CN105408988A - 保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法 - Google Patents

保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种保护膜形成用片(2)，其具备保护膜形成膜(1)、和叠层于该保护膜形成膜的一面或两面的剥离片(21)，所述保护膜形成膜(1)的特征在于，其在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。

Description

保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法
技术领域
本发明涉及能够在半导体晶片等工件、或者在对该工件进行加工而得到的加工物(例如半导体芯片)上形成保护膜的保护膜形成膜及保护膜形成用(复合)片、以及对使用它们而得到的带保护膜的工件或加工物进行检查的检查方法。
背景技术
近年来，已使用被称为倒装(facedown)方式的安装法来进行半导体装置的制造。在该方法中，在安装具有形成有凸块等电极的电路面的半导体芯片时，将半导体芯片的电路面侧接合于引线框等芯片搭载部。因此，会成为未形成电路的半导体芯片的背面侧露出的结构。
因此，为了对半导体芯片加以保护，多数情况下在半导体芯片的背面侧形成由硬质的有机材料构成的保护膜。该保护膜例如可使用专利文献1或2所示那样的半导体背面用膜或切割胶带一体型晶片背面保护膜而形成。
利用专利文献1中的半导体背面用膜，可使波长532nm或1064nm下的透光率达到20％以下。由此，不仅能够实现基于激光照射的打印加工，同时可以防止对半导体元件造成由激光带来的不良影响。另外，利用专利文献2中的晶片背面保护膜，可使可见光透射率达到20％以下。由此，可减小因光线透过而对半导体元件造成的影响。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-28396号公报
专利文献2：日本特开2012-235168号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在将半导体晶片进行切割而得到的半导体芯片等中，有时会因加工时产生的应力而产生裂纹等。而在形成有具有如上所述的透光率的保护膜时，在半导体芯片的保护膜侧产生的裂纹等无法通过目测而被发现。而产生了无法被识别的裂纹等的半导体芯片会导致制品成品率降低。
另一方面，在半导体芯片的背面通常残留有因对半导体晶片实施的背面研磨处理加工而引起的磨痕。从半导体芯片外观的观点考虑，期望该磨痕可以不被肉眼识别，期望可利用上述的保护膜加以掩蔽。
本发明鉴于如上所述的实际情况而完成，其目的在于提供保护膜形成膜及保护膜形成用(复合)片、以及对使用它们而得到的带保护膜的工件或加工物进行检查的检查方法，所述保护膜形成膜及保护膜形成用(复合)片能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。
解决问题的方法
为了实现上述目的，第1，本发明提供一种保护膜形成膜，其在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下(发明1)。
根据上述发明(发明1)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的基于红外线的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。
在上述发明(发明1)中，上述保护膜形成膜优选由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜(发明2)。
在上述发明(发明2)中，优选上述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.01～3μm的填料(发明3)。
第2，本发明提供一种保护膜形成用片，其具备上述保护膜形成膜(发明1～3)、和叠层于上述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片(发明4)。
第3，本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和叠层于上述粘合片的上述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，上述保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上，上述保护膜形成膜在波长550nm的透光率为20％以下(发明5)。
根据上述发明(发明4、5)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的基于红外线的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。
在上述发明(发明5)中，上述保护膜形成膜优选由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜(发明6)。
在上述发明(发明6)中，优选上述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.01～3μm的填料(发明7)。
第4，本发明提供一种检查方法，该方法包括：通过使用上述保护膜形成膜(发明1～3)、上述保护膜形成用片(发明4)或上述保护膜形成用复合片(发明5～7)在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件，并利用红外线、隔着上述保护膜对上述带保护膜的工件、或者对将上述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查(发明8)。
在上述发明(发明8)中，上述工件为半导体晶片、上述加工物为半导体芯片(发明9)。
第5，本发明提供基于上述检查方法(发明8、9)而被判断为良品的带保护膜的工件(发明10)。
第6，本发明提供基于上述检查方法(发明8、9)而被判断为良品的加工物(发明11)。
发明的效果
根据本发明的保护膜形成膜及保护膜形成用(复合)片，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的基于红外线的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。另外，根据本发明的检查方法，可通过利用红外线进行对工件或加工物上存在的裂纹等的检查。
附图说明
[图1]是本发明的一个实施方式的保护膜形成用片的剖面图。
[图2]是本发明的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。
[图3]是本发明的另一实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。
[图4]是示出本发明的一个实施方式的保护膜形成用复合片的使用例的剖面图。
符号说明
1…保护膜形成膜
2…保护膜形成用片
21…剥离片
3、3A…保护膜形成用复合片
4…粘合片
41…基材
42…粘合剂层
5…夹具用粘合剂层
6…半导体晶片
7…环状框
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式进行说明。
[保护膜形成膜]
本实施方式涉及的保护膜形成膜用于在工件上、或者在对该工件进行加工而得到的加工物上形成保护膜。该保护膜由保护膜形成膜构成，优选由固化后的保护膜形成膜构成。作为工件，可列举例如半导体晶片等，作为对该工件进行加工而得到的加工物，可列举例如半导体芯片，但本发明并不限定于这些。需要说明的是，工件为半导体晶片的情况下，保护膜形成于半导体晶片的背面侧(未形成凸块等电极的一侧)。
1.物性
本实施方式的保护膜形成膜是在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下的膜。需要说明的是，本说明书中的透光率是未使用积分球而测定的值，作为测定仪器，使用分光光度计。
对于由半导体晶片经切割而得到的半导体芯片等，有时会因加工时产生的应力而产生裂纹等。如上所述，如果在波长1600nm的透光率为25％以上，则红外线的透过性良好，能够进行从保护膜形成膜(或由该保护膜形成膜形成的保护膜)侧获取红外线的红外线检查。由此，能够隔着保护膜形成膜(保护膜)而发现半导体芯片等加工物上的裂纹等，从而使制品成品率提高。
从上述红外线透过性的观点考虑，优选保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为40％以上、特别优选为45％以上、进一步优选为50％以上。需要说明的是，在波长1600nm的透光率的上限并无特殊限定，但通过使波长550nm的透光率为20％以下，其是自然而然确定的。另外，在使用形成有保护膜的加工物(半导体芯片等)时，通过使保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为90％以下，能够防止容易受到来自外部的红外线的影响的加工物出现误动作。
另一方面，例如在半导体芯片的背面通常会残留有因对半导体晶片实施的背面研磨处理加工而引起的磨痕。在波长550nm的透光率为如上所述的20％以下时，保护膜形成膜成为不易透射可见光线的膜。因此，上述的磨痕可被保护膜形成膜(保护膜)所掩蔽，基本不会被肉眼识别到。由此，可使半导体芯片等加工物的外观优异。
从上述磨痕掩蔽性的观点考虑，保护膜形成膜在波长550nm的透光率优选为15％以下、特别优选为10％以下。需要说明的是，波长550nm的透光率的下限并无特殊限定，但通过使波长1600nm下的透光率为25％以上，其是自然而然确定的。
这里，本实施方式的保护膜形成膜可以由单层构成，也可以由多层构成，但从透光率的控制容易性及制造成本方面考虑，优选由单层构成。保护膜形成膜由多层构成的情况下，从透光率的控制容易性方面考虑，优选该多层整体上满足上述的透光率。
2.材料
保护膜形成膜优选由未固化的固化性粘接剂形成。该情况下，通过在将半导体晶片等工件叠合于保护膜形成膜之后使保护膜形成膜固化，能够将保护膜强固地粘接于工件，从而能够在芯片等上形成具有耐久性的保护膜。
需要说明的是，保护膜形成膜由未固化的固化性粘接剂形成的情况下，该保护膜形成膜的透光率无论在固化前还是固化后均基本不会发生变化。因此，如果固化前的保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下，则固化后的保护膜形成膜(保护膜)在波长1600nm的透光率也为25％以上、在波长550nm的透光率也为20％以下。
保护膜形成膜优选在常温下具有粘合性、或通过加热而发挥出粘合性。由此，在如上所述地使半导体晶片等工件叠合于保护膜形成膜上时，可以使两者贴合。因此，可以在使保护膜形成膜固化之前切实地进行定位。
构成具有如上所述特性的保护膜形成膜的固化性粘接剂优选含有固化性成分和粘合剂聚合物成分。作为固化性成分，可使用热固性成分、能量线固化性成分、或它们的混合物，特别优选使用热固性成分。其理由在于，保护膜形成膜因具有上述的透光率而不适于紫外线固化，优选为热固性。
作为热固性成分，可列举例如：环氧树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、苯并嗪树脂等以及它们的混合物。这些当中，优选使用环氧树脂、酚醛树脂及它们的混合物。
环氧树脂具有受热时成为三维网状、从而形成强固的被膜的性质。作为这样的环氧树脂，可使用以往公知的各种环氧树脂，通常优选分子量300～2000左右的环氧树脂，特别优选分子量300～500的环氧树脂。此外，优选将分子量330～400的常温下为液态的环氧树脂与分子量400～2500、特别是500～2000的常温下为固体的环氧树脂以共混的形式使用。另外，环氧树脂的环氧当量优选为50～5000g/eq。
作为这样的环氧树脂，具体可列举：双酚A、双酚F、间苯二酚、苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚类的缩水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇类的缩水甘油醚；邻苯二甲酸、间苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸等羧酸的缩水甘油醚；苯胺、异氰脲酸酯等的氮原子上键合的活泼氢经缩水甘油基取代而成的缩水甘油基型或烷基缩水甘油基型的环氧树脂；乙烯基环己烷二环氧化物、3,4-环氧环己基甲基-3,4-二环己烷甲酸酯、2-(3,4-环氧)环己基-5,5-螺(3,4-环氧)环己烷间二氧杂环己烷等这样的通过将分子内的碳-碳双键进行例如氧化而导入了环氧的所谓脂环型环氧化物。此外，还可以使用具有联苯骨架、双环己二烯骨架、萘骨架等的环氧树脂。
这些当中，优选使用双酚系缩水甘油基型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂及苯酚酚醛清漆型环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用1种，或将2种以上组合使用。
使用环氧树脂的情况下，优选组合使用作为助剂的热活性型潜在性环氧树脂固化剂。所述热活性型潜在性环氧树脂固化剂是在室温下不与环氧树脂反应、而通过加热至一定温度以上会发生活化从而与环氧树脂发生反应的类型的固化剂。热活性型潜在性环氧树脂固化剂的活化方法包括：通过基于加热的化学反应而生成活性种(阴离子、阳离子)的方法；在室温附近稳定地分散在环氧树脂中、在高温下与环氧树脂相容/溶解而引发固化反应的方法；利用分子筛封闭型的固化剂使其在高温下溶出而引发固化反应的方法；利用微胶囊的方法等。
作为热活性型潜在性环氧树脂固化剂的具体例，可列举各种盐、或二元酸二酰肼化合物、双氰胺、胺加合物固化剂、咪唑化合物等高熔点活泼氢化合物等。这些热活性型潜在性环氧树脂固化剂可以单独使用1种、或将2种以上组合使用。如上所述的热活性型潜在性环氧树脂固化剂优选以相对于环氧树脂100重量份为0.1～20重量份、特别优选为0.2～10重量份、进一步优选为0.3～5重量份的比例使用。
作为酚类树脂，可以没有特殊限制地使用烷基苯酚、多元酚、萘酚等酚类与醛类的缩合物等。具体可使用：苯酚酚醛清漆树脂、邻甲酚酚醛清漆树脂、对甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、双环戊二烯甲酚树脂、聚对乙烯基苯酚树脂、双酚A型酚醛清漆树脂、或它们的改性物等。
这些酚类树脂所包含的酚羟基可通过加热而容易地与上述环氧树脂的环氧基发生加成反应而形成耐冲击性高的固化物。因此，也可以将环氧树脂与酚类树脂组合使用。
粘合剂聚合物成分可以对保护膜形成膜赋予适度的粘性，从而提高保护膜形成用复合片3的操作性。粘合剂聚合物的重均分子量通常在5万～200万、优选在10万～150万、特别优选在20万～100万的范围。如果分子量过低，则会导致保护膜形成膜的成膜变得不充分，如果过高，则会导致与其它成分的相容性变差，进而妨碍形成均匀的膜。作为这样的粘合剂聚合物，可使用例如丙烯酸类聚合物、聚酯树脂、苯氧基树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、橡胶类聚合物等，特别优选使用丙烯酸类聚合物。
作为丙烯酸类聚合物，可列举例如：(甲基)丙烯酸酯单体与来源于(甲基)丙烯酸衍生物的结构单元形成的(甲基)丙烯酸酯共聚物。其中，作为(甲基)丙烯酸酯单体，优选使用烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。另外，作为(甲基)丙烯酸衍生物，可列举例如：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯等。
上述当中，如果使用甲基丙烯酸缩水甘油酯等作为结构单元而向丙烯酸类聚合物中导入缩水甘油基，则可提高与上述的作为热固性成分的环氧树脂之间的相容性，使保护膜形成膜固化后的玻璃化转变温度(Tg)提高，耐热性提高。另外，上述当中，如果使用丙烯酸羟基乙酯等作为结构单元而向丙烯酸类聚合物中导入羟基，则可控制对于工件的密合性、粘合物性。
使用丙烯酸类聚合物作为粘合剂聚合物的情况下，该聚合物的重均分子量优选为10万以上、特别优选为15万～100万。丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度通常为20℃以下、优选为-70～0℃左右，在常温(23℃)下具有粘合性。
热固性成分与粘合剂聚合物成分的配合比率如下：相对于粘合剂聚合物成分100重量份，优选以50～1500重量份、特别优选以70～1000重量份、进一步优选以80～800重量份配合热固性成分。以这样的比例配合热固性成分和粘合剂聚合物成分时，可以在固化前显示出适度的粘性、从而使粘贴作业稳定地进行，另外，在固化后，可得到被膜强度优异的保护膜。
保护膜形成膜优选含有着色剂和/或填料，特别是，优选含有着色剂及填料这两者。由此，能够将波长1600nm及波长550nm的透光率控制于上述范围。另外，如果保护膜形成膜含有填料，则能够在将固化后的保护膜的硬度保持于高水平的同时，使耐湿性得以提高。进一步，能够使固化后的保护膜的热膨胀系数接近于半导体晶片的热膨胀系数，由此能够减少加工过程中半导体晶片的翘曲。
作为着色剂，可使用例如无机系颜料、有机系颜料、有机系染料等公知的着色剂，但从透光率的控制性的观点考虑，优选使用无机系颜料。
作为无机系颜料，可列举例如：炭黑、钴系色素、铁系色素、铬系色素、钛系色素、钒系色素、锆系色素、钼系色素、钌系色素、铂系色素、ITO(铟锡氧化物)系色素、ATO(锑锡氧化物)系色素等。
作为有机系颜料及有机系染料，可列举例如：铵系色素、花青系色素、部花青系色素、克酮酸系色素、方酸系色素、甘菊蓝(azulenium)系色素、聚甲炔系色素、萘醌系色素、吡喃系色素、酞菁系色素、萘醛菁系色素、萘内酰亚胺系色素、偶氮系色素、缩合偶氮系色素、靛蓝系色素、紫环酮系色素、苝系色素、二嗪系色素、喹吖啶酮系色素、异吲哚啉酮系色素、喹酞酮系色素、吡咯系色素、硫靛系色素、金属络合物系色素(金属络盐染料)、二硫醇金属络合物系色素、吲哚酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色素、二嗪系色素、萘酚系色素、偶氮甲碱系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮系色素及士林系色素等。为了调整至目标的透光率，可以将这些颜料或染料适宜混合而使用。
上述当中，特别优选使用炭黑。利用炭黑，容易将波长1600nm及波长550nm的透光率控制为上述范围。
保护膜形成膜中的着色剂(特别是炭黑)的配合量因保护膜形成膜的厚度而不同，例如在保护膜形成膜的厚度为25μm的情况下，优选为0.05～1质量％、特别优选为0.075～0.75质量％、进一步优选为0.1～0.5质量％。着色剂的配合量为0.05质量％以上时，容易将波长550nm的透光率控制于20％以下、从而使半导体芯片等上的磨痕不会被肉眼观察到。另一方面，着色剂的配合量超过1质量％时，可能导致红外线不会透过保护膜形成膜(保护膜)而无法实现红外线检查。需要说明的是，如果保护膜形成膜的厚度变薄，则存在透光率变高的倾向，如果保护膜形成膜的厚度变厚，则存在透光率降低的倾向，因此优选根据保护膜形成膜的厚度而对着色剂的配合量进行适当调整。具体而言，优选进行调整、使得保护膜形成膜的厚度与着色剂的配合量成反比的关系。
着色剂(特别是炭黑)的平均粒径优选为1～500nm、特别优选为3～100nm、进一步优选为5～50nm。着色剂的平均粒径在上述范围内时，容易将波长550nm的透光率及波长1600nm的透光率控制于前面所述的范围。需要说明的是，本说明书中的着色剂的平均粒径是使用粒度分布测定装置(日机装株式会社制、NanotracWave-UT151)、通过动态光散射法测得的值。
作为填料，可列举结晶二氧化硅、熔融二氧化硅、合成二氧化硅等二氧化硅、或氧化铝、玻璃球等无机填料。其中，优选二氧化硅，更优选合成二氧化硅，特别是，尽可能地除去了成为导致半导体装置产生误动作的主要原因的α射线的辐射源的类型的合成二氧化硅是最适合的。作为填料的形状，可列举球形、针状、不规则形状等，但优选为球形，特别优选为正球形。填料为球形或正球形时，不易发生光线的漫反射，能够良好地进行前面所述的红外线检查。
另外，作为添加至保护膜形成膜中的填料，除了上述无机填料以外，还可以配合功能性的填料。作为功能性的填料，可列举例如：以赋予切割后的导电性为目的的金、银、铜、镍、铝、不锈钢、碳、陶瓷、或用银包覆镍、铝等而成的导电性填料；以赋予导热性为目的的金、银、铜、镍、铝、不锈钢、硅、锗等金属材料、或它们的合金等导热性填料等。
填料(特别是二氧化硅填料)的平均粒径优选为0.01～10μm、更优选为0.01～3μm、特别优选为0.03～2μm、进一步优选为0.05～1μm。填料的平均粒径为0.01μm以上时，容易将波长550nm的透光率控制于20％以下、从而使半导体芯片等上的磨痕不会被肉眼观察到。另一方面，填料的平均粒径超过10μm时，存在导致保护膜形成膜的表面状态变差的隐患。另外，填料的平均粒径超过3μm时，有时会因红外线的漫反射而导致难以进行红外线检查。需要说明的是，本说明书中的填料的低于1μm的平均粒径是使用粒度分布测定装置(日机装株式会社制，NanotracWave-UT151)、通过动态光散射法而测得的值。另外，填料的1μm以上的平均粒径是使用粒度分布测定装置(日机装株式会社制，MicrotracMT3000II)、通过激光衍射/散射法而测得的值。
保护膜形成膜中的填料(特别是二氧化硅填料)的配合量优选为10～80质量％、特别优选为20～70质量％、进一步优选为30～65质量％。填料的配合量为10质量％以上时，容易将波长550nm的透光率控制于20％以下，从而使半导体芯片等上的磨痕不会被肉眼观察到。另一方面，填料的配合量超过80质量％时，可能导致红外线不会透过保护膜形成膜(保护膜)而无法实现红外线检查。
保护膜形成膜还可以含有偶联剂。通过含有偶联剂，在保护膜形成膜固化后，能够在不破坏保护膜的耐热性的情况下提高保护膜与工件之间的粘接性/密合性，并且能够使耐水性(耐湿热性)提高。作为偶联剂，从其通用性和成本优势等方面考虑，优选硅烷偶联剂。
作为硅烷偶联剂，可列举例如：γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。这些硅烷偶联剂可以单独使用1种，或将2种以上混合使用。
为了调节固化前的凝聚力，保护膜形成膜也可以含有有机多异氰酸酯化合物、有机多亚胺化合物、有机金属螯合化合物等交联剂。另外，为了抑制静电、提高芯片的可靠性，保护膜形成膜还可以含有抗静电剂。此外，为了提高保护膜的阻燃性能、提高作为组件的可靠性，保护膜形成膜还可以含有磷酸化合物、溴化合物、磷系化合物等阻燃剂。
为了有效地发挥出作为保护膜的功能，保护膜形成膜的厚度优选为3～300μm、特别优选为5～200μm、进一步优选为7～100μm。
[保护膜形成用片]
图1是本发明的一个实施方式的保护膜形成用片的剖面图。如图1所示，本实施方式的保护膜形成用片2具备保护膜形成膜1、和叠层于保护膜形成膜1的一面(在图1中，为下侧的面)的剥离片21而构成。需要说明的是，剥离片21在使用保护膜形成用片2时被剥离。
剥离片21在保护膜形成用片2被使用之前的期间内对保护膜形成膜1加以保护，但其并不是必须的。剥离片21的构成是任意的，可列举膜本身相对于保护膜形成膜1具有剥离性的塑料膜、及利用剥离剂等对塑料膜进行剥离处理而成的材料。作为塑料膜的具体例，可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、以及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂，可使用有机硅类、氟类、长链烷基类等，在这些当中，优选廉价且可获得稳定性能的有机硅类。对于剥离片21的厚度没有特殊限制，但通常为20～250μm左右。
如上所述的剥离片21也可以叠层在保护膜形成膜1的另一面(在图1中，为上侧的面)。此时，优选使一侧的剥离片21的剥离力大而成为重剥离型剥离片、并使另一侧剥离片21的剥离力小而成为轻剥离型剥离片。
为了制造本实施方式的保护膜形成用片2，在剥离片21的剥离面(具有剥离性的面；通常为实施了剥离处理的面，但并不限定于此)形成保护膜形成膜1。具体而言，配制含有构成保护膜形成膜1的固化性粘接剂、和根据需要而进一步添加的溶剂的保护膜形成膜用涂布剂，并利用辊涂机、刮刀式涂布机、辊刀涂布机、气刀涂布机、模涂机、棒涂机、凹版涂布机、淋幕涂布机等涂布机将其涂布于剥离片21的剥离面并进行干燥，从而形成保护膜形成膜1。
以下，针对使用本实施方式的保护膜形成用片2，作为一例而由作为工件的半导体晶片制造带保护膜的芯片的方法进行说明。首先，在表面形成有电路、且经过了背面研磨处理加工的半导体晶片的背面粘贴保护膜形成用片2的保护膜形成膜1。此时，也可以根据需要对保护膜形成膜1进行加热，以使其发挥出粘合性。
接着，将剥离片21从保护膜形成膜1剥离。然后，使保护膜形成膜1固化而形成保护膜，从而得到带保护膜的半导体晶片。保护膜形成膜1为热固性粘接剂的情况下，将保护膜形成膜1在给定温度下加热适当的时间即可。需要说明的是，保护膜形成膜1的固化也可以在切割工序后进行。
在如上所述地获得带保护膜的半导体晶片之后，根据需要对其保护膜照射激光，进行激光打印。需要说明的是，该激光打印也可以在保护膜形成膜1的固化前进行。
接着，使用所需要的切割片，按照常规方法对带保护膜的半导体晶片进行切割，得到具有保护膜的芯片(带保护膜的芯片)。然后，根据需要将切割片沿平面方向扩张(expand)，从切割片拾取带保护膜的芯片。
就如上所述地获得的带保护膜的芯片而言，由于其因背面研磨处理加工而引起的磨痕被保护膜所掩蔽而不会被肉眼识别到，因此外观优异。另外，对于该带保护膜的芯片及带保护膜的半导体晶片，可以隔着保护膜而进行红外线检查，因此能够通过红外线检查而发现裂纹等，可以提高制品成品率。
需要说明的是，红外线检查是利用红外线进行的检查，可通过隔着保护膜而取得来自带保护膜的半导体晶片等带保护膜的工件或带保护膜的芯片等加工物的红外线而进行该检查。所取得的红外线的波长通常为800～2800nm、优选为1100～2100nm。作为红外线检查的装置，可使用公知的装置，例如具有红外相机、红外显微镜等装置。
[保护膜形成用复合片]
图2是本发明的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。如图2所示，本实施方式的保护膜形成用复合片3具备在基材41的一面叠层粘合剂层42而成的粘合片4、叠层于粘合片4的粘合剂层42侧的保护膜形成膜1、以及叠层于保护膜形成膜1的与粘合片4相反侧的周缘部的夹具用粘合剂层5而构成。夹具用粘合剂层5是用于将保护膜形成用复合片3粘接于环状框等夹具的层。
实施方式涉及的保护膜形成用复合片3用于在加工工件时粘贴于该工件而保持该工件、同时在该工件上或者在对该工件进行加工而得到的加工物上形成保护膜。该保护膜由保护膜形成膜1构成，优选由固化后的保护膜形成膜1构成。
作为一例，实施方式涉及的保护膜形成用复合片3可用于在进行作为工件的半导体晶片的切割加工时保持半导体晶片、同时在经切割而得到的半导体芯片上形成保护膜，但并不限定于此。此时的保护膜形成用复合片3的粘合片4通常被称为切割片。
1.粘合片
本实施方式的保护膜形成用复合片3的粘合片4具备基材41、和叠层于基材41的一面的粘合剂层42而构成。
1-1.基材
粘合片4的基材41只要是适于工件的加工、例如半导体晶片的切割及扩张的基材即可，对其构成材料并无特殊限定，通常由以树脂类的材料为主要材料的膜(以下称为“树脂膜”)构成。
作为树脂膜的具体例，可列举：低密度聚乙烯(LDPE)膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等烯属共聚物膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜；聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯类膜；聚氨酯膜；聚酰亚胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟树脂膜等。另外，还可以使用这些树脂的交联膜、离聚物膜这样的改性膜。上述的基材41可以是由这些当中的1种形成的膜，此外，也可以是组合了这些当中的2种以上的叠层膜。需要说明的是，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”表示丙烯酸及甲基丙烯酸这两者。对于其它类似的用语也作同样理解。
上述当中，从环境安全性、成本等方面考虑，优选聚烯烃类膜，其中优选耐热性优异的聚丙烯膜。采用聚丙烯膜时，能够在不破坏粘合片4的扩张适应性及芯片的拾取适应性的情况下对基材41赋予耐热性。通过使基材41具有这样的耐热性，即使在将保护膜形成用复合片3粘贴于工件的状态下使保护膜形成膜1热固化的情况下，也能够抑制粘合片4的松弛的发生。
对于上述树脂膜，为了提高其与叠层于其表面的粘合剂层42之间的密合性，可以根据需要对其一面或两面实施基于氧化法、凹凸化法等的表面处理、或底涂处理。作为上述氧化法，可列举例如电晕放电处理、等离子体放电处理、铬酸处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧、紫外线照射处理等，另外，作为凹凸化法，可列举例如喷砂法、喷镀处理法等。
对于基材41而言，也可以在上述树脂膜中含有着色剂、阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、填料等各种添加剂。
对于基材41的厚度而言，只要可使在使用保护膜形成用复合片3的各工序中适当地发挥出功能就没有特殊限定。优选为20～450μm、更优选为25～400μm、特别优选为50～350μm的范围。
本实施方式中的粘合片4的基材41的断裂伸长率以在23℃、相对湿度50％时测定的值计优选为100％以上、特别优选为200～1000％。这里，断裂伸长率是在基于JISK7161:1994(ISO527-11993)的拉伸试验中、试验片破坏时的试验片长度相对于原始长度的伸长率。上述的断裂伸长率为100％以上的基材41不易在扩张工序中发生断裂，容易使将工件切割而形成的芯片间隔开。
另外，本实施方式中的粘合片4的基材41的25％应变时拉伸应力优选为5～15N/10mm、最大拉伸应力优选为15～50MPa。这里，25％应变时拉伸应力及最大拉伸应力是通过基于JISK7161:1994的试验测定的。如果25％应变时拉伸应力为5N/10mm以上、最大拉伸应力为15MPa以上，则在将工件粘贴于切割片1之后固定于环状框等框体时，可抑制基材2发生松弛，能够防止发生传输错误。另一方面，如果25％应变时拉伸应力为15N/10mm以下、最大拉伸应力为50MPa以下，则在扩张工序中能够抑制切割片1自身从环状框剥离。需要说明的是，上述的断裂伸长率、25％应变时拉伸应力、最大拉伸应力是指针对基材41的原膜的长度方向进行测定而得到的值。
1-2.粘合剂层
本实施方式的保护膜形成用复合片3的粘合片4所具备的粘合剂层42可以由非能量线固化性粘合剂构成，也可以由能量线固化性粘合剂构成。作为非能量线固化性粘合剂，优选为具有所需要的粘合力及再剥离性的粘合剂，可使用例如：丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、有机硅类粘合剂、聚氨酯类粘合剂、聚酯类粘合剂、聚乙烯基醚类粘合剂等。这些当中，优选与保护膜形成膜1的密合性高、能够在切割工序等中有效抑制工件或加工物的脱落的丙烯酸类粘合剂。
另一方面，能量线固化性粘合剂由于会因能量线照射而导致粘合力降低，因此在欲使工件或加工物与粘合片4分离时，可以通过进行能量线照射而容易地使它们分离。
粘合剂层42由能量线固化性粘合剂形成的情况下，优选保护膜形成用复合片3中的粘合剂层42经过了固化。将能量线固化性粘合剂固化而成的材料由于通常弹性模量高、且表面的平滑性高，因此在使与由这样的材料形成的固化部分接触着的保护膜形成膜3固化而形成保护膜时，保护膜的与该固化部分接触着的表面的平滑性(光泽)变高，作为芯片的保护膜而非常美观。另外，在对表面平滑性高的保护膜实施激光打印时，其打印文字的视觉辨认性得到提高。
构成粘合剂层42的能量线固化性粘合剂可以以具有能量线固化性的聚合物为主成分，也可以以不具有能量线固化性的聚合物与能量线固化性的多官能单体和/或低聚物的混合物为主成分。
以下，针对能量线固化性粘合剂以具有能量线固化性的聚合物为主成分的情况进行说明。
具有能量线固化性的聚合物优选侧链导入了具有能量线固化性的官能团(能量线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(A)(以下也称为“能量线固化型聚合物(A)”)。该能量线固化型聚合物(A)优选为使具有含官能团单体单元的(甲基)丙烯酸类共聚物(a1)、和具有与其官能团键合的取代基的含不饱和基团化合物(a2)反应而得到的聚合物。
丙烯酸类共聚物(a1)包含来源于含官能团单体的结构单元、和来源于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元。
作为丙烯酸类共聚物(a1)的结构单元的含官能团单体优选为在分子内具有聚合性的双键、和羟基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的单体。
作为上述含官能团单体的更具体的例子，可列举：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等，这些可以单独使用或将2种以上组合使用。
作为构成丙烯酸类共聚物(a1)的(甲基)丙烯酸酯单体，可使用烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯。这些当中，特别优选使用烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。
丙烯酸类共聚物(a1)中的上述来源于含官能团单体的结构单元的含有比例通常为3～100质量％、优选为5～40质量％，来源于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元的含有比例通常为0～97质量％、优选为60～95质量％。
丙烯酸类共聚物(a1)可通过使如上所述的含官能团单体、和(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物按照常规方法进行共聚而得到，但除了这些单体以外，还可以共聚二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
通过使上述具有含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(a1)和具有与其官能团键合的取代基的含不饱和基团化合物(a2)反应，可得到能量线固化型聚合物(A)。
含不饱和基团化合物(a2)所具有的取代基可根据丙烯酸类共聚物(a1)所具有的含官能团单体单元的官能团的种类而适当选择。例如，官能团为羟基、氨基或取代氨基的情况下，作为取代基，优选为异氰酸酯基或环氧基，官能团为环氧基的情况下，作为取代基，优选为氨基、羧基或氮杂环丙基。
另外，含不饱和基团化合物(a2)的每1分子中包含1～5个、优选包含1～2个能量线聚合性的碳-碳双键。作为这样的含不饱和基团化合物(a2)的具体例，可列举例如：2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、多元醇化合物、及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮杂环丙基)乙酯、2-乙烯基-2-唑啉、2-异丙烯基-2-唑啉等。
相对于上述丙烯酸类共聚物(a1)的含官能团单体每100当量，通常以10～100当量、优选以20～95当量的比例使用含不饱和基团化合物(a2)。
在丙烯酸类共聚物(a1)与含不饱和基团化合物(a2)的反应中，可根据官能团与取代基的组合而对反应的温度、压力、溶剂、时间、催化剂的有无、催化剂的种类进行适当选择。由此，丙烯酸类共聚物(a1)中存在的官能团与含不饱和基团化合物(a2)中的取代基发生反应，不饱和基团被导入到丙烯酸类共聚物(a1)中的侧链，从而得到能量线固化型聚合物(A)。
这样获得的能量线固化型聚合物(A)的重均分子量优选为1万以上、特别优选为15万～150万、进一步优选为20万～100万。需要说明的是，本说明书中的重均分子量(Mw)是利用凝胶渗透色谱法(GPC法)测定并换算成聚苯乙烯的值。
在能量线固化性粘合剂以具有能量线固化性的聚合物为主成分的情况下，能量线固化性粘合剂也可以进一步含有能量线固化性的单体和/或低聚物(B)。
作为能量线固化性的单体和/或低聚物(B)，可使用例如多元醇与(甲基)丙烯酸形成的酯等。
作为这样的能量线固化性的单体和/或低聚物(B)，可列举例如：(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等单官能性丙烯酸酯类、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能性丙烯酸酯类、聚酯低聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯低聚(甲基)丙烯酸酯等。
在配合能量线固化性的单体和/或低聚物(B)的情况下，能量线固化性粘合剂中能量线固化性的单体和/或低聚物(B)的含量优选为5～80质量％、特别优选为20～60质量％。
这里，在使用紫外线作为用于使能量线固化性树脂组合物固化的能量线的情况下，优选添加光聚合引发剂(C)，通过使用该光聚合引发剂(C)，可减少聚合固化时间及光线照射量。
作为光聚合引发剂(C)，具体可列举：二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、安息香双甲醚、2,4-二乙基噻唑酮、1-羟基环己基苯基甲酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、联苄、丁二酮、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苄基二苯基氧化膦、N,N-二乙基二硫代氨基甲酸2-苯并噻唑酯、低聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。
相对于能量线固化型共聚物(A)(配合能量线固化性的单体和/或低聚物(B)的情况下，相对于能量线固化型共聚物(A)及能量线固化性的单体和/或低聚物(B)的总量100质量份)100质量份，光聚合引发剂(C)的使用量优选在0.1～10质量份、特别优选在0.5～6质量份的范围。
在能量线固化性粘合剂中，除了上述成分以外，还可以适当地配合其它成分。作为其它成分，可列举例如不具有能量线固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)、交联剂(E)等。
作为不具有能量线固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)，可列举例如聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烃等，优选重均分子量(Mw)为3000～250万的聚合物或低聚物。
作为交联剂(E)，可使用与能量线固化型共聚物(A)等所具有的官能团具有反应性的多官能化合物。作为这样的多官能化合物的例子，可列举：异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮杂环丙烷化合物、肼化合物、醛化合物、唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合化合物、金属盐、铵盐、反应性酚醛树脂等。
通过在能量线固化性粘合剂中配合上述其它成分(D)、(E)，能够改善固化前的粘合性及剥离性、固化后的强度、与其它层的粘接性、保存稳定性等。上述其它成分的配合量没有特殊限定，可在相对于能量线固化型共聚物(A)100质量份为0～40质量份的范围内适当确定。
以下，针对能量线固化性粘合剂以不具有能量线固化性的聚合物成分与能量线固化性的多官能单体和/或低聚物的混合物为主成分的情况进行说明。
作为不具有能量线固化性的聚合物成分，可使用例如与前面所述的丙烯酸类共聚物(a1)同样的成分。能量线固化性树脂组合物中的不具有能量线固化性的聚合物成分的含量优选为20～99.9质量％、特别优选为30～80质量％。
作为能量线固化性的多官能单体和/或低聚物，可选择与前面所述的成分(B)相同的多官能单体和/或低聚物。不具有能量线固化性的聚合物成分与能量线固化性的多官能单体和/或低聚物的配合比如下：相对于聚合物成分100质量份，多官能单体和/或低聚物优选为10～150质量份、特别优选为25～100质量份。
在该情况下，也可以与上述同样地适当配合光聚合引发剂(C)、交联剂(E)。
就粘合剂层42的厚度而言，只要可使在保护膜形成用复合片3的各工序中适当地发挥出功能就没有特殊限定。具体优选为1～50μm、特别优选为2～30μm、进一步优选为3～20μm。
作为构成夹具用粘合剂层5的粘合剂，优选为具有所需要的粘合力及再剥离性的粘合剂，可使用例如：丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、有机硅类粘合剂、聚氨酯类粘合剂、聚酯类粘合剂、聚乙烯基醚类粘合剂等。这些当中，优选与环状框等夹具的密合性高、能够在切割工序等中有效抑制保护膜形成用复合片3从环状框等剥离的丙烯酸类粘合剂。需要说明的是，也可以使作为芯材的基材介于夹具用粘合剂层5的厚度方向的中间部分。
另一方面，从相对于环状框等夹具的粘接性的观点考虑，夹具用粘合剂层5的厚度优选为5～200μm、特别优选为10～100μm。
2.保护膜形成用复合片的制造方法
保护膜形成用复合片3优选如下制造：在分别制作包含保护膜形成膜1的第1叠层体和包含粘合片4的第2叠层体之后，使用第1叠层体及第2叠层体并将保护膜形成膜1与粘合片4叠层，但并不限定于此。
在制造第1叠层体时，在第1剥离片的剥离面形成保护膜形成膜1。具体而言，配制含有构成保护膜形成膜1的固化性粘接剂、和根据需要而进一步添加的溶剂的保护膜形成膜用涂布剂，并利用辊涂机、刮刀式涂布机、辊刀涂布机、气刀涂布机、模涂机、棒涂机、凹版涂布机、淋幕涂布机等涂布机将其涂布于第1剥离片的剥离面并进行干燥，从而形成保护膜形成膜1。接着，在保护膜形成膜1的露出面上叠合第2剥离片的剥离面并进行压合，得到保护膜形成膜1被2片剥离片夹持而成的叠层体(第1叠层体)。
在该第1叠层体中，也可以根据需要而实施半切，从而将保护膜形成膜1(及第2剥离片)制成所期望的形状、例如圆形等。该情况下，对于因半切而产生的保护膜形成膜1及第2剥离片的残余部分，适当除去即可。
另一方面，在制造第2叠层体时，在第3剥离片的剥离面涂布含有构成粘合剂层42的粘合剂和根据需要而进一步添加的溶剂的粘合剂层用涂布剂，并使其干燥，从而形成粘合剂层42。然后，将基材41压合于粘合剂层42的露出面上，得到由包含基材41及粘合剂层42的粘合片4和第3剥离片构成的叠层体(第2叠层体)。
这里，在粘合剂层42由能量线固化性粘合剂形成的情况下，可以在该阶段对粘合剂层42照射能量线而使粘合剂层42固化，也可以在与保护膜形成膜1叠层之后使粘合剂层42固化。另外，在与保护膜形成膜1叠层之后使粘合剂层42固化的情况下，可以在切割工序前使粘合剂层42固化，也可以在切割工序后使粘合剂层42固化。
作为能量线，通常可使用紫外线、电子束等。能量线的辐照量因能量线的种类而不同，在使用例如紫外线的情况下，以光量计，优选为50～1000mJ/cm2、特别优选为100～500mJ/cm2。另外，在使用电子束的情况下，优选为10～1000krad左右。
在如上所述获得第1叠层体及第2叠层体之后，在将第1叠层体中的第2剥离片剥离的同时，将第2叠层体中的第3剥离片剥离，使第1叠层体中露出的保护膜形成膜1与第2叠层体中露出的粘合片4的粘合剂层42叠合并进行压合。对于粘合片4，也可以根据需要进行半切，从而将其制成所期望的形状、例如具有大于保护膜形成膜1的直径的圆形等。该情况下，对于因半切而产生的粘合片4的残余部分，适当除去即可。
这样，可得到由在基材41上叠层粘合剂层42而成的粘合片4、叠层于粘合片4的粘合剂层42侧的保护膜形成膜1、以及叠层于保护膜形成膜1的与粘合片4相反侧的第1剥离片构成的保护膜形成用复合片3。最后，在将第1剥离片剥离之后，在保护膜形成膜1的与粘合片4相反侧的周缘部形成夹具用粘合剂层5。夹具用粘合剂层5也可通过与上述粘合剂层42同样的方法进行涂布而形成。
3.保护膜形成用复合片的使用方法
以下，针对使用本实施方式涉及的保护膜形成用复合片3，作为一例而由作为工件的半导体晶片制造带保护膜的芯片的方法进行说明。
如图4所示，将保护膜形成膜1粘贴于半导体晶片6，并将夹具用粘合剂层5粘贴于环状框7。在将保护膜形成膜1粘贴于半导体晶片6时，可以根据需要对保护膜形成膜1进行加热，以使其发挥出粘合性。
然后，使保护膜形成膜1固化而形成保护膜，从而得到带保护膜的半导体晶片6。保护膜形成膜1为热固性粘接剂的情况下，将保护膜形成膜1在给定温度下加热适当的时间即可。需要说明的是，保护膜形成膜1的固化也可以在切割工序后进行。
在如上所述地获得带保护膜的半导体晶片6之后，根据需要隔着粘合片4对其保护膜照射激光，从而进行激光打印。需要说明的是，该激光打印也可以在保护膜形成膜1的固化前进行。
接着，按照常规方法对带保护膜的半导体晶片6进行切割，得到具有保护膜的芯片(带保护膜的芯片)。然后，根据需要将粘合片4沿平面方向扩张，从粘合片4拾取带保护膜的芯片。
就如上所述地获得的带保护膜的芯片而言，由于其因背面研磨处理加工而引起的磨痕被保护膜所掩蔽而不会被肉眼识别到，因此外观优异。另外，对于该带保护膜的芯片及带保护膜的半导体晶片，可以隔着保护膜而进行红外线检查，因此能够通过红外线检查而发现裂纹等，可以提高制品成品率。
4.保护膜形成用复合片的其它实施方式
图3是本发明的另一实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。如图3所示，本实施方式的保护膜形成用复合片3A具备在基材41的一面叠层粘合剂层42而成的粘合片4、和叠层于粘合片4的粘合剂层42侧的保护膜形成膜1而构成。实施方式中的保护膜形成膜1在面方向上与工件基本相同或比工件略大地形成，并且相比于粘合片4在面方向上更小地形成。从而使未叠层保护膜形成膜1的部分的粘合剂层42能够粘贴于环状框等夹具。
本实施方式的保护膜形成用复合片3A的各构件的材料及厚度等与前面所述的保护膜形成用复合片3的各构件的材料及厚度相同。但在粘合剂层42由能量线固化性粘合剂形成的情况下，优选对于粘合剂层42的与保护膜形成膜1接触的部分使能量线固化性粘合剂，而对于除此之外的部分，不使能量线固化性粘合剂固化。由此，可以提高使保护膜形成膜1固化而成的保护膜的平滑性(光泽)，同时能够将相对于环状框等夹具的粘接力保持于高水平。
需要说明的是，在保护膜形成用复合片3A的粘合片4的粘合剂层42的与基材41相反侧的周缘部，也可以另外设置与前面所述的保护膜形成用复合片3的夹具用粘合剂层5同样的夹具用粘合剂层。
以上所说明的实施方式是为了使本发明易于理解而记载的，其并不是用于限定本发明的记载。因此，上述实施方式中公开的各要素也包括在属于本发明的技术范围内所作出的一切设计变更及等同物。
例如，在保护膜形成用复合片3、3A的保护膜形成膜1的与粘合片4相反的一侧，也可以叠层剥离片。
实施例
以下，结合实施例等对本发明进行更为详细的说明，但本发明的范围并不受这些实施例等的限定。
[实施例1]
按照表1所示的配比(换算成固体成分)将以下的各成分混合，并利用甲乙酮进行稀释使得固体成分浓度达到61质量％，制备了保护膜形成膜用涂布剂。
(a)粘合剂聚合物：由丙烯酸正丁酯10质量份、丙烯酸甲酯70质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯5质量份及丙烯酸2-羟基乙酯15质量份共聚而成的(甲基)丙烯酸酯共聚物(重均分子量:80万，玻璃化转变温度：-1℃)
(b-1)双酚A型环氧树脂(三菱化学株式会社制，jER828，环氧当量184～194g/eq)
(b-2)双酚A型环氧树脂(三菱化学株式会社制，jER1055，环氧当量800～900g/eq)
(b-3)双环戊二烯型环氧树脂(大日本油墨化学工业株式会社制，EpiclonHP-7200HH，环氧当量255～260g/eq)
(c)热活性潜在性环氧树脂固化剂：双氰胺(ADEKA公司制，AdekaHardenerEH-3636AS，活泼氢量21g/eq)
(d)固化促进剂：2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(四国化成工业株式会社制，CUREZOL2PHZ)
(e-1)二氧化硅填料(Admatechs公司制，SC2050MA，平均粒径0.5μm)
(e-2)二氧化硅填料(Tokuyama公司制，UF310，平均粒径3μm)
(e-3)二氧化硅填料(Tatsumori公司制，SV-10，平均粒径8μm)
(f)着色剂：炭黑(三菱化学株式会社制，#MA650，平均粒径28nm)
(g)硅烷偶联剂(NipponUnicar公司制，A-1110)
准备了在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的一面形成有机硅类的剥离剂层而成的第1剥离片(琳得科株式会社制：SP-PET3811，厚度38μm)、和在PET膜的一面形成有机硅类的剥离剂层而成的第2剥离片(琳得科株式会社制：SP-PET381031，厚度38μm)。
利用刮刀式涂布机在第1剥离片的剥离面上涂布前面所述的保护膜形成膜用涂布剂、并使最终得到的保护膜形成膜的厚度达到25μm，然后，在烘箱中于120℃干燥2分钟，形成了保护膜形成膜。接着，使第2剥离片的剥离面叠合于保护膜形成膜并使两者贴合，得到了由第1剥离片(图1中的剥离片21)、保护膜形成膜(图1中的保护膜形成膜1)(厚度：25μm)、及第2剥离片构成的保护膜形成用片。
[实施例2～4、比较例1～4]
除了将构成保护膜形成膜的各成分的种类及配合量如表1所示地进行变更以外，与实施例1同样地制造了保护膜形成用片。
[试验例1]<透光率的测定>
从实施例及比较例中得到的保护膜形成用片将第2剥离片剥离，并在烘箱内、在大气氛围下于130℃加热2小时，使保护膜形成膜热固化而制成保护膜。然后，将第1剥离片剥离。
使用分光光度计(SHIMADZU公司制、UV-VIS-NIRSPECTROPHOTOMETERUV-3600)测定上述保护膜的透射率，并提取出波长550nm(可见光线)及波长1600nm(红外线)下的透光率(％)。测定使用了附带的大型样品室MPC-3100，在未使用内置的积分球的情况下进行了测定。结果如表1所示。
[试验例2]<磨痕掩蔽性评价>
从实施例及比较例中得到的保护膜形成用片将第2剥离片剥离，使保护膜形成用膜露出。将上述保护膜形成用膜利用带贴片机(琳得科株式会社制AdwillRAD-3600F/12)在加热至70℃的同时粘贴于经过了#2000研磨的硅晶片(直径200mm、厚度350μm)的研磨面上，接着，将第1剥离片剥离。然后，于130℃加热2小时，使保护膜形成用膜固化而制成保护膜，得到了带保护膜的硅晶片。
对所得带保护膜的硅晶片10片利用肉眼进行观察，确认是否能透过保护膜而观察到硅晶片的研磨面的磨痕。将全部带保护膜的硅晶片均未观察到磨痕的情况评价为磨痕掩蔽性良好(A)，将哪怕有1片观察到了磨痕的情况评价为磨痕掩蔽性不良(B)。结果如表1所示。
[试验例3]<红外线检查适应性评价>
在试验例2中得到的带保护膜的硅晶片的保护膜面侧粘贴切割胶带(琳得科株式会社制，AdwillD-175)。然后，将该带保护膜的硅晶片切割为3mm×3mm的尺寸，进行拾取，得到了带保护膜的硅芯片。利用红外显微镜(奥林巴斯株式会社制，BX-IR)对所得带保护膜的硅芯片的保护膜侧进行观察，确认是否能透过保护膜而观察到硅芯片的磨痕及碎屑，并按照以下基准评价了红外线检查适应性。结果如表1所示。
A：可明确观察到磨痕，另外，还可明确观察到相对于芯片侧面的距离为5μm以上且小于10μm的大小的碎屑。
B：可明确观察到磨痕，另外，可明确观察到相对于芯片侧面的距离为10μm以上的大小的碎屑，但相对于芯片侧面的距离为5μm以上且小于10μm的大小的碎屑有些不清楚。
C：可以在一定程度地观察到磨痕，另外，未观察到相对于芯片侧面的距离为5μm以上且小于10μm的大小的碎屑，且相对于芯片侧面的距离为10μm以上的大小的碎屑也有些不清楚。
D：未能观察到磨痕，碎屑也无论大小均未能观察到。
表1
由表1可知，波长550nm的透光率为20％以下、波长1600nm的透光率为25％以上的实施例的保护膜形成膜，磨痕掩蔽性及红外线检查适应性这两者均优异。
工业实用性
本发明的保护膜形成膜及保护膜形成用(复合)片适用于由半导体晶片制造具有保护膜的芯片。另外，本发明的检查方法适于对具有保护膜的芯片的裂纹等进行检查。

Claims (11)

1.一种保护膜形成膜，其在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成膜，其中，所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。
3.根据权利要求2所述的保护膜形成膜，其中，所述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.01～3μm的填料。
4.一种保护膜形成用片，其具备：
权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成膜、和
叠层于所述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片。
5.一种保护膜形成用复合片，其具备：
在基材的一面侧叠层粘合剂层而成的粘合片、和
叠层于所述粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，
所述保护膜形成膜在波长1600nm的透光率为25％以上，
所述保护膜形成膜在波长550nm的透光率为20％以下。
6.根据权利要求5所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成膜是由未固化的固化性粘接剂构成的单层膜。
7.根据权利要求6所述的保护膜形成用复合片，其中，所述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.01～3μm的填料。
8.一种检查方法，该方法包括：
通过使用权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成膜、权利要求4所述的保护膜形成用片或权利要求5～7中任一项所述的保护膜形成用复合片在工件上形成保护膜来制造带保护膜的工件，
利用红外线并隔着所述保护膜对所述带保护膜的工件、或者对将所述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查。
9.根据权利要求8所述的检查方法，其中，所述工件为半导体晶片，所述加工物为半导体芯片。
10.基于权利要求8或9所述的检查方法而被判断为良品的带保护膜的工件。
11.基于权利要求8或9所述的检查方法而被判断为良品的加工物。
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