CN105429624B - 信号隔离器系统中的开关键调制信号的解调 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及信号隔离器系统中的开关键调制信号的解调。用于开关键(“OOK”)隔离器系统的接收器系统可以包括接收器,其基于OOK输入信号来产生中间电流信号。当输入信号具有第一OOK状态时,可以提供处于第一电流电平的中间电流,而当输入信号具有第二OOK状态时,可以提供第二电流电平的中间电流。该系统还可以包括输出驱动器,其产生中间电流信号的电压表示。在电流域中执行信号处理允许OOK状态之间的快速转变。
Description
技术领域
本发明涉及信号隔离器,尤其涉及根据开关键信号协议而运行的信号隔离器。
背景技术
隔离器是在两个电隔离电路系统之间交换数据信号的器件。两个电路系统各自在不同的电压域中运行,不同的电压域可以包括不同的电源电压和不同的接地基准。隔离器件可以提供跨隔离势垒的数据交换,隔离势垒保持电隔离。典型的隔离器件包括微型变压器、电容器、磁电阻器/巨型磁电阻器以及光电子器件。
开关键控(“OOK”)是一种发信协议,其基于通过隔离势垒传输的信号的类型来识别输入数据的数字状态。通过跨隔离势垒传输周期性信号,可以对第一数字数据状态(即,数字“1”)发信号。通过跨隔离势垒不传输信号,可以对第二数字数据状态(数字“0”)发信号。接收器电路将检测周期性信号的存在或不存在且对来自其的数字输出信号进行解码。
基于OOK的信号隔离器通常具有低效设计。例如,隔离器接收器可以包括乘法器(或混合器)以及作为用于OOK解调的能量检测器的积分器。然而,混合器处理共模噪声的能力有限。对于需要跨隔离势垒进行高数据率传输的应用而言,积分器通常非常慢。
因此,发明人认识到了本领域对于提供改进的速度和改进的抗扰度的改进的接收器的需要。
附图说明
图1示出了根据本发明实施例的隔离器系统。
图2示出了根据本发明实施例的接收器。
图3示出了可通过图2的接收器处理的示例性的信号。
图4示出了根据本发明实施例的电流比较器。
图5示出了可通过图4的比较器处理的示例性的信号。
图6示出了根据本发明另一实施例的接收器。
图7示出了根据本发明另一实施例的输出驱动器。
图8示出了根据本发明另一实施例的接收器。
具体实施方式
本发明的实施例提供了用于开关键隔离器系统的接收器系统。该系统可以包括接收器,该接收器基于OOK输入信号来产生中间电流信号。当输入信号具有第一OOK状态时,可以提供第一电流电平的中间电流,而当输入信号具有第二OOK状态时,可以提供第二电流电平的中间电流。该系统还可以包括产生中间电流信号的电压表示的输出驱动器。在电流域中执行信号处理允许OOK状态之间的快速转变。
图1示出了根据本发明实施例的隔离器系统100。系统100可以包括发送器110、隔离器120、接收器130和输出驱动器140。隔离器120可跨越隔离边界150,其将两个电压域彼此电隔离。发送器110可属于第一电压域,其处理其自身的电压和接地电源(示为VDD1,GND1)。接收器130和输出驱动器140可属于第二电压域,其处理与第一电压域分离的电压和接地电源(VDD2,GND2)。隔离边界150可防止一个域的电压域另一个域的电压连通。
系统100可设置为通过开关键控(简写为“OOK”)将数字数据从第一电压域传送到第二电压域。在该实施例中,发送器110可以接收取两个二进制电压电平中的一个的输入信号。发送器110可以生成具有由输入信号状态确定的状态的输出信号。例如,如果输入信号对应于二进制值“1”,则发送器110可生成周期性信号作为其输出,但是如果输入信号对应于二进制值“0”,则发送器110可以输出惰性信号(不活跃)。基于输入信号状态在活跃状态与不活跃状态之间的这种切换动作代表了开关键输出的一个实施例。
隔离器120可设置为微型变压器(图1中显示)、电容隔离器、磁阻传感器、光信号隔离器或霍尔效应器件。隔离器120可以接收来自第一电压域中的发送器110的输出且将接收到的信号传递到第二电压域中的接收器130。虽然接收到的信号被图示为隔离器120从发送器110接收到的OOK输出的副本,但是接收到的信号可以包括通过隔离器120引入信号中的扰动(未示出),例如电压偏移、由于隔离器时间响应引发的失真和噪声效应。接收到的信号可以作为电压提供给接收器130。
接收器130和输出驱动器140可以共同构成OOK接收器系统。接收器130可以根据由隔离器120供给其的OOK信号来生成电流信号。输出驱动器140可根据由接收器130供给其的电流信号来生成电压信号。在实施例中,接收器130和输出驱动器140可以交换电流域信号以响应于由隔离器120提供的OOK信号来提供低等待时间输出。
图2示出了根据本发明实施例的接收器200,其可用作图1的系统中的接收器。接收器200可以包括电流源210、两个差分对电路220、230,以及一对电流镜240、250。
差分对电路220、230各自可包括用于对220的一对失配晶体管222、224以及用于对230的一对失配晶体管232、234。每个对220、230中的晶体管可根据预定的尺寸比失配,预定的尺寸比显示为N比1。因此,晶体管222和232可以比其对应的晶体管224、234大N倍。在运行期间,响应于共同的控制电压,晶体管222、232可以比对应的晶体管224和234传递大N倍的电流。
输入信号VIN可以是由分量信号VINN和VINP表示的差分信号。晶体管222和234的栅极可以接收第一输入电压VINP,其他晶体管224和232的栅极可以接收第二输入电压VINN。第一差分对220中的晶体管222、224的源极可以连接到共同的节点,该共同的节点可以与电流镜240内的晶体管244耦合。第二差分对230中的晶体管232、234的源极可以连接到第二节点,该第二节点可以与电流镜240内的另一晶体管246耦合。两个差分对220、230的单位尺寸的晶体管224、234的漏极可以连接在一起且连接到第二电流镜250中的第一晶体管252。两个差分对220、230的N尺寸晶体管222、232的漏极可以连接到电压源VDD。
第一电流镜240可以包括其栅极连接在一起的多个晶体管242-248。第一晶体管242可以在其漏极处连接到电流源210。第一晶体管242还可以配置为二极管连接配置。因此,通过第一晶体管242的电流量(由电流源210来限定)限定了通过电流镜240的其余晶体管244-248的电流量。晶体管244-248可以定尺寸使得大两倍的电流随着通过晶体管248而通过晶体管244和246(分别显示为IB和1/2IB)。
第二电流镜250可以包括一对晶体管252和254。如所论述的,第一晶体管252可以连接到差分对220、230的单位尺寸的晶体管224和234。第二晶体管254可以连接到第一电流镜240中的晶体管248。第一晶体管252可以设置为二极管连接配置。因此,通过晶体管252的电流限定了通过晶体管254的电流的量。
接收器200的输出端子IOUT可以设在晶体管254和248之间的连接处。在操作期间,晶体管254和248执行输出端子IOUT处的电流比较。晶体管248可以吸收来自输出端子的等于1/2IB的电流量。晶体管254可以将将由差分对220确定的量的电流量ISIG源送到输出端子,差分对220、230反过来由输入信号VINP和VINN来确定。当ISIG≠1/2IB时,残留电流或者源送给输出端子IOUT或者从输出端子IOUT吸取。
在图2所示的实施方案中,晶体管图示为MOSFET晶体管,具体而言,晶体管222-224、232-234以及242-248图示为NMOS晶体管,晶体管252-254图示为PMOS晶体管。本发明的原理适用于其他工艺技术的晶体管,例如BJT晶体管等。而且,如下文要论述的,通过适当的反转电源电压,可以将工艺类型反转(例如,在图示出NMOS晶体管的情况下可以提供PMOS晶体管,在图示出PMOS晶体管的情况下可以提供NMOS晶体管)。除非本文中提及,否则这些变化对于本发明的原理不重要。
图3示出了可由图2的接收器处理的示例性的输入信号和输出信号。输入信号VINP和VINN可以根据系统的OOK信号结构而在两个运行阶段之间切换。在第一运行阶段中,OOK信号可以处于“关”状态,其中VINP和VINN是不活跃信号。如图3所示,VINP和VINN各自具有1/2VDD的电压。在第二运行阶段中,OOK信号可以处于“开”状态,其中VINP和VINN是活跃信号。在图3的实施例中,VINP和VINN信号在VDD与地之间振荡,以约1/2VDD为中心。实际上,由于在电路系统内的损失,VINP和VINN可以不是全轨信号(例如,完全转变成地或转变成VDD)。
在关断期间,当VINP和VINN被设定为1/2VDD时,差分对220、230的晶体管222、224、232、234可变得部分导电。与晶体管224、234相比,晶体管222、232可以将多N倍的电流源送给电流镜240中其相应的晶体管244、246。电流镜晶体管244、246各自控制通过差分对220、230的电流,将通过每对220、230的总电流限制为IB。因此,晶体管224和234各自传递的电流量为晶体管222、232各自传递其余的电流
在第二电流镜250中,晶体管252可以源送通过单位尺寸的晶体管224、234的电流。因此,晶体管252可以传递的电流量为该电流可以重现在晶体管254中ISIG电流可以与晶体管248从输出端子排出的电流(1/2IB)。因此,输出电流可以表示为当N足够大(例如,N≥10)时,这些等式可简化成:
并且
在导通状态期间,VINP和VINN可以在VDD与地之间振荡。差分对220、230的晶体管222、224、232、234的电导率可以根据这些信号而变化。当VINP处于其最大电平时,例如,晶体管222和234可以处于近似完全导电。与此同时,VINN将处于其最低电平,这会使得晶体管224和232导电最差。因此,晶体管222和234各自可以各自其相关联的电流镜晶体管244和246吸收的几乎全部的电流(IB)。由晶体管224传递的电流可以由第二电流镜中的晶体管252源送。因此,第二电流镜250中的第二晶体管254可以在IB产生电流ISIG。
类似地,当VINN处于例如其最大电平时,则晶体管232和224可以几乎完全导电。与此同时,VINP将处于其最低电平,这会使得晶体管222和234导电最差。因此,晶体管224和232可以各自传递其相关联的电流镜晶体管244和246吸收的几乎全部的电流(IB)。由晶体管234传递的电流可以由第二电流镜中的晶体管252来源送。因此,第二电流镜250中的第二晶体管254可以在IB产生电流ISIG。
总之,在导通阶段中,电流可以响应于VINP和VINN输入信号而变化,如图3所示。ISIG电流可以与通过电流镜晶体管248从输出端子吸收的1/2IB电流进行比较。因此,图2的接收器可以生成具有图3所示的形式的输出电流IOUT。
图4示出了根据本发明实施例的电流比较器400。比较器400可以包括反相器410、一对拉位晶体管420、430、电流源440和450以及一个或多个反相器460。反相器410可以在输入端子上接受电流输入IIN。输入电流可以是由诸如本公开的图1、图2、图6和图8中所描述的那些接收器产生的输出电流IOUT。
输入端子IIN还可以通过第一晶体管420连接到第一电源电压VDD,通过第二晶体管430连接到第二电源电压(显示为地)。晶体管420、430的栅极可以与反相器410的输出耦合。晶体管420、430可以在比较器400内提供正反馈控制以随着输入电流IIN沿电源VDD或地中的一个的方向驱动反相器的输入而沿该方向拉动输入信号。
反相器410可以通过相应的电流源440、450连接到电源电压VDD和地。在运行期间,电流源440、450可以限制反相器410对输入电流信号IIN中的转变的响应性,这有助于过滤信号毛刺以及可能由系统内的噪声引入的其他瞬变现象。
反相器460可以缓冲由反相器410提供的电压输出。反相器460可以包括对来自反相器输出的瞬变现象进行过滤的滤波器或其他信号调整电路(未示出)。从反相器460输出的电压VOUT可以作为数字输出信号从隔离器系统输出。
图5图示出了可由图4的比较器400处理的示例性的输入信号和输出信号。在图5中,输入电流IIN显示为图3中的输出电流信号IOUT。由输入信号IIN产生的输出信号显示为VOUT。
图6示出了根据本发明另一实施例的接收器600。接收器600可以包括多个电流源610、612、614、两个差分对电路620、630以及电流镜640。电流源610和612可以将处于第一电平的电流供应给关联的差分对电路620或630。电流源614可以将处于为电流源610和620的电平的一半的电平的电流(例如1/2IB)源送给输出端子IOUT。
差分对电路620、630各自可以包括用于差分对电路620的一对失配晶体管622、624以及用于差分对电路630的一对失配晶体管632、634。每对620、630中的晶体管可以根据预先确定的尺寸比例而失配,显示为比至1。因此,晶体管622和632可以比其对应的晶体管624和634大N倍。在工作期间,响应于共同控制电压,晶体管622、632可以将比对应的晶体管624和634传递N倍多的电流。输入信号VIN可以是由分量信号VINN和VINP表示的差分信号。晶体管622和634的栅极可以接收第一输入电压VINP,其他晶体管624和632的栅极可以接收第二输入电压VINN。
第一差分对电路620中的晶体管622、624的源极可以连接到共同节点,该共同节点可以与电流源610耦合。第二差分对630中的晶体管632、634的源极可以连接到第二节点,第二节点可以与另一电流源620耦合。两个差分对电路620、630的单位尺寸的晶体管624、634的漏极可以连接在一起且连接到第二电流镜640中的第一晶体管642。两个差分对电路620、630的N尺寸晶体管622、632的漏极可以连接到电源电压(在该情况下为地)。
电流镜640可以包括一对晶体管642和644。如所论述的,第一晶体管642可以连接到差分对620、630的单位尺寸的晶体管624和634。第二晶体管644可以连接到电流源614。第一晶体管642可以二极管连接配置来提供。因此,通过晶体管642的电流限定了通过晶体管644的电流的量。
接收器600的输出端子IOUT可以设置在晶体管644与电流源614之间的连接处。在工作期间,晶体管644和电流源614在输出端子IOUT处进行电流比较。电流源614可以将等于1/2IB的电流量源送给输出端子。晶体管644可以从输出端子IOUT吸收的电流ISIG的量为由差分对电路620、630确定的量,该量反过来由输入信号VINP和VINN来确定。当ISIG≠1/2IB时,残留电流或者源送给输出端子IOUT或从输出端子IOUT吸收。
图6的电路可以根据上文参考图3所论述的原理运行。此处,差分对620、630的晶体管622-624、632-634图示为PMOS晶体管,而不是如图2所示的NMOS晶体管,因此,晶体管的电导率将在导通阶段中从图2的电路的电导率反转。尽管如此,图6的电路可以产生如图3所示的信号电流ISIG,其可以与电流源614的电流1/2IB进行比较以产生IOUT s信号,也是图示在图3中。
图7图示出根据本发明另一实施例的输出驱动器700。输出驱动器700可以包括反相器710、一对拉位晶体管715、720、一对栅极型晶体管725、730、一对电流源735、740以及一个或多个输出反相器745。输入电流信号IIN可以输入到反相器710的输入。
拉位晶体管715、720可以将输入端子IIN与相应的高低电源电压VDD以及地耦合。拉位晶体管715、720的栅极可以与反相器710的输出耦合。
可以成对地设置栅极型晶体管725和730以及电流源735、740。第一晶体管-电流源对725、735可以提供与由第一拉位晶体管715提供的电流路径并联的位于输入端子IIN与高压源VDD之间的第二电流路径。第二晶体管-电流源对730、740可以提供与由第二拉位晶体管720提供的电流路径并联的位于输入端子IIN与低压源(地)之间的电流路径。栅极型晶体管和拉位晶体管可设置为互补的器件类型。在图7所示的实施例中,第一拉位晶体管715图示为NMOS晶体管,第一栅极型晶体管725图示为PMOS晶体管。此外,第二拉位晶体管720图示为PMOS晶体管,第二栅极型晶体管730图示为NMOS晶体管。任选地,缓冲器755可以设置在从反相器输出链到晶体管715的栅极的电流路径中。
虽然电流源735、740图示为理想的电流源,但是其操作可通过其关联的晶体管725和730来选通。因此,当使其关联的晶体管725不能导电时,电流源735将不供应电流。类似地,当其关联的晶体管730不导电时,电流源740不驱动电流。栅极型晶体管725、730的栅极可以与一个反相器745之后的节点耦合。电流源735和740的设置对输出驱动器700的操作增加了滞后效应,这降低了其对噪声的敏感读以及输入电流IIN中的其他短期瞬变现象。
输出驱动器700可以包括一个或多个输出反相器745。在图7中示出了两个输出反相器745.1、745.2,但是不同的实现方式可以根据需要而包括不同数量的反相器。增加反相器的数量可以提高驱动器对输入电流信号中的瞬变现象的耐受度,而且可以增加驱动器对输入信号中的关键变化的响应的等待时间。
在工作期间,输入电流IIN可以提供给反相器710,形式如图3所示。响应于输入电压,反相器710可以产生处于两个电平之一,即VDD或地的输出电压。反相器的输出可以为晶体管715-730的输入。当反相器的输出设定为VDD时,晶体管715可以变得导电,这允许输入电流传递到VDD。与反相器710施加的拉动相比,晶体管715可定尺寸为将输入节点微弱地拉动到VDD。当反相器的输出设定为地时,晶体管720可以变得导电,这允许输入电流传递到地。与反相器710施加的拉动相比,晶体管720还可以定尺寸为将输入节点微弱地拉动到地。
图8示出了根据本发明另一实施例的接收器电路800。此处,接收器800可以包括四个差分对电路810-840、多个电流镜850-880以及多个电流源890-896。差分对电路810-840可各自包括一对失配晶体管,显示为具有N比1的比率。两个差分对电路810、820可以具有第一掺杂类型的晶体管812、814、822和824(在图8所示的实施例中为NMOS晶体管),另两个差分电路830、840可以具有互补掺杂类型的晶体管832、834、842、844(例如,在该实施例中为PMOS晶体管)。差分对电路810-840中的每一个的尾部可以连接到相应的电流源890-896。
电流镜850-880可以布置成对通过N尺寸晶体管812、822、832和842的电流以及那些通过单位尺寸晶体管814、824、834、844的电流求和。例如,电流镜850可以具有第一支腿,由晶体管852提供,其与差分对810和820的单位尺寸的晶体管814、824耦合,以及第二支腿,其由用于输出电流ISIGN的晶体管854提供。晶体管852可以设置为二极管连接配置。因此,由两个差分对的单位尺寸的晶体管814、824传递的电流量可以输出到电流镜的第二支腿,也显示为ISIGN。
电流镜860可以具有第一支腿,其由晶体管862来提供,与差分对830和840的单位尺寸的晶体管834、844耦合,还与电流镜850的输出支腿耦合。由晶体管864提供的电流镜860的第二支腿可以与输出端子IOUT耦合。晶体管862可以设置为二极管连接配置。因此,电流镜860可以产生表示ISIGN和由第二对差分对电路830、840的单位尺寸的晶体管834、844传递的电流之和的电流信号ISIG。
类似地,电流镜870可以具有第一支腿,其由晶体管872提供,与差分对830和840的N尺寸晶体管832、842耦合,以及第二支腿,其由用于输出电流IREFP的晶体管874提供。晶体管874可以设置为二极管连接配置。因此,由差分对830和840的N尺寸晶体管832、842传递的电流量可以输出到电流镜的第二支腿,也显示为IREFP。
电流镜880可以具有第一支腿,其由晶体管862提供,与差分对810和820的N尺寸晶体管812、824耦合,还与电流镜870的输出支腿耦合。由晶体管884提供的电流镜880的第二支腿可以与输出端子IOUT耦合。晶体管882可以设置为二极管连接配置。因此,电流镜880可以产生表示IREFP和由第二对差分对电路810、820的N尺寸晶体管812、822传递的电流之和的电流信号IREF。
在实施方案中,电流镜880的晶体管882、884可以为失配晶体管,晶体管882比晶体管884大(显示为大M倍)。在该实施方案中,晶体管882将传递晶体管884所传递的电流的M倍的电流。换言之,电流IREF将为通过差分对电路810、820、830和840的N尺寸晶体管812、822、832和842的电流的1/Mth。
接收器800的输出端子IOUT可以设置在晶体管884与864之间的连接处。在工作期间,电流镜860和880可以在输出端子IOUT处进行电流比较。晶体管864可以基于由差分对电路810、820、830和840的单位尺寸的晶体管814、824、834、844吸收的电流量而从输出端子IOUT吸收电流量ISIG。晶体管884可以基于由差分对电路810、820、830和840的N尺寸的晶体管812、822、832、842吸收的电流量IREF而将电流量源送给输出端子IOUT。当时,残留量的电流将从接收器800的输出源送或者由接收器800通过IOUT端子来吸收。
在工作期间,输入信号VINP和VINN可以根据系统的OOK信号结构而在两个运行阶段之间切换。在第一运行阶段中,OOK信号可以处于“关”状态,其中VINP和VINN是不活跃信号。在该期间,VINP和VINN各自可以具有电压1/2VDD,这会使得差分对电路810、820、830和840的全部晶体管部分导电。N尺寸晶体管812、822、832和842可以使得通过电流镜880的基准电流为单位尺寸的晶体管814、824、834、844可以使得通过电流镜860的电流为当N>M时,则在关断状态下IREF>ISIG。
在第二运行阶段中,OOK信号可以处于“开”状态,其中VINP和VINN是活跃信号。VINP和VINN可以在VDD与地之间振荡,以约1/2VDD为中心。再有,由于电路系统内的损失,VINP和VINN可以不是全轨信号。差分对电路810、820、830和840中的晶体管的电导率可以根据这些信号而变化。N尺寸晶体管812、822、832和842可引发基准电流为4IB,其可以在输出节点处缩减为单位尺寸的晶体管814、824、834、844可以引发电流为ISIG=2IB。当M>2时,在导通状态下ISIG>IREF。
可以调整N和M的参数以适应各种应用需求。应当设定这些参数使得当OOK信号处于“关”状态时输出端子(IOUT)处的电流比较产生第一可检测状态,而当OOK信号处于“开”状态时,产生另一状态。通常,M大于2。
图8的实施方案提供了优于例如图2所示的设计的多个优势。首先,通过设置两种工艺类型的差分对电路(例如,PMOS和NMOS),接收器800将保持在输入电压的两个极端处响应于输入信号(VDD和地)。当晶体管的栅极与源极之间的电压差未能克服那些晶体管所固有的VGS阈值时,每个类型的晶体管不会响应。对于NMOS晶体管,栅极电压必须按VGS阈值超出源极电压,并且当这些晶体管将其源极接地时,晶体管不会响应于与地之差小于晶体管的VGS阈值的输入电压。类似地,对于PMOS晶体管,栅极电压必须比源极电压小VGS阈值,并且当这些晶体管将其源极与VDD连接时,晶体管不会响应于与VDD之差小于晶体管的VGS阈值的输入电压。然而,在图8的电路中,如果一种掺杂类型的差分对(即,那些具有PMOS晶体管的差分对)不能响应时,互补掺杂类型的差分对可以继续工作。因此,图8的设计可以提供轨到轨运行。
此外,与图2的设计相比,图8的设计可以节约资源。然而,在图2的实施方案中,通过N尺寸晶体管的电流被源送到电源(VDD和地),在图8的实施方案中,在N尺寸晶体管和单位尺寸晶体管中使用的电流用来驱动其相应的电流镜。因此,图8的实施方案可以提供更高效的资源利用。
如图1所示,前述实施方案的接收器可与发送器110配合使用,发送器110在通过隔离边界150与接收器的电压域隔离的单独的电压域中运行。示例性的发送器在同日递交的题为“Methods and Structures to Generate On/Off Keyed Carrier Signals forSignal Isolators”的序号为14/486,937(律师案号13641/518001)的共同未决申请中进行了图示说明,该申请的公开内容通过引用合并于本文中。
前面的说明已经提供了用于提供开状态与关状态之间的快速转变的开关键信号隔离器的接收器电路。虽然前面的实施方案已经在示例性的运行和信号协议的背景下图示出了发送器,本发明的原理不限于所述的实施方案。例如,虽然已经在本文中图示了MOS晶体管,本发明的原理可应用于其他的工艺技术,例如,双极结型晶体管和结型场效应晶体管。
在本文中具体地图示和/或描述了本发明的多个实施方案。然而,将理解的是,本发明的改进方案和变型例由上述教导涵盖且在随附权利要求书的范围内,而不偏离本发明的精神和预期范围。容许有与上述原理一致的进一步的变型例。
Claims (24)
1.一种开关键接收器系统,包括:
接收器,其响应于开关键调制输入信号而生成基于所述输入信号的中间电流信号,当所述输入信号具有第一开关键状态时,中间信号包括第一电流电平,当所述输入信号具有第二开关键状态时,中间信号包括第二电流电平,以及
输出驱动器,其生成所述中间电流信号的电压表示,所述电压表示对应于调制在所述输入信号上的开关键信号,
其中所述接收器包括:
一对失配差分对电路,其具有用于差分输入信号的输入,每个差分对电路包括一对晶体管,所述一对晶体管中的一个比另一个小,
电流镜,所述电流镜具有一对电流路径,第一电流路径与两个差分对电路的较小的晶体管耦合,第二电流路径与所述接收器的输出端子耦合,以及
多个电流源,第一电流源与所述一对失配差分对电路中的一个差分对电路耦合,第二电流源与所述一对失配差分对电路中的另一个差分对电路耦合以及第三电流源与所述输出端子耦合。
2.一种开关键接收器系统,包括:
接收器,所述接收器响应于开关键调制输入信号而生成基于所述输入信号的中间电流信号,当所述输入信号具有第一开关键状态时,中间信号包括第一电流电平,当所述输入信号具有第二开关键状态时,中间信号包括第二电流电平,以及
输出驱动器,所述输出驱动器生成所述中间电流信号的电压表示,所述电压表示对应于调制在所述输入信号上的开关键信号,
其中所述接收器包括:
两对失配差分对电路,具有用于差分输入信号的输入,每个差分对电路包括一对晶体管,所述一对晶体管中的一个比另一个小,其中所述差分对电路中的第一两个差分对电路中的晶体管的器件类型与所述差分对电路中的另两个差分对电路中的晶体管的器件类型互补,
电流镜,其具有一对电流路径,第一电流路径与四个差分对电路中的较小的晶体管耦合以及第二电流路径与所述接收器的输出端子耦合,
电流源,其与所述差分对电路中的每个差分对电路耦合,以及
附加电流源,其与所述输出端子耦合。
3.如权利要求1或2所述的系统,其中所述输出驱动器包括反相器。
4.如权利要求1或2所述的系统,其中所述输出驱动器包括:
反相器,以及
用于对所述输出驱动器的输入施加正反馈的装置。
5.如权利要求1或2所述的系统,其中所述输出驱动器包括级联的多个反相器。
6.如权利要求1或2所述的系统,其中所述输出驱动器包括限流反相器。
7.如权利要求1或2所述的系统,其中所述输出驱动器包括
反相器,以及
滤波器,其与反相器的输出耦合。
8.一种开关键接收器系统,包括:
一对电流源,
一对电流路由器,每个电流路由器与相应的电流源耦合,所述电流路由器具有高电导率通路以及低电导率通路,第一电流路由器的所述高电导率通路和第二电流路由器的所述低电导率通路具有与表示开关键调制输入信号的第一差分信号耦合的控制输入,所述第二电流路由器的所述高电导率通路和所述第一电流路由器的所述低电导率通路具有与表示所述开关键调制输入信号的第二差分信号耦合的控制输入,
电流输出系统,其生成中间电流信号,所述中间电流信号表示通过所述电流路由器的低电导率通路的电流的总量;以及
输出驱动器,其生成所述中间电流信号的电压表示,所述电压表示对应于调制在所述输入信号上的开关键信号。
9.如权利要求8所述的系统,其中所述电流路由器包括具有失配尺寸的差分对晶体管。
10.如权利要求8所述的系统,其中所述输出驱动器包括反相器。
11.如权利要求8所述的系统,其中所述输出驱动器包括:
反相器,以及
用于对所述输出驱动器的输入施加正反馈的装置。
12.如权利要求8所述的系统,其中所述输出驱动器包括级联的多个反相器。
13.如权利要求8所述的系统,其中所述输出驱动器包括限流反相器。
14.如权利要求8所述的系统,其中所述输出驱动器包括
反相器,以及
滤波器,其与反相器的输出耦合。
15.一种开关键接收器系统,包括:
一对电流镜,每个电流镜具有第一支腿和第二支腿,两个电流镜的第一支腿与中间输出节点耦合;
四个差分对电路,每个差分对电路都包括与相应的电流源耦合的一对失配晶体管,具有不同掺杂类型的第一两个差分对电路的晶体管,以及第二两个差分对电路的晶体管,其中
每个差分对电路的较大的晶体管与所述一对电流镜中的一个电流镜的第二支腿耦合,并且
每个差分对电路的较小的晶体管与所述一对电流镜中的另一个电流镜的第二支腿耦合;以及
输出驱动器,以基于所述中间输出节点处存在的电流而产生输出电压,所述输出电压对应于开关键信号。
16.如权利要求15所述的系统,其中所述输出驱动器包括反相器。
17.如权利要求15所述的系统,其中所述输出驱动器包括:
反相器,以及
用于对所述输出驱动器的输入施加正反馈的装置。
18.如权利要求15所述的系统,其中所述输出驱动器包括级联的多个反相器。
19.如权利要求15所述的系统,其中所述输出驱动器包括限流反相器。
20.如权利要求15所述的系统,其中所述输出驱动器包括
反相器,以及
滤波器,其与所述反相器的输出耦合。
21.一种产生表示差分开关键控输入信号的数字电压信号的方法,包括:
由隔离器器件接收到的开关键信号来产生整流电流信号,
将所述整流电流信号与基准电流信号进行比较,以及
由电流比较来产生二进制电压信号。
22.如权利要求21所述的方法,其中通过具有互补晶体管类型的多个电压比较电路来产生所述整流电流信号。
23.如权利要求21所述的方法,其中通过多个失配电压比较电路来产生所述整流电流信号以基于开关键信号处于开状态还是关状态而将不同量的电流引导到所述整流电流信号。
24.如权利要求21所述的方法,其中所述整流电流信号是通过如下而产生的:
响应于所述输入信号,在第一高电导率电流路径与第一低电导率电流路径之间路由预定量电流的第一实例,其中,当所述输入信号处于共模电平时,与所述第一低电导率电流路径相比,较大份额的电流通过所述第一高电导率电流路径,而当所述输入信号处于第一限值时,与所述第一高电导率电流路径相比,较大份额的电流通过所述第一低电导率电流路径,
响应于所述输入信号,在第二高电导率电流路径与第二低电导率电流路径之间路由预定量电流的第二实例,其中,当所述输入信号处于共模电平时,与所述第二低电导率电流路径相比,较大份额的电流通过所述第二高电导率电流路径,而当所述输入信号处于第二限值时,与所述第二高电导率电流路径相比,较大份额的电流通过所述第二低电导率电流路径,以及
聚合通过两个低电导率电流路径的电流。
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