CN105087008B - 用于ito膜刻蚀的刻蚀液 - Google Patents
用于ito膜刻蚀的刻蚀液 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105087008B CN105087008B CN201510536476.1A CN201510536476A CN105087008B CN 105087008 B CN105087008 B CN 105087008B CN 201510536476 A CN201510536476 A CN 201510536476A CN 105087008 B CN105087008 B CN 105087008B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- weight
- parts
- etching
- ito film
- etching liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 55
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 12
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 10
- OGSPWJRAVKPPFI-UHFFFAOYSA-N Alendronic Acid Chemical compound NCCCC(O)(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O OGSPWJRAVKPPFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229940062527 alendronate Drugs 0.000 claims abstract description 7
- -1 ethylene diamine tetramethyl Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 13
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 abstract description 9
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 35
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 18
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- LSRGXLRLWFDKNR-UHFFFAOYSA-N FC(F)(F)[S] Chemical compound FC(F)(F)[S] LSRGXLRLWFDKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于ITO膜刻蚀的刻蚀液，其是由以下重量组分配制得到：1.8重量份的1、2‑乙二磺酸，0.5重量份的三氟甲基磺酸，2.8重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠，6重量份的草酸，89重量份的蒸馏水。上述原料中三氟甲基磺酸是最强的有机酸，通过适量比例的各种酸混合搭配提高刻蚀速率，亚乙基二胺四甲叉膦酸钠具有极强的络合作用，可有效稳定络合各金属离子，1、2‑乙二磺酸和三氟甲基磺酸也能够与金属离子形成稳定的水溶性盐，有效解决金属离子易于与草酸沉淀形成残渣的问题，同时，该刻蚀液在刻蚀过程中不会产生气泡，大大提高蚀刻精度。
Description
本发明是申请日为2014年04月30日，申请号为2014101829375，发明名称为“ITO膜刻蚀液”的发明专利的分案申请。
技术领域
本发明涉及电子产品生产领域，具体涉及一种用于ITO膜刻蚀的刻蚀液。
背景技术
ITO膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层，并经高温退火处理得到的高技术产品。由于ITO导电膜具有低电阻率，高可见光透过率、高红外反射、对衬底具有很好的附着性、抗擦伤等诸多优良的物理性能以及良好的化学稳定性等特点，因此被广泛应用于各类触摸屏上。在生产过程中，为获得所需各种像素的精细图像，需对ITO膜进行刻蚀处理，亦即在氧化铟锡层上覆涂光刻胶，接着通过曝光和显影，形成所需图案，再用蚀刻液进行蚀刻，在基板上形成透明的电极图案。但是现有的刻蚀液应用于ITO膜刻蚀时，容易因刻蚀产生的残渣或泡沫造成刻蚀精度差、刻蚀面粗糙等问题，并且刻蚀的效率低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于ITO膜刻蚀的刻蚀液，用其对ITO膜刻蚀，可有效解决上述问题，提高ITO膜刻蚀的质量和效率。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案进行实施：
一种用于ITO膜刻蚀的刻蚀液，其是由以下重量组分配制得到：
1.8重量份的1、2-乙二磺酸，0.5重量份的三氟甲基磺酸，2.8重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠，6重量份的草酸，89重量份的蒸馏水。
配制用水为蒸馏水或去离子水。
本发明中采用1、2-乙二磺酸、亚乙基二胺四甲叉膦酸钠、三氟甲基磺酸和草酸进行配伍混合配置制得到ITO刻蚀用刻蚀液，三氟甲基磺酸是最强的有机酸，通过适量比例的各种酸混合搭配提高刻蚀速率，亚乙基二胺四甲叉膦酸钠具有极强的络合作用，可有效稳定络合各金属离子，1、2-乙二磺酸和三氟甲基磺酸也能够与金属离子形成稳定的水溶性盐，有效解决金属离子易于与草酸沉淀形成残渣问题，同时，该刻蚀液在刻蚀过程中不会产生气泡，大大提高蚀刻精度。并且，1、2-乙二磺酸、亚乙基二胺四甲叉膦酸钠和三氟甲基磺酸可以极大的提高草酸的溶解性以及在ITO膜表面的润湿性能，在常温下即可实现对ITO膜进行刻蚀。另外，该刻蚀液的化学稳定性好,易生物降解，无毒,环保。
具体实施方式
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明权利要求请求保护的范围，实施例中所涉及的各种药品，如无特别说明，均可通过商业途径购买得到。
实施例1：
准确称取各原料备用，混合配制以下重量组分原料构成的ITO刻蚀液；
1.5重量份的1、2-乙二磺酸，0.6重量份的三氟甲基磺酸，2.5重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠，7重量份的草酸，88.4重量份的蒸馏水。
向表面为ITO膜构成的板材(板材的基材为玻璃板或PET板构成)表面均匀涂覆一层感光胶膜，将涂好感光胶膜的板材烘干冷却至室温，然后对板材进行曝光和显影处理，最后利用刻蚀液在23～25℃条件下对板材进行刻蚀处理，蚀刻时间可根据ITO膜的膜厚等进行调节，蚀刻结束后，进行清洗和干燥。
利用扫描电子显微镜对ITO膜的刻蚀性能进行检测，亦即对残渣的残存量进行检测，检测结果用A1-、A1、A1+表示，其中A1表示基本没有残渣，结果A1-劣于A1，A1劣于A1+；对配置的ITO膜刻蚀液进行铟溶解量测试(氧化铟在刻蚀液中的溶解量)，铟溶解量检测结果用A2-、A2、A2+表示，其中A2表示铟溶解量为1000～1100mg/L，结果A2-劣于A2，A2劣于A2+；对配置的ITO膜刻蚀液进行消泡性能测试，将刻蚀液置于试管中不断震荡，起泡性能检测结果用A3-、A3、A3+表示，其中A3表示产生少量的气泡(20ml刻蚀液在100ml试管中所起泡沫高度为4～5ml)，表征趋势A3-劣于A3，A3劣于A3+。
实施例2
准确称取各原料，混合配制以下重量组分原料构成的ITO刻蚀液；
1.8重量份的1、2-乙二磺酸，0.5重量份的三氟甲基磺酸，2.8重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠，6重量份的草酸，89重量份的蒸馏水。
向表面为ITO膜构成的板材(板材的基材为玻璃板或PET板构成)表面均匀涂覆一层感光胶膜，将涂好感光胶膜的板材烘干冷却至室温，然后对板材进行曝光和显影处理，最后利用刻蚀液在23～25℃条件下对板材进行刻蚀处理，蚀刻时间可根据ITO膜的膜厚等进行调节，蚀刻结束后，进行清洗和干燥。
利用扫描电子显微镜对ITO膜的刻蚀性能进行检测，亦即对残渣的残存量进行检测，检测结果用A1-、A1、A1+表示，其中A1表示基本没有残渣，结果A1-劣于A1，A1劣于A1+；对配置的ITO膜刻蚀液进行铟溶解量测试(氧化铟在刻蚀液中的溶解性)，铟溶解量检测结果用A2-、A2、A2+表示，其中A2表示铟溶解量1000～1100mg/L没有残渣，结果A2-劣于A2，A2劣于A2+；对配置的ITO膜刻蚀液进行消泡性能测试，将刻蚀液置于试管中不断震荡，起泡性能检测结果用A3-、A3、A3+表示，其中A3表示产生少量的气泡(20ml刻蚀液在100ml试管中所起泡沫高度为4～5ml)，表征趋势A3-劣于A3，A3劣于A3+。
实施例3
准确称取各原料，混合配制以下重量组分原料构成的ITO刻蚀液；
2重量份的1、2-乙二磺酸，0.4重量份的三氟甲基磺酸，2.8重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠，6重量份的草酸，88.8重量份的蒸馏水。
向表面为ITO膜构成的板材(板材的基材为玻璃板或PET板构成)表面均匀涂覆一层感光胶膜，将涂好感光胶膜的板材烘干冷却至室温，然后对板材进行曝光和显影处理，最后利用刻蚀液在23～25℃条件下对板材进行刻蚀处理，蚀刻时间可根据ITO膜的膜厚等进行调节，蚀刻结束后，进行清洗和干燥。
利用扫描电子显微镜对ITO膜的刻蚀性能进行检测，亦即对残渣的残存量进行检测，检测结果用A1-、A1、A1+表示，其中A1表示基本没有残渣，结果A1-劣于A1，A1劣于A1+；对配置的ITO膜刻蚀液进行铟溶解量测试(氧化铟在刻蚀液中的溶解性)，铟溶解量检测结果用A2-、A2、A2+表示，其中A2表示铟溶解量1000～1100mg/L没有残渣，结果A2-劣于A2，A2劣于A2+；对配置的ITO膜刻蚀液进行消泡性能测试，将刻蚀液置于试管中不断震荡，起泡性能检测结果用A3-、A3、A3+表示，其中A3表示产生少量的气泡(20ml刻蚀液在100ml试管中所起泡沫高度为4～5ml)，表征趋势A3-劣于A3，A3劣于A3+。
实施例4
准确称取各原料，混合配制以下重量组分原料构成的ITO刻蚀液；
0.9重量份的三氟甲基磺酸，7重量份的草酸，93.1重量份的蒸馏水。
向表面为ITO膜构成的板材(板材的基材为玻璃板或PET板构成)表面均匀涂覆一层感光胶膜，将涂好感光胶膜的板材烘干冷却至室温，然后对板材进行曝光和显影处理，最后利用刻蚀液在23～25℃条件下对板材进行刻蚀处理，蚀刻时间可根据ITO膜的膜厚等进行调节，蚀刻结束后，进行清洗和干燥。
利用扫描电子显微镜对ITO膜的刻蚀性能进行检测，亦即对残渣的残存量进行检测，检测结果用A1-、A1、A1+表示，其中A1表示基本没有残渣，结果A1-劣于A1，A1劣于A1+；对配置的ITO膜刻蚀液进行铟溶解量测试(氧化铟在刻蚀液中的溶解性)，铟溶解量检测结果用A2-、A2、A2+表示，其中A2表示铟溶解量1000～1100mg/L没有残渣，结果A2-劣于A2，A2劣于A2+；对配置的ITO膜刻蚀液进行消泡性能测试，将刻蚀液置于试管中不断震荡，起泡性能检测结果用A3-、A3、A3+表示，其中A3表示产生少量的气泡(20ml刻蚀液在100ml试管中所起泡沫高度为4～5ml)，表征趋势A3-劣于A3，A3劣于A3+。
实施例5
准确称取各原料，混合配制以下重量组分原料构成的ITO刻蚀液；
2.5重量份的1、2-乙二磺酸，2.5重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠，7重量份的草酸，88重量份的蒸馏水。
向表面为ITO膜构成的板材(板材的基材为玻璃板或PET板构成)表面均匀涂覆一层感光胶膜，将涂好感光胶膜的板材烘干冷却至室温，然后对板材进行曝光和显影处理，最后利用刻蚀液在23～25℃条件下对板材进行刻蚀处理，蚀刻时间可根据ITO膜的膜厚等进行调节，蚀刻结束后，进行清洗和干燥。
利用扫描电子显微镜对ITO膜的刻蚀性能进行检测，亦即对残渣的残存量进行检测，检测结果用A1-、A1、A1+表示，其中A1表示基本没有残渣，结果A1-劣于A1，A1劣于A1+；对配置的ITO膜刻蚀液进行铟溶解量测试(氧化铟在刻蚀液中的溶解性)，铟溶解量检测结果用A2-、A2、A2+表示，其中A2表示铟溶解量1000～1100mg/L没有残渣，结果A2-劣于A2，A2劣于A2+；对配置的ITO膜刻蚀液进行消泡性能测试，将刻蚀液置于试管中不断震荡，起泡性能检测结果用A3-、A3、A3+表示，其中A3表示产生少量的气泡(20ml刻蚀液在100ml试管中所起泡沫高度为4～5ml)，表征趋势A3-劣于A3，A3劣于A3+。
实施例6
准确称取各原料，混合配制以下重量组分原料构成的ITO刻蚀液；
3重量份的1、2-乙二磺酸，2重量份十二烷基醚硫酸盐，7重量份的草酸，88重量份的蒸馏水。
向表面为ITO膜构成的板材(板材的基材为玻璃板或PET板构成)表面均匀涂覆一层感光胶膜，将涂好感光胶膜的板材烘干冷却至室温，然后对板材进行曝光和显影处理，最后利用刻蚀液在23～25℃条件下对板材进行刻蚀处理，蚀刻时间可根据ITO膜的膜厚等进行调节，蚀刻结束后，进行清洗和干燥。
利用扫描电子显微镜对ITO膜的刻蚀性能进行检测，亦即对残渣的残存量进行检测，检测结果用A1-、A1、A1+表示，其中A1表示基本没有残渣，结果A1-劣于A1，A1劣于A1+；对配置的ITO膜刻蚀液进行铟溶解量测试(氧化铟在刻蚀液中的溶解性)，铟溶解量检测结果用A2-、A2、A2+表示，其中A2表示铟溶解量1000～1100mg/L没有残渣，结果A2-劣于A2，A2劣于A2+；对配置的ITO膜刻蚀液进行消泡性能测试，将刻蚀液置于试管中不断震荡，起泡性能检测结果用A3-、A3、A3+表示，其中A3表示产生少量的气泡(20ml刻蚀液在100ml试管中所起泡沫高度为4～5ml)，表征趋势A3-劣于A3，A3劣于A3+。
结果：
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种用于ITO膜刻蚀的刻蚀液，其是由以下重量组分配制得到：
1.8重量份的1，2-乙二磺酸，0.5重量份的三氟甲基磺酸，2.8重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠，6重量份的草酸，89重量份的蒸馏水。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510536476.1A CN105087008B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 用于ito膜刻蚀的刻蚀液 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510536476.1A CN105087008B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 用于ito膜刻蚀的刻蚀液 |
| CN201410182937.5A CN103937505B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | Ito膜刻蚀液 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410182937.5A Division CN103937505B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | Ito膜刻蚀液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105087008A CN105087008A (zh) | 2015-11-25 |
| CN105087008B true CN105087008B (zh) | 2017-09-26 |
Family
ID=51185386
Family Applications (6)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510544291.5A Active CN105038799B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 一种对ito膜进行刻蚀的刻蚀液 |
| CN201510544292.XA Expired - Fee Related CN105224125B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 一种对ito膜进行刻蚀的方法 |
| CN201510539374.5A Active CN105087009B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 一种用于ito膜刻蚀的工艺 |
| CN201510539375.XA Pending CN105062491A (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 一种ito膜刻蚀的方法 |
| CN201510536476.1A Expired - Fee Related CN105087008B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 用于ito膜刻蚀的刻蚀液 |
| CN201410182937.5A Active CN103937505B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | Ito膜刻蚀液 |
Family Applications Before (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510544291.5A Active CN105038799B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 一种对ito膜进行刻蚀的刻蚀液 |
| CN201510544292.XA Expired - Fee Related CN105224125B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 一种对ito膜进行刻蚀的方法 |
| CN201510539374.5A Active CN105087009B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 一种用于ito膜刻蚀的工艺 |
| CN201510539375.XA Pending CN105062491A (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 一种ito膜刻蚀的方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410182937.5A Active CN103937505B (zh) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | Ito膜刻蚀液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (6) | CN105038799B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108559493A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-09-21 | 南昌大学 | 一种氧化铝-氧化硅复合材料及制备方法 |
| CN112680229A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-04-20 | 深圳市百通达科技有限公司 | 一种湿电子化学的硅基材料蚀刻液及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101223632A (zh) * | 2005-05-13 | 2008-07-16 | 塞克姆公司 | 氧化物的选择性湿蚀刻 |
| CN101585662A (zh) * | 2009-05-11 | 2009-11-25 | 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 | 平板显示用刻蚀液 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2127009B (en) * | 1982-09-14 | 1986-11-19 | Glaverbel | Modifying glass bead surfaces |
| WO2000011107A1 (en) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Ki Won Lee | Ito etching composition |
| WO2005097883A2 (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-20 | King Industries, Inc. | Method of producing a crosslinked coating in the manufacture of integrated circuits |
| CA2603990A1 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-19 | Sachem, Inc. | Selective wet etching of metal nitrides |
| KR100688570B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 식각 마스크 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
| TWI421937B (zh) * | 2006-09-13 | 2014-01-01 | Nagase Chemtex Corp | 蝕刻液組成物 |
| JP5311249B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2013-10-09 | ナガセケムテックス株式会社 | アモルファスｉｔｏ透明導電膜用エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| EP2108357B1 (de) * | 2008-04-11 | 2014-02-12 | Mühlbauer Technology GmbH | Konditioniermittel für das Ätzen von Schmelzläsionen |
| KR20120003874A (ko) * | 2009-03-30 | 2012-01-11 | 도레이 카부시키가이샤 | 도전막 제거제 및 도전막 제거 방법 |
| KR101608873B1 (ko) * | 2010-03-18 | 2016-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 |
| US20110308614A1 (en) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Etching composition and its use in a method of making a photovoltaic cell |
| JP5788701B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-10-07 | 関東化学株式会社 | 透明導電膜用エッチング液組成物 |
| CN102226087B (zh) * | 2011-04-29 | 2013-09-04 | 西安东旺精细化学有限公司 | 透明导电膜湿法蚀刻液组合物 |
| JP2012253225A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| JP5913869B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-04-27 | 林純薬工業株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| CN102382657B (zh) * | 2011-10-11 | 2013-08-07 | 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 | 一种透明导电膜用蚀刻液及其制备方法 |
| CN103160909B (zh) * | 2011-12-15 | 2016-04-27 | 比亚迪股份有限公司 | 一种用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液及蚀刻方法 |
| CN102585832A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-07-18 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种低张力ito蚀刻液及其制备方法 |
| JP2015517691A (ja) * | 2012-05-18 | 2015-06-22 | インテグリス，インコーポレイテッド | 窒化チタンを含む表面からフォトレジストを剥離するための組成物およびプロセス |
-
2014
- 2014-04-30 CN CN201510544291.5A patent/CN105038799B/zh active Active
- 2014-04-30 CN CN201510544292.XA patent/CN105224125B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-30 CN CN201510539374.5A patent/CN105087009B/zh active Active
- 2014-04-30 CN CN201510539375.XA patent/CN105062491A/zh active Pending
- 2014-04-30 CN CN201510536476.1A patent/CN105087008B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-30 CN CN201410182937.5A patent/CN103937505B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101223632A (zh) * | 2005-05-13 | 2008-07-16 | 塞克姆公司 | 氧化物的选择性湿蚀刻 |
| CN101585662A (zh) * | 2009-05-11 | 2009-11-25 | 绵阳艾萨斯电子材料有限公司 | 平板显示用刻蚀液 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| "Organic Acid Mixing to Improve ITO Film Etching in Flat Panel Display Manufacturing";Tzu-Hsuan等;《Journal of The Electrochemical Society》;20061206;第153卷(第1期);第C86页左栏第3段第5-12行、第4段第6行至段尾，第C90页右栏倒数第1-5行 * |
| "螯合剂在为电子工艺中减少硅表面重金属污染的应用研究";张西慧;《中国博士学位论文全文数据库（信息科技辑）》;20071215;I135-31 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105062491A (zh) | 2015-11-18 |
| CN103937505B (zh) | 2015-11-25 |
| CN105038799A (zh) | 2015-11-11 |
| CN105087008A (zh) | 2015-11-25 |
| CN103937505A (zh) | 2014-07-23 |
| CN105224125A (zh) | 2016-01-06 |
| CN105087009B (zh) | 2017-06-30 |
| CN105224125B (zh) | 2017-11-14 |
| CN105087009A (zh) | 2015-11-25 |
| CN105038799B (zh) | 2017-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104183303B (zh) | 一种稳定的pedot/pss导电层电极及其制备方法 | |
| CN104212243B (zh) | 一种pedot/pss导电油墨及涂层的制备方法 | |
| CN108660441B (zh) | 一种氮化硼薄膜的转移方法 | |
| JP2013089731A (ja) | エッチング液組成物およびエッチング方法 | |
| CN105087008B (zh) | 用于ito膜刻蚀的刻蚀液 | |
| CN107145044A (zh) | 一种平板显示使用的显影液组合物 | |
| CN103805203A (zh) | 选择性氧化铟锡蚀刻液 | |
| CN106479504A (zh) | 一种用于ITO‑Ag‑ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法 | |
| CN101993397A (zh) | 一种烷基芳香族磺酸铁的制备方法 | |
| CN105390183B (zh) | 含石墨烯的柔性透明导电薄膜及其制备方法 | |
| TWI460555B (zh) | Method for forming pattern of conductive polymer | |
| CN109535078A (zh) | 一种萘酰亚胺衍生物与太阳能电池 | |
| CN103676504A (zh) | 一种水性光刻胶剥离液 | |
| CN107168021A (zh) | 一种光刻胶用剥离液及其制备方法和应用 | |
| CN105706180A (zh) | 导电聚合物膜 | |
| CN102002674A (zh) | 一种透明塑胶制品的表面真空镀膜工艺 | |
| CN102866601A (zh) | 等离子显示屏剥离液及其制备方法与应用 | |
| CN113448185A (zh) | 一种硅基oled制程中使用的显影液组合物 | |
| CN107357140B (zh) | 一种正性光刻胶用显影液及其应用 | |
| CN108164621B (zh) | 一种基于聚乙烯醇缩丁醛的改性聚合物及其制备工艺与应用 | |
| JPH05262524A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
| CN112185606B (zh) | 一种高分子柔性导电薄膜及其制备方法 | |
| TWI473118B (zh) | Polyethylene dioxythiophene - polystyrene sulfonate conductive liquid and conductive film formed by it | |
| KR101725204B1 (ko) | 금속 산화물의 선택적 식각액 | |
| CN109082650A (zh) | 一种Cu2Se薄膜成型方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Lai Xiyuan Inventor before: Wang Li |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170720 Address after: 401122, Chongqing Yubei District forefront of science and Technology City, Tong GUI Avenue 3 photoelectric industry park Applicant after: CHONGQING COE DISPLAY TECHNOLOGY Co.,Ltd. Applicant after: HEYUAN COE COMMUNICATION TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: Jixian Zhuang Yuan Daguan District 246000 Anhui city of Anqing province No. 2 Building 2 floor Applicant before: Wang Li |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170926 |