JPS6247167A - 多チヤンネル型半導体放射線検出器 - Google Patents
多チヤンネル型半導体放射線検出器Info
- Publication number
- JPS6247167A JPS6247167A JP60187941A JP18794185A JPS6247167A JP S6247167 A JPS6247167 A JP S6247167A JP 60187941 A JP60187941 A JP 60187941A JP 18794185 A JP18794185 A JP 18794185A JP S6247167 A JPS6247167 A JP S6247167A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- semiconductor radiation
- radiation detector
- electrode
- detection element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は放射線検出器、特に多チャンネル型の半導体を
用いた検出器に関する。
用いた検出器に関する。
従来の技術
多チャンネル型半導体放射線検出器は一次元あるいは二
次元の放射線強度の分布を測定するもので、基本的には
、半導体放射線検出器を一次元あるいは二次元に複数個
配列した構成を有する。
次元の放射線強度の分布を測定するもので、基本的には
、半導体放射線検出器を一次元あるいは二次元に複数個
配列した構成を有する。
従来の多チャンネル型半導体放射線検出器は製造工程を
簡略化するために、特開昭５８−９３２９２号公報に示
されているように、第６図のような構造になっていた。
簡略化するために、特開昭５８−９３２９２号公報に示
されているように、第６図のような構造になっていた。
すなわち、金属固定板８に導電性接着剤９を介して電極
１０及び信号電極１１を有する半導体放射線検出素子１
２を固定した後、溝切加工により複数個の単位検出素子
１２ａに分割し、その後分割された各単位検出素子の信
号電極１１からり一ド１３を取り出すようになっている
。
１０及び信号電極１１を有する半導体放射線検出素子１
２を固定した後、溝切加工により複数個の単位検出素子
１２ａに分割し、その後分割された各単位検出素子の信
号電極１１からり一ド１３を取り出すようになっている
。
発明が解決しようとする問題点
近年、多チャンネル型半導体放射線検出器においてＸ線
診断装置等への応用のために高位置分解能が要求され、
単位検出素子の微細化、高密度化が必要となった。そし
てｊｌｉ位検出素子の微細化にともない、リード間隔が
緻密にかつ各単位検出素子の信号電極面積が微小に々る
。多チャンネル型半導体放射線検出器の従来の構造では
、各単位検出素子１２ｆａに別々にリード１３を接続す
る工程が必要で、リードの間隔が緻密になるに従いこの
接続方法が問題となる。一般に緻密な間隔でリード接続
する方法としてワイヤボンディングやフィルムリードを
用いる方法が知られている。
診断装置等への応用のために高位置分解能が要求され、
単位検出素子の微細化、高密度化が必要となった。そし
てｊｌｉ位検出素子の微細化にともない、リード間隔が
緻密にかつ各単位検出素子の信号電極面積が微小に々る
。多チャンネル型半導体放射線検出器の従来の構造では
、各単位検出素子１２ｆａに別々にリード１３を接続す
る工程が必要で、リードの間隔が緻密になるに従いこの
接続方法が問題となる。一般に緻密な間隔でリード接続
する方法としてワイヤボンディングやフィルムリードを
用いる方法が知られている。
ワイヤボンディングは０．３ｍｍ間隔までの接続が可能
であるが、ボンティング時に素子に熱や機械的応力が加
わる。半導体結晶材料がＣｄＴｅやＧａ Ａｓのような
化合物半導体の場合、この熱と機械的応力により素子特
性が劣化する可能性がある。またＣｄＴｅやＧａ Ａｓ
等の化合物半導体ばＨ質が脆くボンティング時の熱歪や
機械的応力により結晶中に転位、欠陥等が生じ特性が劣
化する可能性がある。
であるが、ボンティング時に素子に熱や機械的応力が加
わる。半導体結晶材料がＣｄＴｅやＧａ Ａｓのような
化合物半導体の場合、この熱と機械的応力により素子特
性が劣化する可能性がある。またＣｄＴｅやＧａ Ａｓ
等の化合物半導体ばＨ質が脆くボンティング時の熱歪や
機械的応力により結晶中に転位、欠陥等が生じ特性が劣
化する可能性がある。
Ｓｉ 、 Ｇｅ 等の元素半導体においても熱歪や機械
的応力により結晶中に転位、欠陥等が生じ特性が劣化す
る可能性がある。またボンディング材に含捷れるＳｎ等
の添加物の結晶中への拡散により特性が劣化する可能性
がある。これらの現象が多チャンネル型半導体検出器を
構成する単位検出素子の１つでも起とると、検出器の特
性が劣化し信頼性が低下する。
的応力により結晶中に転位、欠陥等が生じ特性が劣化す
る可能性がある。またボンディング材に含捷れるＳｎ等
の添加物の結晶中への拡散により特性が劣化する可能性
がある。これらの現象が多チャンネル型半導体検出器を
構成する単位検出素子の１つでも起とると、検出器の特
性が劣化し信頼性が低下する。
フィルムリードの場合は、０．１ｍｍ間隔寸で可能であ
るが、リードと信号電極１１の接続に導電性接着剤や低
融点ハンダを用いる必要がある。ｉｌｉ位検出素子１２
＆が微細であると信号型イタ１１の面積が微小となり、
導電性接着剤による接続では信号電極１１以外への導電
性接着剤の回り込みが起こり易い。導電性接着剤の回り
込みは単位検出素子１２ａ内の電界分布を変化させ素−
＋特性を劣化させる可能性があるとともに隣接する単位
検出素６ベー 子１２ａの各々の信号電極１１が回り込んだ導電性接着
剤によりショー刊・され、多チャンネル型半導体検出器
としての位置分解能が低下し、信頼性が低下する可能性
がある。また低融点はんだによる接続では、はんだ材に
含まれるＳｎ等の添加物の単位検出素子１２ａへの付着
による特性劣化が生じる可能性があり信頼性が低下する
。
るが、リードと信号電極１１の接続に導電性接着剤や低
融点ハンダを用いる必要がある。ｉｌｉ位検出素子１２
＆が微細であると信号型イタ１１の面積が微小となり、
導電性接着剤による接続では信号電極１１以外への導電
性接着剤の回り込みが起こり易い。導電性接着剤の回り
込みは単位検出素子１２ａ内の電界分布を変化させ素−
＋特性を劣化させる可能性があるとともに隣接する単位
検出素６ベー 子１２ａの各々の信号電極１１が回り込んだ導電性接着
剤によりショー刊・され、多チャンネル型半導体検出器
としての位置分解能が低下し、信頼性が低下する可能性
がある。また低融点はんだによる接続では、はんだ材に
含まれるＳｎ等の添加物の単位検出素子１２ａへの付着
による特性劣化が生じる可能性があり信頼性が低下する
。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、リードの接
続が容易で信頼性が高い多チャンネル型半導体放射線検
出器およびその製造方法を提供することを目的としてい
る。
続が容易で信頼性が高い多チャンネル型半導体放射線検
出器およびその製造方法を提供することを目的としてい
る。
問題点を解決するだめの手段
２本の平行する帯状電極を有する基板」二に、半導体放
射線検出素子の一対の電極と基板の帯状電極が各々一様
に接触するように配置固定し、両電極をそれぞれ導電性
接着剤で接続するとともに、２本の平行する帯状電極に
直交する方向の複数本の溝を半導体放射線検出器および
帯状電極が完全に分離されるよう設けて複数個の独立し
たリード付微小単位検出素子を形成する。
射線検出素子の一対の電極と基板の帯状電極が各々一様
に接触するように配置固定し、両電極をそれぞれ導電性
接着剤で接続するとともに、２本の平行する帯状電極に
直交する方向の複数本の溝を半導体放射線検出器および
帯状電極が完全に分離されるよう設けて複数個の独立し
たリード付微小単位検出素子を形成する。
６ベーン゛
作用
微小な単位検出素子の信号電極へ直接外部からのリード
を接続すること々く、基板に設けた電極をリードとする
ことができるので、検出素子の信頼性を保つことができ
る。
を接続すること々く、基板に設けた電極をリードとする
ことができるので、検出素子の信頼性を保つことができ
る。
実施例
第１図は本発明の多チャンネル型半導体放射線検出器の
一実施例である。第１図において１は絶縁基板、２は基
板上に形成された２列のＩＪ−ド電極である。４は単位
検出素子であり、その両面には電極３を有する。単位検
出素子４は導電性接着剤により絶縁基板１に固着されて
いる。導電性接着剤５は即位検出素子４を固着すると同
時にｊＪ−ド電極２と単位検出素子４の各々の電極３と
を接続する機能も持つ。
一実施例である。第１図において１は絶縁基板、２は基
板上に形成された２列のＩＪ−ド電極である。４は単位
検出素子であり、その両面には電極３を有する。単位検
出素子４は導電性接着剤により絶縁基板１に固着されて
いる。導電性接着剤５は即位検出素子４を固着すると同
時にｊＪ−ド電極２と単位検出素子４の各々の電極３と
を接続する機能も持つ。
次に第２図を参照して本実施例の製造方法を説明する。
第２図（＆）において絶縁基板１はアルばす等の熱膨張
率の小さいセラミック材料よりなる。絶縁基板１には真
空蒸着、スパッタ蒸着、焼付、無電解メッキ等に」：す
２本の帯状電極６が形成さ扛ている。帯状電極材料とし
ては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ。
率の小さいセラミック材料よりなる。絶縁基板１には真
空蒸着、スパッタ蒸着、焼付、無電解メッキ等に」：す
２本の帯状電極６が形成さ扛ている。帯状電極材料とし
ては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ。
Ｆａ、Ｎｉ等の金属やコバール等の合金が使われる。
７はＳｉ 、Ｃｒｅ 、ＣｄＴｅ 、ＧａＡｓ 、１（
ｇＩ２等の放射線に有感でかつ安定な半導体結晶である
。これらのうちＣｄＴｅ 、ＧａＡｓ 、ＨｇＩ２
等の原子番号の大きな化合物半導体結晶は高感度であり
、結晶の厚さが１ｍｍ以下でも、６０ＫｅＶのＸ線に対
して９０％以上吸収するので、１１．位検出素子寸法が
微小な多チャンネル型半導体検出器に適する。この半導
体結晶７の対向面に、蒸着、電解メッキ、無電解メッキ
等により電極３を形成し半導体放射線検出器を得る。こ
こで電極材料はＡｕ、Ｐｔ、Ａβ等である。この半導体
放射線検出器を前記の絶縁基板１上に、帯状電極６と半
導体放射線検出器の電極３がそれぞれ一様に接触するよ
うに第２図（ａ’ｌに示すように配訝する１、次に、第
２図（ｂ）に示すように半導体放射線検出器の対向する
電極３と絶縁基板１上に形成された帯状電極６を導電性
接着剤５で均一に接続する。本工程は半導体検出器の絶
縁基板１への固着と各々の電極３からのリードの取りＩ
Ｉ口〜を兼ねる。電極３と帯状電極６の接続法として、
金属ハンダ、低融点ハンダ等があるが導電性接着剤は素
子に悪影響をおよぼすことなく、均一に接続する事がで
きるので最適である。なお本工程において導電性接着剤
らは第２図（ｂ）に示すように電極３および帯状電極６
の長軸方向に均一に塗布されなければならず、途中塗布
漏れがあってはならない。
ｇＩ２等の放射線に有感でかつ安定な半導体結晶である
。これらのうちＣｄＴｅ 、ＧａＡｓ 、ＨｇＩ２
等の原子番号の大きな化合物半導体結晶は高感度であり
、結晶の厚さが１ｍｍ以下でも、６０ＫｅＶのＸ線に対
して９０％以上吸収するので、１１．位検出素子寸法が
微小な多チャンネル型半導体検出器に適する。この半導
体結晶７の対向面に、蒸着、電解メッキ、無電解メッキ
等により電極３を形成し半導体放射線検出器を得る。こ
こで電極材料はＡｕ、Ｐｔ、Ａβ等である。この半導体
放射線検出器を前記の絶縁基板１上に、帯状電極６と半
導体放射線検出器の電極３がそれぞれ一様に接触するよ
うに第２図（ａ’ｌに示すように配訝する１、次に、第
２図（ｂ）に示すように半導体放射線検出器の対向する
電極３と絶縁基板１上に形成された帯状電極６を導電性
接着剤５で均一に接続する。本工程は半導体検出器の絶
縁基板１への固着と各々の電極３からのリードの取りＩ
Ｉ口〜を兼ねる。電極３と帯状電極６の接続法として、
金属ハンダ、低融点ハンダ等があるが導電性接着剤は素
子に悪影響をおよぼすことなく、均一に接続する事がで
きるので最適である。なお本工程において導電性接着剤
らは第２図（ｂ）に示すように電極３および帯状電極６
の長軸方向に均一に塗布されなければならず、途中塗布
漏れがあってはならない。
次に第２図（ｂ）に示す紙面上方向から、帯状電極６に
垂直に溝切加工を行なう。溝切加工は、半導体結晶７お
よび帯状電極６が完全に分離される１で行々わなければ
々らない。
垂直に溝切加工を行なう。溝切加工は、半導体結晶７お
よび帯状電極６が完全に分離される１で行々わなければ
々らない。
溝切加工方法としてマルチワイヤーソー、ダイシングソ
ーによる機械的切断加工、ｙＡｃ、ｃｏ２等のレーザ加
工がある。本実施例ではマルチワイヤーソを用いた。マ
ルチワイヤーソでは多数個の溝切加工を一度に行なうこ
とができるとともに、切断応力が機械的切断加工の中で
は最も小さく、結晶切断面に生じる破砕層が少ない。Ｃ
ｄＴｅ、ＧａＡｓのような脆い材質の半導体結晶には、
マルチワイ９、、、、− ヤーンが特に適する。一方レーザ加工ではレーザ照射点
付近が高温に加熱されるので、Ｃｊｄ Ｔｅ 、 Ｇａ
Ａｓ等の化合物半導体では、加工面イ４近の結晶組成
が変化するおそれがある。
ーによる機械的切断加工、ｙＡｃ、ｃｏ２等のレーザ加
工がある。本実施例ではマルチワイヤーソを用いた。マ
ルチワイヤーソでは多数個の溝切加工を一度に行なうこ
とができるとともに、切断応力が機械的切断加工の中で
は最も小さく、結晶切断面に生じる破砕層が少ない。Ｃ
ｄＴｅ、ＧａＡｓのような脆い材質の半導体結晶には、
マルチワイ９、、、、− ヤーンが特に適する。一方レーザ加工ではレーザ照射点
付近が高温に加熱されるので、Ｃｊｄ Ｔｅ 、 Ｇａ
Ａｓ等の化合物半導体では、加工面イ４近の結晶組成
が変化するおそれがある。
本溝切加工で、第２図（ｂ）に示すリード付放射線検出
器は、第２図（Ｃ）に示すように、独立したＩＪ −ド
電極２付の微小単位検出素子４に分離され、多チャンネ
ル型半導体放射線検出器が形成される。
器は、第２図（Ｃ）に示すように、独立したＩＪ −ド
電極２付の微小単位検出素子４に分離され、多チャンネ
ル型半導体放射線検出器が形成される。
この検出器は、第２図（Ｃ）に示すように放射線が紙面
上方向より入射するようにして使用されるので、第５図
に示すような、放射線の入射方向にリード１１、信号電
極１０があり、放射線の単位検出素子９への入射の障害
となる従来の構造の多チャンネル型半導体検出器よりも
高感度、高精度である。
上方向より入射するようにして使用されるので、第５図
に示すような、放射線の入射方向にリード１１、信号電
極１０があり、放射線の単位検出素子９への入射の障害
となる従来の構造の多チャンネル型半導体検出器よりも
高感度、高精度である。
第３図はこの発明の別の実施例である。これは第１図の
実施例を若干変形したもので、対応する部分には第１図
と同一符号を伺し、詳細な説明は省略する。この実施例
では単位検出素子４が凹状溝９中に固定されている。こ
のようにすれは半導１０、、。
実施例を若干変形したもので、対応する部分には第１図
と同一符号を伺し、詳細な説明は省略する。この実施例
では単位検出素子４が凹状溝９中に固定されている。こ
のようにすれは半導１０、、。
体検出素子の基板上での位置決めが容易であり、また単
位検出素子４の１部が溝中に入り、基板で保護されるの
で検出器の機械強度が増加し、信頼性が向上する。
位検出素子４の１部が溝中に入り、基板で保護されるの
で検出器の機械強度が増加し、信頼性が向上する。
第４図もこの発明の別の実施例である。これも第１図の
実施例を変形したもので、単位検出素子４の電極３が各
々同一面上に形成された場合である○ 発明の効果 本発明によれば、位置分解能および信頼１４１．が高く
、製造工程が容易な一次元の多チャンネル型半導体放射
線検出器が得られる。
実施例を変形したもので、単位検出素子４の電極３が各
々同一面上に形成された場合である○ 発明の効果 本発明によれば、位置分解能および信頼１４１．が高く
、製造工程が容易な一次元の多チャンネル型半導体放射
線検出器が得られる。
第１図は本発明の一実施例の多チャンネル型半導体放射
線検出器の斜視図、第２図（＆）〜（Ｃ）は同実施例の
多チャンネル型半導体放射線検出器の製造工程を示す斜
視図、第３図は本発明の他の実施例を示す斜視図、第４
図は本発明の他の実施例を示すし、（ａ）はその平面図
、（ｂ）はその側面図、（Ｃ）はその正面図、第５図は
従来の多チャンネル型半導体１１７、。 放射線検出器を示す断面図である。 １・・ ・絶縁基板、２・・・・・リード電極、３・・
・・・・電極、４・・・・・・単位検出素子、５・・・
・・導電性接着剤、６・・・・・・帯状電極、７・・・
・・・半導体結晶。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
線検出器の斜視図、第２図（＆）〜（Ｃ）は同実施例の
多チャンネル型半導体放射線検出器の製造工程を示す斜
視図、第３図は本発明の他の実施例を示す斜視図、第４
図は本発明の他の実施例を示すし、（ａ）はその平面図
、（ｂ）はその側面図、（Ｃ）はその正面図、第５図は
従来の多チャンネル型半導体１１７、。 放射線検出器を示す断面図である。 １・・ ・絶縁基板、２・・・・・リード電極、３・・
・・・・電極、４・・・・・・単位検出素子、５・・・
・・導電性接着剤、６・・・・・・帯状電極、７・・・
・・・半導体結晶。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）放射線に有感な半導体放射線検出器を一次元に配
列した多チャンネル型半導体放射線検出器であって、２
本の平行する帯状電極を有する基板上に、半導体放射線
検出素子をその一対の電極と前記帯状電極が各々一様に
接触するように固着し、各々の前記電極と前記帯状電極
を電気的に接続するとともに、前記電極と直交し前記帯
状電極およ前記半導体放射線検出素子を完全に複数個に
分離する複数本の溝を設けることにより、独立したリー
ド付単位検出素子が形成されたことを特徴とする多チャ
ンネル型半導体放射線検出器。 - （２）半導体放射線検出素子を固着するための接着剤が
導電性接着剤であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の多チャンネル型半導体放射線検出器。 - （３）２本の平行する帯状電極間に凹状の溝を形成し、
その溝中に半導体放射線検出素子を固定することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の多チャンネル型半導
体放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187941A JPS6247167A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 多チヤンネル型半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187941A JPS6247167A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 多チヤンネル型半導体放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247167A true JPS6247167A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16214853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60187941A Pending JPS6247167A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | 多チヤンネル型半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247167A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04203996A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | センサアレイ |
| JP2005274560A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 放射線検出器用フィルタの実装方法 |
| JP2019164163A (ja) * | 2019-06-03 | 2019-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| WO2021033518A1 (ja) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光センサ |
| US11506799B2 (en) | 2013-11-15 | 2022-11-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector, and method for producing radiation detector |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP60187941A patent/JPS6247167A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04203996A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | センサアレイ |
| JP2005274560A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-10-06 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 放射線検出器用フィルタの実装方法 |
| US11506799B2 (en) | 2013-11-15 | 2022-11-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector, and method for producing radiation detector |
| JP2019164163A (ja) * | 2019-06-03 | 2019-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| WO2021033518A1 (ja) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光センサ |
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