JP2875757B2 - 半導体放射線検出器の製造方法 - Google Patents

半導体放射線検出器の製造方法

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JP2875757B2 JP6333568A JP33356894A JP2875757B2 JP 2875757 B2 JP2875757 B2 JP 2875757B2 JP 6333568 A JP6333568 A JP 6333568A JP 33356894 A JP33356894 A JP 33356894A JP 2875757 B2 JP2875757 B2 JP 2875757B2
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【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体放射線検出器の
製造方法に関し、特にＣｄＴｅ放射線検出素子を用いた
半導体放射線検出器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣｄＴｅ放射線検出素子などを用いた半
導体放射線検出器では、空間的情報を得るために半導体
放射線検出素子を一次元や二次元状に配列されている。
従来、Ｙ．Ｉｗａｓｅ ｅｔ．ａｌ．Ｓｅｎｓｏｒｓ
ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ，３４，３１−３６（１９
９２）に記載されるものがあった。図７にその放射線検
出器の構成を斜視図で示す。この放射線検出器は、プリ
ント回路基板１１上に、幅１．８ｍｍの検出素子１２が
ピッチ２．０ｍｍで一次元アレイ状に９０個搭載されて
いる。各検出素子１２の上面にはＰｔ電極１３がそれぞ
れ形成され、その各Ｐｔ電極１３が共通リード線１４に
接続されている。さらに、検出素子１２他方の電極は、
プリント回路基板１１を介して金属ピン１５に接続され
ている。
【０００３】しかし、このような従来の放射線検出器で
は、複数個の検出素子を１つのプリント回路基板上に搭
載するに際し、隣合う検出素子同志が接触してクロスト
−クが発生したり、素子性能が劣化したりする恐れがあ
るほか、隣合う検出素子同志のピッチが開き過ぎて大き
な不感幅が発生したりする可能性もあるため、各検出素
子間のピッチにばらつきが生じないように複雑な作業が
必要となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題を
解決したもので、本発明の目的は放射線検出素子を一次
元または二次元状にアレイした放射線検出器の放射線検
出素子同志のピッチを正確に設定できる簡便な方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記問題を解決するために鋭意検討した結果、本発明に到
った。すなわち、本発明は、複数の半導体放射線検出素
子を並べて半導体放射線検出器を製造する方法におい
て、その両面に電極が形成された半導体単結晶ウェハを
下敷きに固定し、ダイシングブレ−ドにより個々の半導
体放射線検出素子に切断した後、個々の半導体放射線検
出素子が下敷きに固定された状態で所定の隣接する半導
体放射線検出素子同志の上面側を絶縁性接着剤で接着
し、その後絶縁性接着剤で接着されて並んだ状態の半導
体放射線検出素子を下敷きから取り出し、半導体放射線
検出器に組み込むことを特徴とする半導体放射線検出器
の製造方法を提供するものである。
【０００６】また、複数の半導体放射線検出素子を並べ
て半導体放射線検出器を製造する方法において、その両
面に電極が形成された半導体単結晶ウェハをワックスを
用いて下敷きに固定し、ダイシングブレ−ドにより個々
の半導体放射線検出素子に切断した後、個々の半導体放
射線検出素子が下敷きに固定された状態で所定の隣接す
る半導体放射線検出素子同志の上面側を絶縁性接着剤で
接着し、その後固定用ワックスを溶かして、絶縁性接着
剤で接着されて並んだ状態の半導体放射線検出素子を下
敷きから取り出し、半導体放射線検出器に組み込むこと
を特徴とする半導体放射線検出器の製造方法を提供する
ものである。
【０００７】さらに、複数の半導体放射線検出素子を並
べて半導体放射線検出器を製造する方法において、その
両面に電極が形成された半導体単結晶ウェハを第１のワ
ックスを用いて下敷きに固定し、さらに第２のワックス
を用いて該半導体単結晶ウェハの上面を被覆し、ダイシ
ングブレ−ドにより個々の半導体放射線検出素子に切断
した後、該第２のワックスのみを溶かし、個々の半導体
放射線検出素子が該第１のワックスにより下敷きに固定
された状態で所定の隣接する半導体放射線検出素子同志
の上面側を絶縁性接着剤で接着し、その後固定用の該第
１のワックスを溶かして、絶縁性接着剤で接着されて並
んだ状態の半導体放射線検出素子を下敷きから取り出
し、半導体放射線検出器に組み込むことを特徴とする半
導体放射線検出器の製造方法を提供するものである。
【０００８】さらにまた、上記半導体放射線検出素子が
ＣｄＴｅ放射線検出素子であることを特徴とする半導体
放射線検出器の製造方法を提供するものである。
【０００９】本発明によれば、その両面に電極が形成さ
れた半導体単結晶ウェハをダイシングブレ−ドにより個
々の半導体放射線検出素子に切断したときの切りしろが
検出素子間のピッチとなるので、個々の放射線検出素子
をピッチ精度良く並べる複雑な作業が必要なくなる。ま
た、ダイシングブレ−ドの幅を変えることにより、任意
のピッチ幅にすることができる。
【００１０】
【実施例】
（実施例１）本発明の第１の実施例をＣｄＴｅ放射線検
出検出器を例にして、図１、図２および図３をもとに説
明する。先ず、厚さ２ｍｍ，長さ３０ｍｍ，幅２０ｍｍ
のＣｄＴｅウェハの両面に白金をめっきして電極を形成
した後、ダイシング用下敷きである単結晶シリコンウェ
ハ上に第１のワックスであるアセトン溶解性ワックスを
用いてＣｄＴｅウェハを貼り付け固定した。
【００１１】さらに、ＣｄＴｅウェハの上面電極側を第
２のワックスであるメタノ−ル溶解性ワックスで被覆し
た。次に、ブレ−ド幅０．２ｍｍのダイシングブレ−ド
を用いて、図１に示すように各ＣｄＴｅ放射線検出素子
が長さ２．０ｍｍ、幅１．８ｍｍとなるように切断し
た。
【００１２】切断後、メタノ−ルによりＣｄＴｅウェハ
の上面電極側の第２のワックスのみを溶解して、上面電
極側を露出させた。このとき、第１のワックスであるア
セトン溶解性ワックスはメタノ−ルに溶けないので、個
々の放射線検出素子は下敷きに固定された状態になって
いる。
【００１３】次に、図２に示すように縦方向に隣接する
１０個の放射線検出素子１を絶縁性接着剤であるシリコ
−ンゴム２により接着した。シリコ−ンゴムが固化した
後、アセトンを用いて固定用の第１のワックスであるア
セトン溶解性ワックスを溶解して、１０個ずつに連結さ
れた放射線検出素子を下敷きから取り出した。連結され
た放射線検出素子を図３に示すように電気的に接続し、
パッケ−ジングを施して一次元アレイ放射線検出器とし
た。
【００１４】（実施例２）実施例１と同様にしてＣｄＴ
ｅウェハを下敷きに貼り付けた後、ブレ−ド幅０．０５
ｍｍのダイシングブレ−ドを用いて図４に示すような一
辺が２．０ｍｍの正三角形となるように切断した。その
後、実施例１と同様に上面電極側の第２のワックスのみ
を溶解した。次に、図５に示すように六角形状に隣接す
る６個の放射線検出素子１を絶縁性接着剤であるシリコ
−ンゴム２により接着した。
【００１５】シリコーンゴムが固化した後、アセトンを
用いて固定用の第１のワックスであるアセトン溶解性ワ
ックスを溶解して、六角形状に連結された放射線検出素
子を下敷きから取り出した。連結された放射線検出素子
を図６に示すように電気的に接続し、パッケージングを
施して複合型放射線検出器とした。
【００１６】上記実施例では、２種類のワックスを用い
た例を示したが、１種類のワックスを用いて上面電極側
のみを溶剤に接触させて上面電極側を露出させても良
い。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、放射線検出素子を一次元または二次元状にア
レイした放射線検出器の放射線検出素子同志のピッチを
正確に設定できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施例の半導体単結晶ウェハの切断パ
タ−ンを示す図である。
【図２】 第１の実施例の放射線検出素子同志の接着パ
タ−ンを示す図である。
【図３】 第１の実施例の放射線検出器の概略図であ
る。
【図４】 第２の実施例の半導体単結晶ウェハの切断パ
タ−ンを示す図である。
【図５】 第２の実施例の放射線検出素子同志の接着パ
タ−ンを示す図である。
【図６】 第２の実施例の放射線検出器の概略図であ
る。
【図７】 従来の放射線検出器の概略図である。
【符号の説明】
１ 半導体放射線検出素子 ２ 絶縁性接着剤 １１ プリント回路基板 １２ 半導体放射線検出素子 １３ Ｐｔ電極 １４ 共通リ−ド線 １５ 金属ピン

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の半導体放射線検出素子を並べて半
    導体放射線検出器を製造する方法において、その両面に
    電極が形成された半導体単結晶ウェハを下敷きに固定
    し、ダイシングブレ−ドにより個々の半導体放射線検出
    素子に切断した後、個々の半導体放射線検出素子が下敷
    きに固定された状態で所定の隣接する半導体放射線検出
    素子同志の上面側を絶縁性接着剤で接着し、その後絶縁
    性接着剤で接着されて並んだ状態の半導体放射線検出素
    子を下敷きから取り出し、半導体放射線検出器に組み込
    むことを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。
  2. 【請求項２】 複数の半導体放射線検出素子を並べて半
    導体放射線検出器を製造する方法において、その両面に
    電極が形成された半導体単結晶ウェハをワックスを用い
    て下敷きに固定し、ダイシングブレ−ドにより個々の半
    導体放射線検出素子に切断した後、個々の半導体放射線
    検出素子が下敷きに固定された状態で所定の隣接する半
    導体放射線検出素子同志の上面側を絶縁性接着剤で接着
    し、その後固定用ワックスを溶かして、絶縁性接着剤で
    接着されて並んだ状態の半導体放射線検出素子を下敷き
    から取り出し、半導体放射線検出器に組み込むことを特
    徴とする半導体放射線検出器の製造方法。
  3. 【請求項３】 複数の半導体放射線検出素子を並べて半
    導体放射線検出器を製造する方法において、その両面に
    電極が形成された半導体単結晶ウェハを第１のワックス
    を用いて下敷きに固定し、さらに第２のワックスを用い
    て該半導体単結晶ウェハの上面を被覆し、ダイシングブ
    レ−ドにより個々の半導体放射線検出素子に切断した
    後、該第２のワックスのみを溶かし、個々の半導体放射
    線検出素子が該第１のワックスにより下敷きに固定され
    た状態で所定の隣接する半導体放射線検出素子同志の上
    面側を絶縁性接着剤で接着し、その後固定用の該第１の
    ワックスを溶かして、絶縁性接着剤で接着されて並んだ
    状態の半導体放射線検出素子を下敷きから取り出し、半
    導体放射線検出器に組み込むことを特徴とする半導体放
    射線検出器の製造方法。
  4. 【請求項４】 上記半導体放射線検出素子がＣｄＴｅ放
    射線検出素子であることを特徴とする請求項１、２また
    は３記載の半導体放射線検出器の製造方法。
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