CN105843005B - 电子照相感光体及其制造方法、以及图像形成装置 - Google Patents

电子照相感光体及其制造方法、以及图像形成装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电子照相感光体及其制造方法、以及图像形成装置。电子照相感光体具备导电性基体、在导电性基体上直接或者间接地设置的感光层。感光层是至少含有电荷产生剂、电子输送剂、空穴输送剂和粘结树脂的单层型感光层。感光层含有作为电荷产生剂的酞菁或者其衍生物。感光层中，至少含有下述式(1)或(2)表示的第一化合物和下述式(3)、式(4)或式(5)表示的第二化合物各一种来作为电子输送剂。相对于粘结树脂100质量份，第一化合物和第二化合物的总量是60质量份以上120质量份以下，第一化合物的量是35质量份以上80质量份以下，第二化合物的量是25质量份以上40质量份以下。

Description

电子照相感光体及其制造方法、以及图像形成装置
技术领域
本发明涉及电子照相感光体及其制造方法、以及图像形成装置。
背景技术
近年来，图像形成装置的小型化和高速化不断发展。为了对应高速处理，需要电子照相感光体具有高感光度。但是，在反复使用电子照相感光体、使电子照相感光体暴露于氧化气体(例如，臭氧或者NOx)中的情况下，存在电子照相感光体的感光度(更具体地来说，感光层的带电电位)容易下降的问题。
例如，已知一种具备感光层的电子照相感光体，其感光层中含有作为电子输送剂的特殊联苯醌化合物。
发明内容
然而，只通过上述技术，难以得到环境耐性(具体来说，相对于氧化气体的耐性)和重复特性优异的电子照相感光体。
本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的是提高电子照相感光体的环境耐性(具体来说，相对于氧化气体的耐性)和重复特性。还有，本发明的另一个目的是使用电子照相感光体稳定地形成高画质的图像。
本发明所涉及的电子照相感光体具备：导电性基体、在所述导电性基体上直接或者间接地设置的感光层。所述感光层是至少含有电荷产生剂、电子输送剂、空穴输送剂和粘结树脂的单层型感光层。所述感光层含有作为所述电荷产生剂的酞菁或者其衍生物。所述感光层至少含有第一化合物和第二化合物各一种来作为所述电子输送剂，所述第一化合物是下述式(1)或(2)表示的化合物，所述第二化合物是下述式(3)、式(4)或式(5)表示的化合物。相对于所述粘结树脂100质量份，所述第一化合物和所述第二化合物的总量是60质量份以上120质量份以下，所述第一化合物的量是35质量份以上80质量份以下，所述第二化合物的量是25质量份以上40质量份以下。
【化1】
式(1)中的各符号含义如下。R11、R12、R13和R14各自独立，表示从氢原子、任意取代的烷基、任意取代的烷氧基、任意取代的芳基和任意取代的芳烷基构成的组中选择的基。
另外，本说明书中的任意取代是指取代基的数量为0，或者1以上。
【化2】
式(2)中的各符号含义如下。R21表示任意取代的烷基或者任意取代的芳基。R22表示任意取代的烷基、任意取代的芳基或者式“-O-X”(X表示烷基、芳基或者芳烷基，它们都可以具有取代基)表示的基。R231～R234各自独立，表示氢原子或者任意取代的烷基。R21、R22和R231～R234彼此可以相同也可以不同。
【化3】
式(3)、式(4)和式(5)中的各符号含义如下。R31、R32、R33、R34、R41、R42、R43、R44、R51和R52各自独立，表示从氢原子、任意取代的烷基、任意取代的链烯基、任意取代的烷氧基、任意取代的芳基、任意取代的芳烷基和任意取代的杂环基构成的组中选择的基。R53表示从氢原子、卤素原子、任意取代的烷基、任意取代的链烯基、任意取代的烷氧基、任意取代的芳基、任意取代的芳烷基和任意取代的杂环基构成的组中选择的基。
本发明所涉及的电子照相感光体的制造方法是制造本发明所涉及的电子照相感光体的方法，包含感光层形成工序。感光层形成工序中，将至少含有所述电荷产生剂、所述电子输送剂、所述空穴输送剂、所述粘结树脂和溶剂的涂布液涂布在所述导电性基体上，再对所述涂布了的涂布液中所含的溶剂进行干燥处理，从而形成所述感光层。所述溶剂至少含有四氢呋喃或甲苯。
本发明所涉及的图像形成装置具备：像承载体、带电部、曝光部、显影部和转印部。所述像承载体具备本发明所涉及的电子照相感光体。所述像承载体的处理速度是120mm/秒以上。所述带电部构成为以免除电的方式反复对所述像承载体进行带电操作。
根据本发明，能够提高电子照相感光体的环境耐性(具体来说，相对于氧化气体的耐性)和重复特性。还有，替换上述效果或者在上述效果之上，根据本发明，可以达到如下效果：能够使用电子照相感光体稳定地形成高画质的图像。
附图说明
图1中(a)、(b)和(c)都是表示本发明实施方式所涉及的电子照相感光体的概要的剖面图。
图2是本发明实施方式所涉及的电子照相感光体中所用的氧钛酞菁的第一示例的CuKα特征X射线衍射光谱图。
图3是本发明实施方式所涉及的电子照相感光体中所用的氧钛酞菁的第一示例的差示扫描量热分析光谱图。
图4是本发明实施方式所涉及的电子照相感光体中所用的氧钛酞菁的第二示例的CuKα特征X射线衍射光谱图。
图5是本发明实施方式所涉及的电子照相感光体中所用的氧钛酞菁的第二示例的差示扫描量热分析光谱图。
图6是表示具备本发明实施方式所涉及的电子照相感光体的图像形成装置的概要图。
具体实施方式
以下，对本发明实施方式进行说明。本实施方式所涉及的感光体是电子照相感光体。本实施方式所涉及的感光体具备导电性基体和感光层。感光层直接或者间接地设置在导电性基体上。感光层是至少含有电荷产生剂、电子输送剂、空穴输送剂和粘结树脂的单层型感光层。感光层含有作为电荷产生剂的酞菁或者其衍生物。感光层中，至少含有上述的式(1)或(2)表示的化合物(以下记为“ETM1”)和上述的式(3)、式(4)或式(5)表示的化合物(以下记为“ETM2”)各一种来作为电子输送剂。相对于粘结树脂100质量份，ETM1和ETM2的总量是60质量份以上120质量份以下，ETM1的量(含有若干种ETM1时为总量)是35质量份以上80质量份以下，ETM2的量(含有若干种ETM2时为总量)是25质量份以上40质量份以下。
具体来说，通过增加感光层中的电子输送剂的量，往往使电荷产生剂与电子输送剂进行接触的概率或者电荷产生剂存在于电子输送剂附近的概率增加，并且变得容易将通过曝光而产生的电荷迅速地传输到感光层的表面。还有，由于电荷变得在感光层中容易移动，因此感光体的重复特性往往得到提高，曝光或者转印中的图像记忆往往得到抑制。然而，在感光层含有作为电荷产生剂的酞菁或者其衍生物的情况下，过量增加感光层中的电子输送剂时，则感光层中容易形成电子输送剂的细微晶体结构。形成这样的晶体结构后，往往感光层的感光度下降且电荷保持率下降，从而感光层的表面电位下降。发明人发现了通过上述那样在感光层中按上述量至少含有ETM1和ETM2各一种，能够得到具有优异的环境耐性(具体来说，相对于氧化气体的耐性)和重复特性的电子照相感光体(参照后面叙述的表1和表2)。使用酞菁或者其衍生物作为电荷产生剂，并使用ETM1和ETM2作为电子输送剂，有益于提高感光层的电荷保持率。还有，通过使ETM1的量和ETM2的量各自在上述范围内，能够抑制上述的晶化。具有上述结构的感光体不管是在暴露于氧化气体(例如，臭氧或者NOx)中进行使用的情况下，还是在交替地反复进行带电和曝光的情况下，感光层的表面电位也不易下降。
以下，参照图1(a)～图1(c)，对本实施方式的感光体的概要构造进行说明。如图1(a)～图1(c)所示，感光体1具备基体2和感光层3，基体2具有导电性。图1(a)所示的例子中，感光层3直接设置在基体2上。图1(b)所示的例子中，感光层3间接设置在基体2上。具体来说，在基体2与感光层3之间有底涂层4(中间层)。如图1(a)和图1(b)所示，可以使感光层3为最外层而露出，如图1(c)所示，也可以在感光层3上设置保护层5。
[导电性基体]
本实施方式所涉及的感光体具备导电性基体。导电性基体的形状可以是片状，也可以是鼓状。导电性基体的形状和尺寸优选为根据所使用的图像形成装置的结构而确定。
在导电性基体中，至少表层部具有导电性。可以使导电性基体的整体由导电性材料构成，也可以只使导电性基体的表层部由导电性材料构成。例如，也可以在导电性基体中，表层部由导电性材料构成，内部由非导电材料(例如，塑料)构成。对于导电性材料，例如可以优选使用铝、铁、铜、锡、铂、银、钒、钼、铬、镉、钛、镍、钯、铟、不锈钢、黄铜或者它们的合金。为了促进电荷从感光层到导电性基体的移动，优选为至少导电性基体的表层部由铝或者铝合金构成。
[中间层]
本实施方式所涉及的感光体也可以在导电性基体与感光层之间具备中间层(例如，图1(b)所示的底涂层4)。例如，使用中间层的目的是：维持可抑制泄漏电流的发生这种程度的绝缘状态，同时使曝光感光体时产生的电流流动顺利。
例如，中间层含有树脂以及分散在树脂中的无机颗粒。对于无机颗粒，例如可以使用：金属(更具体地来说，铝、铁或者铜等)的颗粒、金属氧化物(更具体地来说，二氧化钛、氧化铝、氧化锆、氧化锡或者氧化锌等)的颗粒或者非金属氧化物(更具体地来说，二氧化硅等)的颗粒。可以单独使用一种无机颗粒，也可以并用两种以上的无机颗粒。
[感光层]
本实施方式所涉及的感光体具备感光层。感光层至少含有电荷产生剂、电子输送剂、空穴输送剂和粘结树脂。还有，感光层也可以根据需要而含有添加剂。
为了使感光层具有稳定的高感光度，感光层的厚度优选为5μm以上100μm以下，更优选为10μm以上50μm以下。
(电荷产生剂)
感光层含有作为电荷产生剂的至少一种酞菁或者其衍生物。例如，对于酞菁，优选使用下述式(x-H2Pc)表示的X型无金属酞菁。例如，对于酞菁衍生物，优选使用下述式(TiOPc)表示的氧钛酞菁。式(TiOPc)表示的氧钛酞菁也可以具有苯环等取代基。式(TiOPc)表示的氧钛酞菁中的一个或若干个取代基(在取代基的数量是若干个的情况下，它们可以相同或不同)优选为从卤素原子(更优选为氟、氯、溴或者碘)、碳原子数1以上12以下的烷基(更优选为碳原子数1以上6以下的烷基)、氰基和硝基构成的组中选择的一种以上的取代基。另外，电荷产生剂的种类不限于上述的种类。例如，二氧化钛以外的金属进行了配位的酞菁(例如，V型羟基镓酞菁)等酞菁衍生物也可以用作电荷产生剂。还有，感光层中，除了酞菁等，也可以含有既不是酞菁也不是酞菁衍生物的电荷产生剂。
【化4】
【化5】
感光层中所含有的氧钛酞菁的晶体形态可以是Y型、α型和β型中的任意一个。还有，感光层中，也可以含有晶体形态彼此不同的若干种氧钛酞菁结晶来作为电荷产生剂。其中，为了使感光层具有稳定且优异的电气特性，感光层优选为含有在CuKα特征X射线衍射光谱中的布拉格角(2θ±0.2°)的27.2°具有主峰的Y型氧钛酞菁结晶。另外，CuKα特征X射线衍射光谱中的主峰相当于在布拉格角(2θ±0.2°)为3°以上40°以下的范围中具有第一大或者第二大强度的峰值。
具有上述X射线衍射的特性(主峰：27.2°)的Y型氧钛酞菁结晶根据DSC的热特性(具体来说，下列热特性(A)～(C))不同，分为三类。
(A)DSC的热特性中，除了伴随着吸附水分气化的峰值以外，在50℃以上270℃以下的范围内至少具有一个峰值。
(B)DSC的热特性中，除了伴随着吸附水分气化的峰值以外，在50℃以上400℃以下的范围内没有峰值。
(C)DSC的热特性中，除了伴随着吸附水分气化的峰值以外，在50℃以上270℃以下的范围内没有峰值，在270℃以上400℃以下的范围内至少具有一个峰值。
以下，对于具有上述X射线衍射的特性(主峰：27.2°)的Y型氧钛酞菁结晶，将具有热特性(A)的Y型氧钛酞菁结晶记载为“Y型氧钛酞菁(A)”，将具有热特性(B)的Y型氧钛酞菁结晶记载为“Y型氧钛酞菁(B)”，将具有热特性(C)的Y型氧钛酞菁结晶记载为“Y型氧钛酞菁(C)”。
Y型氧钛酞菁(A)～(C)都在波长区域700nm以上具有高量子收率，可以认为电荷产生能力优异。
对于Y型氧钛酞菁(B)和(C)，其结晶稳定性优异，在有机溶剂中不易发生晶型转变，在感光层中容易分散。
＜CuKα特征X射线衍射光谱＞
氧钛酞菁的晶体结构能够基于光学特性(更具体地来说，CuKα特征X射线衍射光谱等)进行推断。以下，对CuKα特征X射线衍射光谱的测量方法的一个例子进行说明。
将样品(氧钛酞菁结晶)填充到X射线衍射装置(例如，Rigaku Corporation制造“RINT(日本注册商标)1100”)的样品支架中，在X射线管Cu、管电压40kV、管电流30mA及CuKα特征X射线波长的条件，对X射线衍射光谱进行测量。例如，测量范围(2θ)是3°以上40°以下(起始角：3°，停止角：40°)，扫描速度是10°/分。
Y型氧钛酞菁结晶在CuKα特征X射线衍射光谱中，在布拉格角(2θ±0.2°)的27.2°具有主峰。还有，α型氧钛酞菁结晶在CuKα特征X射线衍射光谱中，在布拉格角(2θ±0.2°)的28.6°具有峰值。还有，β型氧钛酞菁结晶在CuKα特征X射线衍射光谱中，在布拉格角(2θ±0.2°)的26.2°具有峰值。
＜差示扫描量热分析光谱＞
氧钛酞菁的晶体结构能够基于热性能(更具体地来说，差示扫描量热分析光谱等)进行推断。以下，对差示扫描量热分析光谱的测量方法的一个例子进行说明。
在样品皿中放上结晶粉末的评价用样品，使用差示扫描量热仪(例如，RigakuCorporation制造“TAS-200型DSC8230D”)，测量差示扫描量热分析光谱。例如，测量范围是40℃以上400℃以下，升温速度是20℃/分。
Y型氧钛酞菁(B)在差示扫描量热分析光谱中，除了伴随着吸附水分气化的峰值以外，在50℃以上400℃以下的范围内没有峰值。
Y型氧钛酞菁(C)在差示扫描量热分析光谱中，除了伴随着吸附水分气化的峰值以外，在50℃以上270℃以下的范围内没有峰值，在270℃以上400℃以下的范围内具有峰值。
图2和图3是本实施方式所涉及的电子照相感光体中所用的氧钛酞菁结晶的第一示例的CuKα特征X射线衍射光谱图(图2)和差示扫描量热分析光谱图(图3)。图4和图5是本实施方式所涉及的电子照相感光体中所用的氧钛酞菁结晶的第二示例的CuKα特征X射线衍射光谱图(图4)和差示扫描量热分析光谱图(图5)。另外，在图2和图4中，横轴表示布拉格角(°)，纵轴表示强度(cps)。还有，在图3和图5中，横轴表示温度(℃)，纵轴表示热通量(mcal/秒)。各光谱图(图2～图5)是通过上述方法测量的。
基于图2和图3的光谱图，可以推断所测量的氧钛酞菁结晶的第一示例主要含有Y型氧钛酞菁(B)。在图3所示的差示扫描量热分析光谱图中，50℃以上400℃以下的范围中，除了伴随着吸附水分气化的峰值以外，不能确认到峰值。基于图4和图5的光谱图，可以推断所测量的氧钛酞菁结晶的第二示例主要含有Y型氧钛酞菁(C)。在图5所示的差示扫描量热分析光谱图中，除了伴随着吸附水分气化的峰值以外的峰值出现在296℃。
＜氧钛酞菁结晶的合成方法＞
接下来，对氧钛酞菁结晶的合成方法进行说明。以下表示Y型氧钛酞菁(B)的合成方法的一个例子。
首先，通过下列的反应方程式(R-1)或者(R-2)，合成氧钛酞菁化合物。反应方程式(R-1)和(R-2)中，Y表示卤素原子、烷基、烷氧基、氰基或者硝基，e表示0以上4以下的整数，R表示烷基，base表示碱。
【化6】
【化7】
反应方程式(R-1)中，使邻苯二甲腈或者其衍生物与钛醇盐进行反应，从而合成氧钛酞菁化合物。反应方程式(R-2)中，使1，3-二亚胺基异吲哚啉或者其衍生物与钛醇盐进行反应，从而合成氧钛酞菁化合物。
接着，进行颜料化预处理。具体来说，将通过反应方程式(R-1)或者(R-2)得到的氧钛酞菁化合物加入到水溶性有机溶剂中，对混合液一边加热一边搅拌，持续一定时间。然后，在低于搅拌时的温度条件下，静置混合液一定时间，使其稳定化。
例如，上述颜料化预处理中，能够使用从醇类(更具体地来说，甲醇、乙醇或者异丙醇等)、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、丙酸、乙酸、N-甲基吡咯烷酮和乙二醇构成的组中选择的一种以上的水溶性有机溶剂。另外，在水溶性有机溶剂中，也可以添加少量的非水溶性有机溶剂。颜料化预处理中的搅拌优选为在一定的温度(例如，从70℃以上200℃以下选择的规定温度)条件下进行1小时以上3小时以下。搅拌后的稳定化处理优选为在一定的温度条件下进行5小时以上10小时以下。稳定化处理时的混合液温度优选为10℃以上50℃以下，更优选为22℃以上24℃以下。
接着，对水溶性有机溶剂进行干燥处理，得到氧钛酞菁化合物的粗结晶。接着，根据常规方法，使所得粗结晶溶解在溶剂中后，滴加到贫溶剂中使其再晶化。然后，经过过滤、水洗、碎化加工、过滤和干燥的各工序，使氧钛酞菁化合物颜料化。其结果，得到Y型氧钛酞菁(B)。
对于用于再晶化的贫溶剂，例如能够使用从水、醇类(更具体地来说，甲醇、乙醇或者异丙醇等)和水溶性有机溶剂(更具体地来说，丙酮或者二恶烷等)构成的组中选择的一种以上的贫溶剂。
碎化加工是指如下处理：不对水洗后的固形物进行干燥处理，在含水的状态下将其分散到非水性溶剂中，然后对分散液进行搅拌。对于用于溶解粗结晶的溶剂，例如能够使用从卤化烃(更具体地来说，二氯甲烷、三氯甲烷、溴乙烷或者溴丁烷等)、三卤乙酸(更具体地来说，三氟乙酸、三氯乙酸或者三溴乙酸等)和硫酸构成的组中选择的一种以上的溶剂。对于用于碎化加工的非水性溶剂，例如能够使用氯苯或者二氯甲烷之类的卤化溶剂。
另外，Y型氧钛酞菁(B)也能够通过以下方法进行合成。
上述颜料化预处理后，将对水溶性有机溶剂进行干燥处理而得到的氧钛酞菁化合物的粗结晶通过酸浆法进行处理。具体来说，使上述粗结晶溶解在酸中，将所得溶液滴加到用冰冷却的水中。然后，将溶液在22℃以上24℃以下的温度条件下搅拌一定时间，使氧钛酞菁化合物在溶液中再晶化，得到低结晶性氧钛酞菁化合物。另外，对于酸浆法所使用的酸，例如优选为浓硫酸或者磺酸。
接着，对所得低结晶性氧钛酞菁化合物进行过滤，对所得固形物进行水洗。然后，进行上述的碎化加工。碎化加工后，进行固形物的过滤和干燥，得到Y型氧钛酞菁(B)。
(电子输送剂)
感光层中，至少含有第一化合物(ETM1)和第二化合物(ETM2)各一种来作为电子输送剂，其中，第一化合物(ETM1)是式(1)或(2)表示的化合物，第二化合物(ETM2)是式(3)、式(4)或式(5)表示的化合物。以下，依次叙述式(1)～式(5)，对第一化合物(ETM1)和第二化合物(ETM2)进行详细描述。
【化8】
式(1)中，R11、R12、R13和R14各自独立，表示从氢原子、任意取代的烷基(可以为直链、支链或环状)、任意取代的烷氧基、任意取代的芳基和任意取代的芳烷基构成的组中选择的基。R11、R12、R13和R14彼此可以相同也可以不同。
式(1)中，在R11～R14中的至少一个是烷基的情况下，对于烷基，特别优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基或者环己基。式(1)中，在R11～R14中的至少一个是烷氧基的情况下，对于烷氧基，特别优选为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苯氧基、萘氧基、蒽氧基或者菲氧基。式(1)中，在R11～R14中的至少一个是芳基的情况下，对于芳基，特别优选为苯基、萘基、蒽基或者菲基。式(1)中，在R11～R14中的至少一个是芳烷基的情况下，对于芳烷基，特别优选为苄基、苯乙基、α-萘甲基或者β-萘甲基。
为了提高感光层的带电稳定性，式(1)中，特别优选为：R11～R14各自独立，为氢原子、碳原子数1以上8以下(更优选为碳原子数1以上6以下)的直链或支链烷基、环己基、碳原子数1以上4以下(更优选为碳原子数1或者2)的烷氧基、苯基或者苄基。可优选使用下述式(1-1)～式(1-11)中任意一个表示的化合物(联萘醌衍生物)作为式(1)表示的ETM1。
【化9】
关于上述式(1-1)～式(1-11)，所述的式(1)中的R11～R14如下。
(1-1)
R11和R14：碳原子数1的烷基(甲基)，R12和R13：氢原子
(1-2)
R11和R14：碳原子数3的支链烷基(异丙基)，R12和R13：氢原子
(1-3)
R11和R14：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)，R12和R13：氢原子
(1-4)
R11和R14：碳原子数6的支链烷基(己基)，R12和R13：氢原子
(1-5)
R11和R14：碳原子数5的支链烷基(戊基)，R12和R13：氢原子
(1-6)
R11和R14：碳原子数1的烷氧基(甲氧基)，R12和R13：氢原子
(1-7)
R11～R14：碳原子数1的烷基(甲基)
(1-8)
R11和R14：环己基，R12和R13：氢原子
(1-9)
R11和R14：苯基，R12和R13：氢原子
(1-10)
R11：碳原子数1的烷基(甲基)，R12和R13：氢原子，R14：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)
(1-11)
R11和R14：苄基，R12和R13：氢原子
【化10】
式(2)中，R21表示任意取代的烷基(可以为直链、支链或环状)或者任意取代的芳基，R22表示任意取代的烷基、任意取代的芳基或者式“-O-X”(X表示烷基、芳基或者芳烷基，它们各自可以具有取代基。)表示的基，R231～R234各自独立，表示氢原子或者任意取代的烷基，R21、R22和R231～R234彼此可以相同也可以不同。
式(2)中，在R21、R22、R231～R234和式“-O-X”的“X”中的至少一个是烷基的情况下，对于烷基，特别优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基或者正癸基。式(2)中，在R21、R22和式“-O-X”的“X”中的至少一个是芳基的情况下，对于芳基，特别优选为苯基、萘基、蒽基或者菲基。在式“-O-X”的“X”是芳烷基的情况下，对于芳烷基，特别优选为苄基、苯乙基、α-萘甲基或者β-萘甲基。
为了提高感光层的带电稳定性，式(2)中，特别优选为：R21是从碳原子数1以上4以下(更优选为碳原子数1或者2)的直链或支链烷基、苯基、具有碳原子数1以上4以下(更优选为碳原子数1或者2)的直链或支链烷基来作为取代基的苯基构成的组中选择的基，R22是从碳原子数1以上6以下(更优选为碳原子数1以上4以下)的直链或支链烷基、苯基、具有碳原子数1以上4以下(更优选为碳原子数1或者2)的直链或支链烷基来作为取代基的苯基、式“-O-X”(X表示碳原子数1以上6以下(更优选为碳原子数1以上4以下)的直链或支链烷基、苯基、具有碳原子数1以上4以下(更优选为碳原子数1或者2)的直链或支链烷基来作为取代基的苯基、苄基或者具有碳原子数1以上4以下(更优选为碳原子数1或者2)的直链或支链烷基来作为取代基的苄基)表示的基构成的组中选择的基，R231～R234各自独立，为氢原子或者碳原子数1以上6以下(更优选为碳原子数1以上4以下)的直链或支链烷基。可优选使用下述式(2-1)～式(2-26)中任意一个表示的化合物(萘醌衍生物)作为式(2)表示的ETM1。
【化11】
【化12】
关于上述式(2-1)～式(2-26)，所述的式(2)中的R21、R22和R231～R234如下。
(2-1)
R21：苯基，R22：碳原子数1的烷基(甲基)，R231～R234：氢原子
(2-2)
R21：苯基，R22：碳原子数2的烷基(乙基)，R231～R234：氢原子
(2-3)
R21：苯基，R22：碳原子数3的支链烷基(异丙基)，R231～R234：氢原子
(2-4)
R21：苯基，R22：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)，R231～R234：氢原子
(2-5)
R21：苯基，R22：“-O-X”基，X：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)，R231～R234：氢原子
(2-6)
R21：苯基，R22：“-O-X”基，X：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)，R232：碳原子数1的烷基(甲基)，R231、R233和R234：氢原子
(2-7)
R21：碳原子数1的烷基(甲基)，R22：“-O-X”基，X：苄基，R231～R234：氢原子
(2-8)
R21：碳原子数1的烷基(甲基)，R22：“-O-X”基，X：具有碳原子数1的烷基(甲基)来作为取代基的苄基，R231～R234：氢原子
(2-9)
R21：碳原子数1的烷基(甲基)，R22：“-O-X”基，X：具有碳原子数4的支链烷基(叔丁基)来作为取代基的苄基，R231～R234：氢原子
(2-10)
R21：苯基，R22：“-O-X”基，X：苯基，R231～R234：氢原子
(2-11)
R21：碳原子数1的烷基(甲基)，R22：“-O-X”基，X：具有碳原子数1的烷基(甲基)来作为取代基的苯基，R231～R234：氢原子
(2-12)
R21：苯基，R22：“-O-X”基，X：具有碳原子数2的烷基(乙基)来作为取代基的苯基，R231～R234：氢原子
(2-13)
R21和R22：苯基，R231～R234：氢原子
(2-14)
R21：具有碳原子数1的烷基(甲基)来作为取代基的苯基，R22：苯基，R231～R234：氢原子
(2-15)
R21：具有碳原子数2的烷基(乙基)来作为取代基的苯基，R22：苯基，R231～R234：氢原子
(2-16)
R21和R22：具有碳原子数1的烷基(甲基)来作为取代基的苯基，R231～R234：氢原子
(2-17)
R21：具有碳原子数1的烷基(甲基)来作为取代基的苯基，R22：具有碳原子数2的烷基(乙基)来作为取代基的苯基，R231～R234：氢原子
(2-18)
R21和R22：具有碳原子数2的烷基(乙基)来作为取代基的苯基，R231～R234：氢原子
(2-19)
R21：碳原子数1的烷基(甲基)，R22：“-O-X”基，X：苄基，R232：碳原子数3的支链烷基(异丙基)，R231、R233和R234：氢原子
(2-20)
R21：碳原子数1的烷基(甲基)，R22：“-O-X”基，X：具有碳原子数1的烷基(甲基)来作为取代基的苄基，R232：碳原子数3的支链烷基(异丙基)，R231、R233和R234：氢原子
(2-21)
R21：碳原子数1的烷基(甲基)，R22：“-O-X”基，X：具有碳原子数4的支链烷基(叔丁基)来作为取代基的苄基，R231：碳原子数3的支链烷基(异丙基)，R231、R233和R234：氢原子
(2-22)
R21：碳原子数1的烷基(甲基)，R22：“-O-X”基，X：具有碳原子数2的烷基(乙基)来作为取代基的苄基，R232：碳原子数3的支链烷基(异丙基)，R231、R233和R234：氢原子
(2-23)
R21：苯基，R22：“-O-X”基，X：碳原子数1的烷基(甲基)，R231～R234：氢原子
(2-24)
R21：苯基，R22：“-O-X”基，X：碳原子数2的烷基(乙基)，R231～R234：氢原子
(2-25)
R21：苯基，R22：“-O-X”基，X：碳原子数3的支链烷基(异丙基)，R231～R234：氢原子
(2-26)
R21：苯基，R22：“-O-X”基，X：苄基，R231～R234：氢原子
【化13】
式(3)、式(4)或者式(5)中，R31、R32、R3、R33、R41、R42、R43、R44、R51和R52各自独立，表示从氢原子、任意取代的烷基(可以为直链、支链或环状)、任意取代的链烯基、任意取代的烷氧基、任意取代的芳基、任意取代的芳烷基和任意取代的杂环基构成的组中选择的基，R53表示从氢原子、卤素原子、任意取代的烷基(可以为直链、支链或环状)、任意取代的链烯基、任意取代的烷氧基、任意取代的芳基、任意取代的芳烷基和任意取代的杂环基构成的组中选择的基。R31、R32、R33、R34、R41、R42、R43、R44、R51、R52和R53彼此可以相同也可以不同。
式(3)～式(5)中，在R31～R34、R41～R44和R51～R53中的至少一个是烷基的情况下，对于烷基，特别优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基或者环己基。式(3)～式(5)中，在R31～R34、R41～R44和R51～R53中的至少一个是链烯基的情况下，对于链烯基，特别优选为乙烯基或者烯丙基。式(3)～式(5)中，在R31～R34、R41～R44和R51～R53中的至少一个是烷氧基的情况下，对于烷氧基，特别优选为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苯氧基、萘氧基、蒽氧基或者菲氧基。式(3)～式(5)中，在R31～R34、R41～R44和R51～R53中的至少一个是芳基的情况下，对于芳基，特别优选为苯基、萘基、蒽基或者菲基。式(3)～式(5)中，在R31～R34、R41～R44和R51～R53中的至少一个是芳烷基的情况下，对于芳烷基，特别优选为苄基、苯乙基、α-萘甲基或者β-萘甲基。式(5)中，在R53是卤素原子的情况下，对于卤素原子，特别优选为氟、氯、溴或者碘。式(5)中，在R53是杂环基的情况下，对于杂环基，特别优选为吡啶基。
为了提高感光层的带电稳定性，式(3)中，特别优选为：R31～R34各自独立，为碳原子数1以上8以下(更优选为碳原子数1以上6以下)的直链或支链烷基、苯基或者环己基。可优选使用下述式(3-1)～式(3-10)中任意一个表示的化合物作为式(3)表示的ETM2。
【化14】
关于上述式(3-1)～式(3-10)，所述的式(3)中的R31～R34如下。
(3-1)
R31～R34：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)
(3-2)
R31～R34：碳原子数5的直链烷基(正戊基)
(3-3)
R31～R34：苯基
(3-4)
R31和R33：碳原子数1的烷基(甲基)，R32和R34：碳原子数3的支链烷基(异丙基)
(3-5)
R31和R33：碳原子数1的烷基(甲基)，R32和R34：苯基
(3-6)
R31和R33：碳原子数1的烷基(甲基)，R32和R34：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)
(3-7)
R31和R33：碳原子数2的烷基(乙基)，R32和R34：碳原子数5的支链烷基(戊基)
(3-8)
R31和R33：碳原子数3的支链烷基(异丙基)，R32和R34：碳原子数5的直链烷基(正戊基)
(3-9)
R31和R33：碳原子数1的烷基(甲基)，R32和R34：环己基
(3-10)
R31和R33：碳原子数3的支链烷基(异丙基)，R32和R34：环己基
为了提高感光层的带电稳定性，式(4)中，特别优选为：R41～R44各自独立，为碳原子数1以上8以下(更优选为碳原子数1以上6以下)的直链或支链烷基。可优选使用下述式(4-1)～式(4-4)中任意一个表示的化合物作为式(4)表示的ETM2。
【化15】
关于上述式(4-1)～式(4-4)，所述的式(4)中的R41～R44如下。
(4-1)
R41～R44：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)
(4-2)
R41和R43：碳原子数1的烷基(甲基)，R42和R44：碳原子数3的支链烷基(异丙基)
(4-3)
R41和R43：碳原子数1的烷基(甲基)，R42和R44：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)
(4-4)
R41和R43：碳原子数2的烷基(乙基)，R42和R44：碳原子数5的支链烷基(戊基)
为了提高感光层的带电稳定性，式(5)中，特别优选为：R51和R52各自独立，为碳原子数1以上6以下(更优选为碳原子数1以上4以下)的直链或支链烷基，R53为卤素原子(更优选为氟、氯、溴或者碘)。可优选使用下述式(5-1)表示的化合物作为式(5)表示的ETM2。
【化16】
关于上述式(5-1)，所述的式(5)中的R51～R53如下。
(5-1)
R51和R52：碳原子数4的支链烷基(叔丁基)，R53：卤素原子(氯)
(空穴输送剂)
感光层含有空穴输送剂。为了抑制感光层的晶化并使感光层的表面电位稳定化，优选为感光层含有下述式(HTM-1)表示的化合物来作为空穴输送剂。
【化17】
式(HTM-1)中，Q11、Q12、Q13、Q14和Q15各自独立，表示氢原子、卤素原子、任意取代的烷基(可以为直链、支链或环状)、任意取代的烷氧基、任意取代的芳基、任意取代的芳氧基或者任意取代的芳烷基。m和n各自独立，表示0以上4以下的整数。
式(HTM-1)中，在Q11～Q15中的至少一个是卤素原子的情况下，对于卤素原子，特别优选为氟、氯、溴或者碘。式(HTM-1)中，在Q11～Q15中的至少一个是烷基的情况下，对于烷基，特别优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基或者正癸基。式(HTM-1)中，在Q11～Q15中的至少一个是烷氧基的情况下，对于烷氧基，特别优选为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基或者正癸氧基。式(HTM-1)中，在Q11～Q15中的至少一个是芳基的情况下，对于芳基，特别优选为苯基、萘基、蒽基或者菲基。式(HTM-1)中，在Q11～Q15中的至少一个是芳氧基的情况下，对于芳氧基，特别优选为苯氧基、萘氧基、蒽氧基或者菲氧基。式(HTM-1)中，在Q11～Q15中的至少一个是芳烷基的情况下，对于芳烷基，特别优选为苄基、苯乙基、α-萘甲基或者β-萘甲基。为了提高感光层的带电稳定性，式(HTM-1)中，特别优选为：Q11～Q15各自独立，为氢原子、碳原子数1以上6以下的烷基或者碳原子数1以上6以下的烷氧基，m和n各自独立，为0或者1。
还有，除了上述式(HTM-1)表示的化合物以外，还优选下述式(HTM-2)～(HTM-4)的任意一个表示的化合物来作为感光层中所含有的空穴输送剂。
【化18】
式(HTM-2)中，Q22、Q23、Q24、Q25、Q26和Q27各自独立，表示氢原子、碳原子数1以上8以下的烷基、碳原子数1以上8以下的烷氧基或者任意取代的碳原子数6以上30以下的芳基。n表示0以上5以下的整数。Q23、Q24、Q25、Q26和Q27中，相邻的基也可以相互键合而形成环。a和b都是1以上3以下的整数，彼此可以相同也可以不同。
【化19】
式(HTM-3)中，Q31、Q32、Q33、Q34、Q35、Q36、Q37和Q38各自独立，表示氢原子、碳原子数1以上8以下的烷基、碳原子数1以上8以下的烷氧基或者苯基。n表示0以上5以下的整数。m表示0以上4以下的整数。l表示0或者1。Q33、Q34、Q35、Q36和Q37中，相邻的基也可以相互键合而形成环。
【化20】
式(HTM-4)中，Q411～Q415、Q421～Q425和Q431～Q434各自独立，表示氢原子、碳原子数1以上8以下的烷基、碳原子数1以上8以下的烷氧基或者苯基。
感光层也可以含有上述以外的空穴输送剂。还有，也可以使用作为粘结树脂发挥作用的空穴输送剂(例如，具有成膜性的空穴输送剂)。例如，聚乙烯基咔唑既作为空穴输送剂发挥作用，也作为粘结树脂发挥作用。可以单独使用一种空穴输送剂，也可以并用两种以上的空穴输送剂。
感光体中，空穴输送剂的合计含量相对于粘结树脂100质量份，优选为10质量份以上200质量份以下，更优选为10质量份以上100质量份以下。
(粘结树脂)
对于粘结树脂，例如可以使用热塑性树脂、热固性树脂或者光固化树脂。具体来说，对于粘结树脂，例如可优选使用：聚碳酸酯树脂、苯乙烯类树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-顺丁烯二酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸类共聚物、丙烯酸类共聚物、聚乙烯树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯树脂、聚氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、离聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、醇酸树脂、聚酰胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、聚芳酯树脂、聚砜树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、酮树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚醚树脂或者聚酯树脂之类的热塑性树脂；硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、脲醛树脂或者三聚氰胺树脂之类的热固性树脂；环氧丙烯酸酯树脂或者聚氨酯-丙烯酸酯共聚物之类的光固化树脂。
为了得到加工性、机械性能、光学性能和耐磨损性均优异的感光层，对于粘结树脂，优选使用聚碳酸酯树脂，更优选使用具有下述式(Resin-1)所示重复单元的聚碳酸酯树脂。
【化21】
式(Resin-1)中，Q51和Q52各自独立，表示氢原子或者任意取代的碳原子数1以上3以下的烷基。
在式(Resin-1)中的Q51和Q52中的至少一个是烷基的情况下，对于烷基，特别优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基。
另外，用作粘结树脂的聚碳酸酯树脂不限于具有上述结构的树脂。例如，也可以使用双酚Z型聚碳酸酯树脂、双酚B型聚碳酸酯树脂、双酚CZ型聚碳酸酯树脂、双酚C型聚碳酸酯树脂和双酚A型聚碳酸酯树脂中的任意一个作为粘结树脂。可以单独使用一种粘结树脂，也可以组合使用两种以上的粘结树脂。
粘结树脂的粘均分子量优选为20000以上，更优选为20000以上65000以下。粘结树脂的粘均分子量为20000以上时，容易致密地形成感光层，容易提高感光层的耐气性、耐磨损性和重复特性。还有，粘结树脂的粘均分子量为65000以下时，在形成感光层时能够抑制粘结树脂相对于溶剂的溶解。
(添加剂)
本实施方式的感光体的感光层、中间层和保护层中的至少一个也可以含有一种以上的添加剂。对于添加剂的例子，可以举出：劣化抑制剂(更具体地来说，抗氧化剂、自由基捕获剂、单重态猝灭剂或者紫外线吸收剂等)、软化剂、表面改性剂、增量剂、增稠剂、分散稳定剂、蜡、受体、供体、表面活性剂、可塑剂、增感剂和流平剂。对于抗氧化剂的具体例子，可以举出：BHT(二叔丁基对甲酚)、受阻酚、受阻胺、对苯二胺、芳基烷烃、对苯二酚、螺苯并二氢吡喃(spirochroman)、螺茚酮(spiroindanone)和它们的衍生物，以及有机硫化合物和有机磷化合物。
为了提高感光层的带电稳定性，感光层优选为含有一种以上的式(6)或者式(7)表示的化合物。可以认为式(6)或者式(7)表示的化合物作为可塑剂发挥作用。以下，依次叙述式(6)和式(7)，对各式表示的化合物进行详细描述。
【化22】
式(6)中，R61、R62、R63、R64、R65、R66、R67、R68、R69和R60各自独立，表示从氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、任意取代的碳原子数1以上12以下的直链或支链烷基、任意取代的碳原子数3以上12以下的环烷基、任意取代的碳原子数1以上12以下的烷氧基、任意取代的碳原子数6以上30以下的芳基、任意取代的碳原子数7以上30以下的芳烷基和任意取代的杂环基构成的组中选择的基，R6表示任意取代的碳原子数1以上12以下的亚烷基，n表示0或者1。R61、R62、R63、R64、R65、R66、R67、R68、R69和R60彼此可以相同也可以不同。
式(6)中，在R60～R69中的至少一个是卤素原子的情况下，对于卤素原子，特别优选为氟、氯、溴或者碘。式(6)中，在R60～R69中的至少一个是烷基的情况下，对于烷基，特别优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基或者环己基。式(6)中，在R60～R69中的至少一个是烷氧基的情况下，对于烷氧基，特别优选为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苯氧基、萘氧基、蒽氧基或者菲氧基。式(6)中，R60～R69中的至少一个是芳基的情况下，对于芳基，特别优选为苯基、萘基、蒽基或者菲基。式(6)中，在R60～R69中的至少一个是芳烷基的情况下，对于芳烷基，特别优选为苄基、苯乙基、α-萘甲基或者β-萘甲基。式(6)中，在R60～R69中的至少一个是杂环基的情况下，对于杂环基，特别优选为吡啶基。式(6)中，在R6是亚烷基的情况下，对于亚烷基，特别优选为亚甲基、亚乙基、正亚丙基、三亚甲基、异亚丙基、正亚丁基、正亚己基、正亚庚基、正亚辛基或者正亚十二烷基。
为了提高感光层的带电稳定性，式(6)中，特别优选为：R60～R69各自独立，为氢原子或者苯基，R6为亚甲基，n为0或者1。可优选使用下述式(6-1)～式(6-3)中任意一个表示的化合物(联苯衍生物)作为式(6)表示的化合物。
【化23】
关于上述式(6-1)～式(6-3)，所述的式(6)中的R6、R60～R69和n如下。
(6-1)
R60～R69：氢原子，n：1，R6：碳原子数1的亚烷基(亚甲基)
(6-2)
R60～R68：氢原子，R69：苯基，n：0
(6-3)
R60～R66和R68：氢原子，R67和R69：苯基，n：0
【化24】
式(7)中，R71、R72和R73各自独立，表示从卤素原子、任意取代的碳原子数1以上12以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上12以下的烷氧基、任意取代的碳原子数6以上30以下的芳基和任意取代的碳原子数6以上30以下的芳氧基构成的组中选择的基，n、m和l各自独立，表示0以上5以下的整数。R71、R72和R73彼此可以相同也可以不同。
式(7)中，在R71～R73中的至少一个是卤素原子的情况下，对于卤素原子，特别优选为氟、氯、溴或者碘。式(7)中，在R71～R73中的至少一个是烷基的情况下，对于烷基，特别优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基或者正癸基。式(7)中，在R71～R73中的至少一个是烷氧基的情况下，对于烷氧基，特别优选为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基或者正癸氧基。式(7)中，在R71～R73中的至少一个是芳基的情况下，对于芳基，特别优选为苯基、萘基、蒽基或者菲基。式(7)中，在R71～R73中的至少一个是芳氧基的情况下，对于芳氧基，特别优选为苯氧基、萘氧基、蒽氧基或者菲氧基。
为了提高感光层的带电稳定性，式(7)中，特别优选为：n、m和l各自独立并为1，R71～R73各自独立，为氢原子或者甲基。还有，为了提高感光层的带电稳定性，式(7)中，特别优选为：n、m和l各自独立并为1，R71和R72各自独立，为氢原子，R73为碳原子数1以上6以下(更优选为碳原子数1以上4以下)的烷基。可优选使用下述式(7-1)～式(7-6)中任意一个表示的化合物(三苯胺衍生物)作为式(7)表示的化合物。
【化25】
关于上述式(7-1)～式(7-6)，所述的式(7)中的R71～R73、n、m和l如下。
(7-1)
n、m和l：0
(7-2)
n：1，R71：碳原子数1的烷基(甲基)，m和l：0
(7-3)
n：1，R71：碳原子数1的烷基(甲基)，m：1，R72：碳原子数1的烷基(甲基)，l：0
(7-4)和(7-5)
n：1，R71：碳原子数1的烷基(甲基)，m：1，R72：碳原子数1的烷基(甲基)，l：1，R73：碳原子数1的烷基(甲基)
(7-6)
n：1，R71：碳原子数4的直链烷基(正丁基)，m和l：0
上述各式(更具体地来说，式(1)～(7)、式(HTM-1)或者式(Resin-1)等)中，对于取代基，根据电子照相感光体的用途等，可以从卤素原子(更具体地来说，氟、氯、溴或者碘等)、硝基、氰基、氨基、羟基、羧基、硫烷基、氨基甲酰基、碳原子数1以上12以下的直链或支链烷基、碳原子数3以上12以下的环烷基、碳原子数1以上12以下的烷氧基、碳原子数1以上12以下的烷基硫烷基(alkylsulfanyl)、碳原子数1以上12以下的烷基磺酰基、碳原子数2以上13以下的烷酰基、碳原子数2以上13以下的烷氧羰基、碳原子数6以上14以下的芳基(可以是单环、双环稠环或三环稠环)和元环数6以上14以下的杂环基(更具体地来说，可以是单环、双环稠环或三环稠环)构成的组中选择适当的取代基。另外，在取代基的数量是若干个的情况下，它们可以相同也可以不同。
[电子照相感光体的制造方法]
以下，对制造本实施方式所涉及的电子照相感光体的方法的一个例子进行说明，其中，电子照相感光体具有上述结构。例如，依次进行涂布液制备工序、涂布工序和干燥工序。在涂布液制备工序中，至少将电荷产生剂、电子输送剂、空穴输送剂和粘结树脂添加到溶剂中，从而制备涂布液。根据需要，也可以在溶剂中加入添加剂。还有，为了提高感光层用涂布液的均质性，优选为使添加到溶剂中的材料在溶剂中进行溶解或者分散。涂布工序中，将涂布液制备工序中所得的涂布液涂布在导电性基体上。干燥工序中，对导电性基体上所涂布的涂布液进行干燥处理。其结果，得到电子照相感光体，其具备导电性基体以及在导电性基体上设置的感光层。
涂布液制备工序中使用的溶剂优选为至少含有四氢呋喃或甲苯。通过使用这样的溶剂，往往可以提高电荷产生剂、电子输送剂、空穴输送剂和粘结树脂在涂布液中的溶解性或者分散性。其结果，容易形成特性均匀的感光体，容易提高感光体的带电电位的稳定性。另外，在涂布液制备工序中使用了至少含有四氢呋喃或甲苯的溶剂的情况下，感光层中往往至少含有四氢呋喃或甲苯。感光层中的四氢呋喃和/或甲苯的量(在感光层含有两者的情况下，为总量)优选为微量(例如，几个ppm)。例如，感光层中的四氢呋喃和/或甲苯的量能够使用气相色谱质谱仪进行确认。
涂布液制备工序中使用的溶剂的种类不限于上述的四氢呋喃和甲苯，可以是任意的。例如，醇类(更具体地来说，甲醇、乙醇、异丙醇或者丁醇等)、脂肪族烃(更具体地来说，正己烷、辛烷或者环己烷等)、芳香族烃(更具体地来说，苯或者二甲苯等)、卤化烃(更具体地来说，二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳或者氯苯等)、醚类(更具体地来说，二甲醚、二乙醚、乙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚或者丙二醇单甲醚等)、酮类(更具体地来说，丙酮、甲基乙基酮或者环己酮等)、酯类(更具体地来说，乙酸乙酯或者乙酸甲酯等)、二甲基甲醛、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)或者二甲基亚砜也可以用作溶剂。可以单独使用一种溶剂，也可以并用两种以上的溶剂。
对于在涂布液制备工序中使添加到溶剂中的材料在溶剂中溶解或者分散的方法，例如可以是使用珠磨机、辊磨机、球磨机、磨碎机、油漆振荡器或超声波分散机对溶剂进行搅拌的方法，或者是在溶剂中添加表面活性剂的方法。还有，也可以组合使用这些方法中的两种方法。
对于在涂布工序中涂布上涂布液的方法，例如可以使用浸涂法、喷涂法、旋涂法或者棒涂法。
对于干燥工序中的涂布液干燥方法的例子，可以举出使用高温干燥机或者减压干燥机对涂布液进行热处理(热风干燥)的方法。例如，热处理温度是40℃以上150℃以下，热处理时间是3分钟以上120分钟以下。
另外，上述电子照相感光体的制造方法能够根据所需感光体的结构或者特性等进行任意的变更。例如，用于形成感光层的材料可以一次性地添加到溶剂中，也可以分若干次地添加到溶剂中。还有，也可以省略不必要的工序。例如，通过使用市售涂布液，可以省略涂布液制备工序。还有，根据需要，电子照相感光体的制造方法也可以进一步含有形成中间层的工序和/或形成保护层的工序。
[图像形成装置]
例如，本实施方式的电子照相感光体可以很好地用作图像形成装置的像承载体。图像形成装置可以是单色图像形成装置，也可以是彩色图像形成装置。应用了本实施方式的电子照相感光体的图像形成装置可以采用省略了除电部的免除电方式，成为不具备除电部的结构。免除电方式的图像形成装置中，带电部构成为以免除电的方式反复使像承载体带电。从图像形成装置中省略掉除电部后，感光体的带电电位往往下降。然而，本实施方式的电子照相感光体即使在反复带电的情况下，往往感光体的带电电位的稳定性也优异。因此，可以认为：通过在图像形成装置中应用本实施方式的电子照相感光体，即使在图像形成装置不具备除电器的情况下，也能够抑制图像形成装置中的感光体的带电电位的下降。不过，根据需要，也可以使图像形成装置具备除电器。
以下，参照图6，对应用了本实施方式的电子照相感光体的图像形成装置的一个例子进行说明。另外，图6所示的图像形成装置具备：像承载体(感光体1)、带电部(带电装置27)、曝光部(曝光装置28)、显影部(显影装置29)和转印部(图像形成部9)。带电部构成为：使像承载体的表面带电。曝光部构成为：对带电了的像承载体的表面进行曝光而在像承载体的表面形成静电潜像。显影部构成为：对静电潜像进行显影而形成调色剂像。转印部构成为：将调色剂像从像承载体上转印到被转印体上。免除电方式的图像形成装置构成为：在带电部使像承载体带电后，经过曝光部的曝光、显影部的显影和转印部的转印，不进行像承载体的除电，带电部再次使像承载体带电。
如图6所示，图像形成装置6是串联方式的彩色图像形成装置。图像形成装置6具有箱形的壳体7。还有，图像形成装置6在壳体7内具备：供纸部8、图像形成部9、定影部10、输送辊36和排纸部11。根据需要，图像形成装置6也可以具备清洗装置。
供纸部8具备：供纸盒12、第一搓纸辊13；供纸辊14、15和16；配准辊对17、第二搓纸辊18。供纸部8构成为：将供纸盒12内的纸张P(印刷用纸)或者未图示的手动送纸托盘上放置的纸张(印刷用纸)供给到图像形成部9。
图像形成部9具备：图像形成单元19、中间转印带20、二次转印辊21、驱动辊30、从动辊31、支撑辊32和若干个一次转印辊33。图像形成部9构成为：形成基于图像数据的调色剂像，将所形成的调色剂像转印(一次转印)到中间转印带20上，再将已转印到中间转印带20上的调色剂像转印(二次转印)到纸张P上。中间转印带20是环状的带式旋转体。中间转印带20绕在驱动辊30、从动辊31、支撑辊32和若干个一次转印辊33上。
图像形成单元19具备：黑色调色剂供给用单元22、青色调色剂供给用单元23、品红色调色剂供给用单元24和黄色调色剂供给用单元25。从输送上游(图6的右侧)朝向输送下游，依次配置有单元25、24、23和22。单元22、23、24和25都具备感光体1(本实施方式的电子照相感光体)、带电装置27、曝光装置28和显影装置29。
感光体1被支撑为可沿图6中的箭头方向(顺时针方向)以规定的圆周速度(处理速度)进行旋转。例如，感光体1的旋转由未图示的控制部(更具体地来说，计算机等)进行控制。通过使感光体1的处理速度为120mm/秒以上，从而实现高速地进行图像形成，并提高图像形成效率。在处理速度快的高速处理中，由于氧化气体(例如，臭氧或者NOx)的产生，往往容易引起感光体的劣化。然而，本实施方式的电子照相感光体即使在反复带电的情况下，往往感光体的带电电位的稳定性也优异。因此，可以认为：通过在图像形成装置中应用本实施方式的电子照相感光体，即使在处理速度为120mm/秒以上的情况下，也能够抑制图像形成装置中的感光体1的劣化。不过，根据需要，也可以使处理速度小于120mm/秒。
带电装置27构成为：使感光体1的表面大致均匀地带正电。对于带电装置27，例如可优选使用：电晕带电装置、带电辊或者带电刷。为了抑制带电装置27产生的气体(例如，氧化气体)的量，对于带电装置27，优选使用接触方式的带电装置(更具体地来说，带电辊或者带电刷等)，更优选使用带电辊。例如，带电辊构成为：在与感光体1接触的状态下，根据感光体1的旋转而进行旋转。例如，对于带电辊，优选为具备如下部件的带电辊：被支撑为可旋转的芯棒、在芯棒上形成的树脂层、对芯棒施加电压的电压施加部。对于构成树脂层的树脂，例如可优选使用：硅酮树脂、聚氨基甲酸酯树脂、硅酮改性树脂。还有，在树脂层中也可以含有无机材料(例如，无机微粒)。不过，根据需要，也可以使用非接触方式的带电装置27。
为了抑制感光体1的磨耗，优选为带电装置27施加到感光体1的电压为直流电压。在带电装置27对感光体1施加直流电压的情况下，其电压值优选为1000V以上2000V以下，更优选为1200V以上1800V以下，进一步优选为1400V以上1600V以下。不过，根据需要，也可以使带电装置27施加到感光体1的电压为交流电压，或者在直流电压上重叠了交流电压的重叠电压。
曝光装置28构成为：通过对带电了的感光体1的表面进行曝光，从而在感光体1的表面形成静电潜像。能够使用激光扫描单元作为曝光装置28。
定影部10具备加热辊34和加压辊35。定影部10构成为：使已转印到纸张P上的调色剂像进行定影。
调色剂像已定影的纸张P排出到排纸部11上。排纸部11具有接收纸张P的出纸托盘37。例如，通过使壳体7的顶部凹陷，从而形成出纸托盘37。
也可以使本实施方式的电子照相感光体进行单元化。具体来说，也可以使从带电部、曝光部、显影部、转印部、清洁部和除电部构成的组中选择的至少一个部件与电子照相感光体一起进行单元化。以下，将单元化了的电子照相感光体记载为处理盒。
为了提高图像形成装置的维护保养性，至少含有电子照相感光体的处理盒优选为相对于图像形成装置可拆卸。在感光体已劣化的情况下，通过处理盒的更换，能够容易且迅速地实现感光体等的更换。
根据上述说明的图像形成装置，使用本实施方式的电子照相感光体，能够稳定地形成高画质的图像。
【实施例】
以下，对本发明的实施例进行说明。表1中，表示实施例或者比较例所涉及的感光体A-1～A-8、B-1～B-6、C-1～C-2、D-1～D-2、E-1～E-6、F-1～F-2、G-1～G-3、H-1～H-6和I-1～I-2(都是电子照相感光体)。
【表1】
表1中，“CGM”表示电荷产生剂，“H2Pc”表示式(H2Pc)所示的无金属酞菁，“TiOPc”表示式(TiOPc)所示的氧钛酞菁，“x-”、“y-”表示酞菁的晶体形态(X型、Y型)。“y-TiOPc(A)”表示Y型氧钛酞菁(A)，“y-TiOPc(C)”表示Y型氧钛酞菁(C)。
还有，表1中，“ETM”表示电子输送剂。ETM和添加剂各自的“量”表示相对于粘结树脂100质量份的电子输送剂或者添加剂的量(质量份)。ETM和添加剂各自的“种类”表示上述的式。例如，“1-1”表示式(1-1)所示的化合物。
还有，表1中，“HTM”表示空穴输送剂。“HTM-A”、“HTM-B”、“HTM-C”、“HTM-D”分别表示下述式(HTM-A)、式(HTM-B)、式(HTM-C)、式(HTM-D)所示的化合物。
【化26】
关于上述式(HTM-A)，所述的式(HTM-3)中的Q31～Q38、n、m和l如下。
(HTM-A)
Q31：氢原子，n：0，Q33：碳原子数2的烷基(乙基)，Q34～Q36：氢原子，Q37：碳原子数1的烷基(甲基)，m和l：0
【化27】
关于上述式(HTM-B)，所述的式(HTM-4)中的Q411～Q415、Q421～Q425和Q431～Q434如下。
(HTM-B)
Q411：碳原子数2的烷基(乙基)，Q412～Q414：氢原子，Q415：碳原子数1的烷基(甲基)，Q421～Q425：氢原子，Q431～Q434：氢原子
【化28】
关于上述式(HTM-C)，所述的式(HTM-2)中的Q22～Q27、a和b如下。
(HTM-C)
Q23和Q24：氢原子，Q25：碳原子数4的直链烷基(正丁基)，Q26和Q27：氢原子，n：0，a和b：2
【化29】
关于上述式(HTM-D)，所述的式(HTM-1)中的Q11～Q15、n和m如下。
(HTM-D)
Q11～Q15：碳原子数1的烷基(甲基)，n和m：0
[感光体的制备]
将粘结树脂100质量份、电荷产生剂(表1中的“CGM”)3质量份、空穴输送剂(表1中的“HTM”)60质量份、表1所示的量的电子输送剂(表1中的“ETM”)和四氢呋喃800质量份加入到球磨机的容器中。例如，在感光体A-1的制备中，加入粘结树脂100质量份、电荷产生剂(x-H2Pc)3质量份、式(HTM-A)表示的化合物60质量份、式(1-1)表示的化合物50质量份、式(3-1)表示的化合物30质量份和四氢呋喃800质量份。还有，在感光体H-1的制备中，加入粘结树脂100质量份、电荷产生剂(x-H2Pc)3质量份、式(HTM-A)表示的化合物60质量份、式(1-2)表示的化合物65质量份和四氢呋喃800质量份。还有，感光体I-1的制备中，加入粘结树脂100质量份、电荷产生剂(x-H2Pc)3质量份、式(HTM-A)表示的化合物60质量份、式(1-5)表示的化合物30质量份、式(2-7)表示的化合物30质量份、式(4-1)表示的化合物30质量份和四氢呋喃800质量份。还有，在感光体E-1～E-6的制备中，分别将添加剂也加入到容器中(参照表1)。例如，在感光体E-1的制备中，将作为添加剂的式(6-3)表示的化合物10质量份加入到容器中。使用具有下述式(Resin-A)表示的重复单元的聚碳酸酯树脂(粘均分子量30000)作为粘结树脂。
【化30】
关于上述式(Resin-A)，所述的式(Resin-1)中的Q51和Q52如下。
(Resin-A)
Q51和Q52：氢原子
接着，使用球磨机将容器内含物混合50小时，使材料分散到四氢呋喃中。其结果，得到感光层用涂布液。
接着，将所得涂布液通过浸涂法涂布在导电性基体上。使用铝制的鼓状支撑体(直径30mm、全长238.5mm)作为导电性基体。
接着，将涂布了的涂布液(涂膜)以100℃进行60分钟的加热，从涂膜中去除四氢呋喃。其结果，得到电子照相感光体，该电子照相感光体具备导电性基体、在导电性基体上直接设置的厚度25μm的单层型感光层。
[评价方法]
各样品(感光体A-1～A-8、B-1～B-6、C-1～C-2、D-1～D-2、E-1～E-6、F-1～F-2、G-1～G-3、H-1～H-6和I-1～I-2)的评价方法如下所示。
(耐臭氧性)
根据下述方法，使样品(感光体)暴露在臭氧中，基于暴露前后的样品表面电位变化(ΔV1)，对感光体的耐臭氧性进行评价。使用鼓感光度试验机(GENTEC株式会社制造)作为评价装置。
在对感光体的耐臭氧性进行评价的情况下，首先，进行如下初始带电试验：将样品(感光体)设置在上述评价装置中，使用评价装置，在常温常湿(温度23℃、湿度50％RH)环境、电流8μA(转速31rpm)的条件下，使样品旋转4周而带电。还有，在初始带电试验中，对样品的表面电位进行测量。并且，将测量得到的4周的平均表面电位记为初期电位V11[V]。
接下来，将进行了初始带电试验的样品(感光体)在臭氧浓度10ppm且常温常湿(温度23℃、湿度50％RH)的暗室中静置6小时，进行臭氧暴露试验。然后，臭氧暴露试验结束后立即对样品的表面电位进行测量，将测量得到的表面电位记为暴露后电位V12[V]。暴露后电位V12是在与初期电位V11同样的条件下测量的。
接着，根据下述式，基于所得初期电位V11和暴露后电位V12，计算电位差ΔV1[V]。
(式)ΔV1＝V11-V12
按照下述基准(从耐臭氧性较优异的开始，A、B、C、D)，评价样品(感光体)的耐臭氧性。
A：ΔV1小于30V。
B：ΔV1为30V以上且小于40V。
C：ΔV1为40V以上且小于50V。
D：ΔV1为50V以上。
(重复特性)
按照下述方法，对样品(感光体)交替地反复进行带电和曝光的耐久性试验，基于耐久性试验前后的样品表面电位变化(ΔV2)，对感光体的重复特性进行评价。使用鼓感光度试验机(GENTEC株式会社制造)作为评价装置。
在对感光体的重复特性进行评价的情况下，首先，将样品(感光体)设置在上述评价装置中，使用评价装置，在常温常湿(温度23℃、湿度50％RH)环境、转速100rpm(处理速度157mm/秒)的条件下，使样品带电至表面电位为+700V。
接下来，使用带通滤波器，从卤素灯的光中取出单色光(波长：780nm、半宽度：20nm)，将取出的单色光照射(曝光)到上述那样带电了的样品(感光体)表面上。对光量进行设定，使曝光开始后的第一圈的表面电位为180V。然后，进行同样的带电和曝光，一圈带电和一圈曝光地交替进行，进行1000组的重复耐久性试验。对耐久性试验中的样品(感光体)的表面电位进行测量，将第10组的带电时的平均表面电位(若干个测量点的平均)作为初期电位V21[V]，将第1000组的带电时的平均表面电位(若干个测量点的平均)作为耐久性试验后电位V22[V]。在曝光后不进行感光体的除电。
接着，按照下述式，基于所得初期电位V21和耐久性试验后电位V22，计算电位差ΔV2[V]。
(式)ΔV2＝V21-V22
按照下述基准(从重复特性较优异的开始，A、B、C、D)，评价样品(感光体)的重复特性。
A：ΔV2小于30V。
B：ΔV2为30V以上且小于40V。
C：ΔV2为40V以上且小于50V。
D：ΔV2为50V以上。
[评价结果]
感光体A-1～A-8、B-1～B-6、C-1～C-2、D-1～D-2、E-1～E-6、F-1～F-2、G-1～G-3、H-1～H-6和I-1～I-2的各评价结果表示在表2中。
【表2】
感光体A-1～A-8、B-1～B-6、C-1～C-2、D-1～D-2、E-1～E-6、F-1～F-2、G-1～G-3和I-1～I-2(实施例1～31所涉及的感光体)的每一个中，感光层含有作为电荷产生剂的酞菁或者其衍生物。还有，感光层至少含有作为电子输送剂的化合物(ETM1)和化合物(ETM2)各一种，其中，化合物(ETM1)是式(1)或(2)表示的化合物，化合物(ETM2)是式(3)、式(4)或式(5)表示的化合物。相对于粘结树脂100质量份，ETM1和ETM2的总量是60质量份以上120质量份以下，ETM1的量是35质量份以上80质量份以下，ETM2的量是25质量份以上40质量份以下。实施例1～31所涉及的每个感光体的耐臭氧性和重复特性均优异。

Claims (6)

1.一种电子照相感光体，具备：导电性基体、在所述导电性基体上直接或者间接地设置的感光层，
所述感光层是至少含有电荷产生剂、电子输送剂、空穴输送剂和粘结树脂的单层型感光层，
所述感光层含有作为所述电荷产生剂的酞菁或者其衍生物，还含有第一化合物和第二化合物来作为所述电子输送剂，所述第一化合物是下述式(1-7)、式(2-1)、式(2-5)、式(2-7)、式(2-10)、式(2-16)或式(2-26)表示的化合物，所述第二化合物是下述式(3-1)表示的化合物，
相对于所述粘结树脂100质量份，所述第一化合物和所述第二化合物的总量是60质量份以上120质量份以下，所述第一化合物的量是35质量份以上80质量份以下，所述第二化合物的量是25质量份以上40质量份以下，
【化1】
2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，
其特征在于，所述感光层含有作为所述电荷产生剂的氧钛酞菁。
3.根据权利要求1或者2所述的电子照相感光体，其特征在于，
所述感光层至少含有一种下述式(6)或者(7)表示的第三化合物，
【化4】
式(6)中，
R61、R62、R63、R64、R65、R66、R67、R68、R69和R60各自独立，表示从氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、任意取代的碳原子数1以上12以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上12以下的烷氧基、任意取代的碳原子数6以上30以下的芳基、任意取代的碳原子数7以上30以下的芳烷基、任意取代的碳原子数3以上12以下的环烷基和任意取代的杂环基构成的组中选择的基，
R6表示任意取代的碳原子数1以上12以下的亚烷基，n表示0或者1，
【化5】
式(7)中，
R71、R72和R73各自独立，表示从卤素原子、任意取代的碳原子数1以上12以下的烷基、任意取代的碳原子数1以上12以下的烷氧基、任意取代的碳原子数6以上30以下的芳基和任意取代的碳原子数6以上30以下的芳氧基构成的组中选择的基，n、m和l各自独立，表示0以上5以下的整数，
以上所述的任意取代都是指取代基的数量为0，或者1以上。
4.根据权利要求3所述的电子照相感光体，其特征在于，
相对于所述粘结树脂100质量份，所述第三化合物的量是0.1质量份以上40质量份以下。
5.一种电子照相感光体的制造方法，
制造权利要求1～4中任意一项所述的电子照相感光体，
包含感光层形成工序，所述感光层形成工序为：将至少含有所述电荷产生剂、所述电子输送剂、所述空穴输送剂、所述粘结树脂和溶剂的涂布液涂布在所述导电性基体上，使所述涂布的涂布液中所含的溶剂干燥，从而形成所述感光层，
所述溶剂至少含有四氢呋喃或甲苯。
6.一种图像形成装置，具备像承载体、带电部、曝光部、显影部和转印部，
所述像承载体具备权利要求1～4中任意一项所述的电子照相感光体，
所述像承载体的处理速度是120mm/秒以上，
所述带电部构成为以免除电的方式反复使所述像承载体带电。
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