CN105810136B - 阵列基板测试电路、显示面板及平面显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种阵列基板测试电路、显示面板及平面显示装置。该电路包括至少一子电路，子电路包括第一输入端接收数据信号、至少一第二输入端接收第一时钟信号、至少一第三输入端接收第二时钟信号、至少一驱动输出端为像素充电、第一开关单元包括与第二输入端数量相同的可控开关，第二开关单元包括与可控开关数量相同的子单元及与第三输入端数量相同的第一反相器，子单元包括与第三输入端数量相同的传输门，可控开关的控制端连接第二输入端，第一端连接第一输入端，第二端连接传输门的输入端，传输门的第一控制端连接第三输入端及第一反相器的输入端，第二控制端连接第一反相器的输出端，输出端连接驱动输出端，以此避免数据信号失真。

Description

阵列基板测试电路、显示面板及平面显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板测试电路、显示面板及平面显示装置。
背景技术
目前的平面显示装置中采用扫描驱动电路，也就是利用现有薄膜晶体管平面显示器阵列制程将扫描驱动电路制作在阵列基板上，实现对逐行扫描的驱动方式，同时在阵列基板上设置阵列基板测试电路，以在阵列基板完成之后对阵列基板进行电性测试，然而，现有的阵列基板测试电路中的可控开关会对数据线上的电位产生较大影响而造成数据信号失真，使得像素不能充电至理想的电位。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板测试电路、显示面板及平面显示装置，以解决阵列基板测试电路中的可控开关对数据线上的电位产生较大影响而造成数据信号失真的问题，使得像素能充电至理想的电位。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板测试电路，所述阵列基板测试电路包括至少一子电路，所述子电路包括一第一输入端、至少一第二输入端、至少一第三输入端、至少一驱动输出端、第一开关单元及第二开关单元，所述第一输入端用于接收一数据信号，每一第二输入端用于接收一第一时钟信号，每一第三输入端用于接收一第二时钟信号，每一驱动输出端连接一像素，用于输出驱动信号为所述像素充电，所述第一开关单元包括与所述第二输入端数量相同的可控开关，所述第二开关单元包括与所述可控开关数量相同的子单元及与所述第三输入端数量相同的第一反相器，每一子单元包括与所述第三输入端数量相同的传输门，每一可控开关的控制端连接一第二输入端，每一可控开关的第一端连接所述第一输入端，每一可控开关的第二端连接一子单元中每一传输门的输入端，每一子单元中每一传输门的第一控制端连接一第三输入端及一第一反相器的输入端，每一子单元中每一传输门的第二控制端连接所述相应地第一反相器的输出端，每一传输门的输出端连接一驱动输出端。
其中，所述传输门包括一N型薄膜晶体管及一P型薄膜晶体管，所述P型薄膜晶体管的栅极作为为所述传输门的第二控制端，所述P型薄膜晶体管的漏极与所述N型薄膜晶体管的漏极相连，并作为所述传输门的输入端，所述P型薄膜晶体管的源极与所述N型薄膜晶体管的源极相连，并作为所述传输门的输出端，所述N型薄膜晶体管的栅极作为所述传输门的第一控制端。
其中，所述可控开关为N型MOS薄膜晶体管，所述可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极；或者所述可控开关为P型MOS薄膜晶体管，所述可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极。
其中，所述第二开关单元还包括与所述第一反相器数量相同的第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器分别设置在所述子单元的两侧，每一子单元中每一传输门的第一控制端连接一第三输入端、一第一反相器的输入端及一第二反相器的输入端，每一子单元中每一传输门的第二控制端连接所述相应地第一反相器的输出端及相应地第二反向器的输出端。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板测试电路，所述阵列基板测试电路包括至少一子电路，所述子电路包括一第一输入端、至少一第二输入端、至少一第三输入端、至少一驱动输出端、第一开关单元及第二开关单元，所述第一输入端用于接收一数据信号，每一第二输入端用于接收一第一时钟信号，每一第三输入端用于接收一第二时钟信号，每一驱动输出端连接一像素，用于输出驱动信号为所述像素充电，所述第一开关单元包括与所述第二输入端数量相同的可控开关，所述第二开关单元包括与所述可控开关数量相同的子单元及与所述第三输入端数量相同的第一反相器，每一子单元包括与所述第三输入端数量相同的传输门，每一可控开关的控制端连接一第二输入端，每一可控开关的第一端连接所述第一输入端，每一可控开关的第二端连接一子单元中每一传输门的输入端，每一子单元中每一传输门的第一控制端连接一第三输入端及一第一反相器的输入端，每一子单元中每一传输门的第二控制端连接所述相应地第一反相器的输出端，每一传输门的输出端连接一驱动输出端。
其中，所述传输门包括一N型薄膜晶体管及一P型薄膜晶体管，所述P型薄膜晶体管的栅极作为为所述传输门的第二控制端，所述P型薄膜晶体管的漏极与所述N型薄膜晶体管的漏极相连，并作为所述传输门的输入端，所述P型薄膜晶体管的源极与所述N型薄膜晶体管的源极相连，并作为所述传输门的输出端，所述N型薄膜晶体管的栅极作为所述传输门的第一控制端。
其中，所述可控开关为N型MOS薄膜晶体管，所述可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极；或者所述可控开关为P型MOS薄膜晶体管，所述可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极。
其中，所述第二开关单元还包括与所述第一反相器数量相同的第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器分别设置在所述子单元的两侧，每一子单元中每一传输门的第一控制端连接一第三输入端、一第一反相器的输入端及一第二反相器的输入端，每一子单元中每一传输门的第二控制端连接所述相应地第一反相器的输出端及相应地第二反向器的输出端。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种平面显示装置，所述平面显示装置包括如权利要求1-4任一所述的阵列基板测试电路。
其中，所述平面显示装置为LCD或OLED。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的所述阵列基板测试电路通过所述第一开关单元及所述第二开关单元将一路数据信号复用为多路数据信号以提供给多个像素进行充电，并通过所述第二开关单元中的传输门及反相器将所述第二开关单元产生的电容耦合效应抵消，并在关闭所述第二开关单元后再关闭所述第一开关单元，从而避免所述第一及第二开关单元造成数据信号失真，使得像素能充电至理想的电位。
附图说明
图1是现有技术的阵列基板测试电路的结构示意图；
图2是现有技术的阵列基板测试电路的波形图；
图3是本发明的阵列基板测试电路的第一实施例的结构示意图；
图4是图3中的传输门的结构示意图；
图5是本发明的阵列基板测试电路的波形图；
图6是本发明的阵列基板测试电路的第二实施例的结构示意图；
图7是本发明的显示面板的结构示意图；
图8是本发明的平面显示装置的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图1，是现有技术中阵列基板测试电路示意图，因为整个阵列基板测试电路上的数据信号线数量有限，为了使用有限的数据信号线对整个阵列基板进行测试，则需要使用两级开关电路，即第一开关单元10及第二开关单元20。阵列基板测试电路上的一条数据信号线Data输出的数据信号先经过第一开关单元10及时钟信号CK1、CK2、CK3的多路复用处理后将一路数据信号变为三路数据信号，之后，经由第一开关单元10处理后的数据信号进入第二开关单元20及时钟信号CK4、CK5、CK6、CK7的多路复用处理后将一路数据信号变为四路数据信号，也就是说，从所述数据线Data输出的一路数据信号经过所述第一开关单元10后变为三路数据信号，所述三路数据信号再经过所述第二开关单元20后变为十二路数据信号，以实现对十二个像素进行充电。请参阅图2，是现有技术中阵列基板测试电路的波形图，由图2可知，通过图1所示的阵列基板测试电路对数据信号进行复用输出的过程中，输出的数据信号会发生失真，不能保持理想输出的电位，其中，数据信号发生失真是在所述第二开关单元20中时钟信号CK4、CK5、CK6、CK7由高电平向低电平跳变的瞬间，造成数据信号失真是由于第二开关单元20中的薄膜晶体管TFT的寄生电容造成的。
请参阅图3，是本发明的阵列基板测试电路的第一实施例的结构示意图。在本实施方式中，仅以一个数据信号线连接的阵列基板测试电路的一个子电路1为例进行说明。如图3所示，本发明的所述阵列基板测试电路包括至少一子电路1，所述子电路1包括一第一输入端、至少一第二输入端、至少一第三输入端、至少一驱动输出端、第一开关单元100及第二开关单元200，所述第一输入端用于从一数据线Data接收一数据信号，每一第二输入端用于接收一第一时钟信号，每一第三输入端用于接收一第二时钟信号，每一驱动输出端连接一像素，用于输出驱动信号为所述像素充电，所述第一开关单元100包括与所述第二输入端数量相同的可控开关T1，所述第二开关单元200包括与所述可控开关T1数量相同的子单元210及与所述第三输入端数量相同的第一反相器U1，每一子单元210包括与所述第三输入端数量相同的传输门TG1，每一可控开关T1的控制端连接一第二输入端，每一可控开关T1的第一端连接所述第一输入端，每一可控开关T1的第二端连接一子单元210中每一传输门的输入端，每一子单元210中每一传输门TG1的第一控制端连接一第三输入端及一第一反相器U1的输入端，每一子单元210中每一传输门TG1的第二控制端连接所述相应地第一反相器U1的输出端，每一传输门TG1的输出端连接一驱动输出端。
在所述第一实施例中，所述可控开关T1为N型MOS薄膜晶体管，所述可控开关T1的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极。在其他实施例中，所述可控开关也可为其他类型的开关，只要能实现本发明的目的即可。
所述第二开关单元210还包括与所述第一反相器U1数量相同的第二反相器U2(在所述第一实施例中，所述第二反相器的数量也为四个)，所述第一反相器U1与所述第二反相器U2分别设置在所述子单元210的两侧，每一子单元210中每一传输门TG1的第一控制端连接一第三输入端、一第一反相器U1的输入端及一第二反相器U2的输入端，每一子单元210中每一传输门TG1的第二控制端连接所述相应地第一反相器U1的输出端及相应地第二反向器U2的输出端。在本实施例中，通过设置所述第二反相器U2来进一步更好的驱动控制所述传输门TG1，在其他实施例中，也可根据需要不设置所述第二反相器U2而仅设置所述第一反相器U1即可。
请参阅图4，是本发明的传输门的结构示意图。如图4所示，所述传输门TG1包括一N型薄膜晶体管及一P型薄膜晶体管，所述P型薄膜晶体管的栅极作为为所述传输门TG1的第二控制端，所述P型薄膜晶体管的漏极与所述N型薄膜晶体管的漏极相连，并作为所述传输门TG1的输入端，所述P型薄膜晶体管的源极与所述N型薄膜晶体管的源极相连，并作为所述传输门TG1的输出端，所述N型薄膜晶体管的栅极作为所述传输门的第一控制端。
在其他实施例中，所述第二输入端、所述第三输入端、所述可控开关、所述传输门及所述第一及第二反相器的数量可以根据实际需要进行设置而不限于本实施例中的数量，只要能实现本发明的目的即可。
在此以所述阵列基板测试电路中的一个子电路1为例对其工作原理描述如下(其中，仅以第一开关单元100中的一个可控开关T1及第二开关单元200中的一个传输门TG1及一个第一反相器U1为例)：
当所述第一开关单元100中的可控开关T1的控制端从所述第二输入端接收到时钟信号CK1输出的高电平信号时，所述可控开关T1导通，此时连接所述第一输入端的数据线Data输出的数据信号经由所述可控开关T1进入到所述第二开关单元200中的传输门TG1的输入端，当所述第三输入端接收到的时钟信号CK4输出高电平信号时，所述传输门TG1的第一控制端接收所述高电平信号，所述高电平信号同时经所述第一反相器后输出低电平信号并提供给所述传输门TG1的第二控制端，此时所述传输门TG1导通，所述传输门TG1输入端接收到的数据信号经所述传输门TG1的输出端及所述驱动输出端提供给像素进行充电。由于传输门是由一个N型薄膜晶体管和一个P型薄膜晶体管构成，而N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管具有互补的特性，因此当传输门截止的瞬间，N型薄膜晶体管会造成数据线上电平降低的电容耦合效应，而同时P型薄膜晶体管会造成数据线上电平升高的电容耦合效应。如果N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的尺寸一样，即具有相同的寄生电容，那么N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管对数据线造成的影响会相互抵消，因此，传输门的导通或截止不会造成数据线上电位的变化。当所述第三输入端输出的时钟信号复用完毕之后，所述第一开关单元100中的可控开关截止，由于此时所述第二开关单元200中的传输门已经截止，因此所述第二输入端输出的时钟信号的电平变化不会造成数据线上的电位变化，即所述第一开关单元100中的可控开关不会造成所述驱动输出端电位的变化，所述第二开关单元200中的传输门也不会造成所述驱动输出端电位的变化，以此避免造成数据信号失真，使得像素能充电至理想的电位。
请参阅图5，是本发明的基板测试电路的波形图。如图5所示，通过所述第二开关单元200中的传输门对所述阵列基板测试电路进行控制的过程中，所述驱动输出端输出给所述像素的数据信号不会发生失真，当所述第二开关单元200中的传输门截止(关闭)之后，所述第一开关单元100中的可控开关的导通(开启)或截止(关闭)不会影响所述驱动输出端输出的数据信号的电位的变化。
请参阅图6，是本发明的阵列基板测试电路的第二实施例的结构示意图。所述阵列基板测试电路的第二实施例与上述第一实施例的区别之处在于：所述第一开关单元100中的可控开关为P型MOS薄膜晶体管，所述可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极，所述可控开关与所述阵列基板测试电路中的其他元件的连接关系及工作原理与上述第一实施例相同，在此不再赘述。
请参阅图7，是本发明一种显示面板的结构示意图。所述显示面板包括前述的阵列基板测试电路，设置在所述显示面板的上部的Array Test区，所述显示面板还包括AA区，GOA区，Fanout区，Demux区，WOA区，IC区，FPC区。其中，Array Test区用于在阵列基板完成之后，对阵列基板的电性进行测试；AA区用于像素的显示；GOA区，即Gate On Array，用于产生面板内薄膜晶体管TFT的栅极驱动信号；Fanout区用于芯片与AA区数据线的走线连接；Demux区，用于将从芯片引出的数据线进行拆分为多条数据线；WOA区，即Wire On Array，用于面板周围走线的连接；IC区，用于芯片的焊接，通过芯片驱动面板内电路和薄膜晶体管TFT；FPC区，用于柔性电路板的焊接，通过柔性电路板连接手机主板。
请参阅图8，为本发明一种平面显示装置的结构示意图。所述平面显示装置包括前述的显示面板。其中，所述平面显示装置为LCD或OLED。
所述阵列基板测试电路通过所述第一开关单元及所述第二开关单元将一路数据信号复用为多路数据信号以提供给多个像素进行充电，并通过所述第二开关单元中的传输门及反相器将所述第二开关单元产生的电容耦合效应抵消，并在关闭所述第二开关单元后再关闭所述第一开关单元，从而避免所述第一及第二开关单元造成数据信号失真，使得像素能充电至理想的电位。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种阵列基板测试电路，其特征在于，所述阵列基板测试电路包括至少一子电路，所述子电路包括一第一输入端、至少一第二输入端、至少一第三输入端、至少一驱动输出端、第一开关单元及第二开关单元，所述第一输入端用于接收一数据信号，每一第二输入端用于接收一第一时钟信号，每一第三输入端用于接收一第二时钟信号，每一驱动输出端连接一像素，用于输出驱动信号为所述像素充电，所述第一开关单元包括与所述第二输入端数量相同的可控开关，所述第二开关单元包括与所述可控开关数量相同的子单元及与所述第三输入端数量相同的第一反相器，每一子单元包括与所述第三输入端数量相同的传输门，每一可控开关的控制端分别与每一第二输入端对应连接，每一可控开关的第一端分别连接所述第一输入端，每一可控开关的第二端分别连接一子单元中每一传输门的输入端，每一子单元中每一传输门的第一控制端分别与每一第三输入端及每一第一反相器的输入端对应连接，每一子单元中每一传输门的第二控制端连接相应的第一反相器的输出端，每一传输门的输出端连接一驱动输出端；
所述传输门包括一N型薄膜晶体管及一P型薄膜晶体管，所述P型薄膜晶体管的栅极作为所述传输门的第二控制端，所述P型薄膜晶体管的漏极与所述N型薄膜晶体管的漏极相连，并作为所述传输门的输入端，所述P型薄膜晶体管的源极与所述N型薄膜晶体管的源极相连，并作为所述传输门的输出端，所述N型薄膜晶体管的栅极作为所述传输门的第一控制端；
所述可控开关为N型MOS薄膜晶体管，所述可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极；或者所述可控开关为P型MOS薄膜晶体管，所述可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板测试电路，其特征在于，所述第二开关单元还包括与所述第一反相器数量相同的第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器分别设置在所述子单元的两侧，每一子单元中每一传输门的第一控制端连接一第三输入端、一第一反相器的输入端及一第二反相器的输入端，每一子单元中每一传输门的第二控制端连接所述相应的第一反相器的输出端及相应的第二反相器的输出端。
3.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板测试电路，所述阵列基板测试电路包括至少一子电路，所述子电路包括一第一输入端、至少一第二输入端、至少一第三输入端、至少一驱动输出端、第一开关单元及第二开关单元，所述第一输入端用于接收一数据信号，每一第二输入端用于接收一第一时钟信号，每一第三输入端用于接收一第二时钟信号，每一驱动输出端连接一像素，用于输出驱动信号为所述像素充电，所述第一开关单元包括与所述第二输入端数量相同的可控开关，所述第二开关单元包括与所述可控开关数量相同的子单元及与所述第三输入端数量相同的第一反相器，每一子单元包括与所述第三输入端数量相同的传输门，每一可控开关的控制端连接一第二输入端，每一可控开关的第一端连接所述第一输入端，每一可控开关的第二端连接一子单元中每一传输门的输入端，每一子单元中每一传输门的第一控制端连接一第三输入端及一第一反相器的输入端，每一子单元中每一传输门的第二控制端连接相应的第一反相器的输出端，每一传输门的输出端连接一驱动输出端；
所述传输门包括一N型薄膜晶体管及一P型薄膜晶体管，所述P型薄膜晶体管的栅极作为所述传输门的第二控制端，所述P型薄膜晶体管的漏极与所述N型薄膜晶体管的漏极相连，并作为所述传输门的输入端，所述P型薄膜晶体管的源极与所述N型薄膜晶体管的源极相连，并作为所述传输门的输出端，所述N型薄膜晶体管的栅极作为所述传输门的第一控制端；
所述可控开关为N型MOS薄膜晶体管，所述可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极；或者所述可控开关为P型MOS薄膜晶体管，所述可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述MOS薄膜晶体管的栅极、漏极及源极。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二开关单元还包括与所述第一反相器数量相同的第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器分别设置在所述子单元的两侧，每一子单元中每一传输门的第一控制端连接一第三输入端、一第一反相器的输入端及一第二反相器的输入端，每一子单元中每一传输门的第二控制端连接所述相应的第一反相器的输出端及相应的第二反相器的输出端。
5.一种平面显示装置，其特征在于，所述平面显示装置包括如权利要求1-2任一所述的阵列基板测试电路。
6.根据权利要求5所述的平面显示装置，其特征在于，所述平面显示装置为LCD或OLED。
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