JPS58215833A - 磁気信号伝送装置 - Google Patents
磁気信号伝送装置Info
- Publication number
- JPS58215833A JPS58215833A JP57100195A JP10019582A JPS58215833A JP S58215833 A JPS58215833 A JP S58215833A JP 57100195 A JP57100195 A JP 57100195A JP 10019582 A JP10019582 A JP 10019582A JP S58215833 A JPS58215833 A JP S58215833A
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- JP
- Japan
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- circuit
- output
- coil
- bridge circuit
- bridge
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- Granted
Links
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- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive loop type
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気抵抗効果素子を用いた磁気信号伝送装置
に関する、。
に関する、。
磁気抵抗効果素子としてはたとえば鉄−二ツケル合金に
より構成されるパーマロイ素子が用いられるが、この素
子はこれに磁界が与えられたとき、その磁界による異方
性磁気抵抗効果を持っていることが知られている。
より構成されるパーマロイ素子が用いられるが、この素
子はこれに磁界が与えられたとき、その磁界による異方
性磁気抵抗効果を持っていることが知られている。
第１図はこの異方性磁気抵抗効果の特性を示している。
近年、半導体技術の進歩に伴ってこの素子をシリコンウ
ェハー上に薄膜蒸着したものが発表されている。ところ
がこの素子は温度変化に対して、非常に敏感で、換言す
れば温度による変化は磁界による変化エリはるかに大き
いので、この影粒會避けるため磁気抵抗効果素子をブリ
ッジに組んで使用するのが普通である。第２図は磁気抵
抗効果素子でブリッジ回路を形成した従来の回路を示す
ものである。このブリッジ回路は磁気抵抗効果素子の異
方性磁気抵抗効果のため磁界Ｈ１が矢印方向に加わった
時には、その磁界と交差する素子Ｒ１およびＲ３は磁界
Ｈ１の影蕾をうけて、その抵抗値が減少するが、磁界Ｈ
１と平行な素子Ｒ２゜Ｒ４は変化しないためブリッジ出
力が得られる。
ェハー上に薄膜蒸着したものが発表されている。ところ
がこの素子は温度変化に対して、非常に敏感で、換言す
れば温度による変化は磁界による変化エリはるかに大き
いので、この影粒會避けるため磁気抵抗効果素子をブリ
ッジに組んで使用するのが普通である。第２図は磁気抵
抗効果素子でブリッジ回路を形成した従来の回路を示す
ものである。このブリッジ回路は磁気抵抗効果素子の異
方性磁気抵抗効果のため磁界Ｈ１が矢印方向に加わった
時には、その磁界と交差する素子Ｒ１およびＲ３は磁界
Ｈ１の影蕾をうけて、その抵抗値が減少するが、磁界Ｈ
１と平行な素子Ｒ２゜Ｒ４は変化しないためブリッジ出
力が得られる。
このブリッジ出力対磁束密囲のグラフを第３図に示す。
ところり（このグラフから明らかなように、このブリッ
ジ出力はヒステリシスを持っていることが理解される。
ジ出力はヒステリシスを持っていることが理解される。
今、たとえば、ブリッジ回路に付勢磁界が与えられてな
いとき、出力は内部磁石のみによりバイアスされ、点Ａ
であったとする。
いとき、出力は内部磁石のみによりバイアスされ、点Ａ
であったとする。
そしてブリッジ回路に与えられる付勢磁界が増大し、点
Ｂになったら出力回路が働くように設定されているとす
る。このと傘ここに外部から内部磁界に対して９０の傾
きを持つ好着しくかい外部磁界が加わると出力は点Ｃの
方向へ移動し、この状態で外部磁界が取り去られた後は
、点Ａ１に行き、点Ａにはもどらない。これはブリッジ
出力のドリフトを意味し、送受信間の距離が長いときや
。
Ｂになったら出力回路が働くように設定されているとす
る。このと傘ここに外部から内部磁界に対して９０の傾
きを持つ好着しくかい外部磁界が加わると出力は点Ｃの
方向へ移動し、この状態で外部磁界が取り去られた後は
、点Ａ１に行き、点Ａにはもどらない。これはブリッジ
出力のドリフトを意味し、送受信間の距離が長いときや
。
付勢コイルに流れる電流が少ないときには誤動作の原因
となった。なおこのような打着しくない外部磁界は、実
際の使用場所では容易に磁束を発生するもの、たとえば
モーターソレノイドを挙げることができる。
となった。なおこのような打着しくない外部磁界は、実
際の使用場所では容易に磁束を発生するもの、たとえば
モーターソレノイドを挙げることができる。
この発明は、このような従来の欠点を解決するためのも
のである。
のである。
まず、そのヒステリシスであるが、ブリッジ回路を構成
する各素子のヒステリシスが避けられないものとすると
、これがブリッジ出方に出ないようにしなければならな
い。そこで、第２図において、このブリッジに外部磁界
がＨｌに垂直に加わったとすると、磁気抵抗効果素子几
２お工びＲ４け磁界の影響を受けるが、他の磁気抵抗効
果素子Ｒ１おｊびＲ，３ｉその影響を受けない。ここに
ブリッジ出力のヒステリシスの原因がある。ここで、４
つの素子が全て外部磁界に対して同じ影響を受けるよう
にするとこのヒステリシスがなくなるはずである。全て
が同じように働くためには、同じ方向に磁気抵抗効果素
子が配置されなければならない。しかし、全ての素子が
同じ向きに配置されるということは、内部磁界の変化も
受けないということになり、ブリッジ出力は変化しない
ことになる。ここで、第２図において磁石２の周囲の磁
束密度の変化を第４図に示す。この図は磁石２から４ｍ
ｍ１１！れた点の磁束密度の変化を示している。このグ
ラフによると第２図において磁石２の中心から右側の磁
束密度を増加する方向にとると、磁石２の中心から左側
の磁束密度は減少することになる。
する各素子のヒステリシスが避けられないものとすると
、これがブリッジ出方に出ないようにしなければならな
い。そこで、第２図において、このブリッジに外部磁界
がＨｌに垂直に加わったとすると、磁気抵抗効果素子几
２お工びＲ４け磁界の影響を受けるが、他の磁気抵抗効
果素子Ｒ１おｊびＲ，３ｉその影響を受けない。ここに
ブリッジ出力のヒステリシスの原因がある。ここで、４
つの素子が全て外部磁界に対して同じ影響を受けるよう
にするとこのヒステリシスがなくなるはずである。全て
が同じように働くためには、同じ方向に磁気抵抗効果素
子が配置されなければならない。しかし、全ての素子が
同じ向きに配置されるということは、内部磁界の変化も
受けないということになり、ブリッジ出力は変化しない
ことになる。ここで、第２図において磁石２の周囲の磁
束密度の変化を第４図に示す。この図は磁石２から４ｍ
ｍ１１！れた点の磁束密度の変化を示している。このグ
ラフによると第２図において磁石２の中心から右側の磁
束密度を増加する方向にとると、磁石２の中心から左側
の磁束密度は減少することになる。
そこで複数個の磁気抵抗効果素子Ｒ１，Ｒ，２゜Ｒ，３
，Ｒ４を第５図に示す工うにたがいに平行に配設すると
とも（二、これらの素子にＬってＪＩ７’ リッジ回路
を形成し、このブリッジ回路に、磁石２にＲ３を、磁石
２の中心から磁束密度が増大する側に、またたがいに対
向する第２組の辺の素子Ｒ２、Ｒ４を、磁石２の中心〃
・ら磁束密度が減少する側に配設している。
，Ｒ４を第５図に示す工うにたがいに平行に配設すると
とも（二、これらの素子にＬってＪＩ７’ リッジ回路
を形成し、このブリッジ回路に、磁石２にＲ３を、磁石
２の中心から磁束密度が増大する側に、またたがいに対
向する第２組の辺の素子Ｒ２、Ｒ４を、磁石２の中心〃
・ら磁束密度が減少する側に配設している。
このブリッジ回路の働きを第６図を参照して説明する。
今、付勢磁界がブリッジ回路を付勢するのに十分な値に
ないとき、素子Ｒ１，几３が配置されている場所を点Ａ
１点Ｂとし、また素子Ｒ２、Ｒ４が配置されている場所
を点Ｃ２点りとする。すると各素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，
Ｒ，４はその点の磁束密度でバイアスされ、ブリッジ出
力が出る。この状態でブリッジ回路に付勢磁界が与えら
れると磁束密度が変化し、各素子のバイアスはＡ１、Ｂ
ｌ、０１．ＤＩとなり、ブリッジ回路４繋子の中、たが
いに対向する第１組の辺の２素子Ｒ１、几３の抵抗は全
体的に減少し、逆にたがいに対向する第２組の辺の２素
子Ｒ２，８，４の抵抗は全体的に増加する。このために
ブリッジ出力（二変化が現われる。
ないとき、素子Ｒ１，几３が配置されている場所を点Ａ
１点Ｂとし、また素子Ｒ２、Ｒ４が配置されている場所
を点Ｃ２点りとする。すると各素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，
Ｒ，４はその点の磁束密度でバイアスされ、ブリッジ出
力が出る。この状態でブリッジ回路に付勢磁界が与えら
れると磁束密度が変化し、各素子のバイアスはＡ１、Ｂ
ｌ、０１．ＤＩとなり、ブリッジ回路４繋子の中、たが
いに対向する第１組の辺の２素子Ｒ１、几３の抵抗は全
体的に減少し、逆にたがいに対向する第２組の辺の２素
子Ｒ２，８，４の抵抗は全体的に増加する。このために
ブリッジ出力（二変化が現われる。
第７図はこの発明における信号伝送装置のブロック図を
示すものでこのブロック図において送信側回路は付勢磁
界を発生するコイルＬと、このコイルに流れる電流を制
御する電流制御器３およびこの制御器へ信号を入力する
入力部４とから構成されている。また受信側回路は磁気
抵抗効果素子により構成されたブリッジ回路Ｂと、この
ブリッジ回路の出力を増幅する増幅器Ａ、増幅された信
号を基準電圧と比較してスイッチングするスイッチング
回路８と、このスイッチング回路の出力を外部に出力す
る出力部ＯＴおよびこれらに電源を供給する電源部Ｅに
より構成されている。
示すものでこのブロック図において送信側回路は付勢磁
界を発生するコイルＬと、このコイルに流れる電流を制
御する電流制御器３およびこの制御器へ信号を入力する
入力部４とから構成されている。また受信側回路は磁気
抵抗効果素子により構成されたブリッジ回路Ｂと、この
ブリッジ回路の出力を増幅する増幅器Ａ、増幅された信
号を基準電圧と比較してスイッチングするスイッチング
回路８と、このスイッチング回路の出力を外部に出力す
る出力部ＯＴおよびこれらに電源を供給する電源部Ｅに
より構成されている。
第８図はこの発明の具体例を示すもので、この回路は送
信側回路１と受信側回路２とから構成されている。送信
側回路ＩにおいてコイルＬの一端は電源の一方の端子ａ
に、また他端はトランジスタＴｒｉのコレクタに接続さ
れている。トランジスタＴｒｉのエミッタは電源の他方
の端子すに、壕だベースは抵抗Ｒ１を介して入力端子Ｃ
に接続されている。電源の一方の端子ａとトランジスタ
Ｔｒｉのベース間には抵抗Ｒ２が、またそのベースと電
源の他方の端子す間には抵抗Ｒ３が接続され、これらの
抵抗によって分圧された電圧がトランジスタＴｒｉのベ
ースに印加される。そしてトランジスタＴｒｌ、抵抗Ｒ
１〜Ｒ３にエリ電流側？１１ｇｇ３が形成されている。
信側回路１と受信側回路２とから構成されている。送信
側回路ＩにおいてコイルＬの一端は電源の一方の端子ａ
に、また他端はトランジスタＴｒｉのコレクタに接続さ
れている。トランジスタＴｒｉのエミッタは電源の他方
の端子すに、壕だベースは抵抗Ｒ１を介して入力端子Ｃ
に接続されている。電源の一方の端子ａとトランジスタ
Ｔｒｉのベース間には抵抗Ｒ２が、またそのベースと電
源の他方の端子す間には抵抗Ｒ３が接続され、これらの
抵抗によって分圧された電圧がトランジスタＴｒｉのベ
ースに印加される。そしてトランジスタＴｒｌ、抵抗Ｒ
１〜Ｒ３にエリ電流側？１１ｇｇ３が形成されている。
また受信側回路２においてブリッジ回路Ｂは磁気抵抗効
果素子Ｍｌ、Ｍ２．Ｍ３およびＭ４に工り構成され、こ
の出力端はたとえば差動増幅器等の増幅器Ａの入力端（
二接続されている。この増幅器の出力端は電圧比較器Ｏ
ｍの一方の端子に接続されている。電圧比較器Ｃｍの他
方の端子は抵抗Ｒ４，Ｒ，５お工び可変抵抗器ＲＶによ
り構成される基準電圧発生器Ｇに接続され、かつその出
力端は抵抗Ｒ６を介して出力回路ＯＴを構成するトラン
ジスタＴｒ２のベースに接続されている。このトランジ
スタのコレクタは出力端子の一方の端子０１に、またそ
のエミッタは出力端子の他方の端子０２に接続されてい
る。また符号Ｚは定電圧回路でトランジスタＴｒ３、ツ
ェナーダイオードＤＺ、ｉ抗Ｒ，７およびコンデンサＯ
１にエリ構成されている。なお符号０２はコンデンサ、
Ｒ８−Ｒ１７は抵抗である。
果素子Ｍｌ、Ｍ２．Ｍ３およびＭ４に工り構成され、こ
の出力端はたとえば差動増幅器等の増幅器Ａの入力端（
二接続されている。この増幅器の出力端は電圧比較器Ｏ
ｍの一方の端子に接続されている。電圧比較器Ｃｍの他
方の端子は抵抗Ｒ４，Ｒ，５お工び可変抵抗器ＲＶによ
り構成される基準電圧発生器Ｇに接続され、かつその出
力端は抵抗Ｒ６を介して出力回路ＯＴを構成するトラン
ジスタＴｒ２のベースに接続されている。このトランジ
スタのコレクタは出力端子の一方の端子０１に、またそ
のエミッタは出力端子の他方の端子０２に接続されてい
る。また符号Ｚは定電圧回路でトランジスタＴｒ３、ツ
ェナーダイオードＤＺ、ｉ抗Ｒ，７およびコンデンサＯ
１にエリ構成されている。なお符号０２はコンデンサ、
Ｒ８−Ｒ１７は抵抗である。
次に上記構成において、送信側回路１の入力端Ｃ工り入
った信号にエリトランジスタＴｒｉはオン・オフされ、
同時にそのコレクタ、電流もその入力信号によってオン
・オフし、これＣニエってコイルしは入力信号に応じた
磁束を断続的に発生する。そしてこの断続的な磁束の変
化は受信側回路２のブリッジ回路Ｂにより検出され、さ
らにこの検出信号は増幅船人により増幅され、この増幅
器の出力は電圧比較器Ｃｍにより比較され、出方回路（
）の入力となり、その出力端子０１．’０２に出力され
る。
った信号にエリトランジスタＴｒｉはオン・オフされ、
同時にそのコレクタ、電流もその入力信号によってオン
・オフし、これＣニエってコイルしは入力信号に応じた
磁束を断続的に発生する。そしてこの断続的な磁束の変
化は受信側回路２のブリッジ回路Ｂにより検出され、さ
らにこの検出信号は増幅船人により増幅され、この増幅
器の出力は電圧比較器Ｃｍにより比較され、出方回路（
）の入力となり、その出力端子０１．’０２に出力され
る。
また第９図は回路図中の各部の波形を示す。そして波形
Ｎは入力信号、波形Ｂはコイル電流、波形Ｃはブリッジ
回路Ｂの出力、波形りは出力回路ＯＴの出力波形をそれ
ぞれ示している。
Ｎは入力信号、波形Ｂはコイル電流、波形Ｃはブリッジ
回路Ｂの出力、波形りは出力回路ＯＴの出力波形をそれ
ぞれ示している。
なお上記実施例において電流制御器３はトランジスタＴ
ｒｉを用いたものについて説明ひたが、この制御器はメ
カニカルなスイッチＣ二より構成することも可能である
。
ｒｉを用いたものについて説明ひたが、この制御器はメ
カニカルなスイッチＣ二より構成することも可能である
。
この発明は上述のように受信側回路を磁気抵抗効果素子
のブリッジ回路を用いて構成するとと本に送信側回路を
ブリッジ回路を付勢するコイルとこのコイルに流れる電
流を制御する電流制御ｌＩ器により形成しているので、
装置の構成が単純で、安価に供給することができ、また
送信側および受信側をそれぞれ非磁性体金属やプラスチ
ックハウジング％（二より密封することができるので、
水中や悪環境下での使用が可能となる利点がある。
のブリッジ回路を用いて構成するとと本に送信側回路を
ブリッジ回路を付勢するコイルとこのコイルに流れる電
流を制御する電流制御ｌＩ器により形成しているので、
装置の構成が単純で、安価に供給することができ、また
送信側および受信側をそれぞれ非磁性体金属やプラスチ
ックハウジング％（二より密封することができるので、
水中や悪環境下での使用が可能となる利点がある。
さらにブリッジ回路に磁石によって磁気バイアスを与え
ているので、磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果によるヒ
ステリシスを除去することができる効果がある。
ているので、磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果によるヒ
ステリシスを除去することができる効果がある。
第１図は磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果を示す特性図
、第２図は従来の近接スイッチのブリッジ回路を示す図
、第３図は第２図におけるブリッジ回路の出力と磁束密
度との関係を示すグラフ、第４図は磁石の周囲の磁束密
度の付勢磁界による変化を示す図、第５図はこの発明の
磁気信号伝送装置におけるブリッジ回路を示す図、第６
図は第５図にお・けるブリッジ回路の動作を説明する図
、第７図はこの発明における磁気信号伝送装置のブロッ
ク図、第８図はこの発明の一実施例を示す回路図、第９
図は第８図における各部の波形を示す図である。 １・・・送信側回路、２・・・受信側回路、３・・・電
流制御器、４・・・入力部、Ｂ・・・ブリッジ回路、Δ
・・・増幅器、Ｏｍ・・・電圧比Ｓ！器、Ｒ１−Ｒ１３
・・・抵抗、几■・・・可変抵抗器、Ｇ・・・基準電圧
発生器、ＯＴ・・・出力回路、Ｔｒｉ、Ｔｒ２．Ｔｒ３
・・・トランジスタ、０１．（１２・・・出力端子、Ｚ
・・・定電圧回路、ＤＺ・・・ツェナーダイオード、０
１，０２・・・コンデンサ特許出願人 山武ハネウェ
ル株式会社代理人 弁理士 １） 澤 博 昭１
１：１１１１ア・じ 第 ｌ 図 、ａ末？！？’／Ｊｊ （ｆ／ウスノ −第 ３ 図 ５０− 第 ４ 図 □付勢不鼓界 第 ６ 図 付勢磁界 Ｌ Ｊ第 （７５１
ａ
、第２図は従来の近接スイッチのブリッジ回路を示す図
、第３図は第２図におけるブリッジ回路の出力と磁束密
度との関係を示すグラフ、第４図は磁石の周囲の磁束密
度の付勢磁界による変化を示す図、第５図はこの発明の
磁気信号伝送装置におけるブリッジ回路を示す図、第６
図は第５図にお・けるブリッジ回路の動作を説明する図
、第７図はこの発明における磁気信号伝送装置のブロッ
ク図、第８図はこの発明の一実施例を示す回路図、第９
図は第８図における各部の波形を示す図である。 １・・・送信側回路、２・・・受信側回路、３・・・電
流制御器、４・・・入力部、Ｂ・・・ブリッジ回路、Δ
・・・増幅器、Ｏｍ・・・電圧比Ｓ！器、Ｒ１−Ｒ１３
・・・抵抗、几■・・・可変抵抗器、Ｇ・・・基準電圧
発生器、ＯＴ・・・出力回路、Ｔｒｉ、Ｔｒ２．Ｔｒ３
・・・トランジスタ、０１．（１２・・・出力端子、Ｚ
・・・定電圧回路、ＤＺ・・・ツェナーダイオード、０
１，０２・・・コンデンサ特許出願人 山武ハネウェ
ル株式会社代理人 弁理士 １） 澤 博 昭１
１：１１１１ア・じ 第 ｌ 図 、ａ末？！？’／Ｊｊ （ｆ／ウスノ −第 ３ 図 ５０− 第 ４ 図 □付勢不鼓界 第 ６ 図 付勢磁界 Ｌ Ｊ第 （７５１
ａ
Claims (1)
- 複数個の磁気抵抗効果素子をたがいに平行に配設すると
ともに、これらの素子によってブリッジ回路を形成し、
このブリッジ回路に磁石によって磁気バイアスを与え、
そのブリッジ回路の出力を増幅器の入力とするとともに
この増幅器の出力を電圧比較器の一方の入力に接続し、
かつこの電圧比較器の使方の入力を基準電圧発生回路に
接続し、さらに上記電圧比較器の出力を出力回路に接続
して受信回路を形成し、一方上記ブリッジ回路を付勢す
るコイルとこのコイイレに流れる電流を制御する電流制
御器により送信回路を形成した磁気信号伝送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100195A JPS58215833A (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | 磁気信号伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100195A JPS58215833A (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | 磁気信号伝送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215833A true JPS58215833A (ja) | 1983-12-15 |
| JPS634980B2 JPS634980B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=14267517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57100195A Granted JPS58215833A (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | 磁気信号伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215833A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999021332A1 (en) * | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Analog Devices, Inc. | Magnetically coupled signal isolator using a faraday shielded mr or gmr receiving element |
| US6873065B2 (en) | 1997-10-23 | 2005-03-29 | Analog Devices, Inc. | Non-optical signal isolator |
| US6903578B2 (en) | 2000-02-14 | 2005-06-07 | Analog Devices, Inc. | Logic isolator |
| US7075329B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-07-11 | Analog Devices, Inc. | Signal isolators using micro-transformers |
| US9293997B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-22 | Analog Devices Global | Isolated error amplifier for isolated power supplies |
| US9660848B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-05-23 | Analog Devices Global | Methods and structures to generate on/off keyed carrier signals for signal isolators |
| US9998301B2 (en) | 2014-11-03 | 2018-06-12 | Analog Devices, Inc. | Signal isolator system with protection for common mode transients |
| US10270630B2 (en) | 2014-09-15 | 2019-04-23 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
| US10419251B2 (en) | 2002-09-18 | 2019-09-17 | Infineon Technologies | Digital signal transfer using integrated transformers with electrical isolation |
| US10536309B2 (en) | 2014-09-15 | 2020-01-14 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
-
1982
- 1982-06-10 JP JP57100195A patent/JPS58215833A/ja active Granted
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999021332A1 (en) * | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Analog Devices, Inc. | Magnetically coupled signal isolator using a faraday shielded mr or gmr receiving element |
| US6054780A (en) * | 1997-10-23 | 2000-04-25 | Analog Devices, Inc. | Magnetically coupled signal isolator using a Faraday shielded MR or GMR receiving element |
| US6873065B2 (en) | 1997-10-23 | 2005-03-29 | Analog Devices, Inc. | Non-optical signal isolator |
| US6903578B2 (en) | 2000-02-14 | 2005-06-07 | Analog Devices, Inc. | Logic isolator |
| US10419251B2 (en) | 2002-09-18 | 2019-09-17 | Infineon Technologies | Digital signal transfer using integrated transformers with electrical isolation |
| US7075329B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-07-11 | Analog Devices, Inc. | Signal isolators using micro-transformers |
| US9293997B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-22 | Analog Devices Global | Isolated error amplifier for isolated power supplies |
| US9660848B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-05-23 | Analog Devices Global | Methods and structures to generate on/off keyed carrier signals for signal isolators |
| US10270630B2 (en) | 2014-09-15 | 2019-04-23 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
| US10536309B2 (en) | 2014-09-15 | 2020-01-14 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
| US9998301B2 (en) | 2014-11-03 | 2018-06-12 | Analog Devices, Inc. | Signal isolator system with protection for common mode transients |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634980B2 (ja) | 1988-02-01 |
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