JP2012004394A - 放射線画像撮影装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部が腐食することを的確に防止し、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置1は、複数の走査線10と複数の信号線11により区画された各領域Rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子14とが一面3a側に設けられた基板3と、基板3の面3a上の端縁部分に設けられ各走査線10および各信号線11の端部にそれぞれ設けられた入出力端子17と、各入出力端子17に導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板23とを備え、各入出力端子17とフレキシブルプリント基板23との接続部Qに、防湿性を有する絶縁塗料24が塗布されており、絶縁塗料24により、各入出力端子17およびフレキシブルプリント基板23末端の各端子と外気との接触が遮断されている。
【選択図】図16
【解決手段】放射線画像撮影装置1は、複数の走査線10と複数の信号線11により区画された各領域Rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子14とが一面3a側に設けられた基板3と、基板3の面3a上の端縁部分に設けられ各走査線10および各信号線11の端部にそれぞれ設けられた入出力端子17と、各入出力端子17に導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板23とを備え、各入出力端子17とフレキシブルプリント基板23との接続部Qに、防湿性を有する絶縁塗料24が塗布されており、絶縁塗料24により、各入出力端子17およびフレキシブルプリント基板23末端の各端子と外気との接触が遮断されている。
【選択図】図16
Description
本発明は、放射線画像撮影装置に関する。
照射されたX線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
このタイプの放射線画像撮影装置はFPD(Flat Panel Detector)として知られており、従来は支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機として構成されていたが(例えば特許文献1参照)、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている(例えば特許文献2、3参照)。
ところで、これらの放射線画像撮影装置では、ガラス基板等の基板上に複数の走査線と複数の信号線とが互いに交差するように配設され、走査線や信号線で区画された基板上の各領域に放射線検出素子を設け、放射線や電磁波の照射により各放射線検出素子に蓄積された電荷を信号線を介して取り出すことで、各放射線検出素子すなわち各画素の電気信号を読み出すようになっている。
このような放射線画像撮影装置の製造の際、各放射線検出素子が二次元状(マトリクス状)に配列された基板上の検出部に、前述したシンチレータや、基板を支持する基台等の比較的大きな面積を有する部材が接近したり接触したりすると、それらと基板との間に静電気が発生する場合がある。
近年、放射線画像撮影装置の製造工程には除電装置が配備されていることが多く、それらの装置によって静電気等が除電される環境の中で製造が行われるが、生じる静電気の電圧が高いような場合、高電圧の静電気が走査線や信号線に伝わって基板上の走査線や信号線を介して各放射線検出素子からの信号読み出しのスイッチ手段である薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor。以下、TFTと略す。)に流れ、そのドレインやゲートに高い電圧が印加されてしまう場合がある。
TFTに静電気による高電圧が加わると、ドレインとゲート間の絶縁膜が強い電界強度に耐え切れず、絶縁膜中に電子が流れ込むなどしてTFTの動作電圧が変動してしまう場合がある。また、極端な場合にはTFTの絶縁膜が物理的に破壊されてしまうといった現象も発生する。そして、静電気が乗った走査線や信号線に接続されている1ラインの全TFTにこのような動作電圧の変動や破壊が生じてしまう場合もある。
このような事態が生じることを回避するために、特許文献4に記載の電磁波検出装置では、基板上の走査線や信号線の端部に設けられた入出力端子のさらに外側に、走査線同士や信号線同士を接続する保護回路を設けることが提案されている。保護回路は、静電気等により特定の配線に大きな帯電が生じた場合に、その帯電を複数の走査線間や信号線間で分散して特定の配線に電荷が集中することを防止し、走査線と信号線との間に大きな電位差が生じることを防止するものである。
しかし、上記のように、保護回路は、走査線同士や信号線同士を短絡するものであるため、製品の完成時に保護回路が残存しているとノイズの原因となる等の不都合を生じてしまう。そのため、例えばシンチレータ等の実装後に、通常、レーザ照射等の手法によって切断される。
そして、特許文献4や特許文献5に記載されているように、保護回路の部分の切断と前後して、入出力端子に、COF(Chip On Film)等のフレキシブルプリント基板(フレキ等ともいう。)が接続されて、走査線や信号線がそれぞれ走査駆動手段のゲートドライバや読み出しICの読み出し回路に接続される。
ところで、特許文献5に記載の放射線画像撮影装置では、基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部の防湿性を高めるために、接続部を、その上方から、すなわち基板の入出力端子にフレキシブルプリント基板を上方から接続したとするとそのさらに上方から封止樹脂(第2、第3の封止樹脂)で被覆するように構成することが提案されている。
しかしながら、特許文献5に記載されているように、基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部の防湿性を高めるために、接続部を上方から封止用の樹脂で被覆しても、入出力端子が腐食して、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続が不良になり、その結果、走査線とゲートドライバとの接続や、信号線と読み出しICとの接続が不良になってしまう場合があることが分かってきた。
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部が腐食することを的確に防止し、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とが一面側に設けられた基板と、
前記基板の前記面上の端縁部分に設けられ、前記各走査線および前記各信号線の端部にそれぞれ設けられた入出力端子と、
前記各入出力端子に、導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板と、
を備え、
前記各入出力端子と前記フレキシブルプリント基板との接続部に、防湿性を有する絶縁塗料が塗布されており、
前記絶縁塗料により、前記各入出力端子および前記フレキシブルプリント基板末端の各端子と外気との接触が遮断されていることを特徴とする。
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とが一面側に設けられた基板と、
前記基板の前記面上の端縁部分に設けられ、前記各走査線および前記各信号線の端部にそれぞれ設けられた入出力端子と、
前記各入出力端子に、導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板と、
を備え、
前記各入出力端子と前記フレキシブルプリント基板との接続部に、防湿性を有する絶縁塗料が塗布されており、
前記絶縁塗料により、前記各入出力端子および前記フレキシブルプリント基板末端の各端子と外気との接触が遮断されていることを特徴とする。
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、放射線検出素子や走査線、信号線等が配列されて設けられた基板の面上の端縁部分に設けられた入出力端子と、フレキシブルプリント基板末端の各端子とが、導電性を保った状態で接着された接続部に、防湿性を有する絶縁塗料を塗布して、各入出力端子およびフレキシブルプリント基板末端の各端子と外気との接触を遮断するように構成したため、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部の防湿性を高めることが可能となる。
そして、外気中の湿気等の水分により入出力端子が腐食したり、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となり、各入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能となる。
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された専用機型の放射線画像撮影装置に対しても適用される。
図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図2は、図1のA−A線に沿う断面図である。放射線画像撮影装置1は、図1や図2に示すように、筐体2内に基板3やシンチレータ4等が収納されて構成されている。
筐体2は、カーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図1や図2では、筐体2がフレーム板51とバック板52とで形成された、いわば弁当箱型である場合が示されているが、筐体2を一体的に形成するいわばモノコック型とすることも可能である。また、筐体2の側面部分には、LED等で構成されたインジケータ53や蓋54、外部の装置と接続される端子55、電源スイッチ56等が配置されている。
なお、以下では、放射線画像撮影装置1の筐体2の放射線入射面X側を上側、筐体2における放射線入射面Xとは反対側の面Y側を下側として説明するが、放射線画像撮影装置1を上下反転して用いる場合には上下関係が逆になり、放射線画像撮影装置1をその放射線入射面Xが水平方向を向くようにして用いる場合には上記の上下関係が左右の関係になる。このように上記の上下関係はあくまで相対的な位置関係である。
筐体2の内部では、図2に示すように、基板3の上側にシンチレータ4が配置され、シンチレータ4のさらに上側にはシンチレータ4を支持する基板(以下、シンチレータ基板という。)5が配置されている。また、基板3の下方には、図示しない鉛の薄板を介して基台6が配置され、基台6には、電子部品7等が配設されたプリント回路基板(printed circuit board。以下、PCB基板という。)8や緩衝部材9等が取り付けられている。
本実施形態では、基板3はガラス基板で構成されている。図3は、基板上の構成を示す平面図である。基板3のシンチレータ4側の面3a上には、複数の走査線10と複数の信号線11とが互いに交差するように配設されている。また、複数のバイアス線12が、複数の信号線11と平行に配置されており、各バイアス線12は、1本の結線13により結束されている。
また、基板3の面3a上で複数の走査線10と複数の信号線11により区画された各小領域Rには、後述するようにシンチレータ4により変換された光を受けて電気信号に変換する放射線検出素子14がそれぞれ設けられている。このように、走査線10と信号線11で区画された各小領域Rに二次元状(マトリクス状)に配列された複数の放射線検出素子14が設けられた領域R全体、すなわち図3に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。
また、放射線検出素子14はバイアス線12に接続されており、バイアス線12は図示しないバイアス電源から供給された逆バイアス電圧を各放射線検出素子14に印加するようになっている。
本実施形態では、放射線検出素子14として、シンチレータ4から光の照射を受けると光エネルギを吸収して電子正孔対を発生させて光エネルギを電荷に変換するフォトダイオードが用いられている。
また、図4の拡大図に示すように、各領域Rには、スイッチ手段として各放射線検出素子14につき1つのTFT(薄膜トランジスタ)15が設けられており、TFT15のソース電極15sが放射線検出素子14の1つの電極と、ドレイン電極15dが信号線11と、ゲート電極15gが走査線10とそれぞれ接続されている。
ここで、本実施形態における放射線検出素子14およびTFT15の構造について、図5および図6に示す拡大された断面図を用いて簡単に説明する。図5は、図4におけるB−B線に沿う断面図であり、図6は、図4におけるC−C線に沿う断面図である。
TFT15の部分では、基板3の面3a上にTFT15のゲート電極15gが積層されて形成されており、ゲート電極15g上には、窒化シリコン(SiNx)等からなるゲート絶縁層151が積層されている。
また、さらにその上方には、半導体層152が積層されており、その上方には、後述する放射線検出素子14の第1電極143と接続されたソース電極15sと、信号線11と一体的に形成されるドレイン電極15dとがパッシベーション層153によって分割された状態で積層されている。
また、放射線検出素子14の部分では、基板3の面3a上にゲート絶縁層151と一体的に形成される絶縁層141が積層されており、その上には、パッシベーション層153と一体的に形成される絶縁層142が積層されている。絶縁層142の上には第1電極143が積層されており、第1電極143は、パッシベーション層153に形成されたホールHを介してTFT15のソース電極15sに接続されている。
第1電極143の上には、水素化アモルファスシリコンにV族元素をドープしてn型に形成されたいわゆるn層144、水素化アモルファスシリコンで形成され電磁波の照射を受けて電子正孔対を発生させる変換層であるいわゆるi層145、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてp型に形成されたいわゆるp層146が下方から順に積層されて形成されている。
なお、n層144、i層145、p層146の上下の順はこの逆であってもよい。また、放射線検出素子14はPIN型のフォトダイオードに限定されず、例えばMIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型等の他の形式のフォトダイオード等で構成することも可能である。
p層146の上には、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極とされた第2電極147が積層されて形成されており、光がi層145等に到達するように構成されている。また、第2電極147の上面には、第2電極147に電圧を印加して放射線検出素子14に逆バイアス電圧を印加するためのバイアス線12が接続されている。
本実施形態の放射線検出素子14は、このように逆バイアス電圧が印加されて駆動されるようになっており、TFT15がオン状態とされると、第1電極143に蓄積された電荷がTFT15のソース電極15sやドレイン電極15dを介して信号線11に取り出されるようになっている。
放射線検出素子14の第2電極147やバイアス線12は、その上方側から窒化シリコン(SiNx)等からなる被膜層16で被覆されている。被膜層16は、それと一体的にTFT15側にも形成されており、パッシベーション層153や放射線検出素子14の第1電極143の延出部分等を上側から被覆するように構成されている。
なお、被膜層16は、図3に示した基板3の面3a全体に塗布されており、後述する入出力端子17の上面(図3中の手前側の面)以外の部分全体を被覆するようになっている。すなわち、基板3をシンチレータ4側から見た場合、基板3では、各入出力端子17のみが、基板3の面3aを被覆する被膜層16を貫通して手前側に露出する状態になっている。
シンチレータ4は、入射した放射線を光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。具体的には、シンチレータ4は、放射線が入射すると、波長が300nm〜800nmの電磁波、すなわち、可視光線を中心として紫外光から赤外光にわたる光を出力するようになっている。蛍光体としては、例えばCsI:Tl等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものが好ましく用いられる。
シンチレータ4は、本実施形態では、図7の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持体4bの上に、例えば気相成長法により蛍光体4aを成長させて形成されたものであり、蛍光体4aの柱状結晶からなっている。気相成長法としては、蒸着法やスパッタ法等が好ましく用いられる。
いずれの手法においても、蛍光体4aを支持体4b上に独立した細長い柱状結晶として気相成長させることができる。蛍光体4aの各柱状結晶は、支持体4b付近では太く、先端(図7中では下側の端部)Paに向かうに従って細くなっていき、先端Paは鋭角状の略円錐形状となるように成長して形成される。
本実施形態では、このようにして蛍光体4aが柱状結晶として形成されたシンチレータ4は、その支持体4bが、蛍光体4aの柱状結晶の鋭角状の先端Paが下側(すなわち基板3側)を向くように、前述したシンチレータ基板5(図2参照)の下面に貼付されるようになっている。本実施形態では、シンチレータ基板5はガラス基板で構成されているが、この他にも、例えばPET(polyethylene terephthalate)等の樹脂等で構成することも可能である。
なお、以下では、シンチレータ4の蛍光体4aが上記のように柱状結晶構造を有する場合について説明するが、シンチレータ4は、蛍光体4aが必ずしも柱状結晶構造を有するものである必要はなく、例えば、図8の拡大図に示すように、蛍光体4aをシンチレータ基板5上に塗布する等して、シンチレータ基板5上に層状に形成してもよい。
図3に示したように、各走査線10や各信号線11、結線13の基板3の面3a上の端縁部分には、それぞれ入出力端子(パッドともいう)17が形成されている。図9に示すように、放射線検出素子14や走査線10、信号線11等が配列された検出部P上には、それらを保護する保護層(平坦化層ともいう。)18が積層されて形成されているが、入出力端子17の部分には保護層18が設けられていない。
そして、図9に示すように、シンチレータ基板5に設けられたシンチレータ4と、基板3に設けられた保護層18とが対向する状態で、基板3とシンチレータ基板5とが貼り合わされるようになっている。
なお、図9やそれ以降の各図において、基板3やシンチレータ基板5、シンチレータ4、放射線検出素子14、保護層18、信号線10等の配線、入出力端子17等の相対的な厚みや大きさは、現実の放射線画像撮影装置1における相対的な厚みや大きさを反映したものではない。
また、この基板3とシンチレータ基板5との貼り合わせの際に、基板3とシンチレータ基板5との間に静電気が発生し、高電圧の静電気が走査線10や信号線11に伝わり、走査線10や信号線11を介して各TFT15に流れて、TFT15の動作電圧が変動したり、TFT15の絶縁膜が物理的に破壊されてしまうといった現象が発生することは前述した通りである。
そこで、本実施形態では、基板3には、図10に示すように、保護回路19が設けられるようになっている。なお、図10では、バイアス線12等の図示が省略されている。また、保護回路19については前述した特許文献4に詳述されており、詳しくは同文献を参照されたい。以下、簡単に説明する。
基板3の面3a上の端縁部分に設けられた各入出力端子17からさらに外側に導線20がそれぞれ延出されており、各導線20が、各入出力端子17の外側で、それぞれダイオードリング構造21を介して1本のコモン線22に連結されて保護回路18が構成されている。
なお、コモン線22を複数本備えるように構成することも可能である。また、ダイオードリング構造21は、図11の等価回路図に示すように、例えば2つのTFTを組み合わせて構成されている。
そして、図12に示すように、基板3の検出部Pにシンチレータ4を貼り合わせる。なお、図12や後述する図13では、図を見易くするために、図9等に示した、走査線10や信号線11、結線13等を被覆する被膜層16や、検出部Pの各放射線検出素子14等の図示が省略されている。
続いて、基板3を、図10や図12に示した切断位置Lで切断する。その際、例えば、図13(A)に示すように、保護回路19が形成された基板3の面3a(表面)の側から入出力端子17の外側の切断位置Lにレーザ光を照射して、各導線20を切断しながら面3aに断面略V字状の溝Mを形成する。そして、基板3の表面3a側から所定の圧力を加えることで、図13(B)に示すように、入出力端子17の外側に形成された保護回路19を基板3ごと折り取るようにして切り落とすようになっている。
本実施形態では、このようにして、図9に示した、シンチレータ4やシンチレータ基板5が貼付された基板3が形成されるようになっている。そのため、図3に示したように、本実施形態では、上記のように切断された導線20が各入出力端子17の外側の基板3上に残るとともに、図9に示すように、各導線20の切断端部20aが露出する状態になる。
なお、必ずしも保護回路19を設けてそれを切り落とすようにして基板3を形成しなくてもよい。その場合、例えば図14や図15に示すように、基板3上の各入出力端子17の外側には、導線20の残滓が存在しない状態になる。そして、このように導線20の残滓が存在しない基板3を備える放射線画像撮影装置に対しても、本発明を適用することができる。
以下、基板3上の各入出力端子17とフレキシブルプリント基板23との接続等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用について説明する。
図16に示すように、各入出力端子17には、COF等のフレキシブルプリント基板23が各入出力端子17との導電性を保った状態で接着されている。本実施形態では、フレキシブルプリント基板23末端の露出された図示しない各端子に異方性導電接着フィルム(Anisotropic Conductive Film)が貼付され、或いは異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)が塗布されて、各入出力端子17に圧着されるようになっている。
また、各入出力端子17とフレキシブルプリント基板23との接続部Qには、防湿性を有する絶縁塗料24が塗布されており、この絶縁塗料24により、各入出力端子17やフレキシブルプリント基板23末端の各端子と、外気との接触が遮断されるようになっている。
具体的には、本実施形態では、図16に示すように、絶縁塗料24は、各入出力端子17と接続されているフレキシブルプリント基板23の端部を各入出力端子17ごと上面側から被覆するように接続部Qに塗布されるとともに(図中の絶縁塗料24a参照)、フレキシブルプリント基板23の下面側からも、すなわちフレキシブルプリント基板23と基板3との間の部分にも、各入出力端子17やフレキシブルプリント基板23の各端子を被覆するように接続部Qに塗布されている(図中の絶縁塗料24b参照)。
このように、絶縁塗料24(すなわち絶縁塗料24a、24b)を塗布することによって、絶縁塗料24により各入出力端子17およびフレキシブルプリント基板23末端の各端子と、外気との接触が的確に遮断される。
その際、上記のように、各入出力端子17と接続されているフレキシブルプリント基板23の端部の上面側からだけでなく(すなわち絶縁塗料24aだけでなく)、フレキシブルプリント基板23と基板3との間の部分にも絶縁塗料24bを塗布する。
このように構成することにより、接続部Qを完全に絶縁塗料24で被覆することが可能となり、絶縁塗料24により、各入出力端子17やフレキシブルプリント基板23末端の各端子と、外気との接触をより確実に遮断することが可能となる。
また、本実施形態のように各入出力端子17の外側に各導線20の残滓が残っていて各導線20の切断端部20aが露出する状態になっている場合には、絶縁塗料24(すなわち絶縁塗料24b)を、これらの切断端部20aを被覆するように塗布することが好ましい。
各導線20が金属線で形成されている場合には、上記のように絶縁塗料24を塗布することで各導線20が切断端部20aから腐食することを的確に防止することが可能となるとともに、各導線20がITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の導電性酸化物で形成されている場合にも、それらを伝わって各入出力端子17に外気中の湿気等の水分が到達して入出力端子17が腐食されることを的確に防止することが可能となる。
このように、絶縁塗料24(すなわち絶縁塗料24a、24b)により、各入出力端子17やフレキシブルプリント基板23末端の各端子(さらに導線20が設けられた場合にはその切断端部20a)と、外気との接触が的確に遮断されるため、入出力端子17とフレキシブルプリント基板23との接続部Qの防湿性を高めることが可能となる。
そして、外気中の湿気等の水分により入出力端子17が腐食したり(すなわち錆びるなどしたり)、入出力端子17とフレキシブルプリント基板23との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となる。
絶縁塗料24は、このように各入出力端子17やフレキシブルプリント基板23末端の各端子等と外気との接触を遮断して、各入出力端子17やフレキシブルプリント基板23末端の各端子等が水分により腐食することを防止するものであるため、防湿性を有する材料で構成されていることが好ましく、ポリウレタン系の有機材料が好ましく用いられる。
なお、図13(A)、(B)に示したように、入出力端子17の外側の切断位置Lに断面略V字状の溝Mを形成して保護回路19を基板3ごと切り落とすことで、図16等に示したように、基板3のフレキシブルプリント基板23側の切断端面が切り欠き状になり、フレキシブルプリント基板23が切断端面と擦れて断線等が生じることを防止することが可能となる。
また、このように基板3のフレキシブルプリント基板23側の切断端面を切り欠き状に形成しなくても、上記のように、フレキシブルプリント基板23の下面側、すなわちフレキシブルプリント基板23と基板3との間の部分にも、絶縁塗料24bを塗布することにより、絶縁塗料24bがフレキシブルプリント基板23と基板3の切断端面との間に介在する状態になるため、絶縁塗料24bがいわゆる緩衝材のように機能して、フレキシブルプリント基板23が切断端面と擦れることが防止される。
そのため、上記のように、基板3のフレキシブルプリント基板23側の切断端面を切り欠き状に形成してもよいが、そのように形成しなくても、絶縁塗料24bが緩衝材のように機能するため、フレキシブルプリント基板23が切断端面と擦れて断線等が生じることを的確に防止することが可能となるといった効果もある。
そして、ポリウレタンは、ウレタンゴムとも呼ばれるように弾力性を有するものであるため、絶縁塗料24は外力に応じて自在に変形することができる。そのため、例えば、後述する図17に示すようにフレキシブルプリント基板23を基板3の裏面3b側に引き回すように構成する際にも、絶縁塗料24(24b)は、フレキシブルプリント基板23の引き回しの邪魔になることはない。
例えば、フレキシブルプリント基板23の反対側の末端部に、必要な機能部が構成されている場合、すなわち、フレキシブルプリント基板23と必要な機能部とが一体的に構成されているような場合には、上記のようにフレキシブルプリント基板23と基板3上の各入出力端子17との接続部Qに絶縁塗料24(24a、24b)を塗布して、各入出力端子17およびフレキシブルプリント基板23末端の各端子と、外気との接触を遮断するように構成するだけで十分である。
しかし、例えば、図17に示すように、フレキシブルプリント基板23が、基板3の裏面3b側に引き回される等して、前述したPCB基板8に接続されるような場合には、フレキシブルプリント基板23とPCB基板8との間でも、上記のように構成することが望ましい。なお、図17では、PCB基板8上に設けられた電子部品7等の図示が省略されている。
すなわち、図17に示すように、PCB基板8には各入出力端子25が設けられており、フレキシブルプリント基板23の、入出力端子17と接続されている末端とは反対側の末端の露出された図示しない各端子が、前述した異方性導電接着フィルムが貼付される等して、各入出力端子25に圧着される。
そして、PCB基板8の各入出力端子25とフレキシブルプリント基板23との接続部qに防湿性を有する絶縁塗料26が塗布され、この絶縁塗料26により、各入出力端子25やフレキシブルプリント基板23末端の各端子と、外気との接触が遮断される。
具体的には、絶縁塗料26aは、各入出力端子25と接続されているフレキシブルプリント基板23の端部を各入出力端子25ごと上面側から被覆するように接続部qに塗布され、絶縁塗料26bが、フレキシブルプリント基板23の内側、すなわちフレキシブルプリント基板23とPCB基板8との間の部分に、各入出力端子25やフレキシブルプリント基板23の各端子を被覆するように接続部qに塗布される。
このように、絶縁塗料26(26a、26b)を塗布することによって、絶縁塗料26によりPCB基板8の各入出力端子25およびフレキシブルプリント基板23末端の各端子と、外気との接触が的確に遮断される。そのため、PCB基板8の各入出力端子25が外気中の湿気等の水分により腐食したり、入出力端子25とフレキシブルプリント基板23との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となる。
その際、上記のように、各入出力端子25と接続されているフレキシブルプリント基板23の端部の部分だけでなく(すなわち絶縁塗料26aだけでなく)、フレキシブルプリント基板23とPCB基板8との間の部分にも絶縁塗料26bを塗布することにより、接続部qを完全に絶縁塗料26で被覆することが可能となり、絶縁塗料26により、PCB基板8の各入出力端子25やフレキシブルプリント基板23末端の各端子と、外気との接触をより確実に遮断することが可能となる。
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、放射線検出素子14や走査線10、信号線11等が配列されて設けられた基板3の面3a上の端縁部分に設けられた各入出力端子17と、フレキシブルプリント基板23末端の各端子とが、導電性を保った状態で接着された接続部Qに、防湿性を有する絶縁塗料24(24a、24b)を塗布し、絶縁塗料24(24a、24b)により、各入出力端子17およびフレキシブルプリント基板23末端の各端子と外気との接触を遮断するように構成した。
そのため、絶縁塗料24(24a、24b)により、各入出力端子17やフレキシブルプリント基板23末端の各端子(さらに導線20が設けられた場合にはその切断端部20a)と、外気との接触が的確に遮断されるため、入出力端子17とフレキシブルプリント基板23との接続部Qの防湿性を高めることが可能となる。
そして、外気中の湿気等の水分により入出力端子17が腐食したり、入出力端子17とフレキシブルプリント基板23との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となり、各入出力端子17とフレキシブルプリント基板23との接続を良好に維持することが可能となる。
また、プリント回路基板(PCB基板)8側でも、各入出力端子25とフレキシブルプリント基板23の反対側の末端の各端子との接続部qにおいて、絶縁塗料26(26a、26b)で同様に各入出力端子25およびフレキシブルプリント基板23末端の各端子と外気との接触を遮断するように構成することが可能である。
そして、このように構成することにより、接続部qの防湿性を高めることが可能となり、外気中の湿気等の水分により入出力端子25が腐食したり、入出力端子25とフレキシブルプリント基板23との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となる。そして、各入出力端子25とフレキシブルプリント基板23との接続を良好に維持することが可能となる。
1 放射線画像撮影装置
3 基板
3a 面(一面)
3b 裏面
8 PCB回路(プリント回路基板)
10 走査線
11 信号線
14 放射線検出素子
17 入出力端子
19 保護回路
20 導線
20a 切断端部
22 コモン線
23 フレキシブルプリント基板
24、24a、24b 絶縁塗料
25 入出力端子
26、26a、26b 絶縁塗料
Q 接続部
q 接続部
R 領域
3 基板
3a 面(一面)
3b 裏面
8 PCB回路(プリント回路基板)
10 走査線
11 信号線
14 放射線検出素子
17 入出力端子
19 保護回路
20 導線
20a 切断端部
22 コモン線
23 フレキシブルプリント基板
24、24a、24b 絶縁塗料
25 入出力端子
26、26a、26b 絶縁塗料
Q 接続部
q 接続部
R 領域
Claims (6)
- 互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とが一面側に設けられた基板と、
前記基板の前記面上の端縁部分に設けられ、前記各走査線および前記各信号線の端部にそれぞれ設けられた入出力端子と、
前記各入出力端子に、導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板と、
を備え、
前記各入出力端子と前記フレキシブルプリント基板との接続部に、防湿性を有する絶縁塗料が塗布されており、
前記絶縁塗料により、前記各入出力端子および前記フレキシブルプリント基板末端の各端子と外気との接触が遮断されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。 - 前記基板は、前記各入出力端子からさらに外側にそれぞれ延出された導線と前記各導線を前記各入出力端子の外側でそれぞれ連結するコモン線とを備える保護回路が前記各入出力端子の外側で基板ごと切り落とされて形成されており、
前記絶縁塗料により、前記各入出力端子および前記フレキシブルプリント基板末端の各端子のほか、前記各導線の切断端部と外気との接触も遮断されていることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記各入出力端子と接続されている前記フレキシブルプリント基板の端部の部分のみならず、前記フレキシブルプリント基板と前記基板との間の部分にも前記絶縁塗料を塗布することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記フレキシブルプリント基板は、前記末端の反対側の末端に設けられた各端子が、前記基板とは別体の、または、前記基板の裏面側に設けられたプリント回路基板に設けられた各入出力端子と接続されており、
前記プリント回路基板の各入出力端子と前記フレキシブルプリント基板との接続部にも、前記防湿性を有する絶縁塗料が塗布されていて、前記絶縁塗料により、前記プリント回路基板の各入出力端子および前記フレキシブルプリント基板末端の各端子と外気との接触が遮断されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。 - 前記プリント回路基板の前記各入出力端子と接続されている前記フレキシブルプリント基板の端部の部分のみならず、前記フレキシブルプリント基板と前記プリント回路基板との間の部分にも前記絶縁塗料を塗布することを特徴とする請求項4に記載の放射線画像撮影装置。
- 前記防湿性を有する絶縁塗料は、ポリウレタン系の有機材料で構成されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010138815A JP2012004394A (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 放射線画像撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010138815A JP2012004394A (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 放射線画像撮影装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012004394A true JP2012004394A (ja) | 2012-01-05 |
Family
ID=45536031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010138815A Pending JP2012004394A (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 放射線画像撮影装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2012004394A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156204A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Toshiba Corp | 放射線検出器及びその製造方法 |
JP2019164163A (ja) * | 2019-06-03 | 2019-09-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
US11506799B2 (en) | 2013-11-15 | 2022-11-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector, and method for producing radiation detector |
-
2010
- 2010-06-18 JP JP2010138815A patent/JP2012004394A/ja active Pending
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---|---|---|---|---|
JP2012156204A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Toshiba Corp | 放射線検出器及びその製造方法 |
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