JP2019028215A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の性能を向上させる。【解決手段】表示装置ＤＳＰ１は、導電層ＣＬ２と基板１０との間にある絶縁層１１と、導電層ＣＬ１と導電層ＣＬ２との間にあり、開口部１２Ｈを有する絶縁層１２と、を有している。また、表示装置ＤＳＰ１は、導電層ＣＬ１の導体パターン（第１Ａ部分）ＴＭＰ１および導電層ＣＬ２の導体パターン（第２Ａ部分）ＴＭＰ２を含む接続端子ＴＭ１と、異方導電膜ＡＣＦ１を介して接続端子ＴＭ１に電気的に接続される駆動回路と、を有している。絶縁層１３は、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１と重畳し、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１の一部分を絶縁層１３から露出させる開口部１３Ｈを有している。導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１と導電層ＣＬ２の導体パターンＴＭＰ２とは、開口部１２Ｈを通じて電気的に接続されている。開口部１２Ｈは開口部１３Ｈよりも接続端子ＴＭ１の周縁部側にある。【選択図】図６

Description

本発明は、表示装置に関し、例えば、互いに対向する基板のそれぞれに電極が形成された表示装置に適用して有効な技術に関する。

表示装置を構成する基板に、可撓性を有する基板を用いる技術がある（特開２０１５−１１８３７３号公報（特許文献１）参照）。

特開２０１５−１１８３７３号公報

表示装置の基板に形成された回路を駆動するための駆動回路が基板の外部にある場合、基板にある接続端子と駆動回路とは、異方導電膜などの導電性部材を介して電気的に接続される。接続端子と駆動回路とを電気的に接続する際に、接続端子の構造によっては、接続端子の一部分に応力が集中する場合がある。基板において、接続端子が設けられた領域には、絶縁層や導電層などの部材が形成されるが、これらの部材の一部分に上記した応力が集中すると、その部分にクラックなどの損傷が生じる場合があることが判った。

本発明の目的は、表示装置の性能を向上させる技術を提供することにある。

本発明の一態様である表示装置は、表示領域にある液晶層と、可撓性および可視光透過性を備える第１基板と、前記液晶層と前記第１基板との間にある第１導電層と、前記第１導電層と前記第１基板との間にある第２導電層と、を有している。また、表示装置は、前記第１導電層と前記第２導電層との間にある第１開口部を有する第１絶縁層と、前記第２導電層と前記第１基板との間にある第２絶縁層と、前記第１導電層を覆う第３絶縁層と、を有している。また、表示装置は、前記第１導電層の第１Ａ部分および前記第２導電層の第２Ａ部分を含む接続端子と、異方導電膜を介して前記接続端子に電気的に接続される駆動回路と、前記接続端子に接続され、前記接続端子と前記表示領域との間に延びる接続配線と、を有している。前記第３絶縁層は、前記第１導電層の前記第１Ａ部分と重畳する第２開口部を有している。前記第１導電層の前記第１Ａ部分と前記第２導電層の前記第２Ａ部分とは、前記第１開口部を通じて電気的に接続されている。平面視において、前記第１開口部は前記第２開口部よりも前記接続端子の縁部側にある。

また、本発明の別の一態様である表示装置は、表示領域にある液晶層と、可撓性および可視光透過性を備える第１基板と、前記液晶層と前記第１基板との間にある第１導電層と、前記第１導電層と前記第１基板との間にある第２導電層と、を有している。また、表示装置は、前記第１導電層と前記第２導電層との間にある第１開口部を有する第１絶縁層と、前記第２導電層と前記第１基板との間にある第２絶縁層と、前記第１導電層を覆う第３絶縁層と、を有している。また、表示装置は、前記第１導電層の第１Ａ部分および前記第２導電層の第２Ａ部分を含む接続端子と、異方導電膜を介して前記接続端子に電気的に接続される駆動回路と、前記接続端子に接続され、前記接続端子と前記表示領域との間に延びる接続配線と、を有している。前記第３絶縁層は、前記第１導電層の前記第１Ａ部分と重畳する第２開口部を有している。前記第１導電層の前記第１Ａ部分と前記第２導電層の前記第２Ａ部分とは、前記第１開口部を通じて電気的に接続されている。前記第１開口部は、前記第２開口部と重畳しない。

実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１の表示領域の一部分の拡大断面図である。 図１に示す表示装置における一つの画素周辺の回路構成例を示す回路図である。 図１に示すドライバチップに接続される複数の接続端子のうちの一部を示す拡大平面図である。 図５に示す接続端子に図１に示すドライバチップを接続した状態を示す拡大断面図である。 図６に対する検討例の端子構造を示す拡大断面図である。 図７に示す絶縁膜の亀裂が生じた部分の拡大断面図である。 図６に示す表示装置において、図８の拡大断面に対応する部分の拡大断面図である。 図６に対する変形例である表示装置の拡大断面図である。 図５に対する他の変形例である表示装置の拡大平面図である。 図６に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。 図６に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。 図６に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。 図１４の表示装置の表示領域に配置されるトランジスタの構成例を示す拡大断面図である。 図２に対する変形例である表示装置の断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一または関連する符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

また、以下の実施の形態では、表示装置の例として、電気光学層である液晶層を備えた液晶表示装置を取り上げて説明する。ただし、以下で説明する技術は、液晶表示装置の他、種々の変形例に適用できる。例えば、電気光学層は、液晶層の他、有機発光素子層、無機発光素子層、ＭＥＭＳシャッター（Micro Electro Mechanical Systems）あるいは、電気泳動素子層など、電気的なエネルギーを印加することにより、光学特性が変化する素子を含んだ層であれば良い。

また、液晶表示装置は、液晶層の液晶分子の配向を変化させるための電界の印加方向により、大きくは以下の２通りに分類される。すなわち、第１の分類として、表示装置の厚さ方向（あるいは面外方向）に電界が印加される、所謂、縦電界モードがある。縦電界モードには、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モードや、ＶＡ（Vertical Alignment）モードなどがある。また、第２の分類として、表示装置の平面方向（あるいは面内方向）に電界が印加される、所謂、横電界モードがある。横電界モードには、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）モードや、ＩＰＳモードの一つであるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどがある。以下で説明する技術は、縦電界モードおよび横電界モードのいずれにも適用できるが、以下で説明する実施の形態では、一例として、横電界モードの表示装置を取り上げて説明する。

＜表示装置の構成＞
まず、表示装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態の表示装置の一例を示す平面図である。図１では、平面視における表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡの境界を二点鎖線で示している。また、図１では、表示装置ＤＳＰ１が備える回路の回路ブロックや配線の一部を実線で模式的に示している。また、図１では、基板ＳＵＢ１と対向するように配置された基板ＳＵＢ２の輪郭を、点線で示している。また、図１では、平面視において、接着材ＢＮＤが配置される領域（シール領域）にドットパターンを付している。また、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２は断面図であるが、見易さのため、液晶層ＬＱ、接着材ＢＮＤ、非表示領域ＮＤＡの接続端子ＴＭ１、ＴＭ２、ドライバチップＤＲＣ１、および配線板ＦＷＢ１を除き、ハッチングは省略されている。また、図３は、図１の表示領域の一部分の拡大断面図である。図３では、基板ＳＵＢ１の厚さ方向（図３に示すＺ方向）におけるゲート線ＧＬとソース線ＳＬとの位置関係の例を示すため、図３に示す断面とは異なる断面に設けられたゲート線ＧＬを一緒に示している。また、図４は、図１に示す表示装置における一つの画素周辺の回路構成例を示す回路図である。

図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、外部から供給される入力信号に応じて画像が形成される表示領域ＤＡを有する。また、表示装置ＤＳＰ１は、平面視において、表示領域ＤＡの周囲を囲むように設けられた非表示領域（額縁領域）ＮＤＡを有する。なお、図１に示す表示装置ＤＳＰ１の表示領域ＤＡは四角形であるが、表示領域が多角形や円形など、四角形以外の形状であってもよい。表示領域ＤＡは、表示面を視た平面視において、表示装置ＤＳＰ１が画像を表示する有効領域である。したがって、基板１０および基板２０のそれぞれが表示領域ＤＡを備えている。

また、図２に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、液晶層ＬＱを介して対向するように貼り合せられた基板（ベース基板、絶縁性基板）１０および基板（ベース基板、絶縁性基板）２０を有している。基板１０と基板２０とは、表示装置ＤＳＰ１の厚さ方向であるＺ方向に配列される。言い換えれば、基板１０と基板２０とは、表示装置ＤＳＰ１の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに対向する。基板１０は、液晶層ＬＱ（および基板ＳＵＢ２）と対向する前面（主面、面）１０ｆ、および前面１０ｆの反対側の背面（主面、面）１０ｂを有する。また基板２０は、基板１０の前面１０ｆ（および液晶層ＬＱ）と対向する背面（主面、面）２０ｂ、および背面２０ｂの反対側の前面（主面、面）２０ｆを有する。

基板１０の前面１０ｆ側には、スイッチング素子（能動素子）としての複数のトランジスタや配線などの導体パターン、および複数の導体パターンの間を絶縁する絶縁層等の部材がある。以下の説明では、基板１０と液晶層ＬＱとの間にある複数の部材と、基板１０と、を含む部分の総称として、基板ＳＵＢ１と呼ぶ。基板ＳＵＢ１は、アレイ状に配置された複数のトランジスタを備えるアレイ基板と言い換えることができる。また、基板２０の前面２０ｆおよび背面２０ｂの一方または両方には、遮光膜やカラーフィルタなどの部材がある。以下の説明では、基板２０に形成される部材と、基板２０と、を含む部分の総称として基板ＳＵＢ２と呼ぶ。基板ＳＵＢ２は、アレイ基板に対向配置された基板という意味で、対向基板と言い換えることができる。

また、液晶層ＬＱは、基板１０の前面１０ｆと基板２０の背面２０ｂとの間にある。液晶層ＬＱは、上記した電気光学層であって、上記したスイッチング素子を介して液晶層ＬＱの周辺に形成される電界の状態を制御することにより、そこを通過する光を変調する機能を備えている。基板１０および基板２０にある表示領域ＤＡは、図２に示すように液晶層ＬＱと重畳する。

また、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２とは、接着材（シール材）ＢＮＤを介して接着される。図１に示すように、接着材ＢＮＤは、表示領域ＤＡの周囲を囲むように、非表示領域ＮＤＡに配置される。接着材ＢＮＤの内側には、図２に示すように液晶層ＬＱがある。接着材ＢＮＤは基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に液晶を封入するシール材としての役割を果たす。

また、図２に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、光学素子ＯＤ１と、光学素子ＯＤ２と、を有する。光学素子ＯＤ１は、基板１０とバックライトユニット（光源部）ＢＬとの間に配置される。バックライトユニットＢＬは、基板１０に対して液晶層ＬＱの反対側にある。光学素子ＯＤ２は、基板ＳＵＢ２の表示面側、すなわち基板ＳＵＢ２を挟んで基板ＳＵＢ１の反対側に配置される。光学素子ＯＤ１および光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。

また、基板１０および基板２０のそれぞれは、可視光が透過する特性を備えている。また、基板１０は、可撓性を備えている。図２に例示するように、基板１０は、非表示領域ＮＤＡの一部分が折り曲げられている。言い換えれば、基板１０の非表示領域ＮＤＡのうち、接着材ＢＮＤの外側にある周辺領域ＰＦ１は湾曲した部分を有している。さらに言い換えれば基板１０の前面１０ｆは、平坦面領域と、厚さ方向（Ｚ方向）に曲がった曲面領域と、を有する。基板１０は図２に例示するような曲げ変形が可能な程度の可撓性を備えている。基板１０に可撓性を付与するため、例えば、基板１０は、ポリイミドやポリアミド、ポリカーボネート、あるいは、ポリエステルなどのポリマーを含む樹脂材料から成る。

基板１０の周辺領域には複数の接続端子ＴＭ１がある。図２に示す例では、基板１０は、周辺領域ＰＦ１の先端部分にある接続端子ＴＭ２と、接続端子ＴＭ２と接着材ＢＮＤとの間にある接続端子ＴＭ１と、を備える。接続端子ＴＭ１上にはドライバチップＤＲＣ１が搭載されている。ドライバチップＤＲＣ１は、表示装置ＤＳＰ１を駆動する駆動回路（例えば、図４に示す信号線駆動回路ＳＤ）を備える半導体チップである。また、接続端子ＴＭ２上には、配線板ＦＷＢ１が搭載されている。配線板ＦＷＢ１は、表示装置ＤＳＰ１を駆動する駆動回路（例えば、図４に示す共通電極駆動回路ＣＤ、図１に示すドライバチップＤＲＣ１あるいは、図４に示すゲート駆動回路ＧＤに駆動電位を供給する回路）を備える回路基板である。ドライバチップＤＲＣ１は、異方導電膜ＡＣＦ１を介して接続端子ＴＭ１と電気的に接続されている。また、配線板ＦＷＢ１は、異方導電膜ＡＣＦ１を介して接続端子ＴＭ２と電気的に接続されている。異方導電膜ＡＣＦ１による電気的な接続構造については、後で詳細に説明する。

表示装置ＤＳＰ１のように、基板１０の周辺領域ＰＦ１が厚さ方向に曲げられている場合、ドライバチップＤＲＣ１と配線板ＦＷＢ１とが図２に示すように重畳していても良い。このため非表示領域ＮＤＡの面積を低減できる。なお、基板１０が可撓性を有している場合でも、表示装置ＤＳＰ１のように基板１０の周辺領域ＰＦ１が曲がっていない場合もある。例えば基板１０および基板２０がそれぞれ可撓性を有している場合、表示装置ＤＳＰ１を曲げ変形可能な表示装置として利用できる。

また、図３に示すように、基板ＳＵＢ１は、基板１０と液晶層ＬＱとの間にある複数の導体パターンを有する。基板１０と液晶層ＬＱとの間にある複数の導体パターンには、複数のゲート線（走査線）ＧＬ、複数のソース線（信号線）ＳＬ、コモン線ＣＭＬ、共通電極ＣＥ、および複数の画素電極ＰＥが含まれる。また、複数の導体パターンのそれぞれの間には絶縁層が介在している。隣り合う導体パターンの間に配置され、導体パターンを互いに絶縁する絶縁層には、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５、および配向膜ＡＬ１が含まれる。なお、図３では、ゲート線ＧＬ、共通電極ＣＥ、およびコモン線ＣＭＬについては、それぞれ一個ずつ示している。

上記した複数の導体パターンのそれぞれは、基板１０上に積層された複数の導電層の一部分を構成する。図３に示す例では、表示装置ＤＳＰ１の表示領域ＤＡには、基板１０の前面１０ｆから順に、導電層ＣＬ２、ＣＬ１、ＣＬ３、ＣＬ４、およびＣＬ５がある。導電層ＣＬ２の表示領域ＤＡと重なる部分（第２Ｂ部分）はトランジスタＴｒ１（図４参照）のゲート線ＧＬである。また、導電層ＣＬ１の表示領域ＤＡと重なる部分（第１Ｂ部分）は、ソース線ＳＬである。また、導電層ＣＬ３の表示領域ＤＡと重なる部分は、共通電極ＣＥである。また、導電層ＣＬ４の表示領域ＤＡと重なる部分は、コモン線ＣＭＬである。また、導電層ＣＬ５の表示領域ＤＡと重なる部分は、画素電極である。

導電層ＣＬ１、ＣＬ２、および導電層ＣＬ４のそれぞれは、金属材料を含む。図３に示す例では、導電層ＣＬ２の導体パターンは、例えばモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）等の金属またはそれらの合金から成る金属膜を含んでいる。また、導電層ＣＬ１や導電層ＣＬ４の導体パターンは、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜がチタン（Ｔｉ）膜や窒化チタン（ＴｉＮ）膜などに挟まれた積層膜など、多層構造の金属膜を含んでいる。また、導電層ＣＬ３およびＣＬ５は、主に、ＩＴＯ（Indium tin oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの導電酸化物材料（透明導電材料）を含む。

導電層（第１導電層）ＣＬ１は、液晶層ＬＱと基板１０との間にある。導電層（第２導電層）ＣＬ２は、導電層ＣＬ１と基板１０との間にある。また、導電層ＣＬ１と導電層ＣＬ２との間には、絶縁層（第１絶縁層）１２がある。また、導電層ＣＬ２と基板１０との間には、絶縁層（第２絶縁層）１１がある。また、導電層ＣＬ１と導電層ＣＬ３の間には、導電層ＣＬ１を覆う絶縁層（第３絶縁層）１３がある。絶縁層１１、１２および１３のそれぞれの代表例は、無機材料から成る無機絶縁膜である。例えば、絶縁層１１、１２および１３は、例えば窒化珪素（ＳｉＮ）膜、酸化珪素（ＳｉＯ）膜、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）膜あるいはこれらの積層膜である。

また、絶縁層１１と絶縁層１２の間には、ゲート線ＧＬの他に、図４に示す画素スイッチ素子ＰＳＷとしてのトランジスタＴｒ１のゲート電極ＧＥや半導体層などが形成される。図４に示すトランジスタＴｒ１は薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）である。また、ゲート線ＧＬは、画素スイッチ素子ＰＳＷとしてのトランジスタＴｒ１のゲート電極ＧＥを含んでいる。

また、図１に示すように、複数のゲート線ＧＬのそれぞれは、Ｘ方向に延在している。また、複数のゲート線ＧＬは、Ｙ方向に互いに間隔を空けて配列される。言い換えれば、複数のゲート線ＧＬは、Ｙ方向の一方の側であるＹ１側から他方の側であるＹ２側に向かって配列される。複数のゲート線ＧＬのそれぞれは、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに引き出され、ゲート駆動回路（走査線駆動回路）ＧＤに接続される。ゲート駆動回路ＧＤは、複数のゲート線ＧＬに入力される走査信号Ｇｓｉ（図４参照）を出力する走査信号出力回路である。ゲート駆動回路ＧＤは、基板ＳＵＢ１の非表示領域ＮＤＡにある。

また、図１に示すように、複数のソース線（信号線、映像信号線）ＳＬのそれぞれは、Ｙ方向に延在している。また、複数のソース線ＳＬは、Ｘ方向に互いに間隔を空けて配列される。言い換えれば、複数のソース線ＳＬは、Ｘ方向の一方の側であるＸ１側から他方の側であるＸ２側に向かって配列される。複数のソース線ＳＬのそれぞれは、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに引き出される。複数のソース線ＳＬの各々は、図４に示すように、トランジスタＴｒ１を介して画素電極ＰＥに接続される。詳しくは、ソース線ＳＬは、トランジスタＴｒ１のソース電極ＳＥに接続され、画素電極ＰＥは、トランジスタＴｒ１のドレイン電極ＤＥに接続される。トランジスタＴｒ１がオンになっている時、画素電極ＰＥには、ソース線ＳＬから映像信号Ｓｐｉｃが供給される。映像信号Ｓｐｉｃは、信号線駆動回路ＳＤから供給される。図１に示すように、表示領域ＤＡ内のソース線ＳＬは、接続配線（引き出し配線とも呼ぶ）としての信号用接続配線ＳＣＬを介して信号線駆動回路ＳＤ（図４参照）と電気的に接続される。信号線駆動回路ＳＤは、ソース線ＳＬを介して複数の画素ＰＸのそれぞれが備える画素電極ＰＥ（図４参照）に映像信号Ｓｐｉｃ（図４参照）を供給する。信号線駆動回路ＳＤは、図１に示すドライバチップＤＲＣ１に形成される。ただし、変形例として信号線駆動回路ＳＤが、図２に示す配線板（フレキシブル配線板）ＦＷＢ１、または、回路基板ＣＢ１に形成されていても良い。

信号線駆動回路ＳＤに接続され、複数の画素ＰＸに映像信号を供給する信号伝送経路である映像信号線のうち、表示領域ＤＡにある部分（配線部）をソース線ＳＬと呼ぶ。また、上記映像信号線のうち、表示領域ＤＡの外側にある部分（配線部）を信号用接続配線ＳＣＬと呼ぶ。複数のソース線ＳＬのそれぞれは、Ｙ方向に延びている。一方、信号用接続配線ＳＣＬは、Ｙ方向に対して交差する方向に延びる部分を有している。また、図１に示す例では、ソース線ＳＬと信号用接続配線ＳＣＬとの間には、スイッチ回路部ＳＷＳがある。スイッチ回路部ＳＷＳは、例えばマルチプレクサ回路であって、各色用のソース線ＳＬを選択して入力された信号を出力する。

また、基板ＳＵＢ１の表示領域ＤＡには、共通電極ＣＥおよび画素電極ＰＥ（図３参照）がある。表示装置ＤＳＰ１が画像を表示する表示期間において、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間の電位差に応じて、液晶分子を駆動する電界が形成される。図３に示すように、共通電極ＣＥは、絶縁層１３上に形成される。共通電極ＣＥには、表示期間において、複数の画素ＰＸ（図１参照）に対して共通の駆動電位が供給される。共通の駆動電位は、図３に示すコモン線ＣＭＬを介して図４に示す共通電極駆動回路ＣＤ（図４参照）から供給される。共通電極駆動回路ＣＤは、図２に示す配線板ＦＷＢ１、または、回路基板ＣＢ１に形成される。共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡの全体に配置される。表示領域ＤＡに１個の共通電極ＣＥがあっても良いし、表示領域ＤＡに複数の共通電極ＣＥがあっても良い。共通電極ＣＥは、ＩＴＯ（Indium tin oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電材料が好ましい。

また、図３に示す例では、複数の画素電極ＰＥは絶縁層１５上に形成される。平面視において、各画素電極ＰＥは、互いに隣り合う２つのソース線ＳＬの間に位置している。また、図３に示す例では、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとは互いに異なる層に形成されている。ただし変形例としては、複数の共通電極ＣＥと複数の画素電極ＰＥとが同一面（例えば絶縁層１３上）に形成され、互いに隣り合うように交互に配列されていても良い。また、共通電極ＣＥが基板ＳＵＢ２に設けられている場合もある。画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電材料または金属材料が好ましい。複数の画素電極ＰＥのそれぞれは、上記したように、図４に示すトランジスタＴｒ１を介してソース線ＳＬおよび信号用接続配線ＳＣＬと電気的に接続されている。

また、複数の画素電極ＰＥのそれぞれは、配向膜ＡＬ１に覆われる。配向膜ＡＬ１は液晶層ＬＱに含まれる液晶分子の初期配向を揃える機能を備える有機絶縁層であって、例えばポリイミド樹脂から成る。また、配向膜ＡＬ１は、液晶層ＬＱに接する。

また、図３に示すように、基板ＳＵＢ２は、基板２０の基板ＳＵＢ１に対向する背面（主面）２０ｂと液晶層ＬＱとの間にある、遮光膜ＢＭと、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧおよびＣＦＢと、絶縁層ＯＣ１と、配向膜ＡＬ２と、を有する。

カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧおよびＣＦＢは、基板ＳＵＢ１と対向する背面２０ｂ側に形成される。図３に示す例では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢが周期的に配列される。カラー表示装置では、例えばこの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の画素を１組として、カラー画像を表示する。基板ＳＵＢ２の複数のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、基板ＳＵＢ１に形成される画素電極ＰＥを有するそれぞれの画素ＰＸ（図１参照）と、互いに対向する位置に配置される。なお、カラーフィルタの種類は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に限定されるものではない。

また、各色のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢのそれぞれの境界には、遮光膜ＢＭが配置される。遮光膜ＢＭはブラックマトリクスと呼ばれ、例えば黒色の樹脂や、低反射性の金属から成る。遮光膜ＢＭは、平面視において、例えば格子状に形成される。言い換えれば、遮光膜ＢＭは、Ｘ方向およびＹ方向に延在している。詳しくは、遮光膜ＢＭは、Ｙ方向に延びる複数の部分と、Ｙ方向に交差するＸ方向に延びる複数の部分を有している。各画素ＰＸをブラックマトリクスで区画することにより、光漏れや混色を抑制することができる。

また、遮光膜ＢＭは、基板ＳＵＢ２の非表示領域ＮＤＡに形成される。非表示領域ＮＤＡは、遮光膜ＢＭと重畳する。表示領域ＤＡは、非表示領域ＮＤＡよりも内側の領域として規定される。また、非表示領域ＮＤＡは、図２に示すバックライトユニット（光源部）ＢＬから照射された光を遮光する遮光膜ＢＭと重畳する領域である。遮光膜ＢＭは表示領域ＤＡ内にも形成されるが、表示領域ＤＡには、遮光膜ＢＭに複数の開口部が形成される。一般的に、遮光膜ＢＭに形成され、カラーフィルタが露出する開口部のうち、最も縁部側に形成された開口部の端部が、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡの境界として規定される。

また、図３に示す絶縁層ＯＣ１は、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。絶縁層ＯＣ１は、カラーフィルタから液晶層ＬＱに対して不純物が拡散するのを防止する保護膜として機能する。絶縁層ＯＣ１は、例えばアクリル系の感光性樹脂等から成る、有機絶縁層である。

＜接続端子の構造＞
次に、基板１０上に形成され、ドライバチップＤＲＣ１や配線板ＦＷＢ１（図２参照）が接続される接続端子ＴＭ１（図２参照）の構造について説明する。なお、図２に示す配線板ＦＷＢ１と基板１０上の接続端子ＴＭ２との接続構造は、ドライバチップＤＲＣ１と基板１０上の接続端子ＴＭ１との接続構造と同様である。以下では、接続構造の代表例として、ドライバチップＤＲＣ１と接続端子ＴＭ１とが電気的に接続されている部分を取り上げて説明する。以下で説明するドライバチップＤＲＣ１に係る説明の部分を配線板ＦＷＢ１に置き換え、接続端子ＴＭ１に係る説明の部分を接続端子ＴＭ２に置き換えて適用することもできる。図５は、図１に示すドライバチップに接続される複数の接続端子のうちの一部を示す拡大平面図である。図５では、図６に示す導電層ＣＬ２の導体パターンの輪郭を点線で示している。また、図５では図６に示す開口部１２Ｈの位置を二点鎖線で示している。図６は、図５に示す接続端子に図１に示すドライバチップを接続した状態を示す拡大断面図である。図７は図６に対する検討例の端子構造を示す拡大断面図である。

図５に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、ドライバチップＤＲＣ１（図１参照）の信号線駆動回路ＳＤ（図４参照）に接続される接続端子ＴＭ１を有する。また、表示装置ＤＳＰ１は、接続端子ＴＭ１に接続され、接続端子ＴＭ１と表示領域ＤＡ（図１参照）との間に延びる接続配線ＷＲ１を有する。接続配線ＷＲ１には、図１に示すソース線ＳＬに接続される信号用接続配線ＳＣＬが含まれる。接続配線ＷＲ１は、接続端子ＴＭ１から表示領域ＤＡ側に延びる。

図６に示すように、接続端子ＴＭ１は、導電層（第１導電層）ＣＬ１の導体パターン（第１Ａ部分）ＴＭＰ１および導電層（第２導電層）ＣＬ２の導体パターン（第２Ａ部分）ＴＭＰ２を含む。導電層ＣＬ２の導体パターンＴＭＰ１と導体層ＣＬ２の導体パターンＴＭＰ２との間には、絶縁層１２がある。絶縁層１２は、開口部（コンタクトホール）１２Ｈを有している。開口部１２Ｈは、絶縁層１２を厚さ方向（図６のＺ方向）に貫通するように形成され、開口部１２Ｈには、導電層ＣＬ１の導電性材料が埋め込まれている。また、開口部１２Ｈは、導電層ＣＬ１および導電層ＣＬ２と重畳する。これにより、導電層ＣＬ１と導電層ＣＬ２とは開口部１２Ｈを通じて電気的に接続されている。

また、導電層ＣＬ１上には、導電層ＣＬ１を覆う絶縁層１３がある。絶縁層１３は、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１と重畳し、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１の一部分を絶縁層１３から露出させる開口部１３Ｈを有する。導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１は、絶縁層１３の開口部１３Ｈと重畳する部分において、異方導電膜ＡＣＦ１（詳しくは異方導電膜ＡＣＦ１の導電粒子ＣＰ１）と電気的に接続されている。

異方導電膜ＡＣＦ１は、複数の導電粒子ＣＰ１および複数の導電粒子ＣＰ１の周囲にある絶縁層ＩＦ１を含む。異方導電膜ＡＣＦ１は、絶縁層ＩＦ１中に含まれる導電粒子ＣＰ１が接続対象物に接触することにより、互いに対向する接続対象物を電気的に接続する。図６に示す例では、ドライバチップＤＲＣ１のパッド（電極パッド）ＤＲＰ上には突起電極（実装足）ＤＲＢが接合されている。異方導電膜ＡＣＦ１の絶縁層ＩＦ１は、例えば樹脂材料から成る有機絶縁膜である。また、導電粒子ＣＰ１は金属材料で被覆された有機樹脂である。例えば金属から成る突起電極ＤＲＢのように絶縁層ＩＦ１より硬い材料を絶縁層ＩＦ１に押し付けると、絶縁層ＩＦ１は変形する。これにより、異方導電膜ＡＣＦ１に含まれる導電粒子ＣＰ１は、突起電極ＤＲＢおよび導体パターンＴＭＰ１の両方に接触する。その結果、接続端子ＴＭ１は異方導電膜ＡＣＦ１および突起電極ＤＲＢを介してドライバチップＤＲＣ１のパッドＤＲＰと電気的に接続される。

ところで、上記したように、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１と導体層ＣＬ２の導体パターンＴＭＰ２とは、絶縁層１２の開口部１２Ｈを通じて互いに電気的に接続されている。接続端子ＴＭ１において、導体パターンＴＭＰ１と導体パターンＴＭＰ２とを電気的に接続することにより、接続端子ＴＭ１部分での抵抗値を低減することができる。

導体パターンＴＭＰ１と導体パターンＴＭＰ２とを電気的に接続する方法として、図７に示す表示装置ＤＳＰｃの方法がある。表示装置ＤＳＰｃの場合、ドライバチップＤＲＣ１の突起電極ＤＲＢと重畳する領域（言い換えれば接続端子ＴＭ１の中央領域）に絶縁層１２の開口部１２Ｈｃが設けられ、開口部１２Ｈｃを通じて導体パターンＴＭＰ１と導体パターンＴＭＰ２とが電気的に接続されている。この場合、導体パターンＴＭＰ１と導体パターンＴＭＰ２との接触面積が図６に示す表示装置ＤＳＰ１より大きくなるので、接続端子ＴＭ１の電気抵抗をさらに低減できる。

ところが、本願発明者の検討によれば、表示装置ＤＳＰｃの場合、導電粒子ＣＰ１と重畳する領域の近傍において、絶縁層１１に亀裂などの損傷が生じることが判った。そこで、絶縁層１１に亀裂が生じた原因について詳細に検討した結果、以下のことが判った。図８は、図７に示す絶縁膜の亀裂が生じた部分の拡大断面図である。図９は、図６に示す表示装置において、図８の拡大断面に対応する部分の拡大断面図である。図７および図８に示す表示装置ＤＳＰｃは、絶縁層１２の開口部１２Ｈｃの位置および形状、および導体パターンＴＭＰ１の断面形状を除き、図６に示す表示装置ＤＳＰ１と同様である。

基板１０は、可撓性を有する基板であるため、主に、例えばポリイミド樹脂など、ヤング率が低い材料から成る。また、金属膜である導体パターンＴＭＰ１および導体パターンＴＭＰ２は、無機絶縁膜である絶縁層１１と比較すると変形し易い。このため、図８に示す導電粒子ＣＰ１を介して導体パターンＴＭＰ１に局所的な荷重が印加されると、その荷重は、基板１０に向かって伝達される。この時、基板１０が例えばガラス基板のような硬い基板であれば、基板１０が上記した荷重によって変形し難い。この場合、基板１０が絶縁層１１の変形を抑制する補強部材として機能するので、絶縁層１１は変形し難い。しかし、図８に示すように、基板１０を可撓性を備える柔らかい基板にすると、上記した荷重の影響により変形し易い。基板１０が図８に示すように変形した場合、基板１０や導体パターンＴＭＰ１、ＴＭＰ２と比較して変形し難い絶縁層１１に応力が集中し、絶縁層１１に亀裂ＣＲ１が生じる。

本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１の場合、図５に示すように、絶縁層１２（図６参照）の開口部１２Ｈは、接続端子ＴＭ１の中央部と重畳せず、接続端子ＴＭ１の中央部よりも外側の周辺部と重畳する。言い換えれば、平面視において、開口部１２Ｈは開口部１３Ｈよりも接続端子ＴＭ１の縁部側にある。図５および図６の通り、導電粒子ＣＰ１と導体パターンＴＭＰ１が適切に接続できるように、開口部１３Ｈは接続端子ＴＭ１の中央部に大きく形成されている。そして、開口部１２Ｈは開口部１３Ｈと重畳せず、開口部１３Ｈよりも接続端子ＴＭ１の縁部側に配置されている。この場合、図９に示すように、導電粒子ＣＰ１と重畳する領域では、導体パターンＴＭＰ１と導体パターンＴＭＰ２との間に、絶縁層１２が介在する。絶縁層１２は、基板１０より硬い無機絶縁膜であって、絶縁層１１と同様に荷重を印加されても変形し難い。このため、絶縁層１１と絶縁層１２とが互いに補強しあうことにより、導電粒子ＣＰ１からの局所的な荷重が基板１０まで伝達されることを抑制する。この結果、基板１０の変形の程度が抑制され、基板１０の変形に伴う絶縁層１１の損傷を防止または抑制できる。

また、図６に示すように異方導電膜ＡＣＦ１を介してドライバチップＤＲＣ１と接続端子ＴＭ１を電気的に接続する工程では、異方導電膜ＡＣＦ１を介してドライバチップＤＲＣ１の突起電極ＤＲＢと接続端子ＴＭ１とを貼り合せた状態で熱を印加して圧着する。また、絶縁層１１と基板１０とは、開口部１３Ｈと重畳する領域において互いに接している。このため、絶縁層１１と基板１０との密着界面には、絶縁層１１と基板１０との線膨張係数の違いに起因した応力が印加される。この線膨張係数の違いに起因して発生する応力も絶縁層１１を損傷させる要因の一つである。本実施の形態の接続端子ＴＭ１の場合、絶縁層１１は、絶縁層１２により補強されている。したがって、絶縁層１１と基板１０との線膨張係数の差が大きい場合でも絶縁層１１の損傷を抑制できる。

また、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、図２に示すように基板１０に対して液晶層ＬＱの反対側にあるバックライトユニット（光源部）ＢＬを備える。このため、基板１０は、バックライトユニットＢＬから照射された光を透過させる程度の透明度が必要である。本実施の形態の場合、基板１０は、ポリイミドを含み、かつ、ヘイズ３０％以下、好ましくは１０％以下である。なお、ヘイズとは、全光線透過率における拡散透過率の割合である。

本実施の形態のように、ポリイミド樹脂から成る基板１０の透明度を向上させる場合、ポリイミド樹脂を構成する骨格（ベンゼン環）の数を減らすように樹脂の組成を調整する。このため、基板１０の透明度を向上させる程、基板１０は柔らかく（言い換えれば変形し易く）なる。図８に示す絶縁層１１の損傷を抑制する方法として、基板１０を可撓性を持つ範囲内で硬くして、絶縁層１１への応力集中を抑制する方法がある。しかしこの場合、基板１０を構成するポリイミドの骨格を増やすことになるので、結果として基板１０の透明度が低下するという別の課題が生じる。図６や図９を用いて説明した方法（絶縁層１１の損傷を抑制する方法）は、基板１０が柔らかい場合でも絶縁層１１の損傷を抑制できる方法である。このため、本実施の形態のように、基板１０の透明度が要求される表示装置ＤＳＰ１に適用して特に有効である。

また、ポリイミドなどの樹脂から成る基板１０は、成膜時に収縮方向の応力を内在している。このため、表示装置ＤＳＰ１の製造工程では、図示しないガラス基板などの基材上に基板１０の背面１０ｂ（図２参照）を貼りつけた状態で前面１０ｆ上に絶縁層や導電層を積層する。基板１０の背面１０ｂを基材に貼り付けることにより、基板１０の収縮を抑制している。その後、基板１０の背面１０ｂを図示しない基材から剥離させる時に基板１０が収縮することを抑制するためには、基板１０の前面１０ｆ上に貼り付けられた部材により、基板１０の収縮を抑制することが必要である。絶縁層１１などの無機膜は、成膜時に膨張方向の応力を内在している。このため、基板１０の前面１０ｆは、全体が無機膜である絶縁層１１に覆われている。また、絶縁層１１の膜厚を厚くすることにより、絶縁層１１の剛性が増大するので、基板１０の収縮を抑制する効果が向上する。言い換えれば、絶縁層１１の厚さを厚くすることで、基板１０および基板１０上に積層された絶縁層や導電層を含む基板ＳＵＢ１（図２参照）全体としての剛性を増大させることができる。このため、基板１０の収縮を抑制する観点からは、絶縁層１１の厚さは３００ｎｍ以上であることが好ましい。好ましくは絶縁層１１の厚さは１μｍ以下である。例えば、図６に示す例では、絶縁層１１の厚さは、７００ｎｍ程度である。

ただし、絶縁層１１の厚さを厚くすると、絶縁層１１の剛性が高くなるので、上記した局所的な荷重が印加されると、応力集中により破壊され易くなる。したがって、図７に示す表示装置ＤＳＰｃの例において、単に絶縁層１１の厚さを厚くしただけでは、絶縁層１１の損傷を抑制することはできない場合がある。例えば、絶縁層１１の破壊された起点からその周囲に亀裂ＣＲ１（図８参照）が形成される場合がある。

一方、図６に示す表示装置ＤＳＰ１のように、導体パターンＴＭＰ１と導体パターンＴＭＰ２との間に無機材料を含む絶縁層１２が介在している場合、絶縁層１２により荷重の一部が分散される。この結果、絶縁層１１に伝達される荷重の値を低減できるので、仮に、絶縁層１１において応力集中が生じても、その応力の値を低減できる。

また、図６に示す接続端子ＴＭ１の位置に形成される絶縁層１２は、絶縁層１１を補強する部材として機能する。このため、絶縁層１２の補強部材としての効果を考慮すると、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１と重畳する領域における絶縁層１２の厚さは、絶縁層１１の厚さに対して０．８倍以上であることが好ましい。図６に示す例では、導体パターンＴＭＰ１と重畳する領域における絶縁層１１の厚さと絶縁層１２の厚さとは互いに等しい。また、導体パターンＴＭＰ１と重畳する領域において、絶縁層１１の厚さおよび絶縁層１２の厚さは、絶縁層１３の厚さより厚い。

なお、絶縁層１２の厚さが厚くなると、絶縁層１２の剛性が増大する。このため、絶縁層１２で応力集中が起こると、絶縁層１２の破損が問題になる。しかし、表示装置ＤＳＰ１の場合、絶縁層１２と基板１０との間には、絶縁層１２と同程度に硬い絶縁層１１が配置されている。また、絶縁層１２と絶縁層１１との間には、絶縁層１２より塑性変形し易く、応力を緩和することができる導電層ＣＬ２の導体パターンＴＭＰ２が配置されている。このため、絶縁層１２の厚さが厚くなったとしても、図７に示す絶縁層１１のように応力集中が発生する可能性は低い。

また、絶縁層１２に伝達される荷重の値を低減する観点からは、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１の厚さが厚い方が良い。導体パターンＴＭＰ１は、金属材料を含む金属パターンである。このため絶縁層１１および絶縁層１２に支持された状態で導体パターンＴＭＰ１に荷重が印加されると、導体パターンＴＭＰ１が塑性変形する。これにより、荷重に起因する応力は、導体パターンＴＭＰ１で緩和される。導体パターンＴＭＰ１の厚さが厚ければ、荷重による応力を緩和するマージンが大きくなるので、絶縁層１１、１２の損傷をさらに抑制できる。

また、図５および図６に示す例では、絶縁層１２（図６参照）の開口部１２Ｈは、絶縁層１３の開口部１３Ｈと重畳しない。詳しくは、表示装置ＤＳＰ１の場合、接続端子ＴＭ１の長手方向であるＹ方向に沿って、開口部１３Ｈの両隣に開口部１２Ｈが設けられている。そして、二つの開口部１２Ｈのそれぞれは、Ｘ方向に長辺を持ち、開口部１３Ｈと重畳しない。言い換えれば、図６に示すように、開口部１２Ｈは、絶縁層１３に覆われている。表示装置ＤＳＰ１の開口部１２Ｈと開口部１３Ｈとが重畳しない場合、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１のうち、開口部１３Ｈから露出する露出面は平坦になっている。導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１のうち、開口部１３Ｈから露出する露出面に凹凸がある場合、その凹凸に起因して導電粒子ＣＰ１と導体パターンＴＭＰ１との接触面積が小さくなる場合がある。一方、図６に示すように、導体パターンＴＭＰ１の開口部１３Ｈから露出する露出面全体が平坦になっている場合、導電粒子ＣＰ１と導体パターンＴＭＰ１とが面で接触する。このため導電粒子ＣＰ１と導体パターンＴＭＰ１との接触抵抗が低減し、電気的特性を向上させることができる。

ただし、表示装置ＤＳＰ１に対する変形例としては、例えば図１０に示す表示装置ＤＳＰ２や図１１に示す表示装置ＤＳＰ３のように、開口部１２Ｈ２または１２Ｈ３の一部分が開口部１３Ｈと重なっている場合もある。図１０は、図６に対する変形例である表示装置の拡大断面図である。また、図１１は、図５に対する他の変形例である表示装置の拡大平面図である。図１０では、導電粒子ＣＰ１の体積が球体の体積であると仮定した時の粒子径ＣＰＷを模式的に示している。

図１０に示す表示装置ＤＳＰ２は、絶縁層１２の開口部１２Ｈ２の開口幅１２ＨＷが、図６に示す絶縁層１２の開口部１２Ｈの開口幅１２ＨＷより広い点で図６に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。また、表示装置ＤＳＰ２は、開口部１２Ｈ２の一部分が開口部１３Ｈと重畳する点で表示装置ＤＳＰ１と相違する。また、表示装置ＤＳＰ２は、導体パターンＴＭＰ１の絶縁層１３からの露出面の一部分が平坦ではない（詳しくは、突起電極ＤＲＢに向かって突出している）点で表示装置ＤＳＰ１と相違する。

図１０に示す表示装置ＤＳＰ２は、絶縁層１２の開口部１２Ｈ２の開口幅１２ＨＷが広い。図１０に示す例では、開口部１２Ｈ２のうち、導電層ＣＬ２に接する位置における開口幅１２ＨＷは、導電粒子ＣＰ１の粒子径ＣＰＷより大きい。なお、開口幅１２ＨＷは、以下のように定義される。すなわち、図５に示すように、開口部１２Ｈの平面形状が四角形の場合、開口幅１２ＨＷは、互いに向かい合う辺の離間距離のうち、最も短い部分の長さとして規定される。例えば、図５に示す開口部１２Ｈは、平面形状が長方形なので、開口幅１２ＨＷは短辺の長さとして定義される。また、開口部１２Ｈの平面形状が楕円形の場合、開口幅１２ＨＷは、楕円の短軸の長さとして定義される。また、導電粒子ＣＰ１の粒子径ＣＰＷは、図１０に模式的に示すように、導電粒子ＣＰ１の体積が、球体の体積であると仮定した時のその直径として定義される。導電粒子ＣＰ１の粒子径ＣＰＷには種々の変形例があるが、例えば３μｍ以下程度である。また、図１０に示す開口部１２Ｈ２の開口幅１２ＨＷは３μｍ以上である。

表示装置ＤＳＰ２のように開口幅１２ＨＷが大きい場合、接続端子ＴＭ１において、導電層ＣＬ１と導電層ＣＬ２との接触面積が大きくなる。この結果、接触接続端子ＴＭ１の抵抗を低減することができる。ただし、図７を用いて説明した表示装置ＤＳＰｃのように、開口幅の大きい開口部１２Ｈｃが接続端子ＴＭ１の長手方向（Ｙ方向）において、中央部に配置されている場合、導電粒子ＣＰ１の全体が開口部１２Ｈｃ内に入る可能性がある。この場合、導電粒子ＣＰ１と重なる領域において、導電層ＣＬ１と導電層ＣＬ２との間に絶縁層１２が介在しない状態になる。このため、絶縁層１１の損傷を抑制する観点からは好ましくない。

一方、表示装置ＤＳＰ２の場合、開口部１２Ｈ２は開口部１３Ｈよりも接続端子ＴＭ１の縁部側にある。このため、表示装置ＤＳＰ２の場合、導電粒子ＣＰ１と重なる領域において、導電層ＣＬ１と導電層ＣＬ２との間に絶縁層１２が介在する。上記した通り、絶縁層１２は、絶縁層１１の損傷を抑制する補強部材として機能するので、表示装置ＤＳＰ２の場合、図７に示す表示装置ＤＳＰｃと比較して絶縁層１１の損傷を抑制できる。

また、表示装置ＤＳＰ２のように、開口部１２Ｈ２の開口幅１２ＨＷを大きくしようとすれば、開口部１２Ｈ２の一部分が開口部１３Ｈと重畳する場合がある。この場合、導体パターンＴＭＰ１の絶縁層１３からの露出面の一部分が平坦ではなくなる場合があるので、導電粒子ＣＰ１と導体パターンＴＭＰ１との接触抵抗を低減する観点からは、図６に示す表示装置ＤＳＰ１のように、絶縁層１２（図６参照）の開口部１２Ｈは、絶縁層１３の開口部１３Ｈと重畳しない構成の方が好ましい。

図１１に示す表示装置ＤＳＰ３は、複数の開口部１２Ｈ３が、接続端子ＴＭ１の長手方向であるＹ方向に交差するＸ方向に沿って配列されている点で図５に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。また、表示装置ＤＳＰ３は、開口部１２Ｈ３の一部分が開口部１３Ｈと重畳する点で表示装置ＤＳＰ１と相違する。表示装置ＤＳＰ３の場合、開口部１２Ｈ３の開口幅１２ＨＷは、図１０に示す開口部１２Ｈ２の開口幅１２ＨＷと比較して狭い。例えば、開口部１２Ｈ３の開口幅１２ＨＷは、図１０に示す導電粒子ＣＰ１の粒子径ＣＰＷより小さい。図１１に示すように複数の接続端子ＴＭ１は、Ｘ方向に沿って配列されている。Ｘ方向に沿って、開口部１２Ｈ３と開口部１２Ｈ３とを配列する場合、隣り合う接続端子ＴＭ１の配置間隔が狭いため、開口部１２Ｈ３の開口幅１２ＨＷを十分に大きくすることが難しい。

しかし、開口部１２Ｈ３は、Ｙ方向に沿って延びる長辺を有する。接続端子ＴＭ１はＹ方向に長手方向を持つので、開口部１２Ｈ３の長辺の長さを長くすることができる。したがって、表示装置ＤＳＰ３の開口部１２Ｈ３の場合、図５に示す表示装置ＤＳＰ１の開口部１２Ｈよりも開口面積（言い換えれば、図６に示す導体パターンＴＭＰ１と導体パターンＴＭＰ２との接触面積）を大きくすることができる。

また、開口部１２Ｈ３は、Ｘ方向における開口幅１２ＨＷが狭いので、図６に示す表示装置ＤＳＰ１の場合と同様に、導体パターンＴＭＰ１の前面（上面、表面）ＴＰ１ｆのうち、開口部１２Ｈと重畳する部分の凹凸は、図１０に示す表示装置ＤＳＰ２の場合と比較して大きくない。このため、図１１に示す開口部１２Ｈ３の一部が開口部１３Ｈと重畳する場合でも、導体パターンＴＭＰ１の絶縁層１３からの露出面の凹凸の程度を小さくすることができる。

図１０に示す表示装置ＤＳＰ２および図１１に示す表示装置ＤＳＰ３は、上記した相違点を除き、図１に示す表示装置ＤＳＰ１と同様である。このため、重複する説明は省略する。

また、図６や図１０では、金属膜である導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１が露出し、この露出した導電層ＣＬ１に導電粒子ＣＰ１が接続される例について説明した。ただし、接続端子ＴＭ１の最上層に配置される導電層は、導電層ＣＬ１には限定されない。例えば、図１２に示す表示装置ＤＳＰ４、図１３に示す表示装置ＤＳＰ５のように、開口部１３Ｈと重なる領域において、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１が別の導電層に覆われていても良い。図１２および図１３のそれぞれは、図６に対する他の変形例である表示装置の拡大断面図である。

図１２に示す表示装置ＤＳＰ４は、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１とドライバチップＤＲＣ１の突起電極ＤＲＢとの間に導電層ＣＬ３の導体パターンＴＭＰ３が介在している点で、図６に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。表示装置ＤＳＰ４の接続端子ＴＭ１は、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１を覆う導電層ＣＬ３（第４導電層）の導体パターン（第４Ａ部分）ＴＭＰ３を有する。導電層ＣＬ３は、図３に示す表示領域ＤＡにおいて、共通電極ＣＥが形成される導電層である。このため、導体パターンＴＭＰ３は、共通電極ＣＥと同様に、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの導電酸化物材料（透明導電材料）を含む、導電酸化物膜である。導電層ＣＬ３の導体パターンＴＭＰ３は、絶縁層１３の開口部１３Ｈと重畳する領域において、導電層ＣＬ１上に積層されている。言い換えれば、絶縁層１３の開口部１３Ｈにおいて、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１は、絶縁層１３からは露出しているが、導電層ＣＬ３の導体パターンＴＭＰ３に覆われている。

表示装置ＤＳＰ４のように、開口部１３Ｈにおいて、金属膜である導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１が導電酸化物膜である導電層ＣＬ３の導体パターンＴＭＰ３により覆われている場合、導体パターンＴＭＰ１の酸化や腐食を抑制できる。

なお、導電酸化物膜は、金属膜と比較して変形し難い。このため、導電粒子ＣＰ１が導体パターンＴＭＰ３に押し付けられると、導電粒子ＣＰ１から印加される荷重に起因して導体パターンＴＭＰ３の一部が破壊される場合がある。ただし、導体パターンＴＭＰ３は、絶縁層１３の開口部１３Ｈと重畳する領域およびその周辺領域に選択的に形成されている。このため、導体パターンＴＭＰ３と図３に示す共通電極ＣＥとは、電気的に分離されている。また、導体パターンＴＭＰ３は複数の接続端子ＴＭ１のそれぞれに独立して形成されている。したがって、例えば、複数の導体パターンＴＭＰ３の一部が、部分的に破壊された場合でも、導電層ＣＬ３の他の部分に亀裂が進展することはない。また、導体パターンＴＭＰ３の主たる役割は、表示装置ＤＳＰ４の製造工程において、導体パターンＴＭＰ１の酸化や腐食を防ぐ保護膜としての役割である。したがって、導体パターンＴＭＰ３の一部分に亀裂が生じた場合でも、ドライバチップＤＲＣ１と接続端子ＴＭ１とを電気的に接続する経路の電気的特性に与える影響は小さい。

また、上記したように、導電層ＣＬ３の図３に示す表示領域ＤＡと重なる部分（第４Ｂ部分）は、導電酸化物膜である共通電極ＣＥである。したがって、導体パターンＴＭＰ３と共通電極ＣＥとは同じタイミングで一括して形成することができる。

また、図１３に示す表示装置ＤＳＰ５は、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１とドライバチップＤＲＣ１の突起電極ＤＲＢとの間に導電層ＣＬ４の導体パターンＴＭＰ４が介在している点で、図１２に示す表示装置ＤＳＰ４と相違する。また、表示装置ＤＳＰ５は、導体パターンＴＭＰ４とドライバチップＤＲＣ１の突起電極ＤＲＢとの間に導体パターンＴＭＰ４を覆う導電層ＣＬ５の導体パターンＴＭＰ５が介在している点で表示装置ＤＳＰ４と相違する。

表示装置ＤＳＰ５の接続端子ＴＭ１は、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１を覆う導電層（第５導電層）ＣＬ４の導体パターン（第５Ａ部分）ＴＭＰ４を有している。導電層ＣＬ４は、図３に示す表示領域ＤＡにおいて、コモン線ＣＭＬが形成される導電層である。導体パターンＴＭＰ４は、コモン線ＣＭＬと同様に、アルミニウムなどの金属材料を含む金属膜である。また、絶縁層１３の一部分は、導電層ＣＬ４の導体パターンＴＭＰ４と導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１との間にある。また、導電層ＣＬ４は、開口部１３Ｈにおいて、導電層ＣＬ１と電気的に接続されている。言い換えれば、開口部１３Ｈと重畳する領域において、導電層ＣＬ１の導体パターンＴＭＰ１とドライバチップＤＲＣ１の突起電極ＤＲＢとの間に金属膜である導体パターンＴＭＰ４が介在している。表示装置ＤＳＰ５の場合、導体パターンＴＭＰ１の上方に金属膜である導体パターンＴＭＰ４が積層されているので、導電粒子ＣＰ１からの荷重を分散させ易い。

また、図１３に示す例では、表示装置ＤＳＰ５の接続端子ＴＭ１は、導電層ＣＬ４の導体パターンＴＭＰ４を覆う導電層ＣＬ５（第６導電層）の導体パターン（第６Ａ部分）ＴＭＰ５を有する。導電層ＣＬ５は、図３に示す表示領域ＤＡにおいて、画素電極ＰＥが形成される導電層である。したがって、導体パターンＴＭＰ５は、画素電極ＰＥと同様に、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの導電酸化物材料（透明導電材料）を含む、導電酸化物膜である。導電層ＣＬ４の導体パターンＴＭＰ４は、絶縁層１３からは露出しているが、導電層ＣＬ５の導体パターンＴＭＰ５に覆われている。このため、表示装置ＤＳＰ５の製造工程において、金属膜である導体パターンＴＭＰ４の酸化や腐食を防止することができる。

図１２に示す表示装置ＤＳＰ４および図１３に示す表示装置ＤＳＰ５は、上記した相違点を除き、図１に示す表示装置ＤＳＰ１と同様である。このため、重複する説明は省略する。また、図１３では、導体パターンＴＭＰ３および導体パターンＴＭＰ５を備える表示装置ＤＳＰ５について説明した。図示は省略するが、表示装置ＤＳＰ５に対する更なる変形例として、図１３に示す導体パターンＴＭＰ３および導体パターンＴＭＰ５のいずれか一方または両方が無い表示装置であっても良い。

また、図６や図１０〜図１３では、接続端子ＴＭ１の絶縁層１１と導電層ＣＬ１との間に、導電層ＣＬ２および絶縁層１２が積層された構造について説明した。ただし、接続端子ＴＭ１の絶縁層１１と導電層ＣＬ１との間に積層される導電層や絶縁層の数は、上記した構成には限定されず、種々の変形例がある。図１４は、図６に対する変形例である表示装置の拡大断面図である。また、図１５は、図１４の表示装置の表示領域に配置されるトランジスタの構成例を示す拡大断面図である。

図１４に示す表示装置ＤＳＰ６の場合、導電層ＣＬ２と基板１０との間にある導電層（第３導電層）ＣＬ６を有している。接続端子ＴＭ１は、導電層ＣＬ６の導体パターン（第３Ａ部分）ＴＭＰ６を含んでいる。導電層ＣＬ６に形成される導体パターンＴＭＰ６は、金属材料を含んでいる。導体パターンＴＭＰ６は、導体パターンＴＭＰ２と同じ金属膜（例えばモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）等の金属またはそれらの合金から成る金属膜）を含んでいる。また、絶縁層１６は、酸化珪素や窒化珪素などの無機材料から成る無機絶縁膜である。

図１４に示すように、表示装置ＤＳＰ６の場合、導電粒子ＣＰ１と重畳する領域において、導体パターンＴＭＰ２と絶縁層１１との間に、導体パターンＴＭＰ６および絶縁層１６が介在する。この場合、導体パターンＴＭＰ１および導体パターンＴＭＰ２を支持する支持強度が大きくなるので、導電粒子ＣＰ１からの荷重を導体パターンＴＭＰ１や導体パターンＴＭＰ２により分散させ易い。

また、表示装置ＤＳＰ６の場合、導電層ＣＬ６および絶縁層１６は図１５に示す表示領域ＤＡにもある。図１５に示すように、表示装置ＤＳＰ６において図４に示す画素スイッチ素子ＰＳＷとして機能するトランジスタＴｒ１は、図１５に示す半導体層ＯＳＣとして、酸化物半導体を含んでいる。詳しくは、半導体層ＯＳＣは、ＴＡＯＳ（Transparent Amorphous Oxide Semiconductor）と呼ばれる酸化物半導体である。

図１５に示すＴＡＯＳを用いたＴＦＴは、以下のように構成されている。すなわち、導電層ＣＬ１のソース線ＳＬは、ソース電極ＳＥを介して半導体層ＯＳＣのソース領域に接続されている。また、画素電極ＰＥは、導電層ＣＬ１の中継電極ＲＥおよびドレイン電極ＤＥを介して半導体層ＯＳＣのドレイン領域に接続されている。また、絶縁層１６と導電層ＣＬ２のゲート線ＧＬとの間には、半導体層ＯＳＣのチャネル領域が配置されている。絶縁層１６、ソース電極ＳＥ、およびドレイン電極ＤＥは、絶縁層１７に覆われている。ＴＡＯＳを用いたＴＦＴは、キャリア移動度が高いという特徴を有する。また、ＴＡＯＳを用いたＴＦＴは、トランジスタのチャネル長が短い場合でも、電流リークを抑制できるという特徴がある。

ただし、ＴＡＯＳは、活性層に可視光が照射されると、電気的特性が変動するという特徴がある。このため、トランジスタの動作信頼性を確保する観点からは、半導体層ＯＳＣのチャネル領域（図１５において、ソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥの間の領域）に可視光が照射されることを抑制することが好ましい。表示装置ＤＳＰ６の場合、ゲート線ＧＬと基板１０との間に、遮光膜として機能する遮光線ＬＳＬが配置されている。遮光線ＬＳＬは、可視光を遮光する材料から成り、例えば、ゲート線ＧＬと同じ金属膜である。半導体層ＯＳＣのチャネル領域を挟むようにゲート線ＧＬと遮光線ＬＳＬとを配置することで、ＴＡＯＳを用いたＴＦＴの信頼性を向上させることができる。

また、遮光線ＬＳＬが導電材料で形成されている場合、遮光線ＬＳＬとゲート線ＧＬの間に形成される寄生容量を低減することが好ましい。このため、図１５に二点鎖線を用いて模式的に示すように、互いに重畳するゲート線ＧＬと遮光線ＬＳＬとは、電気的に接続されている。ゲート線ＧＬと遮光線ＬＳＬとは、例えば、非表示領域ＮＤＡ（図１参照）にある端部において接続されている。ゲート線ＧＬと遮光線ＬＳＬとが電気的に接続されている場合、ゲート線ＧＬと遮光線ＬＳＬとは互いに同電位になる。このため、遮光線ＬＳＬとゲート線ＧＬの間に形成される寄生容量を低減することができる。また、遮光線ＬＳＬは、ゲート線ＧＬと電気的に接続されているので、ＴＡＯＳを用いたＴＦＴのゲート線と見做すことができる。言い換えれば、表示領域ＤＡにおいて、導電層ＣＬ２のゲート線（第２Ｂ部分）ＧＬと、導電層ＣＬ６の遮光線（第３Ｂ部分）ＬＳＬとは、トランジスタＴｒ１（図４参照）のゲート線である。

上記の通り、表示装置ＤＳＰ６の場合、ＴＡＯＳを用いたＴＦＴを画素スイッチ素子ＰＳＷ（図４参照）のトランジスタＴｒ１（図４参照）として用いる。このため、図１４に示す非表示領域ＮＤＡに導電層ＣＬ６の導体パターンＴＭＰ６は、図１５に示す導電層ＣＬ６の遮光線ＬＳＬと同じタイミングで、一括して形成することができる。

また、導体パターンＴＭＰ６は金属膜なので、導体パターンＴＭＰ２と導体パターンＴＭＰ６とを電気的に接続することにより、接続端子ＴＭ１の抵抗をさらに低減できる。ただし、表示装置ＤＳＰ６の場合、導体パターンＴＭＰ２と導体パターンＴＭＰ６とは電気的に接続されていない。言い換えれば、導電層ＣＬ６の導体パターンＴＭＰ６と導電層ＣＬ２の導体パターンＴＭＰ２とは電気的に分離されている。導体パターンＴＭＰ２と導体パターンＴＭＰ６とを電気的に接続する場合、絶縁層１６に図示しない開口部を形成し、その開口部を通じて導体パターンＴＭＰ２と導体パターンＴＭＰ６とを電気的に接続する。しかし、開口部の位置によっては、導体パターンＴＭＰ１の前面ＴＰ１ｆの開口部１３Ｈからの露出面の平坦性を低下させる原因になる。あるいは、開口部１３Ｈおよび開口部１２Ｈと重畳しない位置に絶縁層１６の開口部を設ける場合、接続端子ＴＭ１の寸法が増大する原因になる。

したがって、導体パターンＴＭＰ１と導体パターンＴＭＰ２とを電気的に接続することにより、接続端子ＴＭ１の抵抗値が要求値を満たす場合には、表示装置ＤＳＰ６のように、導体パターンＴＭＰ２と導体パターンＴＭＰ６とが電気的に分離されている方が好ましい場合もある。

図１４に示す表示装置ＤＳＰ６は、上記した相違点を除き、図１に示す表示装置ＤＳＰ１と同様である。このため、重複する説明は省略する。

＜他の変形例＞
上記の通り説明した技術は、既に説明した種々の変形例の他、さらに別の変形例に適用可能である。例えば図１および図２では、基板１０の周辺領域ＰＦ１にドライバチップＤＲＣ１が搭載された表示装置ＤＳＰ１について説明した。図１６に示すように、基板１０にドライバチップＤＲＣ１（図２参照）が搭載されない場合もある。図１６は、図１２に対する変形例である表示装置の断面図である。

図１６に示す表示装置ＤＳＰ７は、基板１０にドライバチップＤＲＣ１が搭載されず、接続端子ＴＭ１が配線板ＦＷＢ１と接続されている点で図２に示す表示装置ＤＳＰ１と相違する。表示装置ＤＳＰ７の場合、図４に示す信号線駆動回路ＳＤは、例えば配線板ＦＷＢ１に形成されている。

配線板ＦＷＢ１と接続端子ＴＭ１とを電気的に接続する接続部の構造は、図５〜図１５を用いて説明した、ドライバチップＤＲＣ１と接続端子ＴＭ１とを電気的に接続する部分の構造と同様である。したがって、図５〜図１５を用いて説明した技術を図１６に示す表示装置ＤＳＰ７に適用することにより、例えば図６に示す絶縁層１１が損傷することを抑制できる。

また、上記した種々の変形例のうちの一部分または全部を、他の変形例の一部分または全部と組み合わせても良い。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本発明は、表示装置や表示装置が組み込まれた電子機器に利用可能である。

１０，２０ 基板（ベース基板、絶縁性基板）
１０ｂ，２０ｂ 背面（主面、面）
１０ｆ，２０ｆ 前面（主面、面）
１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７ 絶縁層
１２Ｈ，１２Ｈ２，１２Ｈ３，１２Ｈｃ 開口部（貫通孔、コンタクトホール）
１２ＨＷ 開口幅
１３Ｈ 開口部（貫通孔）
ＡＣＦ１ 異方導電膜
ＡＬ１，ＡＬ２ 配向膜
ＢＬ バックライトユニット（光源部）
ＢＭ 遮光膜
ＢＮＤ 接着材（シール材）
ＣＢ１ 回路基板
ＣＤ 共通電極駆動回路
ＣＥ 共通電極
ＣＦＢ，ＣＦＧ，ＣＦＲ カラーフィルタ
ＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４，ＣＬ５，ＣＬ６ 導電層
ＣＭＬ コモン線
ＣＰ１ 導電粒子
ＣＰＷ 粒子径
ＣＲ１ 亀裂
ＤＡ 表示領域
ＤＥ ドレイン電極
ＤＲＢ 突起電極（実装足）
ＤＲＣ１ ドライバチップ
ＤＲＰ パッド（電極パッド）
ＤＳＰ１，ＤＳＰ２，ＤＳＰ３，ＤＳＰ４，ＤＳＰ５，ＤＳＰ６，ＤＳＰ７，ＤＳＰｃ 表示装置
ＦＷＢ１ 配線板（フレキシブル配線板）
ＧＤ ゲート駆動回路（走査線駆動回路）
ＧＥ ゲート電極
ＧＬ ゲート線（走査線）
Ｇｓｉ 走査信号
ＩＦ１ 絶縁層
ＬＱ 液晶層
ＬＳＬ 遮光線
ＮＤＡ 非表示領域（額縁領域）
ＯＣ１ 絶縁層
ＯＤ１，ＯＤ２ 光学素子
ＯＳＣ 半導体層
ＰＥ 画素電極
ＰＦ１ 周辺領域
ＰＳＷ 画素スイッチ素子
ＰＸ 画素
ＲＥ 中継電極
ＳＣＬ 信号用接続配線
ＳＤ 信号線駆動回路
ＳＥ ソース電極
ＳＬ ソース線（信号線、映像信号線）
Ｓｐｉｃ 映像信号
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２ 基板
ＳＷＳ スイッチ回路部
ＴＭ１，ＴＭ２ 接続端子
ＴＭＰ１，ＴＭＰ２，ＴＭＰ３，ＴＭＰ４，ＴＭＰ５，ＴＭＰ６ 導体パターン
ＴＰ１ｆ 前面（上面、表面）
Ｔｒ１ トランジスタ（表示用トランジスタ）
ＷＲ１ 接続配線

Claims (11)

1. 表示領域にある液晶層と、
   可撓性および可視光透過性を備える第１基板と、
   前記液晶層と前記第１基板との間にある第１導電層と、
   前記第１導電層と前記第１基板との間にある第２導電層と、
   前記第１導電層と前記第２導電層との間にある第１開口部を有する第１絶縁層と、
   前記第２導電層と前記第１基板との間にある第２絶縁層と、
   前記第１導電層を覆う第３絶縁層と、
   前記第１導電層の第１Ａ部分および前記第２導電層の第２Ａ部分を含む接続端子と、
   異方導電膜を介して前記接続端子に電気的に接続される駆動回路と、
   前記接続端子に接続され、前記接続端子と前記表示領域との間に延びる接続配線と、を有し、
   前記第３絶縁層は、前記第１導電層の前記第１Ａ部分と重畳する第２開口部を有し、
   前記第１導電層の前記第１Ａ部分と前記第２導電層の前記第２Ａ部分とは、前記第１開口部を通じて電気的に接続され、
   平面視において、前記第１開口部は前記第２開口部よりも前記接続端子の縁部側にある、表示装置。
2. 表示領域にある液晶層と、
   可撓性および可視光透過性を備える第１基板と、
   前記液晶層と前記第１基板との間にある第１導電層と、
   前記第１導電層と前記第１基板との間にある第２導電層と、
   前記第１導電層と前記第２導電層との間にある第１開口部を有する第１絶縁層と、
   前記第２導電層と前記第１基板との間にある第２絶縁層と、
   前記第１導電層を覆う第３絶縁層と、
   前記第１導電層の第１Ａ部分および前記第２導電層の第２Ａ部分を含む接続端子と、
   異方導電膜を介して前記接続端子に電気的に接続される駆動回路と、
   前記接続端子に接続され、前記接続端子と前記表示領域との間に延びる接続配線と、を有し、
   前記第３絶縁層は、前記第１導電層の前記第１Ａ部分と重畳する第２開口部を有し、
   前記第１導電層の前記第１Ａ部分と前記第２導電層の前記第２Ａ部分とは、前記第１開口部を通じて電気的に接続され、
   前記第１開口部は、前記第２開口部と重畳しない、表示装置。
3. 前記第２絶縁層と前記第１基板とは、前記第２開口部と重畳する領域において互いに接する、請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記表示領域にある酸化物半導体を含む表示用トランジスタと、
   前記第２導電層と前記第１基板との間にある第３導電層と、を有し、
   前記接続端子は前記第３導電層の第３Ａ部分を含み、
   前記表示領域において、前記第２導電層の第２Ｂ部分と、前記第３導電層の第３Ｂ部分とは、前記表示用トランジスタのゲート線である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記第３導電層の前記第３Ａ部分と前記第２導電層の前記第２Ａ部分とは電気的に分離されている、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記接続端子は、導電酸化物材料を含み、かつ、前記第１導電層の前記第１Ａ部分を覆う第４導電層の第４Ａ部分を有し、
   前記第４導電層の前記第４Ａ部分は、前記第３絶縁層の前記第２開口部と重畳する領域において、前記第１導電層上に積層されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記接続端子は、金属材料を含み、かつ、前記第１導電層の前記第１Ａ部分を覆う第５導電層の第５Ａ部分を有し、
   前記第３絶縁層の一部分は、前記第５導電層の前記第５Ａ部分と前記第１導電層の前記第１Ａ部分との間にあり、
   前記第５導電層は、前記第２開口部において、前記第１導電層と電気的に接続されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記異方導電膜は、前記接続端子に電気的に接続される導電粒子を含み、
   前記第１開口部のうち、前記第２導電層に接する位置における開口幅は、導電粒子の粒子径より大きい、請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第１絶縁層の厚さは、前記第２絶縁層の厚さに対して０．８倍以上である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記第１基板に対して、前記液晶層の反対側にある光源部を有し、
    前記第１基板はポリイミドを含み、かつ、前記第１基板はヘイズ３０％以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記第２絶縁層の厚さは、３００ｎｍ以上１μｍ以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表示装置。

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