JP6642728B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。

電子写真感光体は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる。電子写真感光体としては、例えば、積層型電子写真感光体又は単層型電子写真感光体が用いられる。積層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能を有する電荷発生層と、電荷輸送の機能を有する電荷輸送層とを備える。単層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能と電荷輸送の機能とを有する単層の感光層を備える。

近年、画像形成装置の小型化及び高速化を図るために、除電レス方式を採用する画像形成装置が検討されている。特許文献１に記載の画像形成装置は、除電レス方式を採用する。この画像形成装置は、電子写真感光体を備える。電子写真感光体は、導電性基体上に、特定構造のトリスチリルトリフェニルアミン化合物を含有する感光層を備える。

特開２０１１−６４９６３号公報

しかし、除電レス方式を採用する画像形成装置は除電部を備えないために、電子写真感光体の表面電位が不均一になり易く、形成画像に画像不良が発生することがある。特許文献１に記載の画像形成装置では、露光メモリーに起因する画像ゴーストの発生の抑制が十分ではなかった。

本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制可能な電子写真感光体を提供することである。また、本発明の目的は、このような電子写真感光体を備えることで、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制可能なプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することである。

本発明の電子写真感光体は、導電性基体と単層の感光層とを備える。前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、２種以上の電子輸送剤とを含有する。２種以上の前記電子輸送剤の合計質量は、前記正孔輸送剤の質量よりも多い。電流値を−５μＡに設定したコロトロン帯電器を用いて帯電させたときの前記電子写真感光体の帯電電位が、−５５０Ｖ以上０Ｖ未満である。前記電子写真感光体を３周回転させながら各周において正帯電、露光及び転写を行い、各周における帯電電位が同一の正の値であり、露光量が同一であり、転写電流値が同一であるときに、第１周目における露光後かつ転写前の前記電子写真感光体の露光領域の表面電位Ｖｐ_LAと、第３周目における露光後かつ転写前の前記電子写真感光体の前記露光領域の表面電位Ｖｐ_LCとの差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCが、０Ｖ以上である。

本発明のプロセスカートリッジは、上述の電子写真感光体を備える。

本発明の画像形成装置は、上述の電子写真感光体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。前記帯電部は、前記電子写真感光体の表面を正極性に帯電する。前記露光部は、帯電された前記電子写真感光体の前記表面を露光して、前記電子写真感光体の前記表面に静電潜像を形成する。前記現像部は、前記静電潜像をトナー像として現像する。前記転写部は、前記電子写真感光体から被転写体へ前記トナー像を転写する。

本発明の電子写真感光体は、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することができる。また、本発明のプロセスカートリッジ及び画像形成装置は、このような電子写真感光体を備えることで、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することができる。

本発明の実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。 本発明の実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。 本発明の実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。 コロトロン帯電器の電流値と、電子写真感光体の帯電電位との関係を示すグラフ図である。 第１測定装置の構成を示す図である。 第２測定装置の構成を示す図である。 電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCの測定方法を示すフローチャートである。 画像形成装置の構成の一例を示す図であり、この画像形成装置は本発明の実施形態に係る電子写真感光体を備える。 画像形成装置の構成の別の例を示す図であり、この画像形成装置は本発明の実施形態に係る電子写真感光体を備える。 化学式（１−１）で表される化合物の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルであり、この化合物は本発明の実施形態に係る電子写真感光体に含有される。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨は限定されない。

以下、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。また、化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。

以下、ハロゲン原子、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数２以上５以下のアルキル基、炭素原子数２以上３以下のアルキル基、炭素原子数４以上１０以下のアルキル基、炭素原子数４以上６以下のアルキル基、炭素原子数５以上７以下のアルキル基、炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、炭素原子数２以上４以下のアルケニル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数５以上７以下のシクロアルカン、炭素原子数１以上６以下のアルキレン基及び炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基は、何ら規定していなければ、それぞれ次の意味である。

ハロゲン原子（ハロゲン基）は、例えば、フッ素原子（フルオロ基）、塩素原子（クロロ基）、臭素原子（ブロモ基）又はヨウ素原子（ヨード基）である。

炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数２以上５以下のアルキル基、炭素原子数２以上３以下のアルキル基、炭素原子数４以上１０以下のアルキル基、炭素原子数４以上６以下のアルキル基及び炭素原子数５以上７以下のアルキル基は、それぞれ直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基又はデシル基が挙げられる。炭素原子数１以上６以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上６以下である基である。炭素原子数１以上５以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上５以下である基である。炭素原子数１以上４以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上４以下である基である。炭素原子数１以上３以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上３以下である基である。炭素原子数２以上５以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が２以上５以下である基である。炭素原子数２以上３以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が２以上３以下である基である。炭素原子数４以上１０以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が４以上１０以下である基である。炭素原子数４以上６以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が４以上６以下である基である。炭素原子数５以上７以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基の例として述べた基のうち、炭素原子数が５以上７以下である基である。

炭素原子数２以上６以下のアルケニル基は、直鎖状又は分岐鎖状で非置換である。炭素原子数２以上６以下のアルケニル基としては、例えば、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基又はヘキセニル基が挙げられる。

炭素原子数２以上４以下のアルケニル基は、直鎖状又は分岐鎖状で非置換である。炭素原子数２以上４以下のアルケニル基としては、例えば、エテニル基、プロペニル基又はブテニル基が挙げられる。

炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基及び炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基は、それぞれ直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、イソペントキシ基、ネオペントキシ基又はヘキシル基が挙げられる。炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基の例は、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基の例として述べた基のうち、炭素原子数が１以上３以下である基である。

炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、例えば、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族単環炭化水素基、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合二環炭化水素基又は素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合三環炭化水素基である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基又はフェナントリル基が挙げられる。

炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基は、非置換である。炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基又はシクロデシル基が挙げられる。

炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンは、非置換である。炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンの例としては、シクロペンタン、シクロヘキサン又はシクロヘプタンが挙げられる。

炭素原子数１以上６以下のアルキレン基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルキレン基の例としては、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、１−メチルエチレン基、２−メチルエチレン基、ｎ−ブチレン基、１−メチルプロピレン基、２−メチルプロピレン基、３−メチルプロピレン基、１，１−ジメチルエチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、２，２−ジメチルエチレン基、エチルメチルメチレン基、ペンチレン基又はヘキシレン基が挙げられる。

炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基は、非置換である。炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基の例は、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデン基又はシクロへプチリデン基が挙げられる。

＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る電子写真感光体（以下、感光体と記載する）は、形成画像において露光メモリーに起因する画像ゴーストの発生を抑制することができる。露光メモリーは、露光の影響によって、感光体表面において、前の周の露光領域に対応する領域の帯電電位が、前の周の非露光領域に対応する領域の帯電電位よりも低下する現象である。この露光領域に対応する領域を十分に帯電することができないため、露光メモリーに起因する画像ゴーストは、形成画像において、感光体の前の周の露光領域に対応する領域の画像濃度が増加する画像不良（いわゆる、カブリや地汚れと呼ばれる画像不良）となる。

以下、図１Ａ〜図１Ｃを参照して、感光体１００の構造について説明する。図１Ａ〜図１Ｃは、本実施形態に係る感光体１００の一例を示す断面図である。

図１Ａに示すように、感光体１００は、導電性基体１０１と感光層１０２とを備える。感光層１０２は単層である。感光体１００は、単層の感光層１０２を備えるいわゆる単層型感光体である。

図１Ｂに示すように、感光体１００は、導電性基体１０１と、感光層１０２と、中間層１０３（下引き層）とを備えてもよい。中間層１０３は、導電性基体１０１と感光層１０２との間に設けられる。図１Ａに示すように、感光層１０２は導電性基体１０１上に直接設けられてもよいし、図１Ｂに示すように、感光層１０２は導電性基体１０１上に中間層１０３を介して間接的に設けられてもよい。

図１Ｃに示すように、感光体１００は、導電性基体１０１と、感光層１０２と、保護層１０４とを備えてもよい。保護層１０４は、感光層１０２上に設けられる。

感光層１０２の厚さは、感光層としての機能を十分に発現できる限り、特に限定されない。感光層１０２の厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

以上、図１Ａ〜図１Ｃを参照して、感光体１００の構造について説明した。以下、感光体について更に詳細に説明する。

＜導電性基体＞
導電性基体の一例としては、導電性を有する材料（以下、導電性材料と記載することがある）で構成される導電性基体が挙げられる。導電性基体の別の例としては、導電性材料で構成される被覆層を備える導電性基体が挙げられる。導電性材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、錫、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム又はインジウムが挙げられる。これらの導電性材料を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて（例えば、合金として）用いてもよい。合金としては、例えば、アルミニウム合金、ステンレス鋼又は真鍮が挙げられる。これら導電性材料のなかでも、感光層から導電性基体への電荷の移動が良好であることから、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。導電性基体の表面は、酸化被膜を有していてもよい。

導電性基体の形状は、画像形成装置の構造に合わせて適宜選択される。導電性基体の形状としては、例えば、シート状又はドラム状が挙げられる。また、導電性基体の厚さは、導電性基体の形状に応じて適宜選択される。

＜感光層＞
感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、２種以上の電子輸送剤とを含有する。感光層は、バインダー樹脂を更に含有してもよい。感光層は、必要に応じて、添加剤を含有してもよい。電荷発生剤と、２種以上の電子輸送剤と、正孔輸送剤と、必要に応じて添加される成分（例えば、バインダー樹脂又は添加剤）とは、一層（単層）の感光層に含有される。

（比率Ｍ_ETM／Ｍ_HTM）
本実施形態に係る感光体の感光層においては、２種以上の電子輸送剤の合計質量が、正孔輸送剤の質量よりも多い。つまり、感光層に含有される正孔輸送剤の質量（Ｍ_HTM）に対する、２種以上の電子輸送剤の質量（Ｍ_ETM）の比率（Ｍ_ETM／Ｍ_HTM）が、１．００より大きい。電子輸送剤の合計質量が正孔輸送剤の質量よりも多いことで、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することができる。

感光体が電荷発生剤、電子輸送剤及び正孔輸送剤を含有する単層の感光層を備える場合、通常、正孔輸送剤の質量が電子輸送剤の質量よりも多い。理解を助けるために、その理由を説明する。画像形成において感光体を露光すると、感光層中の電荷発生剤から電子及び正孔が発生する。発生した電子は、電子輸送剤によって感光層の表面へ輸送される。発生した正孔は、正孔輸送剤によって導電性基体へ輸送される。露光した光の吸収率は、感光層の表面付近では高く、感光層の深部（導電性基体側）では低くなる。そのため、露光した光の吸収率が高い感光層の表面付近に存在する電荷発生剤から、多くの電子及び正孔が発生する傾向がある。感光層の表面付近に存在する電荷発生剤から電子及び正孔が発生した場合、感光層の表面付近から導電性基体までの正孔の移動距離は、感光層の表面付近から感光層の表面までの電子の移動距離よりも長い。そのため、通常、正孔の輸送効率を向上させる目的で正孔輸送剤を電子輸送剤よりも多く感光層に含有させる。しかし、本発明者らは鋭意検討し、電子輸送剤の合計質量を正孔輸送剤の質量よりも多くすることで、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制できることを見出した。

形成画像における画像ゴーストの発生を更に抑制するためには、正孔輸送剤の質量（Ｍ_HTM）に対する、２種以上の電子輸送剤の合計質量（Ｍ_ETM）の比率（Ｍ_ETM／Ｍ_HTM）が、１．００より大きく１．５０以下であることが好ましく、１．００より大きく１．２０以下であることがより好ましく、１．０５以上１．２０以下であることが更に好ましい。

（負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀）
本実施形態に係る感光体において、電流値Ｉｃを−５μＡに設定したコロトロン帯電器を用いて帯電させたときの感光体の帯電電位Ｖｎ₀（以下、負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀と記載することがある）は、−５５０Ｖ以上０Ｖ未満である。負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀が−５５０Ｖ以上０Ｖ未満であると、露光メモリーの発生を抑制することができ、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することができる。

以下、図２を参照して、コロトロン帯電器の電流値Ｉｃと、感光体の帯電電位との関係について説明する。図２は、コロトロン帯電器の電流値と、電子写真感光体の帯電電位との関係を示すグラフ図である。図２の横軸は、コロトロン帯電器の電流値Ｉｃ（単位：μＡ）を示す。図２の縦軸は、感光体の帯電電位Ｖｎ₀（単位：Ｖ）を示す。図２中の実線は、本実施形態に係る感光体（Ｐ−Ａ）を測定対象としたときのコロトロン帯電器の電流値Ｉｃと感光体（Ｐ−Ａ）の帯電電位Ｖｎ₀との関係を示す。図２中の破線は、参考例の感光体（Ｐ−Ｂ）を測定対象としたときのコロトロン帯電器の電流値Ｉｃと感光体（Ｐ−Ｂ）の帯電電位Ｖｎ₀との関係を示す。電流値Ｉｃを−５μＡに設定したコロトロン帯電器を用いて本実施形態の感光体（Ｐ−Ａ）を帯電させたとき、感光体（Ｐ−Ａ）の帯電電位Ｖｎ₀は−５５０Ｖ以上０Ｖ未満である。一方、電流値Ｉｃを−５μＡに設定したコロトロン帯電器を用いて参考例の感光体（Ｐ−Ｂ）を帯電させたとき、感光体（Ｐ−Ｂ）の帯電電位Ｖｎ₀は−５５０Ｖ未満である。以上、図２を参照して、コロトロン帯電器の電流値Ｉｃと、感光体の帯電電位Ｖｎ₀との関係について説明した。

単層の感光層を備える感光体は、通常、感光体の表面を正極性に帯電させて画像を形成する。そのため、単層の感光層を備える感光体においては、感光体の正帯電特性に着目される傾向がある。しかし、本発明者らは、鋭意検討し、負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀が、単層の感光層を備える感光体における露光メモリーの発生の抑制に寄与することを見出した。特に、電流値Ｉｃを−５μＡに設定したコロトロン帯電器を用いて帯電させたときの感光体の帯電電位Ｖｎ₀が、露光メモリーの発生の抑制に寄与することを、本発明者らは見出した。本実施形態の感光体において、感光体の負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀を−５５０Ｖ以上０Ｖ未満とすることで、露光メモリーの発生を抑制でき、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することができる。

本実施形態の感光体は、感光体の表面を正極性に帯電させて、画像を形成することが好ましい。負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀が−５５０Ｖ以上０Ｖ未満である本実施形態の感光体においては、画像形成時の帯電電位を正極性の値に設定することで、形成画像における画像ゴーストの発生を好適に抑制することができる。

形成画像における画像ゴーストの発生を抑制するためには、負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀は、−５５０Ｖ以上−４００Ｖ以下であることが好ましい。

負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀は、第１測定装置を用いて測定される。以下、図３を参照して、負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀の測定方法を説明する。図３は、第１測定装置２１０の構成を示す。第１測定装置２１０は、コロトロン帯電器２００と、帯電電位測定器２１２とを備える。第１測定装置２１０は、除電器２１４を更に備えていてもよい。

コロトロン帯電器２００は、感光体１００の表面を帯電する。コロトロン帯電器２００は、ワイヤー２０２と、ケーシング２０４と、電源２０６と、電流計２０８とを備える。

ワイヤー２０２に−５μＡの電流を流すことにより、コロトロン帯電器２００が感光体１００を帯電する。ワイヤー２０２に流れる電流は、直流電流である。ワイヤー２０２は、電流計２０８の一方端に接続される。

ケーシング２０４は、ワイヤー２０２を収容する。ケーシング２０４は、接地されている。

電源２０６は、ワイヤー２０２に電流を流す。電源２０６の一方端は、接地されている。電源２０６の他方端は、電流計２０８の他方端に接続されている。

電流計２０８は、電源２０６からワイヤー２０２に流れる電流値Ｉｃを測定する。コロトロン帯電器２００の電流値Ｉｃは、コロトロン帯電器２００が備える電源２０６からワイヤー２０２に流れる電流の値である。コロトロン帯電器２００の電流値Ｉｃは、−５μＡに設定される。

帯電電位測定器２１２は、帯電された感光体１００の表面電位を測定する。除電器２１４は、感光体１００の表面を除電する。

第１測定装置２１０内に、感光体１００を回転可能にセットすることができる。コロトロン帯電器２００と、帯電電位測定器２１２と、除電器２１４とは、感光体１００の周囲に配置される。コロトロン帯電器２００と、帯電電位測定器２１２と、除電器２１４とは、感光体１００の回転方向の上流側から記載された順に配置される。

負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀は、第１測定装置２１０を用いて下記工程（ａ）及び（ｂ）を行うことにより測定される。
（ａ）第１測定装置２１０のコロトロン帯電器２００が備えるワイヤー２０２に−５μＡの電流を流すことにより、感光体１００を帯電させる帯電工程、及び
（ｂ）帯電電位測定器２１２が感光体１００の帯電電位Ｖｎ₀を測定する帯電電位測定工程。

以上、図３を参照して、負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀の測定方法を説明した。負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀の測定方法は、実施例で詳細に説明する。

（正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LC）
感光体を３周回転させながら各周において正帯電、露光及び転写を行い、各周における帯電電位が同一の正の値であり、露光量が同一であり、転写電流値が同一であるときに、第１周目における露光後かつ転写前の感光体の露光領域の表面電位Ｖｐ_LAと、第３周目における露光後かつ転写前の感光体の露光領域の表面電位Ｖｐ_LCとの差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LC（以下、正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCと記載することがある）は、０Ｖ以上である。正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCが０Ｖ以上であると、露光メモリーの発生を抑制でき、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することができる。表面電位Ｖｐ_LA、表面電位Ｖｐ_LC及び電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCの単位は、何れも、Ｖ（ボルト）である。

なお、感光体を正帯電させた後に露光していることから、第１周目における露光後かつ転写前の感光体の露光領域の表面電位Ｖｐ_LA、及び第３周目における露光後かつ転写前の感光体の露光領域の表面電位Ｖｐ_LCは、それぞれ正の値となる。即ち、不等式「Ｖｐ_LA＞０」及び「Ｖｐ_LC＞０」を満たす。正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCが０Ｖ以上である場合、第１周目における露光後かつ転写前の感光体の露光領域の表面電位Ｖｐ_LAは、第３周目における露光後かつ転写前の感光体の露光領域の表面電位Ｖｐ_LCと等しい又は表面電位Ｖｐ_LCよりも大きくなる。即ち、不等式「Ｖｐ_LA≧Ｖｐ_LC」を満たす。

形成画像における画像ゴーストの発生を抑制するためには、正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCは、０Ｖ以上２０Ｖ以下であることが好ましく、０Ｖ以上１５Ｖ以下であることがより好ましい。

正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCは、第２測定装置を用いて測定される。以下、図４を参照して、第２測定装置３００について説明する。図４は、第２測定装置３００の構成の一例を示す。第２測定装置３００は、帯電ユニット３０２と、露光ユニット３０４と、電位測定ユニット３０６と、転写ユニット３０８とを備える。帯電ユニット３０２は、感光体１００の表面１００ａを帯電する。露光ユニット３０４は、感光体１００の表面１００ａを露光する。電位測定ユニット３０６は、露光された感光体１００の表面電位（例えば、表面電位Ｖｐ_L1、Ｖｐ_LA及びＶｐ_LC）を測定する。転写ユニット３０８に転写電流が流れることで、転写ユニット３０８は感光体１００に転写バイアスを印加する。転写ユニット３０８に流れる転写電流の転写電流値は、例えば、−２０μＡ以上−５μＡ以下である。

第２測定装置３００内に、感光体１００を回転可能にセットすることができる。帯電ユニット３０２と、露光ユニット３０４と、電位測定ユニット３０６と、転写ユニット３０８とは、感光体１００の周囲に配置される。帯電ユニット３０２と、露光ユニット３０４と、電位測定ユニット３０６と、転写ユニット３０８とは、感光体１００の回転方向の上流側から記載された順に配置される。

図５を更に参照して、正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCの測定方法を説明する。正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCは、感光体１００を３周回転させながら、第２測定装置３００を用いて下記工程（Ａ）〜（Ｍ）を行うことにより測定される。
工程（Ａ）＋７５０Ｖに帯電した感光体１００の表面を露光したときに感光体１００の露光領域の表面電位Ｖｐ_L1が＋１５０Ｖになるように、露光ユニット３０４の露光量を設定する露光量設定工程（ステップＳ４０２）、
工程（Ｂ）感光体１００の第１周目において、帯電ユニット３０２が感光体１００の表面を＋７５０Ｖに帯電する第１正帯電工程（ステップＳ４０４）、
工程（Ｃ）第１周目において、露光量設定工程で設定された露光量を有する光を、露光ユニット３０４が感光体１００の表面に露光する第１露光工程（ステップＳ４０６）、
工程（Ｄ）第１周目において、電位測定ユニット３０６が感光体１００の露光領域の表面電位Ｖｐ_LAを測定する第１電位測定工程（ステップＳ４０８）、
工程（Ｅ）第１周目において、転写電流を転写ユニット３０８に流すことにより、転写ユニット３０８が感光体１００に転写バイアスを印加する第１転写工程（ステップＳ４１０）、（Ｆ）感光体１００の第２周目において、帯電ユニット３０２が感光体１００の表面を＋７５０Ｖに帯電する第２正帯電工程（ステップＳ４１２）、
工程（Ｇ）第２周目において、露光量設定工程で設定された露光量を有する光を、露光ユニット３０４が感光体１００の表面に露光する第２露光工程（ステップＳ４１４）、
工程（Ｈ）第２周目において、第１転写工程と同じ値の転写電流を転写ユニット３０８に流すことにより、転写ユニット３０８が感光体１００に転写バイアスを印加する第２転写工程（ステップＳ４１６）、
工程（Ｉ）感光体１００の第３周目において、帯電ユニット３０２が感光体１００の表面を＋７５０Ｖに帯電する第３正帯電工程（ステップＳ４１８）、
工程（Ｊ）第３周目において、露光量設定工程で設定された露光量を有する光を、露光ユニット３０４が感光体１００の表面に露光する第３露光工程（ステップＳ４２０）、
工程（Ｋ）第３周目において、電位測定ユニット３０６が感光体１００の露光領域の表面電位Ｖｐ_LCを測定する第３電位測定工程（ステップＳ４２２）、
工程（Ｌ）第３周目において、第１転写工程と同じ値の転写電流を転写ユニット３０８に流すことにより、転写ユニット３０８が感光体１００に転写バイアスを印加する第３転写工程（ステップＳ４２４）、及び
工程（Ｍ）第１周目における感光体１００の露光領域の表面電位Ｖｐ_LA及び第３周目における感光体１００の露光領域の表面電位Ｖｐ_LCから、電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCを算出する算出工程（ステップＳ４２６）。

以上、図４及び図５を参照して、正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCの測定方法を説明した。正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCの測定方法は、実施例で詳細に説明する。

（電子輸送剤）
感光層は、２種以上の電子輸送剤を含有する。感光層は、例えば、２種の電子輸送剤を含有することができる。電子輸送剤の例としては、キノン化合物、ジイミド化合物、ヒドラゾン化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸又はジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。キノン系化合物としては、例えば、ジフェノキノン系化合物、アゾキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、ニトロアントラキノン系化合物又はジニトロアントラキノン系化合物が挙げられる。

電子輸送剤の好適な例は、下記一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）又は（７）で表される化合物である。以下、一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）及び（７）で表される化合物を、それぞれ化合物（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）及び（７）と記載することがある。

以下、化合物（１）について説明する。化合物（１）は、一般式（１）で表されるキノン誘導体である。

一般式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの少なくとも１つは、炭素原子数４以上１０以下のアルキル基又は炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表す。炭素原子数２以上５以下のアルキル基は、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基を表す。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表してもよい。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの少なくとも１つは、炭素原子数４以上１０以下のアルキル基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表す。炭素原子数２以上５以下のアルキル基は、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基を表す。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表してもよい。

一般式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶で表わされる炭素原子数４以上１０以下のアルキル基は、炭素原子数４以上６以下のアルキル基が好ましく、ｎ−ブチル基、イソヘキシル又はｎ−ヘキシル基がより好ましい。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表してもよい。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表してもよい。このような環としては、例えば、シクロアルキリデン基又は環状炭化水素基が挙げられる。シクロアルキリデン基としては、例えば、炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基（より具体的には、シクロヘキシリデン基等）が挙げられる。環状炭化水素基としては、例えば、アダマンチル基が挙げられる。

一般式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶で表わされる炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上５以下のアルキル基としては、フェニル基を有する炭素原子数２以上５以下のアルキル基が好ましく、フェニルエチル基がより好ましい。

一般式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶で表わされる炭素原子数１以上３以下のアルキル基としては、メチル基が好ましい。

一般式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶で表わされる炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、フェニル基が好ましい。

形成画像における画像ゴーストの発生を抑制するためには、一般式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶が次のとおりである化合物が好ましい。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの少なくとも１つは、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表す。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表す。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの少なくとも１つは、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表す。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表す。

形成画像における画像ゴーストの発生を抑制するためには、一般式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶が次のとおりである化合物がより好ましい。一般式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの１つは、フェニル基を有する炭素原子数２以上３以下のアルキル基を表す。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの残りはメチル基を表す。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表さない。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの１つは、フェニル基を有する炭素原子数２以上３以下のアルキル基を表す。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの残りは、メチル基を表す。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表さない。

別の好適な態様において、一般式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は次の通りである。一般式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの少なくとも１つは、炭素原子数４以上６以下のアルキル基又はフェニル基を有する炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表す。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表す。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの少なくとも１つは、炭素原子数４以上６以下のアルキル基又はフェニル基を有する炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表す。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表す。

別の好適な態様において、一般式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は次の通りである。一般式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの１つ又は２つは、フェニル基を有する炭素原子数２以上３以下のアルキル基又は炭素原子数５以上７以下のアルキル基を表す。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの残りはメチル基を表す。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表さない。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの１つ又は２つは、フェニル基を有する炭素原子数２以上３以下のアルキル基又は炭素原子数５以上７以下のアルキル基を表す。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの残りは、メチル基を表す。Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表さない。

一般式（１）中、Ｒ¹及びＲ⁴は同じ基を表し、Ｒ²及びＲ⁵は同じ基を表し、Ｒ³及びＲ⁶は同じ基を表すことが好ましい。

化合物（１）の好適な例としては、化学式（１−１）〜（１−７）で表される化合物（以下、化合物（１−１）〜（１−７）と記載することがある）が挙げられる。形成画像における画像ゴーストの発生を抑制するためには、化合物（１）としては化合物（１−１）がより好ましい。

化合物（１）は、例えば、反応式（Ｒ−１）〜（Ｒ−３）で表す反応（以下、（Ｒ−１）〜（Ｒ−３）と記載することがある）に従って又はこれに準ずる方法によって製造される。

反応（Ｒ−１）において、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ一般式（１）中のＲ¹、Ｒ²及びＲ³と同義である。

反応（Ｒ−１）では、化学式（Ａ）で表される化合物（１−ナフトール）１当量と、一般式（Ｂ）で表される化合物（アルコール化合物）（以下、アルコール化合物（Ｂ）と記載することがある）１当量とを、溶媒中濃硫酸の存在下で反応させて、中間体である一般式（Ｃ）で表される化合物（以下、ナフトール誘導体（Ｃ）と記載することがある）１当量を得る。反応（Ｒ−１）では、１モルの１−ナフトールに対して、１モル以上２．５モル以下のアルコール化合物（Ｂ）を添加することが好ましい。１モルの１−ナフトールに対して１モル以上のアルコール化合物（Ｂ）を添加すると、ナフトール誘導体（Ｃ）の収率を向上させ易い。一方、１モルの１−ナフトールに対して２．５モル以下のアルコール化合物（Ｂ）を添加すると、反応（Ｒ−１）後に未反応のアルコール化合物（Ｂ）が残留し難く、化合物（１）の精製が容易となる。反応（Ｒ−１）の反応温度は室温（例えば、２５℃）であることが好ましい。反応（Ｒ−１）の反応時間は１時間以上１０時間以下であることが好ましい。反応（Ｒ−１）は、溶媒中で行うことができる。溶媒としては、例えば、有機酸水溶液（より具体的には、酢酸等）が挙げられる。

より具体的には、反応（Ｒ−１）では、１−ナフトールとアルコール化合物（Ｂ）とを反応させる。反応後、反応液にイオン交換水を加え、有機層に抽出する。有機層に含まれる有機溶媒としては、例えば、クロロホルム又は酢酸エチルが挙げられる。有機層にアルカリ水溶液で加え、有機層を洗浄し中和する。アルカリとしては、例えば、アルカリ金属の水酸化物（より具体的には、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等）又はアルカリ土類金属の水酸化物（より具体的には、水酸化カルシウム等）が挙げられる。

反応（Ｒ−２）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ一般式（１）中のＲ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶と同義である。

反応（Ｒ−２）では、化学式（Ａ）で表される化合物（１−ナフトール）１当量と、一般式（Ｄ）で表される化合物（アルコール化合物）（以下、アルコール化合物（Ｄ）と記載することがある）１当量とを、溶媒中濃硫酸の存在下で反応させて、中間体である一般式（Ｅ）で表される化合物（以下、ナフトール誘導体（Ｅ）と記載することがある）１当量を得る。反応（Ｒ−２）は、アルコール化合物（Ｂ）をアルコール化合物（Ｄ）に変更した以外は、反応（Ｒ−１）と同じ反応である。

反応（Ｒ−３）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ一般式（１）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶と同義である。

反応（Ｒ−３）では、１当量のナフトール誘導体（Ｃ）及び１当量のナフトール誘導体（Ｅ）を酸化剤の存在下で反応して、１当量の化合物（１）を得る。反応（Ｒ−３）では、１モルのナフトール誘導体（Ｃ）及び１モルのナフトール誘導体（Ｅ）に対して、１モルの酸化剤を添加することが好ましい。酸化剤としては、例えば、クロラニル、過マンガン酸カリウム又は酸化銀が挙げられる。反応（Ｒ−３）の反応温度は室温（例えば、２５℃）であることが好ましい。反応（Ｒ−３）の反応時間は１時間以上１０時間以下であることが好ましい。溶媒としては、例えば、クロロホルム、ジクロロメタンが挙げられる。

化合物（１）の製造では、必要に応じて他の工程を含んでもよい。他の工程としては、例えば、精製工程が挙げられる。精製方法としては、例えば、公知の方法（より具体的には、ろ過、クロマトグラフィー又は晶析等）が挙げられる。

次に、化合物（２）〜（７）について説明する。

一般式（２）及び（４）〜（７）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有してもよい。一般式（３）中、Ｒ³¹及びＲ³²は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。一般式（４）中、Ｗは、−ＣＯ−Ｏ−又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ₂−を表す。

一般式（２）及び（４）〜（７）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³が表わすハロゲン原子としては、塩素原子（クロロ基）が好ましい。

一般式（２）〜（７）中のＲ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³が表わす炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上５以下のアルキル基が好ましく、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又は１，１−ジメチルプロピル基がより好ましい。

一般式（２）及び（４）〜（７）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³が表わす炭素原子数２以上６以下のアルケニル基としては、例えば、炭素原子数２以上４以下のアルケニル基が挙げられる。

一般式（２）及び（４）〜（７）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³が表わす炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基としては、例えば、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基が挙げられる。

一般式（２）及び（４）〜（７）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²及びＲ⁷³が表わす炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、フェニル基が好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ（好ましくは１つ又は２つ）有してもよい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基が有する炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、２−エチル−６−メチルフェニル基が好ましい。

一般式（２）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表すことが更に好ましい。

一般式（３）中、Ｒ³¹及びＲ³²は、それぞれ炭素原子数１以上５以下のアルキル基を表すことが好ましく、１，１−ジメチルプロピル基を表すことがより好ましい。

一般式（４）中、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²及びＲ⁴³は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましい。Ｒ⁴¹及びＲ⁴²は、それぞれ炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましく、フェニル基を表すことがより好ましい。Ｒ⁴³は、水素原子を表すことが好ましい。Ｗは、−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ₂−を表すことが好ましい。一般式（４）中、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²及びＲ⁴³は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、Ｗは、−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ₂−を表すことが好ましい。

一般式（５）中、Ｒ⁵¹及びＲ⁵²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を１つ又は２つ有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましく、２−エチル−６−メチルフェニル基を表すことがより好ましい。

一般式（６）中、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³及びＲ⁶⁴は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表すことが更に好ましい。

一般式（７）中、Ｒ⁷¹及びＲ⁷²は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、イソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表すことがより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基を表すことが特に好ましい。一般式（７）中のＲ⁷³は、ハロゲン原子を表すことが好ましく、塩素原子（クロロ基）を表すことがより好ましい。一般式（７）中、Ｒ⁷¹及びＲ⁷²は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ⁷³は、ハロゲン原子を表すことが好ましい。

化合物（２）の好適な例は、化学式（２−１）で表される化合物である。化合物（３）の好適な例は、化学式（３−１）で表される化合物である。化合物（４）の好適な例は、化学式（４−１）で表される化合物である。化合物（５）の好適な例は、化学式（５−１）で表される化合物である。化合物（６）の好適な例は、化学式（６−１）で表される化合物である。化合物（７）の好適な例は、化学式（７−１）で表される化合物である。化学式（２−１）、（３−１）、（４−１）、（５−１）、（６−１）及び（７−１）で表される化合物のそれぞれを、化合物（２−１）、（３−１）、（４−１）、（５−１）、（６−１）及び（７−１）と記載することがある。

電子輸送剤は、２種以上である。２種以上の電子輸送剤は、第１電子輸送剤と第２電子輸送剤とを少なくとも含むことが好ましい。感光層が２種以上の電子輸送剤を含むことで、感光層を形成するための溶剤に対する電子輸送剤の溶解性を向上させることができる。これにより、感光層を形成するための溶剤に多くの電子輸送剤を溶解させることができ、感光層中の電子輸送剤の質量を多くすることができる。その結果、露光メモリーの発生を抑制することができ、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することができる。２種以上の電子輸送剤は、例えば、２種の電子輸送剤であり得る。感光層に２種の電子輸送剤が含有される場合、２種の電子輸送剤は、第１電子輸送剤と第２電子輸送剤とを含む。

電子輸送剤は、化合物（１）〜（７）のうちの２種以上であることが好ましい。負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀及び正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCを所望の値に調整し、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制するためには、第１電子輸送剤が化合物（１）であり、第２電子輸送剤が化合物（２）、（３）、（４）、（５）、（６）又は（７）であることが好ましい。同じ理由から、第１電子輸送剤が化合物（１）であり、第２電子輸送剤が化合物（２）であることがより好ましい。

負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀及び正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCを所望の値に調整し、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制するためには、第１電子輸送剤が化合物（１−１）であり、第２電子輸送剤が化合物（２−１）、（３−１）、（４−１）、（５−１）、（６−１）又は（７−１）であることが好ましい。同じ理由から、第１電子輸送剤が化合物（１−１）であり、第２電子輸送剤が化合物（２−１）であることがより好ましい。

１種の電子輸送剤の含有量は、感光層に含有されるバインダー樹脂１００質量部に対して、２０質量部以上３０質量部以下であることが好ましい。電子輸送剤が２種以上含有される場合、２種以上の電子輸送剤の合計含有量は、感光層に含有されるバインダー樹脂１００質量部に対して、５０質量部以上７５質量部以下であることが好ましく、５０質量部以上６０質量部以下であることがより好ましい。

感光層の質量（Ｍ_L）に対する電子輸送剤の質量（Ｍ_ETM）の比率（Ｍ_ETM／Ｍ_L）は、０．２５以上０．２８以下であることが好ましい。比率（Ｍ_ETM／Ｍ_L）が０．２５以上０．２８以下であると、形成画像における画像ゴーストの発生をより抑制することができる。

（正孔輸送剤）
感光層は、例えば正孔輸送剤を含有する。正孔輸送剤としては、例えば、トリフェニルアミン誘導体、ジアミン誘導体（より具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン誘導体又はジ（アミノフェニルエテニル）ベンゼン誘導体等）、オキサジアゾール系化合物（より具体的には、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等）、スチリル系化合物（より具体的には、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等）、カルバゾール系化合物（より具体的には、ポリビニルカルバゾール等）、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン系化合物（より具体的には、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等）、ヒドラゾン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物又はトリアゾール系化合物が挙げられる。正孔輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

正孔輸送剤の好適な例は、下記一般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）又は（１５）で表される化合物である。以下、一般式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）及び（１５）で表される化合物のそれぞれを、化合物（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）及び（１５）と記載することがある。

以下、化合物（１０）について説明する。

一般式（１０）中、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²、Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁴及びＲ¹⁰⁵は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよい。ｂ₁、ｂ₂及びｂ₃は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。

一般式（１０）中、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²及びＲ¹⁰³は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが更に好ましい。Ｒ¹⁰⁴及びＲ¹⁰⁵は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を有してもよいフェニル基を表すことがより好ましく、メチルフェニル基又はフェニル基を表すことが更に好ましく、ｐ−メチルフェニル基又はフェニル基を表すことが特に好ましい。

一般式（１０）中、ｂ₁、ｂ₂及びｂ₃は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｂ₁が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹⁰¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｂ₂が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹⁰²は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｂ₃が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹⁰³は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｂ₁、ｂ₂及びｂ₃は、各々、０又は１を表すことが好ましい。

Ｒ¹⁰¹〜Ｒ¹⁰³の結合位置は特に限定されない。Ｒ¹⁰¹〜Ｒ¹⁰³は、それぞれフェニル基のオルト位、メタ位及びパラ位の何れに結合（位置）してもよい。Ｒ¹⁰¹〜Ｒ¹⁰³は、それぞれフェニル基のパラ位に結合することが好ましい。

一般式（１０）中、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²及びＲ¹⁰³は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ¹⁰⁴及びＲ¹⁰⁵は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、ｂ₁、ｂ₂及びｂ₃は、各々独立に、０又は１を表すことが好ましい。

化合物（１０）の好適な例は、下記化学式（１０−１）、（１０−２）又は（１０−３）で表される化合物（以下、それぞれ化合物（１０−１）、（１０−２）及び（１０−３）と記載することがある）である。

次に、化合物（１１）について説明する。

一般式（１１）中、Ｒ¹¹¹、Ｒ¹¹²、Ｒ¹¹³、Ｒ¹¹⁴、Ｒ¹¹⁵及びＲ¹¹⁶は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｄ₁、ｄ₂、ｄ₃及びｄ₄は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｄ₅及びｄ₆は、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。

一般式（１１）中、Ｒ¹¹¹〜Ｒ¹¹⁶は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基又はエチル基を表すことが特に好ましい。

一般式（１１）中、ｄ₁が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹¹¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｄ₂が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹¹²は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｄ₃が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹¹³は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｄ₄が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹¹⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｄ₅が２以上４以下の整数を表す場合、同一のフェニレン基に結合する複数のＲ¹¹⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｄ₆が２以上４以下の整数を表す場合、同一のフェニレン基に結合する複数のＲ¹¹⁶は、互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｒ¹¹¹〜Ｒ¹¹⁴の結合位置は特に限定されない。Ｒ¹¹¹〜Ｒ¹¹⁴は、それぞれフェニル基のオルト位、メタ位及びパラ位の何れに結合（位置）してもよい。Ｒ¹¹³及びＲ¹¹⁴は、それぞれフェニル基のオルト位に結合することが好ましい。Ｒ¹¹⁵及びＲ¹¹⁶の結合位置は特に限定されない。Ｒ¹¹⁵及びＲ¹¹⁶は、それぞれフェニレン基が結合する窒素原子に対して、オルト位及びメタ位の何れに結合（位置）してもよい。

ｄ₁、ｄ₂、ｄ₃及びｄ₄は、各々独立に、０以上２以下の整数を表すことが好ましい。ｄ₅及びｄ₆は、それぞれ０を表すことが好ましい。

一般式（１１）中、Ｒ¹¹¹、Ｒ¹¹²、Ｒ¹¹³、Ｒ¹¹⁴、Ｒ¹¹⁵及びＲ¹¹⁶は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、ｄ₁、ｄ₂、ｄ₃及びｄ₄は、各々独立に、０以上２以下の整数を表し、ｄ₅及びｄ₆は、それぞれ０を表すことが好ましい。

化合物（１１）の好適な例は、下記化学式（１１−１）で表される化合物（以下、化合物（１１−１）と記載することがある）である。

次に、化合物（１２）について説明する。

一般式（１２）中、Ｒ¹²¹、Ｒ¹²²、Ｒ¹²³、Ｒ¹²⁴、Ｒ¹²⁵及びＲ¹²⁶は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表す。ｅ₁、ｅ₂、ｅ₃及びｅ₄は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｅ₅及びｅ₆は、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。

一般式（１２）中、ｅ₁、ｅ₂、ｅ₃及びｅ₄は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｅ₁が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹²¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｅ₂が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹²²は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｅ₃が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹²³は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｅ₄が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹²⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｅ₁、ｅ₂、ｅ₃及びｅ₄は、各々独立に、０以上２以下の整数を表すことが好ましい。ｅ₁及びｅ₂の一方は２を表し、他方は０又は１を表すことがより好ましい。ｅ₃及びｅ₄の一方は２を表し、他方は０又は１を表すことがより好ましい。

Ｒ¹²¹〜Ｒ¹²⁴の結合位置は特に限定されない。Ｒ¹²¹〜Ｒ¹²⁴は、それぞれフェニル基のオルト位、メタ位及びパラ位の何れに結合（位置）してもよい。Ｒ¹²¹〜Ｒ¹²⁴は、それぞれフェニル基のオルト位又はパラ位に結合することが好ましい。

一般式（１２）中、ｅ₅及びｅ₆は、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。ｅ₅が２以上４以下の整数を表す場合、同一のフェニレン基に結合する複数のＲ¹²⁵は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｅ₆が２以上４以下の整数を表す場合、同一のフェニレン基に結合する複数のＲ¹²⁶は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｅ₅及びｅ₆は、それぞれ０を表すことが好ましい。

Ｒ¹²⁵及びＲ¹²⁶の結合位置は特に限定されない。Ｒ¹²⁵及びＲ¹²⁶は、それぞれフェニレン基が結合する窒素原子に対して、オルト位及びメタ位の何れに結合（位置）してもよい。

一般式（１２）中、Ｒ¹²¹、Ｒ¹²²、Ｒ¹²³、Ｒ¹²⁴、Ｒ¹²⁵及びＲ¹²⁶は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基又はエチル基を表すことがより好ましい。ｅ₁、ｅ₂、ｅ₃及びｅ₄は、各々独立に、０以上２以下の整数を表すことが好ましい。ｅ₅及びｅ₆は、それぞれ０を表すことが好ましい。

一般式（１２）中、Ｒ¹²¹、Ｒ¹²²、Ｒ¹²³、Ｒ¹²⁴、Ｒ¹²⁵及びＲ¹²⁶は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、ｅ₁、ｅ₂、ｅ₃及びｅ₄は、各々独立に、０以上２以下の整数を表し、ｅ₅及びｅ₆は、それぞれ０を表すことが好ましい。

化合物（１２）の好適な例は、下記化学式（１２−１）又は（１２−２）で表される化合物（以下、それぞれ化合物（１２−１）及び（１２−２）と記載することがある）である。

次に、化合物（１３）について説明する。

一般式（１３）中、Ｒ¹³¹、Ｒ¹³²、Ｒ¹³³及びＲ¹³⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｆ₁、ｆ₂及びｆ₃は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｆ₄は、０又は１を表す。

一般式（１３）中、Ｒ¹³¹〜Ｒ¹³³は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが特に好ましい。Ｒ¹³⁴は、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましく、フェニル基を表すことがより好ましい。

一般式（１３）中、ｆ₁が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹³¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｆ₂が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹³²は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｆ₃が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹³³は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｆ₁は、０又は１を表すことが好ましく、１を表すことがより好ましい。ｆ₂は１又は２を表すことが好ましく、１を表すことがより好ましい。ｆ₃は、０又は１を表すことが好ましく、０を表すことがより好ましい。

Ｒ¹³¹〜Ｒ¹³³の結合位置は特に限定されない。Ｒ¹³¹〜Ｒ¹³³は、それぞれフェニル基のオルト位、メタ位及びパラ位の何れに結合（位置）してもよい。Ｒ¹³¹は、フェニル基のパラ位に結合することが好ましい。Ｒ¹³²は、フェニル基のパラ位に結合することが好ましい。

ｆ₂が２を表し、２個のＲ¹³²がフェニル基の隣接した結合位置（例えば、オルト位とメタ位、又はメタ位とパラ位）に結合する場合、２個のＲ¹³²が互いに結合して、環を表してもよい。隣接した２個のＲ¹³²が互いに結合して形成される環としては、例えば、炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンが挙げられる。隣接した２個のＲ¹³²が互いに結合して炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンを形成する場合、この炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンは、２個のＲ¹³²が結合するフェニル基と縮合して二環縮合環基を形成する。この場合、炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンとフェニル基との縮合部位は、二重結合を含んでいてもよい。隣接した２個のＲ¹³²が互いに結合して、炭素原子数５以上７以下のシクロアルカンを形成することが好ましく、シクロヘキサンを形成することがより好ましい。

化合物（１３）の好適な例は、下記化学式（１３−１）又は（１３−２）で表される化合物（以下、それぞれ化合物（１３−１）及び（１３−２）と記載することがある）である。

次に、化合物（１４）について説明する。

一般式（１４）中、Ｒ¹⁴¹、Ｒ¹⁴²、Ｒ¹⁴³及びＲ¹⁴⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。ｇ₁、ｇ₂、ｇ₃及びｇ₄は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。

ｇ₁が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹⁴¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｇ₂が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹⁴²は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｇ₃が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹⁴³は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｇ₄が２以上５以下の整数を表す場合、複数のＲ¹⁴⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。

一般式（１４）中、Ｒ¹⁴¹、Ｒ¹⁴²、Ｒ¹⁴³及びＲ¹⁴⁴は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、メチル基を表すことがより好ましい。ｇ₁及びｇ₄の一方が１を表し、他方が０を表すことが好ましい。ｇ₂及びｇ₃の一方が１を表し、他方が０を表すことが好ましい。

化合物（１４）の好適な例は、下記化学式（１４−１）で表される化合物（以下、化合物（１４−１）と記載することがある）である。

次に、化合物（１５）について説明する。

一般式（１５）中、Ｒ¹⁵¹、Ｒ¹⁵²及びＲ¹⁵³は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。ｈ₁、ｈ₂及びｈ₃は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。

一般式（１５）中、Ｒ¹⁵¹〜Ｒ¹⁵³としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、ｎ−ブチル基を表すことがより好ましい。

一般式（１５）中、ｈ₁、ｈ₂及びｈ₃は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｈ₁が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹⁵¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｈ₂が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹⁵²は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｈ₃が２以上５以下の整数を表す場合、同一のフェニル基に結合する複数のＲ¹⁵³は、互いに同一でも異なっていてもよい。ｈ₁は１を表すことが好ましい。ｈ₂及びｈ₃は０を表すことが好ましい。

Ｒ¹⁵¹〜Ｒ¹⁵³の結合位置は特に限定されない。Ｒ¹⁵¹〜Ｒ¹⁵³は、それぞれフェニル基のオルト位、メタ位及びパラ位の何れに結合（位置）してもよい。Ｒ¹⁵¹は、フェニル基のパラ位に結合することが好ましい。

一般式（１５）中、Ｒ¹⁵¹、Ｒ¹⁵²及びＲ¹⁵³は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、ｈ₁、ｈ₂及びｈ₃は、各々独立に、０又は１を表すことが好ましい。

化合物（１５）の好適な例は、下記化学式（１５−１）で表される化合物（以下、化合物（１５−１）と記載することがある）である。

負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀及び正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCを所望の値に調整し、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制するためには、感光層は、正孔輸送剤として、化合物（１０）、（１１）、（１２）又は（１５）を含むことが好ましく、化合物（１０）を含むことがより好ましく、化合物（１０−１）、（１０−２）又は（１０−３）を含むことが更に好ましい。

負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀及び正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCを所望の値に調整し、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制するためには、２種以上の電子輸送剤が第１電子輸送剤と第２電子輸送剤とを少なくとも含み、第１電子輸送剤が化合物（１）であり、第２電子輸送剤が化合物（２）、（３）、（４）、（５）、（６）又は（７）であり、正孔輸送剤が化合物（１０）、（１１）、（１２）又は（１５）を含むことが好ましい。同じ理由から、２種以上の電子輸送剤が第１電子輸送剤と第２電子輸送剤とを少なくとも含み、第１電子輸送剤が化合物（１）であり、第２電子輸送剤が化合物（２）であり、正孔輸送剤が化合物（１０）を含むことがより好ましい。同じ理由から、２種以上の電子輸送剤が第１電子輸送剤と第２電子輸送剤とを少なくとも含み、第１電子輸送剤が化合物（１−１）であり、第２電子輸送剤が化合物（２−１）であり、正孔輸送剤が化合物（１０−１）、（１０−２）又は（１０−３）を含むことが更に好ましい。

正孔輸送剤が化合物（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）又は（１５）を含む場合、化合物（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）又は（１５）の含有量は、感光層に含有される正孔輸送剤の質量に対して、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、１００質量％であることが特に好ましい。正孔輸送剤が化合物（１０）、（１１）、（１２）又は（１５）を含む場合、化合物（１０）、（１１）、（１２）又は（１５）の含有量は、感光層に含有される正孔輸送剤の質量に対して、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、１００質量％であることが特に好ましい。

感光層に含有される正孔輸送剤の含有量は、バインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、４０質量部以上６０質量部以下であることがより好ましく、５０質量部以上６０質量部以下であることが更に好ましい。

（電荷発生剤）
感光層は、電荷発生剤を含有する。電荷発生剤は、感光体用の電荷発生剤である限り、特に限定されない。電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、無機光導電材料（例えば、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム又はアモルファスシリコン）の粉末、ピリリウム顔料、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料又はキナクリドン系顔料が挙げられる。電荷発生剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

フタロシアニン系顔料としては、例えば、無金属フタロシアニン又は金属フタロシアニンが挙げられる。金属フタロシアニンとしては、例えば、化学式（Ｃ−１）で表されるチタニルフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン又はクロロガリウムフタロシアニンが挙げられる。フタロシアニン系顔料は、結晶であってもよく、非結晶であってもよい。フタロシアニン系顔料の結晶形状（例えば、α型、β型、Ｙ型、Ｖ型又はＩＩ型）については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン系顔料が使用される。

無金属フタロシアニンの結晶としては、例えば、無金属フタロシアニンのＸ型結晶が挙げられる。チタニルフタロシアニンの結晶としては、例えば、チタニルフタロシアニンのα型、β型又はＹ型結晶（以下、α型、β型又はＹ型チタニルフタロシアニンと記載することがある）が挙げられる。ヒドロキシガリウムフタロシアニンの結晶としては、ヒドロキシガリウムフタロシアニンのＶ型結晶が挙げられる。

例えば、デジタル光学式の画像形成装置（より具体的には、半導体レーザーのような光源を使用した、レーザービームプリンター又はファクシミリ等）には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体を用いることが好ましい。７００ｎｍ以上の波長領域で高い量子収率を有することから、電荷発生剤としては、フタロシアニン系顔料が好ましく、無金属フタロシアニン又はチタニルフタロシアニンがより好ましく、Ｘ型無金属フタロシアニン又はＹ型チタニルフタロシアニンが更に好ましく、Ｙ型チタニルフタロシアニンが特に好ましい。

Ｙ型チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、例えば、ブラッグ角（２θ±０．２°）の２７．２°に主ピークを有する。ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおける主ピークとは、ブラッグ角（２θ±０．２°）が３°以上４０°以下である範囲において、１番目又は２番目に大きな強度を有するピークである。Ｙ型チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、２６．２℃にピークを有しない。

ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法の一例について説明する。試料（チタニルフタロシアニン）をＸ線回折装置（例えば、株式会社リガク製「ＲＩＮＴ（登録商標）１１００」）のサンプルホルダーに充填して、Ｘ線管球Ｃｕ、管電圧４０ｋＶ、管電流３０ｍＡ、かつＣｕＫα特性Ｘ線の波長１．５４２Åの条件で、Ｘ線回折スペクトルを測定する。測定範囲（２θ）は、例えば３°以上４０°以下（スタート角３°、ストップ角４０°）であり、走査速度は、例えば１０°／分である。

Ｙ型チタニルフタロシアニンは、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）スペクトルにおける熱特性（詳しくは、次に示す熱特性（ａ）〜（ｃ））の違いによって３種類に分類される。
（ａ）ＤＳＣによる熱特性において、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上２７０℃以下の範囲にピーク（例えば、１つのピーク）を有する。
（ｂ）ＤＳＣによる熱特性において、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上４００℃以下の範囲にピークを有しない。
（ｃ）ＤＳＣによる熱特性において、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上２７０℃未満の範囲にピークを有さず、２７０℃以上４００℃以下の範囲にピーク（例えば、１つのピーク）を有する。

示差走査熱量分析スペクトルの測定方法の一例について説明する。サンプルパンにチタニルフタロシアニン結晶粉末の評価用試料を載せて、示差走査熱量計（例えば、株式会社リガク製「ＴＡＳ−２００型 ＤＳＣ８２３０Ｄ」）を用いて示差走査熱量分析スペクトルを測定する。測定範囲は、例えば４０℃以上４００℃以下であり、昇温速度は、例えば２０℃／分である。

熱特性（ｂ）及び（ｃ）を有するＹ型チタニルフタロシアニンは、結晶安定性に優れており、有機溶媒中で結晶転移を起こしにくく、感光層中に分散し易い。

短波長レーザー光源を用いた画像形成装置に適用される感光体には、電荷発生剤として、アンサンスロン系顔料が好適に用いられる。短波長レーザーの波長としては、例えば、３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲の波長が挙げられる。

電荷発生剤の含有量は、感光層に含有されるバインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３０質量部以下であることがより好ましく、０．５質量部以上４．５質量部以下であることが特に好ましい。

（バインダー樹脂）
感光層は、バインダー樹脂を含有してもよい。バインダー樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル酸重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂又はポリエーテル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂又はメラミン樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ化合物のアクリル酸付加物又はウレタン化合物のアクリル酸付加物が挙げられる。これらのバインダー樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

これらの樹脂の中では、加工性、機械的強度、光学的特性及び耐摩耗性のバランスに優れた感光層が得られることから、ポリカーボネート樹脂が好ましい。ポリカーボネート樹脂の例としては、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂、ビスフェノールＺＣ型ポリカーボネート樹脂、ビスフェノールＣ型ポリカーボネート樹脂又はビスフェノールＡ型ポリカーボネート樹脂が挙げられる。ポリカーボネート樹脂としては、下記一般式（２０）で表される樹脂（以下、樹脂（２０）と記載することがある）が好ましい。

一般式（２０）中、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁶は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。但し、Ｒ²⁰³及びＲ²⁰⁴は、互いに結合して炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基を形成してもよい。ｘ＋ｙ＝１．００である。０．００＜ｘ≦１．００である。つまり、ｘは０．００より大きく１．００以下の数である。

一般式（２０）中のＲ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁶が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上４以下のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

一般式（２０）中のＲ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁶が表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、フェニル基が好ましい。

一般式（２０）中、Ｒ²⁰¹、Ｒ²⁰²、Ｒ²⁰⁵及びＲ²⁰⁶は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は水素原子を表すことが好ましく、水素原子又はメチル基を表すことがより好ましい。Ｒ²⁰³及びＲ²⁰⁴は、互いに結合して炭素原子数５以上７以下のシクロアルキリデン基を表すことが好ましく、互いに結合してシクロヘキシリデン基を表すことがより好ましい。

樹脂（２０）は、一般式（２０ａ）で表される繰返し構造単位（以下、繰返し単位（２０ａ）と記載することがある）と、一般式（２０ｂ）で表される繰返し構造単位（以下、繰返し単位（２０ｂ）と記載することがある）とを含む。なお、一般式（２０ａ）中のＲ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁴は、それぞれ一般式（２０）中のＲ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁴と同義である。一般式（２０ｂ）中のＲ²⁰⁵及びＲ²⁰⁶は、それぞれ一般式（２０）中のＲ²⁰⁵及びＲ²⁰⁶と同義である。

一般式（２０）中、ｘは、樹脂（２０）における全繰返し単位の物質量（モル数）に対する、繰返し単位（２０ａ）の物質量（モル数）の比率（モル分率）を表す。ｙは、樹脂（２０）における全繰返し単位の物質量（モル数）に対する、繰返し単位（２０ｂ）の物質量（モル数）の比率（モル分率）を表す。

樹脂（２０）は、繰返し単位（２０ａ）と繰返し単位（２０ｂ）とがランダムに共重合したランダム共重合体であってもよい。或いは、樹脂（２０）は、繰返し単位（２０ａ）と繰返し単位（２０ｂ）とが交互に共重合した交互共重合体であってもよい。或いは、樹脂（２０）は、１以上の繰返し単位（２０ａ）と、１以上の繰返し単位（２０ｂ）とが周期的に共重合した周期的共重合体であってもよい。或いは、樹脂（２０）は、複数の繰返し単位（２０ａ）からなるブロックと、複数の繰返し単位（２０ｂ）からなるブロックとが共重合したブロック共重合体であってもよい。

樹脂（２０）は、末端基として下記一般式（２０ｅ）又は（２０ｆ）で表される基を有していてもよい。

一般式（２０ｅ）中、Ｒ²⁰⁷は、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−を表す。但し、繰返し単位（２０ａ）又は繰返し単位（２０ｂ）のエーテル部位（−Ｏ−）と結合するとき、Ｒ²⁰⁷は−ＣＯ−Ｏ−を表す。繰返し単位（２０ａ）又は繰返し単位（２０ｂ）のエステル部位（−ＣＯ−Ｏ−）と結合するとき、Ｒ²⁰⁷は−Ｏ−を表す。Ｒ²⁰⁸及びＲ²⁰⁹は、各々独立に、ハロゲン原子を少なくとも１個（好ましくは、１個以上１２個以下）有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキレン基を表す。Ｒ²⁰⁸及びＲ²⁰⁹としては、ハロゲン原子を２個以上４個以下有する炭素原子数メチレン基又はエチレン（−ＣＨ₂−ＣＨ₂−）基が好ましい。Ｒ²¹⁰は、ハロゲン原子を少なくとも１個（好ましくは、１個以上１３個以下）有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。Ｒ²¹⁰としては、ハロゲン原子を１個以上９個以下有する炭素原子数１以上４以下のアルキル基が好ましく、ハロゲン原子を９個有する２−メチルプロピル基がより好ましい。

一般式（２０ｆ）中、Ｒ²⁰⁷は、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−を表す。但し、繰返し単位（２０ａ）又は繰返し単位（２０ｂ）のエーテル部位（−Ｏ−）と結合するとき、Ｒ²⁰⁷は−ＣＯ−Ｏ−を表す。繰返し単位（２０ａ）又は繰返し単位（２０ｂ）のエステル部位（−ＣＯ−Ｏ−）と結合するとき、Ｒ²⁰⁷は−Ｏ−を表す。Ｒ²¹¹は、ハロゲン原子を少なくとも１個（好ましくは、１個以上１３個以下）有してもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。Ｒ²¹¹としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が好ましく、炭素原子数１以上４以下のアルキル基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。

樹脂（２０）の具体例としては、下記一般式（ＰＣ−１）、一般式（ＰＣ−２）又は化学式（ＰＣ−３）で表されるポリカーボネート樹脂が挙げられる。以下、下記化学式（ＰＣ−１）、一般式（ＰＣ−２）及び化学式（ＰＣ−３）で表されるポリカーボネート樹脂を、それぞれポリカーボネート樹脂（ＰＣ−１）、（ＰＣ−２）及び（ＰＣ−３）と記載することがある。

一般式（ＰＣ−２）中、ｘ２＋ｙ２＝１．００である。ｘ２は０．５６以上０．６２以下の数を表す。ｙ２は０．３８以上０．４４以下の数を表す。一般式（ＰＣ−２）中、ｘ２は、一般式（ＰＣ−２）で表されるポリカーボネート樹脂における繰返し単位の合計物質量（モル数）に対する、ｘ２が付された繰返し単位の物質量（モル数）の比率（モル分率）を表す。ｙ２は、一般式（ＰＣ−２）で表されるポリカーボネート樹脂における繰返し単位の合計物質量（モル数）に対する、ｙ２が付された繰返し単位の物質量（モル数）の比率（モル分率）を表す。

化学式（ＰＣ−３）で表されるポリカーボネート樹脂は、一般式（２０）中のｙが０．００であり、ｘが１．００である樹脂である。化学式（ＰＣ−３）で表されるポリカーボネート樹脂は、繰り返し単位（２０ａ）のみによって構成される。

バインダー樹脂の製造方法は、樹脂（２０）を製造できれば、特に限定されない。樹脂（２０）の製造方法の一例として、ポリカーボネート樹脂の繰返し単位を構成するためのジオール化合物とホスゲンとを縮重合させる方法（いわゆる、ホスゲン法）が挙げられる。より具体的には、例えば、一般式（２０ｃ）で表されるジオール化合物と、一般式（２０ｄ）で表されるジオール化合物と、ホスゲンとを、縮重合させる方法が挙げられる。なお、一般式（２０ｃ）中のＲ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁴は、それぞれ一般式（２０）中のＲ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁴と同義である。一般式（２０ｄ）中のＲ²⁰⁵及びＲ²⁰⁶は、それぞれ一般式（２０）中のＲ²⁰⁵及びＲ²⁰⁶と同義である。樹脂（２０）の製造方法の別の例として、ジオール化合物とジフェニルカーボネートとをエステル交換反応させる方法も挙げられる。

樹脂（２０）を製造するための反応において、所望の末端停止剤を添加することにより、樹脂（２０）に所望の末端基を導入することができる。末端基が下記一般式（２０ｅ）である場合、末端停止剤として下記一般式（２０ｇ）で表される化合物を添加する。一般式（２０ｇ）中のＲ²⁰⁷〜Ｒ²¹⁰は、それぞれ一般式（２０ｅ）中のＲ²⁰⁷〜Ｒ²¹⁰と同義である。末端基が下記一般式（２０ｆ）である場合、末端停止剤として下記一般式（２０ｈ）で表される化合物を添加する。一般式（２０ｈ）中のＲ²⁰⁷及びＲ²¹¹は、それぞれ一般式（２０ｆ）中のＲ²⁰⁷及びＲ²¹¹と同義である。

感光層は、樹脂（２０）に加えて、樹脂（２０）以外のバインダー樹脂を更に含有してもよい。感光層に含有されるバインダー樹脂の質量に対する樹脂（２０）の含有量は、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、１００質量％であることが特に好ましい。

感光層の質量（Ｍ_L）に対する、バインダー樹脂の質量（Ｍ_RESIN）の比率（Ｍ_RESIN／Ｍ_L）は、０．５０未満とすることができる。比率（Ｍ_RESIN／Ｍ_L）が０．５０未満であると、感光層の質量に対するバインダー樹脂以外の材料の質量の比率が大きくなる。具体的には、感光層の質量に対する電荷発生剤、正孔輸送剤及び２種以上の電子輸送剤の質量の比率が大きくなる。比率（Ｍ_RESIN／Ｍ_L）は、０．４９以下であることがより好ましく、０．４５以上０．４９以下であることが更に好ましく、０．４５以上０．４７以下であることが一層好ましい。

バインダー樹脂の粘度平均分子量は、２５，０００以上であることが好ましく、２５，０００以上５２，５００以下であることがより好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量が２５，０００以上であると、感光体の耐摩耗性を向上させ易い。バインダー樹脂の粘度平均分子量が５２，５００以下であると、感光層の形成時にバインダー樹脂が溶剤に溶解し易くなり、感光層用塗布液の粘度が高くなり過ぎない。その結果、感光層を形成し易くなる。

＜中間層＞
中間層（下引き層）は、例えば、無機粒子及び中間層に用いられる樹脂（中間層用樹脂）を含有する。中間層が存在することにより、電流リークの発生を抑制し得る程度の絶縁状態を維持しつつ、感光体を露光した時に発生する電流の流れを円滑にして、抵抗の上昇が抑えられると考えられる。

無機粒子としては、例えば、金属（より具体的には、アルミニウム、鉄又は銅等）、金属酸化物（より具体的には、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ又は酸化亜鉛等）の粒子又は非金属酸化物（より具体的には、シリカ等）の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

中間層用樹脂としては、中間層を形成する樹脂として用いることができる限り、特に限定されない。中間層は、各種の添加剤を含有してもよい。

＜感光体の製造方法＞
感光体は、例えば、以下のように製造される。感光体は、感光層用塗布液（以下、塗布液と記載することがある）を導電性基体上に塗布し塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させることによって製造される。塗布液は、電荷発生剤と、２種以上の電子輸送剤と、正孔輸送剤と、必要に応じて添加される成分（例えば、バインダー樹脂及び各種添加剤）とを、溶剤に溶解又は分散させることにより製造される。

塗布液に含有される溶剤は、塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散できる限り、特に限定されない。溶剤の例としては、アルコール（より具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノール又はブタノール等）、脂肪族炭化水素（より具体的には、ｎ−ヘキサン、オクタン又はシクロヘキサン等）、芳香族炭化水素（より具体的には、ベンゼン、トルエン又はキシレン等）、ハロゲン化炭化水素（より具体的には、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素又はクロロベンゼン等）、エーテル（より具体的には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル又はプロピレングリコールモノメチルエーテル等）、ケトン（より具体的には、アセトン、メチルエチルケトン又はシクロヘキサノン等）、エステル（より具体的には、酢酸エチル又は酢酸メチル等）、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド又はジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。感光体の製造時の作業性を向上させるためには、溶剤として非ハロゲン溶剤（ハロゲン化炭化水素以外の溶剤）を用いることが好ましい。

塗布液は、各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー又は超音波分散機を用いることができる。

塗布液は、各成分の分散性を向上させるために、例えば、界面活性剤を含有してもよい。

塗布液を塗布する方法としては、塗布液を導電性基体上に均一に塗布できる方法である限り、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法又はバーコート法が挙げられる。

塗布液を乾燥させる方法としては、塗布液中の溶剤を蒸発させ得る限り、特に限定されない。例えば、高温乾燥機又は減圧乾燥機を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理条件は、例えば、４０℃以上１５０℃以下の温度、かつ３分間以上１２０分間以下の時間である。

なお、感光体の製造方法は、必要に応じて、中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程の一方又は両方を更に含んでもよい。中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程では、公知の方法が適宜選択される。

＜画像形成装置＞
次に、図６を参照して、本実施形態に係る感光体１００を備える画像形成装置１１０について説明する。図６は画像形成装置１１０の構成の一例を示す図であり、この画像形成装置１１０は本実施形態に係る感光体１００を備える。図６に示す画像形成装置１１０は、直接転写方式を採用する。なお、中間転写方式を採用する画像形成装置１１０については、図７を参照して後述する。

画像形成装置１１０は、電子写真方式の画像形成装置である限り、特に限定されない。画像形成装置１１０は例えば、モノクロ画像形成装置であってもよいし、カラー画像形成装置であってもよい。画像形成装置１１０がカラー画像形成装置である場合、画像形成装置１１０は、例えばタンデム方式を採用する。以下、タンデム方式の画像形成装置１１０を例に挙げて説明する。

画像形成装置１１０は、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄと、転写ベルト５０と、定着部５２とを備える。以下、区別する必要がない場合には、画像形成ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ及び４０ｄのそれぞれを、画像形成ユニット４０と記載する。なお、画像形成装置１１０がモノクロ画像形成装置である場合には、画像形成装置１１０は、画像形成ユニット４０ａを備え、画像形成ユニット４０ｂ〜４０ｄは省略される。

画像形成ユニット４０は、感光体１００と、帯電部４２と、露光部４４と、現像部４６と、転写部４８とを備える。画像形成ユニット４０の中央位置に、感光体１００が設けられる。感光体１００は、矢符方向（反時計回り）に回転可能に設けられる。感光体１００の周囲には、帯電部４２を基準として感光体１００の回転方向の上流側から順に、帯電部４２、露光部４４、現像部４６及び転写部４８が設けられる。なお、画像形成ユニット４０には、クリーニング部（不図示）及び除電部（不図示）の一方又は両方が更に備えられてもよい。

帯電部４２は、感光体１００の表面（周面）を正極性に帯電する。帯電部４２は、非接触方式又は接触方式である。非接触方式の帯電部４２の例は、コロトロン帯電器又はスコロトロン帯電器である。接触方式の帯電部４２の例は、帯電ローラー又は帯電ブラシである。

露光部４４は、帯電された感光体１００の表面を露光する。これにより、感光体１００の表面に静電潜像が形成される。静電潜像は、画像形成装置１１０に入力された画像データに基づいて形成される。

現像部４６は、感光体１００に形成された静電潜像にトナーを供給する。これにより、静電潜像がトナー像として現像される。感光体１００は、トナー像を担持する像担持体に相当する。

転写ベルト５０は、感光体１００と転写部４８との間に記録媒体Ｐを搬送する。転写ベルト５０は、無端状のベルトである。転写ベルト５０は、矢符方向（時計回り）に回転可能に設けられる。

転写部４８は、現像部４６によって現像されたトナー像を、感光体１００から被転写体へ転写する。画像形成装置１１０が直接転写方式を採用する場合、被転写体は記録媒体Ｐに相当する。画像形成装置１１０が直接転写方式を採用する場合、感光体１００から記録媒体Ｐにトナー像が転写されるときに、感光体１００は記録媒体Ｐと接触している。転写部４８は、例えば転写ローラーである。

画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄのそれぞれによって、転写ベルト５０上の記録媒体Ｐに、複数色（例えば、ブラック、シアン、マゼンタ及びイエローの４色）のトナー像が順に重ねられる。

画像形成装置１１０は、除電部を備えない設計とすることができる。つまり、画像形成装置１１０は、除電部を省略した除電レス方式を採用することができる。画像形成装置１１０が直接転写方式及び除電レス方式を採用する場合、感光体１００の表面（周面）において、転写部４８によって感光体１００から被転写体（記録媒体Ｐに相当）にトナー像が転写された感光体１００の表面の領域は、除電されることなく帯電部４２によって再び正極性に帯電される。除電部を備えない除電レス方式の画像形成装置１１０では、露光の影響が残り易いため、露光メモリーが発生して形成画像に画像ゴーストが発生し易い。しかし、本実施形態に係る感光体１００は、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することができる。そのため、画像形成装置１１０が本実施形態に係る感光体１００を備えることにより、画像形成装置１１０が除電部を備えない場合であっても、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することができる。

定着部５２は、転写部４８によって記録媒体Ｐに転写された未定着のトナー像を、加熱及び／又は加圧する。定着部５２は、例えば、加熱ローラー及び／又は加圧ローラーである。トナー像を加熱及び／又は加圧することにより、記録媒体Ｐにトナー像が定着する。その結果、記録媒体Ｐに画像が形成される。

なお、画像形成装置１１０は、中間転写方式を採用することもできる。以下、図７を参照して、中間転写方式を採用する画像形成装置１１０について説明する。図７は、画像形成装置１１０の構成の別の例を示す図であり、この画像形成装置１１０は本実施形態に係る感光体１００を備える。冗長を避けるために、図６に示す画像形成装置１１０が備える構成と同じ構成には同じ符号を付し、説明を省略する。

画像形成装置１１０が中間転写方式を採用する場合、直接転写方式で説明した転写部４８は、一次転写部５４及び二次転写部５８に相当する。画像形成装置１１０が中間転写方式を採用する場合、被転写体は、中間転写ベルト５６及び記録媒体Ｐに相当する。一次転写部５４は、一次転写バイアス（具体的には、トナーの帯電極性と逆極性を有するバイアス）を中間転写ベルト５６に印加する。中間転写ベルト５６は、無端状のベルトである。中間転写ベルト５６は、矢符（反時計回り）方向に回転する。一次転写バイアスが印加されると、感光体１００と一次転写部５４との間で、感光体１００から中間転写ベルト５６へ感光体１００の表面に形成されたトナー像が転写（一次転写）される。

二次転写部５８は、二次転写バイアス（具体的には、トナー像の帯電極性に対して逆極性を有するバイアス）を、記録媒体Ｐを介してトナー像に印加する。その結果、中間転写ベルト５６上に一次転写されたトナー像は、二次転写部５８と中間転写ベルト５６との間で、中間転写ベルト５６から記録媒体Ｐに転写（二次転写）される。これにより、未定着のトナー像が記録媒体Ｐに転写される。

画像形成装置１１０が中間転写方式及び除電レス方式を採用する場合、感光体１００の表面（周面）において、一次転写部５４によって感光体１００から被転写体（中間転写ベルト５６に相当）にトナー像が転写された領域は、除電されることなく帯電部４２によって再び正極性に帯電される。

以上、図６及び図７を参照して、本実施形態の感光体１００を備える画像形成装置１１０について説明した。

＜プロセスカートリッジ＞
次に、図６及び図７を引き続き参照して、本実施形態に係る感光体１００を備えるプロセスカートリッジについて説明する。プロセスカートリッジは、画像形成用のカートリッジである。プロセスカートリッジは、画像形成ユニット４０ａ〜４０ｄのそれぞれに相当する。プロセスカートリッジは、ユニット化された感光体１００を備える。プロセスカートリッジは、感光体１００に加えて、帯電部４２、露光部４４、現像部４６及び転写部４８（又は一次転写部５４）からなる群より選択される少なくとも１つをユニット化した構成が採用される。プロセスカートリッジには、クリーニング部（不図示）及び除電部（不図示）の一方又は両方が更に備えられてもよい。プロセスカートリッジには、除電レス方式が採用されていてもよい。プロセスカートリッジは、画像形成装置１１０に対して着脱自在に設計される。そのため、プロセスカートリッジは取り扱いが容易であり、感光体１００の感度特性等が劣化した場合に、感光体１００を含めて容易かつ迅速に交換することができる。

以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。しかし、本発明は実施例の範囲に何ら限定されない。

＜感光層を形成するための材料＞
感光体の感光層を形成するための材料として、以下の電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤と、バインダー樹脂とを準備した。

（電荷発生剤）
電荷発生剤として、チタニルフタロシアニンを準備した。チタニルフタロシアニンは、実施形態で述べた化学式（Ｃ−１）で表される化合物であった。また、このチタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２°）の２７．２°に主ピークを有し、２６．２℃にピークを有していなかった。このチタニルフタロシアニンは、ＤＳＣによる熱特性において、吸着水の気化に伴うピーク以外に５０℃以上２７０℃未満の範囲にピークを有さず、２７０℃以上４００℃以下の範囲に１つのピークを有していた。

（正孔輸送剤）
正孔輸送剤として、実施形態で述べた化合物（１０−１）、（１０−２）、（１０−３）、（１１−１）、（１２−１）、（１２−２）、（１３−１）、（１３−２）、（１４−１）及び（１５−１）を準備した。

（バインダー樹脂）
バインダー樹脂として、一般式（ＰＣ−３）で表されるポリカーボネート樹脂を準備した。実施例で使用した一般式（ＰＣ−３）で表されるポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量は、５０，０００であった。

（電子輸送剤）
電子輸送剤として、実施形態で述べた化合物（１−１）、（２−１）、（３−１）、（４−１）、（５−１）、（６−１）及び（７−１）を準備した。電子輸送剤として、化合物（１−１）、（２−１）、（３−１）、（４−１）、（５−１）、（６−１）及び（７−１）のうちの２種を選択して使用した。使用した２種の電子輸送剤のそれぞれを、第１電子輸送剤及び第２輸送剤と記載する。なお、化合物（１−１）は、以下の方法で合成した。

（化合物（１−１）の合成）
反応式（ｒ−１）及び反応式（ｒ−３）で表される反応（以下、それぞれ反応（ｒ−１）及び（ｒ−３）と記載することがある）に従って化合物（１−１）を製造した。

反応（ｒ−１）では、ナフトール化合物（１Ａ）（１−ナフトール）とアルコール化合物（１Ｂ）とを反応させて、中間生成物であるナフトール誘導体（１Ｃ）を得た。詳しくは、ナフトール化合物（１Ａ）１．４４ｇ（０．０１０モル）と、アルコール化合物（１Ｂ）１．６４ｇ（０．０１０モル）と、酢酸３０ｍＬとをフラスコに投入し、酢酸溶液を調製した。フラスコ内容物に濃硫酸０．９８ｇ（０．０１０モル）を滴下し、室温（２５℃）で８時間攪拌した。フラスコ内容物にイオン交換水及びクロロホルムを添加して有機層を得た。有機層を水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、中和した。続けて、有機層に無水硫酸ナトリウムを加え、有機層を乾燥させた。乾燥させた有機層を減圧留去し、ナフトール誘導体（１Ｃ）を含む粗生成物を得た。

反応（ｒ−３）では、ナフトール誘導体（１Ｃ）を酸化反応させて、化合物（１−１）を得た。詳しくは、ナフトール誘導体（１Ｃ）を含む粗生成物と、クロロホルム１００ｍＬとをフラスコに投入し、クロロホルム溶液を調製した。フラスコ内容物にクロラニル２．４６ｇ（０．０１０モル）を加え、室温（２５℃）で８時間攪拌した。続けて、フラスコ内容物をろ過し、ろ液を得た。得られたろ液の溶媒を留去し、残渣を得た。展開溶媒としてクロロホルムを用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより、得られた残渣を精製した。これにより、化合物（１−１）を得た。化合物（１−１）の収量は、１．７３ｇであり、ナフトール化合物（１Ａ）からの化合物（１−１）の収率は、６０モル％であった。

次に、プロトン核磁気共鳴分光計（日本分光株式会社製、３００ＭＨｚ）を用いて、化合物（１−１）の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。溶媒としてＣＤＣｌ₃を用いた。内部標準試料としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。図８は、化合物（１−１）の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。図８中、縦軸は信号強度（単位：任意単位）を示し、横軸は化学シフト（単位：ｐｐｍ）を示す。化合物（１−１）の化学シフト値を以下に示す。
化合物（１−１）：¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃） δ＝８．３２−８．３５（ｍ， ２Ｈ）， ８．０２（ｓ， ２Ｈ）， ７．８４−７．８８（ｍ， ２Ｈ）， ７．６０−７．６７（ｍ， ４Ｈ）， ７．０３−７．１８（ｍ， １０Ｈ）， ２．３９−２．４５（ｍ， ４Ｈ）， ２．２２−２．２９（ｍ， ４Ｈ）， １．３８（ｓ， １２Ｈ）．

＜感光体の製造＞
感光層を形成するための材料を用いて、感光体（Ｐ−Ａ１）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）を製造した。

（感光体（Ｐ−Ａ１）の製造）
容器内に、電荷発生剤３質量部と、正孔輸送剤としての化合物（１０−１）５０質量部と、第１電子輸送剤としての化合物（１−１）３０質量部と、第２電子輸送剤としての化合物（２−１）３０質量部と、バインダー樹脂１００質量部と、溶剤としてのテトラヒドロフラン８００質量部とを投入した。容器の内容物を、ボールミルを用いて５０時間混合して、溶剤に材料（電荷発生剤、化合物（１０−１）、化合物（１−１）、化合物（２−１）及びバインダー樹脂）を分散させた。これにより、感光層用塗布液を得た。

次に導電性基体（アルミニウム製のドラム状支持体）の上に、ディップコート法を用いて、調製した感光層用塗布液を塗布した。これにより、導電性基体上に塗布膜を形成した。塗布膜が形成された導電性基体を１００℃で６０分間乾燥させて、塗布膜からテトラヒドロフランを除去した。これにより、導電性基体上に、感光層（膜厚２５μｍ）が形成された。その結果、感光体（Ｐ−Ａ１）が得られた。

（感光体（Ｐ−Ａ２）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）の製造）
下記（１）〜（７）の点を変更した以外は、感光体（Ａ−１）の製造と同じ方法で、感光体（Ｐ−Ａ２）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれを製造した。
（１）感光体（Ａ−１）の製造では第１電子輸送剤として化合物（１−１）を使用したが、感光体（Ｐ−Ａ２）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれの製造では表１〜表３に示す種類の第１電子輸送剤を使用した。
（２）感光体（Ａ−１）の製造では第１電子輸送剤を３０質量部使用したが、感光体（Ｐ−Ａ２）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれの製造では表１〜表３に示す質量の第１電子輸送剤を使用した。
（３）感光体（Ａ−１）の製造では第２電子輸送剤として化合物（２−１）を使用したが、感光体（Ｐ−Ａ２）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれの製造では表１〜表３に示す種類の第２電子輸送剤を使用した。
（４）感光体（Ａ−１）の製造では第２電子輸送剤を３０質量部使用したが、感光体（Ｐ−Ａ２）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれの製造では表１〜表３に示す質量の第２電子輸送剤を使用した。なお、感光体（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ３）のそれぞれの製造においては、第２電子輸送剤を添加しなかった。
（５）感光体（Ａ−１）の製造では正孔輸送剤として化合物（１−１）を使用したが、感光体（Ｐ−Ａ２）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれの製造では表１〜表３に示す種類の正孔輸送剤を使用した。
（６）感光体（Ａ−１）の製造では正孔輸送剤を３０質量部使用したが、感光体（Ｐ−Ａ２）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれの製造では表１〜表３に示す質量の正孔輸送剤を使用した。

＜負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀の測定＞
感光体（Ｐ−Ａ１）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれに対して、負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀を測定した。負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀の測定は、温度２３℃及び相対湿度５０％ＲＨの条件下で行った。実施形態で述べた第１測定装置として、ドラム感度試験機（ジェンテック株式会社製）を用いた。第１測定装置としてのドラム感度試験機は、コロトロン帯電器と、帯電電位測定器と、除電器とを備えていた。ドラム感度試験機に感光体をセットした。ドラム感度試験機の設定条件は次のとおりであった。

（設定条件）
感光体の回転速度（周速）：１２５ｒｐｍ
コロトロン帯電器の電流値Ｉｃ：−５μＡ（直流電流）
コロトロン帯電器のワイヤーと感光体の表面とのギャップ幅：１０ｍｍ
帯電電位Ｖｎ₀を測定するタイミング：帯電後８０ミリ秒経過した時点
除電器の種類：波長６６０ｎｍの赤色ＬＥＤを備える除電器
除電バイアス：＋２４Ｖ

ドラム感度試験機の動作を安定させるために、ドラム感度試験機を用いて感光体を５周回転させながら、予め感光体を負帯電させた。次いで、ドラム感度試験機を用いて感光体を９周回転させて、各周において負帯電及び除電を行った。次いで、感光体の１０周目において、ドラム感度試験機を用いて実施形態で述べた工程（ａ）及び（ｂ）を行った。次いで、ドラム感度試験機を用いて感光体を５周回転させながら、感光体を更に除電した。工程（ｂ）で測定された負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀を、表１〜表３に示す。

＜正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCの測定（転写電流値−５μＡ）＞
感光体（Ｐ−Ａ１）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれに対して、正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCを測定した。正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCの測定は、温度２５℃及び相対湿度４５％ＲＨの条件下で行った。実施形態で述べた第２測定装置として、カラープリンター（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−Ｃ５３００ＤＮ」）から除電器を取り除いた改造機を用いた。第２測定装置としての改造機は、帯電ユニットと、露光ユニットと、電位測定ユニットと、転写ユニットとを備えていた。改造機に感光体をセットした。

第２測定装置としての改造機を用いて、感光体を３周回転させながら、実施形態で述べた工程（Ａ）〜（Ｍ）を行った。工程（Ｅ）、（Ｈ）及び（Ｌ）において転写ユニットに流す転写電流の転写電流値を、−５μＡに設定した。そして、白紙画像を３枚の用紙に印刷した後、ソリッド画像（画像濃度１００％）を１枚の用紙に印刷することで、工程（Ａ）を行った。更に、ソリッド画像（画像濃度１００％）を３枚の用紙に印刷することで、工程（Ｂ）〜（Ｌ）を行った。次いで、工程（Ｍ）を行った。なお、改造機の設定条件は次のとおりであった。

（設定条件）
感光体の回転速度（周速）：９４ｒｐｍ
帯電ユニットの種類：スコロトロン帯電器
露光ユニットの種類：光源としてＬＥＤを備える露光ユニット
露光波長：７８０ｎｍ
表面電位Ｖｐ_L1、Ｖｐ_LA及びＶｐ_LCを測定するタイミング：露光後８０ミリ秒経過した時点
転写ユニットの種類：転写ベルト方式の転写ユニット
転写電流値：−５μＡ
転写ユニットと感光体とのニップ幅：１ｍｍ

転写電流値−５μＡ設定時の正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCを、表１〜表３に示す。なお、測定された表面電位Ｖｐ_LA及びＶｐ_LCは、それぞれ、正の値であった。

＜正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCの測定（転写電流値−２０μＡ）＞
工程（Ｅ）、（Ｈ）及び（Ｌ）において転写ユニットに流す転写電流の転写電流値を−５μＡから−２０μＡに変更した以外は、転写電流値−５μＡ設定時の正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCの測定方法と同じ方法で、転写電流値−２０μＡ設定時の正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCを測定した。転写電流値−２０μＡ設定時の正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCを、表１〜表３に示す。なお、測定された表面電位Ｖｐ_LA及びＶｐ_LCは、それぞれ、正の値であった。

＜画像ゴースト抑制の評価＞
製造した感光体（Ｐ−Ａ１）〜（Ｐ−Ａ２０）及び（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）のそれぞれに対して、画像ゴースト抑制の評価を行った。画像ゴースト抑制の評価は、温度２５℃及び相対湿度４５％ＲＨの環境下で行った。感光体を評価機に搭載した。評価機として、モノクロプリンター（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「ＦＳ−１３００Ｄ」）からクリーニングブレードを取り外した改造機を使用した。また、この評価機は、除電レス方式を採用していた。用紙として、（富士ゼロックス株式会社製「上質ＰＰＣ用紙」、Ａ４サイズ）を使用した。

評価機を用いて、画像Ｉ（印字率４％のパターン画像）を５０００枚の用紙に連続して印刷した。次いで、画像ＩＩ及び画像ＩＩＩを含む評価用画像を１枚の用紙に印刷した。画像ＩＩは、白色（画像濃度０％）の背景に、１つの黒色（画像濃度１００％）の四角形が現された画像であった。画像ＩＩは、感光体の１周目で形成される画像に相当していた。画像ＩＩＩは、全面ハーフトーン（画像濃度１２．５％）の画像であった。画像ＩＩＩは、感光体の２周目及び３周目で形成される画像に相当していた。

得られた画像ＩＩＩを肉眼で観察し、画像ＩＩに由来する画像ゴーストの有無を確認した。なお、感光体に露光メモリーが発生すると、形成画像に画像ゴースト（ポジゴースト）が発生する。画像ゴーストは、感光体の１周目で印刷された画像ＩＩの黒色の四角形に対応する領域が、感光体の２周目及び３周目で印刷された全面ハーフトーンの画像ＩＩＩにおいて黒く現れる画像不良である。画像ゴーストの確認結果に基づいて、下記の基準に従って、画像ゴーストの発生が抑制されているか否かを評価した。画像ゴースト抑制の評価結果を、表１〜表３に示す。

（転写メモリー抑制の評価基準）
Ａ（特に良好）：画像ゴーストが、全く確認されなかった。
Ｂ（良好） ：画像ゴーストが、わずかに確認された。
Ｃ（不良） ：画像ゴーストが、明確に確認された。

表１〜表３中、第１ＥＴＭ、第２ＥＴＭ、ＨＴＭ及び部は、それぞれ第１電子輸送剤、第２電子輸送剤、正孔輸送剤及び質量部を示す。

表１〜表３中、「Ｍ_ETM／Ｍ_HTM」は、正孔輸送剤の質量に対する、電子輸送剤の合計質量の比率を示す。「Ｍ_ETM／Ｍ_HTM」は、下記計算式から算出した。「Ｍ_ETM／Ｍ_HTM」が１．００超であるとき、電子輸送剤の合計質量が正孔輸送剤の質量よりも多いことを示す。
Ｍ_ETM／Ｍ_HTM＝（第１電子輸送剤の質量＋第２電子輸送剤の質量）／正孔輸送剤の質量

表１〜表３中、「Ｍ_ETM／Ｍ_L」は、感光層の質量に対する、電子輸送剤の合計質量の比率を示す。Ｍ_ETM／Ｍ_Lは、下記計算式から算出した。
Ｍ_ETM／Ｍ_L＝（第１電子輸送剤の質量＋第２電子輸送剤の質量）／（電荷発生剤の質量＋バインダー樹脂の質量＋正孔輸送剤の質量＋第１電子輸送剤の質量＋第２電子輸送剤の質量）

表１〜表３中、「Ｍ_RESIN／Ｍ_L」は、感光層の質量に対する、バインダー樹脂の質量の比率を示す。Ｍ_RESIN／Ｍ_Lは、下記計算式から算出した。
Ｍ_RESIN／Ｍ_L＝（バインダー樹脂の質量）／（電荷発生剤の質量＋バインダー樹脂の質量＋正孔輸送剤の質量＋第１電子輸送剤の質量＋第２電子輸送剤の質量）

表１及び２に示すように、感光体（Ｐ−Ａ１）〜（Ｐ−Ａ２０）は、導電性基体と感光層とを備えていた。感光層は、単層であった。感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、２種以上の電子輸送剤とを含有していた。電子輸送剤の合計含有量は、前記正孔輸送剤の含有量よりも多かった。負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀が−５５０Ｖ以上０Ｖ未満であった。正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCが、０Ｖ以上であった。表１及び表２から明らかなように、感光体（Ｐ−Ａ１）〜（Ｐ−Ａ２０）では、画像ゴースト抑制の評価がＡ（特に良好）又はＢ（良好）であった。

表１及び２に示すように、感光体（Ｐ−Ａ１）、（Ｐ−Ａ７）〜（Ｐ−Ａ１０）及び（Ｐ−Ａ１８）〜（Ｐ−Ａ２０）のそれぞれにおいては、２種以上の電子輸送剤が第１電子輸送剤及び第２電子輸送剤を含み、第１電子輸送剤が化合物（１）であり、第２電子輸送剤が化合物（２）であり、正孔輸送剤が化合物（１０）を含んでいた。表１及び表２から明らかなように、感光体（Ｐ−Ａ１）、（Ｐ−Ａ７）〜（Ｐ−Ａ１０）、（Ｐ−Ａ１８）〜（Ｐ−Ａ２０）では、画像ゴースト抑制の評価がＡ（特に良好）であった。

一方、表３に示すように、感光体（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ３）においては、感光層が２種以上の電子輸送剤を含有していなかった。電子輸送剤の合計含有量が、正孔輸送剤の含有量よりも多くなかった。負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀が−５５０Ｖ以上０Ｖ未満ではなかった。正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCが、０Ｖ以上ではなかった。

表３に示すように、感光体（Ｐ−Ｂ４）〜（Ｐ−Ｂ６）においては、電子輸送剤の合計含有量が、正孔輸送剤の含有量よりも多くなかった。負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀が−５５０Ｖ以上０Ｖ未満ではなかった。正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCが、０Ｖ以上ではなかった。

表３に示すように、感光体（Ｐ−Ｂ７）〜（Ｐ−Ｂ１１）においては、負帯電測定条件における帯電電位Ｖｎ₀が−５５０Ｖ以上０Ｖ未満ではなかった。正帯電測定条件における電位差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCが、０Ｖ以上ではなかった。

表３から明らかなように、感光体（Ｐ−Ｂ１）〜（Ｐ−Ｂ１１）では、画像ゴースト抑制の評価がＣ（不良）であった。

以上のことから、本発明に係る感光体は、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することが示された。また、本発明に係る画像形成装置は、形成画像における画像ゴーストの発生を抑制することが示された。

本発明に係る感光体は、画像形成装置に利用することがきる。本発明に係るプロセスカートリッジ及び画像形成装置は、記録媒体に画像を形成するために利用することができる。

Claims (8)

1. 導電性基体と単層の感光層とを備える、電子写真感光体であって、
   前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、２種以上の電子輸送剤とを含有し、
   ２種以上の前記電子輸送剤の合計質量は、前記正孔輸送剤の質量よりも多く、
   ２種以上の前記電子輸送剤は、第１電子輸送剤と第２電子輸送剤とを少なくとも含み、
   前記第１電子輸送剤は、一般式（１）で表される化合物であり、
   前記第２電子輸送剤は、一般式（２）、（３）、（４）、（５）、（６）又は（７）で表される化合物であり、
   前記正孔輸送剤は、一般式（１０）、（１１）、（１２）又は（１５）で表される化合物を含み、
   電流値を−５μＡに設定したコロトロン帯電器を用いて帯電させたときの前記電子写真感光体の帯電電位が、−５５０Ｖ以上０Ｖ未満であり、
   前記電子写真感光体を３周回転させながら各周において正帯電、露光及び転写を行い、各周における帯電電位が同一の正の値であり、露光量が同一であり、転写電流値が同一であるときに、第１周目における露光後かつ転写前の前記電子写真感光体の露光領域の表面電位Ｖｐ_LAと、第３周目における露光後かつ転写前の前記電子写真感光体の前記露光領域の表面電位Ｖｐ_LCとの差Ｖｐ_LA−Ｖｐ_LCが、０Ｖ以上である、電子写真感光体。
   

   

   前記一般式（１）中、
   Ｒ ¹ 、Ｒ ² 及びＲ ³ のうちの少なくとも１つは、炭素原子数４以上１０以下のアルキル基又は炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表し、
   前記炭素原子数２以上５以下のアルキル基は、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有し、
   Ｒ ¹ 、Ｒ ² 及びＲ ³ のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基を表し、
   Ｒ ¹ 、Ｒ ² 及びＲ ³ のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表してもよく、
   Ｒ ⁴ 、Ｒ ⁵ 及びＲ ⁶ のうちの少なくとも１つは、炭素原子数４以上１０以下のアルキル基又は炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表し、
   前記炭素原子数２以上５以下のアルキル基は、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有し、
   Ｒ ⁴ 、Ｒ ⁵ 及びＲ ⁶ のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基を表し、
   Ｒ ⁴ 、Ｒ ⁵ 及びＲ ⁶ のうちの少なくとも２つは、互いに結合して環を表してもよい。
   

   

   前記一般式（２）、（４）、（５）、（６）及び（７）中、Ｒ ²¹ 、Ｒ ²² 、Ｒ ²³ 、Ｒ ²⁴ 、Ｒ ⁴¹ 、Ｒ ⁴² 、Ｒ ⁴³ 、Ｒ ⁵¹ 、Ｒ ⁵² 、Ｒ ⁶¹ 、Ｒ ⁶² 、Ｒ ⁶³ 、Ｒ ⁶⁴ 、Ｒ ⁷¹ 、Ｒ ⁷² 及びＲ ⁷³ は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数２以上６以下のアルケニル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
   前記炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を少なくとも１つ有してもよく、
   前記一般式（３）中、Ｒ ³¹ 及びＲ ³² は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   前記一般式（４）中、Ｗは、−ＣＯ−Ｏ−又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ ₂ −を表す。
   

   

   前記一般式（１０）中、
   Ｒ ¹⁰¹ 、Ｒ ¹⁰² 、Ｒ ¹⁰³ 、Ｒ ¹⁰⁴ 及びＲ ¹⁰⁵ は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
   前記炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよく、
   ｂ ₁ 、ｂ ₂ 及びｂ ₃ は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。
   

   

   前記一般式（１１）中、
   Ｒ ¹¹¹ 、Ｒ ¹¹² 、Ｒ ¹¹³ 、Ｒ ¹¹⁴ 、Ｒ ¹¹⁵ 及びＲ ¹¹⁶ は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
   ｄ ₁ 、ｄ ₂ 、ｄ ₃ 及びｄ ₄ は、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
   ｄ ₅ 及びｄ ₆ は、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。
   

   

   前記一般式（１２）中、
   Ｒ ¹²¹ 、Ｒ ¹²² 、Ｒ ¹²³ 、Ｒ ¹²⁴ 、Ｒ ¹²⁵ 及びＲ ¹²⁶ は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数２以上６以下のアルケニル基を表し、
   ｅ ₁ 、ｅ ₂ 、ｅ ₃ 及びｅ ₄ は、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
   ｅ ₅ 及びｅ ₆ は、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。
   

   

   前記一般式（１５）中、
   Ｒ ¹⁵¹ 、Ｒ ¹⁵² 及びＲ ¹⁵³ は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
   ｈ ₁ 、ｈ ₂ 及びｈ ₃ は、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。
2. 前記一般式（１）中、
   Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの少なくとも１つは、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表し、
   Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表し、
   Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの少なくとも１つは、炭素原子数６以上１４以下のアリール基を有する炭素原子数２以上５以下のアルキル基を表し、
   Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶のうちの残りは、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表し、
   前記一般式（２）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   前記一般式（３）中、Ｒ³¹及びＲ³²は、それぞれ炭素原子数１以上５以下のアルキル基を表し、
   前記一般式（４）中、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²及びＲ⁴³は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、Ｗは、−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ₂−を表し、
   前記一般式（５）中、Ｒ⁵¹及びＲ⁵²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を１つ又は２つ有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
   前記一般式（６）中、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³及びＲ⁶⁴は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
   前記一般式（７）中、Ｒ⁷¹及びＲ⁷²は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ⁷³は、ハロゲン原子を表し、
   前記一般式（１０）中、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²及びＲ¹⁰³は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ¹⁰⁴及びＲ¹⁰⁵は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、ｂ₁、ｂ₂及びｂ₃は、各々独立に、０又は１を表し、
   前記一般式（１１）中、Ｒ¹¹¹、Ｒ¹¹²、Ｒ¹¹³、Ｒ¹¹⁴、Ｒ¹¹⁵及びＲ¹¹⁶は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、ｄ₁、ｄ₂、ｄ₃及びｄ₄は、各々独立に、０以上２以下の整数を表し、ｄ₅及びｄ₆は、それぞれ０を表し、
   前記一般式（１２）中、Ｒ¹²¹、Ｒ¹²²、Ｒ¹²³、Ｒ¹²⁴、Ｒ¹²⁵及びＲ¹²⁶は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、ｅ₁、ｅ₂、ｅ₃及びｅ₄は、各々独立に、０以上２以下の整数を表し、ｅ₅及びｅ₆は、それぞれ０を表し、
   前記一般式（１５）中、Ｒ¹⁵¹、Ｒ¹⁵²及びＲ¹⁵³は、それぞれ炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、ｈ₁、ｈ₂及びｈ₃は、各々独立に、０又は１を表す、請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記第１電子輸送剤は、前記一般式（１）で表される化合物であり、
   前記第２電子輸送剤は、前記一般式（２）で表される化合物であり、
   前記正孔輸送剤は、前記一般式（１０）で表される化合物を含む、請求項１に記載の電子写真感光体。
4. 前記一般式（１）で表される化合物は、化学式（１−１）で表される化合物であり、
   前記一般式（２）で表される化合物は、化学式（２−１）で表される化合物であり、
   前記一般式（１０）で表される化合物は、化学式（１０−１）、（１０−２）又は（１０−３）で表される化合物である、請求項３に記載の電子写真感光体。
   

   

   

   

   

   
5. 前記正孔輸送剤の質量に対する２種以上の前記電子輸送剤の合計質量の比率は、１．００より大きく１．２０以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
6. 請求項１に記載の電子写真感光体を備える、プロセスカートリッジ。
7. 請求項１に記載の電子写真感光体と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える画像形成装置であって、
   前記帯電部は、前記電子写真感光体の表面を正極性に帯電し、
   前記露光部は、帯電された前記電子写真感光体の前記表面を露光して、前記電子写真感光体の前記表面に静電潜像を形成し、
   前記現像部は、前記静電潜像をトナー像として現像し、
   前記転写部は、前記電子写真感光体から被転写体へ前記トナー像を転写する、画像形成装置。
8. 前記転写部によって前記電子写真感光体から前記被転写体に前記トナー像が転写された前記電子写真感光体の前記表面の領域は、除電されることなく前記帯電部によって再び正極性に帯電される、請求項７に記載の画像形成装置。

Images