CN106986842A - 用于发光器件的螺二芴化合物 - Google Patents

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Abstract

在此提供了用于发光器件的新颖化合物，其中SBF或开放式SBF单元被一个氮原子取代，该氮原子是包含两个芳香族或杂芳族环的一个环系统的一部分。

Description

用于发光器件的螺二芴化合物
本申请是以下申请的分案申请：申请日：2012年9月24目；申请号：201280058419.1(PCT/EP2012/068807)；发明名称：“用于发光器件的螺二芴化合物”。
本发明涉及基于螺二芴的化合物以及包含所述化合物的发光器件。
对不同的有机发光器件一直在进行积极的研究和开发，特别是基于来自小有机材料的电致发光(EL)的那些器件。对于这样的有机器件，形成形态稳定的非晶质膜的能力是开发用于有机发光器件(OLED)的小型材料的主要要求。这是因为，当在有机发光层中使用小分子化合物时，如果这些化合物的分子太小并且其结构太对称则通常发生结晶。因此，当用于有机发射层中时，该小分子化合物易发生形态变化，例如结晶，并且一旦形成晶体，它对该OLED的发光性质和使用寿命具有负面影响。
器件运行过程中的热应力可能导致从非晶质态至热力学稳定的多晶态的此类相变，从而导致该器件的急剧降级。其结果是，设计出具有高玻璃化转变温度(Tg＞150℃)特征的材料以便使该非晶质态稳定化是决定性的。为了改进器件的稳定性以便增大可用寿命，已经报告了若干主体材料。尤其是，设计具有螺连接的材料已经成为获得具有增强的形态稳定性并保持了其光电功能的OLED材料的一种非常成功的策略。
US2006/0141287披露了多种发光器件，包括一种含有至少两种组分的混合物的固体有机材料。第一主体组分是能够传输电荷的有机化合物并且还形成了附聚体。该混合物的第二组分是能够传输电荷的有机化合物并且在与第一主体组分混合后能够形成一个连续的且基本上无针孔(pin-hole)的层。在该文献中，使用了不同的化合物作为第二组分，例如被取代的芴衍生物、以及螺二芴衍生物等。
如在此使用的螺二芴表示一种具有化学式(1)的结构元素并且在下文中被称作SBF，而开放式SBF表示具有以下化学式(2)的系统。
被取代的螺二芴化合物已经在现有技术中被广泛描述，特别是对于该SBF环系统在“对位(即，该SBF的2、7、2’或7’位置)”被一个杂原子取代。
还已经描述了这种类型的取代的螺二芴，其中结合至螺二芴单元上的杂原子是一个环系统的一部分。
Salbeck等人，Chem.Rev.[化学评论]2007，107，1011-1065提供了对在有机光电子器件中有用的螺化合物的综述。因此，Salbeck中的化合物(16)和(17)是以下这些
据报道，这些化合物具有低于400nm的吸收最大值以及分别为491和511nm的发射最大值。没有给出效率数据。
Salbeck进一步报告称，像在以上化合物中咔唑配体对二苯基氨基取代基的取代导致了吸收和发射的显著的红移。举例而言，取代基被N-咔唑取代的化合物显示了低于350nm的吸收最大值以及在372nm的发射最大值。
在SBF单元的对位具有二苯基氨基取代基的螺二芴也被Salbeck等人披露，见其中的化合物42至48。
WO 2011/06574披露了4和4，4’-二苯基氨基取代的SBF混合物(相对于连接SBF的苯环的直接键，可以称为邻位取代的化合物)。
欧洲专利申请2 312 667披露了用于有机电致发光元件的组合物，该组合物包含至少两种不同的材料，这些材料实现了与材料的溶解度相关的某个数学等式。在长的一列具有被取代的二苯基氨基作为共同结构特征的适合材料中，提及了3，6-双-N，N’-二(4-叔丁基苯基)氨基-螺二芴以及对应的开放式SBF衍生物。
而且，美国专利6,893,743在表1的化合物中披露了化合物H-151和H-152，其中中央SBF单元在2和7位置携带有两个取代基，其中该取代基是通过未形成芳环的一部分的一个氮原子连接至该SBF上的。
以上披露的材料均没有满足OLED应用必须的全部要求，特别是对于高磷光效率的能级(高的三线态能量)、高的形态稳定性、而同时以完全令人满意的方式在该器件的运行条件下维持其他的光电以及加工特性，例如发射颜色、尺寸稳定性等。因此，对开发能够满足以上指出的所有要求的新的主体材料一直存在需要。
出乎意料地，已经发现如权利要求1所限定的螺二芴化合物具有一种特性光谱，该特性光谱使得它们特别适合用于有机电致发光器件中。
根据本发明的优选化合物在下面的从属权利要求和详细说明中描述出。
本发明的化合物通过以下化学式1至10来表征
其中n、m和o可以是相同或不同的并且代表从0至3的整数，
这些苯环各自可以不携带不同于L1的配体或者可以被不同于L1的配体所取代。
L1在每个位置可以是相同或不同的，具有化学式A
其中
Y是选自下组，该组由以下各项组成：O、S、C＝O、-CR1R2、N-R3、S＝O、S(＝O)2、PR4和P(＝O)R5，R1至R5在每个位置可以是相同或不同的并且代表氢或具有1至20个碳原子的脂肪族、碳环的、芳香族或杂环的基团，并且Ar1和Ar2代表含4至20个环原子的芳香族或杂芳香族的环系统(对于计算环原子的目的，化学式I中显示的杂环的这两个环原子是该芳香族或杂芳香族的环系统的一部分)。
为了本发明的目的，术语“脂肪族的”旨在指代通过一个碳原子或杂原子被附接的任何基团：该碳原子或杂原子不是一个环的一部分，而术语芳香族的旨在指代通过形成了芳基或杂芳基环的一部分的一个碳原子或杂原子而附接的芳基以及杂芳基。
根据第一优选的实施方案，R1和R2可以是相同或不同的，代表氢、烷基、碳环基团、芳基或杂芳基，这些基团是取代的或未取代的。
根据本发明的化合物共有的特征是，SBF或开放式SBF单元被一个氮原子取代，该氮原子是包含两个芳香族或杂芳族环的一个环系统的一部分。
SBF系统中的取代可以是连接该SBF单元的苯环的这个键的对位、间位或邻位、或者在开放式SBF单元的类似位置。
已经发现，对于某些目的，在间位具有至少一个取代基L1的化合物在用于有机电子器件中时在效率意义上可能是有利的。
优选的第一组化合物是L1具有化学式A1的那些
其中Y是如以上所定义的。
Y是优先选自下组，该组由以下各项组成：O、S、C＝O、CR1R2、N-R3和S＝O，特别优选的是来自O、S和N-R3，甚至更优选地是来自O或S，最优选地Y是O，其中R1至R3具有如以上所定义的含义。
如果R1至R5代表烷基，则它优选地具有1至20个、尤其是1至8个碳原子并且可以是直链或支链的。特别优选的烷基是C1至C4烷基，像甲基、乙基、异或正丙基以及异、正和叔丁基。这些烷基本身可以是取代的或未取代的。
用于R1至R5的优选的碳环基团是5至7元碳环系统，它们可以是饱和的或不饱和的，仅给出三个例子，例如像环戊烷、环己烷、或环己烯。对于这些烷基，这些碳环基团可以是取代的或未取代的。
用于R1至R5的优选的芳基是苯基、萘基、蒽基、联苯基或联三苯，它们可以是未取代的或被取代基所取代，这些取代基是选自下组，该组由以下各项组成：卤素、烷基、烷氧基、氨基、氰基、链烯基、炔基、芳烷基、芳基和杂芳基或该芳基可以是一个稠合的环系统的一部分。
尤其优选的芳基取代基是衍生自以下取代的或未取代的芳基系统
其中的苯基和联苯基是尤其优选的。
用于R1至R5的特别优选的一组杂芳基是以下这些：
在所有这些环系统中，一个或多个氮原子可以被另一个杂原子(仅列举两个离子，如O或S)取代，如下所示：
优选的有一组杂芳基取代基包括以下所示的6元环系统：
与芳基的方式相同，上述杂芳基可以是被取代基的，优选是被选自下组的取代基，该组由以下各项组成：卤素、烷基、烷氧基、氨基、氰基、链烯基、炔基、芳烷基、芳基和杂芳基，或者该芳基可以是一个稠合的环系统的一部分。
技术人员清楚的是，空间原因可能将本发明的化合物中R1与R2的某种组合排除在外或使之很困难，在此方面不必要进行进一步解释。
Ar1和Ar2可以是相同或不同的、可以选自以上对于取代基R1至R5所描述的芳香族或杂芳族环系统并且因此在此提及。优选地，Ar1或Ar2可以是相同或不同的、是如以上定义的芳基环系统，优选苯基或萘基，它们可以是取代的或未取代的。
另外一组优选的根据本发明的化合物是n、m或o中至少一个代表从1至3的整数的那些。
其中n、m和o均为零的化合物也是优选的。
这些化合物(其中n、m和o为零)的进一步优选的是具有以下通式的化合物
其中L1可以具有以上定义的任何含义。
因此，具有以上这些化学式的化合物的一个特别优选的组携带了化学式A-1的取代基并且特别是取代基A-1，其中Y是O或S。
SBF或开放式SBF环系统可以包括或可以不包括除取代基L1之外的另外取代基。如果存在，这样的另外取代基在它们出现的每个位置可以是相同或不同的、通常是选自：卤素、烷基、烷氧基、氨基、氰基、链烯基、炔基、芳烷基、芳基和杂芳基。
根据本发明的化合物可以通过任何已知的且适当的方法来合成。技术人员知道适当的制造方法。
总体上，根据本发明的具有间位取代基的化合物可以通过以下通用的反应方案来制备，该方案示出了用于带有一个或两个配体L1的化合物的示例性方式
其中X是一个离去基团，该离去基团是选自用于此类反应的已知的离去基团，例如卤素、OH、OR、SR、OCN、SCN或CN，尤其优选地是卤素，具体是氯或溴。
普通技术人员将基于具体合成的单独需要而选择适当的反应物和反应条件。
用于此类合成的、在SBF或开放式SBF环系统的间位中具有至少一个离去基团的起始材料可以根据不同的方法路径来合成，这是普通技术人员根据具体需要会选择的。总体上，此类化合物不是通过将这些取代基直接引入SBF或开放式SBF的核中就容易获得的，因为这些路线通常优先产生对位取代的产物，这是由于它们更高的反应性所致。因此，取代基X不得不通过合适的前体物质来引入，例如芴衍生物、二苯甲酮衍生物或联苯衍生物，提及仅三个例子，它们在此之后发生反应以产生SBF或开放SBF的结构。
因此，对应的化合物例如可以由具有以下化学式的取代的芴酮衍生物
与合适的联苯化合物一起获得。
另一种可能性是芴酮与适当的被取代的联苯化合物按照以下通用反应方案进行反应
这被更详细地描述于JP 2006/089585(针对X＝OH)中并且可以针对其他取代基X加以采用。
本发明的另一个实施方案是针对本发明的化合物在有机发光器件、尤其是在有机发光二极管(OLED)中的用途。
根据本发明的化合物可以有利地与一种发射材料一起用于有机发光器件的发射层中。
此外，这些化合物也适合于有机电子器件的其他层，特别是适合于有机电子二极管的其他层。
根据另一个优选的实施方案，本发明还针对包含发射层(EML)的一种有机发光器件(OLED)，其中所述发射层包含本发明的化合物作为主体材料，所述主体材料值得注意地适合用于一个OLED的发射层(EML)中。
一个OLED总体上包括：
一个基板，例如(但不限于)玻璃、塑料、金属；
一个阳极，总体上透明的阳极，例如铟锡氧化物(ITO)阳极；
一个空穴注入层(HIL)，例如(但不限于)PEDOT/PSS；
一个空穴传输层(HTL)；
一个发射层(EML)；
一个电子传输层(ETL)；
一个电子注入层(EIL)，如LiF、Cs2CO3
一个阴极，总体上为一个金属阴极，例如一个Al层。
对于一个空穴传导发射层，可以在发射层和电子传输层之间具有一个空穴阻挡层(HBL)，该阻挡层也可以用作激发子阻挡层。对于一个电子传导发射层，可以在发射层和电子传输层之间具有一个电子阻挡层(EBL)，该阻挡层也可以用作激发子阻挡层。发射层可以等于空穴传输层(在这种情况下激发子阻挡层在阳极附近或在阳极上)或电子传输层(在这种情况下激发子阻挡层在阴极附近或在阴极上)。
本发明的化合物可以优选地用作发射层中的主体。
任选地，该发射层还可以包含一种极化分子，它作为一种掺杂剂存在于所述主体材料中并且具有一个偶极矩，该偶极距通常影响所发射的光的波长。
由电子传输材料形成的一个层有利地用于将电子传输至包括该发光材料和(可任选的)主体材料的发射层。该电子传输材料可以是一种电子传输基质，该基质选自下：金属喹啉化物类(例如Alq3、Liq)、噁二唑类、三唑类以及酮类(例如螺二芴酮SBFK)。电子传输材料的例子有具有化学式[“Alq3”]的三-(8-羟基喹啉)铝以及螺二芴酮SBFK：
形成空穴传输材料的一个层有利地用于将空穴传输至包括如上所述的发光材料和(可任选的)主体材料的发射层。空穴传输材料的一个例子是4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯[“α-NPD”]。
使用一个激发子阻挡层(“阻挡层”)来将激发子限制在发光层(“发光区”)内是非常优选的。对于一个空穴传输主体，该阻挡层可以被置于该发射层与该电子传输层之间。用于此种阻挡层的材料的一个实例是2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(也称为浴铜灵(bathocuproine)或“BCP”)，它具有以下化学式
该OLED优选具有一个多层结构，如图1所示，其中1是一个玻璃基板；2是一个ITO层；3是一个包含PEDOT/PSS的HIL层；4是一个包含α-NPD的HTL层；5是一个EML，包含mCBP作为主体材料以及如上所定义的发光材料或这些材料的混合物作为掺杂剂，该掺杂剂的量值相对于主体加掺杂剂的总重量为约15％wt；6是一个包含BCP的HBL；7是一个包含AIq3的ETL；8是一个包含LiF的EIL，并且9是一个Al层阴极。
本发明的实例在下文中报告，其目的仅是展示而非限制本发明本身的范围。
实例1
3-溴-SBF的合成
步骤1∶3-溴芴的合成
在一个三口烧瓶中，将60ml水加入8.9ml盐酸(HCl，37％w/w，2.1摩尔当量)中并且将介质冷却至0℃。在0℃滴加被溶解在50ml水中的NaNO2(1.5摩尔当量)。在添加结束时，小心添加被溶解在丙酮/水混合物(400/230ml)中的4-氨基-2-溴苯乙酮(一当量，15.0g，51.6mmole)。在室温下30分钟之后，混合物升温并将其在60℃保持3小时。
在用二氯甲烷萃取并蒸发了有机相之后，回收到棕色固体(17.4g)并进行快速色谱法。在用己烷结晶后回收到纯净化合物(4.2g，32％产率)。
步骤2：3-溴-SBF
由步骤1中获得的3-溴芴以两个步骤来制备这种化合物。首先，将2-溴代联苯(1.05当量，4.0g，16.5mmol)溶解在102ml无水二乙醚中。将该溶液冷却至-60℃并滴加n-BuLi(1.16当量)。在这温度下维持10分钟之后，出现白色沉淀物，将该沉淀物重新溶解并将介质加温至室温。然后添加3-溴芴，并将反应混合物在45℃保持一晚。
添加NH4Cl(5％水性，260ml)并用二乙醚萃取之后，获得了7.0g的醇。将这个固体溶解在141ml的乙酸中并通过添加78ml的HCl/二噁烷(10％mol，20当量)来水解。在蒸发了溶剂之后，对固体进行正相快速色谱法，提供了5.86g的目标化合物(94％的产率)。
步骤3：3-吩噁嗪基-SBF
在一个500ml烧瓶中，将320ml甲苯脱气2小时。添加3-溴SBF(9.9g，0.025mol)、叔丁基钠(tBuONa，4.92g，0.05mol)、和吩噁嗪(4.6g，0.025mol)并在30分钟之后缓慢添加双-二苯亚甲基丙酮钯(Pd(dba)2)和三叔丁基膦(P(tBu)3)的混合物。
将该溶液加热至110℃持续一小时并然后在c盐垫上过滤。在蒸发了溶剂之后，将回收的固体在乙醇中重结晶，提供了9.4g的白色固体(77％的产率)。
实例2
3-氯-SBF的合成
步骤1：1-溴-7-氯-联苯的合成
在氮气气氛下向一个50ml的圆底烧瓶中按顺序加入Pd(OAc)2(1.07g，0.0047mol)、PPh3(5，0g，0.0032mol)以及二氧六环(35ml)。将该混合物加入一个500ml的圆底烧瓶中，该烧瓶中已经装有在二氧六环(150ml)中的1-氯-3-碘代苯(13.6g，0.056mol)、2N水性碳酸钠(180ml)以及2-溴苯基硼酸(12.3g，0.059mol)。将该混合物在N2下回流加热1.5h并且冷却至室温。将反应介质分配在水和乙酸乙酯之间。将合并后的有机层用盐水洗涤，用MgSO4干燥，并且浓缩。将残余物用柱色谱法(CH2Cl2/己烷)纯化以提供所希望的产物，产率为76.6％。
步骤2：3-氯-SBF
向冷却至-78℃的1-溴-7-氯-联苯(10g，0.037mol)在无水THF(100ml)中的溶液中逐滴加入1.6Mn-BuLi在己烷(0.037mol，23.2ml)中的溶液。将该反应混合物在-78℃下搅拌1h并且逐滴加入芴酮(0.031mol，5.58g)在无水THF(25ml)中的溶液中。加入之后，允许将该混合物加温至室温并且搅拌2h。将该混合物用饱和NH4Cl(200ml)淬灭并且用乙酸乙酯(3*125ml)萃取。将合并后的有机层用盐水洗涤，用NaSO4(或MgSO4)干燥，并且在真空中浓缩。将残余物通过快速柱色谱法进行纯化以提供目标化合物，产率为约20％。
步骤3：9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶的制备
将2-(苯氨基)苯甲酸(50g，0.23mol)溶解在甲醇(1L)中、放入冰浴中并搅拌十分钟。在0℃向其中缓慢添加SOCl2(60mL，0.58mol)之后，将该混合物在90℃下搅拌回流12小时。反应完成后，将反应混合物用蒸馏水洗涤并用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥有机层并通过旋转型蒸发器去除溶剂之后，通过柱色谱法使用乙酸乙酯作为展开剂进行纯化而获得了2-(苯基氨基)甲基苯甲酸酯(47g，92％)。
将90g的2-(苯基氨基)甲基苯甲酸酯(90g，0.3摩尔)加入THF(1.5L)中并将甲基溴化镁(462mL，1.38摩尔)缓慢加入该混合物中，此后将混合物在室温下搅拌12小时。反应完成后，将反应混合物用蒸馏水中和并用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥有机层并通过旋转型蒸发器去除溶剂之后，以下80g(90％)的
通过柱色谱法使用乙酸乙酯作为展开剂进行纯化而获得。
将80g(0.35摩尔)的在上一步骤中获得的化合物加入1.7L的磷酸中并将该混合物在室温下搅拌12小时。反应完成后，将反应混合物用蒸馏水中和并将产生的固体过滤同时用水洗涤。将固体溶解在二氯甲烷中、萃取并用氢氧化钠中和。在用硫酸镁干燥有机层并通过旋转型蒸发器去除溶剂之后，通过在己烷中的重结晶获得了64g的9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶(87％)。
：3-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)-SBF
将催化剂Pd(dba)2(5％mol，490mg)和膦P(tBu)3(4％mol，0.675mL的1MP(tBu)3，在甲苯中)在室温下引入两向烧瓶中的甲苯(10mL，无水并且完全脱气的)中。在氮气下放置15分钟之后，引入其他的试剂3Cl-SBF(1当量，5.98g，16.9mmol)、9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶(1当量，3.53g，16.9mmol)和tBuONa(3当量，5.0g，60.6mmol)，并将反应介质在90℃下加温3小时。反应结束时，将介质在硅藻土(c盐)上过滤并在真空下蒸发溶剂。固体被吸收在硅胶上并且进行快速色谱法(二氯甲烷/己烷)。在溶剂蒸发之后，在己烷中重结晶固体(m＝7.66g，产率87％)。
确定HOMO能级为-5.29eV，LUMO能级为-1.49eV并且三线态能量为2.88eV。
HOMO能级(EHOMO)是由从第一次氧化中获得的半波电位(E1ox 1/2)使用以下方程式计算得到的：EHOMO-(-4.8)＝-[E1ox 1/2-Eox 1/2(Fc/Fc+)]其中选取EHOMO(二茂铁)等于真空水平以下4.8eV。
E LUMO(CV)是从第1还原电位计算得到的。
三线态能量是由77K处2-MetTHF中最高能量的磷光峰计算得到的。
器件实例
所有器件实例都是通过高真空热蒸发制造的，除了空穴注入层是通过旋涂技术沉积的。阳极电极是120nm的氧化锡铟(ITO)。所有器件都在制造之后立即用以环氧树脂密封的玻璃盖被封装在氮气手套箱(＜1ppm的H2O和O2)中并且在内部掺入了吸湿剂。这些器件用来自HAMAMATSU的C9920-12外量子效率测量系统来进行光学和电学表征。EQE是指以％表示的外量子效率，而运行稳定性试验是通过在连续电流和室温下驱动这些器件而进行的。LT50是对寿命的衡量并且对应于光输出减少了初始值的50％的时刻，此时该器件在恒定电流下被驱动。
OLED堆叠依次由ITO表面组成，是30nm的Plexcore OC(一种自掺杂的聚合物，聚(噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2，5-二基)，由普莱克斯托尼克斯公司(Plextronics Inc.)供应)，通过旋涂沉积的并且在200℃的热板上干燥20分钟。在HIL的顶部，通过真空热蒸发而沉积了15nm的NPB作为空穴传输层(HTL)。
然后通过真空热蒸发而沉积了一个30nm的化合物B掺杂由不同量的掺杂剂化合物C的层作为发射层(EML)。然后通过真空热蒸发而沉积了一个5nm的化合物A的层作为空穴阻挡层(HBL)。然后通过真空热蒸发而沉积了一个40nm的Alq3层作为电子传输层(ETL)。阴极由1nm的LiF然后是100nm的铝组成。
如在此使用的，α-NPD、化合物A、化合物B、化合物C以及Alq3具有以下结构
器件的结构概述在图2中而表1示出了所制造的器件的测量结构。化合物B被用作主体并且化合物C被用作掺杂剂。
表1
如从实例部分中可见，功率效率随着掺杂剂浓度的增加而增加。器件的寿命在相对于主体的量从15wt％至20wt％掺杂剂的浓度范围内显示出最大值。颜色坐标几乎保持不变，而与较高浓度相比，10Wt%的掺杂剂时EQE较低。
以上实例显示，根据本发明的化合物适合在有机发光二极管中作为主体材料。

Claims (11)

1.具有通式(1)、(2)、(4)或(5)的化合物
其中n、m和o是0，
每个苯环可以不携带不同于L1的配体或者可以被不同于L1的配体取代，
L1，在每个位置可以是相同或不同的，具有化学式A
其中
Y是选自下组，该组由以下各项组成：O、S、C=O、-CR1R2、N-R3、S=O、S(=O)2、PR4和P(=O)R5 ；
R1至R5可以是相同或不同的并且代表氢或具有1至20个碳原子的脂肪族、碳环、芳香族或杂环基团，
Ar1和Ar2，可以是相同或不同的，代表任选被取代的包含4至20个环原子的芳香族或杂芳族环系统，并且
不同于L1的配体选自卤素、烷基、烷氧基、氨基、氰基、芳烷基、芳基和杂芳基。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中L1具有化学式A-1
其中Y具有如权利要求1中所定义的含义。
3.根据权利要求1或2的化合物，其中Y是选自下组，该组由以下各项组成：O、S、C=O、CR1R2、N-R3和S=O，其中R1至R3具有如权利要求1中定义的含义。
4.根据权利要求3所述的化合物，其中Y是选自下组，该组由以下各项组成：O、S、和N-R3，其中R3具有如权利要求1中定义的含义。
5.根据权利要求4所述的化合物，其中Y是O或S。
6.根据权利要求4所述的化合物，其中Y是O。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物，其中Y是CR1R2。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的化合物在有机发光器件中的用途。
9.如权利要求8所述的用途，其中该发光器件是有机发光二极管。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的发光材料作为发射层中的主体的用途。
11.包括发射层（EML）的有机发光器件（OLED），所述发射层包含权利要求1至7中任一项所述的化合物与发射材料。
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