,冲击吸收层BFL1也可以是通过将以铝为主成分的上述金属膜夹持于钛(Ti)膜以及氮化钛(TiN)膜等而得到的层叠膜。即,冲击吸收层BFL1包含钼、钨或者铝中的至少1者。
另外,本实施方式中,冲击吸收层BFL1的厚度为100~150nm左右,阻隔膜BR的厚度为200~500nm左右。只要相对于阻隔膜BR的厚度而言的冲击吸收层BFL1的厚度在上述范围内,则可利用冲击吸收层BFL1而防止从阻隔膜BR产生的裂纹CR1的扩展。
另外,在抑制布线WR1的损伤的观点上,优选提高布线WR1与布线WR1的基底材的密合性。本实施方式中,在布线WR1与支承基板10之间形成了有机膜OF1。换言之,有机膜OF1被分别粘接于支承基板10以及布线WR1。关于有机膜OF1,由于可使用与支承基板10不同的材料,因而可考虑与布线WR1的密合性而选择材料。即,假如支承基板10与布线WR1的密合性不充分的情况下,可考虑与布线WR1的密合性而恰当地选择有机膜OF1的材料。
另外,作为布线WR1的基底材,认为也可应用无机绝缘膜。然而,氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或者氧化铝膜等无机绝缘膜容易因弯矩而破裂。由此,存在如下的担忧:屈曲区域BND中,在布线WR1下形成无机绝缘膜时,无机绝缘膜发生破裂,无机绝缘膜的破裂也传播至在其上所形成的布线WR1,从而布线WR1发生损伤。与此相对,有机膜OF1与无机绝缘膜相比杨氏模量小且柔软。因此,屈曲区域BND中,即使在布线WR1下形成了有机膜OF1的情况下,有机膜OF1也不易发生破坏。其结果,形成在有机膜OF1上的布线WR1也变得不易发生损伤。
另外,在本实施方式中,密封件SLM与有机膜OF2由相互不同的材料形成。有机膜OF2与密封件SLM为不同材料的情况下,可提高构成有机膜OF2的材料选择的自由度。
另外,通过在布线WR1与密封件SLM之间形成有机膜OF2,调整有机膜OF2的厚度或者杨氏模量,从而可容易调整中立面NP的位置。
另外,构成有机膜OF2的材料优选与构成有机膜OF1的材料相同。若它们的材料相同,则在彼此相邻的布线WR1之间,有机膜OF1与有机膜OF2的粘接强度提高。
另外,在本实施方式中,关于有机绝缘膜OF1,可与显示区域DA内的作为有机绝缘膜的绝缘膜13同时形成。此外,关于布线WR1,可通过与显示区域DA内的作为第4导电层的公共布线CML相同的制造工序而形成。这样地,通过在显示区域DA以及非显示区域NDA中使制造工序共有化,从而谋求制造工序的简化。
(实施方式2)
以下,使用图8说明实施方式2的作为电光学装置的显示装置DSP1。需要说明的是,以下主要说明与实施方式1的不同点。
如图8所示,在实施方式2中,不仅仅是如实施方式1那样在阻隔膜BR与支承基板20之间形成冲击吸收层BFL1,而且在阻隔膜BR与遮光膜BM之间也形成冲击吸收层(缓冲层)BFL2。冲击吸收层BFL2由与冲击吸收层BFL1相同的材料形成,具有与冲击吸收层BFL1同等程度的厚度。
通过形成冲击吸收层BFL2,可防止以阻隔膜BR作为起点而产生的裂纹CR2的扩展。其结果,可抑制如下的不良情况:例如如图11中说明了的研究例那样,裂纹CR2贯穿至密封件SLM,密封件SLM以及形成于密封件SLM的上方的结构体从有机膜OF2剥落。
这样地,在实施方式2中,与实施方式1相比,形成冲击吸收层BFL2会相应地导致制造成本增加,但是可抑制裂纹CR2的扩展,因而相应地可进一步提高显示装置DSP1的可靠性。
另外,也可考虑仅设置冲击吸收层BFL2而不设置冲击吸收层BFL1的情况。即使在该情况下,与研究例那样的未设置冲击吸收层BFL1以及冲击吸收层BFL2这两者的显示装置DSP2相比较而言,也可提高可靠性。但是,如研究例的项目中说明的那样,有可能产生下述的次级问题:支承基板20发生开裂时,中立面NP的位置向支承基板10的背面BS1移动,因而在比支承基板20更靠下层的结构体中进一步产生裂纹。
即,从提高显示装置DSP1的可靠性这样的观点考虑,最优选为设置了冲击吸收层BFL1以及冲击吸收层BFL2这两者的结构,第二优选为仅设置有冲击吸收层BFL1的结构,第三优选为仅设置有冲击吸收层BFL2的结构。
(实施方式3)
以下,使用图9而说明实施方式3的作为电光学装置的显示装置DSP1。需要说明的是,以下主要说明与实施方式1的不同点。
如图9所示,在实施方式3中,应用韧性大于有机膜OF2的有机膜OF3来替代实施方式1中所使用的有机膜OF2。换言之,有机膜OF3由与有机膜OF2相比对于弯矩的耐受性高的材料而构成。有机膜OF1例如是丙烯酸树脂膜,且由感光性树脂材料形成,有机膜OF3例如由聚酰亚胺这样的树脂材料形成。
这样地,通过在布线WR1的上方应用对于弯矩的耐受性高的有机膜OF3,从而即使因源自阻隔膜BR的裂纹CR2等而密封件SLM等被剥离,中立面NP的位置发生移动,有机膜OF3被施加了强的拉伸应力,也不易发生有机膜OF3破裂那样的不良情况。由此,可抑制布线WR1发生断线的担忧,可进一步提高显示装置DSP1的可靠性。
另外,也可将实施方式3中公开的技术与实施方式2中公开的技术组合而应用。
(实施方式4)
以下,使用图10说明实施方式4的作为电光学装置的显示装置DSP1。需要说明的是,以下主要说明与实施方式1的不同点。
图10是示出本申请发明人的实验数据的图表。横轴示出了构成支承基板20的材料的杨氏模量,纵轴示出了在将仅为支承基板20的单层结构、与支承基板20和无机绝缘膜的层叠结构进行了比较的情况下,通过分别对单层结构以及层叠结构进行拉伸试验而获得的断裂强度的强度比。
需要说明的是,此处说明的无机绝缘膜相当于例如阻隔膜BR。另外,在图10的实验中,使用了聚酰亚胺作为支承基板20。另外,作为无机绝缘膜,使用了具有200nm厚度的氧化硅膜或具有200nm厚度的氮化硅膜,但是没有因这些材料而引起显著的差异,若是无机绝缘膜,则显示出大致图10的结果的倾向。
根据图10的结果,制成了支承基板20和无机绝缘膜的层叠结构来替代支承基板20的单层结构的情况下,测定点A处,断裂强度降低至约50%。即,层叠结构的断裂强度降低至单层结构的断裂强度的一半左右。
与此相对,如测定点C、D所示可知,通过以杨氏模量超过5GPa的方式将支承基板20的材料进行变更,从而使得支承基板20和无机绝缘膜的层叠结构、与支承基板20的单层结构相比断裂强度提高。
构成支承基板20的材料例如是聚酰亚胺,即使是相同的聚酰亚胺,也可利用其组成而使得杨氏模量发生变化。即,在支承基板20与遮光膜BM之间形成了由无机材料形成的阻隔膜BR的情况下,只要以杨氏模量成为5GPa以上的方式形成构成支承基板20的材料,则可期待断裂强度的提高。因此,在实施方式4中,与实施方式1相比较而言,可进一步提高显示装置DSP1的可靠性。
另外,也可将实施方式4中公开的技术与实施方式2以及实施方式3中公开的技术组合而应用。
在本实用新型的构思范畴中,只要是本领域技术人员,就可想到各种变更例以及修改例,可理解这些变更例以及修改例也属于本实用新型的范围。例如,关于本领域技术人员通过适当地对上述的各实施方式进行构成要素的追加、删除或者设计变更而得到的实施方式、或者、进行工序的追加、省略或者条件变更而得到的实施方式,只要具备本实用新型的要旨,则也包括于本实用新型的范围内。
产业上的可利用性
本实用新型可利用于显示装置那样的电光学装置、或者组装有电光学装置的电子器件。

Claims (10)

1.电光学装置,其具有显示区域和屈曲区域,所述屈曲区域为位于所述显示区域的周边的非显示区域的一部分,
所述电光学装置具有:具备挠性的第一支承基板和具备挠性的第二支承基板,
所述显示区域中,在所述第一支承基板与所述第二支承基板之间、从所述第一支承基板侧朝向所述第二支承基板侧依次形成有第一无机膜、开关元件、电光学层以及第二无机膜,
所述屈曲区域中,所述第一支承基板被设置于所述屈曲区域的内径面侧,所述第二支承基板被设置于所述屈曲区域的外径面侧,
所述屈曲区域中,在所述第一支承基板与所述第二支承基板之间、从所述第一支承基板侧朝向所述第二支承基板侧依次形成有电连接于所述开关元件的第一布线、所述第二无机膜以及第一冲击吸收层,
所述第一冲击吸收层具有的韧性大于所述第二支承基板以及所述第二无机膜各自的韧性。
2.根据权利要求1所述的电光学装置,其中,
所述显示区域中,所述电光学层与所述第二无机膜之间形成有多个彩色滤光片,在所述多个彩色滤光片各自的边界形成有遮光膜,
所述屈曲区域中,在所述第一布线与所述无机膜之间形成有所述遮光膜。
3.根据权利要求2所述的电光学装置,其中,
所述屈曲区域中,在所述第二无机膜与所述遮光膜之间形成有第二冲击吸收层,
第二冲击吸收层具有的韧性大于所述第二支承基板以及所述第二无机膜各自的韧性。
4.根据权利要求3所述的电光学装置,其中,
所述第二支承基板由包含聚合物的树脂材料形成,
所述第二无机膜包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者氧化铝中的至少1者,
所述第一冲击吸收层以及所述第二冲击吸收层各自包含钼、钨或者铝中的至少1者。
5.根据权利要求2所述的电光学装置,其中,
所述屈曲区域中,在所述第一支承基板与所述第一布线之间形成有第一有机膜,在所述第一布线与所述遮光膜之间形成有第二有机膜,在所述第二有机膜与所述遮光膜之间形成有密封件。
6.根据权利要求5所述的电光学装置,其中,所述第二有机膜具有的韧性大于所述第一有机膜的韧性。
7.根据权利要求1所述的电光学装置,其中,构成所述第二支承基板的材料的杨氏模量为5GPa以上。
8.根据权利要求1所述的电光学装置,其中,
所述屈曲区域中,相对于由在所述内径面侧产生的压缩应力与在所述外径面侧产生的拉伸应力形成的弯矩而言的中立面,位于所述多个第一布线与所述第二无机膜之间。
9.根据权利要求1所述的电光学装置,其中,
所述第二支承基板由包含聚合物的树脂材料形成,
所述第二无机膜包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者氧化铝中的至少1者,
所述第一冲击吸收层包含钼、钨或者铝中的至少1者。
10.根据权利要求1所述的电光学装置,其中,所述电光学层是液晶层。
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