CN104877611B - 电路连接材料、使用其的连接结构体、临时压接方法以及应用 - Google Patents

电路连接材料、使用其的连接结构体、临时压接方法以及应用 Download PDF

Info

Publication number
CN104877611B
CN104877611B CN201510210020.6A CN201510210020A CN104877611B CN 104877611 B CN104877611 B CN 104877611B CN 201510210020 A CN201510210020 A CN 201510210020A CN 104877611 B CN104877611 B CN 104877611B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vinyl
circuit
mass
connecting material
use according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510210020.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104877611A (zh
Inventor
中泽孝
小林宏治
小林隆伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lishennoco Co ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of CN104877611A publication Critical patent/CN104877611A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104877611B publication Critical patent/CN104877611B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C08G59/5046—Amines heterocyclic
    • C08G59/5053—Amines heterocyclic containing only nitrogen as a heteroatom
    • C08G59/5073—Amines heterocyclic containing only nitrogen as a heteroatom having two nitrogen atoms in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/226—Mixtures of di-epoxy compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L31/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an acyloxy radical of a saturated carboxylic acid, of carbonic acid or of a haloformic acid; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L31/02—Homopolymers or copolymers of esters of monocarboxylic acids
    • C08L31/04—Homopolymers or copolymers of vinyl acetate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及电路连接材料、使用其的连接结构体、临时压接方法以及应用。所述电路连接材料，其将对向的电路电极彼此电连接，其含有：(a)环氧树脂、(b)包含芳香族锍盐的阳离子聚合型潜伏性固化剂、(c)成膜材料和(d)包含羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物，其中，所述热塑性聚合物的配合量相对于所述环氧树脂以及所述成膜材料的合计100质量份，为0.5～5质量份。

Description

电路连接材料、使用其的连接结构体、临时压接方法以及应用
本申请是申请日为2010年11月16日，申请号为201080051778.5，发明名称为《电路连接材料、使用其的连接结构体以及临时压接方法》的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及电路连接材料、使用其的连接结构体以及临时压接方法。
背景技术
作为半导体元件、液晶显示元件用的粘接剂，使用粘接性优良、并且显示出高可靠性的环氧树脂等热固性树脂(例如，参照专利文献1)。作为上述粘接剂的构成成分，通常使用环氧树脂、具有与环氧树脂的反应性的酚醛树脂等固化剂、促进环氧树脂与固化剂的反应的热潜伏性催化剂。热潜伏性催化剂成为决定粘接剂的固化温度以及固化速度的重要的因素，从室温下的贮藏稳定性以及加热时的固化速度的观点出发，使用各种化合物。
另外，最近，由丙烯酸酯衍生物、甲基丙烯酸酯衍生物等自由基聚合性化合物和作为自由基聚合引发剂的过氧化物构成的自由基固化型粘接剂备受瞩目(例如，参照专利文献2)。自由基固化型粘接剂虽然能够在低温并且短时间内进行固化，但存在粘接性受连接构件的表面状态左右的倾向。另一方面，作为能够在比较低温并且短时间内粘接的电路连接材料，开发了使用环氧树脂的阳离子聚合系的粘接剂并实用化(例如，参照专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平1-113480号公报
专利文献2：国际公开第98/044067号小册子
专利文献3：日本特开平7-90237号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，以往的使用环氧树脂的粘接剂与自由基固化型粘接剂相比，具有与连接构件临时粘接时的临时压接性差的倾向，特别是期望在低温并且短时间内的临时压接性的提高。
因此，本发明的目的在于提供在低温并且短时间内对连接构件的临时压接性充分地优良的电路连接材料、使用其的连接结构体以及临时压接方法。
解决课题的方法
本发明提供一种电路连接材料，其将对向的电路电极彼此电连接，其含有(a)环氧树脂、(b)潜伏性固化剂、(c)成膜材料、和(d)包含羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物。
本发明的电路连接材料通过具备上述构成，成为在低温并且短时间内对连接构件的临时压接性充分地优良的材料。在此，临时压接是指将在支撑膜上形成的由电路连接材料构成的粘接剂层转印到作为被粘物的电路构件上的工序。上述工序中，通常，通过加热以及加压，构成粘接剂层的树脂成分熔融，与电路构件粘接，然后，剥离支撑膜，将粘接剂层转印到电路构件上。但是，在环氧树脂系的电路连接材料的情况下，有时由于临时压接时的热进行固化，因此限制加热温度。因此，对于电路连接材料要求兼顾对被粘物的粘接性和从支撑膜上的剥离性。因而，本发明的电路连接材料通过连同作为(a)成分的环氧树脂一起含有作为(b)成分的潜伏性固化剂，在临时压接时没有进行环氧树脂的固化，在之后的正式连接中能够显示出良好的连接性。另一方面，由于需要进行加热而使某种程度的树脂成分熔融，与电路构件临时粘接，因此，通过含有作为(d)成分的包含羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物，在临时压接时的加热温度下(d)成分熔融，从而能够与电路构件临时粘接。
上述羧酸乙烯酯优选为乙酸乙烯酯。由此，电路连接材料能够进一步提高在低温并且短时间内对连接构件的临时压接性。
另外，对于本发明的电路连接材料，由于能够使正式连接时的工序低温化、短时间化，因此优选潜伏性固化剂为阳离子聚合型潜伏性固化剂，更优选阳离子聚合型潜伏性固化剂为芳香族锍盐。
另外，从提高对各种连接构件的粘接性的观点出发，本发明的电路连接材料优选还含有有机微粒。
本发明还提供一种连接结构体，其具备：第一电路构件，其具有第一基板以及在该基板的主面上形成的第一电路电极；第二电路构件，其具有第二基板以及在该基板的主面上形成的第二电路电极，以该第二电路电极与第一电路电极对向的方式配置，该第二电路电极与上述第一电路电极电连接；和连接部，其介于第一电路构件以及第二电路构件之间，连接部为上述本发明的电路连接材料的固化物。
上述连接结构体由于使用低温并且短时间内的临时压接性优良的电路连接材料形成连接部，形成具有稳定的品质的连接结构体。
本发明还提供一种临时压接方法，其具备：将膜状粘接剂在80℃以下与电路构件临时粘接的工序，所述膜状粘接剂具备支撑膜、和在该支撑膜的一方的面上设置并由本发明的电路连接材料构成的粘接剂层，所述电路构件具有基板以及在该基板的主面上形成的电路电极；和在临时粘接后，剥离支撑膜，将粘接剂层转印到基板的主面上的工序。
根据上述临时压接方法，能够在低温并且短时间内将粘接剂层向电路构件上转印，因此，能够高工作效率地制作具有稳定的粘接力的连接结构体。
发明效果
根据本发明，能够提供在低温并且短时间内对连接构件的临时压接性充分地优良的电路连接材料、使用其的连接结构体以及临时压接方法。
附图说明
图1是表示电路连接材料的一个实施方式的截面图。
图2是表示连接结构体的一个实施方式的截面图。
图3是通过概略截面图表示使用电路连接材料的临时压接方法的一个实施方式的工序图。
具体实施方式
以下，根据需要参照附图的同时对本发明的优选的实施方式详细地进行说明。但是，本发明并不限定于以下的实施方式。需要说明的是，在附图中，对同一要素赋予同一符号，省略重复的说明。另外，上下左右等位置关系，只要没有特别的说明，则设为基于附图所示的位置关系。另外，附图的尺寸比率并不限于图示的比率。另外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸(系)”是指“丙烯酸(系)”以及与其对应的“甲基丙烯酸(系)”。
本实施方式的电路连接材料，是用于将电路电极彼此电连接的粘接剂。图1是表示电路连接材料的一个实施方式的截面图。图1所示的电路连接材料1由树脂层3、在树脂层3内分散的多个导电性粒子5构成，具有膜状的形状。树脂层3含有(a)环氧树脂、(b)潜伏性固化剂、(c)成膜材料、和(d)包含羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物。换言之，电路连接材料1含有：(a)环氧树脂、(b)潜伏性固化剂、(c)成膜材料、和(d)包含羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物、和导电性粒子5。在加热电路连接材料1时通过环氧树脂的交联在树脂层3中形成交联结构，从而形成电路连接材料1的固化物。
以下，对电路连接材料1的各构成材料进行说明。
(a)环氧树脂
作为(a)环氧树脂，作为双酚A、F、AD等双酚的缩水甘油基醚的双酚型环氧树脂以及由苯酚酚醛清漆或甲酚酚醛清漆衍生的环氧酚醛清漆树脂为代表性的环氧树脂。作为其他例子，可以列举：具有萘骨架的萘型环氧树脂、缩水甘油基胺型环氧树脂、缩水甘油基酯型环氧树脂、脂环式环氧树脂以及杂环式环氧树脂。这些可以单独使用或混合2种以上使用。
上述环氧树脂中，双酚型环氧树脂由于能够广泛地获得分子量不同的级别，并且能够任意地设定粘接性、反应性等，因此优选。双酚型环氧树脂中，特别优选为双酚F型环氧树脂。双酚F型环氧树脂的粘度低，通过与苯氧基树脂组合使用，能够容易地将电路连接材料的流动性设定在宽范围内。另外，双酚F型环氧树脂还具有容易对电路连接材料赋予良好的粘着性这样的优点。
为了防止电子迁移，优选使用杂质离子(Na+、Cl-等)浓度或水解性氯为300ppm以下的环氧树脂。
(b)潜伏性固化剂
作为(b)潜伏性固化剂，只要是能够使环氧树脂固化的化合物即可。另外，潜伏性固化剂可以是与环氧树脂反应而引入到交联结构中的化合物，也可以是促进环氧树脂的固化反应的催化剂型固化剂。也可以并用二者。
作为催化剂型固化剂，例如，可以列举：促进环氧树脂的阴离子聚合的阴离子聚合型潜伏性固化剂、以及促进环氧树脂的阳离子聚合的阳离子聚合型潜伏性固化剂。
作为阴离子聚合型潜伏性固化剂，例如，可以列举：咪唑系、酰肼系、三氟化硼-胺络合物、胺酰亚胺、多胺的盐、双氰胺以及它们的改性物。咪唑系的阴离子聚合型潜伏性固化剂，例如，将咪唑或其衍生物与环氧树脂加成而形成。
作为阳离子聚合型潜伏性固化剂，例如，优选为通过能量射线照射使环氧树脂固化的感光性鎓盐(主要使用芳香族重氮鎓盐、芳香族锍盐等)。另外，除了能量射线照射以外，作为通过加热而活性化使环氧树脂固化的固化剂，有脂肪族锍盐。这种固化剂由于具有快速固化性这样的特征，因此优选。
将这些潜伏性固化剂用聚氨酯系、聚酯系等高分子物质、镍、铜等金属薄膜以及硅酸钙等无机物包覆而微囊化的固化剂，由于能够延长可使用时间，因此优选。
阴离子聚合型潜伏性固化剂的配合量，相对于(a)环氧树脂100质量，优选为份30～60质量份，更优选为40～55质量份。低于30质量份时，由电路连接材料的固化收缩引起的对被粘物的紧固力降低。其结果是，具有没有保持导电性粒子5与电路电极的接触、可靠性试验后的连接电阻容易上升的倾向。超过60质量份时，紧固力变得过强，因此，具有电路连接材料的固化物中的内部应力增大、容易导致粘接强度的降低的倾向。
阳离子聚合型潜伏性固化剂的配合量，相对于(a)环氧树脂100质量份，优选为3～15质量份，更优选为5～10质量份。低于3质量份时，由电路连接材料的固化收缩引起的对被粘物的紧固力降低。其结果，具有没有保持导电性粒子5与电路电极的接触、可靠性试验后的连接电阻容易上升的倾向。超过15质量份时，紧固力变得过强，因此，具有电路连接材料的固化物中的内部应力增大、容易导致粘接强度的降低的倾向。
(c)成膜材料
成膜材料是在使液状物固体化、使构成组合物形成为膜形状时，使该膜的处理变容易、赋予不会容易地产生破裂，或产生裂纹，或发粘的机械特性等的材料，通常的状态(常温常压)下，能够作为膜进行处理。
作为(c)成膜材料，例如，可以列举：苯氧基树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、二甲苯树脂以及聚氨酯树脂。它们中，从粘接性、相溶性、耐热性以及机械强度优良的方面出发，优选苯氧基树脂。
苯氧基树脂是可通过使二官能性酚类与环氧卤丙烷进行反应直至为高分子、或使二官能性环氧树脂与二官能性酚类加聚而得到的树脂。苯氧基树脂例如可以通过使二官能性酚类1摩尔与环氧卤丙烷0.985～1.015摩尔在碱金属氢氧化物等催化剂的存在下、在非反应性溶剂中、40～120℃的温度下进行反应而得到。
另外，作为苯氧基树脂，从树脂的机械特性、热特性的观点出发，特别优选使二官能性环氧树脂与二官能性酚类的配合当量比为环氧基/酚羟基＝1/0.9～1/1.1，在碱金属化合物、有机磷系化合物、环状胺系化合物等催化剂的存在下、在沸点为120℃以上的酰胺系、醚系、酮系、内酯系、醇系等有机溶剂中、反应固体成分为50质量％以下的条件下加热至50～200℃，使其进行加聚反应而得到的苯氧基树脂。
作为二官能性环氧树脂，能够使用双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、双酚S型环氧树脂。二官能性酚类具有2个酚性羟基，例如，可以列举：对苯二酚类、双酚A、双酚F、双酚AD、双酚S等双酚化合物。
苯氧基树脂也可以由自由基聚合性的官能团进行改性。苯氧基树脂可以单独使用1种或混合使用2种以上。
从制膜性等观点出发，优选上述(c)成分的重均分子量为10000以上。但是，热塑性树脂的重均分子量为1000000以上时，具有难以与其他成分混合的倾向。需要说明的是，本申请中规定的重均分子量是指通过以下条件的凝胶渗透色谱法(GPC)、基于标准聚苯乙烯的标准曲线而确定的值。
GPC条件
使用机器：日立L-6000型((株)日立制作所)
色谱柱：Gel-Pack GL-R420+Gel-Pack GL-R430+Gel-Pack GL-R440(共计3根)(日立化成工业(株)制商品名)
洗提液：四氢呋喃
测定温度：40℃
流量：1.75mL/分钟
检测器：L-3300RI((株)日立制作所)
(c)成分的配合量，相对于(a)以及(b)成分的合计100质量份，优选为50～140质量份，更优选为70～120质量份。
包含(d)羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物
作为(d)成分即热塑性聚合物，只要是包含羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物，则没有特别限定。本发明的电路连接材料通过临时压接工序中的规定的加热温度下(d)成分发生熔融(或软化)而显示出粘接性，能够对被粘物容易地进行临时粘接。另外，在为了提高粘接性而在电路连接材料中添加后述的(e)有机微粒的情况下，有时粘着性略微降低，临时压接性降低。特别是在该情况下，(d)成分能够为了兼顾电路连接材料的粘着性和粘接性而有效地发挥作用。
作为羧酸乙烯酯，例如，可以列举：乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、羊脂酸乙烯酯(カプリル酸ビニル)、月桂酸乙烯酯、肉豆蔻酸乙烯酯、棕榈酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、环己基羧酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、辛酸乙烯酯以及苯甲酸乙烯酯。其中，从与其他单体的共聚性的观点出发，优选为乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、羊脂酸乙烯酯以及月桂酸乙烯酯，更优选为乙酸乙烯酯。
(d)热塑性聚合物通过连同作为极性单体单元的羧酸乙烯酯一起包含作为非极性单体单元的烯烃作为单体单元，能够进一步有效并且确实地显示出临时压接性优良的本发明的效果。作为烯烃，可以例示乙烯以及丙烯。
另外，上述热塑性聚合物可以在不脱离本发明的低温下的临时压接性优良这样的效果的范围内，包含与羧酸乙烯酯能够共聚的单体作为单体单元。作为这样的单体，可以列举例如：羧酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸烷基酯，具体而言，例示乙酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸甲酯以及(甲基)丙烯酸乙酯。
羧酸乙烯酯的比例，以构成(d)成分的全部单体100质量％为基准，优选20质量％以上且低于60质量％，更优选为25质量％以上且低于55质量％，进一步优选为30质量％以上且低于50质量％。在60质量％以上时，在室温下树脂显示出粘着性，在形成电路连接材料的卷绕体(巻重体)时，向支撑膜的背面转印，具有作业性差的倾向。低于20质量％时，树脂自身的熔点上升，临时压接工序中没有充分地熔融，具有难以得到粘着力提高的效果的倾向。
由于临时压接时对被粘物的粘接性优良、并且支撑膜的剥离性优良，因此，作为(d)热塑性聚合物，优选包含烯烃-羧酸乙烯酯共聚物，从与构成电路连接材料的其他树脂成分的相溶性的观点出发，更优选为包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
(d)成分优选重均分子量(以下，称为“Mw”)为40000～150000，更优选为60000～130000，进一步优选为70000～120000。超过150000时，具有在作为通用溶剂的甲苯、乙酸乙酯或甲基乙基酮等中的溶解性降低的倾向，低于40000时，具有树脂层3的凝集力降低，粘接力降低的倾向。
(d)成分优选熔点为30℃以上且低于80℃，更优选为30～70℃。熔点低于30℃时，在临时压接时容易引发树脂渗出，因此，具有作业性降低的倾向。另一方面，熔点为80℃以上时，难以实现在低温下的临时压接性优良这样的本发明的效果。
(d)成分的配合量，相对于(a)以及(c)成分的合计100质量份，优选为0.5～5质量份，更优选为1～3质量份。(d)成分的配合量低于0.5质量份时，具有难以实现在低温下的临时压接时优良这样的本发明的效果的倾向，超过5质量份时，具有连接可靠性、连接外观降低的倾向。
(e)有机微粒
本发明的电路连接材料中根据需要可以配合有机微粒。有机微粒为具有作为具有应力缓和性的耐撞击缓和剂的作用的材料。电路连接材料通过含有有机微粒作为(E)成分，能够更进一步提高临时压接后的正式连接中的与各种连接构件的粘接性。特别是在作为(b)成分使用阳离子聚合型潜伏性固化剂的电路连接材料的情况下，具有对于被粘物的粘接强度与使用阴离子聚合型潜伏性固化剂的情况相比略微变差的倾向，因此，通过添加(e)成分，能够改善粘接性。
作为有机微粒，例如，可以列举：包含丙烯酸系树脂、硅树脂、丁二烯橡胶、聚酯、聚氨酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚芳酯、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸系橡胶、聚苯乙烯、NBR、SBR、硅改性树脂等作为成分的共聚物。从粘接性提高的观点出发，作为有机微粒，优选使用(甲基)丙烯酸烷基酯-丁二烯-苯乙烯共聚物、(甲基)丙烯酸烷基酯-聚硅氧烷共聚物、聚硅氧烷-(甲基)丙烯酸系共聚物、聚硅氧烷与(甲基)丙烯酸的复合物、(甲基)丙烯酸烷基酯-丁二烯-苯乙烯与聚硅氧烷的复合物以及(甲基)丙烯酸烷基酯与聚硅氧烷的复合物。另外，作为(E)成分，还能够使用具有核壳型的结构、核层和壳层中组成不同的有机微粒。作为核壳型的有机微粒，具体而言，可以列举：以聚硅氧烷-丙烯酸系橡胶为核将丙烯酸系树脂进行接枝而得到的粒子、对丙烯酸系共聚物接枝丙烯酸系树脂而得到的粒子。
在配合(e)成分的情况下，其配合量相对于(a)成分100质量份，优选为20～50质量份，更优选为30～40质量份。通过使(e)成分的配合量在上述范围内，具有容易调节树脂层3对于被粘物的粘接性与支撑膜的剥离性的平衡的倾向。
另外，电路连接材料1(树脂层3)还可以含有填充材料、软化剂、促进剂、抗老化剂、着色剂、阻燃剂、触变剂、偶联剂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂以及异氰酸酯类。在含有填充材料的情况下，由于可得到连接可靠性等的提高，因此优选。只要填充材料的最大直径低于导电性粒子5的粒径就可以使用，配合量优选为5～60体积％的范围。超过60体积％时，可靠性提高的效果饱和。作为偶联剂，从粘接性提高的观点出发，优选为具有乙烯基、丙烯酰基、氨基、环氧基或异氰酸酯基的化合物。
作为导电性粒子5，可以列举：包含Au、Ag、Ni、Cu、焊锡等金属的金属粒子、以及碳粒子。导电性粒子5优选由Au、Ag、铂族的贵金属类、更优选由Au构成其表层。导电性粒子5的表层通过由这些金属构成，能够得到充分的适用期。导电性粒子5也可以是将Ni等过渡金属类的表面用Au等贵金属类包覆而成的粒子。或者，也可以是在非导电性的玻璃、陶瓷、塑料等上通过包覆等形成上述导通层，使最外层为贵金属类的粒子。在使最外层为贵金属类、使核体为塑料或热熔融金属的包覆粒子的情况下，由于通过加热加压具有变形性，因此，在连接时与电极的接触面积增加，可靠性提高，因此优选。
导电性粒子的配合量根据用途适当设定，通常，相对于电路连接材料中除了导电性粒子之外的成分100体积份为0.1～30体积份的范围。为了防止由过量的导电性粒子引起的邻接电路的短路等，更优选设为0.1～10体积份。
本发明的电路连接材料，并不限定于图1所示的构成。例如，电路连接材料可以具有由组成不同的2层以上的层构成的层叠结构。该情况下，潜伏性固化剂和导电性粒子可以分别在不同层中含有。由此，电路连接材料的保存稳定性(适用期)提高。另外，电路连接材料也可以不含有导电性粒子。
本发明的电路连接材料可适宜地用于形成连接例如半导体芯片、电阻芯片、电容器芯片等芯片部件、以及印刷基板这样的、具有1个或2个以上的电路电极(连接端子)的电路构件彼此的连接结构体。
图2是表示连接结构体的一个实施方式的截面图。图2所示的连接结构体100具备：第一电路构件10，其具有第一基板11以及在其主面上形成的第一电路电极13；第二电路构件20，其具有第二基板21以及在其主面上形成的第二电路电极23，以第二电路电极23与第一电路电极13对向的方式配置；和连接部1a，其介于第一电路构件10以及第二电路构件20之间。对向的第一电路电极13与第二电路电极23电连接。
连接部1a为电路连接材料1固化而形成的固化物，由固化的树脂层3a和导电性粒子5构成。连接部1a以对向的第一电路电极13和第二电路电极23电连接的方式将第一电路构件10与第二电路构件20粘接。对向的第一电路电极13与第二电路电极23通过导电性粒子5电连接。需要说明的是，在连接部不含有导电性粒子的情况下，通过第一电路电极13与第二电路电极23直接粘接，能够进行电连接。
第一基板11为含有选自聚酯对苯二甲酸酯、聚醚砜、环氧树脂、丙烯酸系树脂以及聚酰亚胺树脂中的至少1种树脂的树脂膜。第一电路电极13由具有能够作为电极发挥作用的程度的导电性的材料(优选为选自金、银、锡、铂族的金属以及铟-锡氧化物中的至少一种)形成。
第二基板21为玻璃基板。第二电路电极优选由透明导电性材料形成。作为透明导电性材料，典型地使用ITO。
电路构件的连接结构体100例如可通过如下方法得到：将第一电路构件10、上述的膜状的电路连接材料1和第二电路构件20以第一电路电极13与第二电路电极23对峙的方式依次层叠而成的层叠体进行加热以及加压，由此，以第一电路电极13与第二电路电极23电连接的方式将第一电路构件10与第二电路构件20连接。
该方法中，首先，在将支撑膜上形成的膜状的电路连接材料1在第二电路构件20上贴合的状态下进行加热以及加压，临时粘接电路连接材料1，剥离支撑膜，然后，一边进行电路电极的位置对准一边载置第一电路构件10，从而能够准备层叠体。需要说明的是，为了防止由于连接时的加热而产生的挥发成分引起的对连接的影响，优选在连接工序前预先对电路构件进行加热処理。
图3是通过概略截面图表示使用电路连接材料的临时压接方法的一个实施方式的工序图。
本实施方式中，首先，准备具备支撑膜7、和在该支撑膜7的一方的面上设置且由膜状的电路连接材料1构成的粘接剂层1b的膜状粘接剂2(图3(a))。
接着，使粘接剂层1b侧面向第二电路构件20的形成有电路电极23的面进行载置，在贴合状态下进行加热以及加压，将粘接剂层1b与第二电路构件20临时粘接(图3(b))。临时粘接的温度为80℃以下，优选为70℃以下，进一步优选为60℃以下。临时粘接温度的下限值没有特别的限定，但从生产率的观点出发，为50℃左右。临时粘接的时间根据粘接温度而适当调节，优选以0.1～5秒进行，更优选0.5～3秒。
接着，剥离支撑膜7，将粘接剂层1b转印到第二基板21的主面上(图3(c))。
这样，通过粘接剂层1b在第二电路构件20上临时压接后，以第一电路电极13面向第二电路构件20侧的方式将第一电路构件10载置在粘接剂层1b上，将所形成的层叠体进行加热以及加压，由此得到连接结构体100。
对上述层叠体进行加热以及加压的条件根据电路连接材料中的粘接剂组合物的固化性等，以电路连接材料固化得到充分的粘接强度的方式进行适当调节。
通过粘接剂层1b的加热，在使第一电路电极13与第二电路电极23之间的距离充分地缩小的状态下粘接剂层1b固化，第一电路构件10与第二电路构件20通过连接部1a牢固地连接。
通过粘接剂层1b的固化形成连接部1a，得到如图2所示的连接结构体100。需要说明的是，连接的条件根据使用的用途、电路连接材料、电路构件适当选择。
本发明并不限于上述实施方式。本发明只要不脱离其主旨的范围内可以进行各种变形。例如，构成连接结构体的电路构件所具有的基板，可以是硅以及镓/砷等的半导体芯片、以及玻璃、陶瓷、玻璃/环氧复合物、以及塑料等绝缘基板。
实施例
以下，对于本发明基于实施例具体地进行说明，本发明并不限定于此。
本实施例中的构成电路连接材料的各成分如下。
“EP-4010S”：环氧丙烷改性环氧树脂(环氧当量330～390、ADEKA制)
“YL983U”：双酚F型环氧树脂(环氧当量165～175、日本环氧树脂制)
“BPA328”：丙烯酸系微粒(アクリル微粒子)分散型环氧树脂(含有丙烯酸系微粒17质量％、环氧当量220～240、日本催化剂制)
“EP-1032H60”：甲酚酚醛清漆型环氧树脂(环氧当量163～175)
“HX3941HP”：含有阴离子聚合型潜伏性固化剂的环氧树脂(含有咪唑系微囊型固化剂35质量％的双酚F型以及A型环氧树脂混合型、环氧当量160～190、旭化成chemicals制)
“ZX1356-2”：双酚A·F共聚型苯氧基树脂(Mw50000、东都化成制)
“PKHC”：双酚A型苯氧基树脂(Mw45000、Inchem corporation制)
“丙烯酸系橡胶A”：丙烯酸丁酯40质量份-丙烯酸乙酯30质量份―丙烯腈30质量份-甲基丙烯酸缩水甘油酯3质量份的共聚物(Mw约85万)
“EXL-2655”：有机微粒(由丁二烯-苯乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物形成的核壳聚合物、罗门哈斯公司制)
“EV40W”：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(乙酸乙烯酯含有率41％、Mw80000、熔点40℃、熔体流动速率65g/10分、三井·杜邦聚合化学制)
“EV150”：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(乙酸乙烯酯含有率33％、熔点61℃、熔体流动速率30g/10分、Mw120000、三井·杜邦聚合化学制)
“AUL-704”：平均粒径4μm的聚苯乙烯球状粒子的表面上设置有0.1μm的Ni层以及Au层的导电性粒子(积水化学制)
“SH6040”：硅烷偶联剂(γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、东丽·道康宁·有机硅(株)制)
“SI-60LA”：阳离子聚合型潜伏性固化剂(芳香族锍盐、三新化学制)
(实施例1)
配合“EP-4010S”30质量份、“YL983U”15质量份、“ZX1356-2”的甲苯/乙酸乙酯(＝50/50)40质量％溶液50质量份(以不挥发成分换算计为20质量份)、“PKHC”的甲苯/乙酸乙酯(＝50/50)40质量％溶液50质量份(以不挥发成分换算计为20质量份)、“EXL-2655”15质量份、“EV40W”的20质量％甲苯溶液10质量份(以不挥发成分换算计为2质量份)、“AUL-704”4质量份、“SH6040”(γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、东丽·道康宁·有机硅(株)制)1质量份以及“SI-60LA”3质量份，得到混合溶液。将所得到的混合溶液用涂抹器涂布到PET膜上，通过70℃10分钟的热风干燥，得到粘接剂层的厚度20μm的膜状的电路连接材料。
(实施例2)
以“YL983U”20质量份、“BPA328”30质量份、“PKHC”的甲苯/乙酸乙酯(＝50/50)40质量％溶液125质量份(以不挥发成分换算计为50质量份)、“EV40W”的20质量％甲苯溶液10质量份(以不挥发成分换算计为2质量份)、“AUL-704”4质量份、“SH6040”1质量份以及“SI-60LA”3质量份配合各成分，除此以外，与实施例1同样操作，得到膜状的电路连接材料。
(实施例3)
除了使用“EV150”代替“EV40W”以外，与实施例1同样操作，得到膜状的电路连接材料。
(实施例4)
以“EP-1032H60”5质量份、“HX3941HP”35质量份、“PKHC”的甲苯/乙酸乙酯(＝50/50)40质量％溶液50质量份(以不挥发成分换算计为20质量份)、“丙烯酸系橡胶A”的甲苯/乙酸乙酯(＝50/50)10质量％溶液200质量份(以不挥发成分换算计为20质量份)、“EXL-2655”20质量份、“EV40W”的20质量％甲苯溶液10质量份(以不挥发成分换算计为2质量份)、“AUL-704”4质量份以及“SH6040”1质量份配合各成分，除此以外，与实施例1同样操作，得到膜状的电路连接材料。
(实施例5)
以“BPA328”10质量份、“HX3941HP”40质量份、“PKHC”的甲苯/乙酸乙酯(＝50/50)40质量％溶液37.5质量份(以不挥发成分换算计为15质量份)、“丙烯酸系橡胶A”的甲苯/乙酸乙酯(＝50/50)10质量％溶液350质量份(以不挥发成分换算计为35质量份)、“EV40W”的20质量％甲苯溶液10质量份(以不挥发成分换算计为2质量份)、“AUL-704”4质量份以及“SH6040”1质量份配合各成分，除此以外，与实施例1同样操作，得到膜状的电路连接材料。
(比较例1)
除了没有添加“EV40W”以外，与实施例1同样操作，得到膜状的电路连接材料。
(比较例2)。
除了没有添加“EV40W”以外，与实施例2同样操作，得到膜状的电路连接材料。
(比较例3)
除了没有添加“EV40W”以外，与实施例4同样操作，得到膜状的电路连接材料。
(比较例4)。
除了没有添加“EV40W”以外，与实施例5同样操作，得到膜状的电路连接材料。
将由实施例制作的电路连接材料的组成以质量份(不挥发成分换算)计示于表1，将由比较例制作的电路连接材料的组成以质量份(不挥发成分换算)计示于表2。
表1
Figure BDA0000708082630000141
Figure BDA0000708082630000151
表2
Figure BDA0000708082630000152
[临时压接性的评价]
分别在60℃、70℃、80℃下、1MPa的条件下，将上述膜状的电路连接材料的粘接剂层面与整个面具有氧化铟(ITO)的薄层的厚度0.7mm的玻璃板临时粘接1秒或3秒，然后，剥离PET膜，由此，评价临时压接性。将粘接剂层均匀地转印到ITO上的状态设定为“A”，将粘接剂层部分地转印到ITO上的状态设定为“B”，将粘接剂层没有完全地转印到ITO上的态设定为“C”。将实施例的评价结果示于表3。将比较例的评价结果示于表4。
表3
Figure BDA0000708082630000153
表4
Figure BDA0000708082630000154
本发明的膜状的电路连接材料确认在60℃1秒这样的极低温并且短时间的条件下临时压接性也充分优良。
符号说明
1…电路连接材料、2…膜状粘接剂、1a…连接部、1b…粘接剂层、3…树脂层、3a…固化的树脂层、5…导电性粒子、7…支撑膜、10…第一电路构件、11…第一基板、13…第一电路电极、20…第二电路构件、21…第二基板、23…第二电路电极、100…连接结构体。

Claims (64)

1.一种电路连接材料，其将对向的电路电极彼此电连接，其含有：(a)环氧树脂、(b)包含芳香族锍盐的阳离子聚合型潜伏性固化剂、(c)成膜材料和(d)包含羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物，其中，所述热塑性聚合物的配合量相对于所述环氧树脂以及所述成膜材料的合计100质量份，为0.5～5质量份，(d)成分的熔点为30℃以上且低于80℃。
2.根据权利要求1所述的电路连接材料，其中，所述羧酸乙烯酯为选自乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、羊脂酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、肉豆蔻酸乙烯酯、棕榈酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、环己基羧酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、辛酸乙烯酯以及苯甲酸乙烯酯中的至少1种。
3.根据权利要求1所述的电路连接材料，其中，所述羧酸乙烯酯为选自乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、羊脂酸乙烯酯以及月桂酸乙烯酯中的至少1种。
4.根据权利要求1所述的电路连接材料，其中，所述羧酸乙烯酯为乙酸乙烯酯。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，还含有有机微粒。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，所述环氧树脂包含双酚型环氧树脂。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，所述阳离子聚合型潜伏性固化剂的配合量相对于所述环氧树脂100质量份，为3～15质量份。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，所述成膜材料包含选自苯氧基树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、二甲苯树脂以及聚氨酯树脂中的至少1种。
9.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，所述成膜材料的配合量相对于所述环氧树脂以及所述潜伏性固化剂的合计100质量份，为50～140质量份。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，所述热塑性聚合物还含有烯烃作为单体单元。
11.根据权利要求10所述的电路连接材料，其中，所述烯烃为乙烯或丙烯。
12.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，所述热塑性聚合物还含有羧酸烯丙酯或(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体单元。
13.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，以构成所述热塑性聚合物的全部单体100质量％为基准，所述羧酸乙烯酯的比例为20质量％以上且低于60质量％。
14.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，以构成所述热塑性聚合物的全部单体100质量％为基准，所述羧酸乙烯酯的比例为25质量％以上且低于55质量％。
15.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，以构成所述热塑性聚合物的全部单体100质量％为基准，所述羧酸乙烯酯的比例为30质量％以上且低于50质量％。
16.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，所述热塑性聚合物为烯烃-羧酸乙烯酯共聚物。
17.根据权利要求16所述的电路连接材料，其中，所述烯烃-羧酸乙烯酯共聚物为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
18.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，所述热塑性聚合物的重均分子量为40000～150000。
19.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，还含有导电性粒子。
20.根据权利要求19所述的电路连接材料，其中，所述导电性粒子的配合量相对于所述电路连接材料中除了导电性粒子之外的成分100体积份，为0.1～30体积份的范围。
21.根据权利要求1～4中任一项所述的电路连接材料，其中，其成为电路构件的连接结构的电路连接部，
所述电路构件的连接结构具备：
第一电路构件，其具有第一基板以及在该基板的主面上形成的第一电路电极；
第二电路构件，其具有第二基板以及在该基板的主面上形成的第二电路电极，以该第二电路电极与所述第一电路电极对向的方式配置；
电路连接部，其介于所述第一基板以及所述第二基板之间，以将所述第一以及第二电路电极电连接的方式连接所述第一电路构件和所述第二电路构件。
22.一种膜状电路连接材料，其将权利要求1～21中任一项所述的电路连接材料形成为膜状而成。
23.一种连接结构体，其具备：
第一电路构件，其具有第一基板以及在该基板的主面上形成的第一电路电极；
第二电路构件，其具有第二基板以及在该基板的主面上形成的第二电路电极，以该第二电路电极与所述第一电路电极对向的方式配置，该第二电路电极与所述第一电路电极电连接；和
连接部，其介于所述第一电路构件以及所述第二电路构件之间，
所述连接部为权利要求1～21中任一项所述的电路连接材料的固化物。
24.一种临时压接方法，其具备：
将膜状粘接剂在80℃以下与电路构件临时粘接的工序，所述膜状粘接剂具备支撑膜、和在该支撑膜的一方的面上设置并由权利要求1～21中任一项所述的电路连接材料构成的粘接剂层，所述电路构件具有基板以及在该基板的主面上形成的电路电极；和
在所述临时粘接后剥离所述支撑膜，将所述粘接剂层转印到所述基板的主面上的工序。
25.一种连接材料作为用于电连接对向的电路电极彼此的电路连接材料的应用，其中，所述连接材料含有：(a)环氧树脂、(b)包含芳香族锍盐的阳离子聚合型潜伏性固化剂、(c)成膜材料和(d)包含羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物，其中，所述热塑性聚合物的配合量相对于所述环氧树脂以及所述成膜材料的合计100质量份，为0.5～5质量份，(d)成分的熔点为30℃以上且低于80℃。
26.根据权利要求25所述的应用，其中，所述羧酸乙烯酯为选自乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、羊脂酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、肉豆蔻酸乙烯酯、棕榈酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、环己基羧酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、辛酸乙烯酯以及苯甲酸乙烯酯中的至少1种。
27.根据权利要求25所述的应用，其中，所述羧酸乙烯酯为选自乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、羊脂酸乙烯酯以及月桂酸乙烯酯中的至少1种。
28.根据权利要求25所述的应用，其中，所述羧酸乙烯酯为乙酸乙烯酯。
29.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述连接材料还含有有机微粒。
30.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述环氧树脂包含双酚型环氧树脂。
31.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述阳离子聚合型潜伏性固化剂的配合量相对于所述环氧树脂100质量份，为3～15质量份。
32.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述成膜材料包含选自苯氧基树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、二甲苯树脂以及聚氨酯树脂中的至少1种。
33.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述成膜材料的配合量相对于所述环氧树脂以及所述潜伏性固化剂的合计100质量份，为50～140质量份。
34.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述热塑性聚合物还含有烯烃作为单体单元。
35.根据权利要求34所述的应用，其中，所述烯烃为乙烯或丙烯。
36.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述热塑性聚合物还含有羧酸烯丙酯或(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体单元。
37.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，以构成所述热塑性聚合物的全部单体100质量％为基准，所述羧酸乙烯酯的比例为20质量％以上且低于60质量％。
38.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，以构成所述热塑性聚合物的全部单体100质量％为基准，所述羧酸乙烯酯的比例为25质量％以上且低于55质量％。
39.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，以构成所述热塑性聚合物的全部单体100质量％为基准，所述羧酸乙烯酯的比例为30质量％以上且低于50质量％。
40.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述热塑性聚合物为烯烃-羧酸乙烯酯共聚物。
41.根据权利要求40所述的应用，其中，所述烯烃-羧酸乙烯酯共聚物为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
42.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述热塑性聚合物的重均分子量为40000～150000。
43.根据权利要求25～28中任一项所述的应用，其中，所述连接材料还含有导电性粒子。
44.根据权利要求43所述的应用，其中，所述导电性粒子的配合量相对于所述连接材料中除了导电性粒子之外的成分100体积份，为0.1～30体积份的范围。
45.一种连接材料用于制造电连接对向的电路电极彼此的电路连接材料的应用，其中，所述连接材料含有：(a)环氧树脂、(b)包含芳香族锍盐的阳离子聚合型潜伏性固化剂、(c)成膜材料和(d)包含羧酸乙烯酯作为单体单元的热塑性聚合物，其中，所述热塑性聚合物的配合量相对于所述环氧树脂以及所述成膜材料的合计100质量份，为0.5～5质量份，(d)成分的熔点为30℃以上且低于80℃。
46.根据权利要求45所述的应用，其中，所述羧酸乙烯酯为选自乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、羊脂酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、肉豆蔻酸乙烯酯、棕榈酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、环己基羧酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、辛酸乙烯酯以及苯甲酸乙烯酯中的至少1种。
47.根据权利要求45所述的应用，其中，所述羧酸乙烯酯为选自乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、羊脂酸乙烯酯以及月桂酸乙烯酯中的至少1种。
48.根据权利要求45所述的应用，其中，所述羧酸乙烯酯为乙酸乙烯酯。
49.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述连接材料还含有有机微粒。
50.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述环氧树脂包含双酚型环氧树脂。
51.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述阳离子聚合型潜伏性固化剂的配合量相对于所述环氧树脂100质量份，为3～15质量份。
52.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述成膜材料包含选自苯氧基树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、二甲苯树脂以及聚氨酯树脂中的至少1种。
53.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述成膜材料的配合量相对于所述环氧树脂以及所述潜伏性固化剂的合计100质量份，为50～140质量份。
54.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述热塑性聚合物还含有烯烃作为单体单元。
55.根据权利要求54所述的应用，其中，所述烯烃为乙烯或丙烯。
56.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述热塑性聚合物还含有羧酸烯丙酯或(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体单元。
57.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，以构成所述热塑性聚合物的全部单体100质量％为基准，所述羧酸乙烯酯的比例为20质量％以上且低于60质量％。
58.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，以构成所述热塑性聚合物的全部单体100质量％为基准，所述羧酸乙烯酯的比例为25质量％以上且低于55质量％。
59.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，以构成所述热塑性聚合物的全部单体100质量％为基准，所述羧酸乙烯酯的比例为30质量％以上且低于50质量％。
60.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述热塑性聚合物为烯烃-羧酸乙烯酯共聚物。
61.根据权利要求60所述的应用，其中，所述烯烃-羧酸乙烯酯共聚物为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
62.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述热塑性聚合物的重均分子量为40000～150000。
63.根据权利要求45～48中任一项所述的应用，其中，所述连接材料还含有导电性粒子。
64.根据权利要求63所述的应用，其中，所述导电性粒子的配合量相对于所述连接材料中除了导电性粒子之外的成分100体积份，为0.1～30体积份的范围。
CN201510210020.6A 2009-11-17 2010-11-16 电路连接材料、使用其的连接结构体、临时压接方法以及应用 Active CN104877611B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-262034 2009-11-17
JP2009262034 2009-11-17
CN2010800517785A CN102686690A (zh) 2009-11-17 2010-11-16 电路连接材料、使用其的连接结构体以及临时压接方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800517785A Division CN102686690A (zh) 2009-11-17 2010-11-16 电路连接材料、使用其的连接结构体以及临时压接方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104877611A CN104877611A (zh) 2015-09-02
CN104877611B true CN104877611B (zh) 2020-04-10

Family

ID=44059627

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800517785A Pending CN102686690A (zh) 2009-11-17 2010-11-16 电路连接材料、使用其的连接结构体以及临时压接方法
CN201510210020.6A Active CN104877611B (zh) 2009-11-17 2010-11-16 电路连接材料、使用其的连接结构体、临时压接方法以及应用

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800517785A Pending CN102686690A (zh) 2009-11-17 2010-11-16 电路连接材料、使用其的连接结构体以及临时压接方法

Country Status (6)

Country Link
JP (2) JP5944102B2 (zh)
KR (1) KR101374927B1 (zh)
CN (2) CN102686690A (zh)
BR (1) BR112012011798B1 (zh)
TW (1) TWI452110B (zh)
WO (1) WO2011062149A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013001825A (ja) * 2011-06-17 2013-01-07 Tosoh Corp エチレン−酢酸ビニル系共重合体組成物及びそれを用いた硬化物
JP5838674B2 (ja) * 2011-09-12 2016-01-06 住友電気工業株式会社 フィルム状異方導電性接着剤
JP6044261B2 (ja) * 2012-10-22 2016-12-14 日立化成株式会社 異方導電性接着剤組成物
CN103173173B (zh) * 2013-03-23 2014-12-24 广东新展化工新材料有限公司 一种双组分环氧胶粘剂及其制备方法
CN103173176B (zh) * 2013-03-23 2014-12-03 广东新展化工新材料有限公司 一种双组分改性环氧胶粘剂及其制备方法
CN104592922B (zh) * 2014-12-31 2016-04-20 湖北绿色家园精细化工股份有限公司 一种透明、高硬度、耐黄变环氧饰品胶及其制备工艺
CN106883786A (zh) * 2017-02-24 2017-06-23 深圳市金晖科技有限公司 一种全方位热固导电胶的制备方法
US20220055344A1 (en) * 2018-12-26 2022-02-24 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Resin composition and metal base copper-clad laminate
KR20210144717A (ko) 2019-03-28 2021-11-30 닛토덴코 가부시키가이샤 경화형 점접착 시트, 및 경화형 점접착 시트의 제조 방법
CN114364765B (zh) * 2019-09-27 2024-04-19 株式会社钟化 粘接剂及粘接剂的制造方法
CN110972411B (zh) * 2019-10-22 2022-12-06 深圳丹邦科技股份有限公司 基于量子碳基膜的柔性线路板基材及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1712483A (zh) * 2004-06-23 2005-12-28 Lg电线有限公司 各向异性的导电性粘接剂以及应用该粘接剂的薄膜
CN101542845A (zh) * 2007-04-25 2009-09-23 索尼化学&信息部件株式会社 各向异性导电性膜及连接结构体

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2833111B2 (ja) * 1989-03-09 1998-12-09 日立化成工業株式会社 回路の接続方法及びそれに用いる接着剤フィルム
JPH05279646A (ja) * 1991-09-09 1993-10-26 Hitachi Chem Co Ltd マルチワイヤ配線板用接着剤およびこの接着剤を用いたマルチワイヤ配線板およびその製造方法
JP3907217B2 (ja) * 1993-07-29 2007-04-18 日立化成工業株式会社 回路接続材料とその接続材料を用いた回路の接続方法
US20070116961A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 3M Innovative Properties Company Anisotropic conductive adhesive compositions
WO2007099965A1 (ja) * 2006-02-27 2007-09-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法
JP2008111092A (ja) * 2006-10-06 2008-05-15 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及びそれを用いた接続構造体
CN102051141B (zh) * 2007-01-10 2014-12-17 日立化成株式会社 电路部件连接用粘接剂及使用该粘接剂的半导体装置
WO2009001605A1 (ja) * 2007-06-26 2008-12-31 Sony Chemical & Information Device Corporation 異方性導電材料、接続構造体及びその製造方法
JP5012903B2 (ja) * 2007-08-08 2012-08-29 日立化成工業株式会社 回路接続用接着剤組成物、回路接続用フィルム状接着剤及び回路部材の接続構造
WO2009054410A1 (ja) * 2007-10-24 2009-04-30 Hitachi Chemical Company, Ltd. 導電粒子、回路接続材料及び接続構造体
JP5141456B2 (ja) * 2007-10-24 2013-02-13 日立化成工業株式会社 回路接続材料及び接続構造体
JP2009161684A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤組成物、この接着剤組成物用いた回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法
JP5226562B2 (ja) * 2008-03-27 2013-07-03 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1712483A (zh) * 2004-06-23 2005-12-28 Lg电线有限公司 各向异性的导电性粘接剂以及应用该粘接剂的薄膜
CN101542845A (zh) * 2007-04-25 2009-09-23 索尼化学&信息部件株式会社 各向异性导电性膜及连接结构体

Also Published As

Publication number Publication date
BR112012011798B1 (pt) 2020-12-08
BR112012011798A2 (pt) 2018-03-27
KR20120087978A (ko) 2012-08-07
TW201144404A (en) 2011-12-16
CN104877611A (zh) 2015-09-02
TWI452110B (zh) 2014-09-11
CN102686690A (zh) 2012-09-19
KR101374927B1 (ko) 2014-03-14
JP5944102B2 (ja) 2016-07-05
JP2015091957A (ja) 2015-05-14
WO2011062149A1 (ja) 2011-05-26
JPWO2011062149A1 (ja) 2013-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104877611B (zh) 电路连接材料、使用其的连接结构体、临时压接方法以及应用
KR100559153B1 (ko) 전극의 접속방법, 그것에 사용되는 표면처리 배선판 및접착필름 및 전극의 접속구조
JP4905352B2 (ja) 接着シート、これを用いた回路部材の接続構造及び半導体装置
WO2004060996A1 (ja) 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂ペースト、接着性エポキシ樹脂シート、導電接続ペースト、導電接続シート及び電子部品接合体
JP2008111092A (ja) 回路接続材料及びそれを用いた接続構造体
TWI455152B (zh) 電路連接用接著膜及其用途、電路連接構造體及其製造方法、以及電路構件的連接方法
JP6237855B2 (ja) 接着フィルム、回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法
JPH06256746A (ja) 接着剤組成物および接着フィルム
JP2012021140A (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
WO2013157378A1 (ja) 回路接続材料、及びこれを用いた実装体の製造方法
TWI554162B (zh) 電路連接用接著膜及其用途、電路連接構造體及其製造方法、以及電路構件的連接方法
JPH05339556A (ja) 接着剤組成物
JP2005194413A (ja) 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
JP2894093B2 (ja) 接着剤組成物及び積層フィルム
JP2011114037A (ja) 回路接続材料及び接続体
JP2009161684A (ja) 回路接続用接着剤組成物、この接着剤組成物用いた回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法
TWI734841B (zh) 連接結構體、電路連接構件及接著劑組成物
TWI452103B (zh) 電路連接用接著膜及其用途、電路連接構造體及其製造方法、以及電路構件的連接方法
JP2011111474A (ja) 回路接続材料
JP4491873B2 (ja) 異方性導電フィルム
JP2001031915A (ja) 異方性導電フィルム
JP2017020029A (ja) 異方性導電フィルム、及びこれを用いた実装体の製造方法
JP2002188070A (ja) 回路接続用接着剤組成物
JP2001031931A (ja) 異方性導電フィルム
JP2001031930A (ja) 異方性導電フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2

Applicant after: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2

Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2

Patentee before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder