CN106132685A - 陶瓷生片制造工序用剥离膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜(1)，其具备基材(1)；及剥离剂层(12)，设置于基材的第1面(111)，其中，剥离剂层(12)由含有活性能量射线固化性成分(A)及光聚合引发剂(B)的剥离剂组合物形成；活性能量射线固化性成分(A)通过使在一个分子中平均具有至少三个(甲基)丙烯酰基的含羟基的(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及在一个分子中具有至少一个羟基且质均分子量为500～8000的直链状二甲基有机聚硅氧烷(a3)，以使(a3)的量相对于(a1)、(a2)及(a3)的合计量以质量比计成为0.01～0.10的方式反应而成；剥离剂层(12)的厚度、剥离剂层的面(121)的算术平均粗糙度(Ra1)及最大突起高度(Rp1)、以及基材的第2面(112)的算术平均粗糙度(Ra2)及最大突起高度(Rp2)在规定范围内。

Description

陶瓷生片制造工序用剥离膜
技术领域
本发明涉及一种在制造陶瓷生片的工序中使用的剥离膜。
背景技术
以往，在制造叠层陶瓷电容器或多层陶瓷基板等叠层陶瓷产品时如下进行，即成型成陶瓷生片，并叠层多张所得到的陶瓷生片来进行烧成。
陶瓷生片通过将含有钛酸钡或氧化钛等陶瓷材料的陶瓷浆料涂布于剥离膜上而成型为均匀的厚度。作为剥离膜，通常使用的是用聚硅氧烷等硅酮类化合物对膜基材进行剥离处理而形成剥离剂层的剥离膜。
近年来，伴随着电子设备的小型化及高性能化，正在推进叠层陶瓷电容器或多层陶瓷基板的小型化及多层化，并推进陶瓷生片的薄膜化。若陶瓷生片薄膜化，其干燥后的厚度例如成为3μm以下，则在涂布陶瓷浆料并使其干燥时，因剥离膜中的剥离剂层的表面状态而在陶瓷生片上容易产生针孔(pin hole)或厚度不均等缺陷。另外，当从剥离膜剥离所成型的陶瓷生片时，因陶瓷生片的强度降低而容易产生断裂等不良现象。
因此，对该剥离膜要求如下，即能够将成型于该剥离膜上的薄膜的陶瓷生片从该剥离膜剥离而不会断裂等的剥离性。
然而，在如上所述的陶瓷生片中使用的剥离膜通常以卷绕成卷状的状态被保管、输送，在涂布陶瓷浆料时被开卷。若开卷剥离膜，则容易带静电，因此由静电引起的麻烦构成问题。为了解决该问题，在专利文献1中提出，使用将基材的与设置有剥离剂层的面相反的面(背面)的算术平均粗糙度设为较粗糙的剥离膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利公开2003-203822号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，在使用专利文献1中记载的剥离膜的情况下，将成型有陶瓷生片的剥离膜卷绕并保管时，导致剥离膜背面的较粗糙的表面形状转印到陶瓷生片，产生陶瓷生片部分变薄等缺陷，当叠层陶瓷生片而制作电容器时，有可能会产生由短路引起的不良现象。
另一方面，若将剥离膜背面的算术表面粗糙度设为较小，则表面状态变得平坦，卷绕而重叠的剥离膜彼此的打滑性变差，因此产生如上所述的阻塞，导致产生卷绕不良等不良现象。
而且，陶瓷生片连同剥离膜被冲压成规定的大小，并从剥离膜剥离而叠层。此时，若在陶瓷生片的与剥离剂层接触过的面产生赋予剥离的成分(例如硅酮类化合物)的转印，则使陶瓷生片彼此的粘合力降低，其结果，产生使成品率降低的问题。因此，要求一种对陶瓷生片的赋予剥离的成分的转移较少的剥离膜。
本发明是鉴于这种实际情况而完成的，其目的在于提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其为从陶瓷生片的剥离性优异，且赋予剥离的成分不易转移到陶瓷生片，另外，能够防止和抑制在陶瓷生片上产生缺陷，而且，不易产生阻塞。
解决技术问题的技术手段
为了实现上述目的，首先，本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备：基材，具有第1面及第2面；及剥离剂层，设置于所述基材的第1面，其特征在于，所述剥离剂层由含有活性能量射线固化性成分(A)及光聚合引发剂(B)的剥离剂组合物形成；所述活性能量射线固化性成分(A)通过使(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及二甲基有机聚硅氧烷(a3)，以所述二甲基有机聚硅氧烷(a3)的量相对于所述(甲基)丙烯酸酯(a1)、所述多元异氰酸酯化合物(a2)及所述二甲基有机聚硅氧烷(a3)的合计量以质量比计为0.01～0.10的方式反应而成，其中，所述(甲基)丙烯酸酯(a1)在一个分子中平均具有至少三个(甲基)丙烯酰基，且含有羟基，所述二甲基有机聚硅氧烷(a3)在一个分子中具有至少一个羟基，质均分子量为500～8000，且为直链状；所述剥离剂层的厚度为0.3～2μm；所述剥离剂层的与所述基材相反侧的面的算术平均粗糙度(Ra1)为8nm以下，且最大突起高度(Rp1)为50nm以下；所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为5～40nm，且最大突起高度(Rp2)为60～500nm(发明1)。
根据上述发明(发明1)所涉及的陶瓷生片制造工序用剥离膜，剥离剂层由上述剥离剂组合物构成，由此从陶瓷生片的剥离性优异，且赋予剥离的成分不易转移到陶瓷生片。另外，通过如上所述来规定剥离剂层的厚度和剥离剂层及基材的表面状态，能够防止和抑制在陶瓷生片上产生缺陷，而且不易产生阻塞。
在上述发明(发明1)中，优选所述光聚合引发剂(B)为α-羟基酮类化合物或α-氨基烷基苯基酮类化合物(发明2)。
在上述发明(发明1、2)中，在所述剥离剂层的与所述基材相反侧的面上形成聚乙烯醇缩丁醛树脂层之后，当从所述剥离剂层剥离出所述聚乙烯醇缩丁醛树脂层时，对所述聚乙烯醇缩丁醛树脂层中的与所述剥离剂层接触过的面，利用光电子能谱分析测定的硅原子比例优选小于1.0原子％(发明3)。
发明效果
根据本发明所涉及的陶瓷生片制造工序用剥离膜，从陶瓷生片的剥离性优异，且赋予剥离的成分不易转移到陶瓷生片，另外，能够防止和抑制在陶瓷生片上产生缺陷，而且，不易产生阻塞。
附图说明
图1是本发明的一种实施方式所涉及的陶瓷生片制造工序用剥离膜的剖视图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
[陶瓷生片制造工序用剥离膜]
如图1所示，本实施方式所涉及的陶瓷生片制造工序用剥离膜1(以下，有时仅称为“剥离膜1。”)构成为具备：基材11和叠层于基材11的第1面111(图1中为上表面)上的剥离剂层12。基材11在与基材11的第1面111相反侧的面(图1中为下表面)具备第2面112。
1.基材
本实施方式所涉及的剥离膜1的基材11只要能够叠层剥离剂层12，则无特别限定。作为这种基材11，可以举出例如由聚对苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚丙烯或聚甲基戊烯等聚烯烃、聚碳酸酯、聚乙酸乙烯酯等塑料形成的膜，可以是单层，也可以是相同种类或不同种类的2层以上的多层。其中，优选聚酯膜，尤其优选聚对苯二甲酸乙二酯膜，进一步优选双向拉伸聚对苯二甲酸乙二酯膜。聚对苯二甲酸乙二酯膜在进行加工时、使用时等不易产生尘埃等，因此例如能够有效地防止因尘埃等引起的陶瓷浆料涂布不良等。另外，通过对聚对苯二甲酸乙二酯膜进行抗静电处理，能够提高防止涂布不良等的效果。
另外，在该基材11中，以提高与剥离剂层12的粘附性为目的，根据需要，能够对第1面111或第1面111及第2面112两个面实施利用氧化法或凹凸化法等进行的表面处理或底漆处理。作为上述氧化法，可以举出例如电晕放电处理、等离子体放电处理、铬氧化处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧处理、紫外线照射处理等，另外，作为凹凸化法，可以举出例如喷砂法、热喷涂处理法等。这些表面处理法，按照基材膜的种类适当地选择，但从效果及操作性方面考虑，通常优选使用电晕放电处理法。
基材11的厚度通常为10～300μm即可，优选为15～200μm，尤其优选为20～125μm。
基材11的第1面111上的算术平均粗糙度(Ra0)优选为2～50nm，尤其优选为5～30nm。另外，基材11的第1面111上的最大突起高度(Rp0)优选为10～700nm，尤其优选为30～500nm。通过将基材11的第1面111的算术平均粗糙度(Ra0)及最大突起高度(Rp0)设定在上述范围内，容易将剥离剂层12的表面121(与基材11相反侧的面)的算术平均粗糙度(Ra1)及最大突起高度(Rp1)控制在后述范围内。
基材11的第2面112的算术平均粗糙度(Ra2)为5～40nm，优选为10～30nm，尤其优选为15～25nm。另外，基材11的第2面112上的最大突起高度(Rp2)为60～500nm，优选为100～400nm。通过将基材11的第2面112上的算术平均粗糙度(Ra2)及最大突起高度(Rp2)设定在上述范围内，能够防止和抑制由基材11的第2面112引起、在陶瓷生片产生缺陷，并能够抑制阻塞的产生。
即，若基材11的第2面112的算术平均粗糙度(Ra2)小于5nm，则该第2面112变得过于平滑，在卷绕剥离膜1时，基材11的第2面112和高度平滑的剥离剂层12粘附，而容易产生阻塞。另一方面，若基材11的第2面112的算术平均粗糙度(Ra2)超过40nm，则难以将基材11的第2面112的最大突起高度(Rp2)控制在上述优选的较低的范围内。
若基材11的第2面112上的最大突起高度(Rp2)超过500nm，则在卷绕成型有陶瓷生片的剥离膜1时，基材11的第2面112的突起形状转印到与该面接触的陶瓷生片的表面，产生陶瓷生片部分变薄等缺陷，当叠层该陶瓷生片而制作电容器时，有可能产生由短路引起的不良现象。另一方面，若基材11的第2面112的最大突起高度(Rp2)小于60nm，则基材11的第2面112变得平坦，因此在形成剥离剂层12的工序等中，在基材11接触卷筒的面上容易卷入空气。其结果，有时会产生正在输送的基材11扭弯，或者在卷绕成卷状时产生卷绕偏离。
另外，在基材11的与第1面111相反的面上，可以设置与后述剥离剂层12相同的层，或者与剥离剂层12不同的层，该情况下，基材11的第2面112是指在这些层的面中与基材11侧相反侧的面。
2.剥离剂层
本实施方式所涉及的剥离膜1中的剥离剂层12，由含有活性能量射线固化性成分(A)及光聚合引发剂(B)的剥离剂组合物(以下，有时称作“剥离剂组合物R。”)形成。剥离剂层12通过使该剥离剂组合物R固化而形成。
活性能量射线固化性成分(A)通过使在一个分子中平均具有至少三个(甲基)丙烯酰基的含羟基的(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)、在一个分子中具有至少一个羟基且质均分子量为500～8000的直链状的二甲基有机聚硅氧烷(a3)，以二甲基有机聚硅氧烷(a3)的量相对于(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及二甲基有机聚硅氧烷(a3)的合计量以质量比计为0.01～0.10的方式反应而成。另外，在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯这两者。其它类似术语也相同。
若使上述(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及二甲基有机聚硅氧烷(a3)反应，则(甲基)丙烯酸酯(a1)的羟基及二甲基有机聚硅氧烷(a3)的羟基与多元异氰酸酯化合物(a2)的异氰酸酯基进行反应，(甲基)丙烯酸酯(a1)彼此、或者(甲基)丙烯酸酯(a1)与二甲基有机聚硅氧烷(a3)通过多元异氰酸酯化合物(a2)而化学结合。
若对包含该活性能量射线固化性成分(A)的剥离剂组合物R照射活性能量射线，则(甲基)丙烯酸酯(a1)通过自由基聚合而形成聚合物。作为赋予剥离的成分的二甲基有机聚硅氧烷(a3)通过共价键而导入到该聚合物中，因此可抑制从剥离剂组合物R的固化物即剥离剂层12脱落。从而，可抑制赋予剥离的成分转移到形成于剥离剂层12上的陶瓷生片，并能够成品率良好地形成可信度高的陶瓷生片。另外，由于如上所述存在作为赋予剥离的成分的二甲基有机聚硅氧烷(a3)，因此所得到的剥离剂层12发挥良好的剥离性。
(甲基)丙烯酸酯(a1)由具有下述通式(1)或(2)所示的结构的单一或两种以上的化合物形成。
[化学式1]
[化学式2]
在上述通式(1)及(2)中，X1～X10分别独立地表示(甲基)丙烯酰基或羟基，X1～X6中的至少三个以上表示(甲基)丙烯酰基，X7～X10中至少三个以上表示(甲基)丙烯酰基。
(甲基)丙烯酸酯(a1)通过在一个分子中平均具有至少三个(甲基)丙烯酰基，由此发挥充分的固化性，当照射活性能量射线时，可防止产生固化不良。从这种观点考虑，(甲基)丙烯酸酯(a1)一个分子中的(甲基)丙烯酰基的个数优选为五个以上。
作为(甲基)丙烯酸酯(a1)，优选使用不含甲基丙烯酰基、官能团仅由丙烯酰基及羟基构成的含羟基的丙烯酸酯。这种含羟基的丙烯酸酯发挥更良好的固化性。其中，优选为选自具有上述通式(1)或(2)所示结构的二季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯及季戊四醇四丙烯酸酯中的一种或两种以上的混合物，尤其优选所含有的丙烯酰基平均在一个分子中为三个以上，且其浓度被调整为每1kg为8当量以上。
多元异氰酸酯化合物(a2)为在一个分子中具有至少两个异氰酸酯基的化合物，可以举出例如甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族多元异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等脂肪族多元异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化二苯甲烷二异氰酸酯等脂环族多元异氰酸酯等、及它们的缩二脲体、异氰脲酸酯体，另外，与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等低分子含活性氢化合物的反应物即加成物等。其中，尤其优选能够降低剥离力、提高剥离性的六亚甲基二异氰酸酯及其异氰脲酸酯体。上述多元异氰酸酯化合物(a2)可以单独使用1种，或者组合两种以上进行使用。
二甲基有机聚硅氧烷(a3)通过多元异氰酸酯化合物(a2)与(甲基)丙烯酸酯(a1)反应，因此需要在一个分子中具有至少一个羟基。另外，为了显现良好的剥离性，要求二甲基有机聚硅氧烷(a3)为直链状且质均分子量为500～8000。通过使质均分子量在该范围内，可发挥稳定的剥离性，另外，涂布性也良好。质均分子量优选为500～6000，尤其优选为500～5000。另外，本说明书中的质均分子量为通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的换算成标准聚苯乙烯的值。
作为二甲基有机聚硅氧烷(a3)，可以举出具有下述通式(3)、(4)或(5)所示的结构的二甲基有机聚硅氧烷。其中，优选具有通式(3)所示的结构，由此，尤其能够降低剥离力，提高剥离性。另外，在组合具有通式(5)所示的结构的二甲基有机聚硅氧烷、和作为多元异氰酸酯化合物(a2)的六亚甲基二异氰酸酯的异氰脲酸酯体的情况下，也能够提高剥离性，因此优选。
[化学式3]
[化学式4]
[化学式5]
在上述通式(3)、(4)及(5)中，R1、R3及R6分别独立地表示烷基或亚烷基醚基，R2、R4、R5及R7分别独立地表示亚烷基或亚烷基醚基。n表示正整数。
作为二甲基有机聚硅氧烷(a3)，也可以使用市场上销售的产品。作为市场上销售的产品，可以举出例如Chisso Corporation制造的SILAPL ANE FM-4411、FM-4421、FM-4425、FMDA11、FMDA21、FM0411、FM0421、FM0425或Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造的X22-160AS、KF-6001、KF-6002、KF-6003、X-22-170BX、X-22-170DX、X22-176DX、X-22-176F等，其中，优选SILAPLANE FMDA11、FMDA21及FM0411。
活性能量射线固化性成分(A)为以二甲基有机聚硅氧烷(a3)的量相对于(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及二甲基有机聚硅氧烷(a3)的合计量以质量比计为0.01～0.10的方式使它们反应后的物质。若该质量比小于0.01，则难以得到稳定的剥离性。另一方面，若质量比超过0.10，则在旋出卷绕成卷状的剥离膜时剥离膜的静电量增大。因此，杂质等容易附着于剥离膜的表面，当涂布浆料时，有可能在涂布面上产生针孔等。另外，有可能涂布性变差，在涂布面上产生涂布条纹等。即，若质量比在上述范围内，则能够稳定地显现优异的剥离性，得到涂布性良好的剥离剂组合物R。从这种观点考虑，上述质量比优选为0.01～0.07，尤其优选为0.01～0.05。
在此，优选调整为从多元异氰酸酯化合物(a2)所具有的总异氰酸酯基量减去二甲基有机聚硅氧烷(a3)所具有的总羟基量后的值，小于(甲基)丙烯酸酯(a1)所具有的总羟基量。并且，在制造活性能量射线固化性成分(A)时，优选首先使多元异氰酸酯化合物(a2)与二甲基有机聚硅氧烷(a3)反应，然后使(甲基)丙烯酸酯(a1)与其进行反应。如此，能够减少在二甲基有机聚硅氧烷(a3)中、不与(甲基)丙烯酸酯(a1)反应而残留的量，从而，能够减少作为赋予剥离的成分的二甲基有机聚硅氧烷(a3)转移到陶瓷生片的量。
作为剥离剂组合物R所含有的光聚合引发剂(B)，可以举出例如包含α-羟基酮类化合物、α-氨基烷基苯基酮类化合物、噻吨酮等的芳香族酮类，酰基膦氧化物类等。其中，从促进聚合反应且提高固化性的观点考虑，优选α-羟基酮类化合物及α-氨基烷基苯基酮类化合物。上述光聚合引发剂(B)可以单独使用1种，或者也可以组合两种以上进行使用。
作为α-羟基酮类化合物，可以举出例如2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮、2-羟基-4’-羟基乙氧基-2-甲基苯丙酮、1-羟基-环己基-苯基-酮、低聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮}等。
作为α-氨基烷基苯基酮类化合物，可以举出例如2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-1-丁酮、2-二甲基氨基-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮等。
相对于100质量份的活性能量射线固化性成分(A)，剥离剂组合物R中的光聚合引发剂(B)的含量优选为2～15质量份，尤其优选为4～12质量份。
本实施方式所涉及的剥离剂组合物R，除了含有上述成分以外，根据需要也可以含有硅石、抗静电剂、引发助剂、染料、颜料、其它添加剂。
本实施方式所涉及的剥离膜1中的剥离剂层12的厚度为0.3～2μm，优选为0.3～1.5μm，尤其优选为0.3～1.2μm。若剥离剂层12的厚度小于0.3μm，则无法完全填埋存在于基材11的第1面111上的突起彼此之间的凹部，剥离剂层12的表面112的平滑性变得不充分，在陶瓷生片上容易产生针孔或厚度不均。另一方面，若剥离剂层12的厚度超过2μm，则通过剥离剂层12的固化收缩而在剥离膜1容易产生卷边。另外，在将剥离膜1卷绕成卷状时，容易与基材11的第2面112产生阻塞。
剥离剂层12的表面121的算术平均粗糙度(Ra1)为8nm以下，优选为6nm以下，尤其优选为4nm以下。另外，剥离剂层12的表面121的最大突起高度(Rp1)为50nm以下，优选为40nm以下，尤其优选为30nm以下。
通过将剥离剂层12的表面121的算术平均粗糙度(Ra1)及最大突起高度(Rp1)设为如上所述范围，能够将剥离剂层12的表面121制成充分的高度平滑的表面，例如在将厚度为1μm以下的薄膜陶瓷生片成型于剥离剂层12的表面121时，在薄膜陶瓷生片上也不易产生针孔或厚度不均等缺陷，显示出良好的浆料涂布性。另外，通过将剥离剂层12的表面121的算术平均粗糙度(Ra1)及最大突起高度(Rp1)设为如上所述范围，从陶瓷生片的剥离性也变得优异，例如在从剥离剂层12剥离厚度为1μm以下的薄膜陶瓷生片时，陶瓷生片也不易断裂。
通过使剥离剂组合物R固化而成的剥离剂层12，在叠层于上述基材11的第1面111时，能够将剥离剂层12的表面121的算术平均粗糙度(Ra1)及最大突起高度(Rp1)设为上述范围。根据剥离剂组合物R，主要通过活性能量射线固化性成分的固化物，来有效地填埋存在于基材11的第1面111上的突起彼此之间的凹部，从而能够使所得到的剥离剂层12的表面121高度平滑化。
另外，根据通过使剥离剂组合物R固化而成的剥离剂层12，如上所述，可以抑制赋予剥离的成分转移到形成于剥离剂层12上的陶瓷生片。
具体而言，在剥离剂层12的表面121形成聚乙烯醇缩丁醛树脂层之后，在从剥离剂层12剥离该聚乙烯醇缩丁醛树脂层时，聚乙烯醇缩丁醛树脂层中的与剥离剂层12接触过的面的硅酮转移量降低。作为硅酮转移量，可以通过根据X射线光电子能谱分析法(XPS)测定的硅原子比例来评价其性能。在本实施方式中，通过测定该面而得到的硅原子比例优选小于1.0原子％，尤其优选小于0.5原子％，进一步优选为0.3原子％以下。另外，基于硅原子(Si)、碳原子(C)及氧原子(O)的量(XPS计数)，通过下述式而算出硅原子比例。
硅原子比例(原子％)＝[(Si元素量)/(C元素量)+(O元素量)+(Si元素量)]×100
另外，聚乙烯醇缩丁醛树脂层其本身大多为无法通过XPS检测硅的程度，因此能够将该硅原子比例用作作为剥离剂层12的赋予剥离的成分的硅酮类化合物的转移量的评价基准。
通过使聚乙烯醇缩丁醛树脂层中的与剥离剂层12接触过的面的硅原子比例在上述范围内，由此在剥离剂层12上形成陶瓷生片时，能够抑制包含于剥离剂层12中的硅酮向陶瓷生片的转移。
3.陶瓷生片制造工序用剥离膜的制造方法
在基材11的第1面111上涂布剥离剂组合物R及根据需要而涂布含有有机溶剂的用于形成剥离剂层的材料之后，根据需要进行干燥，并通过照射活性能量射线使其固化，形成剥离剂层12，从而能够制造本实施方式所涉及的剥离膜1。作为用于形成剥离剂层的材料的涂布方法，能够使用例如凹版涂布法、棒涂布法(バーコート法)、喷涂布法、旋涂布法、刮刀涂布法、辊涂布法及模具涂布法等。
作为上述有机溶剂，只要是用于形成剥离剂层的材料的各成分的溶解性良好、且不具有反应性的有机溶剂，则可以使用现有公知的有机溶剂。可以使用例如己烷、庚烷、环己烷等脂肪族烃，甲苯、二甲苯等芳香族烃，二氯甲烷、氯乙烯等卤代烃，甲醇、乙醇、丙醇(异丙醇)、丁醇、1-甲氧基-2-丙醇等醇，丙酮、甲乙酮、2-戊酮、异佛尔酮、环己酮等酮，乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯，乙基溶纤剂等溶纤剂类溶剂，以及它们的混合溶剂等。有机溶剂的使用量，通常优选调整为固体成分浓度成为1～60质量％的范围。
作为活性能量射线，通常可以使用紫外线、电子射线等，尤其优选紫外线。活性能量射线的照射量，根据能量射线的种类而不同，但例如在为紫外线的情况下，以光量计优选为50～1000mJ/cm2，尤其优选为100～500mJ/cm2。另外，在为电子射线的情况下，优选0.1～50kGy左右。
通过上述活性能量射线的照射，剥离剂组合物R中的活性能量射线固化性成分(A)聚合而固化，形成剥离剂层12。
在使用以上说明的剥离膜1时，利用狭缝模具涂布方式或刮片(doctor blade)方式等，在剥离剂层12的表面121涂布陶瓷浆料，并使其干燥，从而成型成陶瓷生片。此时，根据本实施方式所涉及的剥离膜1，在剥离剂层上成型有浆料涂布性优异、强度较低的薄膜的陶瓷生片的情况下，也能够形成平滑性较高的陶瓷生片，能够抑制针孔或厚度不均的产生。另外，所形成的陶瓷生片容易从剥离膜1剥离，且赋予剥离的成分(硅酮类化合物)不易转移到陶瓷生片。
而且，即使将形成有陶瓷生片的剥离膜1以卷绕成卷状的状态进行保管，或者以卷对卷进行输送，也能够抑制产生由基材11的第2面112的表面状态引起的陶瓷生片部分变薄等缺陷。而且，根据上述剥离膜1，由于不易产生阻塞，因此能够抑制卷绕不良、或开卷时静电量增大引起的杂质附着等不良现象。从而，根据本实施例所涉及的剥离膜1，能够以良好的生产率、优异的成品率制造可信度高的陶瓷生片。
以上说明的实施方式是为了便于理解本发明而记载的，并不是为了限定本发明而记载。从而，在上述实施方式中公开的各个要件，意旨还包括属于本发明的技术范围的所有设计变更和等同物。
例如，在基材11中的与剥离剂层12相反侧的面、或基材11与剥离剂层12之间，也可以设置有抗静电层等其它层。
实施例
以下，通过实施例等进一步对本发明进行具体说明，但本发明的范围并不限定于这些实施例等。
[制造例1]
在具备搅拌机、回流冷却器、滴液漏斗及温度计的反应器中，加入作为多元异氰酸酯(a2)的六亚甲基二异氰酸酯100质量份(换算成固体成分；以下相同)、二甲基有机聚硅氧烷(a3)(Chisso Corporation制造，产品名称“SILAPLANE FMDA11”，数均分子量为1000；具有通式(3)所示的结构，通式(3)中的R1为-OH，R2为-(CH2)3OCH2CH2-，R3为-CH2CH3。相同产品的结构以下相同。)300质量份、及甲乙酮400质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，得到反应物。
在具有与上述相同的设备的另一反应器中，加入作为(甲基)丙烯酸酯(a1)的二季戊四醇六丙烯酸酯及二季戊四醇五丙烯酸酯的混合物(TOAGOSEI CO.,LTD.制造，产品名称“M-400，”含有二季戊四醇五丙烯酸酯50质量％；通式(1)所示的结构)286质量份、上述所得到的反应物的固体成分12质量份、及甲乙酮286质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，通过IR测定而确认异氰酸酯基消失，得到活性能量射线固化性成分(A1)。
[制造例2]
在具备搅拌机、回流冷却器、滴液漏斗及温度计的反应器中，加入作为多元异氰酸酯(a2)的六亚甲基二异氰酸酯100质量份、二甲基有机聚硅氧烷(a3)(Chisso Corporation制造，产品名称“SILAPLANE FM DA11”，数均分子量为1000)300质量份、及甲乙酮400质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，得到反应物。
在具有与上述相同的设备的另一反应器中，加入作为(甲基)丙烯酸酯(a1)的二季戊四醇六丙烯酸酯及二季戊四醇五丙烯酸酯的混合物(TOAGOSEI CO.,LTD.制造，产品名称“M-400；”通式(1)所示的结构)258质量份、上述所得到的反应物的固体成分40质量份、及甲乙酮258质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，并通过IR测定而确认异氰酸酯基消失，得到活性能量射线固化性剥离剂化合物(A2)。
[制造例3]
在具备搅拌机、回流冷却器、滴液漏斗及温度计的反应器中，加入作为多元异氰酸酯(a2)的六亚甲基二异氰酸酯100质量份、二甲基有机聚硅氧烷(a3)(Chisso Corporation制造，产品名称“SILAPLANE FM DA21”，数均分子量为5000；具有通式(3)所示的结构，通式(3)中的R1为-OH，R2为-(CH2)3OCH2CH2-，R3为-CH2CH3。)1488质量份、及甲乙酮1588质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，得到反应物。
在具有与上述相同的设备的另一反应器中，加入作为(甲基)丙烯酸酯(a1)的二季戊四醇六丙烯酸酯及二季戊四醇五丙烯酸酯的混合物(TOAGOSEI CO.,LTD.制造，产品名称“M-400；”通式(1)所示的结构)289质量份、上述所得到的反应物的固体成分10质量份、及甲乙酮289质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，通过IR测定而确认异氰酸酯基消失，得到活性能量射线固化性剥离剂化合物(A3)。
[制造例4]
在具备搅拌机、回流冷却器、滴液漏斗及温度计的反应器中，加入作为多元异氰酸酯(a2)的六亚甲基二异氰酸酯100质量份、二甲基有机聚硅氧烷(a3)(Chisso Corporation制造，产品名称“SILAPLANE FM DA11”，数均分子量为1000)300质量份、及甲乙酮400质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，得到反应物。
在具有与上述相同的设备的另一反应器中，加入季戊四醇四丙烯酸酯与季戊四醇三丙烯酸酯的混合物(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制造，产品名称“A-TMM-3L，”含有季戊四醇三丙烯酸酯55质量％)286质量份、上述所得到的反应物的固体成分12质量份、及甲乙酮286质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，并通过IR测定而确认异氰酸酯基消失，得到活性能量射线固化性剥离剂化合物(A4)。
[制造例5]
在具备搅拌机、回流冷却器、滴液漏斗及温度计的反应器中，加入作为多元异氰酸酯(a2)的六亚甲基二异氰酸酯的异氰脲酸酯体100质量份、二甲基有机聚硅氧烷(a3)(Chisso Corporation制造，产品名称“SILAPLANE FM0411”，数均分子量为1000；具有通式(5)所示的结构，通式(5)中的R6为-OH，R7为-C3H6OC2H4-。)175质量份、及甲乙酮275质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，得到反应物。
在具有与上述相同的设备的另一反应器中，加入作为(甲基)丙烯酸酯(a1)的二季戊四醇六丙烯酸酯及二季戊四醇五丙烯酸酯的混合物(TOAGOSEI CO.,LTD.制造，产品名称“M-400；”通式(1)所示的结构)167质量份、上述所得到的反应物的固体成分8质量份、及甲乙酮167质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，通过IR测定而确认异氰酸酯基消失，得到活性能量射线固化性剥离剂化合物(A5)。
[制造例6]
在具备搅拌机、回流冷却器、滴液漏斗及温度计的反应器中，加入作为多元异氰酸酯(a2)的六亚甲基二异氰酸酯100质量份、二甲基有机聚硅氧烷(a3)(Chisso Corporation制造，产品名称“SILAPLANE FM DA11”，数均分子量为1000)300质量份、及甲乙酮400质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，得到反应物。
在具有与上述相同的设备的另一反应器中，加入作为(甲基)丙烯酸酯(a1)的二季戊四醇六丙烯酸酯及二季戊四醇五丙烯酸酯的混合物(TOAGOSEI CO.,LTD.制造，产品名称“M-400；”通式(1)所示的结构)300质量份、上述所得到的反应物的固体成分3质量份、及甲乙酮300质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，通过IR测定而确认异氰酸酯基消失，得到活性能量射线固化性剥离剂化合物(A6)。
[制造例7]
在具备搅拌机、回流冷却器、滴液漏斗及温度计的反应器中，加入作为多元异氰酸酯(a2)的六亚甲基二异氰酸酯100质量份、二甲基有机聚硅氧烷(a3)(Chisso Corporation制造，产品名称“SILAPLANE FM DA11”，数均分子量为1000)300质量份、及甲乙酮400质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，得到反应物。
在具有与上述相同的设备的另一反应器中，加入作为(甲基)丙烯酸酯(a1)的二季戊四醇六丙烯酸酯及二季戊四醇五丙烯酸酯的混合物(TOAGOSEI CO.,LTD.制造，产品名称“M-400；”通式(1)所示的结构)250质量份、上述所得到的反应物的固体成分43质量份、及甲乙酮250质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，通过IR测定而确认异氰酸酯基消失，得到活性能量射线固化性剥离剂化合物(A7)。
[制造例8]
在具备搅拌机、回流冷却器、滴液漏斗及温度计的反应器中，加入作为多元异氰酸酯(a2)的六亚甲基二异氰酸酯100质量份、二甲基有机聚硅氧烷(a3)(Chisso Corporation制造，产品名称“SILAPLANE FM DA26”，数均分子量为15000；具有通式(3)所示的结构，通式(3)中的R1为-OH，R2为-(CH2)3OCH2CH2-，R3为-CH2CH3。)4460质量份、及甲乙酮4560质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，得到反应物。
在具有与上述相同的设备的另一反应器中，加入作为(甲基)丙烯酸酯(a1)的二季戊四醇六丙烯酸酯及二季戊四醇五丙烯酸酯的混合物(TOAGOSEI CO.,LTD.制造，产品名称“M-400；”通式(1)所示的结构)289质量份、上述所得到的反应物的固体成分9质量份、及甲乙酮289质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，通过IR测定而确认异氰酸酯基消失，得到活性能量射线固化性剥离剂化合物(A8)。
[制造例9]
在具备搅拌机、回流冷却器、滴液漏斗及温度计的反应器中，加入作为多元异氰酸酯(a2)的六亚甲基二异氰酸酯100质量份、二甲基有机聚硅氧烷(a3)(Chisso Corporation制造，产品名称“SILAPLANE FM DA11”，数均分子量为1000)300质量份、及甲乙酮400质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，得到反应物。
在具有与上述相同的设备的另一反应器中，加入2-羟乙基丙烯酸酯286质量份、上述所得到的反应物的固体成分12质量份、及甲乙酮286质量份，升温至85℃并保温7小时而使其进行反应，通过IR测定而确认异氰酸酯基消失，得到活性能量射线固化性剥离剂化合物(A9)。
关于在上述制造例1～9中得到的活性能量射线固化性剥离剂化合物A1～A9，将(甲基)丙烯酸酯(a1)中的(甲基)丙烯酰基的数量、二甲基有机聚硅氧烷(a3)的分子量、以及二甲基有机聚硅氧烷(a3)的量相对于(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及二甲基有机聚硅氧烷(a3)的合计量的质量比(a3)/[(a1)+(a2)+(a3)])表示于表1。
[实施例1]
将活性能量射线固化性成分(A1)100质量份、及作为α-羟基酮类的光聚合引发剂(B1)的2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(BASF公司制造，产品名称“IRGACURE127”)5质量份，用异丙醇及甲乙酮的混合溶剂(质量比为3:1)稀释为固体成分浓度为20质量％，得到用于形成剥离剂层的材料。
将所得到的用于形成剥离剂层的材料，在作为基材的双向拉伸聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度为31μm，第1面的算术平均粗糙度Ra0：16nm，第1面的最大突起高度Rp0：196nm，第2面的算术平均粗糙度Ra2：16nm，第2面的最大突起高度Rp2：196nm)的第1面上，以固化后的厚度成为1μm的方式，通过棒涂布机进行涂布，并在80℃下干燥1分钟。然后，照射紫外线(累计光量：250mJ/cm2)，使用于形成剥离剂层的材料固化而形成剥离剂层，将其作为剥离膜。另外，剥离剂层的厚度为通过后述的测定方法测定的结果(以下实施例等也相同)。
[实施例2]
配合活性能量射线固化性成分(A2)来代替活性能量射线固化性成分(A1)，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[实施例3]
配合活性能量射线固化性成分(A3)来代替活性能量射线固化性成分(A1)，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[实施例4]
配合活性能量射线固化性成分(A4)来代替活性能量射线固化性成分(A1)，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[实施例5]
配合活性能量射线固化性成分(A5)来代替活性能量射线固化性成分(A1)，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[实施例6]
将剥离剂层的厚度变更为0.5μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[实施例7]
将剥离剂层的厚度变更为1.9μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[实施例8]
配合作为α-氨基烷基苯基酮类光聚合引发剂(B2)的2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮(BASF公司制造，产品名称“IRGAC URE907”)来代替光聚合引发剂(B1)，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[实施例9]
使用双向拉伸PET膜(厚度为38μm，第1面的算术平均粗糙度Ra0：15nm，第1面的最大突起高度Rp0：98nm，第2面的算术平均粗糙度Ra2：15nm，第2面的最大突起高度Rp2：98nm)来代替实施例1中的基材，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[实施例10]
使用双向拉伸PET膜(厚度为38μm，第1面的算术平均粗糙度Ra0：35nm，第1面的最大突起高度Rp0：471nm，第2面的算术平均粗糙度Ra2：35nm，第2面的最大突起高度Rp2：471nm)来代替实施例1中的基材，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[比较例1]
配合活性能量射线固化性成分(A6)来代替活性能量射线固化性成分(A1)，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[比较例2]
配合活性能量射线固化性成分(A7)来代替活性能量射线固化性成分(A1)，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[比较例3]
配合活性能量射线固化性成分(A8)来代替活性能量射线固化性成分(A1)，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[比较例4]
配合活性能量射线固化性成分(A9)来代替活性能量射线固化性成分(A1)，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[比较例5]
将作为活性能量射线固化性成分的二季戊四醇六丙烯酸酯99质量份、含有甲基丙烯酰基的硅酮树脂组合物(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造，产品名称“X-62-164A”)1质量份、及作为α-羟基酮类光聚合引发剂(B1)的2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮(BASF公司制造，产品名称“IRGACURE127”)5质量份，用异丙醇及甲乙酮的混合溶剂(质量比为3:1)来稀释成固体成分浓度为20质量％，得到用于形成剥离剂层的材料。使用该用于形成剥离剂层的材料，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[比较例6]
将剥离剂层的厚度变更为0.2μm，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[比较例7]
使用双向拉伸PET膜(厚度为38μm，第1面的算术平均粗糙度Ra0：42nm，第1面的最大突起高度Rp0：619nm，第2面的算术平均粗糙度Ra2：42nm，第2面的最大突起高度Rp2：619nm)来代替实施例1中的基材，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[比较例8]
使用双向拉伸PET膜(厚度为38μm，第1面的算术平均粗糙度Ra0：15nm，第1面的最大突起高度Rp0：105nm，第2面的算术平均粗糙度Ra2：3nm，第2面的最大突起高度Rp2：15nm)来代替实施例1中的基材，除此以外，以与实施例1相同的方式制作出剥离膜。
[试验例1](剥离剂层的厚度测定)
使用反射式膜厚计(Filmetrics Japan,Inc.制造，产品名称“F20”)来测定出在实施例及比较例中得到的剥离膜的剥离剂层的厚度(μm)。具体而言，将在实施例及比较例中得到的剥离膜剪断成100mm×100mm之后，以所测定侧的面的相反面成为吸引台侧的方式在膜厚计上设置剥离膜，对剥离剂层表面的10处测定膜厚，将其平均值作为剥离剂层的厚度。将结果表示于表2。
[试验例2](剥离剂层的表面粗糙度测定)
在玻璃板上粘贴双面胶带，以所测定侧的面的相反面成为玻璃板侧的方式，经由上述双面胶带，将在实施例及比较例中得到的剥离膜固定于玻璃板。使用表面粗糙度测量仪(Mitutoyo Corporation制造，产品名称“SV-3000S4，”触针式)，根据JIS B0601-1994，对该剥离膜的剥离剂层的表面(所露出的表面；以下相同)中的算术平均粗糙度(Ra1；nm)及最大突起高度(Rp1；nm)进行测定。将结果表示于表2。
[试验例3](硅酮转移性评价)
用甲苯及乙醇的混合溶剂(质量比为50:50)，将聚乙烯醇缩丁醛树脂(SEKISUICHEMICAL CO.,LTD.制造，产品名称“S-LEC B·K BL-S，”粉末状)溶解成固体成分浓度为20质量％，得到聚乙烯醇缩丁醛树脂溶液。将所得到的聚乙烯醇树脂溶液，以干燥后的厚度成为4μm的方式，通过棒涂布机涂布于在实施例及比较例中得到的剥离膜的剥离剂层表面，使其干燥，形成聚乙烯醇树脂层。
从剥离膜剥离上述聚乙烯醇树脂层，对该聚乙烯醇树脂层中的与剥离剂层表面接触过的面，利用X射线光电子能谱分析法(XPS)测定硅原子(Si)、碳原子(C)及氧原子(O)的量(XPS计数)，并基于硅原子(Si)、碳原子(C)及氧原子(O)的量(XPS计数)，通过下述式算出硅原子比例(原子％)。
硅原子比(原子％)＝[(Si元素量)/(C元素量)+(O元素量)+(Si元素量)]×100
而且，通过以下判断基准对硅酮转移性进行评价。将结果表示于表3中。
A……硅原子比例小于0.3原子％
B……硅原子比例为0.3原子％以上且小于1.0原子％
C……硅原子比例为1.0原子％以上
[试验例4](剥离剂层的涂布面评价)
关于在实施例及比较例中得到的剥离膜，目视观察剥离剂层的涂布面(表面)的状态，通过以下判断基准对剥离剂层的涂布面进行评价。将结果表示于表3中。
A……不存在由涂布条纹引起的表面异常
B……稍微存在由涂布条纹引起的表面异常，但使用上不构成问题
C……在整个涂布面产生有涂布条纹，或者产生有严重的表面异常
[试验例5](剥离剂层的固化性评价)
关于在实施例及比较例中得到的剥离膜，通过含有甲乙酮的废布(OZUCorporation制造，产品名称“BEMCOT AP-2”)对剥离剂层的表面以1kg/cm2的负载往返研磨10次。然后，目视观察剥离剂层的表面，通过以下判断基准对剥离剂层的固化性进行评价。另外，在本试验(试验例5)中，关于评价为“C”的试验，由于无法获得对于进行其它试验满意的试样，因此未进行其它试验。将结果表示于表3中。
A……不存在剥离剂层的溶解/脱落
B……可见剥离剂层部分溶解
C……剥离剂层完全溶解，从基材脱落
[试验例6](浆料涂布性评价)
在氧化锆珠的存在下，用球磨机使甲苯及乙醇的混合液(质量比为6:4)135质量份混合并分散在钛酸钡粉末(BaTiO3；SAKAI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造，产品名称“BT-03”)100质量份、作为粘合剂的聚乙烯醇缩丁醛树脂(SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD.制造，产品名称“S-LEC B·K BM-2”)8质量份及作为可塑剂的邻苯二甲酸二辛酯(KANTOCHEMICAL CO.,INC.制造，邻苯二甲酸二辛酯纯度1级)4质量份中，除去珠，制备出陶瓷浆料。
对于在实施例及比较例中得到的剥离膜的剥离剂层表面，用模涂机以干燥后的膜厚成为1μm的方式将上述陶瓷浆料涂布成宽度250mm、长度10m，然后，用干燥机在80℃下干燥1分钟。对成型有陶瓷生片的剥离膜，从剥离膜侧照射荧光灯，目视检查所成型的所有陶瓷生片面，通过以下判断基准对浆料涂布性进行评价。将结果表示于表3中。
A……在陶瓷生片上不存在针孔
B……在陶瓷生片上产生一～五个针孔
C……在陶瓷生片上产生六个以上针孔
[试验例7](陶瓷生片剥离性评价)
通过与试验例6相同的顺序，以不冲压剥离膜的方式，将成型于剥离膜的剥离剂层表面上的陶瓷生片冲压成200mm×200mm。接着，利用生片层压机的片材剥离部件，使所冲压的生片吸附于真空吸引台，从剥离膜剥离。通过以下判断基准对此时的从陶瓷生片的剥离性进行评价。将结果表示于表3中。
A……陶瓷生片能够顺利地剥离，而不会断裂，在剥离剂层上未残留陶瓷生片
B……陶瓷生片虽剥离顺利度稍差，但能够剥离，而不会断裂，在剥离剂层上未残留陶瓷生片
C……陶瓷生片断裂，或者无法进行剥离
[试验例8](基于剥离剂层表面的陶瓷生片的缺陷评价)
用甲苯及乙醇的混合溶剂(质量比为60:40)，将聚乙烯醇缩丁醛树脂(SEKISUICHEMICAL CO.,LTD.制造，产品名称“S-LEC B·K BL-S，”粉末状)溶解成固体成分浓度为20质量％，得到聚乙烯醇缩丁醛树脂溶液。将所得到的聚乙烯醇缩丁醛树脂溶液，以干燥后的厚度成为3μm的方式涂布于在实施例及比较例中得到的剥离膜的剥离剂层上，在80℃下干燥1分钟，成型成聚乙烯醇缩丁醛树脂层。然后，在该聚乙烯醇缩丁醛树脂层的表面粘贴聚酯粘着胶带。
接着，从聚乙烯醇缩丁醛树脂层剥离剥离膜，将聚乙烯醇缩丁醛树脂层转印到聚酯粘着胶带。然后，计数该聚乙烯醇缩丁醛树脂层的与剥离剂层表面接触过的面上的凹陷的数量。具体而言，使用光干渉式表面形状观察装置(Vecco Instruments,Inc.制造，产品名称“WYKO-1100”)，以PSI模式按50倍率进行观察，根据所得到的91.2μm×119.8μm范围的表面形状图像，计数深度为150nm以上的凹陷的数量。
基于上述凹陷的数量，通过以下判断基准，进行基于剥离剂层表面的陶瓷生片的缺陷评价。另外，在所述陶瓷生片剥离性评价的试验(试验例7)中，关于评价为“C”的试验，由于无法获得对于进行本试验满意的试样，因此未进行本试验。将结果表示于表3中。
A……凹陷个数为0个
B……凹陷个数为一～五个
C……凹陷个数为六个以上
另外，用存在上述评价C的凹陷的陶瓷生片来制造电容器的情况下，所得到的电容器容易因耐电压降低而产生短路。
[试验例9](基材的第2面的陶瓷生片的缺陷评价)
用甲苯及乙醇的混合溶剂(质量比为60:40)，将聚乙烯醇缩丁醛树脂(SEKISUICHEMICAL CO.,LTD.制造，产品名称“S-LEC B·K BL-S，”粉末状)溶解成固体成分浓度为20质量％，得到聚乙烯醇缩丁醛树脂溶液。将所得到的聚乙烯醇缩丁醛树脂溶液，以干燥后的厚度成为3μm的方式涂布于厚度为50μm的PET膜上，在80℃下干燥1分钟，成型成聚乙烯醇缩丁醛树脂层。
将在实施例及比较例中所得到的剥离膜，以该剥离膜中的基材的第2面与上述聚乙烯醇缩丁醛树脂层接触的方式，粘贴于该聚乙烯醇缩丁醛树脂层。将该叠层体剪断成100mm×100mm之后，用负载5kg/cm2进行冲压，使剥离膜中的基材的第2面的突起形状转印到聚乙烯醇缩丁醛树脂层。
接着，从聚乙烯醇缩丁醛树脂层剥离剥离膜，测定聚乙烯醇缩丁醛树脂膜的与剥离膜的基材的第2面接触过的面上的凹陷的深度，并且计数凹陷的数量。具体而言，使用光干渉式表面形状观察装置(Vecco Inst ruments,Inc.制造，WYKO-1100)，用PSI模式以50倍率进行观察，根据所得到的91.2μm×119.8μm范围的表面形状图像，测定凹陷的深度，并且计数凹陷的数量。
根据上述凹陷的深度及数量，通过以下判断基准，进行基材的第2面的陶瓷生片的缺陷评价。将结果表示于表3中。
A……深度为300nm以上的凹陷的数量为0个
B……深度为500nm以上的凹陷的数量为0个，深度为300nm以上且小于500nm的凹陷的数量为一个以上
C……深度为500nm以上的凹陷的数量为一个以上
另外，用存在上述评价C的凹陷的陶瓷生片来制造电容器的情况下，所得到的电容器容易因耐电压降低而产生短路。
[试验例10](操作性评价)
对将在实施例及比较例中得到的剥离膜设为卷状时的操作性进行评价。具体而言，对所接触的剥离膜彼此的打滑性、设为卷状时抽气性的优异性、及产生剥离膜的卷绕偏离的难易度，通过以下判断基准进行评价。将结果表示于表3中。
A……所接触的剥离膜彼此的打滑性良好，且将剥离膜设为卷状时的抽气性良好，能够防止剥离膜的卷绕偏离
B……所接触的剥离膜彼此的打滑性稍差，且将剥离膜卷绕成卷状时的抽气性稍差，稍微产生卷绕偏离，但无影响
C……所接触的剥离膜彼此的打滑性差，且将剥离膜卷绕成卷状时的抽气性差，明显产生卷绕偏离
[试验例11](阻塞性评价)
将在实施例及比较例中所得到的剥离膜卷绕成宽度为400mm、长度为5000m的卷状。在40℃、湿度为50％以下的环境下保管该剥离膜卷30天，目视观察剥离膜卷现有状态下的外观，通过以下判断基准对阻塞性进行评价。将结果表示于表3中。
A……从卷绕成卷状时起无变化(无阻塞)
B……在宽度方向上的一半以下的区域，发现由膜彼此的粘附引起的颜色的变化(稍微存在阻塞，但可以使用)
C……在宽度方向上的过半的区域，发现由膜彼此的粘附引起的颜色的变化(存在阻塞)
[表1]
[表2]
※1活性能量射线固化性成分及含有甲基丙烯酰基的硅酮树脂组合物的混合物
[表3]
由表3明确可知，实施例的剥离膜从陶瓷生片的剥离性优异，并且硅酮类化合物(赋予剥离的成分)不易转移到陶瓷生片。另外，根据实施例的剥离膜，在陶瓷生片上不易产生缺陷，而且，不易产生阻塞，操作性也良好。
附图标记说明
1-陶瓷生片制造工序用剥离膜，11-基材，111-第1面，112-第2面，12-剥离剂层，121-表面。

Claims (3)

1.一种陶瓷生片制造工序用剥离膜，其具备：基材，具有第1面及第2面；及剥离剂层，设置于所述基材的第1面，所述陶瓷生片制造工序用剥离膜的特征在于，
所述剥离剂层由含有活性能量射线固化性成分(A)及光聚合引发剂(B)的剥离剂组合物形成；
所述活性能量射线固化性成分(A)通过使(甲基)丙烯酸酯(a1)、多元异氰酸酯化合物(a2)及二甲基有机聚硅氧烷(a3)，以所述二甲基有机聚硅氧烷(a3)的量相对于所述(甲基)丙烯酸酯(a1)、所述多元异氰酸酯化合物(a2)及所述二甲基有机聚硅氧烷(a3)的合计量以质量比计为0.01～0.10的方式反应而成，其中，所述(甲基)丙烯酸酯(a1)在一个分子中平均具有至少三个(甲基)丙烯酰基，且含有羟基，所述二甲基有机聚硅氧烷(a3)在一个分子中具有至少一个羟基，质均分子量为500～8000，且为直链状；
所述剥离剂层的厚度为0.3～2μm；
所述剥离剂层的与所述基材相反侧的面的算术平均粗糙度(Ra1)为8nm以下，且最大突起高度(Rp1)为50nm以下；
所述基材的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为5～40nm，且最大突起高度(Rp2)为60～500nm。
2.根据权利要求1所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，
所述光聚合引发剂(B)为α-羟基酮类化合物或α-氨基烷基苯基酮类化合物。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷生片制造工序用剥离膜，其特征在于，
在所述剥离剂层的与所述基材相反侧的面上形成聚乙烯醇缩丁醛树脂层之后，当从所述剥离剂层剥离出所述聚乙烯醇缩丁醛树脂层时，对所述聚乙烯醇缩丁醛树脂层中的与所述剥离剂层接触过的面，利用光电子能谱分析测定的硅原子比例小于1.0原子％。
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