CN105723244A - 放射线检测器、以及放射线检测器的制造方法 - Google Patents

放射线检测器、以及放射线检测器的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明所涉及的放射线检测器(1)的特征在于：具备具有受光部(3)以及多个焊垫(5)的光电转换元件阵列(7)、被层叠于光电转换元件阵列(7)上的闪烁体层(8)、以从闪烁体层(8)以及焊垫(5)分开且通过闪烁体层(8)与焊垫(5)之间并且包围闪烁体层(8)的形式被形成于光电转换元件阵列(7)上的树脂框(9)、覆盖闪烁体层(8)并具有位于树脂框(9)上的外缘(13a)的保护膜(13)，树脂框(9)的内缘(E1)与闪烁体层(8)的外缘(E3)之间的第1距离(D1)成为短于树脂框(9)的外缘(E2)与光电转换元件阵列(7)的外缘(E4)之间的第2距离，外缘(13a)以及沟槽部(9a)由激光来进行加工。

Description

放射线检测器、以及放射线检测器的制造方法
技术领域
本发明涉及放射线检测器、以及放射线检测器的制造方法。
背景技术
一直以来，如下述专利文献1所示将柱状结晶结构的闪烁体层形成于传感器面板(受光部)上的放射线检测器(放射线检测元件)是为人们所知的。在该放射线检测器中，与受光元件相电连接的多个焊垫(bondingpad)(接合垫)被配置于受光部的外侧。另外，在从闪烁体层的层叠方向来看的情况下，以通过闪烁体层与焊垫之间并且包围闪烁体层的形式形成树脂框。闪烁体层被耐湿保护膜覆盖，耐湿保护膜的外缘到达树脂框上。
具备像这样的放射线检测器的放射线检测装置除了固定型(stationarytype)之外即使就便携式的装置而言也是需要的。因此，要求对放射线检测装置实行小型化以及轻量化。为此，要求对构成放射线检测装置的放射线检测器实行小型化以及轻量化。为了对放射线检测器实行小型化而优选通过尽量减小树脂框并尽量缩短树脂框与闪烁体层的外缘的距离从而尽量增大树脂框的内侧区域中的闪烁体层的面积(有效面积)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3077941号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
可是，在上述专利文献1所记载的放射线检测器的制造过程中，被形成于树脂框上的耐湿薄膜沿着树脂框由切割器而被切断。但是，在随着树脂框的小型化而缩短树脂框与闪烁体层的外缘的距离的状态下，因为对于用切割器来切断耐湿保护膜的作业来说要有相当的熟练度，所以从生产性以及制造成本的观点出发还有改善的余地。
因此，本发明的目的在于提供一种兼备装置的小型化以及闪烁体层的有效面积大型化并且能够谋求到生产性的提高的放射线检测器、以及其制造方法。
解决技术问题的手段
本发明所涉及的放射线检测器具备：光电转换元件阵列，具有包含被排列成一维或者二维的多个光电转换元件的受光部、以及与光电转换元件相电连接并且被配置于受光部外侧的多个焊垫；闪烁体层，以覆盖受光部的形式被层叠于光电转换元件阵列上并且将放射线转换成光；树脂框，在从闪烁体层的层叠方向来看的情况下以从闪烁体层以及焊垫分开且通过闪烁体层与焊垫之间并且包围闪烁体层的形式被形成于光电转换元件阵列上；保护膜，覆盖闪烁体层并具有位于树脂框上的外缘；树脂框的内缘与闪烁体层的外缘之间的第1距离成为短于树脂框的外缘与光电转换元件阵列的外缘之间的第2距离，保护膜的外缘、以及在树脂框上对应于保护膜的外缘的对应区域成为被激光加工的状态。
关于本发明所涉及的放射线检测元件，树脂框上的保护膜由激光进行加工。对于由激光来完成的加工来说与由切割器来完成的切断相比较因为没有必要熟练的技术，所以能够提高生产性。另外，如果由激光进行加工的话，因为能够高精度地切割保护膜，所以能够对树脂框实行小型化。另外，树脂框因为是从闪烁体层以及焊垫分开来被形成，所以能够抑制由在制造时的激光引起的对闪烁体层以及焊垫的不良影响。另外，通过接近于闪烁体层来配置树脂框从而还能够谋求到闪烁体层的有效面积的大型化。因此，根据本发明所涉及的放射线检测器，则能够兼备装置的小型化以及闪烁体层的有效面积的大型化并且能够谋求到生产性的提高。
关于上述放射线检测器，保护膜的外缘以及对应区域在从上述层叠方向来看的情况下也可以成为细微的波浪形状。由此，在用覆盖树脂来覆盖树脂框上的保护膜的情况等之下，因为保护膜的外缘以及对应区域与覆盖树脂的接触面积增加，所以能够更加牢固地做到保护膜的外缘以及对应区域与覆盖树脂的粘结。
关于上述放射线检测器，对应区域的高度也可以成为树脂框高度的1/3以下。由此，能够更加有效地抑制由对应于位于树脂框下方的光电转换元件阵列的激光引起的不良影响。
关于上述放射线检测器，第2距离相对于第1距离的比率也可以成为5以上。通过控制到像这样的比率从而就能够更加有效地抑制在制造时的由激光引起的对焊垫的不良影响并且确保闪烁体层的有效面积，能够谋求到装置的小型化。
关于上述放射线检测器，树脂框是以中央部成为高于两缘部的形式被形成的，树脂框的高度也可以成为低于闪烁体层的高度。由此，能够对树脂框实行小型化并且能够更加有效地抑制在制造时的由激光引起的对闪烁体层的不良影响。
关于上述放射线检测器，树脂框的内缘与树脂框的外缘之间的宽度为900μm以下，树脂框的高度也可以是450μm以下。由此，通过对树脂框实行小型化从而既确保了闪烁体层的有效面积有能够进一步对装置实行小型化。
关于上述放射线检测器，由激光进行加工的保护膜的外缘以及对应区域在从层叠方向来看的情况下也可以被形成为具有向外侧凸出的弧状角部的大致矩形环状。根据上述放射线检测器，通过将保护膜的角部(四角的角部分)做成向外侧凸出的弧状(所谓R形状)从而就能够抑制保护膜在角部从树脂框剥离。
上述放射线检测器也可以进一步具备以覆盖保护膜的外缘的形式沿着树脂框被配置的覆盖树脂层。通过具备像这样的覆盖树脂层从而就能够以树脂框和覆盖树脂层来夹入并固定保护膜的外缘。由此，就能够在保护膜的外缘抑制保护膜从树脂框剥离。
关于上述放射线检测器，闪烁体层的周缘部也可以成为随着朝向闪烁体层的外侧而高度渐渐变低的锥形状。就这样通过以闪烁体层的周缘部的高度大致外侧变低的形式进行处理，从而就能够在制造时限定由激光引起的不良影响涉及到闪烁体层的区域。
关于上述放射线检测器，保护膜也可以包含使光反射的金属膜。由此，就能够防止在闪烁体层上产生的光泄漏到外面，并且能够提高放射线检测器的检测灵敏度。
本发明所涉及的放射线检测器的制造方法的特征在于：具备以下工序：准备具有包含被排列成一维或者二维的多个光电转换元件的受光部、以及与光电转换元件相电连接并且被配置于受光部外侧的多个焊垫的光电转换元件阵列，以覆盖受光部的形式在光电转换元件阵列上层叠将放射线转换成光的闪烁体层的工序；在从闪烁体层的层叠方向来看的情况下以从闪烁体层以及焊垫分开且通过闪烁体层与焊垫之间并且包围闪烁体层的形式将树脂框形成于光电转换元件阵列上的工序；以至少覆盖光电转换元件阵列的闪烁体层被层叠的一侧的全体表面的形式形成保护膜的工序；通过沿着树脂框照射激光从而切断保护膜并除去保护膜的外侧部分的工序；在形成树脂框的工序中以树脂框的内缘与闪烁体层的外缘之间的第1距离成为短于树脂框的外缘与光电转换器元件阵列的外缘之间的第2距离的形式形成树脂框。
根据本发明所涉及的放射线检测元件的制造方法，因为是由激光来切断树脂框上的保护膜，所以与凭借切割器的切断相比较相对来说熟练的技术不再有必要并且能够提高生产性。另外，因为能够由激光来高精度地切断保护膜，所以能够对树脂框实行小型化。另外，通过从闪烁体层以及焊垫分开来形成树脂框从而就能够抑制在保护膜切断时的由激光引起的对闪烁体层以及焊垫的不良影响。另外，通过接近于闪烁体层来配置树脂框从而还能够谋求到闪烁体层的有效面积的大型化。
发明效果
根据本发明的一个侧面，能够提供一种兼备装置的小型化以及闪烁体层的有效面积大型化并且能够谋求到生产性的提高的放射线检测器、以及其制造方法。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的放射线检测器的平面图。
图2是沿着图1的II-II线的截面图。
图3是图1的放射线检测器的角部附近的放大平面图。
图4是表示图1的放射线检测器的制造工序中的(a)闪烁体层形成前的状态以及(b)闪烁体层形成后的状态的截面图。
图5是表示图1的放射线检测器的制造工序中的(a)树脂框形成后的状态以及(b)第1有机膜形成后的状态的截面图。
图6是表示图1的放射线检测器的制造工序中的(a)无机膜形成后的状态以及(b)第2有机膜形成后的状态的截面图。
图7是表示图1的放射线检测器的制造工序中的根据激光的加工处理的截面图。
图8是表示图1的放射线检测器的制造工序中的(a)保护膜切断后的状态以及(b)覆盖树脂层形成后的状态的截面图。
具体实施方式
以下是参照附图并就本发明的实施方式进行说明。在可能的情况下将相同符号标注于相同部分并省略重复的说明。另外，各个附图中的尺寸以及形状并不一定与实物相同。
首先，参照图1以及图2并就本实施方式所涉及的放射线检测器1的结构作如下说明。如图1以及图2所示放射线检测器1具备光电转换元件阵列7、闪烁体层8、树脂框9、保护膜13以及覆盖树脂层14。光电转换元件阵列7具有基板2、受光部3、信号线4、焊垫5以及钝化膜6。保护膜13具有第1有机膜10、无机膜(金属膜)11以及第2有机膜12。
受光部3是包含在绝缘性的基板2(例如玻璃制基板)的中央部的矩形状区域被排列成二维的多个光电转换元件3a来构成的。光电转换元件3a是由非晶硅制的光电二极管(PD)和薄膜晶体管(TFT)等进行构成的。受光部3上的各行或者各列光电转换元件3a各自是由信号读出用的信号线4而与用于向外部电路(没有图示)取出信号的焊垫5相电连接。
焊垫5沿着在基板2的外缘当中邻接的2边(图1中的上边、右边)每隔规定间隔被配置多个，并且通过信号线4被电连接于所对应的多个光电转换元件3a。在光电转换元件3a以及信号线4上形成绝缘性的钝化膜6。对于该钝化膜6来说能够使用例如氮化硅和氧化硅等。焊垫5为了与外部电路相连接而被露出。
将X射线(放射线)转换成光的柱状结构的闪烁体8a以覆盖受光部3的形式被层叠于光电转换元件阵列7上。通过在光电转换元件阵列7上的包含受光部3的大致矩形状的区域(用图1的虚线围起来的区域)层叠多层闪烁体8a，从而形成闪烁体层8。对于闪烁体层8来说能够使用各种材料，例如能够使用发光效率好的掺铊(Tl)的碘化铯(CeI)。
闪烁体层8的周缘部8b成为随着朝向闪烁体层8的外侧而高度渐渐变低的锥形状。总之，在周缘部8b，大致被形成于闪烁体层8外侧的闪烁体8a其高度变低。在此，周缘部8b是受光部3没有被形成于下方的区域(有效画面外区域)或者是X射线图像生成中的影响小的区域。因此，通过设置像这样的锥形状的周缘部8b从而就能够在制造时限定由激光引起的不良影响所涉及到的闪烁体层8上的区域。在此，周缘部8b的倾斜角度即从闪烁体层8的内侧朝着外侧连结被形成于周缘部8b的闪烁体8a的高度位置的直线相对于基板2的上表面所成的角度θ包含于20度～80度的范围内。
树脂框9在从闪烁体层8的层叠方向A来看的情况下是以通过闪烁体层8与焊垫5之间并且包围闪烁体层8的形式被形成于光电转换元件阵列7上。树脂框9的角部形状成为向外侧凸出的弧状(所谓R形状)。树脂框9例如是硅树脂。
树脂框9是以中央部成为高于两缘部的形式被形成的，树脂框9的高度d1成为低于闪烁体层8的高度d。由此，能够对树脂框9进行小型化而并且抑制在制造时的由激光引起的对闪烁体层8的不良影响。在此，树脂框9的高度d1是光电转换元件阵列7的上表面位置与树脂框9的顶点位置之间的距离，闪烁体层8的高度d是被包含于闪烁体层8中的闪烁体8a的最大高度。
树脂框9从对放射线检测器1进行小型化的观点出发优选要尽量减小。更加具体地来说树脂框9的高度d1优选为450μm以下，树脂框9的宽度d2优选为900μm以下。在此，树脂框9的宽度d2为树脂框9的内缘E1(闪烁体层8侧的缘部)与树脂框9的外缘E2(焊垫5侧的缘部)之间的宽度。
另外，树脂框9的内缘E1与闪烁体层8的外缘E3之间的距离(第1距离)D1成为短于树脂框9的外缘E2与光电转换元件阵列7的外缘E4之间的距离(第2距离)D2。从所谓抑制在制造时的由激光引起的对焊垫5的不良影响并且确保闪烁体层8的有效面的观点出发，第2距离D2相对于第1距离D1的比率优选成为5以上。更加具体地来说第1距离D1优选为1mm以下，第2距离D2优选位为5mm以上。这是由以下所述理由得出的结论。
如果在闪烁体层8的外缘E3与树脂框9的内缘E1之间没有间隙的话则能够使闪烁体层8的有效面积最大化。但是，如果分别考虑了在制造时的由激光引起的对闪烁体层8的不良影响或在形成树脂框9的工序中的一点点失败(例如将树脂框9形成于闪烁体层8上的情况)的话则优选将第1距离D1确保在1mm以下的范围。另外，通过将第2距离D2控制在5mm以上，从而在考虑了在制造时的由激光引起的对焊垫5的不良影响之后就能够在树脂框9与焊垫5之间确保充分的距离。
闪烁体层8被保护膜13覆盖。保护膜13是通过第1有机膜10、无机膜11以及第2有机膜12就按这个顺序从闪烁体层8被层叠来形成的。第1有机膜10、无机膜11以及第2有机膜12任一个都能透过X射线(放射线)，并且具有隔断水蒸气的性质。具体地来说就第1有机膜10以及第2有机膜12而言能够使用聚对二甲苯以及聚对氯二甲苯等。另外，无机膜11相对于光即使为透明、不透明以及反应性当中的任一个都是可以的，对于无机膜11来说例如能够使用硅(Si)和钛(Ti)以及铬(Cr)等的氧化膜、金和银以及铝(Al)等的金属膜。作为无机膜11通过使用使光反射的金属膜从而就能够防止在闪烁体8a上发生的荧光发生外漏，并且能够提高放射线检测器1的检测灵敏度。在本实施方式中，就作为无机膜11而使用容易加工成形的Al的例子进行说明。Al自身在空气中容易发生腐蚀，但是因为无机膜11被第1有机膜10以及第2有机膜12夹住，所以难以被腐蚀。
保护膜13例如是由CVD法进行形成的。为此，在刚形成保护膜13之后的状态下保护膜13是以覆盖光电转换元件阵列7的全体表面的形式被形成的。因此，为了使焊垫5露出而保护膜13在比光电转换元件阵列7的焊垫5更内侧的位置上被切断，外侧的保护膜13被除去。如后面所述保护膜13在树脂框9的中央部附近被激光切断(加工)，保护膜13的外缘13a由树脂框9而被固定。由此，就能够防止保护膜13从外缘13a发生剥离。在此，对于保护膜13的切断来说例如能够使用二氧化碳激光(CO2激光)和超短脉冲(纳秒或皮秒)的半导体激光等。通过使用二氧化碳激光从而就变得以一次扫描(短时间)就能够切断保护膜13，并且能够提高生产性。还有，所谓对光电转换元件阵列7和焊垫5以及闪烁体层8等的不良影响就是例如在使用二氧化碳激光或超短脉冲激光的情况下为热损伤。
保护膜13的外缘13a位于树脂框9上，由沿着树脂框9被配置的覆盖树脂层14而与树脂框9一起被涂覆。对于覆盖树脂层14来说能够使用对保护膜13以及树脂框9的粘结性良好的树脂例如能够使用丙烯酸树脂类粘结剂等。还有，对于覆盖树脂层14来说也可以使用与树脂框9相同的硅树脂。或者，也可以将与覆盖树脂层14相同的丙烯酸树脂类粘结剂用于树脂框9。
接着，参照图3并就树脂框9以及保护膜13的角部(角部分)作如下说明。在图3中以容易理解树脂框9以及保护膜13的角部的状态的形式省略了一部分覆盖树脂层14的图示。
细节将会在后面进行叙述，但是通过在放射线检测器1的制造工序中激光被照射于树脂框9上的保护膜13，从而保护膜13的激光被照射的部分被切断除去。在此，保护膜13因为非常薄所以树脂框9的一部分由二氧化碳激光也被一起切断除去。由此，在树脂框9的中央附近形成沟槽部(对应区域)9a。保护膜13的外缘13a、以及在树脂框9上对应于保护膜13的外缘13a的沟槽部9a成为被激光加工的状态。在此，沟槽部9a的深度(高度)d3被控制在树脂框9的高度d1的1/3以下。由此，就能够抑制由对应于位于树脂框9的下方的光电转换元件阵列7的激光引起的不良影响。
如图3所示，由激光而被加工的保护膜13的外缘13a以及沟槽9a在从闪烁体层8的层叠方向A来看的情况下被形成为具有向外侧凸出的弧状角部(参照图3所表示的区域B)的大致矩形环状。另外，保护膜13的外缘13a以及沟槽部9a在从层叠方向A来看的情况下成为细微的波浪形状。总之，保护膜13的外缘13a以及沟槽部9a的表面例如与由切割器等刃具形成的平坦的切割面不同，成为具有微小凹凸的表面。由此，因为保护膜13的外缘13a以及沟槽部9a与覆盖树脂层14的接触面积增加，所以能够进一步牢固地增强保护膜13的外缘13a以及沟槽部9a与覆盖树脂层14的粘结。
接着，参照图4～图8并就本实施方式所涉及的放射线检测器1的制造方法。首先，如图4(a)所示准备光电转换元件阵列7。接着，如图4(b)所示在覆盖受光部3的光电转换元件阵列7上的区域，通过例如由蒸镀法来使掺杂了Tl的CsI的柱状结晶生长到厚度为600μm左右，从而形成(层叠)闪烁体层8。
另外，如图5(a)所示将树脂框9形成于光电转换元件阵列7上。具体地来说在从闪烁体层8的层叠方向A来看的情况下通过闪烁体层8与焊垫5之间并且包围闪烁体层8的形式形成树脂框9。具体地来说在第1距离D1成为1mm以下且第2距离D2成为5mm以上那样的位置上形成树脂框9。对于树脂框9的形成来说例如能够使用自动X-Y涂布装置。以下为了便于说明，将闪烁体层8以及树脂框9被形成于光电转换元件阵列7上的板材单单称之为“基板”。
形成闪烁体层8的CsI其吸湿性高且如果就这样露出的话则会吸湿并溶解空气中的水蒸气。因此，例如根据CVD法用厚度为5～25μm的聚对二甲苯来覆盖基板整体表面。由此，如图5(b)所示形成第1有机膜10。
接着，如图6(a)所示通过由蒸镀法来将厚度为0.2μm的Al膜层叠于放射线进行入射的入射面(放射线检测器1的闪烁体层8被形成的一侧的面)侧的第1有机膜10的表面，从而形成无机膜(今属膜)11。接着，再一次根据CVD法用厚度为5～25μm的聚对二甲苯来覆盖形成有无机膜11的基板整体表面。由此，如图6(b)所示形成第2有机膜12。就第2有机膜12而言就有防止由无机膜11的腐蚀引起的劣化的作用。通过以上所述处理从而形成保护膜13。比保护膜13的树脂框9的大致中央部分更外侧的部分(覆盖焊垫5的部分)被后段处理除去。为此，在光电转换元件阵列7的侧面以及与光电转换元件阵列7的闪烁体层8被层叠的一侧相反侧的表面上也可以不形成第1有机膜10以及第2有机膜12。
接着，如图7所示沿着树脂框9照射激光L来切断保护膜13。具体地来说通过相对于承载保护膜13被形成于表面的基板整体的工作台(没有图示)使照射激光L的激光头(没有图示)移动，从而沿着树脂框9以一笔画的方式扫描激光L。更加具体地来说沿着树脂框9的大致中央部分(有最厚的部分)扫描激光L。由此，就能够抑制由相对于树脂框9下方的光电转换元件阵列7的激光引起的不良影响。
在此，在树脂框9的角部附近，为了切换激光L的扫描方向而有必要降低扫描速度。在扫描速度被降低的树脂框9上的位置因为激光的照射量变大所以沟槽部9a的深度变大。由此，就会有所谓由相对于树脂框9下方的光电转换元件阵列7的激光引起的不良影响变大的问题。但是，在本实施方式中，如图3所示保护膜13的外缘13a以及沟槽部9a因为是以成为在角部向外侧凸出的弧状(所谓R形状)的形式扫描激光L，所以能够以降低在角部上的激光L的扫描速度的减速程度或者不降低激光L的扫描速度的形式加工角部。由此，在树脂框9的角部附近能够抑制由相对于树脂框9下方的光电转换元件阵列7的激光引起的不良影响。
还有，在沿着树脂框9以一笔画的方式扫描激光L的情况下，在激光照射的开始位置和结束位置双重照射激光L。为此，恐怕树脂框9的沟槽部9a的深度变大并且会对树脂框9下方的光电转换元件阵列7带来严重问题。但是，在本实施方式中，以由1次激光L的照射而产生的沟槽部9a的深度d3成为树脂框9的高度d1的1/3以下的形式控制激光L的照射位置和照射强度等。由此，即使激光L被双重照射于同一个位置，沟槽部9a的深度也不会变得那么大，并且能够防止对树脂框9下方的光电转换元件阵列7带来严重的问题。
接着，如图8(a)所示通过从在保护膜13上的由激光L形成的切断部分除去外侧的部分(包含与入射面相反侧的部分)从而使焊垫5露出。接着，如图8(b)所示以沿着树脂框9覆盖保护膜13的外缘13a以及树脂框9的形式涂布紫外线固化型丙烯酸树脂等的覆盖树脂。之后，通过由紫外线照射来使覆盖树脂固化，从而形成覆盖树脂层14。
另外，就算不设置覆盖树脂层14，保护膜13也会通过树脂框9而紧密附着于光电转换元件阵列7。但是，通过形成覆盖树脂层14，从而包含第1有机膜10的保护膜13被树脂框9和覆盖树脂层14夹入并被固定，并且附着到光电转换元件阵列7上的保护膜13的紧密附着性会进一步提高。因此，因为闪烁体8a被保护膜13密封，所以能够切实地防止水分浸入到闪烁体8a，并且能够防止由闪烁体8a的吸湿劣化引起的元件的分辨率降低。
接着，参照图1以及图2并就本实施方式所涉及的放射线检测元件1的工作作如下说明。从入射面侧入射的X射线(放射线)透过保护膜13而到达闪烁体8a。该X射线被闪烁体8a吸收，由闪烁体8a而与X射线的光量成比例的光被放射。被放射的光当中在X射线的入射方向上逆行的光被无机膜11反射。为此，在闪烁体8a上发生的大致所有光通过钝化膜6而入射到光电转换元件3a。各个光电转换元件3a由光电转换而生成对应于入射的光的光量的电信号，并经一定时间蓄积。该光的光量对应于进行入射的X射线的光量。总之，被蓄积于各个光电转换元件3a的电信号变成对应于进行入射的X射线的光量。因此，由该电信号来取得对应于X射线图像的图像信号。被蓄积于光电转换元件3a的图像信号通过信号线4从焊垫5被依次读出并被转送到外部。被转送的图像信号通过在规定的处理电路中被处理从而显示出X射线图像。
在以上所述的放射线检测器1中，树脂框9上的保护膜13被激光切断(加工)。对于凭借激光的加工来说因为与凭借切割器的切断相比较没有必要有熟练的技术，所以能够提高生产性。另外，如果由激光的话则因为比手工作业的情况能够更高精度地切断保护膜13，所以能够对树脂框9实行小型化。另外，树脂框9因为是从闪烁体层8以及焊垫5分开来进行形成的，所以能够抑制在制造时的由激光引起的对闪烁体层8以及焊垫5的不良影响。另外，通过尽量接近于闪烁体层8来配置树脂框9从而还能够谋求到闪烁体层8的有效面积的大型化。因此，根据放射线检测器1，能够兼备装置(包含放射线检测器1的放射线检测装置)的小型化以及闪烁体层8的有效面积的大型化并且能够谋求到生产性的提高。
另外，根据本实施方式所涉及的放射线检测器1的制造方法，因为是由激光来切断树脂框9上的保护膜13，所以与凭借切割器的切断相比较没有必要有熟练的技术，并且能够提高生产性。另外，因为能够由激光来高精度地切断保护膜13，所以能够对树脂框9实行小型化。另外，通过从闪烁体层8以及焊垫5分开来形成树脂框9，从而就能够抑制在保护膜13被切断时的由激光引起的对闪烁体层8以及焊垫5的不良影响。另外，通过接近于闪烁体层8来形成树脂框9从而还能够谋求到闪烁体层8的有效面积的大型化。
以上已基于所述实施方式对本发明作了详细说明。但是，本发明并不限定于上述实施方式。本发明只要是在不脱离其宗旨的范围内各种各样的变形是可能的。例如，在以上所述说明内容中作为保护膜13已就将无机膜11夹入到聚对二甲苯制的有机膜10、12之间的结构作了说明，但是第1有机膜10和第2有机膜12的材料也可以有所不同。另外，在作为无机膜11而使用强抗腐蚀性的材料的那样的情况下，也可以不设置第2有机膜12本身。另外，作为受光部3已就多个光电转换元件3a被排列成二维的情况作了说明，但是受光部3也可以是多个光电转换元件3a被排列成一维。于是，焊垫5还会有不是被形成于矩形状的放射线检测器1的2边而是被形成于3边的情况。还有，在上述实施方式中已就使激光头移动来实行激光加工的方法作了说明，但是也可以使装载放置了放射线检测器1的工作台移动来对树脂框9以及保护膜13实行激光加工。
符号说明
1.放射线检测器
2.基板
3.受光部
3a.光电转换元件
4.信号线
5.焊垫
6.钝化膜
7.光电转换元件阵列
8.闪烁体层
8a.闪烁体
8b.周缘部
9.树脂框
9a.沟槽部(对应区域)
10.第1有机膜
11.无机膜(金属膜)
12.第2有机膜
13.保护膜
13a.保护膜13的外缘
14.覆盖树脂层
D1.第1距离
D2.第2距离
d,d1,d3.高度
d2.宽度
E1.树脂框9的内缘
E2.树脂框9的外缘
E3.闪烁体层8的外缘
E4.光电转换元件阵列7的外缘

Claims (11)

1.一种放射线检测器，其特征在于：
具备：
光电转换元件阵列，具有包含被排列成一维或者二维的多个光电转换元件的受光部、以及与所述光电转换元件相电连接并且配置于所述受光部的外侧的多个焊垫；
闪烁体层，以覆盖所述受光部的形式层叠于所述光电转换元件阵列上并且将放射线转换成光；
树脂框，在从所述闪烁体层的层叠方向看的情况下以从所述闪烁体层以及所述焊垫分开且通过所述闪烁体层与所述焊垫之间并且包围所述闪烁体层的方式形成于所述光电转换元件阵列上；以及
保护膜，覆盖所述闪烁体层并具有位于所述树脂框上的外缘，
所述树脂框的内缘与所述闪烁体层的外缘之间的第1距离比所述树脂框的外缘与所述光电转换元件阵列的外缘之间的第2距离短，
所述保护膜的所述外缘、以及在所述树脂框上对应于所述保护膜的所述外缘的对应区域成为由激光加工的状态。
2.如权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于：
所述保护膜的所述外缘以及所述对应区域在从所述层叠方向看的情况下成为细微的波浪形状。
3.如权利要求1或者2所述的放射线检测器，其特征在于：
所述对应区域的高度成为所述树脂框的高度的1/3以下。
4.如权利要求1～3中任意一项所述的放射线检测器，其特征在于：
所述第2距离相对于所述第1距离的比率成为5以上。
5.如权利要求1～4中任意一项所述的放射线检测器，其特征在于：
所述树脂框以中央部高于两缘部的方式被形成，所述树脂框的高度低于所述闪烁体层的高度。
6.如权利要求5所述的放射线检测器，其特征在于：
所述树脂框的所述内缘与所述树脂框的所述外缘之间的宽度为900μm以下，
所述树脂框的高度是450μm以下。
7.如权利要求1～6中任意一项所述的放射线检测器，其特征在于：
由所述激光加工的所述保护膜的所述外缘以及所述对应区域在从所述层叠方向看的情况下形成为具有向外侧凸出的弧状的角部的大致矩形环状。
8.如权利要求1～7中任意一项所述的放射线检测器，其特征在于：
进一步具备以覆盖所述保护膜的所述外缘的方式沿着所述树脂框配置的覆盖树脂层。
9.如权利要求1～8中任意一项所述的放射线检测器，其特征在于：
所述闪烁体层的周缘部成为随着朝向所述闪烁体层的外侧而高度渐渐变低的锥形状。
10.如权利要求1～9中任意一项所述的放射线检测器，其特征在于：
所述保护膜包含使光反射的金属膜。
11.一种放射线检测器的制造方法，其特征在于：
具备以下工序：
准备具有包含被排列成一维或者二维的多个光电转换元件的受光部、以及与所述光电转换元件相电连接并且配置于所述受光部的外侧的多个焊垫的光电转换元件阵列，以覆盖所述受光部的方式在所述光电转换元件阵列上层叠将放射线转换成光的闪烁体层的工序；
在从所述闪烁体层的层叠方向看的情况下以从所述闪烁体层以及所述焊垫分开且通过所述闪烁体层与所述焊垫之间并且包围所述闪烁体层的形式将树脂框形成于所述光电转换元件阵列上的工序；
以至少覆盖所述光电转换元件阵列的所述闪烁体层被层叠的一侧的全体表面的形式形成保护膜的工序；以及
通过沿着所述树脂框照射激光从而切断所述保护膜并除去所述保护膜的外侧部分的工序,
在形成所述树脂框的工序中，以所述树脂框的内缘与所述闪烁体层的外缘之间的第1距离短于所述树脂框的外缘与所述光电转换器元件阵列的外缘之间的第2距离的方式形成所述树脂框。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107797135A (zh) * 2016-09-01 2018-03-13 柯尼卡美能达株式会社 放射线图像检测器
CN110081904A (zh) * 2019-05-15 2019-08-02 合肥工业大学 双平面光电传感器阵列顶管机姿态测量装置及测量方法
CN111133533A (zh) * 2017-09-27 2020-05-08 浜松光子学株式会社 闪烁体面板及放射线检测器

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015096823A (ja) 2013-11-15 2015-05-21 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
JP6487263B2 (ja) * 2015-04-20 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
JP6523803B2 (ja) * 2015-06-10 2019-06-05 キヤノン電子管デバイス株式会社 アレイ基板、および放射線検出器
WO2017171387A1 (ko) * 2016-03-31 2017-10-05 주식회사 아비즈알 신틸레이터 패널 및 그 제조 방법
JP6729965B2 (ja) * 2016-04-04 2020-07-29 キヤノン電子管デバイス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
JP6749038B2 (ja) * 2016-04-07 2020-09-02 キヤノン電子管デバイス株式会社 放射線検出器、及びその製造方法
JP7171561B2 (ja) * 2016-11-10 2022-11-15 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 格子ベースの位相コントラスト画像化
JP6948815B2 (ja) * 2017-04-03 2021-10-13 キヤノン電子管デバイス株式会社 放射線検出器
US10921467B2 (en) * 2017-09-15 2021-02-16 Analogic Corporation Detector array for imaging modality
CN109659385A (zh) * 2017-10-10 2019-04-19 群创光电股份有限公司 感测装置
JP7345385B2 (ja) * 2019-12-25 2023-09-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法
JP2021103122A (ja) 2019-12-25 2021-07-15 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及び放射線検出器の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1220732A (zh) * 1997-02-14 1999-06-23 浜松光子学株式会社 放射线检测元件及其制造方法
CN1309777A (zh) * 1998-06-18 2001-08-22 浜松光子学株式会社 闪烁体面板和放射线图象传感器
JP2004317167A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Canon Inc 放射線検出装置
US20050092927A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, method of producing the same, and radiation image pick-up system
US20060033031A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus, producing method therefor and radiation image pickup system
KR20110113482A (ko) * 2010-04-09 2011-10-17 (주)비엠알테크놀러지 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법
CN102779565A (zh) * 2011-05-09 2012-11-14 Bmr技术株式会社 闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US61035A (en) * 1867-01-08 Louis knell
JPS60149944A (ja) 1984-01-17 1985-08-07 Meidensha Electric Mfg Co Ltd シヤシダイナモメ−タ
JPS6247167A (ja) 1985-08-27 1987-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多チヤンネル型半導体放射線検出器
JP2883360B2 (ja) 1989-08-21 1999-04-19 富士写真フイルム株式会社 感光材料の処理方法
US5229613A (en) * 1991-09-06 1993-07-20 Horiba Instruments, Incorporated Extended lifetime scintillation camera plate assembly
JP3405706B2 (ja) * 1997-02-14 2003-05-12 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出素子
JP3029873B2 (ja) 1997-02-14 2000-04-10 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出素子及びその製造方法
CA2261663C (en) * 1997-02-14 2001-08-28 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detection device and method of producing the same
JP4317154B2 (ja) * 1998-06-18 2009-08-19 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネルおよび放射線イメージセンサ
US6407360B1 (en) * 1998-08-26 2002-06-18 Samsung Electronics, Co., Ltd. Laser cutting apparatus and method
DE60138090D1 (de) 2000-01-13 2009-05-07 Hamamatsu Photonics Kk Strahlungsbildsensor und szintillatorplatte
JP3833872B2 (ja) * 2000-04-26 2006-10-18 日本電産サンキョー株式会社 光ピックアップ装置
JP3077941U (ja) 2000-11-27 2001-06-12 株式会社大廣 炭化物を利用した液体可燃物のガス化装置
JP2003066150A (ja) 2001-08-30 2003-03-05 Canon Inc 蛍光板、放射線検出装置および放射線検出システム
JP2004264239A (ja) 2003-03-04 2004-09-24 Canon Inc 放射線撮像装置
JP2005144973A (ja) 2003-11-19 2005-06-09 Process Lab Micron:Kk 孔版印刷用のマスク
JP4335025B2 (ja) 2004-01-29 2009-09-30 浜松ホトニクス株式会社 放射線イメージセンサおよびその製造方法
JP2006052985A (ja) 2004-08-10 2006-02-23 Canon Inc 放射線検出装置の製造方法と放射線検出システム
JP2006052981A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法、及び放射線検出システム
US7828926B1 (en) 2006-04-04 2010-11-09 Radiation Monitoring Devices, Inc. Selective removal of resin coatings and related methods
JP4764407B2 (ja) * 2007-11-20 2011-09-07 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
JP2009260017A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Nec Tokin Corp 固体電解コンデンサの製造方法
JP5229320B2 (ja) 2008-07-25 2013-07-03 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータパネル及びそれを具備した放射線画像検出装置
JP5152660B2 (ja) * 2008-08-21 2013-02-27 住友電工ハードメタル株式会社 切削工具およびその製造方法
JP2010118602A (ja) 2008-11-14 2010-05-27 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器の製造方法
JP2010204072A (ja) 2009-03-06 2010-09-16 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像検出パネル及び放射線画像検出装置
JP2011174830A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線検出パネルおよび放射線画像検出器
JP2012023335A (ja) * 2010-06-17 2012-02-02 Sony Chemical & Information Device Corp 熱伝導性シート及びその製造方法
JP2012004394A (ja) 2010-06-18 2012-01-05 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像撮影装置
JP2012185123A (ja) 2011-03-08 2012-09-27 Sony Corp 放射線撮像装置および放射線撮像装置の製造方法
JP5498982B2 (ja) 2011-03-11 2014-05-21 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置
GB2492972B (en) * 2011-07-15 2013-09-11 M Solv Ltd Method and apparatus for dividing a thin film device into separate cells
KR101925895B1 (ko) * 2011-12-29 2018-12-07 삼성디스플레이 주식회사 엑스선 검출용 패널 및 이의 제조방법
JP6071283B2 (ja) * 2012-07-04 2017-02-01 キヤノン株式会社 放射線検出装置及びその製造方法
JP6100045B2 (ja) * 2013-03-19 2017-03-22 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法
JP2015096823A (ja) * 2013-11-15 2015-05-21 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1220732A (zh) * 1997-02-14 1999-06-23 浜松光子学株式会社 放射线检测元件及其制造方法
CN1309777A (zh) * 1998-06-18 2001-08-22 浜松光子学株式会社 闪烁体面板和放射线图象传感器
JP2004317167A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Canon Inc 放射線検出装置
US20050092927A1 (en) * 2003-10-29 2005-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection device, method of producing the same, and radiation image pick-up system
US20060033031A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detecting apparatus, producing method therefor and radiation image pickup system
KR20110113482A (ko) * 2010-04-09 2011-10-17 (주)비엠알테크놀러지 직접 증착 방식에 의한 방사선 이미지 센서의 제조방법
CN102779565A (zh) * 2011-05-09 2012-11-14 Bmr技术株式会社 闪烁体面板以及制造闪烁体面板的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107797135A (zh) * 2016-09-01 2018-03-13 柯尼卡美能达株式会社 放射线图像检测器
CN107797135B (zh) * 2016-09-01 2020-10-23 柯尼卡美能达株式会社 放射线检测器
CN111133533A (zh) * 2017-09-27 2020-05-08 浜松光子学株式会社 闪烁体面板及放射线检测器
CN111133533B (zh) * 2017-09-27 2024-01-05 浜松光子学株式会社 闪烁体面板及放射线检测器
CN110081904A (zh) * 2019-05-15 2019-08-02 合肥工业大学 双平面光电传感器阵列顶管机姿态测量装置及测量方法

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