JPS61201462A - 増倍型電荷結合画像感知器 - Google Patents
増倍型電荷結合画像感知器Info
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- JPS61201462A JPS61201462A JP61041339A JP4133986A JPS61201462A JP S61201462 A JPS61201462 A JP S61201462A JP 61041339 A JP61041339 A JP 61041339A JP 4133986 A JP4133986 A JP 4133986A JP S61201462 A JPS61201462 A JP S61201462A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
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- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/92—Means forming part of the tube for the purpose of providing electrical connection to it
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は増倍（インテンシファイド）型電荷結合画像
感知器、特にそれに用いられる電荷結合装置（以後ＣＣ
Ｄと呼ぶ）に関する。
感知器、特にそれに用いられる電荷結合装置（以後ＣＣ
Ｄと呼ぶ）に関する。
第１図に示す増倍型電荷結合画像感知器１０は。
入力フェースブレートの内面に光電陰極（図示せず）を
有する画像増倍Ｃイメージ・インテンシファイヤ）都と
その感知器の焦点面に配置されたＣＣＤ１２を有するヘ
ッダとを含み、この構造は米国特許第４３５５２２９号
明細書に記載されて層る。
有する画像増倍Ｃイメージ・インテンシファイヤ）都と
その感知器の焦点面に配置されたＣＣＤ１２を有するヘ
ッダとを含み、この構造は米国特許第４３５５２２９号
明細書に記載されて層る。
との増倍型電荷結合画像感知器１０の動作はよく知られ
ているように、いわゆる集積時間中にフェースプレート
内面の光電陰極上に被写体が投影され、その陰極に入射
する輻射の強度に対応するパタンでそこから光電子か放
射されて、その光電子か第２図のＣＣＤ１２のＡレジス
タに入射する。
ているように、いわゆる集積時間中にフェースプレート
内面の光電陰極上に被写体が投影され、その陰極に入射
する輻射の強度に対応するパタンでそこから光電子か放
射されて、その光電子か第２図のＣＣＤ１２のＡレジス
タに入射する。
集積時間か終ると、（例えば商用テレビジョンの垂直ブ
ランキング期間中に）累積された電荷信号（「フィール
ド」）か多相電圧φよ、・・・φＡ３とφｈ工・・・φ
Ｂ３の印加によシＡレジスタからＢレジスタに列方向に
並列に転送され、更にＢレジスタからＣレジスタに１行
ずつ転送される。各行はＣレジスタに達した後シフト成
荷φＣ工・・・φｃ３に応じてＣレジスタから直列にシ
フト送出される。ＢレジスタからＣレジスタへの電荷の
転送は比較的短時間（商用テレビジョンの水平ブランキ
ング期間で約１０μｓ）中に生じ、Ｃレジスタの直列シ
フトは比較的高速で（商用テレビジョンの水平線表示期
間中に）生じる。ＢレジスタからＣレジスタへのフィー
ルドの転送中に新しいフィールドがＡレジスタに集積さ
れることもある。
ランキング期間中に）累積された電荷信号（「フィール
ド」）か多相電圧φよ、・・・φＡ３とφｈ工・・・φ
Ｂ３の印加によシＡレジスタからＢレジスタに列方向に
並列に転送され、更にＢレジスタからＣレジスタに１行
ずつ転送される。各行はＣレジスタに達した後シフト成
荷φＣ工・・・φｃ３に応じてＣレジスタから直列にシ
フト送出される。ＢレジスタからＣレジスタへの電荷の
転送は比較的短時間（商用テレビジョンの水平ブランキ
ング期間で約１０μｓ）中に生じ、Ｃレジスタの直列シ
フトは比較的高速で（商用テレビジョンの水平線表示期
間中に）生じる。ＢレジスタからＣレジスタへのフィー
ルドの転送中に新しいフィールドがＡレジスタに集積さ
れることもある。
増倍型電荷結合画像感知器１０に： ＣＣＤ１２を使用
するときは、少くともＡレジスタの基板を約１０μまで
薄くして入射光電子によって生じる電荷の横方向散乱を
できるだけ少くする必要かある。またＢレジスタとＣレ
ジスタは光電子が入射しない様に遮光する。
するときは、少くともＡレジスタの基板を約１０μまで
薄くして入射光電子によって生じる電荷の横方向散乱を
できるだけ少くする必要かある。またＢレジスタとＣレ
ジスタは光電子が入射しない様に遮光する。
基板を薄くする実際の方法の１つではウェハ上に形成さ
れるＣＣＤ１２の数が比較的少い。まず、約５０．８１
１１のシリコンウェハを用い、第３図に示すように写真
食刻技法を用いて共通の基板上にそれぞれ約１２，７
Ｘ ２０，３ｆｆの装置を３個形成した後、その３つの
装置の中２つにマスクをかける。即ち、薄く削り取る装
置の裏面を除いてウェハ全体を基板エツチング用の薬品
浴（酸）に侵されない物質（「レジスト」）で被覆した
後、ウニノ・全体をそのエツチング浴に浸漬してその装
置の中心軸の周シに回転させる。装置か所要量だけエツ
チングされるとウェハを浴中から取出し、他の各装置に
対してマスクだけその他の処理段階を繰返す。然る後各
装置を厚い基板の境界部で包囲するようにウェハを切断
分離する。その厚い基板部分は第４図に示すようにＡレ
ジスタの比較的薄くて脆弱な基板領域にある程度のステ
イフネスと機械的支持を与える。
れるＣＣＤ１２の数が比較的少い。まず、約５０．８１
１１のシリコンウェハを用い、第３図に示すように写真
食刻技法を用いて共通の基板上にそれぞれ約１２，７
Ｘ ２０，３ｆｆの装置を３個形成した後、その３つの
装置の中２つにマスクをかける。即ち、薄く削り取る装
置の裏面を除いてウェハ全体を基板エツチング用の薬品
浴（酸）に侵されない物質（「レジスト」）で被覆した
後、ウニノ・全体をそのエツチング浴に浸漬してその装
置の中心軸の周シに回転させる。装置か所要量だけエツ
チングされるとウェハを浴中から取出し、他の各装置に
対してマスクだけその他の処理段階を繰返す。然る後各
装置を厚い基板の境界部で包囲するようにウェハを切断
分離する。その厚い基板部分は第４図に示すようにＡレ
ジスタの比較的薄くて脆弱な基板領域にある程度のステ
イフネスと機械的支持を与える。
上記工程によシ多くの有効なＣＣＤ１２が生産される間
に問題がないわけではない。１つの問題は装置のＡレジ
スタの全結像部を一様に薄くすることが困難なことで、
これは装置が４角形のため酸浴が装置の中心部よシ端縁
部や４隅部に強く作用せず、そのため完成品の端縁部や
４隅部が中心部よシ厚くなることがあるためと考えられ
る。この様な不均一性は撮像器の生成する画像情報の不
均一を起し、また実際上大型ウェハの場合でも同じウェ
ハ上に多数の装置を同時に形成することができない。例
えば直径約ｍｏ１．６ ｍｔまたは１２７．Ｏｆｆの大
型ウェハを用いるときはエツチング中ウニノーの中心か
ら相当能れた軸の周シにウェハを回転させる問題がある
ため、ウェハの外縁部を利用することは困難である（回
転軸はエツチングすべき領域の中心を通ることに注意）
。その上この方法を用いた歩留は希望するほど高くない
。またエツチング後の装置は脆弱なためエツチング後装
置の試験をすることは極めて困難で、その理由は薄くな
った基板が試験プローブのために破損その他の損傷を蒙
シ易いからである。
に問題がないわけではない。１つの問題は装置のＡレジ
スタの全結像部を一様に薄くすることが困難なことで、
これは装置が４角形のため酸浴が装置の中心部よシ端縁
部や４隅部に強く作用せず、そのため完成品の端縁部や
４隅部が中心部よシ厚くなることがあるためと考えられ
る。この様な不均一性は撮像器の生成する画像情報の不
均一を起し、また実際上大型ウェハの場合でも同じウェ
ハ上に多数の装置を同時に形成することができない。例
えば直径約ｍｏ１．６ ｍｔまたは１２７．Ｏｆｆの大
型ウェハを用いるときはエツチング中ウニノーの中心か
ら相当能れた軸の周シにウェハを回転させる問題がある
ため、ウェハの外縁部を利用することは困難である（回
転軸はエツチングすべき領域の中心を通ることに注意）
。その上この方法を用いた歩留は希望するほど高くない
。またエツチング後の装置は脆弱なためエツチング後装
置の試験をすることは極めて困難で、その理由は薄くな
った基板が試験プローブのために破損その他の損傷を蒙
シ易いからである。
米国特許第４２６６３３４号には１枚の半導体ウェハ上
に基板を薄くしたＣＣＤを多数形成する方法か記載され
ている。この方法では上述の方法のように各ＣＣＤ０Ａ
レジスタを同時に薄くする代シに。
に基板を薄くしたＣＣＤを多数形成する方法か記載され
ている。この方法では上述の方法のように各ＣＣＤ０Ａ
レジスタを同時に薄くする代シに。
ウェハ全体を回転エツチング浴中でエツチングし、その
ウェハの外周に支持用のリム部を残してその中心部全体
を所要の厚さまで食刻した後、そのウェハのエツチング
面にガラス板を接着し、各ＣＯＤを試験してこの大型ウ
ェハから除去するまでの構造支持を追加する。このＣＯ
Ｄが「撮像器」すなわちＣＯＤに直接光子が結像する固
体装置として利用されるときはそのガラス板を除去する
必要はないが、このＣＯＤを形成したウェハを増倍型電
荷結合型画像感知器に用いるときはそれを何等かの方法
でウェハから取外す必要がある。ＣＯＤにガラス板を接
着するための接着剤は、画像感知器の画像増倍部の入力
窓の内面に形成される光電陰極の形成に不都合で、その
ガラス窓も陰極からの光電子を減衰してそれかＣＣＤ０
Ａレジスタに入射するノヲ阻害する。
ウェハの外周に支持用のリム部を残してその中心部全体
を所要の厚さまで食刻した後、そのウェハのエツチング
面にガラス板を接着し、各ＣＯＤを試験してこの大型ウ
ェハから除去するまでの構造支持を追加する。このＣＯ
Ｄが「撮像器」すなわちＣＯＤに直接光子が結像する固
体装置として利用されるときはそのガラス板を除去する
必要はないが、このＣＯＤを形成したウェハを増倍型電
荷結合型画像感知器に用いるときはそれを何等かの方法
でウェハから取外す必要がある。ＣＯＤにガラス板を接
着するための接着剤は、画像感知器の画像増倍部の入力
窓の内面に形成される光電陰極の形成に不都合で、その
ガラス窓も陰極からの光電子を減衰してそれかＣＣＤ０
Ａレジスタに入射するノヲ阻害する。
米国特許第４４６５５４９号には多数のＣＯＤを有する
薄いウェハをガラス支持板から取外す方法か開示されて
いる。このウェハは次に切断されて個別ＣＣＤ１２とな
る。この薄ｖ ＣＣＤ１２は第５図に示すようにそれぞ
れ約１０μの一様な厚さを持ち、極めて脆弱なため破損
なく取扱うのは難しい。このため１９８３年５月１３日
付米国特許＠第４９４２８８号にはＣＣＤ１２の取扱い
と増倍型電荷結合画像感知器１０への取付けに必要な強
度を保つためエツチング後ＣＯＤの片面に支持枠を鑞接
する方式か開示されている。従来の増倍型電荷結合画像
感知器１０では枠を持つＣＣＤ１２を絶縁ヘッダに鑞接
している。このようにまず枠をＣＣＤに鑞接した後にそ
の枠を絶縁ヘッダに鑞接すると、鑞接材料かＣＣＤ上に
流れたりＣＣＤと絶縁ヘッダとの整合を誤ったりして不
良にしてしまうことがあった。
薄いウェハをガラス支持板から取外す方法か開示されて
いる。このウェハは次に切断されて個別ＣＣＤ１２とな
る。この薄ｖ ＣＣＤ１２は第５図に示すようにそれぞ
れ約１０μの一様な厚さを持ち、極めて脆弱なため破損
なく取扱うのは難しい。このため１９８３年５月１３日
付米国特許＠第４９４２８８号にはＣＣＤ１２の取扱い
と増倍型電荷結合画像感知器１０への取付けに必要な強
度を保つためエツチング後ＣＯＤの片面に支持枠を鑞接
する方式か開示されている。従来の増倍型電荷結合画像
感知器１０では枠を持つＣＣＤ１２を絶縁ヘッダに鑞接
している。このようにまず枠をＣＣＤに鑞接した後にそ
の枠を絶縁ヘッダに鑞接すると、鑞接材料かＣＣＤ上に
流れたりＣＣＤと絶縁ヘッダとの整合を誤ったりして不
良にしてしまうことがあった。
増倍型電荷結合型画像感知器の１価格低減のため上記の
方法で製造されるこの感知器用のＣＣＤの綜合歩留を向
上する必要があることが決っている。
方法で製造されるこの感知器用のＣＣＤの綜合歩留を向
上する必要があることが決っている。
即ち、ＣＯＤの製造を増倍型電荷結合型画像感知器の条
件に適合させ、後段のその感知器の製造と動作に不都合
な工程をなくする必要がある。その上。
件に適合させ、後段のその感知器の製造と動作に不都合
な工程をなくする必要がある。その上。
能動レジスタ領域すなわちＡ、Ｂ、Ｃの各レジスタの厚
さか一様に薄く、シかも構造的強度が充分で装置外周に
支持枠を鑞接する必要がないＣＣＤが望ましい。
さか一様に薄く、シかも構造的強度が充分で装置外周に
支持枠を鑞接する必要がないＣＣＤが望ましい。
この発明による増倍型電荷結合型画像感知器は画像増倍
部とへラダ構体を備え１画像増倍部は入射する輻射の強
度に対応するパタンで光電子を放出する光電陰極を内蔵
する外囲器を含み、ヘッダ構体は表面に複数個の電極を
持ち裏面か陰極に面するＣＣＤを含んでいる。とのＣＣ
Ｄは中央部とそれより厚い環状リム部を有する円板状半
導体ウニノ・上に形成されることにより改良されていて
、そのリム部の少くとも一部の周シに複数個の接触パッ
ドが形成され、複数個の電極にそれぞれ電気的に接続さ
れている。
部とへラダ構体を備え１画像増倍部は入射する輻射の強
度に対応するパタンで光電子を放出する光電陰極を内蔵
する外囲器を含み、ヘッダ構体は表面に複数個の電極を
持ち裏面か陰極に面するＣＣＤを含んでいる。とのＣＣ
Ｄは中央部とそれより厚い環状リム部を有する円板状半
導体ウニノ・上に形成されることにより改良されていて
、そのリム部の少くとも一部の周シに複数個の接触パッ
ドが形成され、複数個の電極にそれぞれ電気的に接続さ
れている。
第６図および第７図に示すように、通常の写真製版技法
を用いて好ましくはシリコンの円板状半導体ウェハを処
理してＣＣＤｚ２を形成する。このＣＣＤ２２は。型導
電性原子をドープした種々の領域と゛ｐ型導電性原子を
ドープした他の各領域とを含み、この各領域が電荷を蓄
積して転送する種々のチャンネルを画定している。公知
構造のＣＣＤ ２２は結像用配列即ちＡレジスタ２４と
、一時記憶用配列即ちＢレジスタ２６と、出力レジスタ
即ちＣレジスタ２８を含み％Ａ、Ｂ両レジスタ２４，２
６は列方向に延びて各チャンネル（ＣＣＤ０列）を互い
に絶縁するチャンネルストップ（図示せず）を有する。
を用いて好ましくはシリコンの円板状半導体ウェハを処
理してＣＣＤｚ２を形成する。このＣＣＤ２２は。型導
電性原子をドープした種々の領域と゛ｐ型導電性原子を
ドープした他の各領域とを含み、この各領域が電荷を蓄
積して転送する種々のチャンネルを画定している。公知
構造のＣＣＤ ２２は結像用配列即ちＡレジスタ２４と
、一時記憶用配列即ちＢレジスタ２６と、出力レジスタ
即ちＣレジスタ２８を含み％Ａ、Ｂ両レジスタ２４，２
６は列方向に延びて各チャンネル（ＣＣＤ０列）を互い
に絶縁するチャンネルストップ（図示せず）を有する。
例えば多結晶シリコンのｐ型領域で分離された多結晶シ
リコンのｎ十型領域を含む単層盤の複数個の電極３０か
行方向に延び、この推奨実施例では３相で動作する。こ
の電極３０はウニノ・２０のｐ型基板３２から２酸化シ
リコン５ｉＯ９の層３２によシ絶縁され。
リコンのｎ十型領域を含む単層盤の複数個の電極３０か
行方向に延び、この推奨実施例では３相で動作する。こ
の電極３０はウニノ・２０のｐ型基板３２から２酸化シ
リコン５ｉＯ９の層３２によシ絶縁され。
第２のＳ ｉ Ｏ２層３６で被覆されている。ここで説
明するＣＣＤ２２は３２０列５１２行（Ａレジスタ２５
６行、Ｂし°ジメタ２５６行）のもので、各行は３電極
の群から成る。新規なＣＣＤ２２では、ウニノ為２０の
周シに放射状に複数個の接触パッド３８が配列されて複
数個の電極３０にそれぞれ導線（図示せず）で電気的に
接続されている。
明するＣＣＤ２２は３２０列５１２行（Ａレジスタ２５
６行、Ｂし°ジメタ２５６行）のもので、各行は３電極
の群から成る。新規なＣＣＤ２２では、ウニノ為２０の
周シに放射状に複数個の接触パッド３８が配列されて複
数個の電極３０にそれぞれ導線（図示せず）で電気的に
接続されている。
円板状ウェハ２０の表面４０には電極３０と接触バンド
３８が形成され、裏面４２には当業者に公知の方法で選
択エツチングすることによシ厚さ約１０μの陥没中央部
４４か形成されている。厚さを薄くすることによシ厚さ
約０．２ ｆｆの環状リム部４６が形成され。
３８が形成され、裏面４２には当業者に公知の方法で選
択エツチングすることによシ厚さ約１０μの陥没中央部
４４か形成されている。厚さを薄くすることによシ厚さ
約０．２ ｆｆの環状リム部４６が形成され。
接触パッド３８は装置の薄くなった部分の反対側に形成
された従来法のＣＯＤとは違って比較的厚いリム部４６
に形成される。この構造によると、上記米国特許第４２
６６３３４号記載のようにＣＣＤの試験ができるように
ウェハにエツチングで形成された凹陥部にガラス支持板
を接着したシ、米国特許第４４６５５４９号記載のよう
にそのガラス板を除去したシする必要がなくなる。接触
パッド３８は第６図ではウェハ２０の周りに均一に分配
されているか、この接触パッド３８の位置は説明用だけ
であって、その間隔は各接触パッド３８とＣＣＤ２２の
電極３０を接続する導線の長さができるだけ短くなるよ
うにすればよい。
された従来法のＣＯＤとは違って比較的厚いリム部４６
に形成される。この構造によると、上記米国特許第４２
６６３３４号記載のようにＣＣＤの試験ができるように
ウェハにエツチングで形成された凹陥部にガラス支持板
を接着したシ、米国特許第４４６５５４９号記載のよう
にそのガラス板を除去したシする必要がなくなる。接触
パッド３８は第６図ではウェハ２０の周りに均一に分配
されているか、この接触パッド３８の位置は説明用だけ
であって、その間隔は各接触パッド３８とＣＣＤ２２の
電極３０を接続する導線の長さができるだけ短くなるよ
うにすればよい。
推奨実施例では円板状ウニノ・２０の全直径は約１４．
７３１１１１で、裏面４２の中央部４４が薄くなってい
て、そめ薄肉部の直径は約１１．６８ｇｇである。表面
４０の内径約１１．９４１ＸＩ外径約１２．８３１ｆｆ
の環状部には接触パッド３８が形成されている。第８図
に示すよう、に、接触パッド３８のこの位置にはＣＣＤ
支持構体５０の下側支持部材４８との間に適当に間隔を
保ってその接触パッド３８とヘッダ構体（第１図）の導
線を接合し得るようになっている。支持構体５０はまた
ほぼ矩形の結像用開口部５４を穿設した上側引張部材５
２を含み、この引張部材５２はその開口部５４がＣＣＤ
２２シＡレジスタ２４を画像増倍Ｈ（図示せず）の陰極
からの光電子に露出するように配向されている。
７３１１１１で、裏面４２の中央部４４が薄くなってい
て、そめ薄肉部の直径は約１１．６８ｇｇである。表面
４０の内径約１１．９４１ＸＩ外径約１２．８３１ｆｆ
の環状部には接触パッド３８が形成されている。第８図
に示すよう、に、接触パッド３８のこの位置にはＣＣＤ
支持構体５０の下側支持部材４８との間に適当に間隔を
保ってその接触パッド３８とヘッダ構体（第１図）の導
線を接合し得るようになっている。支持構体５０はまた
ほぼ矩形の結像用開口部５４を穿設した上側引張部材５
２を含み、この引張部材５２はその開口部５４がＣＣＤ
２２シＡレジスタ２４を画像増倍Ｈ（図示せず）の陰極
からの光電子に露出するように配向されている。
この発明の方式では従来法で１枚のウェハ上に複数個の
ＣＣＤを形成しているのに対しウェハ２０上に１個のＣ
ＣＤ２２シか形成されないが、その利点は欠点を上回る
ものである。この発明の構造ではウェハ２０の中央部４
４がＡ％Ｂ、Ｃの各レジスタ２４．２６、２８の各領域
で一様に薄くなっており、この厚さの均一性か、Ａレジ
スタだけを薄くシてＡレジスタの端縁部と４隅部が中央
部よシ厚いためＣＣＤの生成する画像情報に不均一性を
生ずる従来法の欠点を克服するのである。この発明のウ
ェハ２０の一体のリム部４６も、鑞接材料によるＣＣＤ
の短絡不良をしばしば生ずるＣＯＤ裏面の支持枠の形成
、金属化、鑞接の必要をなくする。また接触パッド３８
をウェハの薄くした部分でなくリムｆａ４ｅに配置する
この発明のウェハ２０の構造は、 ＣＣＤの電気的プロ
ーブ試験ができるように薄くした部分にガラス支持板を
接着する必要もなくする。最後に、この発明のウェハ２
０にはＣＣＤ２２が１つしかないため、ウェハ全体をＣ
ＣＤ支持構体５０に取付けて支持引張し、陰極からの光
電子か入射する面を平坦にすることかできる。ウェハ２
０にＣＣＤ ２２を１個しか設けないと、従来法のよう
にウェハを切断して装置を分離する必要もない。ＣＯＤ
を３個以上有する従来法のウェハではこの切断分離時に
いくつかのＣＯＤが破損することが多い。
ＣＣＤを形成しているのに対しウェハ２０上に１個のＣ
ＣＤ２２シか形成されないが、その利点は欠点を上回る
ものである。この発明の構造ではウェハ２０の中央部４
４がＡ％Ｂ、Ｃの各レジスタ２４．２６、２８の各領域
で一様に薄くなっており、この厚さの均一性か、Ａレジ
スタだけを薄くシてＡレジスタの端縁部と４隅部が中央
部よシ厚いためＣＣＤの生成する画像情報に不均一性を
生ずる従来法の欠点を克服するのである。この発明のウ
ェハ２０の一体のリム部４６も、鑞接材料によるＣＣＤ
の短絡不良をしばしば生ずるＣＯＤ裏面の支持枠の形成
、金属化、鑞接の必要をなくする。また接触パッド３８
をウェハの薄くした部分でなくリムｆａ４ｅに配置する
この発明のウェハ２０の構造は、 ＣＣＤの電気的プロ
ーブ試験ができるように薄くした部分にガラス支持板を
接着する必要もなくする。最後に、この発明のウェハ２
０にはＣＣＤ２２が１つしかないため、ウェハ全体をＣ
ＣＤ支持構体５０に取付けて支持引張し、陰極からの光
電子か入射する面を平坦にすることかできる。ウェハ２
０にＣＣＤ ２２を１個しか設けないと、従来法のよう
にウェハを切断して装置を分離する必要もない。ＣＯＤ
を３個以上有する従来法のウェハではこの切断分離時に
いくつかのＣＯＤが破損することが多い。
第１図は入力フェースブレート上に被写体か結像される
従来法の電荷結合型画像感知器の一部断面側面図、第２
図は従来法のＣＣＤの略図、第３図は複数個の従来法の
ＣＯＤを有するウェハの平面図。 第４図は薄くされたＡレジスタを示す第３図の従来法の
ＣＣＤ０線４−４に沿う断面し、第５図は一様に薄くさ
れた装置を示す他の従来法ＣＣＤの断面図、第６図はこ
の発明によるＣＯＤを１つだけ含むウェハの平面図、第
７図は第６図のＣＣＤを含むウェハの線７−７に沿う断
面図、第８図はＣＣＤ支持構体に取付けられた第６図の
ウェハとＣＣＤを示す断面図である。 １０・・・電荷結合型画像感知器、２０・・・半導体ウ
ニノ〜。 ２２・・・ＣＣＤ、３０・・・電極、３８・・・接触パ
ッド、４０・・・表面。 ４２・・・裏面、４４・・・中央部、４６・・・リム部
。 特許出願人 アールシーニー コーポレーション化 理
人 清 水 哲 ほか２名才３図 光電テ 手続補正書（自発） 昭和６１年３月３日 特許庁長官 宇 賀道 部 殿 １．。 −；。 ↓〆′ １、事件の表示 特願昭６１−４１３３９号 ２、発明の名称 増倍型電荷結合画像感知器 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国 ニューヨーク州 １００２
０ニユーヨーク ロックフェラー プラｆ ３０５
補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄。 ６ 補正の内容 特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 添付書類 特許請求の範囲 以 上 特許請求の範囲 α）入射する輻射の強度に対応するパタンで光電子を放
射する光電陰極を内蔵する外囲器を含む画像増倍部と、
上記陰極から離隔され、表面に近接して複数個の電極を
有し、裏面が上記陰極に面してそれから光電子を受ける
電荷結合装置を含むヘッダ構体とを備え、上記電荷結合
装置が、中央部ム部の厚さより小さく、上記リム部が少
くともその一部に溢って上記複数個の電極の各別のもの
に電気的に接続された複数個の接触パッドを有する形式
の増倍型電荷結合画像感知器。
従来法の電荷結合型画像感知器の一部断面側面図、第２
図は従来法のＣＣＤの略図、第３図は複数個の従来法の
ＣＯＤを有するウェハの平面図。 第４図は薄くされたＡレジスタを示す第３図の従来法の
ＣＣＤ０線４−４に沿う断面し、第５図は一様に薄くさ
れた装置を示す他の従来法ＣＣＤの断面図、第６図はこ
の発明によるＣＯＤを１つだけ含むウェハの平面図、第
７図は第６図のＣＣＤを含むウェハの線７−７に沿う断
面図、第８図はＣＣＤ支持構体に取付けられた第６図の
ウェハとＣＣＤを示す断面図である。 １０・・・電荷結合型画像感知器、２０・・・半導体ウ
ニノ〜。 ２２・・・ＣＣＤ、３０・・・電極、３８・・・接触パ
ッド、４０・・・表面。 ４２・・・裏面、４４・・・中央部、４６・・・リム部
。 特許出願人 アールシーニー コーポレーション化 理
人 清 水 哲 ほか２名才３図 光電テ 手続補正書（自発） 昭和６１年３月３日 特許庁長官 宇 賀道 部 殿 １．。 −；。 ↓〆′ １、事件の表示 特願昭６１−４１３３９号 ２、発明の名称 増倍型電荷結合画像感知器 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国 ニューヨーク州 １００２
０ニユーヨーク ロックフェラー プラｆ ３０５
補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄。 ６ 補正の内容 特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 添付書類 特許請求の範囲 以 上 特許請求の範囲 α）入射する輻射の強度に対応するパタンで光電子を放
射する光電陰極を内蔵する外囲器を含む画像増倍部と、
上記陰極から離隔され、表面に近接して複数個の電極を
有し、裏面が上記陰極に面してそれから光電子を受ける
電荷結合装置を含むヘッダ構体とを備え、上記電荷結合
装置が、中央部ム部の厚さより小さく、上記リム部が少
くともその一部に溢って上記複数個の電極の各別のもの
に電気的に接続された複数個の接触パッドを有する形式
の増倍型電荷結合画像感知器。
Claims (1)
- （１）入射する輻射の強度に対応するパタンで光電子を
放射する光電陰極を内蔵する外囲器を含む画像増倍部と
、上記陰極から離隔され、表面に近接して複数個の電極
を有し、裏面が上記陰極に面してそれから光電子を受け
る電荷結合装置を含むヘッダ構体とを備え、上記電荷結
合装置が、中央部と環状リム部を有し、その中央部の厚
さがその環状リム部の厚さより小さく、そのリム部が少
くともその一部に沿つて上記複数個の電極の各別のもの
に電気的に接続された複数個の接触パッドを有する形式
の増倍型電荷結合画像感知器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US705707 | 1985-02-26 | ||
| US06/705,707 US4639590A (en) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | Intensified charge-coupled image sensor having a charge-coupled device with contact pads on an annular rim thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61201462A true JPS61201462A (ja) | 1986-09-06 |
| JPH0761132B2 JPH0761132B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=24834600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61041339A Expired - Lifetime JPH0761132B2 (ja) | 1985-02-26 | 1986-02-25 | 増倍型電荷結合画像感知器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639590A (ja) |
| JP (1) | JPH0761132B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5013917A (en) * | 1988-07-07 | 1991-05-07 | Kaman Aerospace Corporation | Imaging lidar system using non-visible light |
| US4967270A (en) * | 1989-05-08 | 1990-10-30 | Kaman Aerospace Corporation | Lidar system incorporating multiple cameras for obtaining a plurality of subimages |
| US5034810A (en) * | 1989-12-07 | 1991-07-23 | Kaman Aerospace Corporation | Two wavelength in-situ imaging of solitary internal waves |
| US5231401A (en) * | 1990-08-10 | 1993-07-27 | Kaman Aerospace Corporation | Imaging lidar system |
| US5270780A (en) * | 1991-09-13 | 1993-12-14 | Science Applications International Corporation | Dual detector lidar system and method |
| US6828542B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-12-07 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
| US6807503B2 (en) * | 2002-11-04 | 2004-10-19 | Brion Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication |
| US7053355B2 (en) * | 2003-03-18 | 2006-05-30 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography process monitoring and control |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3640792A (en) * | 1970-08-07 | 1972-02-08 | Rca Corp | Apparatus for chemically etching surfaces |
| US3887810A (en) * | 1973-01-02 | 1975-06-03 | Texas Instruments Inc | Photon-multiplier imaging system |
| US3925657A (en) * | 1974-06-21 | 1975-12-09 | Rca Corp | Introduction of bias charge into a charge coupled image sensor |
| US4266334A (en) * | 1979-07-25 | 1981-05-12 | Rca Corporation | Manufacture of thinned substrate imagers |
| US4355229A (en) * | 1980-11-28 | 1982-10-19 | Rca Corporation | Intensified charge coupled image sensor having universal header assembly |
| US4360963A (en) * | 1981-07-31 | 1982-11-30 | Rca Corporation | Method of making CCD imagers with reduced defects |
| US4465549A (en) * | 1984-01-26 | 1984-08-14 | Rca Corporation | Method of removing a glass backing plate from one major surface of a semiconductor wafer |
| US4555731A (en) * | 1984-04-30 | 1985-11-26 | Polaroid Corporation | Electronic imaging camera with microchannel plate |
-
1985
- 1985-02-26 US US06/705,707 patent/US4639590A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-02-25 JP JP61041339A patent/JPH0761132B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0761132B2 (ja) | 1995-06-28 |
| US4639590A (en) | 1987-01-27 |
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