JPH0937558A - インバータ装置 - Google Patents
インバータ装置Info
- Publication number
- JPH0937558A JPH0937558A JP7178746A JP17874695A JPH0937558A JP H0937558 A JPH0937558 A JP H0937558A JP 7178746 A JP7178746 A JP 7178746A JP 17874695 A JP17874695 A JP 17874695A JP H0937558 A JPH0937558 A JP H0937558A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- secondary winding
- winding
- cold cathode
- inverter device
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- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
- Regulation Of General Use Transformers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 冷陰極管のインバータ回路用のコンデンサの
ように高耐電圧と絶縁沿面距離が必要な場合に用いて好
適なインバータ装置を提供すること。 【解決手段】 一次巻線Np1,Np2に流れる電流をオン
オフするスイッチング素子Q1,Q2と、この一次巻線
と共振するコンデンサCRを有し、二次巻線Ns並びに冷
陰極管と直列に接続されるバラストコンデンサCBを有
するインバータ装置において、前記一次巻線、二次巻線
並びにバラストコンデンサを積層プリント基板の各層に
形成することを特徴としている。
ように高耐電圧と絶縁沿面距離が必要な場合に用いて好
適なインバータ装置を提供すること。 【解決手段】 一次巻線Np1,Np2に流れる電流をオン
オフするスイッチング素子Q1,Q2と、この一次巻線
と共振するコンデンサCRを有し、二次巻線Ns並びに冷
陰極管と直列に接続されるバラストコンデンサCBを有
するインバータ装置において、前記一次巻線、二次巻線
並びにバラストコンデンサを積層プリント基板の各層に
形成することを特徴としている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、冷陰極管を点灯するイ
ンバータ装置に掛り、特に電源装置の小型化と低コスト
化に寄与する構造の改良に関する。
ンバータ装置に掛り、特に電源装置の小型化と低コスト
化に寄与する構造の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】冷陰極管は、計器の液晶表示部のバック
ライト用等に使用されるもので、例えば本出願人の提案
にかかる実開昭63−126827号公報に開示されて
いるように、点灯回路としてインバータ回路が使用され
ている。このようなインバータ回路では、例えば共振形
ロイヤー発振回路が使用され、インバータ出力端子と冷
陰極管をバラストコンデンサで結合している。バラスト
コンデンサはトランスの出力電圧と冷陰極管の定常点灯
電圧の電圧差が印加され、管電流を定常化する機能を持
っている。
ライト用等に使用されるもので、例えば本出願人の提案
にかかる実開昭63−126827号公報に開示されて
いるように、点灯回路としてインバータ回路が使用され
ている。このようなインバータ回路では、例えば共振形
ロイヤー発振回路が使用され、インバータ出力端子と冷
陰極管をバラストコンデンサで結合している。バラスト
コンデンサはトランスの出力電圧と冷陰極管の定常点灯
電圧の電圧差が印加され、管電流を定常化する機能を持
っている。
【0003】図3は共振型ロイヤー回路の回路図であ
る。図において、直流電圧源Vinが一次インダクタンス
Lを介して一次巻線Np1,Np2のセンタータップに接続
されている。第一の一次巻線Np1の他端はトランジスタ
Q1のコレクタ端子に接続され、第二の一次巻線Np2の
他端はトランジスタQ2のコレクタ端子に接続されてい
る。また一次巻線Np1,Np2の両端は共振コンデンサCR
で接続されている。補助巻線NBの一端はトランジスタ
Q1,Q2のベース端子に接続され、他端はエミッタ端
子と接続され、コモンとして利用される。起動抵抗Rに
より、補助巻線N Bの一端と、一次巻線Np1,Np2のセン
タータップとが接続されている。
る。図において、直流電圧源Vinが一次インダクタンス
Lを介して一次巻線Np1,Np2のセンタータップに接続
されている。第一の一次巻線Np1の他端はトランジスタ
Q1のコレクタ端子に接続され、第二の一次巻線Np2の
他端はトランジスタQ2のコレクタ端子に接続されてい
る。また一次巻線Np1,Np2の両端は共振コンデンサCR
で接続されている。補助巻線NBの一端はトランジスタ
Q1,Q2のベース端子に接続され、他端はエミッタ端
子と接続され、コモンとして利用される。起動抵抗Rに
より、補助巻線N Bの一端と、一次巻線Np1,Np2のセン
タータップとが接続されている。
【0004】トランジスタQ1,Q2の相補的スイッチ
ング動作をするので、第一及び第二の一次巻線Np1,N
p2に生じるスイッチング電流に対する電磁誘導作用によ
り、二次巻線Nsにはスイッチング電流が誘起される。
バラストコンデンサCBは、二次巻線Ns並びに冷陰極管
CFLと直列に接続されたもので、放電電流を定電流化
するためのインピーダンス素子である。
ング動作をするので、第一及び第二の一次巻線Np1,N
p2に生じるスイッチング電流に対する電磁誘導作用によ
り、二次巻線Nsにはスイッチング電流が誘起される。
バラストコンデンサCBは、二次巻線Ns並びに冷陰極管
CFLと直列に接続されたもので、放電電流を定電流化
するためのインピーダンス素子である。
【0005】このように構成された装置の動作を次に説
明する。起動抵抗RによりトランジスタQ1又はQ2の
一方がオンすると、トランスの一次インダクタンスLと
共振コンデンサCRにより、共振電圧がオフしたトラン
ジスタ側の一次巻線Np1,Np2に生じる。共振電圧は、
半波正弦波であって、ピーク電圧はπVinとなってい
る。共振が終了すると逆起電力により反対側のトランジ
スタにベース電流が流れ、正帰還によりそのトランジス
タのオンが確定し、共振電圧がオフしたトランジスタ側
の一次巻線Np1,Np2に生じる。二次巻線Nsでは、両方
の半波が合成され、実効値電圧Vsの正弦波が生じる。 Vs=πx2-1/2xVinxNs/(Np1+Np2) (1)
明する。起動抵抗RによりトランジスタQ1又はQ2の
一方がオンすると、トランスの一次インダクタンスLと
共振コンデンサCRにより、共振電圧がオフしたトラン
ジスタ側の一次巻線Np1,Np2に生じる。共振電圧は、
半波正弦波であって、ピーク電圧はπVinとなってい
る。共振が終了すると逆起電力により反対側のトランジ
スタにベース電流が流れ、正帰還によりそのトランジス
タのオンが確定し、共振電圧がオフしたトランジスタ側
の一次巻線Np1,Np2に生じる。二次巻線Nsでは、両方
の半波が合成され、実効値電圧Vsの正弦波が生じる。 Vs=πx2-1/2xVinxNs/(Np1+Np2) (1)
【0006】冷陰極管CFLの点灯開始過程は、グロー
放電領域で電圧Vsが正弦波で上昇すると点灯開始電圧
に到達し、アーク放電領域に入る。アーク放電領域は負
性抵抗を示すため、バラストがないと放電が不安定にな
るから、バラストコンデンサCBが使用される。バラス
トにコンデンサを用いると、抵抗に比較して低損失で、
インダクタンスに比較して小型になるという利点があ
る。発振周波数を50kHz、コンデンサの容量をCB
=33pFとすると、インピーダンスZcは次式より9
6kΩとなる。 Zc=(2πfCB)-1 (2)
放電領域で電圧Vsが正弦波で上昇すると点灯開始電圧
に到達し、アーク放電領域に入る。アーク放電領域は負
性抵抗を示すため、バラストがないと放電が不安定にな
るから、バラストコンデンサCBが使用される。バラス
トにコンデンサを用いると、抵抗に比較して低損失で、
インダクタンスに比較して小型になるという利点があ
る。発振周波数を50kHz、コンデンサの容量をCB
=33pFとすると、インピーダンスZcは次式より9
6kΩとなる。 Zc=(2πfCB)-1 (2)
【0007】冷陰極管CFLの具体的な特性値の一例
は、点灯電圧が400Vrms、管電流が5mArmsで、内
部抵抗が80kΩである。管電流の安定性は、冷陰極管
CFLの温度特性等による内部抵抗変動に比較してコン
デンサのインピーダンスが大きい程増すという性質があ
る。
は、点灯電圧が400Vrms、管電流が5mArmsで、内
部抵抗が80kΩである。管電流の安定性は、冷陰極管
CFLの温度特性等による内部抵抗変動に比較してコン
デンサのインピーダンスが大きい程増すという性質があ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、インバータの
起動時にはコンデンサに500〜1000Vrmsが印加されるの
で、耐圧が2〜3kV要求されると共に、IEC950と
いう規格に準拠するとコンデンサ周辺の絶縁沿面距離を
5mm確保する必要が生じ、またコンデンサ自体も沿面
距離等から小型化できず、高価になるという課題があっ
た。本発明はこのような課題を解決したもので、冷陰極
管のインバータ回路用のコンデンサのように高耐電圧と
絶縁沿面距離が必要な場合に用いて好適なインバータ装
置を提供することを目的とする。
起動時にはコンデンサに500〜1000Vrmsが印加されるの
で、耐圧が2〜3kV要求されると共に、IEC950と
いう規格に準拠するとコンデンサ周辺の絶縁沿面距離を
5mm確保する必要が生じ、またコンデンサ自体も沿面
距離等から小型化できず、高価になるという課題があっ
た。本発明はこのような課題を解決したもので、冷陰極
管のインバータ回路用のコンデンサのように高耐電圧と
絶縁沿面距離が必要な場合に用いて好適なインバータ装
置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明は、一次巻線Np1,Np2に流れる電流をオンオフす
るスイッチング素子Q1,Q2と、この一次巻線と共振
するコンデンサCRを有し、二次巻線Ns並びに冷陰極管
と直列に接続されるバラストコンデンサCBを有するイ
ンバータ装置において、前記一次巻線、二次巻線並びに
バラストコンデンサを積層プリント基板の各層に形成す
ることを特徴としている。
発明は、一次巻線Np1,Np2に流れる電流をオンオフす
るスイッチング素子Q1,Q2と、この一次巻線と共振
するコンデンサCRを有し、二次巻線Ns並びに冷陰極管
と直列に接続されるバラストコンデンサCBを有するイ
ンバータ装置において、前記一次巻線、二次巻線並びに
バラストコンデンサを積層プリント基板の各層に形成す
ることを特徴としている。
【0010】
【作用】本発明の構成によれば、冷陰極管の点灯用イン
バータ装置に用いる一次巻線、二次巻線並びにバラスト
コンデンサを積層プリント基板に一体化して形成してい
るので、装置全体の実装空間が狭くてすみ、小型化され
る。
バータ装置に用いる一次巻線、二次巻線並びにバラスト
コンデンサを積層プリント基板に一体化して形成してい
るので、装置全体の実装空間が狭くてすみ、小型化され
る。
【0011】
【実施例】以下図面を用いて、本発明を説明する。図1
は本発明の一実施例を示す回路図で、インバータ装置と
して図3の回路を使用する場合に適する積層プリント基
板を示している。なお、このような積層プリント基板
は、例えば本出願人の提案にかかる特開平6−3103
45号公報に開示されている。ここでは、単一の積層プ
リント基板にバラストコンデンサCB、二次巻線Ns、一
次巻線Np1,Np2並びに補助巻線NBを形成している。バ
ラストコンデンサCBは、誘電体CBDを電極板CBEを挟
んだもので、一方の電極板CBEは冷陰極管CFLと接続
され、他方の電極板CBEは二次巻線Nsと接続されてい
る。二次巻線Nsは渦巻状コイルパターンが形成された
二枚の巻線板NS1,NS2よりなり、両者は絶縁板Insで
絶縁されると共に、別の絶縁板Insで電極板CBE並びに
一次巻線Np2とも絶縁されている。一次巻線Npは渦巻
状コイルパターンが形成された二枚の巻線板Np1,Np2
よりなり、両者は絶縁板Insで絶縁される。補助巻線N
Bは渦巻状コイルパターンが形成された一枚の巻線板よ
りなる。
は本発明の一実施例を示す回路図で、インバータ装置と
して図3の回路を使用する場合に適する積層プリント基
板を示している。なお、このような積層プリント基板
は、例えば本出願人の提案にかかる特開平6−3103
45号公報に開示されている。ここでは、単一の積層プ
リント基板にバラストコンデンサCB、二次巻線Ns、一
次巻線Np1,Np2並びに補助巻線NBを形成している。バ
ラストコンデンサCBは、誘電体CBDを電極板CBEを挟
んだもので、一方の電極板CBEは冷陰極管CFLと接続
され、他方の電極板CBEは二次巻線Nsと接続されてい
る。二次巻線Nsは渦巻状コイルパターンが形成された
二枚の巻線板NS1,NS2よりなり、両者は絶縁板Insで
絶縁されると共に、別の絶縁板Insで電極板CBE並びに
一次巻線Np2とも絶縁されている。一次巻線Npは渦巻
状コイルパターンが形成された二枚の巻線板Np1,Np2
よりなり、両者は絶縁板Insで絶縁される。補助巻線N
Bは渦巻状コイルパターンが形成された一枚の巻線板よ
りなる。
【0012】次に、各層のプリント基板の端子と結線状
態について説明する。バラストコンデンサCBの一方の
電極板CBEの端子Tc1は冷陰極管CFLと接続され、他
方の電極板CBEの端子Tc2は第一の二次巻線NS1の外側
端子Tn1と接続されている。第一の二次巻線NS1の内側
端子Tn2は第二の二次巻線NS2の内側端子Tn3と接続さ
れ、第二の二次巻線NS2の外側端子Tn4は冷陰極管CF
Lのコモン側端子と接続されている。
態について説明する。バラストコンデンサCBの一方の
電極板CBEの端子Tc1は冷陰極管CFLと接続され、他
方の電極板CBEの端子Tc2は第一の二次巻線NS1の外側
端子Tn1と接続されている。第一の二次巻線NS1の内側
端子Tn2は第二の二次巻線NS2の内側端子Tn3と接続さ
れ、第二の二次巻線NS2の外側端子Tn4は冷陰極管CF
Lのコモン側端子と接続されている。
【0013】第二の一次巻線Np2の外側端子Tn5は共振
コンデンサCRの一端と接続され、第一の一次巻線Np1
の外側端子Tn8は共振コンデンサCRの他端と接続され
ている。また第二の一次巻線Np2の内側端子Tn6と第一
の一次巻線Np1の内側端子T n7とは相互に接続されて、
センタータップとして一次インダクタLと接続されてい
る。さらに補助巻線NBの外側端子Tn9は起動抵抗Rの
トランジスタQ1側と接続され、内側端子Tn10はトラ
ンジスタQ2のベース端子と接続されている。
コンデンサCRの一端と接続され、第一の一次巻線Np1
の外側端子Tn8は共振コンデンサCRの他端と接続され
ている。また第二の一次巻線Np2の内側端子Tn6と第一
の一次巻線Np1の内側端子T n7とは相互に接続されて、
センタータップとして一次インダクタLと接続されてい
る。さらに補助巻線NBの外側端子Tn9は起動抵抗Rの
トランジスタQ1側と接続され、内側端子Tn10はトラ
ンジスタQ2のベース端子と接続されている。
【0014】次に、バラストコンデンサCBの具体的な
数値を説明する。容量をCB、誘電体層の厚さをd、誘
電体の比誘電率をεs、真空の誘電率をε0(=8.854x10
-12[F/m])とすると、電極面積Sは次式で求めら
れる。 S=CBxd/(εsxε0) (3) 誘電体層の厚さdは耐電圧の要求から決定され、20k
V/mm以上の材料で3kV以上を満足するには、0.15
mm厚が必要となり、安全率を乗じて現実の厚さが定ま
る。バラストコンデンサの容量値は冷陰極管電圧・電
流、発振周波数等で決まり、通常15〜33pFに選定
される。誘電体にガラスエポキシ樹脂を用いると、比誘
電率は5程度であるから、電極面積は1cm2程度とな
り、従来の巻線型トランスと同程度の占有面積の積層プ
リント基板で実現できる。
数値を説明する。容量をCB、誘電体層の厚さをd、誘
電体の比誘電率をεs、真空の誘電率をε0(=8.854x10
-12[F/m])とすると、電極面積Sは次式で求めら
れる。 S=CBxd/(εsxε0) (3) 誘電体層の厚さdは耐電圧の要求から決定され、20k
V/mm以上の材料で3kV以上を満足するには、0.15
mm厚が必要となり、安全率を乗じて現実の厚さが定ま
る。バラストコンデンサの容量値は冷陰極管電圧・電
流、発振周波数等で決まり、通常15〜33pFに選定
される。誘電体にガラスエポキシ樹脂を用いると、比誘
電率は5程度であるから、電極面積は1cm2程度とな
り、従来の巻線型トランスと同程度の占有面積の積層プ
リント基板で実現できる。
【0015】このように構成された装置によれば、単一
の積層プリント基板にバラストコンデンサCB、二次巻
線Ns、一次巻線Np1,Np2並びに補助巻線NBを形成し
ているので、インバータ装置の実装面積が少なくて済む
という効果がある。また、二次巻線Nsのターン数が二
枚の巻線板NS1,NS2では不足する場合には、更に積層
する枚数を増大させて所望のターン数を得る。
の積層プリント基板にバラストコンデンサCB、二次巻
線Ns、一次巻線Np1,Np2並びに補助巻線NBを形成し
ているので、インバータ装置の実装面積が少なくて済む
という効果がある。また、二次巻線Nsのターン数が二
枚の巻線板NS1,NS2では不足する場合には、更に積層
する枚数を増大させて所望のターン数を得る。
【0016】なお、共振型ロイヤー回路では、一次巻線
Np1,Np2の空インダクタンスと共振コンデンサCRで共
振周波数を決定するので、適切な主インダクタンスを得
るためにコアにギャップを設けることが多い。すると、
ギャップ近傍では磁束が拡がるので、ここにコイルがあ
ると洩れインダクタンスが増大し、同時に近接効果によ
る導体の抵抗が高周波数になるほど増大する。洩れイン
ダクタンスが増大すると、波形に歪みが現れて、スイッ
チング損失が増えると共に、ノイズ障害の可能性を高め
る。近接効果による導体の抵抗が高周波数になるほど増
大すると、銅損が増大して効率が低下するという課題を
有している。バラストコンデンサCBの層を中央のコア
穴に装着されるコアに形成されるギャップの近傍に配置
すると、洩れインダクタンスと近接効果を低減できるの
で、インバータ電源として更に特性が向上するという好
ましい効果が得られる。
Np1,Np2の空インダクタンスと共振コンデンサCRで共
振周波数を決定するので、適切な主インダクタンスを得
るためにコアにギャップを設けることが多い。すると、
ギャップ近傍では磁束が拡がるので、ここにコイルがあ
ると洩れインダクタンスが増大し、同時に近接効果によ
る導体の抵抗が高周波数になるほど増大する。洩れイン
ダクタンスが増大すると、波形に歪みが現れて、スイッ
チング損失が増えると共に、ノイズ障害の可能性を高め
る。近接効果による導体の抵抗が高周波数になるほど増
大すると、銅損が増大して効率が低下するという課題を
有している。バラストコンデンサCBの層を中央のコア
穴に装着されるコアに形成されるギャップの近傍に配置
すると、洩れインダクタンスと近接効果を低減できるの
で、インバータ電源として更に特性が向上するという好
ましい効果が得られる。
【0017】図2は積層プリント基板の各層の状態を説
明する斜視図である。上側から、バラストコンデンサC
Bの電極板CBE、誘電体層CBD,電極板CBE、絶縁層I
ns、第一の二次巻線NS1、絶縁層Ins、第二の二次巻線
NS2、絶縁層Ins、第二の一次巻線Np2、絶縁層Ins、
第一の一次巻線Np1の順で積層されている。なお、補助
巻線NBについてはトランジスタQ1,Q2をオンオフ
するための制御回路を別途設ける場合には不要となるか
ら、ここでは除いてある。
明する斜視図である。上側から、バラストコンデンサC
Bの電極板CBE、誘電体層CBD,電極板CBE、絶縁層I
ns、第一の二次巻線NS1、絶縁層Ins、第二の二次巻線
NS2、絶縁層Ins、第二の一次巻線Np2、絶縁層Ins、
第一の一次巻線Np1の順で積層されている。なお、補助
巻線NBについてはトランジスタQ1,Q2をオンオフ
するための制御回路を別途設ける場合には不要となるか
ら、ここでは除いてある。
【0018】なお、上記実施例としては、インバータ装
置として共振型ロイヤー回路の場合を示したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、他の冷陰極管CFL
の駆動回路として使用されるインバータ装置の一次巻
線、二次巻線並びにコンデンサを併設する場合に用いる
ことができる。
置として共振型ロイヤー回路の場合を示したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、他の冷陰極管CFL
の駆動回路として使用されるインバータ装置の一次巻
線、二次巻線並びにコンデンサを併設する場合に用いる
ことができる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればイ
ンバータ装置に必要とされるバラストコンデンサをトラ
ンスの一次巻線、二次巻線と共に積層して設けたので、
従来の独立したコンデンサをバラスト用に設置する場合
に比較して、プリント基板の必要面積が狭いもので済む
という効果がある。また従来の独立したコンデンサで
は、誘電体層の両側に焼成等により形成した電極にリー
ドを取り付けて塗装し、さらにプリント基板に実装する
という多大の工程を経てインバータ装置が製造される
が、本発明によれば積層プリント基板に誘電体層を形成
するだけで済むので、従来必要であったコンデンサ自体
の塗装工程や実装工程が省略されて、組立が容易になる
という効果もある。
ンバータ装置に必要とされるバラストコンデンサをトラ
ンスの一次巻線、二次巻線と共に積層して設けたので、
従来の独立したコンデンサをバラスト用に設置する場合
に比較して、プリント基板の必要面積が狭いもので済む
という効果がある。また従来の独立したコンデンサで
は、誘電体層の両側に焼成等により形成した電極にリー
ドを取り付けて塗装し、さらにプリント基板に実装する
という多大の工程を経てインバータ装置が製造される
が、本発明によれば積層プリント基板に誘電体層を形成
するだけで済むので、従来必要であったコンデンサ自体
の塗装工程や実装工程が省略されて、組立が容易になる
という効果もある。
【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図2】積層プリント基板の各層の状態を説明する斜視
図である。
図である。
【図3】共振型ロイヤー回路の回路図である。
CB バラストコンデンサ CR 共振コンデンサ CFL 冷陰極管 Ins 絶縁層 Np 一次巻線 Ns 二次巻線
Claims (1)
- 【請求項1】一次巻線(Np1,Np2)に流れる電流をオ
ンオフするスイッチング素子(Q1,Q2)と、この一
次巻線と共振するコンデンサ(CR)を有し、二次巻線
Ns並びに冷陰極管と直列に接続されるバラストコンデ
ンサ(CB)を有するインバータ装置において、 前記一次巻線、二次巻線並びにバラストコンデンサを積
層プリント基板の各層に形成することを特徴とするイン
バータ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7178746A JPH0937558A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | インバータ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7178746A JPH0937558A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | インバータ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0937558A true JPH0937558A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16053868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7178746A Pending JPH0937558A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | インバータ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0937558A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284097A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Hitachi Medical Corp | 高電圧スイッチ回路及びこれを用いたx線装置 |
JP2008511272A (ja) * | 2004-08-20 | 2008-04-10 | アナログ ディヴァイスィズ インク | マイクロトランスを使用した電力および情報信号の伝送 |
US9293997B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-22 | Analog Devices Global | Isolated error amplifier for isolated power supplies |
US9660848B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-05-23 | Analog Devices Global | Methods and structures to generate on/off keyed carrier signals for signal isolators |
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US10270630B2 (en) | 2014-09-15 | 2019-04-23 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
US10536309B2 (en) | 2014-09-15 | 2020-01-14 | Analog Devices, Inc. | Demodulation of on-off-key modulated signals in signal isolator systems |
-
1995
- 1995-07-14 JP JP7178746A patent/JPH0937558A/ja active Pending
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