JPH08166461A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPH08166461A JPH08166461A JP6308762A JP30876294A JPH08166461A JP H08166461 A JPH08166461 A JP H08166461A JP 6308762 A JP6308762 A JP 6308762A JP 30876294 A JP30876294 A JP 30876294A JP H08166461 A JPH08166461 A JP H08166461A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アレイ配列の際には、素子性能を損なうこと
なく位置精度を確保することができ、且つ作業性を向上
させることができる放射線検出器を提供することであ
る。 【構成】 入射された放射線を検出する放射線検出素子
を有する放射線検出器において、単体の前記放射線検出
素子は、単体の絶縁性基体上に載置され、前記放射線検
出素子における電極面の横方向の幅が同方向の前記絶縁
性基体の幅より０〜０．４ｍｍ小さく設定されたもので
ある。
なく位置精度を確保することができ、且つ作業性を向上
させることができる放射線検出器を提供することであ
る。 【構成】 入射された放射線を検出する放射線検出素子
を有する放射線検出器において、単体の前記放射線検出
素子は、単体の絶縁性基体上に載置され、前記放射線検
出素子における電極面の横方向の幅が同方向の前記絶縁
性基体の幅より０〜０．４ｍｍ小さく設定されたもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、医療用診断機器並びに
非破壊検査装置等に利用され、放射線の強度分布を計測
する放射線検出器に関する。
非破壊検査装置等に利用され、放射線の強度分布を計測
する放射線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の放射線検出器としては、
例えば特開昭５８−１４２２８３号公報や、Ｙ．Ｉｗａ
ｓｅ ｅｔ．ａｌ．Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕ
ａｔｏｒｓＡ，３４，３１−３６（１９９２）に記載さ
れるものがあった（以下、前者を文献１、後者を文献２
という）。
例えば特開昭５８−１４２２８３号公報や、Ｙ．Ｉｗａ
ｓｅ ｅｔ．ａｌ．Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕ
ａｔｏｒｓＡ，３４，３１−３６（１９９２）に記載さ
れるものがあった（以下、前者を文献１、後者を文献２
という）。
【０００３】図９（ａ），（ｂ）は、上記文献１に開示
された従来の放射線検出器の構成を示す図であり、同図
（ａ）はその斜視図、同図（ｂ）はＡ−Ａ’断面図であ
る。
された従来の放射線検出器の構成を示す図であり、同図
（ａ）はその斜視図、同図（ｂ）はＡ−Ａ’断面図であ
る。
【０００４】この放射線検出器は、タングステン（Ｗ）
マウント板１０１上に、アルミニューム（Ａｌ）電極１
０２と、ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１０３と、Ａｕ
（金）メッキ電極１０４とが順次積層されている。そし
て、ｎ−Ｓｉ基板１０３に所定の間隔で掘られた各溝に
はＷスペーサ（コリメータ）１０５が挿入され、同一シ
リコン基板１０３上に一体的に複数の個別検出素子領域
が形成されている。
マウント板１０１上に、アルミニューム（Ａｌ）電極１
０２と、ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１０３と、Ａｕ
（金）メッキ電極１０４とが順次積層されている。そし
て、ｎ−Ｓｉ基板１０３に所定の間隔で掘られた各溝に
はＷスペーサ（コリメータ）１０５が挿入され、同一シ
リコン基板１０３上に一体的に複数の個別検出素子領域
が形成されている。
【０００５】この放射線検出器によれば、各単位検出器
領域は、放射線に対する素子能力の高いＷスペーサ１０
５によって仕切られ、散乱放射線によるクロストークが
抑えられる。さらに、同一基板上に複数の検出素子を配
置することができるため、素子を配列してしまえばアレ
イ検出器として取扱いが容易となる、といった利点を有
している。
領域は、放射線に対する素子能力の高いＷスペーサ１０
５によって仕切られ、散乱放射線によるクロストークが
抑えられる。さらに、同一基板上に複数の検出素子を配
置することができるため、素子を配列してしまえばアレ
イ検出器として取扱いが容易となる、といった利点を有
している。
【０００６】図１０は、上記文献２に開示された従来の
放射線検出器の構成を示す斜視図である。
放射線検出器の構成を示す斜視図である。
【０００７】この放射線検出器は、プリント回路基板２
０１上に、幅１．８ｍｍの検出素子２０２がピッチ２．
０ｍｍで一次元アレイ状に９０個搭載されている。各検
出素子２０２の上面にはＰｔ電極２０３がそれぞれ形成
され、その各Ｐｔ電極２０３が共通リード線２０４に接
続されている。さらに、検出素子２０２の他方の電極
は、プリント回路基板２０１を介して金属ピン２０５に
接続されている。
０１上に、幅１．８ｍｍの検出素子２０２がピッチ２．
０ｍｍで一次元アレイ状に９０個搭載されている。各検
出素子２０２の上面にはＰｔ電極２０３がそれぞれ形成
され、その各Ｐｔ電極２０３が共通リード線２０４に接
続されている。さらに、検出素子２０２の他方の電極
は、プリント回路基板２０１を介して金属ピン２０５に
接続されている。
【０００８】この放射線検出器においても、同一基板上
に複数の検出素子を配置することができるため、検出素
子の配列構成の観点から前述の図９の検出器と同様の利
点を有している。
に複数の検出素子を配置することができるため、検出素
子の配列構成の観点から前述の図９の検出器と同様の利
点を有している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の放射線検出器では、素子の配列数、配列構造あ
るいはシールド構造の自由度が少ないばかりか、使用中
に特性の変動や不良が発生した場合に素子を交換するこ
とが困難であるという問題があった。
た従来の放射線検出器では、素子の配列数、配列構造あ
るいはシールド構造の自由度が少ないばかりか、使用中
に特性の変動や不良が発生した場合に素子を交換するこ
とが困難であるという問題があった。
【００１０】さらに、上記文献２の放射線検出器では、
複数個の検出素子を１つのプリント回路基板上に搭載す
るに際し、隣合う検出素子同士が接触してクロストーク
が発生したり、素子性能が劣化したりする恐れがあるほ
か、隣合う検出素子同士のピッチが開き過ぎて大きな不
感幅が発生したりする可能性もあるため、各検出素子間
のピッチにばらつきが生じないように複雑な作業が必要
となっていた。
複数個の検出素子を１つのプリント回路基板上に搭載す
るに際し、隣合う検出素子同士が接触してクロストーク
が発生したり、素子性能が劣化したりする恐れがあるほ
か、隣合う検出素子同士のピッチが開き過ぎて大きな不
感幅が発生したりする可能性もあるため、各検出素子間
のピッチにばらつきが生じないように複雑な作業が必要
となっていた。
【００１１】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、素子の配列
数、配列構造あるいはシールド構造の自由度が増し、且
つ素子交換も容易に行うことが可能な放射線検出器を提
供することである。またその他の目的は、アレイ配列の
際に、素子性能を損なうことなく位置精度を確保するこ
とができ、且つ作業性を向上させることができる放射線
検出器を提供することである。
するためになされたもので、その目的は、素子の配列
数、配列構造あるいはシールド構造の自由度が増し、且
つ素子交換も容易に行うことが可能な放射線検出器を提
供することである。またその他の目的は、アレイ配列の
際に、素子性能を損なうことなく位置精度を確保するこ
とができ、且つ作業性を向上させることができる放射線
検出器を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴は、入射された放射線を検出する放射
線検出素子を有する放射線検出器において、単体の前記
放射線検出素子は、単体の絶縁性基体上に載置され、前
記放射線検出素子における電極面の横方向の幅が同方向
の前記絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ小さく設定さ
れたことにある。
に、本発明の特徴は、入射された放射線を検出する放射
線検出素子を有する放射線検出器において、単体の前記
放射線検出素子は、単体の絶縁性基体上に載置され、前
記放射線検出素子における電極面の横方向の幅が同方向
の前記絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ小さく設定さ
れたことにある。
【００１３】さらに、本発明の特徴は、入射された放射
線を検出する放射線検出素子を有する放射線検出器にお
いて、単体の前記放射線検出素子を単体の絶縁性基体上
に載置して、該放射線検出素子における電極面の横方向
の幅が同方向の前記絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ
小さく設定された単位検出器を構成し、前記単位検出器
を１つの基板上に複数個載置したことにある。
線を検出する放射線検出素子を有する放射線検出器にお
いて、単体の前記放射線検出素子を単体の絶縁性基体上
に載置して、該放射線検出素子における電極面の横方向
の幅が同方向の前記絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ
小さく設定された単位検出器を構成し、前記単位検出器
を１つの基板上に複数個載置したことにある。
【００１４】また、前記放射線検出素子をＣｄＴｅ素子
で構成すると共に、前記絶縁性基体をセラミック基板ま
たはガラスエポキシ基板で構成することが望ましい。
で構成すると共に、前記絶縁性基体をセラミック基板ま
たはガラスエポキシ基板で構成することが望ましい。
【００１５】また、前記セラミック基板をアルミナ基
板、サファイア基板またはジルコニア基板で構成する事
が望ましい。
板、サファイア基板またはジルコニア基板で構成する事
が望ましい。
【００１６】また、前記絶縁性基体を貫通する第１及び
第２の金属ピンを設けると共に、該絶縁性基体の上面側
に前記第２の金属ピンと導通する導電層を形成し、前記
放射線検出素子の下面電極が前記導電層と導通し、該放
射線検出素子の上面電極が前記第１の金属と導通する形
で、前記絶縁性基体上に前記放射線検出素子を載置する
ことが望ましい。
第２の金属ピンを設けると共に、該絶縁性基体の上面側
に前記第２の金属ピンと導通する導電層を形成し、前記
放射線検出素子の下面電極が前記導電層と導通し、該放
射線検出素子の上面電極が前記第１の金属と導通する形
で、前記絶縁性基体上に前記放射線検出素子を載置する
ことが望ましい。
【００１７】
【作用】上述の如き構成によれば、単体の放射線検出素
子を単体の絶縁性基体上に載置する際に、これをアレイ
化することを考慮して信号のクロストークや不感幅を最
小限に抑えるため、放射線検出素子における電極面の横
方向の幅が同方向の絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ
小さくなるように設定しているので、例えばこの単位検
出器を１つの基板上に複数個載置（アレイ配列）する際
には、各放射線検出素子間のピッチのばらつきを考慮せ
ず単に同一基板上に単位検出器を並べるだけでよくな
る。
子を単体の絶縁性基体上に載置する際に、これをアレイ
化することを考慮して信号のクロストークや不感幅を最
小限に抑えるため、放射線検出素子における電極面の横
方向の幅が同方向の絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ
小さくなるように設定しているので、例えばこの単位検
出器を１つの基板上に複数個載置（アレイ配列）する際
には、各放射線検出素子間のピッチのばらつきを考慮せ
ず単に同一基板上に単位検出器を並べるだけでよくな
る。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明の第１実施例に係る放射線検出器
の構成を示す斜視図、及び図２（ａ），（ｂ）は、図１
に示した放射線検出器の作製方法を示す図であり、同図
（ａ）は放射線検出素子の斜視図、及び同図（ｂ）は該
放射線検出素子を載置する絶縁性基体の斜視図である。
する。図１は、本発明の第１実施例に係る放射線検出器
の構成を示す斜視図、及び図２（ａ），（ｂ）は、図１
に示した放射線検出器の作製方法を示す図であり、同図
（ａ）は放射線検出素子の斜視図、及び同図（ｂ）は該
放射線検出素子を載置する絶縁性基体の斜視図である。
【００１９】図１に示すようにアルミナ基板、サファイ
ア基板やジルコニア基板等の絶縁性基体１上に放射線検
出素子２を載置した本実施例の放射線検出器１０を作製
するには、まず、図２（ａ）に示すように、厚さ１ｍｍ
のＣｌ（塩素）ドープの高抵抗ＣｄＴｅ体２ａに対向す
る両面に無電解Ｐｔメッキ電極２ｂ，２ｃ（上面電極，
下面電極）を形成し、この状態のウエハをダイシングソ
ーによって２ｍｍ角に切断し、放射線検出素子２を作成
する。
ア基板やジルコニア基板等の絶縁性基体１上に放射線検
出素子２を載置した本実施例の放射線検出器１０を作製
するには、まず、図２（ａ）に示すように、厚さ１ｍｍ
のＣｌ（塩素）ドープの高抵抗ＣｄＴｅ体２ａに対向す
る両面に無電解Ｐｔメッキ電極２ｂ，２ｃ（上面電極，
下面電極）を形成し、この状態のウエハをダイシングソ
ーによって２ｍｍ角に切断し、放射線検出素子２を作成
する。
【００２０】また、図２（ｂ）に示すように、上面に導
電性パターン３（導電層）が形成され、且つ信号取り出
し用の金属ピン４，５（第１，第２の金属ピン）が固定
された角型形状の絶縁性基体１（幅２．２ｍｍ、厚さ１
ｍｍ）を用意する。
電性パターン３（導電層）が形成され、且つ信号取り出
し用の金属ピン４，５（第１，第２の金属ピン）が固定
された角型形状の絶縁性基体１（幅２．２ｍｍ、厚さ１
ｍｍ）を用意する。
【００２１】具体的には、絶縁性基体１の上面側に導電
性パターン３を形成し、さらに例えばＮｉ（ニッケル）
に金メッキを施した金属ピン４，５を、絶縁性基体１の
長手方向の両端部に該絶縁性基体１を貫通して固定す
る。この金属ピン４，５の固定に際しては、アレイ化す
る場合（後述する）の配列ピッチ精度や素子の接触を避
けるために適切な状態で固定される必要がある。すなわ
ち、金属ピン４，５の直径、長さ等は目的や用途によっ
て選択すればよいが、固定された金属ピン４，５は、図
３に示すように絶縁性基体１の上面投影面からはみ出し
ていない状態となっている必要がある。そして、前記金
属ピン５を絶縁性基体１の上面側に形成された導電性パ
ターン３に接続しておく。
性パターン３を形成し、さらに例えばＮｉ（ニッケル）
に金メッキを施した金属ピン４，５を、絶縁性基体１の
長手方向の両端部に該絶縁性基体１を貫通して固定す
る。この金属ピン４，５の固定に際しては、アレイ化す
る場合（後述する）の配列ピッチ精度や素子の接触を避
けるために適切な状態で固定される必要がある。すなわ
ち、金属ピン４，５の直径、長さ等は目的や用途によっ
て選択すればよいが、固定された金属ピン４，５は、図
３に示すように絶縁性基体１の上面投影面からはみ出し
ていない状態となっている必要がある。そして、前記金
属ピン５を絶縁性基体１の上面側に形成された導電性パ
ターン３に接続しておく。
【００２２】次に、図２（ｂ）に示す状態の絶縁性基体
１の上面に放射線検出素子２を載置する。その際、位置
精度を確保し且つ簡便に固定できるように、図４に示す
ように位置調節治具２０を用いて行う。この位置調節治
具２０は、角型形状の絶縁性基体１に接触している基体
に固定されて２次元的に位置調節が可能な治具であり、
この位置調節治具２０を用いて絶縁性基体１の上面に固
定する放射線検出素子２の位置決定を行う。
１の上面に放射線検出素子２を載置する。その際、位置
精度を確保し且つ簡便に固定できるように、図４に示す
ように位置調節治具２０を用いて行う。この位置調節治
具２０は、角型形状の絶縁性基体１に接触している基体
に固定されて２次元的に位置調節が可能な治具であり、
この位置調節治具２０を用いて絶縁性基体１の上面に固
定する放射線検出素子２の位置決定を行う。
【００２３】この位置決定に際しては、図５に示すよう
に上記の放射線検出器１０を単位検出器としてガラス・
エポキシ基板等の上にアレイ配列する場合を考慮して、
放射線検出素子２における電極面の横方向の幅Ｌｄが同
方向の絶縁性基体１の幅Ｌｓより、０〜０．４ｍｍ小さ
くなるように設定する。
に上記の放射線検出器１０を単位検出器としてガラス・
エポキシ基板等の上にアレイ配列する場合を考慮して、
放射線検出素子２における電極面の横方向の幅Ｌｄが同
方向の絶縁性基体１の幅Ｌｓより、０〜０．４ｍｍ小さ
くなるように設定する。
【００２４】すなわち、例えば素子幅Ｌｄに対して基体
幅Ｌｓを大きく設定してアレイ化すると、各素子間Ｌｘ
（＝Ｌｓ−Ｌｄ）の幅だけ不感幅を生ずる。アレイ形状
の場合において、この不感幅は極力小さくすることが望
ましい。一方、素子幅Ｌｄに対して基体幅Ｌｓを小さく
設定してアレイ化すると、そのアレイ配列を行う際、あ
るいは振動が生じた場合にＣｄＴｅ体２ａ同士が接触す
ることによって信号のクロストークが生じたり、ＣｄＴ
ｅ体２ａと基体１とが接触し、放射線検出素子２の基本
特性が劣化する恐れがある。このような不感幅と接触の
関係から、放射線検出機能を最大限発揮するためには、
Ｌｓ−Ｌｄ＝０〜０．４ｍｍと設定することが最適であ
る。
幅Ｌｓを大きく設定してアレイ化すると、各素子間Ｌｘ
（＝Ｌｓ−Ｌｄ）の幅だけ不感幅を生ずる。アレイ形状
の場合において、この不感幅は極力小さくすることが望
ましい。一方、素子幅Ｌｄに対して基体幅Ｌｓを小さく
設定してアレイ化すると、そのアレイ配列を行う際、あ
るいは振動が生じた場合にＣｄＴｅ体２ａ同士が接触す
ることによって信号のクロストークが生じたり、ＣｄＴ
ｅ体２ａと基体１とが接触し、放射線検出素子２の基本
特性が劣化する恐れがある。このような不感幅と接触の
関係から、放射線検出機能を最大限発揮するためには、
Ｌｓ−Ｌｄ＝０〜０．４ｍｍと設定することが最適であ
る。
【００２５】この位置決定を行い、導電性ペースト等に
よって絶縁性基体１上に放射線検出素子２を固定した
後、金属ピン４と放射線検出素子２の上面電極２ｂとを
ワイヤ６を介して接合すれば、図１に示した本実施例の
放射線検出器１０を得ることができる。
よって絶縁性基体１上に放射線検出素子２を固定した
後、金属ピン４と放射線検出素子２の上面電極２ｂとを
ワイヤ６を介して接合すれば、図１に示した本実施例の
放射線検出器１０を得ることができる。
【００２６】また、絶縁性基体１上に放射線検出素子２
を固定した後に、絶縁性エポキシ、シリコーン等によっ
て上記放射線検出素子２を被覆することも可能である。
このような被覆を施す場合は、アレイ配置の際に隣合う
素子２と基体１等が接触することにより生ずる電気的特
性の劣化を防止することができる。
を固定した後に、絶縁性エポキシ、シリコーン等によっ
て上記放射線検出素子２を被覆することも可能である。
このような被覆を施す場合は、アレイ配置の際に隣合う
素子２と基体１等が接触することにより生ずる電気的特
性の劣化を防止することができる。
【００２７】図６は、上述の方法で作製された本実施例
の放射線検出器１０のエネルギスペクトル特性を示す図
である。
の放射線検出器１０のエネルギスペクトル特性を示す図
である。
【００２８】同図により、６０ｋｅＶのＸ線に対して良
好な半値幅が得られていることが分かる。なお、特性劣
化している素子のエネルギスペクトル特性は、図７に示
すようになる。
好な半値幅が得られていることが分かる。なお、特性劣
化している素子のエネルギスペクトル特性は、図７に示
すようになる。
【００２９】このように、本実施例では、１個の放射線
検出素子２を単体の絶縁性基体１上に載置する際に、こ
れをアレイ化することを考慮して信号のクロストークや
不感幅を最小限に抑えるために、放射線検出素子２にお
ける電極面の横方向の幅Ｌｄが同方向の絶縁性基体１の
幅Ｌｓより０〜０．４ｍｍ小さくなるように設定してい
る。これにより、図５に示すように、単位検出器１０を
１つの基板上にアレイ配列する際には、各放射線検出素
子２間のピッチのばらつきを考慮せずに同一基板上に単
位検出器１０を単に並べるだけの簡単な作業で行うこと
ができ、且つ良好な特性の放射線検出器を得ることがで
き、しかも検出素子２の配列数、配列構造あるいはシー
ルド構造の自由度が増し、且つ素子交換も容易に行うこ
とができる。
検出素子２を単体の絶縁性基体１上に載置する際に、こ
れをアレイ化することを考慮して信号のクロストークや
不感幅を最小限に抑えるために、放射線検出素子２にお
ける電極面の横方向の幅Ｌｄが同方向の絶縁性基体１の
幅Ｌｓより０〜０．４ｍｍ小さくなるように設定してい
る。これにより、図５に示すように、単位検出器１０を
１つの基板上にアレイ配列する際には、各放射線検出素
子２間のピッチのばらつきを考慮せずに同一基板上に単
位検出器１０を単に並べるだけの簡単な作業で行うこと
ができ、且つ良好な特性の放射線検出器を得ることがで
き、しかも検出素子２の配列数、配列構造あるいはシー
ルド構造の自由度が増し、且つ素子交換も容易に行うこ
とができる。
【００３０】図８は、本発明の第２実施例に係る放射線
検出器の構成を示す斜視図である。
検出器の構成を示す斜視図である。
【００３１】上記第１実施例では、導電性ペースト等を
用いて絶縁性基体１上に放射線検出素子２の電極面２ｃ
を直接固定する際に、絶縁性基体１の上面に導電性パタ
ーン３を設けることにより、電極面２ｃからの信号の取
り出しを容易にしている。
用いて絶縁性基体１上に放射線検出素子２の電極面２ｃ
を直接固定する際に、絶縁性基体１の上面に導電性パタ
ーン３を設けることにより、電極面２ｃからの信号の取
り出しを容易にしている。
【００３２】これに対して、本実施例では、導電性パタ
ーン３を形成しない代わりに、絶縁性基体１上面に放射
線検出素子２の下面から金属ピン５まで至る溝２１を形
成するという構成を採ることにより、放射線検出素子２
を絶縁性基体１の上面に絶縁性接着剤等によって固定し
た後に、電気的接続を行うことを可能とするものであ
る。すなわち、この電気的接続として、溝２１の内部に
沿って導電性ペースト２２を設け、その一端を放射線検
出素子２の電極面２ｃに、またその他端を金属ピン５に
それぞれ接合し、さらに、放射線検出素子２の上面電極
２ｂと金属ピン４をワイヤ６を介して接合する。
ーン３を形成しない代わりに、絶縁性基体１上面に放射
線検出素子２の下面から金属ピン５まで至る溝２１を形
成するという構成を採ることにより、放射線検出素子２
を絶縁性基体１の上面に絶縁性接着剤等によって固定し
た後に、電気的接続を行うことを可能とするものであ
る。すなわち、この電気的接続として、溝２１の内部に
沿って導電性ペースト２２を設け、その一端を放射線検
出素子２の電極面２ｃに、またその他端を金属ピン５に
それぞれ接合し、さらに、放射線検出素子２の上面電極
２ｂと金属ピン４をワイヤ６を介して接合する。
【００３３】このような構成であっても、上記第１実施
例と同様の作用効果を得ることができることはいうまで
もない。
例と同様の作用効果を得ることができることはいうまで
もない。
【００３４】なお、上記第１及び第２実施例では、１個
の放射線検出素子２を単体の絶縁性基体１上に載置する
際に、放射線検出素子２における電極面の横方向の幅Ｌ
ｄが同方向の絶縁性基体１の幅Ｌｓより０〜０．４ｍｍ
小さくなるように設定している。この設定範囲のうち０
ｍｍの場合、つまり素子幅Ｌｄと基体幅Ｌｓとが同一と
なる場合が有り得るが、これは、例えば１個の単位検出
器１０で放射線検出器を構成する場合や、アレイ形状で
使用するときに各単位検出器１０間にスペーサを設ける
場合等を想定している。
の放射線検出素子２を単体の絶縁性基体１上に載置する
際に、放射線検出素子２における電極面の横方向の幅Ｌ
ｄが同方向の絶縁性基体１の幅Ｌｓより０〜０．４ｍｍ
小さくなるように設定している。この設定範囲のうち０
ｍｍの場合、つまり素子幅Ｌｄと基体幅Ｌｓとが同一と
なる場合が有り得るが、これは、例えば１個の単位検出
器１０で放射線検出器を構成する場合や、アレイ形状で
使用するときに各単位検出器１０間にスペーサを設ける
場合等を想定している。
【００３５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、単体の放射線検出素子は、単体の絶縁性基体上に載
置され、前記放射線検出素子における電極面の横方向の
幅が同方向の前記絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ小
さく設定されるようにしたので、例えばこの単位検出器
を１つの基板上に複数個載置する際には、各放射線検出
素子間のピッチのばらつきを考慮せず単に同一基板上に
単位検出器を並べるだけでよくなり、素子性能を損なう
ことなく位置精度を確保することができると共に、作業
性が大幅に向上する。また、素子の配列数、配列構造あ
るいはシールド構造の自由度が増し、且つ素子交換も容
易に行うことが可能となる。
ば、単体の放射線検出素子は、単体の絶縁性基体上に載
置され、前記放射線検出素子における電極面の横方向の
幅が同方向の前記絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ小
さく設定されるようにしたので、例えばこの単位検出器
を１つの基板上に複数個載置する際には、各放射線検出
素子間のピッチのばらつきを考慮せず単に同一基板上に
単位検出器を並べるだけでよくなり、素子性能を損なう
ことなく位置精度を確保することができると共に、作業
性が大幅に向上する。また、素子の配列数、配列構造あ
るいはシールド構造の自由度が増し、且つ素子交換も容
易に行うことが可能となる。
【００３６】これにより、医療用診断機器並びに非破壊
検査装置等に用いるアレイ型放射線検出器を構成する場
合には、配列精度並びに作製効率の向上のほか、高信頼
性、低コスト化を図ることが可能となる。
検査装置等に用いるアレイ型放射線検出器を構成する場
合には、配列精度並びに作製効率の向上のほか、高信頼
性、低コスト化を図ることが可能となる。
【図１】本発明の第１実施例に係る放射線検出器の構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】図１に示した放射線検出器の製造方法を示す図
である。
である。
【図３】図１中の金属ピンの固定位置を示す図である。
【図４】絶縁性基体上に放射線検出素子を載置する際の
位置決定手法を示す図である。
位置決定手法を示す図である。
【図５】図１に示した放射線検出器のアレイ構造を示す
図である。
図である。
【図６】第１実施例の放射線検出器のエネルギスペクト
ル特性を示す図である。
ル特性を示す図である。
【図７】特性劣化している素子のエネルギスペクトル特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図８】本発明の第２実施例に係る放射線検出器の構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図９】従来の放射線検出器の構成を示す図である。
【図１０】従来の他の放射線検出器の構成を示す斜視図
である。
である。
１ 絶縁性基体 ２ 放射線検出素子 ２ａ ＣｄＴｅ体 ２ｂ 上面電極 ２ｃ 下面電極 ３ 導電性パターン ４，５ 金属ピン ６ ワイヤ １０ 放射線検出器 ２０ 位置調節治具 ２１ 溝 ２２ 導電性ペースト
Claims (5)
- 【請求項１】 入射された放射線を検出する放射線検出
素子を有する放射線検出器において、 単体の前記放射線検出素子は、単体の絶縁性基体上に載
置され、 前記放射線検出素子における電極面の横方向の幅が同方
向の前記絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ小さく設定
されたことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項２】 入射された放射線を検出する放射線検出
素子を有する放射線検出器において、 単体の前記放射線検出素子を単体の絶縁性基体上に載置
して、該放射線検出素子における電極面の横方向の幅が
同方向の前記絶縁性基体の幅より０〜０．４ｍｍ小さく
設定された単位検出器を構成し、 前記単位検出器を１つの基板上に複数個載置したことを
特徴とする放射線検出器。 - 【請求項３】 前記放射線検出素子をＣｄＴｅ素子で構
成すると共に、前記絶縁性基体をセラミック基板または
ガラスエポキシ基板で構成したことを特徴とする請求項
１または２記載の放射線検出器。 - 【請求項４】 前記セラミック基板をアルミナ基板、サ
ファイア基板またはジルコニア基板で構成したことを特
徴とする請求項３記載の放射線検出器。 - 【請求項５】 前記絶縁性基体を貫通する第１及び第２
の金属ピンを設けると共に、該絶縁性基体の上面側に前
記第２の金属ピンと導通する導電層を形成し、 前記放
射線検出素子の下面電極が前記導電層と導通し、該放射
線検出素子の上面電極が前記第１の金属と導通する形
で、前記絶縁性基体上に前記放射線検出素子を載置した
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４記載の放射線検
出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6308762A JPH08166461A (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6308762A JPH08166461A (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08166461A true JPH08166461A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=17984995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6308762A Pending JPH08166461A (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08166461A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063340A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Kyoto Semiconductor Corporation | Radiametre et element de detection de radiations |
| JP2020027793A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ電子ビーム検出器、マルチ電子ビーム検出器の製造方法、及びマルチ電子ビーム検査装置 |
-
1994
- 1994-12-13 JP JP6308762A patent/JPH08166461A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063340A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Kyoto Semiconductor Corporation | Radiametre et element de detection de radiations |
| US7132666B2 (en) | 2001-02-07 | 2006-11-07 | Tomoji Takamasa | Radiation detector and radiation detecting element |
| JP2020027793A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ電子ビーム検出器、マルチ電子ビーム検出器の製造方法、及びマルチ電子ビーム検査装置 |
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