CN105474395B - 阵列基板、辐射检测器以及配线基板 - Google Patents

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Abstract

根据本实施例，一种阵列基板包括：基板；多个第一配线，设置在该基板的表面上并沿第一方向延伸；多个第二配线，设置在该基板的表面上并沿与该第一方向交叉的第二方向延伸；薄膜晶体管，设置在由该多个第一配线和该多个第二配线所限定的多个区域中的每一个中；保护层，至少覆盖该多个第一配线和该多个第二配线；以及多个连接部，设置在以下区域中的至少一个中：该保护层上的区域、该多个第一配线与该基板之间的区域以及该多个第二配线与该基板之间的区域，这些连接部与该多个第一配线和该多个第二配线中的每一个电连接并包含比该多个第一配线和该多个第二配线的材料具有更高抗蚀性的导电材料。该多个第一配线和该多个第二配线在该基板的外围侧上的端面覆盖有该保护层，并且该连接部在基板的外围侧上的端面在平面视角上位于该基板的外围。

Description

阵列基板、辐射检测器以及配线基板
技术领域
本发明的实施例涉及阵列基板、辐射检测器和配线基板。
背景技术
配线基板可设置有一些电路元件，这些电路元件对静电的抗性较低。例如，诸如TFT(薄膜晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)之类的半导体元件以及诸如光电二极管之类的光电转换元件通常对静电的抗性较低。因此，制造设置有例如对静电的抗性较低的电路元件的配线基板需要耗散在制造过程期间产生的静电。例如，外短环(outer short ring)设置在设置有电路元件的区域周围，使得在制造过程期间产生的静电通过外短环释放。
阵列基板是设置有大量电路元件的配线基板的示例。
例如，设置在平板显示器中的阵列基板包括大量薄膜晶体管。
设置在辐射检测器中的阵列基板包括大量薄膜晶体管和大量光电二极管。
同样在制造这种阵列基板时使用环绕设置有薄膜晶体管和光电二极管的区域的外短环。
这里，当制造配线基板或阵列基板时需要外短环。然而，外短环不能留在完成的配线基板或阵列基板中。
因此，在制造过程期间切断外短环。
在切断外短环之后，导电部件(诸如连接至外短环的配线和电极)的端面在切断面(即基板的外围)处暴露。
通常，导电部件是由诸如铝和铬之类的低电阻金属形成的。因此，当电流流动时发生腐蚀。腐蚀的进行可导致线缺陷。尤其，水的介入促进腐蚀反应的进行。例如，由于腐蚀导致的线缺陷更可能发生在结露-冷凝环境中。
此外，导电部件的材料可因腐蚀而被电离并且附连到导电部件的暴露端面。如果电离的材料附连到导电部件的端面，那么在相邻的导电部件之间可发生泄漏。
在此情况下，可通过控制环境的温度和湿度来抑制腐蚀。然而，这招致设备尺寸扩大以及成本增加。
引用列表
专利文献
专利文献1：JP2012-156204A(公开)
专利文献2：JP2009-170768A(公开)
专利文献3：JP05-27263A(公开)
发明内容
技术问题
本发明要解决的问题是提供一种能够抑制基板的外围处的腐蚀的阵列基板、辐射检测器和配线基板。
问题的解决方案
根据本实施例，阵列基板包括：基板；多个第一配线，设置在基板的表面上并沿第一方向延伸；多个第二配线，设置在基板的表面上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸；薄膜晶体管，设置在由多个第一配线和多个第二配线所限定的多个区域中的每一个中；保护层，至少覆盖多个第一配线和多个第二配线；以及多个连接部，设置在以下区域中的至少一个中：保护层上的区域、多个第一配线与基板之间的区域以及多个第二配线与基板之间的区域，这些连接部与多个第一配线和多个第二配线中的每一个电连接并包含比多个第一配线和多个第二配线的材料具有更高抗蚀性的导电材料。
多个第一配线和多个第二配线在基板的外围侧上的端面覆盖有保护层，并且连接部在基板的外围侧上的端面在平面视角上位于基板的外围。
附图简述
图1是示出根据此实施例的X射线检测器1的示意性透视图。
图2是X射线检测器1的框图。
图3是X射线检测器1的电路图。
图4是示出外短环11的示意性平面图。
图5A和5B是示出连接部6的示意性截面图。
图6A和6B是示出连接部6的替代连接模式的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，各个实施例将参考附图进行描述。在各附图中，相同的组件标注有相似的附图标记，并且酌情省略了它们的详细描述。
根据本发明的实施例的配线基板例如可以是板状基板，该板状基板在其上包含配线图案。诸如半导体元件的电路元件电连接至配线图案。
阵列基板是此类配线基板的示例。阵列基板例如可以是板状基板，在其上包含配线图案。诸如薄膜晶体管和光电二极管之类的电路元件电连接至配线图案。此类阵列基板例如用于平板显示器和辐射检测器中。
作为示例，参考辐射检测器和阵列基板来描述本实施例，该阵列基板是在辐射检测器中使用的配线基板。
根据本实施例的辐射检测器可应用于多种类型的辐射，诸如除X射线以外的γ射线。作为示例，参考X射线作为辐射的代表来描述本实施例。因此，以下实施例还可通过用术语“其他辐射”代替“X射线”应用到其他辐射。
下面图示的X射线检测器1是平面X射线传感器，用于检测作为辐射图像的X射线图像。平面X射线传感器宽泛地分类为直接转换类型和间接转换类型。
在直接转换类型中，响应于入射的X射线而在光电导膜内产生的光电导电荷(信号电荷)被高电场直接引导至用于电荷累积的累积电容器。
在间接转换类型中，X射线被闪烁体转换为荧光(可见光)。荧光被诸如光电二极管之类的光电转换元件转换为信号电荷。信号电荷引导至累积电容器。
作为示例，参考包括间接转换类型的X射线检测器1的情况示出了以下实施例。然而，此实施例还可应用到包括直接转换类型的X射线检测器的情况。
作为辐射检测器的X射线检测器1可例如用于一般医学用途。然而，X射线检测器1不限于特定用途，只要包括辐射检测部(X射线检测部)的用途即可。
图1是示出根据此实施例的X射线检测器1的示意性透视图。
图2是X射线检测器1的框图。
图3是X射线检测器1的电路图。
如图1所示，X射线检测器1包括阵列基板2、信号处理部3、图像传输部4和闪烁体5。
阵列基板2将荧光(可见光)转换成电信号。闪烁体5将X射线转换为荧光。
阵列基板2包括基板2a、光电转换部2b、控制线(或栅极线)2c1(对应于第一配线的示例)以及数据线(或信号线)2c2(对应于第二配线的示例)。
基板2a形状像板且由例如玻璃形成。
在基板2a的表面上设置多个光电转换部2b。
光电转换部2b具有矩形的形状且被设置在多个控制线2c1和多个数据线2c2所限定的多个区域的每一个中。以矩阵的形式排列多个光电转换部2b。
一个光电转换部2b对应于一个像素。
多个光电转换部2b的每一个包括光电转换元件2b1和作为切换元件的薄膜晶体管(TFT)2b2。
如图3所示，可设置累积电容器2b3以用于累积在光电转换元件2b1中转换的信号电荷。累积电容器2b3形状例如像矩形板。累积电容器2b3可设置在每个薄膜晶体管2b2的下方。然而，取决于光电转换元件2b1的电容，光电转换元件2b1可兼任累积电容器2b3。
光电转换元件2b1例如可以是光电二极管。
薄膜晶体管2b2在响应于入射在光电转换元件2b1而产生的电荷的累积与释放之间执行切换。薄膜晶体管2b2可包括诸如非晶硅(a-Si)和多晶硅(P-Si)之类的半导体材料。薄膜晶体管2b2包括栅电极2b2a、源电极2b2b和漏电极2b2c。薄膜晶体管2b2的栅电极2b2a电连接到对应的控制线2c1。薄膜晶体管2b2的源电极2b2b电连接到对应的数据线2c2。薄膜晶体管2b2的漏电极2b2c电连接到对应的光电转换元件2b1和累积电容器2b3。
设置多个控制线2c1。以指定的间隔彼此平行地设置控制线2c1。控制线2c1沿X方向(例如，行方向)(对应于第一方向的示例)延伸。
多个控制线2c1分别电连接至设置在基板2a的外围附近的多个配线垫2d1。设置在柔性印刷基板2e1上的多个配线的一端电连接至多个配线垫2d1的每一个。设置在柔性印刷基板2e1上的多个配线的每一个的另一端电连接至设置在信号处理部3中的控制电路31。
设置多个数据线2c2。以指定的间隔彼此平行地设置数据线2c2。数据线2c2沿与X方向正交的Y方向(例如，列方向)(对应于第二方向的示例)延伸。
多个数据线2c2分别电连接至设置在基板2a的外围附近的多个配线垫2d2。设置在柔性印刷基板2e2上的多个配线的一端电连接至多个配线垫2d2的每一个。设置在柔性印刷基板2e2上的多个配线的每一个的另一端电连接至设置在信号处理部3中的放大-转换电路32。
控制线2c1和数据线2c2可由诸如铝和铬之类的低电阻金属形成。
此外，可设置覆盖光电转换部2b、控制线2c1和数据线2c2的保护层2f(参见图5A和5B)。
保护层2f例如包括氧化物绝缘材料、氮化物绝缘材料、氮氧化物绝缘材料和树脂材料中的至少一个。
氧化物绝缘材料例如是二氧化硅或氧化铝。
氮化物绝缘材料例如是氮化硅或氮化铝。
氮氧化物绝缘材料例如是氮氧化硅。
树脂材料例如是丙烯酸树脂。
然而，优选地，在保护层2f中，不在包含之后描述的切割线13的区域上使用树脂材料。这是因为利用切割器轮来切割诸如树脂材料之类的软材料可缩短切割器轮的寿命或者使诸如切割准确度之类的切割质量变差。
因此，保护层2f的整体或者保护层2f中包含切割线13的区域优选地包含氧化物绝缘材料、氮化物绝缘材料和氮氧化物绝缘材料中的至少一个。
即，至少在基板2a的外围附近的保护层2f的区域优选地包括氧化物绝缘材料、氮化物绝缘材料和氮氧化物绝缘材料中的至少一个。
信号处理部3设置在基板2a的与设置有光电转换部2b的一侧相反的一侧上。
信号处理部3包括控制电路31和放大-转换电路32。
如图2所示，控制电路31包括多个栅极驱动器31a和行选择电路31b。
栅极驱动器31a将控制信号S1施加到对应的控制线2c1。
根据X射线图像的扫描方向，行选择电路31b向对应的栅极驱动器31a发送外部控制信号S1。
例如，控制电路31通过柔性印刷基板2e1和控制线2c1顺序地施加用于每个控制线2c1的控制信号S 1。施加到控制线2c1的控制信号S1接通薄膜晶体管2b2。这允许从光电转换元件2b1接受信号电荷(图像数据信号S2)。
放大-转换电路32包括多个积分放大器32a和多个A/D转换器32b。
积分放大器32a将通过数据线2c2、配线垫2d2和柔性印刷基板2e2而来自每个光电转换元件2b1的图像数据信号S2放大以供输出。从积分放大器32a输出的图像数据信号S2经受并行/串行变换并且输入A/D转换器32b。
A/D转换器32b将输入的图像数据信号S2(模拟信号)转换为数字信号。
图像传输部4经由配线4a电连接至信号处理部3的放大-转换电路32。图像传输部4可与信号处理部3集成。
图像传输部4基于图像数据信号S2合成X射线图像，该图像数据信号S2由多个A/D转换器32b转换为数字信号。从图像传输部4朝向外部设备输出合成的X射线图像的数据。
闪烁体5设置在光电转换元件2b1上。闪烁体5将入射的X射线转换为荧光，即可见光。设置闪烁体5以覆盖基板2a上的设置有多个光电转换部2b的区域。
闪烁体5可由碘化铯(CsI):铊(Tl)、或碘化钠(NaI):铊(Tl)形成。在此情况下，柱状晶体的集合体可例如由真空蒸发技术形成。
闪烁体5也可例如由硫氧化钆(Gd2O2S)形成。在此情况中，例如，闪烁体5可如下来形成。
首先，由硫氧化钆制成的粒子与粘合剂材料混合。
接着，混合的材料应用到由碳纤维增强塑料(CFRP)制成的基板上。热固化以形成闪烁体板。
接着，例如使用切割器轮在热固化的材料中形成槽部。此时，可形成矩阵状的槽部，从而为多个光电转换部2b的每一个提供形状像四角形棱柱的闪烁体5。可对槽部填充大气(空气)或者抗氧化剂惰性气体，诸如氮气。槽部可被设置在真空状态中。
在此情况中，设置有闪烁体5的基板(闪烁体板)与设置有光电转换元件2b1的阵列基板2层叠。
此外，期望通过增强荧光利用效率来改进灵敏度特性。为此目的，可设置反射层(未示出)以覆盖闪烁体5的前表面侧(用X射线照射的一侧)。
此外，可设置覆盖闪烁体5和反射层(未示出)的防湿体(未示出)以抑制闪烁体5和反射层(未示出)的特性由于空气中含有的水蒸气而变差。
大量X射线照射人体可不利地影响健康。因此，人体的X射线照射量控制在必要的最小值。
因此，入射在X射线检测器1上的X射线的强度非常弱。因此，从薄膜晶体管2b2输出的信号电荷量非常小。
用于处理这种弱信号的薄膜晶体管2b2容易地招致由静电引起的特性变化或破坏。
在此情况下，控制线2c1和数据线2c2电连接至薄膜晶体管2b2。
因此，在制造阵列基板2时设置与所有的控制线2c1和所有的数据线2c2电连接的外短环11。
外短环11可由诸如铝和铬之类的低电阻金属形成。
在此情况下，控制线2c1、数据线2c2和外短环11可由同样的材料形成。然后，控制线2c1、数据线2c2和外短环11可同时在相同工艺中形成。
图4是示出外短环11的示意性平面图。
如图4所示，在设置有多个光电转换部2b的区域周围设置外短环11。所有控制线2c1和所有数据线2c2电连接至外短环11。
在此，如图3所示，在合并到X射线检测器1中的状态下，所有的控制线2c1和所有的数据线2c2需要彼此独立。
因此，首先，外短环11、控制线2c1、数据线2c2、光电转换部2b等顺序地形成在构成基板2a的基板12上。接着，通过沿着位于配线垫2d1和配线垫2d2外部的切割线13切割来制造阵列基板2。例如可利用切割器轮切割或通过激光划线(scribe)切割来执行切割。
然而，如果外短环11直接连接到控制线2c1和数据线2c2，那么与外短环11电连接的控制线2c1和数据线2c2的端面在切割面处暴露。控制线2c1和数据线2c2由诸如铝和铬之类的低电阻金属形成。因此，当电流流动时发生腐蚀。腐蚀的进行可导致线缺陷。尤其，水的介入促进腐蚀反应的进行。例如，由于腐蚀导致的线缺陷更加可能发生在结露-冷凝环境中。
此外，控制线2c1和数据线2c2的材料可因腐蚀而电离并且附连到控制线2c1和数据线2c2的暴露端面。如果电离的材料附连到控制线2c1和数据线2c2的端面，在相邻的控制线2c1之间和相邻的数据线2c2之间会发生泄漏。如果泄漏发生，那么输出无法与X射线量成比例。这可使X射线图像的质量变差。
因此，根据本发明的阵列基板2包括切割线13附近的连接部6。在沿着切割线13切割之前，控制线2c1和数据线2c2各自经由连接部6电连接到外短环11。
图5A和5B是示出连接部6的示意性截面图。
图5A和5B示出沿图4中的线A-A的截面图。
如图5A中所示，控制线2c1(数据线2c2)和外短环11设置在构成基板2a的基板12上。
控制线2c1(数据线2c2)和外短环11覆盖有保护层2f。
保护层2f设置有孔。控制线2c1(数据线2c2)的端部的近邻和外短环11在孔的底部暴露。
连接部6形状像线并且设置在保护层2f上。连接部6经由设置在保护层2f中的孔电连接至控制线2c1(数据线2c2)的端部的近邻以及外短环11。例如，连接部6在区域6a中电连接至控制线2c1(数据线2c2)。连接部6在区域6b中电连接至外短环11。
可进一步设置覆盖连接部6的保护层2fa。
在设置保护层2fa的情况下，保护层2fa设置有孔使得区域6a在孔的底部暴露。
区域6a可以是前面提到的配线垫2d1(配线垫2d2)。
区域6a与区域6b之间的区域6c可以是电测试的时候与探针接触的区域。电测试例如是用于确定光电转换元件2b1的异常的存在或不存在或电连接的异常的测试。
在电测试的时候，接触探针可例如在区域6c中留下凹痕。然而，柔性印刷基板2e1(柔性印刷基板2e2)可在区域6a中电连接至控制线2c1(数据线2c2)。
因此，例如区域6c中凹痕的发生不影响阵列基板2的功能。
可选地，如图5B中所示，连接部6可设置在控制线2c1(数据线2c2)和构成基板2a的基板12之间。
然后，例如，在控制线2c1(数据线2c2)与外短环11电连接的状态下，可形成光电转换部2b等。即，这在形成阵列基板2的过程中可提供防备静电的对策。
可选地，连接部6可设置在保护层2f上的区域和控制线2c1(数据线2c2)与构成基板2a的基板12之间的区域中。即，连接部6可设置在两层结构中。
因此，连接部6可设置在保护层2f上的区域和控制线2c1(数据线2c2)与构成基板2a的基板12之间的区域的至少一个中。
连接部6包含比控制线2c1(数据线2c2)的材料具有较高抗蚀性的导电材料。
连接部6例如包括氧化物导电材料和防腐蚀金属中的至少一个。
氧化物导电材料可以是例如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、ZnO(氧化锌)、Sn2O3:Sb、Sn2O3:F或IGZO(铟镓锌氧化物)。
防腐蚀金属例如可以是金(Au)。
控制线2c1(数据线2c2)的端面设置在切割线13内。控制线2c1(数据线2c2)的端面覆盖有保护层2f。即，控制线2c1(数据线2c2)的端面没有达到切割线13。
因此，在沿着切割线13切割之后，基板2a的端面、保护层2f的端面和连接部6的端面在切割表面13a处暴露。
即，多个控制线2c1和多个数据线2c2在基板2a的外围侧上的端面覆盖有保护层2f。
连接部6在基板2a的外围侧上的端面在平面视角上位于基板2a的外围。
在此情况下，基板2a例如由玻璃形成。保护层2f例如由氧化物绝缘材料或氮化物绝缘材料形成。
连接部6例如由氧化物导电材料或诸如金之类的防腐蚀金属形成。
因此，暴露在切割表面13a处的组件由具有高抗蚀性的材料形成。这可抑制由于腐蚀导致线缺陷和泄漏的发生。
在此，如果位于切割线13处的组件由诸如树脂材料和铝之类的软材料形成，那么用切割器轮的切割或通过激光划线的切割可能无法获得高准确度。此外，这也会缩短切割器轮的寿命。
在此情况下，连接部6可由氧化物导电材料形成。然而，对于位于切割线13处的所有组件材料，可使用硬材料。
因此，切割可以以高准确度执行。这可改进成品率。此外，这能延长切割器轮的寿命。
图6A和6B是示出连接部6的替代连接模式的示意性截面图。
根据阵列基板2上的配线布置，可拉长控制线2c1(数据线2c2)的端面与外短环11之间的距离。在此情况下，如果连接部6由具有高电阻的氧化物导电材料形成，则会使控制线2c1(数据线2c2)与外短环11之间的电阻过高。
因此，如图6A和6B所示，在此实施例中设置延伸部11a。
延伸部11a的一端电连接至外短环11。
延伸部11a的另一端设置在切割线13附近。
延伸部11a可由诸如铝和铬之类的低电阻金属形成。即使拉长了控制线2c1(数据线2c2)的端面与外短环11之间距离，由低电阻金属形成的延伸部11a可抑制电阻的增加。
可选地，如图6B中所示，连接部6可设置在控制线2c1(数据线2c2)和构成基板2a的基板12之间。
然后，例如，在控制线2c1(数据线2c2)与外短环11电连接的状态下，可形成光电转换部2b等。即，这在形成阵列基板2的过程中可提供防备静电的对策。
可选地，连接部6可设置在保护层2f上的区域和控制线2c1(数据线2c2)与构成基板2a的基板12之间的区域中。即，连接部6可设置在两层结构中。
因此，连接部6可设置在保护层2f上的区域和控制线2c1(数据线2c2)与构成基板2a的基板12之间的区域的至少一个中。
接着，示出X射线检测器1的功能。
首先，在初始状态下，在累积电容器2b3中累积电荷。反向偏置电压施加到与累积电容器2b3并联的光电转换元件2b1。施加到光电转换元件2b1的电压等于施加到数据线2c2的电压。光电转换元件2b1例如是光电二极管，光电二极管是一种二极管的类型。因此，在反向偏置电压的施加下，小电流在其中流动。因此，在累积电容器2b3中累积的电荷保持不减小。
X射线入射在闪烁体5上。然后，高能X射线在闪烁体5内转换为低能量荧光(可见光)。在闪烁体5内产生的荧光的一部分入射在光电转换元件2b1上。
入射在光电转换元件2b1上的荧光在光电转换元件2b1内转换为由电子和空穴构成的电荷。电子和空穴分别沿着由累积电容器2b3形成的电场的方向传播并且到达光电转换元件2b1的相反端。因此，电流在光电转换元件2b1内流动。
在光电转换元件2b1内流动的电流流入并联的累积电容器2b3中。流入累积电容器2b3的电流消除在累积电容器2b3中累积的电荷。这减小在累积电容器2b3中累积的电荷。与初始状态相比，累积电容器2b3的相反端之间的电势差也降低。
多个控制线2c1电连接至对应的栅极驱动器31a。栅极驱动器31a顺序地改变多个控制线2c1的电势。即，栅极驱动器31a将控制信号S1顺序地施加到多个控制线2c1。在此情况下，在特定时刻，栅极驱动器31a改变仅一个控制线2c1的电势。与对应于电势改变的控制线2c1的数据线2c2并联的薄膜晶体管2b2的源电极2b2b2与漏电极2b2c之间的区域从断开状态(绝缘状态)转变到接通状态(导电状态)。
指定的电压施加到每个数据线2c2。施加到数据线2c2的电压经由与具有变化的电势的控制线2c1电连接的薄膜晶体管2b2施加到累积电容器2b3。
在初始状态中，累积电容器2b2设置在与数据线2c2相同的电势处。因此，当累积电容器2b3的电荷量没有从初始状态改变时，没有电荷从数据线2c2运送到累积电容器2b3。
另一方面，在与用荧光照射的光电转换元件2b1并联的累积电容器2b3中，电荷量减小。即，与用荧光照射的光电转换元件2b1并联的累积电容器2b3的电荷量从初始状态改变了。因此，电荷从数据线2c2经由转变为接通状态的薄膜晶体管2b2运送到累积电容器2b3。因此，在累积电容器2b3中累积的电荷量返回到初始状态。运送的电荷在数据线2c2中流动并且输出到积分放大器32a，作为图像数据信号S2。
多个数据线2c2电连接至对应的积分放大器32a。
积分放大器32a将在给定时间间隔内流动的电流积分并输出对应于积分值的电压。即，积分放大器32a将给定时间间隔内在数据线2c2中流动的电荷量转换为电压值。因此，光电转换元件2b1内产生的信号电荷(图像数据信号S2)由积分放大器32a转换为电势信息。
由积分放大器32a转换的电势信息由A/D转换器32b顺序地转换为数字信号。数字化的图像数据信号S2由图像传输部4合成到X射线图像中。例如，图像传输部4根据像素的行与列顺序地合成数字化的图像数据信号S2以产生X射线图像。与产生的X射线图像相关联的电信号输出到外部设备，诸如显示器设备(未示出)。
输出到外部设备的与X射线图像相关联的电信号可例如通过普通的显示器设备容易地转变为图像。因此，可观察到由X射线照射所获得的X射线图像，作为可见光的图像。
上述的阵列基板2用于X射线检测器中。因此，阵列基板2包括光电转换元件2b1和薄膜晶体管2b2。
然而，例如用于平板显示器的阵列基板包括薄膜晶体管2b2。
配线基板包含：基板；配线，设置在基板的表面上；电路元件，与配线电连接；保护层，至少覆盖配线；以及连接部，设置在保护层上的区域和配线与基板之间的区域的至少一个中，该连接部与配线电连接并且包括比配线的材料具有更高抗蚀性的导电材料。
在此情况下，配线在基板的外围侧上的端面覆盖有保护层。连接部在基板的外围侧上的端面在平面视角上位于基板的外围。
虽然已描述了某些实施例，但这些实施例仅已通过示例的方式呈现，并且不旨在限制发明的范围。实际上，本文所描述的新的实施例可以各种其他形式体现，而且，可作出各种删减、替换和对本文所描述的实施例的形式的改变而不背离发明的精神。所附权利要求和它们的等效方案旨在覆盖将落入发明的范围和精神内的这种形式或修改。此外，可相互组合上述实施例，并且可实现上述实施例。
[附图标记列表]
1 X射线检测器
2 阵列基板
2a 基板
2b 光电转换部
2b1 光电转换元件
2b2 薄膜晶体管
2b3 累积电容器
2c1 控制线
2c2 数据线
2f 保护层
3 信号处理部
4 图像传输部
5 闪烁体
6 连接部
6a-6c 区域
11 外短环
11a 延伸部
12 基板
13 切割线
13a 切割面
31 控制电路
32 放大-转换电路

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括：
基板；
多个第一配线，设置在所述基板的表面上并且沿第一方向延伸；
多个第二配线，设置在所述基板的表面上并且沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸；
薄膜晶体管，设置在所述多个第一配线和所述多个第二配线所限定的多个区域的每一个中；
保护层，至少覆盖所述多个第一配线和所述多个第二配线；以及
多个连接部，经由延伸部连接至外短环，设置在以下区域的至少一个中：所述保护层上的区域、所述多个第一配线和所述基板之间的区域以及所述多个第二配线与所述基板之间的区域，所述多个连接部电连接至所述多个第一配线与所述多个第二配线中的每一个并且包括比所述多个第一配线和所述多个第二配线的材料具有更高抗蚀性的导电材料，
所述多个第一配线和所述多个第二配线在所述基板的外围侧上的端面覆盖有所述保护层，以及
所述连接部在所述基板的外围侧上的端面在平面视角上位于所述基板的外围。
2.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述连接部包括氧化物导电材料和防腐蚀金属中的至少一个。
3.如权利要求1或2所述的基板，其特征在于，所述连接部包括从由ITO、IZO、ZnO、Sn2O3:Sb、Sn2O3:F、IGZO和金(Au)构成的组中选择的至少一个。
4.如权利要求1所述的基板，其特征在于，至少在所述基板的外围附近的所述保护层的区域包括氧化物绝缘材料、氮化物绝缘材料和氮氧化物绝缘材料中的至少一个。
5.一种辐射检测器，包括：
如权利要求1所述的阵列基板；
光电转换元件，设置在由所述阵列基板的所述多个第一配线和所述多个第二配线所限定的多个区域的每一个中；以及
闪烁体，设置在所述光电转换元件上。
6.一种配线基板，包括：
基板；
配线，设置在所述基板的表面上；
电路元件，电连接至所述配线；
保护层，至少覆盖所述配线；以及
连接部，经由延伸部连接至外短环，设置在所述保护层上的区域、所述配线与所述基板之间的区域的至少一个中，所述连接部电连接至所述配线并且包括比所述配线的材料具有更高抗蚀性的导电材料，
所述配线在所述基板的外围侧上的端面覆盖有所述保护层，以及
所述连接部在所述基板的外围侧上的端面在平面视角上位于所述基板的外围。
7.如权利要求6所述的基板，其特征在于，所述连接部包括氧化物导电材料和防腐蚀金属中的至少一个。
8.如权利要求6所述的基板，其特征在于，所述连接部包括从由ITO、IZO、ZnO、Sn2O3:Sb、Sn2O3:F、IGZO和金(Au)构成的组中选择的至少一个。
9.如权利要求6所述的基板，其特征在于，至少在所述基板的外围附近的所述保护层的区域包括氧化物绝缘材料、氮化物绝缘材料和氮氧化物绝缘材料中的至少一个。
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