CN105469760A - 基于ltps半导体薄膜晶体管的goa电路 - Google Patents

基于ltps半导体薄膜晶体管的goa电路 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，增设了分别受第n-1级GOA单元的输出端(G(n-1))、和第n+1级GOA单元的输出端(G(n+1))控制的第十二、和第十三薄膜晶体管(T12、T13)，第十二薄膜晶体管(T12)的漏极通过第四节点(W1(n))与第一薄膜晶体管(T1)的源极电性连接，第十三薄膜晶体管(T13)的漏极通过第五节点(W2(n))与第三薄膜晶体管(T3)的源极电性连接，第一、和第三薄膜晶体管(T1、T3)分别受正向扫描直流控制信号(U2D)、与反向扫描直流控制信号(D2U)控制，在正向扫描时能够降低第十二薄膜晶体管(T12)的漏电流，在反向扫描时能够降低第十三薄膜晶体管(T13)的漏电流，从而降低了关键薄膜晶体管的漏电流，提升了GOA电路的稳定性。

Description

基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路。
背景技术
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。
GOA技术(GateDriveronArray)即阵列基板行驱动技术，是运用液晶显示面板的原有阵列制程将水平扫描线的驱动电路制作在显示区周围的基板上，使之能替代外接集成电路板((IntegratedCircuit，IC)来完成水平扫描线的驱动。GOA技术能减少外接IC的焊接(bonding)工序，有机会提升产能并降低产品成本，而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框或无边框的显示产品。
随着低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)半导体薄膜晶体管的发展，LTPS-TFT液晶显示器也越来越受关注，LTPS-TFT液晶显示器具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点。由于低温多晶硅较非晶硅(a-Si)的排列有次序，低温多晶硅半导体本身具有超高的电子迁移率，比非晶硅半导体相对高100倍以上，可以采用GOA技术将栅极驱动器制作在薄膜晶体管阵列基板上，达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本。
请参阅图1，现有的一种LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路包括级联的多级GOA单元，设n为正整数，第n级GOA单元包括：第一薄膜晶体管T1，所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)，漏极电性连接于正向扫描直流控制信号U2D，源极电性连接于第三节点H(n)；第二薄膜晶体管T2，所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接于第一节点Q(n)，源极电性连接于第M条时钟信号CK(M)，漏极电性连接于输出端G(n)；第三薄膜晶体管T3，所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于反向扫描直流控制信号D2U；第四薄膜晶体管T4，所述第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接于第M+1条时钟信号CK(M+1)，源极电性连接于输出端G(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第五薄膜晶体管T5，所述第五薄膜晶体管T5的栅极电性连接于恒压高电位VGH，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于第一节点Q(n)；第六薄膜晶体管T6，所述第六薄膜晶体管T6的栅极电性连接于第M+1条时钟信号CK(M+1)，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第七薄膜晶体管T7，所述第七薄膜晶体管T7的栅极电性连接于第二节点P(n)，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第八薄膜晶体管T8，所述第八薄膜晶体管T8的栅极电性连接于第二节点P(n)，源极电性连接于输出端G(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第九薄膜晶体管T9，所述第九薄膜晶体管T9的栅极电性连接于第M+1条时钟信号CK(M+1)，源极电性连接于第二节点P(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第十薄膜晶体管T10，所述第十薄膜晶体管T10的栅极电性连接于第M条时钟信号CK(M)，源极电性连接于恒压高电位VGH，漏极电性连接于第二节点P(n)；第十一薄膜晶体管T11，所述第十一薄膜晶体管T11的栅极电性连接于第三节点H(n)，源极电性连接于第二节点P(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第一电容C1，所述第一电容C1的一端电性连接于第一节点Q(n)，另一端电性连接于输出端G(n)；以及第二电容C2，所述第二电容C2的一端电性连接于第二节点P(n)，另一端电性连接于恒压低电位VGL。
该现有的GOA电路具备正反向扫描功能。正向扫描时，请参阅图2，正向扫描直流控制信号U2D为高电位，反向扫描直流控制信号D2U为低电位；反向扫描时相反，正向扫描直流控制信号U2D为低电位，反向扫描直流控制信号D2U为高电位。
图1所示的现有的GOA电路中，第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3形成正反向扫描控制单元，结合图2，在GOA电路正向扫描进入到输出端G(n)及第一节点Q(n)低电位维持阶段时，第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)、第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)、和第一节点Q(n)均为低电位，正向扫描直流控制信号U2D为高电位，则第一薄膜晶体管T1的栅极与源极之间的电压Vgs＝0V，漏极与源极之间的电压Vds＝VGH-VGL，第三薄膜晶体管T3的栅极与源极之间的电压Vgs＝0V，漏极与源极之间的电压Vds＝0V，结合图3所示的在不同漏极与源极之间的电压下薄膜晶体管对应的I-V曲线图可知，当栅极与源极之间的电压Vgs＝0V时，漏极与源极之间的电压Vds越大，该薄膜晶体管的电流也越大，对应到第一、和第三薄膜晶体管T1、T3中，即第一薄膜晶体管T1的电流大于第三薄膜晶体管T3的电流，而此时第一、和第三薄膜晶体管T1、T3均应处于关闭状态，薄膜晶体管的关态电流过高会引起漏电，也就是说第一薄膜晶体管T1处于漏电状态。相反的，在GOA电路反向扫描进入到输出端G(n)及第一节点Q(n)低电位维持阶段时，第三薄膜晶体管T3的电流大于第一薄膜晶体管T1的电流，第三薄膜晶体管T3处于漏电状态。漏电会导致上述现有的GOA电路的稳定性不佳。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，能够降低关键薄膜晶体管的漏电流，提升GOA电路的稳定性。
为实现上述目的，本发明提供了一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，包括：级联的多个GOA单元，每个GOA单元均包括：正反向扫描控制单元、输出单元、及节点控制单元；
设n为正整数，除第一级、与最后一级GOA单元外，在第n级GOA单元中：
所述正反向扫描控制单元包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于正向扫描直流控制信号，漏极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端，源极电性连接于第四节点；第十二薄膜晶体管，所述第十二薄膜晶体管的栅极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端，漏极电性连接于第四节点，源极电性连接于第三节点；第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于反向扫描直流控制信号，源极电性连接于第五节点，漏极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端；以及第十三薄膜晶体管，所述第十三薄膜晶体管的栅极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端，漏极电性连接于第五节点，源极电性连接于第三节点；
所述输出单元包括：第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第M条时钟信号，漏极电性连接于输出端；以及第一电容，所述第一电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于输出端；
所述节点控制单元包括：第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第M+1条时钟信号，源极电性连接于输出端，漏极电性连接于恒压低电位；第五薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于恒压高电位，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第一节点；第六薄膜晶体管，所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第M+1条时钟信号，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于恒压低电位；第七薄膜晶体管，所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于恒压低电位；第八薄膜晶体管，所述第八薄膜晶体管的栅极电性连接于第二节点，源极电性连接于输出端，漏极电性连接于恒压低电位；第九薄膜晶体管，所述第九薄膜晶体管的栅极电性连接于第M+1条时钟信号，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于恒压低电位；第十薄膜晶体管，所述第十薄膜晶体管的栅极电性连接于第M条时钟信号，源极电性连接于恒压高电位，漏极电性连接于第二节点；第十一薄膜晶体管，所述第十一薄膜晶体管的栅极电性连接于第三节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于恒压低电位；以及第二电容，所述第二电容的一端电性连接于第二节点，另一端电性连接于恒压低电位；
正向扫描直流控制信号与反向扫描直流控制信号的电位相反。
所述基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路具备正反向扫描功能；
在正向扫描进入到输出端及第一节点低电位维持阶段时，第十二薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压为0V，漏极与源极之间的电压为0V，第三薄膜晶体管与第十三薄膜晶体管均关闭；
在反向扫描进入到输出端及第一节点低电位维持阶段时，第十三薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压为0V，漏极与源极之间的电压为0V，第一薄膜晶体管与第十二薄膜晶体管均关闭。
在第一级GOA单元中，所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接于电路起始信号。
在最后一级GOA单元中，所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接于电路起始信号。
所述正向扫描直流控制信号为高电位，反向扫描直流控制信号为低电位时，进行正向扫描。
所述正向扫描直流控制信号为低电位，反向扫描直流控制信号为高电位时，进行反向扫描。
所述时钟信号包括两条时钟信号：第一条时钟信号、和第二条时钟信号，当所述第M条时钟信号为第二条时钟信号时，第M+1条时钟信号为第一条时钟信号。
所述薄膜晶体管均为N型低温多晶硅半导体薄膜晶体管。
本发明的有益效果：本发明提供的一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，增设了分别受第n-1级GOA单元的输出端、和第n+1级GOA单元的输出端控制的第十二薄膜晶体管、和第十三薄膜晶体管，第十二薄膜晶体管的漏极通过第四节点与第一薄膜晶体管的源极电性连接，第一薄膜晶体管的漏极与第n-1级GOA单元的输出端电性连接，第十三薄膜晶体管的漏极通过第五节点与第三薄膜晶体管的源极电性连接，第三薄膜晶体管的漏极与第n+1级GOA单元的输出端电性连接，第一、和第三薄膜晶体管分别受正向扫描直流控制信号、与反向扫描直流控制信号控制，在正向扫描至输出端及第一节点低电平维持阶段时，第四节点为低电位，能够降低第十二薄膜晶体管的漏电流，在反向扫描至输出端及第一节点低电平维持阶段时，第五节点为低电位，能够降低第十三薄膜晶体管的漏电流，从而降低了关键薄膜晶体管的漏电流，提升了GOA电路的稳定性。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路的电路图；
图2为对应于图1所示GOA电路的正向扫描时序图；
图3为在不同漏极与源极之间的电压下薄膜晶体管对应的I-V曲线图；
图4为本发明的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路的电路图；
图5为本发明的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路的正向扫描时序图；
图6为本发明的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路的反向扫描时序图；
图7为本发明的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路的第一级GOA单元的电路图；
图8为本发明的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路的最后一级GOA单元的电路图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4，本发明提供一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，包括：级联的多个GOA单元，每个GOA单元均包括：正反向扫描控制单元100、输出单元200、及节点控制单元300。
设n为正整数，除第一级、与最后一级GOA单元外，在第n级GOA单元中：
所述正反向扫描控制单元100包括：第一薄膜晶体管T1，所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接于正向扫描直流控制信号U2D，漏极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)，源极电性连接于第四节点W1(n)；第十二薄膜晶体管T12，所述第十二薄膜晶体管T12的栅极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)，漏极电性连接于第四节点W1(n)，源极电性连接于第三节点H(n)；第三薄膜晶体管T3，所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接于反向扫描直流控制信号D2U，源极电性连接于第五节点W2(n)，漏极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)；以及第十三薄膜晶体管T13，所述第十三薄膜晶体管T13的栅极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)，漏极电性连接于第五节点W2(n)，源极电性连接于第三节点H(n)；
所述输出单元200包括：第二薄膜晶体管T2，所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接于第一节点Q(n)，源极电性连接于第M条时钟信号CK(M)，漏极电性连接于输出端G(n)；以及第一电容C1，所述第一电容C1的一端电性连接于第一节点Q(n)，另一端电性连接于输出端G(n)；
所述节点控制单元300包括：第四薄膜晶体管T4，所述第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接于第M+1条时钟信号CK(M+1)，源极电性连接于输出端G(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第五薄膜晶体管T5，所述第五薄膜晶体管T5的栅极电性连接于恒压高电位VGH，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于第一节点Q(n)；第六薄膜晶体管T6，所述第六薄膜晶体管T6的栅极电性连接于第M+1条时钟信号CK(M+1)，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第七薄膜晶体管T7，所述第七薄膜晶体管T7的栅极电性连接于第二节点P(n)，源极电性连接于第三节点H(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第八薄膜晶体管T8，所述第八薄膜晶体管T8的栅极电性连接于第二节点P(n)，源极电性连接于输出端G(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第九薄膜晶体管T9，所述第九薄膜晶体管T9的栅极电性连接于第M+1条时钟信号CK(M+1)，源极电性连接于第二节点P(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；第十薄膜晶体管T10，所述第十薄膜晶体管T10的栅极电性连接于第M条时钟信号CK(M)，源极电性连接于恒压高电位VGH，漏极电性连接于第二节点P(n)；第十一薄膜晶体管T11，所述第十一薄膜晶体管T11的栅极电性连接于第三节点H(n)，源极电性连接于第二节点P(n)，漏极电性连接于恒压低电位VGL；以及第二电容C2，所述第二电容C2的一端电性连接于第二节点P(n)，另一端电性连接于恒压低电位VGL。
具体地，各个薄膜晶体管均为N型低温多晶硅半导体薄膜晶体管。
特别地，请参阅图7与图8，在第一级GOA单元中，所述第一薄膜晶体管T1的漏极电性连接于电路起始信号STV；在最后一级GOA单元中，所述第三薄膜晶体管T3的漏极电性连接于电路起始信号STV。
本发明的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路具备正反向扫描功能。所述正向扫描直流控制信号U2D与反向扫描直流控制信号D2U的电位相反，当所述正向扫描直流控制信号U2D为高电位，反向扫描直流控制信号D2U为低电位时，GOA电路进行正向扫描；当所述正向扫描直流控制信号U2D为低电位，反向扫描直流控制信号D2U为高电位时，GOA电路进行反向扫描。
请参阅图5或图6，所述基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路包括两条时钟信号：第一条时钟信号CK(1)、和第二条时钟信号CK(2)，当所述第M条时钟信号CK(M)为第二条时钟信号CK(2)时，第M+1条时钟信号CK(M+1)为第一条时钟信号CK(1)。每一级GOA单元的输出端G(n)对应一条时钟信号，例如：第一级GOA单元的输出端对应第一条时钟信号CK(1)，第二级GOA单元的输出端对应第二条时钟信号CK(2)，第三级GOA单元的输出端对应第一条时钟信号CK(1)，第四级GOA单元的输出信号对应第二条时钟信号CK(2)，依次类推。
请结合图4与图5，所述正向扫描直流控制信号U2D为高电位，反向扫描直流控制信号D2U为低电位，GOA电路正向扫描，具体工作过程为：
阶段1、预充电阶段：第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)与正向扫描直流控制信号U2D均为高电位，第一和第十二薄膜晶体管T1、T12均导通，第四节点W1(n)与第三节点H(n)的电位被拉高，第五薄膜晶体管T5受恒压高电位VGH控制始终打开，第一节点Q(n)被预充电；受第三节点H(n)控制的第十一薄膜晶体管T11导通，第二节点P(n)被拉低至恒压低电位VGL。
阶段2、高电位输出阶段：第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)转变为低电位，第十二薄膜晶体管T12关闭，第M条时钟信号CK(M)提供高电位，第一节点Q(n)在第一电容C1的存储作用下继续保持高电位，受第一节点Q(n)控制的第二薄膜晶体管T2导通，第M条时钟信号提供的高电位经由第二薄膜晶体管T2输出至输出端G(n)。
阶段3、低电位输出阶段：第M+1条时钟信号CK(M+1)提供高电位，第六和第四薄膜晶体管T6、T4导通，第三节点H(n)、第一节点Q(n)、和输出端G(n)均被拉低至恒压低电位VGL。
阶段4、输出端G(n)及第一节点Q(n)低电位维持阶段：第三节点H(n)转变为低电位后，受第三节点H(n)控制的第十一薄膜晶体管T11关闭；第M条时钟信号CK(M)、第M+1条时钟信号CK(M+1)交替提供高电位：当第M条时钟信号CK(M)提供高电位时，第十薄膜晶体管T10导通，第二节点P(n)抬升至恒压高电位VGH，受第二节点P(n)控制的第七和第八薄膜晶体管T7、T8均导通，维持第三节点H(n)、第一节点Q(n)、和输出端G(n)为低电位；当第M+1条时钟信号CK(M+1)为高电位时，第六和第四薄膜晶体管T6、T4均导通，维持第三节点H(n)、第一节点Q(n)、和输出端G(n)为低电位，同时第九薄膜晶体管T9也导通，第二节点P(n)也被拉低至低电位，关闭第七和第八薄膜晶体管T7、T8，防止第二节点P(n)一直处于高电位导致第七和第八薄膜晶体管T7、T8长时间受电应力所引起的电路不稳定。
特别需要说明的是，在该正向扫描的输出端G(n)及第一节点Q(n)低电位维持阶段，由于第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)提供低电位，所述正向扫描直流控制信号U2D为高电位，第一薄膜晶体管T1导通，第四节点W1(n)即第十二薄膜晶体管T12的漏极为低电位，第三节点H(n)即第十二薄膜晶体管T12的源极为低电位，第十二薄膜晶体管T12的栅极接第n-1级GOA单元的输出端G(n-1)，同样为低电位，从而第十二薄膜晶体管T12的栅极与源极之间的电压Vgs＝0V，漏极与源极之间的电压Vds＝0V，结合图3可知，该第十二薄膜晶体管T12的漏电流相比于现有技术明显减小。此外，在正向扫描的输出端G(n)及第一节点Q(n)低电位维持阶段，串联的第三薄膜晶体管T3与第十三薄膜晶体管T13均关闭，和传统的GOA电路相比，也会降低漏电流的发生。
请结合图4与图6，所述反向扫描直流控制信号D2U为高电位，正向扫描直流控制信号U2D为低电位，GOA电路反向扫描，具体工作过程为：
阶段1、预充电阶段：第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)与反向扫描直流控制信号D2U均为高电位，第三和第十三薄膜晶体管T3、T13均导通，第五节点W2(n)与第三节点H(n)的电位被拉高，第五薄膜晶体管T5受恒压高电位VGH控制始终打开，第一节点Q(n)被预充电；受第三节点H(n)控制的第十一薄膜晶体管T11导通，第二节点P(n)被拉低至恒压低电位VGL。
阶段2、高电位输出阶段：第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)转变为低电位，第十三薄膜晶体管T13关闭，第M条时钟信号CK(M)提供高电位，第一节点Q(n)在第一电容C1的存储作用下继续保持高电位，受第一节点Q(n)控制的第二薄膜晶体管T2导通，第M条时钟信号提供的高电位经由第二薄膜晶体管T2输出至输出端G(n)。
阶段3、低电位输出阶段：第M+1条时钟信号CK(M+1)提供高电位，第六和第四薄膜晶体管T6、T4导通，第三节点H(n)、第一节点Q(n)、和输出端G(n)均被拉低至恒压低电位VGL。
阶段4、输出端G(n)及第一节点Q(n)低电位维持阶段：第三节点H(n)转变为低电位后，受第三节点H(n)控制的第十一薄膜晶体管T11关闭；第M条时钟信号CK(M)、第M+1条时钟信号CK(M+1)交替提供高电位：当第M条时钟信号CK(M)提供高电位时，第十薄膜晶体管T10导通，第二节点P(n)抬升至恒压高电位VGH，受第二节点P(n)控制的第七和第八薄膜晶体管T7、T8均导通，维持第三节点H(n)、第一节点Q(n)、和输出端G(n)为低电位；当第M+1条时钟信号CK(M+1)为高电位时，第六和第四薄膜晶体管T6、T4均导通，维持第三节点H(n)、第一节点Q(n)、和输出端G(n)为低电位，同时第九薄膜晶体管T9也导通，第二节点P(n)也被拉低至低电位，关闭第七和第八薄膜晶体管T7、T8，防止第二节点P(n)一直处于高电位导致第七和第八薄膜晶体管T7、T8长时间受电应力所引起的电路不稳定。
特别需要说明的是，在该反向扫描的输出端G(n)及第一节点Q(n)低电位维持阶段，由于第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)提供低电位，所述反向扫描直流控制信号D2U为高电位，第三薄膜晶体管T3导通，第五节点W2(n)即第十三薄膜晶体管T13的漏极为低电位，第三节点H(n)即第十三薄膜晶体管T13的源极为低电位，第十三薄膜晶体管T13的栅极接第n+1级GOA单元的输出端G(n+1)，同样为低电位，从而第十三薄膜晶体管T13的栅极与源极之间的电压Vgs＝0V，漏极与源极之间的电压Vds＝0V，结合图3可知，该第十三薄膜晶体管T13的漏电流相比于现有技术明显减小。此外，在反向扫描的输出端G(n)及第一节点Q(n)低电位维持阶段，串联的第一薄膜晶体管T1与第十二薄膜晶体管T12均关闭，和传统的GOA电路相比，也会降低漏电流的发生。
综上所述，本发明的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，增设了分别受第n-1级GOA单元的输出端、和第n+1级GOA单元的输出端控制的第十二薄膜晶体管、和第十三薄膜晶体管，第十二薄膜晶体管的漏极通过第四节点与第一薄膜晶体管的源极电性连接，第一薄膜晶体管的漏极与第n-1级GOA单元的输出端电性连接，第十三薄膜晶体管的漏极通过第五节点与第三薄膜晶体管的源极电性连接，第三薄膜晶体管的漏极与第n+1级GOA单元的输出端电性连接，第一、和第三薄膜晶体管分别受正向扫描直流控制信号、与反向扫描直流控制信号控制，在正向扫描至输出端及第一节点低电平维持阶段时，第四节点为低电位，能够降低第十二薄膜晶体管的漏电流，在反向扫描至输出端及第一节点低电平维持阶段时，第五节点为低电位，能够降低第十三薄膜晶体管的漏电流，从而降低了关键薄膜晶体管的漏电流，提升了GOA电路的稳定性。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，包括：级联的多个GOA单元，每个GOA单元均包括：正反向扫描控制单元(100)、输出单元(200)、及节点控制单元(300)；
设n为正整数，除第一级、与最后一级GOA单元外，在第n级GOA单元中：
所述正反向扫描控制单元(100)包括：第一薄膜晶体管(T1)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D)，漏极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端(G(n-1))，源极电性连接于第四节点(W1(n))；第十二薄膜晶体管(T12)，所述第十二薄膜晶体管(T12)的栅极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端(G(n-1))，漏极电性连接于第四节点(W1(n))，源极电性连接于第三节点(H(n))；第三薄膜晶体管(T3)，所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U)，源极电性连接于第五节点(W2(n))，漏极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端(G(n+1))；以及第十三薄膜晶体管(T13)，所述第十三薄膜晶体管(T13)的栅极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端(G(n+1))，漏极电性连接于第五节点(W2(n))，源极电性连接于第三节点(H(n))；
所述输出单元(200)包括：第二薄膜晶体管(T2)，所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一节点(Q(n))，源极电性连接于第M条时钟信号(CK(M))，漏极电性连接于输出端(G(n))；以及第一电容(C1)，所述第一电容(C1)的一端电性连接于第一节点(Q(n))，另一端电性连接于输出端(G(n))；
所述节点控制单元(300)包括：第四薄膜晶体管(T4)，所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第M+1条时钟信号(CK(M+1))，源极电性连接于输出端(G(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第五薄膜晶体管(T5)，所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于恒压高电位(VGH)，源极电性连接于第三节点(H(n))，漏极电性连接于第一节点(Q(n))；第六薄膜晶体管(T6)，所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第M+1条时钟信号(CK(M+1))，源极电性连接于第三节点(H(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第七薄膜晶体管(T7)，所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于第二节点(P(n))，源极电性连接于第三节点(H(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第八薄膜晶体管(T8)，所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于第二节点(P(n))，源极电性连接于输出端(G(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第九薄膜晶体管(T9)，所述第九薄膜晶体管(T9)的栅极电性连接于第M+1条时钟信号(CK(M+1))，源极电性连接于第二节点(P(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；第十薄膜晶体管(T10)，所述第十薄膜晶体管(T10)的栅极电性连接于第M条时钟信号(CK(M))，源极电性连接于恒压高电位(VGH)，漏极电性连接于第二节点(P(n))；第十一薄膜晶体管(T11)，所述第十一薄膜晶体管(T11)的栅极电性连接于第三节点(H(n))，源极电性连接于第二节点(P(n))，漏极电性连接于恒压低电位(VGL)；以及第二电容(C2)，所述第二电容(C2)的一端电性连接于第二节点(P(n))，另一端电性连接于恒压低电位(VGL)；
正向扫描直流控制信号(U2D)与反向扫描直流控制信号(D2U)的电位相反。
2.如权利要求1所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，具备正反向扫描功能；
在正向扫描进入到输出端(G(n))及第一节点(Q(n))低电位维持阶段时，第十二薄膜晶体管(T12)的栅极与源极之间的电压为0V，漏极与源极之间的电压为0V，第三薄膜晶体管(T3)与第十三薄膜晶体管(T13)均关闭；
在反向扫描进入到输出端(G(n))及第一节点(Q(n))低电位维持阶段时，第十三薄膜晶体管(T13)的栅极与源极之间的电压为0V，漏极与源极之间的电压为0V，第一薄膜晶体管(T1)与第十二薄膜晶体管(T12)均关闭。
3.如权利要求1所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，在第一级GOA单元中，所述第一薄膜晶体管(T1)的漏极电性连接于电路起始信号(STV)。
4.如权利要求1所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，在最后一级GOA单元中，所述第三薄膜晶体管(T3)的漏极电性连接于电路起始信号(STV)。
5.如权利要求2所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，所述正向扫描直流控制信号(U2D)为高电位，反向扫描直流控制信号(D2U)为低电位时，进行正向扫描。
6.如权利要求2所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，所述正向扫描直流控制信号(U2D)为低电位，反向扫描直流控制信号(D2U)为高电位时，进行反向扫描。
7.如权利要求1所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，所述时钟信号包括两条时钟信号：第一条时钟信号(CK(1))、和第二条时钟信号(CK(2))，当所述第M条时钟信号(CK(M))为第二条时钟信号(CK(2))时，第M+1条时钟信号(CK(M+1))为第一条时钟信号(CK(1))。
8.如权利要求1所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，所述薄膜晶体管均为N型低温多晶硅半导体薄膜晶体管。
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