CN104736523A - 能显影的底部抗反射涂层 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够防止浮渣从底部抗反射涂层形成的交联剂，并且还提供了一种用于形成含有所述交联剂的底部抗反射涂层的组合物。所述交联剂是具有至少一个乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团的含氮芳香族化合物，并且所述组合物含有所述交联剂。E1～E3各自独立地选自于由碳原子和氮原子组成的组，但是它们中的至少一个是氮原子；F1～F3各自独立地选自于由氧原子和硫原子组成的组；G1～G3各自独立地选自于由乙烯氧基、N-甲氧基甲基酰胺基团和氢原子组成的组，但是它们中的至少一个是乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团；并且p1～p3各自独立地选自于包括0的整数，但是它们中的至少任何两个至少为1或大于1。

Description

能显影的底部抗反射涂层
技术领域
本发明涉及在使用光致抗蚀剂的光刻图案形成中采用的交联剂，还涉及含有所述交联剂并用于形成底部抗反射涂层的组合物以及，并且还涉及采用所述组合物的底部抗反射涂层形成方法。另外，本发明进一步涉及由所述组合物形成的底部抗反射涂层。
背景技术
在半导体器件的生产中，微加工一般是根据光刻技术通过使用光致抗蚀剂来进行的。微加工的过程包含：在半导体基板如硅晶圆上形成一薄层光致抗蚀剂层；使用对应于目标器件图案的掩模图案覆盖所述层；通过所述掩模图案将所述层暴露于活性光如UV光下；将经曝光的层显影以获得光致抗蚀剂图案；和通过使用光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻，以形成对应于上述图案的微细凹凸。由于半导体器件的集成度近来一直在加大，所述曝光往往是通过使用非常短波长的光来进行的，例如KrF准分子激光(波长：248nm)、ArF准分子激光(波长：193nm)或极端UV光(波长：13.5nm)。但是，上述光刻工艺通常具有光致抗蚀剂图案的尺寸精度降低的问题。所述尺寸精度降低是由从基板反射的光的驻波和/或由于基板的粗糙度引起的曝光用光的漫反射所造成的。另外，如果使用非常短波长的光如极端UV光来进行曝光时，抗蚀剂层可能受到置于其下方的基板释放出的气体的不利影响。为了应对这些问题，许多研究人员均在研究提供在光致抗蚀剂层和基板之间的底部抗反射涂层。底部抗反射涂层需要具有各种性能。例如，优选底部抗反射涂层能够在很大程度上吸收用于光致抗蚀剂曝光的辐射以防止漫反射等以便经曝光和显影的光致抗蚀剂能够具有垂直于基板表面的横截面，并且不溶于光致抗蚀剂组合物中含有的溶剂(即，不引起互混)。互混是特别严重的，因为其经常给光致抗蚀剂层与底部抗反射涂层之间的界面带来不利影响。因此，互混容易使得难以控制光致抗蚀剂的图案或形状。
底部抗反射涂层通常由热交联性组合物形成，由此防止与施加于其上的光致抗蚀剂互混。因此，所形成的涂层一般不溶于用来显影光致抗蚀剂的显影溶液。因此，一般而言，在半导体基板的加工之前，必须通过干蚀刻来去除抗反射涂层(参见，例如，专利文献1)。
然而，当通过干蚀刻来去除所述涂层时，光致抗蚀剂往往与所述涂层一起被部分地去除。这使得难以维持足够厚度的光致抗蚀剂以加工基板。
有鉴于此，期望提供一种底部抗反射涂层，其充分地溶解于用来显影光致抗蚀剂的显影溶液并因此能够与光致抗蚀剂一起显影和去除。为了满足这种需求，研究人员已经研究了能够与光致抗蚀剂一起显影和去除的底部抗反射涂层。
例如，已经研究使羟基或羧酸与乙烯基醚的反应从而形成可与光致抗蚀剂一起显影和去除的底部抗反射涂层(专利文献2)。但是，这种方法在图案形成中具有由底部抗反射涂层形成的浮渣的问题。
现有技术文献
[专利文献1]美国专利号6156479
[专利文献2]日本未审专利申请公开号(特表)2008-501985
发明内容
本发明要解决的问题
考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种交联剂，其能够防止浮渣从底部抗反射涂层形成。另外，本发明的另一个目的是提供一种能够形成底部抗反射涂层而较少形成浮渣的组合物。
解决所述问题的方法
本发明涉及一种由下式(1)表示的交联剂：
其中
E1～E3各自独立地选自于由碳原子和氮原子组成的组，但是它们中的至少一个是氮原子；
F1～F3各自独立地选自于由氧原子和硫原子组成的组；
G1～G3各自独立地选自于由乙烯氧基、N-甲氧基甲基酰胺基团(CONHCH2OCH3)和氢原子组成的组，但是它们中的至少一个是乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团；并且
p1～p3各自独立地选自于包括0的整数，但是它们中的至少任何两个至少为1或大于1。
本发明还涉及一种制备交联剂的方法，其特征在于：使由下式(2)表示的化合物和由下式(3)表示的化合物与碱性化合物反应，
其中E1～E3各自独立地选自于由碳原子和氮原子组成的组，但是它们中的至少一个是氮原子；且F1～F3各自独立地选自于由氧原子和硫原子组成的组；
其中X选自于由氯原子、溴原子和碘原子组成的组；G为乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团；且p为0以上的整数。
本发明进一步涉及一种用于形成底部抗反射涂层的组合物，其包含：
溶剂，
上述的交联剂，和
由下式(4)表示的聚合物：
-Am-Bn-    (4)
其中，A和B分别是由下式(A)和(B)表示的重复单元；
其中，R1和R2各自独立地是从由氢原子和烷基组成的组中选择的基团；
L是从由单键、具有一个以上碳原子的直链及支链亚烷基、和COO组成的组中选择的连接基团；
Y是含有一个以上苯环的芳香族基团，但是该芳香族基团可以具有或不具有从由烷基、芳基、卤素原子、烷氧基、硝基、醛、氰基、酰胺、二烷基氨基、磺酰胺、酰亚胺基、羧基、羧酸酯、磺基、磺酸酯、烷基氨基和芳基氨基组成的组中选择的取代基，并且所述芳香族基团中含有的苯环之一可以被替换为醌环；并且
Z是从由R3COOR4和R3OR4组成的组中选择的基团，其中R3是从由单键、氧原子、芳香环和具有一个以上碳原子且可以被氟原子取代的直链及支链亚烷基组成的组中选择的基团，并且其中R4是从由氢原子、取代的烃基和非取代的烃基组成的组中选择的基团；
所述重复单元A和B可以无规连接或形成嵌段，
所述重复单元A和B各自可以是两种以上具有不同结构的重复单元的组合，并且
m和n是表示聚合度的数字并且分别为10以上的数和0以上的数。
本发明还涉及通过将上述用于形成底部抗反射涂层的组合物浇铸在基板上并加热而获得的底部抗反射涂层。
本发明还进一步涉及一种图案形成方法，其包含：
将上述用于形成底部抗反射涂层的组合物浇铸在半导体基板上，然后对其进行焙烧以形成底部抗反射涂层；
在底部抗反射涂层上形成光致抗蚀剂层；
将覆盖有底部抗反射涂层和光致抗蚀剂层的半导体基板曝光；和
使用显影溶液对经曝光的基板进行显影。
本发明的效果
根据本发明所述的组合物能够防止与光致抗蚀剂组合物层的互混，由此能够形成具有垂直于基板表面的横截面的抗蚀剂图案。另外，通过使用本发明的用于形成底部抗反射涂层的组合物，能够同时避免形成浮渣以及损害孤立线和密集线之间的偏差，并且能够形成能够与光致抗蚀剂一起显影和去除的底部抗反射涂层。
具体实施方式
以下将详细说明本发明的实施方式。
[具有含氮芳香环的交联剂]
根据本发明所述的交联剂能够有利地用于光刻组合物中，特别是用于底部抗反射涂层形成用组合物中。其结构可以由下式(1)表示：
其中
E1～E3各自独立地选自于由碳原子和氮原子组成的组，但是它们中的至少一个是氮原子；
F1～F3各自独立地选自于由氧原子和硫原子组成的组；
G1～G3各自独立地选自于由乙烯氧基、N-甲氧基甲基酰胺基团和氢原子组成的组，但是它们中的至少一个是乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团；并且
p1～p3各自独立地选自于包括0的整数，但是它们中的至少任何两个至少为1或大于1。
类似于已知的交联剂，根据本发明所述的交联剂具有与聚合物等反应以促进组合物硬化的功能。本发明的交联剂含有至少一个乙烯氧基作为反应性基团。实际上，在式(1)中，G1～G3的至少一个为乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团。乙烯氧基能够与聚合物中含有的羧基和/或酚性羟基交联。特别地，在乙烯氧基的情况下，这意味着乙烯氧基与聚合物中含有的羧基或酚性羟基形成缩醛键。该缩醛键会被来源于后述的光酸产生剂的酸或被空气或显影溶液中的湿气切断。
式(1)中的原子F1～F3具有使得交联剂易于合成的功能。虽然即使所有的原子F1～F3均为碳原子时也能够发生并进行交联反应，但是要合成该交联剂本身是较困难的。
整数p1～p3各自示出了芳香环与作为反应性基团的乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团之间的连接基团的长度。如果连接基团过长，通常难以实现充分的硬化。但是另一方面，如果连接基团过短，通常难以实现充分的交联。因此，整数p1～p3的至少两个必须不小于1，并且它们各自优选为2～10，更优选为4～10。
由式(1)表示的交联剂的例子包括：
含硫化合物，例如
2,4,6-三((乙烯氧基)硫基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三(((乙烯氧基)甲基)硫基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三(((乙烯氧基)乙基)硫基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三(((乙烯氧基)丙基)硫基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三(((乙烯氧基)丁基)硫基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三(((乙烯氧基)戊基)硫基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三(((乙烯氧基)己基)硫基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三(((2-乙烯氧基)甲基)硫基)嘧啶、
2,4,6-三(((2-乙烯氧基)乙基)硫基)嘧啶、
2,4,6-三(((3-乙烯氧基)丙基)硫基)嘧啶、
2,4,6-三(((3-乙烯氧基)丁基)硫基)嘧啶、
2,4,6-三(((3-乙烯氧基)戊基)硫基)嘧啶、
2,4,6-三(((3-乙烯氧基)己基)硫基)嘧啶、
4,6-二((2-(乙烯氧基)甲基)硫基)嘧啶、
4,6-二((2-(乙烯氧基)乙基)硫基)嘧啶、
4,6-二((2-(乙烯氧基)丙基)硫基)嘧啶、
4,6-二((2-(乙烯氧基)丁基)硫基)嘧啶、
4,6-二((2-(乙烯氧基)戊基)硫基)嘧啶、
4,6-二((2-(乙烯氧基)己基)硫基)嘧啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)甲基)硫基)嘧啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)乙基)硫基)嘧啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)丙基)硫基)嘧啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)丁基)硫基)嘧啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)戊基)硫基)嘧啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)己基)硫基)嘧啶、
2,3-二((2-(乙烯氧基)甲基)硫基)吡啶、
2,3-二((2-(乙烯氧基)乙基)硫基)吡啶、
2,3-二((2-(乙烯氧基)丁基)硫基)吡啶、
2,3-二((2-(乙烯氧基)戊基)硫基)吡啶、
2,3-二((2-(乙烯氧基)己基)硫基)吡啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)甲基)硫基)吡啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)乙基)硫基)吡啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)丁基)硫基)吡啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)戊基)硫基)吡啶、
2,4-二((2-(乙烯氧基)己基)硫基)吡啶、
2,5-二((2-(乙烯氧基)甲基)硫基)吡啶、
2,5-二((2-(乙烯氧基)乙基)硫基)吡啶、
2,5-二((2-(乙烯氧基)丁基)硫基)吡啶、
2,5-二((2-(乙烯氧基)戊基)硫基)吡啶、
2,5-二((2-(乙烯氧基)己基)硫基)吡啶、
2,6-二((2-(乙烯氧基)甲基)硫基)吡啶、
2,6-二((2-(乙烯氧基)乙基)硫基)吡啶、
2,6-二((2-(乙烯氧基)丁基)硫基)吡啶、
2,6-二((2-(乙烯氧基)戊基)硫基)吡啶、
2,6-二((2-(乙烯氧基)己基)硫基)吡啶；
2,2',2"-((1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(硫烷二基))三(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3',3"-((1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(硫烷二基))三(N-甲氧基丙酰胺)、
4,4',4"-((1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(硫烷二基))三(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5',5”-((1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(硫烷二基))三(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6',6"-((1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(硫烷二基))三(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2',2"-(嘧啶-2,4,6-三基三(硫烷二基))三(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3',3"-(嘧啶-2,4,6-三基三(硫烷二基))三(N-甲氧基丙酰胺)、
4,4',4"-(嘧啶-2,4,6-三基三(硫烷二基))三(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5',5"-(嘧啶-2,4,6-三基三(硫烷二基))三(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6',6"-(嘧啶-2,4,6-三基三(硫烷二基))三(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(嘧啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(嘧啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(嘧啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(嘧啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(嘧啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(嘧啶-4,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(嘧啶-4,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丙酰胺)、
4,4'-(嘧啶-4,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(嘧啶-4,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(嘧啶-4,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(吡啶-2,3-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(吡啶-2,3-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(吡啶-2,3-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(吡啶-2,3-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(吡啶-2,3-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(吡啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(吡啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(吡啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(吡啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(吡啶-2,4-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(吡啶-2,5-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(吡啶-2,5-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(吡啶-2,5-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(吡啶-2,5-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(吡啶-2,5-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(吡啶-2,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(吡啶-2,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(吡啶-2,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(吡啶-2,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基戊烷酰胺)和
6,6'-(吡啶-2,6-二基二(硫烷二基))二(N-甲氧基己烷酰胺)；
以及
含氧化合物，例如
2,4,6-三(乙烯基过氧基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三((乙烯氧基)甲氧基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三((乙烯氧基)乙氧基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三((乙烯氧基)丙氧基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三((乙烯氧基)丁氧基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三((乙烯氧基)戊氧基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三((乙烯氧基)己氧基)-l,3,5-三嗪、
2,4,6-三(2-(乙烯氧基)甲氧基)嘧啶、
2,4,6-三(2-(乙烯氧基)乙氧基)嘧啶、
2,4,6-三(2-(乙烯氧基)丙氧基)嘧啶、
2,4,6-三(2-(乙烯氧基)丁氧基)嘧啶、
2,4,6-三(2-(乙烯氧基)戊氧基)嘧啶、
2,4,6-三(2-(乙烯氧基)己氧基)嘧啶、
4,6-二(2-(乙烯氧基)甲氧基)嘧啶、
4,6-二(2-(乙烯氧基)乙氧基)嘧啶、
4,6-二(2-(乙烯氧基)丙氧基)嘧啶、
4,6-二(2-(乙烯氧基)丁氧基)嘧啶、
4,6-二(2-(乙烯氧基)戊氧基)嘧啶、
4,6-二(2-(乙烯氧基)己氧基)嘧啶、
2,4-二(2-二(2-(乙烯氧基)甲氧基)嘧啶、
2,4-二(2-二(2-(乙烯氧基)乙氧基)嘧啶、
2,4-二(2-二(2-(乙烯氧基)丙氧基)嘧啶、
2,4-二(2-二(2-(乙烯氧基)丁氧基)嘧啶、
2,4-二(2-二(2-(乙烯氧基)戊氧基)嘧啶、
2,4-二(2-二(2-(乙烯氧基)己氧基)嘧啶、
2,3-二((2-乙烯氧基)甲氧基)吡啶、
2,3-二((2-乙烯氧基)乙氧基)吡啶、
2,3-二((2-乙烯氧基)丁氧基)吡啶、
2,3-二((2-乙烯氧基)戊氧基)吡啶、
2,3-二((2-乙烯氧基)己氧基)吡啶、
2,4-二((2-乙烯氧基)甲氧基)吡啶、
2,4-二((2-乙烯氧基)乙氧基)吡啶、
2,4-二((2-乙烯氧基)丁氧基)吡啶、
2,4-二((2-乙烯氧基)戊氧基)吡啶、
2,4-二((2-乙烯氧基)己氧基)吡啶、
2,5-二((2-乙烯氧基)甲氧基)吡啶、
2,5-二((2-乙烯氧基)乙氧基)吡啶、
2,5-二((2-乙烯氧基)丁氧基)吡啶、
2,5-二((2-乙烯氧基)戊氧基)吡啶、
2,5-二((2-乙烯氧基)己氧基)吡啶、
2,6-二((2-乙烯氧基)甲氧基)吡啶、
2,6-二((2-乙烯氧基)乙氧基)吡啶、
2,6-二((2-乙烯氧基)丁氧基)吡啶、
2,6-二((2-乙烯氧基)戊氧基)吡啶、
2,6-二((2-乙烯氧基)己氧基)吡啶、
2,2',2"-((l,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(氧))三(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3',3”-((l,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(氧))三(N-甲氧基丙酰胺)、
4,4',4"-((l,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(氧))三(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5',5"-((l,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(氧))三(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6',6”-((l,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(氧))三(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(嘧啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(嘧啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(嘧啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(嘧啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(嘧啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(嘧啶-4,6-二基二(氧))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(嘧啶-4,6-二基二(氧))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(嘧啶-4,6-二基二(氧))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(嘧啶-4,6-二基二(氧))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(嘧啶-4,6-二基二(氧))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(吡啶-2,3-二基二(氧))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(吡啶-2,3-二基二(氧))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(吡啶-2,3-二基二(氧))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(吡啶-2,3-二基二(氧))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(吡啶-2,3-二基二(氧))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(吡啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(吡啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(吡啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(吡啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(吡啶-2,4-二基二(氧))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(吡啶-2,5-二基二(氧))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(吡啶-2,5-二基二(氧))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(吡啶-2,5-二基二(氧))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(吡啶-2,5-二基二(氧))二(N-甲氧基戊烷酰胺)、
6,6'-(吡啶-2,5-二基二(氧))二(N-甲氧基己烷酰胺)、
2,2'-(吡啶-2,6-二基二(氧))二(N-甲氧基乙酰胺)、
3,3'-(吡啶-2,6-二基二(氧))二(N-甲氧基丙烷酰胺)、
4,4'-(吡啶-2,6-二基二(氧))二(N-甲氧基丁烷酰胺)、
5,5'-(吡啶-2,6-二基二(氧))二(N-甲氧基戊烷酰胺)和
6,6'-(吡啶-2,6-二基二(氧))二(N-甲氧基己烷酰胺)。鉴于合成的容易度，优选的是含硫化合物，如2,4,6-三(((乙烯氧基)乙基)硫基)-l,3,5-三嗪、2,4,6-三(((2-乙烯氧基)乙基)硫基)嘧啶和4,6-二((2-(乙烯氧基)乙基)硫基)嘧啶。更优选的是2,4,6-三(((乙烯氧基)乙基)硫基)-l,3,5-三嗪和2,4,6-三(((2-乙烯氧基)乙基)硫基)嘧啶，且特别优选的是2,4,6-三(((乙烯氧基)乙基)硫基)-l,3,5-三嗪。
由式(1)表示的化合物可以任何已知的方式来生产。例如，其可以通过使由下式(2)表示的化合物和下式(3)表示的化合物与碱性化合物反应来获得：
其中E1～E3各自独立地选自于由碳原子和氮原子组成的组，但是它们中的至少一个是氮原子；并且F1～F3各自独立地选自于由氧原子和硫原子组成的组；
其中X选自于由氯原子、溴原子和碘原子组成的组；G是乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团；并且p是0以上的整数，优选2～10，更优选4～10。
由式(2)表示的所述含氮芳香族化合物的例子包括：l,3,5-三嗪-2,4,6-三硫醇、嘧啶-2,4,6-三硫醇、嘧啶-4,6-二硫醇、嘧啶-2,4-二硫醇、吡啶-2,3-二硫醇、吡啶-2,4-二硫醇、吡啶-2,5-二硫醇、吡啶-2,6-二硫醇、l,3,5-三嗪-2,4,6-三醇、嘧啶-2,4,6-三醇、嘧啶-4,6-二醇、嘧啶-2,4-二醇、吡啶-2,3-二醇、吡啶-2,4-二醇、吡啶-2,5-二醇和吡啶-2,6-二醇。鉴于反应性优选的是l,3,5-三嗪-2,4,6-三硫醇、嘧啶-2,4,6-三硫醇、嘧啶-4,6-二硫醇和嘧啶-2,4-二硫醇，且特别优选的是l,3,5-三嗪-2,4,6-三硫醇。对于如何获得式(2)的化合物没有特别的限制，并且可以使用市售化合物。可以使用两种以上式(2)表示的化合物的组合。
由式(3)表示的化合物的例子包括：
含氯化合物，如l-氯-3-乙烯氧基丙烷、l-氯-4-乙烯氧基丁烷、1-氯-5-乙烯氧基戊烷、l-氯-6-乙烯氧基己烷、l-氯-7-乙烯氧基庚烷、2-氯-N-甲氧基乙酰胺、3-氯-N-甲氧基丙酰胺、4-氯-N-甲氧基丁烷酰胺、5-氯-N-甲氧基戊烷酰胺和6-氯-N-甲氧基己烷酰胺；
含溴化合物，如l-溴-3-乙烯氧基丙烷、l-溴-4-乙烯氧基丁烷、l-溴-5-乙烯氧基戊烷、l-溴-6-乙烯氧基己烷、l-溴-7-乙烯氧基庚烷、2-溴-N-甲氧基乙酰胺、3-溴-N-甲氧基丙酰胺、4-溴-N-甲氧基丁烷酰胺、5-溴-N-甲氧基戊烷酰胺和6-溴-N-甲氧基己烷酰胺；和
含碘化合物，如1-碘-3-乙烯氧基丙烷、l-碘-4-乙烯氧基丁烷、1-碘-5-乙烯氧基戊烷、l-碘-6-乙烯氧基己烷、1-碘-7-乙烯氧基庚烷、2-碘-N-甲氧基乙酰胺、3-碘-N-甲氧基丙酰胺、4-碘-N-甲氧基丁烷酰胺、5-碘-N-甲氧基戊烷酰胺和6-碘-N-甲氧基己烷酰胺。鉴于可获得性，优选的是含氯化合物，如l-氯-3-乙烯氧基丙烷、l-氯-4-乙烯氧基丁烷、1-氯-5-乙烯氧基戊烷、l-氯-6-乙烯氧基己烷和l-氯-7-乙烯氧基庚烷。特别优选的是2-氯乙氧基乙烯。对于如何获得式(3)的化合物没有特别的限制，并且可以使用市售化合物。
可以组合使用两种以上由式(3)表示的化合物。例如，可以使用由式(3)表示的但是整数p彼此不同的化合物的组合。
根据需要，可以使用另一种化合物来部分地替代式(3)的化合物，例如氯乙烷、氯甲氧基乙烯、2-氯乙氧基乙烯、溴乙烷、溴甲氧基乙烯、2-溴乙氧基乙烯、碘乙烷、碘甲氧基-乙烯或2-碘乙氧基乙烯。如果使用，鉴于可获得性，优选的是含氯化合物，如氯甲氧基乙烯、2-氯乙氧基乙烯、1-氯-3-乙烯氧基丙烷、1-氯-4-乙烯氧基丁烷、1-氯-5-乙烯氧基戊烷、1-氯-6-乙烯氧基己烷和1-氯-7-乙烯氧基庚烷；特别优选的是2-氯乙氧基乙烯。对于如何获得这些化合物没有特别地限制，并且可以使用市售化合物。
基于由式(2)表示的化合物的摩尔量，由式(3)表示的化合物总计以3～27当量的量来使用，优选总计6～18当量。
碱性化合物的例子包括：碱金属氢氧化物，例如氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷和氢氧化铯；碱金属氧化物，例如氧化钠和氧化钾；碱土金属氢氧化物，例如氢氧化铍、氢氧化镁、氢氧化钙、氢氧化钡和氢氧化锶；碱土金属氧化物，例如氧化铍、氧化镁、氧化钙、氧化锶和氧化钡；有机碱金属，例如甲基锂、乙基锂、正丁基锂、仲丁基锂、叔丁基锂、苯基锂、二异丙基酰胺锂和六甲基二硅基氨基锂；有机碱土金属，例如二甲基镁、二乙基镁、甲基氯化镁、甲基溴化镁、乙基溴化镁和苯基溴化镁；烷氧基化合物，例如甲醇钠、乙醇钠、丙醇钠和叔丁醇钾；金属氢化物，例如氢化钠、氢化钾和氢化钙；四烷基氢氧化铵，如四甲基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵；和碱金属碳酸盐，例如碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾和碳酸钙。鉴于反应性，优选的是碱金属碳酸盐，例如碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾和碳酸钙；并且特别优选的是碳酸钾。可以使用市售碳酸钾。基于由式(2)表示的化合物的摩尔量，碱性化合物的使用量通常为3～27当量，优选6～18当量。
优选地在温度足够高至确保充分的反应速率且足够低以避免形成不期望的副产物的条件下使上述组分反应。考虑到这一点，反应温度一般为-50至150℃，优选20～100℃。
所述反应可以在没有溶剂或存在溶剂的条件下来进行。但是，由于能够提高反应产率并且简化纯化工序，优选在存在溶剂的条件下进行反应。
在存在溶剂的条件下进行反应的情况下，只要溶剂不会对反应带来不利影响，对溶剂就没有特别的限制。优选的溶剂的例子包括N,N-二甲基甲酰胺、Ν,Ν-二甲基乙酰胺、二甲亚砜和N-甲基吡咯烷酮。特别优选的是二甲亚砜。考虑到反应速率和反应产率，按体积计，溶剂的量一般为由式(2)表示的化合物的0.5～20倍，优选1～10倍，更优选1.5～5倍。
在反应之后，可以通过使用有机合成中一般使用的技术从反应溶液中分离并纯化出目标产物。例如，加入水以去除碱性化合物，充分搅拌溶液并且收集有机部分，使用干燥剂如无水硫酸镁干燥。接着，减压蒸去干燥有机部分的溶剂，获得目标产物。如果需要，可以通过柱色谱法来纯化产物。
(用于形成底部抗反射涂层的组合物)
根据本发明所述的用于形成底部抗反射涂层的组合物包含上述交联剂、具有特定芳香族基团的聚合物和溶剂。如果需要，所述组合物可以进一步包含其它添加剂，如光酸产生剂、热酸产生剂、碱、光分解性碱、光碱产生剂和表面活性剂。下文分别对这些组分的一些进行了说明。
具有芳香族基团的聚合物
本发明的交联剂可以掺入到底部抗反射涂层形成用组合物中，并且所述组合物可以含有任何聚合物。但是，优选地将所述交联剂应用在包含由下式(4)表示的聚合物的组合物中：
-Am-Bn-    (4)
其中，A和B分别表示由下式(A)和(B)表示的重复单元；
其中
R1和R2各自独立地是从由氢原子和烷基组成的组中选择的基团，并且优选氢原子或甲基；
L是从由单键、具有一个以上碳原子的直链或支链亚烷基、和COO组成的组中选择的连接基团，且优选COO；
Y是含有一个以上苯环的芳香族基团，但是该芳香族基团可以具有或不具有从由烷基、芳基、卤素原子、烷氧基、硝基、醛、氰基、酰胺、二烷基氨基、磺酰胺、酰亚胺基、羧基、羧酸酯、磺基、磺酸酯、烷基氨基和芳基氨基组成的组中选择的取代基，并且所述芳香族基团中含有的苯环中的一个可以被醌环替代；且
Z是从由R3COOR4和R3OR4组成的组中选择的基团，其中R3是从由单键、氧原子、芳香环和具有一个以上(优选1～6个)碳原子且可以被氟原子取代的直链及支链亚烷基组成的组中选择的基团，并且其中R4是从由氢原子、取代的烃基和非取代的烃基组成的组中选择的基团；
所述重复单元A和B可以无规连接或形成嵌段，
所述重复单元A和B各自可以是两种以上具有不同结构的重复单元的组合，并且
m和n是表示聚合度的数字并且分别为10以上的数和0以上的数。
上述聚合物可以通过聚合对应于式(4)中重复单元(A)和(B)的单体来生产。
式(4)的聚合物具有作为含有一个以上苯环的芳香族基团的基团Y。基团Y增加对特定波长下的光吸收并由此提供所得到的低部抗反射涂层的光学效应。芳香族基团中含有的苯环的数目没有上限，但是苯环的数目优选为5以下。芳香族基团可以含有五元及七元烃环，但优选不含有。
基团Y中含有的芳香族基团的例子包括：苯、萘、蒽、菲、并四苯、屈、苯并[c]-菲、三亚苯、并五苯、苉和苯并[c]屈。这些芳香族基团可以具有从由烷基、芳基、卤素原子、烷氧基、硝基、醛、氰基、酰胺、二烷基氨基、磺酰胺、酰亚胺基、羧基、羧酸酯、磺基、磺酸酯、烷基氨基和芳基氨基组成的组中选择的取代基。上述芳香族基团中含有的苯环中的一个可以被替换为醌环。其例子包括：蒽醌、5,12-萘并萘醌(并四苯醌)、5,6-屈醌、5,12-屈醌和6,13-并五苯奎宁。
由于基团Y极大地有助于聚合物的光吸收，优选根据用于曝光的光波长来对其进行选择。例如，如果曝光光源为KrF激光，基团Y优选含有蒽等，其对KrF激光束(波长：248nm)波长下的光具有高吸收。
对应于重复单元(A)的单体的例子包括：丙烯酸9-蒽甲酯、丙烯酸9-并四苯甲酯、丙烯酸9-并五苯甲酯、甲基丙烯酸9-蒽甲酯、甲基丙烯酸9-并四苯甲酯和甲基丙烯酸9-并五苯甲酯。考虑到可获得性，优选甲基丙烯酸9-蒽甲酯。可以组合使用两种以上对应于重复单元(A)的单体。对于如何获得单体没有特别的限制，并且可以使用市售单体或者可以进行合成来使用。将构成式(4)聚合物的所有单体的总量视为100mol％，则该单体的使用量优选为10～40mol％，更优选20～30mol％。
另一方面，在式(4)的聚合物中，重复单元(B)充当可与由式(1)表示的交联剂反应的部分。在浇铸在基板上的组合物中，交联剂与重复单元(B)的部分反应以在聚合物中形成交联结构。
对应于重复单元(B)的单体的例子包括：丙烯酸、3-丁烯酸、4-戊烯酸、5-己烯酸、6-庚烯酸、7-辛烯酸、8-壬烯酸、甲基丙烯酸、2-甲基-3-丁烯酸、2-甲基-4-戊烯酸、2-甲基-5-己烯酸、2-甲基-6-庚烯酸、2-甲基-7-辛烯酸、2-甲基-8-壬烯酸、4-乙烯基苯甲酸、苯甲酸叔丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸9-羟基萘基酯、丙烯酸9-羟基萘基酯、甲基丙烯酸4-羟基苯基酯、丙烯酸4-羟基苯基酯和4-羟基苯乙烯。考虑到可获得性，优选的是丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸4-羟基苯基酯和4-羟基苯乙烯。对于如何获得所述单体没有特别的限制，并且可以使用市售的单体或对它们进行合成而使用。可以组合使用两种以上的对应于重复单元(B)的单体。例如，例如，作为对应于重复单元(B)的单体，甲基丙烯酸或4-羟基苯乙烯可以与丙烯酸或4-羟基苯乙烯组合使用。将构成式(4)的聚合物的所有单体的总量视为100mol％，所述单体的使用量优选为60～90mol％，更优选70～80mol％。
可以使用自由基或离子聚合引发剂以上述单体作为起始原料在适合的溶剂中来进行形成式(4)的聚合物的聚合反应。式(4)的聚合物可以具有任何结构，如无规共聚物或嵌段共聚物，因此可以根据目标结构来选择聚合条件。
聚合引发剂的例子包括2,2'-偶氮二(异丁腈)(AIBN)、2,2'-偶氮二-二甲基-(2-甲基丙酸酯)、2,2'-偶氮二-(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮二(2-环丙基丙腈)、2,2'-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮二(2,4-二甲基戊腈)、1,1'-偶氮双(环己烷腈)、过氧化苯甲酰、过氧化苯甲酸叔丁酯、二过氧邻苯二甲酸二叔丁酯、过氧-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化新戊酸叔丁酯、过氧化新戊酸叔戊酯和丁基锂。考虑到安全性和可获得性，优选的是2,2'-偶氮二(异丁腈)(下文中通常称为“AIBN”)和2,2'-偶氮二-二甲基-(2-甲基丙酸酯)。基于所有单体的总重量，其量优选为1～10wt％。
优选用于聚合反应的溶剂的例子包括：甲苯、四氢呋喃、苯、甲基戊基酮、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、乳酸乙酯、以及丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)。这些溶剂可以单独使用或组合两种以上而使用。其使用量优选为所有单体总重量的1～10倍。
聚合反应一般在50～200℃的温度下进行，优选60～150℃，更优选80～120℃。
在本发明中，对于由式(4)表示的聚合物的分子量没有特别的限制。但是，当通过凝胶渗透色谱法(GPC)以标准聚苯乙烯进行测量时，其重均分子量优选为2000～5000000Da的范围。另外，考虑到成膜性、溶解性和热稳定性，更优选式(4)的聚合物具有3000～100000Da的重均分子量。可以通过各种聚合条件如聚合时间和温度、单体的浓度和反应中使用的引发剂、以及反应溶剂等来控制由聚合反应获得的聚合物的分子量。如果选择离子聚合作为聚合反应，可以获得具有窄分子量分布的聚合物。
在完成聚合反应之后，可以通过使用通常聚合物合成中采用的技术从反应溶液中分离并纯化出聚合物。例如将作为聚合物的不良溶剂但为聚合物溶剂的良好溶剂的正己烷或正庚烷倒入到反应溶液中以分离出聚合物。但是，可以不分离或纯化聚合物而直接将由聚合反应获得的混合物溶液用作底部抗反射涂层形成用组合物的原料。
只要所有组分均均匀地溶解于本发明的用于形成底部抗反射涂层形成用组合物中，对由式(4)表示的聚合物的浓度就没有特别的限制。但是，考虑到控制厚度，其浓度基于组合物的总重量优选为1～50wt％，更优选1～2wt％。
(溶剂)
只要能够溶解所有的组分，任何溶剂均可以用在本发明的用于形成底部抗反射涂层组合物中。溶剂的例子包括乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、丙二醇、丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、环戊酮、环己酮、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基-丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羟基乙酸乙酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮。这些溶剂可以单独使用或两种以上组合使用。另外，它们可以与高沸点溶剂组合使用，例如丙二醇单丁醚和丙二醇单丁醚乙酸酯。
(光酸产生剂)
根据需要，本发明的用于形成底部抗反射涂层的组合物含有光酸产生剂。为了协助经交联的聚合物在曝光时的脱交联并由此使得目标底部抗反射涂层具有可显影性和光敏感性，组合物优选含有光酸产生剂。作为光酸产生剂，只要暴露于KrF准分子激光(波长：248nm)、ArF准分子激光(波长：193nm)等时能够产生酸，任何化合物均可以使用。
光酸产生剂可以自由地从常规已知的那些中选择。光酸产生剂的例子包括鎓盐化合物、可交联的鎓盐化合物、砜酰亚胺衍生物以及二磺酰重氮甲烷化合物。
鎓盐化合物的例子包括但不限于：碘鎓盐化合物，如二苯基碘鎓六氟磷酸盐、二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸盐、二苯基碘鎓九氟正丁烷磺酸盐、二苯基碘鎓全氟正辛烷磺酸盐、二苯基碘鎓樟脑磺酸酯、双(4-叔丁基苯基)碘鎓樟脑磺酸盐和双(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟甲烷磺酸盐；锍盐化合物，如三苯基锍六氟锑酸盐、三苯基锍九氟正丁烷磺酸盐、三苯基锍樟脑磺酸盐和三苯基锍三氟甲烷磺酸盐；和可交联的鎓盐化合物，如双(4-羟基苯基)(苯基)锍三氟甲烷磺酸盐、双(4-羟基苯基)(苯基)锍1,1,2,2,3,3,4,4,4-九氟丁烷-1-磺酸酯、苯基双(4-(2-(乙烯基氧基)乙氧基)-苯基)锍1,1,2,2,3,3,4,4-八氟-丁烷-1,4-二磺酸盐和三(4-(2-(乙烯基氧基)乙氧基)-苯基)锍1,1,2,2,3,3,4,4-八氟-丁烷-1,4-二磺酸盐。
砜马来酰亚胺衍生物的例子包括N-(三氟甲烷磺酰氧基)琥珀酰亚胺、N-(氟-正丁烷磺酰氧基)琥珀酰亚胺、N-(樟脑磺酰氧基)琥珀酰亚胺和N-(三氟甲磺酰氧基)萘二甲酰亚胺。
二磺酰重氮甲烷化合物的例子包括双(三氟甲基磺酰基)重氮甲烷、双(环己基磺酰基)重氮甲烷、双(苯磺酰基)重氮甲烷、双(对甲苯磺酰基)重氮甲烷、双(2,4-二甲基苯磺酰基)重氮甲烷和甲基磺酰基-对甲苯磺酰基重氮甲烷。本发明的用于形成底部抗反射涂层的组合物可以含有两种以上这些光酸产生剂的组合。
其它组分
根据需要，根据本发明所述的用于形成底部抗反射涂层的组合物可以含有其它附加组分。附加组分的例子包括式(4)聚合物之外的聚合物、表面活性剂和光滑剂。但它们不应该降低本发明的效果。
用于形成底部抗反射涂层的组合物
可通过均匀地混合和溶解上述组分来制备本发明的用于形成底部抗反射涂层组合物。对组分的量没有特别的限制，它们可以根据目标涂层来适当的确定。
例如，基于100重量份由式(4)表示的聚合物，本发明的组合物优选以5～40重量份的量含有式(1)的交联剂，更优选10～30重量份。
基于组合物的总重量，由式(4)表示的聚合物的量优选为1～10wt％，更优选1～3wt％。
基于100重量份式(4)的聚合物，光酸产生剂的量优选为0.01～20重量份，更优选0.02～5重量份。光酸产生剂具有能够调节光致抗蚀剂的形状的功能。其原因未完全明了，但推测是光酸产生剂控制了底部抗反射涂层的酸度。因此，光酸产生剂的加入使得能够形成有利的矩形光致抗蚀剂图案。
优选将通过混合各组分得到的组合物通过0.2～0.05μm孔大小的过滤器过滤之后再使用。由此制备的组合物具有优良的贮存稳定性，在室温下能够贮存很长时间。
(形成底部抗反应涂层的方法和图案形成方法)
下文说明了形成本发明的底部抗反射涂层的方法以及本发明的图案形成方法。
通过适当的工具(如旋涂器或涂布机)将本发明的形成底部抗反射涂层的组合物浇铸在半导体基板(例如硅/二氧化硅涂布的基板、氮化硅基板、硅晶圆基板、玻璃基板、ITO基板)上。所述组合物至少含有由式(1)表示的交联剂、由式(4)表示的聚合物、和溶剂。然后对浇铸在基板上的组合物进行焙烧以形成底部抗反射涂层。焙烧条件可以适当地确定。例如，焙烧温度一般为80～250℃，优选100～250℃；焙烧时间一般为0.3～5分钟，优选0.5～2分钟。在这种焙烧过程中，在浇铸的组合物中发生硬化反应，形成底部抗反射涂层。
在由此形成的底部抗反射涂层上例如涂布正型光致抗蚀剂组合物。此处，“正型光致抗蚀剂”是指在曝光时引起反应并由此增加了在碱性显影溶液中的溶解性的物质。只要是对用于图案形成的曝光的光敏感，对光致抗蚀剂就没有特别的限制，可以采用任何正型光致抗蚀剂、负型光致抗蚀剂或负基调显影(NTD)光致抗蚀剂。
此后，通过使用预定掩模进行曝光。对用于曝光的光波长没有特别的限制，但优选使用13.5～248nm的光。光的例子包括KrF准分子激光(波长：248nm)、ArF准分子激光(波长：193nm)或极端UV光(波长：13.5nm)。如果通过使用非常短波长的光来进行曝光，例如极端UV光，光强度一般太弱，使得底部抗反射涂层不能非常有效地防止光反射，但是涂层发挥了抑制置于其下方的基板释放出的气体的不利影响的作用。曝光之后，可以进行曝光后焙烧。曝光后焙烧温度为80～150℃，优选100～140℃；且其时间为0.3～5分钟，优选0.5～2分钟。
接着，通过使用显影溶液进行显影。由此，在曝光的区域中，显影并去除了正型光致抗蚀剂层及置于其下方的底部抗反射涂层，形成了光致抗蚀剂图案。
在上述图案形成方法中使用的显影溶液是例如碱性水溶液。碱性显影溶液的例子包括：碱金属氢氧化物的水溶液，如氢氧化钾或氢氧化钠；叔铵氢氧化物的水溶液，如四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵或胆碱；胺的水溶液，如乙醇胺、丙胺或乙二胺。特别优选为2.38wt％TMAH水溶液，其通常作为碱性显影溶液来使用。这些显影溶液在室温下能够容易地溶解并去除底部抗反射涂层。显影溶液可以含有表面活性剂等。
显影溶液的温度一般为5～50℃，优选25～40℃；且显影时间一般为10～300秒，优选30～60秒。
通过使用下列实施例进一步说明了本发明，但是它们决不限制本发明的实施方式。在实施例的描述中，“份”和“％”分别是指“重量份”和“wt％”，另有说明除外。
实施例1
(2,4,6-三(((乙烯氧基)乙基)-硫基)-1,3,5-三嗪(交联剂C1)的合成)
将碳酸钙(7464份)、二甲亚砜(7876份)和2-氯乙氧基乙烯(5872份)置于装有搅拌器、冷凝器、加热器和恒温器的反应容器中，然后加热至90℃。
独立地，将1,3,5-三嗪-2,4,6-三硫醇(1097份)和二甲亚砜(8355份)置于另一容器中并且搅拌。由滴液漏斗将获得的溶液滴加入上述反应容器中，然后将混合物在90℃保持8小时。
将混合物溶液冷却到室温后，向其中加入5％氢氧化钠水溶液(10000份)和二乙醚(10000份)。收集二乙醚部分，然后向其中加入碳酸氢钠的饱和水溶液(10000份)。收集有机部分，向其中加入水(10000份)。再次收集有机部分，然后在室温减压从有机部分蒸去二乙醚和2-氯乙氧基乙烯。由此以90％的收率得到了2,4,6-三(((乙烯氧基)乙基)硫基)-1,3,5-三嗪(交联剂C1)。
(交联剂C1的波谱数据)
1H-NMR(CDCl3,δppm):6.46(dd,3H,J＝7.0和3.4Hz,CH＝CH2),4.23(dd,3H,J＝7.2和1.0Hz,CH＝CH 2),4.06(dd,3H,J＝3.4和1.2Hz,CH＝CH 2),3.94(t,6H,J＝6.4Hz,CH 2O),3.37(t,6H,J＝6.6Hz,SCH 2)
13C-NMR(CDCl3):179.09,151.25,87.27,65.89,29.05.
实施例2
(2,4,6-三(2-乙烯氧基)乙氧基)-l,3,5-三嗪(交联剂C2)的合成)
将碳酸钙(7464份)、二甲亚砜(7876份)和2-氯乙氧基乙烯(5872份)置于装有搅拌器、冷凝器、加热器和恒温器的反应容器中，然后加热至90℃。
独立地，将1,3,5-三嗪-2,4,6-三醇(1097份)和二甲亚砜(8355份)置于另一容器中并且搅拌。由滴液漏斗将获得的溶液滴加入上述反应容器中，然后将混合物在90℃保持8小时。
将混合物溶液冷却到室温后，向其中加入5％氢氧化钠水溶液(10000份)和二乙醚(10000份)。收集二乙醚部分，然后向其中加入碳酸氢钠的饱和水溶液(10000份)。收集有机部分后，向其中加入水(10000份)。再次收集有机部分，然后在室温减压从有机部分蒸去二乙醚和2-氯乙氧基乙烯。由此以70％的收率得到了2,4,6-三(2-乙烯氧基)乙氧基)-l,3,5-三嗪(交联剂C2)。
(交联剂C2的波谱数据)
1H-NMR(CDCl3,δppm):6.45(dd,3H,J＝7.0和3.4Hz,CH＝CH2),4.51(t,6H,J＝6.6Hz,CH 2CH2OCH),4.33(t,6H,J＝6.6Hz,CH2CH 2OCH),4.15(dd,3H,J＝7.2和1.0Hz,CH＝CH 2),4.03(dd,3H,J＝3.4和1.2Hz,CH＝CH 2)
13C-NMR(CDCl3):172.70,151.80,84.60,69.4,67.5.
实施例3
(4,6-二(2-(乙烯氧基)乙氧基)嘧啶(交联剂C3)的合成)
将碳酸钙(7464份)、二甲亚砜(7876份)和2-氯乙氧基乙烯(5872份)置于装有搅拌器、冷凝器、加热器和恒温器的反应容器中，然后加热至90℃。
独立地，将嘧啶-4,6-二醇(1097份)和二甲亚砜(8355份)置于另一容器中并且搅拌。由滴液漏斗将获得的溶液滴加入上述反应容器中，然后将混合物在90℃保持8小时。
将混合物溶液冷却到室温后，向其中加入5％氢氧化钠水溶液(10000份)和二乙醚(10000份)。收集二乙醚部分，然后向其中加入碳酸氢钠的饱和水溶液(10000份)。收集有机部分后，向其中加入水(10000份)。再次收集有机部分，然后在室温减压从有机部分蒸去二乙醚和2-氯乙氧基乙烯。由此以70％的收率得到了4,6-二(2-(乙烯氧基)乙氧基)嘧啶(交联剂C3)。
(交联剂C3的波谱数据)
1H-NMR(CDCl3,δppm):9.59(s,1H),6.45(dd,3H,J＝7.0和3.4Hz,CH＝CH2),6.44(s,1H),4.51(t,6H,J＝6.6Hz,CH 2CH2OCH),4.33(t,6H,J＝6.6Hz,CH2CH 2OCH),4.15(dd,3H,J＝7.2和1.0Hz,CH＝CH 2),4.03(dd,3H,J＝3.4和1.2Hz,CH＝CH 2)
13C-NMR(CDCl3):170.5,161.9,151.8,84.6,82.1,69.4,67.5.
实施例4
(2,3-二(2-(乙烯氧基)乙氧基)吡啶(交联剂C4)的合成)
将碳酸钙(7500份)、二甲亚砜(7900份)和2-氯乙氧基乙烯(5800份)置于装有搅拌器、冷凝器、加热器和恒温器的反应容器中；并且加热至90℃。
独立地，将吡啶-2,3-二醇(1000份)和二甲亚砜(7900份)置于另一容器中并且搅拌。由滴液漏斗将获得的溶液滴加到上述反应容器中，然后在90℃将混合物保持8小时。
将混合物溶液冷却到室温后，向其中加入5％氢氧化钠水溶液(10000份)和二乙醚(10000份)。收集二乙醚部分，然后向其中加入碳酸氢钠的饱和水溶液(10000份)。收集有机部分后，向其中加入水(10000份)。再次收集有机部分，然后在室温减压从有机部分蒸去二乙醚和2-氯乙氧基乙烯。由此，以78％的收率获得了2,3-二(2-(乙烯氧基)乙氧基)吡啶(交联剂C4)。
(交联剂C4的波谱数据)
1H-NMR(CDCl3,δppm):8.06(d,1H,J＝4.4Hz,CHN),7.30(d,1H,J＝4.4Hz,CHCS),6.78(m,1H),6.45(dd,2H,J＝7.0和3.4Hz,CH＝CH2),4.15(dd,2H,J＝7.2和1.0Hz,CH＝CH 2),4.03(dd,2H,J＝3.4和1.2Hz,CH＝CH 2),3.94(t,4H,J＝6.4Hz,CH 2O),3.61(t,4H,J＝6.6Hz,SCH 2)
13C-NMR(CDCl3):151.8,146.3,146.1,145.5,132.2,125.2,84.6,66.8,39.8.
实施例5
(2,4,6-三((4-乙烯氧基)丁基)-硫基)-l,3,5-三嗪(交联剂C5)的合成)
将碳酸钙(7400份)、二甲亚砜(7800份)和1-氯-4-(乙烯氧基)丁烷(5800份)置于装有搅拌器、冷凝器、加热器和恒温器的反应容器中；然后加热至90℃。
独立地，将2,4,6-三(((乙烯氧基)乙基)-硫基)-l,3,5-三嗪(1000份)和二甲亚砜(8300份)置于另一容器中并且搅拌。由滴液漏斗将获得的溶液滴加到上述反应容器中，然后在90℃将混合物保持8小时。
将混合物溶液冷却到室温后，向其中加入5％氢氧化钠水溶液(10000份)和二乙醚(10000份)。收集二乙醚部分，然后向其中加入碳酸氢钠的饱和水溶液(10000份)。收集有机部分后，向其中加入水(10000份)。再次收集有机部分，然后在室温减压从有机部分蒸去二乙醚和2-氯乙氧基乙烯。由此，以88％的收率获得了2,4,6-三((4-乙烯氧基)丁基)-硫基)-l,3,5-三嗪(交联剂C5)。
(交联剂C5的波谱数据)
1H-NMR(CDCl3,δppm):6.45(dd,3H,J＝7.0和3.4Hz,CH＝CH2),4.15(dd,3H,J＝7.2和1.0Hz,CH＝CH 2),4.03(dd,3H,J＝3.4和1.2Hz,CH＝CH 2),4.01(t,6H,J＝6.4Hz,CH 2O),3.10(t,6H,J＝6.6Hz,SCH 2),1.71(m,6H,OCH2CH 2),1.66(m,6H,SCH2CH 2).
13C-NMR(CDCl3):181.1,151.1,81.3,66.5,36.7,29.0,26.6.
聚合物合成例1
(HS/AMMA/MAA(50/25/25)三元共聚物(聚合物P1)的合成)
将作为溶剂的丙二醇单甲醚乙酸酯(2000份)置于装有搅拌器、冷凝器、加热器和恒温器的反应容器中。使用氮气对溶剂吹扫30分钟，然后加热至90℃。
独立地，将甲基丙烯酸9-蒽-甲酯(AMMA,1582份)、乙酰氧基苯乙烯(1857份)、甲基丙烯酸(MAA,493份)、偶氮二(异丁腈)(自由基聚合引发剂AIBN,118份)和丙二醇单甲醚乙酸酯(7450份)置于另一容器中并且搅拌。使用氮气将获得的单体溶液吹扫30分钟。
然后通过蠕动泵经2小时将单体溶液导入到反应容器中。在完成导入之后，将反应混合物在90℃保持4小时。
冷却到室温后，将混合物倒入到正庚烷(50000份)中。然后去除上清部分，并且将剩余的反应混合物溶解于四氢呋喃(7000份)中。将获得的溶液倒入到正庚烷(50000份)中以形成白色沉淀。通过减压过滤分离出沉淀，并且在真空炉中在50℃干燥过夜。
干燥后，加入四氢呋喃(7000份)、25％TMAH甲醇溶液(3090份)和水(10000份)，然后将混合物在室温搅拌2小时。在完成反应后，向反应溶液中加入0.5％HCl(64000份)以形成白色沉淀。通过减压过滤分离出沉淀，然后溶解于四氢呋喃(7000份)中。将获得的溶液倒入到水(50000份)中以形成白色沉淀。通过减压过滤分离出沉淀，并且在真空炉中在50℃干燥过夜。
干燥后，获得了白色粉末形式的HS/AMMA/MAA(50/25/25)三元共聚物(聚合物P1)(收率：75％)。通过GPC(THF)测量产物的分子量，发现产物的重均分子量Mw为8903Da、数均分子量Mn为4287Da且多分散指数PDI为2.08。
聚合物合成例2
(PQMA/AMMA/EtCpMA(66/22.5/11.5)三元共聚物(聚合物P2)的合成)
在装有机械搅拌器、冷凝器、氮气入口和恒温器的250mL圆底烧瓶中，混合384g丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)溶剂、6.24g甲基丙烯酸2-乙基环戊酯(EtCpMA)、34.99g甲基丙烯酸4-羟苯酯(PQMA)、18.50g甲基丙烯酸9-蒽甲酯(AMMA)和5.97g偶氮二(异丁腈)(AIBN)引发剂并且用氮气吹扫30分钟。通过加热套在70℃将脱气的反应混合物加热5小时以促进聚合。此后，在氮气气氛下将反应混合物冷却到室温。当混合物的温度降到30℃时，加入9g甲醇以终止反应。将获得的PGMEA溶液倒入到两倍体积的己烷中，以沉淀聚合物。收集沉淀的聚合物并且使用水和甲醇的混合物洗涤三次，然后在40℃干燥48小时。
作为上述工序的结果，获得了56.66g聚合物P2(收率：94.9％)。测量了产物的分子量，发现产物的重均分子量Mw为21910Da、数均分子量Mn为8572Da且多分散指数PDI为2.56。
聚合物合成例3
(PQMA/AMMA/EdMA/MAA(54/29/12/5)四元共聚物(聚合物P3)的合成)
在装有机械搅拌器、冷凝器、氮气入口和恒温器的250mL圆底烧瓶中，放置31g甲基戊基酮(MAK)并且用氮气吹扫30分钟。然后在80℃加热经脱气的溶剂。独立地，将3.95g甲基丙烯酸2-乙基金刚烷酯(EAdMA)、12.98g甲基丙烯酸4-羟苯酯(PQMA)、10.25g甲基丙烯酸9-蒽甲酯(AMMA)、0.57g甲基丙烯酸(MAA)和1.11g偶氮二(异丁腈)(AIBN)引发剂溶解于70g MAK中，然后用氮气吹扫30分钟。通过注射泵历经3小时将获得的脱气的混合物加入到上述烧瓶中的预热溶剂中。将反应混合物在80℃进一步维持加热3小时，以促进聚合。此后，在氮气气氛下将反应混合物冷却到室温。当混合物的温度降到30℃时，加入4g甲醇以终止反应。将获得的MAK溶液倒入到两倍体积的己烷中，以沉淀聚合物。收集沉淀的聚合物并且使用水和甲醇的混合物洗涤三次，然后在40℃干燥48小时。
作为上述工序的结果，获得了26.90g聚合物P3(收率：93.2％)。测量了产物的分子量，发现产物的重均分子量Mw为10701Da、数均分子量Mn为5515Da且多分散指数PDI为1.94。
聚合物合成例4
(AMMA/MAA(20/80)共聚物(聚合物P4)的合成)
在装有搅拌器、冷凝器、加热器和恒温器的反应容器中，放置N,N'-二甲基甲酰胺(150份)和甲基戊基酮(150份)以制备混合溶剂。使用氮气将溶剂吹扫30分钟，然后加热至120℃。
独立地，将甲基丙烯酸9-蒽甲酯(AMMA,279份)、甲基丙烯酸(MAA,534份)、2,2'-偶氮二(2-甲基异丁酸)二甲酯(自由基聚合引发剂，83份)、N,N'-二甲基甲酰胺(900份)和甲基戊基酮(900份)置于另一容器中，然后搅拌以制备单体溶液。使用氮气将获得的溶液吹扫30分钟。
然后通过蠕动泵历经2小时将单体溶液导入到反应容器中。在完成导入之后，将反应混合物在120℃保持4小时。
冷却到室温之后，将混合物倒入到正庚烷(15000份)中。然后去除上清部分，并且将剩余反应混合物溶解于四氢呋喃(2000份)中。将获得的溶液倒入到水(15000份)中以形成白色沉淀。通过减压过滤分离沉淀，并且在真空炉中在50℃干燥过夜。
作为干燥的结果，以780份的量获得了白色形式的AMMA/MAA(20/80)共聚物(聚合物P4)(收率：96％)。通过GPC(THF)测量产物的分子量，发现产物的重均分子量Mw为6389Da、数均分子量Mn为2159Da且多分散指数PDI为2.96。
聚合物合成例5
(PQMA/MAdMA(75/25)共聚物(聚合物P5)的合成)
在装有搅拌器、冷凝器、加热器和恒温器的反应容器中，放置作为溶剂的甲基戊基酮(MAK，100份)并且用氮气吹扫30分钟，然后加热至120℃。
独立地，将甲基丙烯酸4-羟苯酯(PQMA,189份)、甲基丙烯酸2-甲基金刚烷-2-基酯(MAdMA,83份)、2,2'-偶氮二(2-甲基异丁酯)二甲酯(自由基聚合引发剂，27份)和甲基戊基酮(MAK,600份)置于另一容器中，然后搅拌以制备单体溶液。使用氮气吹扫获得的溶液30分钟。
然后通过蠕动泵历经2小时将单体溶液导入到反应容器中。在完成导入之后，将反应混合物在120℃保持4小时。
在冷却到室温之后，将混合物倒入到正庚烷(5000份)中。去除上清部分，并且将剩余反应混合物溶解于四氢呋喃(700份)中。将获得的溶液加入到正庚烷(5000份)中，以形成白色沉淀。通过减压过滤分离沉淀，并且在真空炉中在50℃干燥过夜。
作为干燥的结果，以280份的量获得了PQMA/MAdMA(75/25)共聚物(聚合物P5)(收率：93％)。通过GPC(THF)测量产物的分子量，发现产物的重均分子量Mw为6389Da、数均分子量Mn为3227Da且多分散指数PDI为1.98。
聚合物合成例6
(HNMA/AMMA/OTMA(60/25/15)三元共聚物(聚合物P6)的合成)
在配备有磁力搅拌器、冷凝器、氮气入口和恒温器的250mL圆底烧瓶中，放置135g丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)溶剂并且用氮气吹扫30分钟。通过加热套将脱气的溶剂在80℃加热。独立地，混合16.7g甲基丙烯酸9-羟萘基酯(HNMA)、3.4g甲基丙烯酸氧硫杂环己烷基酯(OTMA)、8.43g甲基丙烯酸9-蒽甲酯(AMMA)、1.44g偶氮二(异丁腈)(AIBN)引发剂和135g PGMEA并且用氮气吹扫30分钟，制备脱气的PGMEA溶液。由均压滴液漏斗历经3小时将获得的PGMEA溶液滴加到上述加热的溶剂中。再将反应混合物在80℃保持3小时，以促进聚合。此后，在氮气气氛下将反应混合物冷却到室温。当混合物的温度降到30℃时，加入4.5g甲醇以终止反应。将得到的PGMEA溶液倒入到两倍体积的己烷中，以沉淀聚合物。收集沉淀的聚合物(聚合物P6)并且使用水和甲醇的混合物洗涤三次，然后在真空炉中在40℃干燥48小时。
应用例1
向聚合物P1(61份)中加入交联剂C1(7份)、三苯基锍盐(下文中称为"TPS",9份)、丙二醇单甲醚乙酸酯(956份)、丙二醇单甲醚(1867份)和乳酸乙酯(57份)。在室温将获得的混合物搅拌30分钟，制备底部抗反射涂层形成用组合物。
通过旋涂将制备的底部抗反射涂层形成用组合物浇铸在硅微芯片晶圆上，并且通过在真空热板上在190℃加热60秒进行交联，获得底部抗反射涂层。通过椭圆偏振计测量获得的涂层，发现在248nm下的折射率(n值)和消光系数(k值)分别为1.54和0.46。在193nm下的折射率(n值)和消光系数(k值)分别为1.91和0.47。
独立地，重复上述工序并且在190℃焙烧以形成底部抗反射涂层。经证实，形成的涂层不溶于任何乳酸乙酯、丙二醇单甲醚乙酸酯和丙二醇单甲醚。
接着，在所获得的抗反射涂层上旋涂市售的248nm正型光致抗蚀剂。在真空热板上在120℃对形成的抗蚀剂层进行软焙烧，然后通过光掩模成像式曝光于248nm的辐射下。在130℃进行曝光后焙烧60秒后，使用2.38wt％TMAH水溶液对抗蚀剂层进行显影。作为这种显影的结果，在由光掩模界定的区域中去除了光致抗蚀剂层以及其下方的底部抗反射涂层。在曝光于辐射的区域中，抗反射涂层与光致抗蚀剂一起被溶解并且未观察到任何涂层残留物。所形成的图案具有的横截面中，光致抗蚀剂和底部抗反射涂层两者均显示出垂直于基板表面的矩形侧面。另外，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。
独立地，在所获得的底部抗反射涂层上，旋涂市售193nm正型光致抗蚀剂。在真空热板上在120℃对形成的抗蚀剂层进行60秒软焙烧，然后通过光掩模成像式曝光于193nm的辐射下。在130℃进行曝光后焙烧60秒后，使用2.38wt％TMAH水溶液对抗蚀剂层进行显影。作为这种显影的结果，在由光掩模界定的区域中去除了光致抗蚀剂层及下方的底部抗反射涂层。在曝光于辐射的区域中，抗反射涂层与光致抗蚀剂一起被溶解并且未观察到涂层的任何残留。所形成的图案具有的横截面中，光致抗蚀剂和底部抗反射涂层均显示出垂直于基板表面的矩形侧面。另外，未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣。
应用例2～12和应用比较例1和2
除了将底部抗反射涂层形成用组合物的组分改变为表1中所示的那些之外，重复应用例1的工序，制备并评价了应用例2～12以及应用比较例1和2。在应用比较例1和2中，分别使用环己烷-l,2,4-三羧酸三((4-乙烯氧基)丁基)酯(下文中称为"CA")和苯-l,2,4-三羧酸三((4-乙烯氧基)-丁基)酯(下文中称为"CB")用作交联剂。结果如表1所示。
表1
评价标准
耐溶剂性
A：底部抗反射涂层不溶于任何乳酸乙酯、丙二醇单甲醚乙酸酯和丙二醇单甲醚；
B：底部抗反射涂层轻微地溶解于乳酸乙酯、丙二醇单甲醚乙酸酯或丙二醇单甲醚，但在实用上不存在任何问题；和
C：底部抗反射涂层可溶于乳酸乙酯、丙二醇单甲醚乙酸酯和丙二醇单甲醚中一种或全部，并且不实用。
图案的截面形状
A：光致抗蚀剂和底部抗反射涂层均显示出垂直于基板表面的矩形侧面；
B：光致抗蚀剂和底部抗反射涂层均显示出不垂直于而是稍微倾斜于基板表面的侧面，但在实用上不存在任何问题；和
C：光致抗蚀剂和底部抗反射涂层均显示出相对于基板表面为嵌合形状的侧面。
浮渣
A：未观察到由底部抗反射涂层形成的浮渣；
B：观察到由底部抗反射涂层形成的轻微浮渣，但是实用上可以忽略；和
C：观察到由底部抗反射涂层形成的大量浮渣。

Claims (8)

1.一种由下式(1)表示的交联剂：
其中
E1～E3各自独立地选自于由碳原子和氮原子组成的组，但是它们中的至少一个是氮原子；
F1～F3各自独立地选自于由氧原子和硫原子组成的组；
G1～G3各自独立地选自于由乙烯氧基、N-甲氧基甲基酰胺基团和氢原子组成的组，但是它们中的至少一个是乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团；并且
p1～p3各自独立地选自于包括0的整数，但是它们中的至少任何两个至少为1或大于1。
2.根据权利要求1所述的交联剂，其中E1～E3均为氮原子。
3.一种用于制备根据权利要求1所述的交联剂的方法，其特征在于，
使由下式(2)表示的化合物和由下式(3)表示的化合物与碱性化合物反应，
其中E1～E3各自独立地选自于由碳原子和氮原子组成的组，但是它们中的至少一个是氮原子；且F1～F3各自独立地选自于由氧原子和硫原子组成的组；
其中X选自于由氯原子、溴原子和碘原子组成的组；G为乙烯氧基或N-甲氧基甲基酰胺基团；且p为0以上的整数。
4.一种用于形成底部抗反射涂层的组合物，其包含：
溶剂，
根据权利要求1或2所述的交联剂，和
由下式(4)表示的聚合物：
-Am-Bn-   (4)
其中，A和B分别是由下式(A)和(B)表示的重复单元；
其中，R1和R2各自独立地是从由氢原子和烷基组成的组中选择的基团；
L是从由单键、具有一个以上碳原子的直链及支链亚烷基、和COO组成的组中选择的连接基团；
Y是含有一个以上苯环的芳香族基团，但是该芳香族基团可以具有或不具有从由烷基、芳基、卤素原子、烷氧基、硝基、醛、氰基、酰胺、二烷基氨基、磺酰胺、酰亚胺基、羧基、羧酸酯、磺基、磺酸酯、烷基氨基和芳基氨基组成的组中选择的取代基，并且所述芳香族基团中含有的苯环之一可以被替换为醌环；并且
Z是从由R3COOR4和R3OR4组成的组中选择的基团，其中R3是从由单键、氧原子、芳香环和具有一个以上碳原子且可以被氟原子取代的直链及支链亚烷基组成的组中选择的基团，并且其中R4是从由氢原子、取代的烃基和非取代的烃基组成的组中选择的基团；
所述重复单元A和B可以无规连接或形成嵌段，
所述重复单元A和B各自可以是两种以上具有不同结构的重复单元的组合，并且
m和n是表示聚合度的数字并且分别为10以上的数和0以上的数。
5.根据权利要求4所述的用于形成底部抗反射涂层的组合物，进一步包含光酸产生剂。
6.一种底部抗反射涂层，其是通过将权利要求4所述的用于形成底部抗反射涂层的组合物浇铸在基板上并且加热来形成的。
7.一种图案形成方法，包括：
将权利要求4所述的用于形成底部抗反射涂层的组合物浇铸在半导体基板上，然后对其进行焙烧以形成底部抗反射涂层；
在底部抗反射涂层上形成光致抗蚀剂层；
将覆盖有底部抗反射涂层和光致抗蚀剂层的半导体基板曝光；和
使用显影溶液对经曝光的基板进行显影。
8.根据权利要求7所述的图案形成方法，其中所述曝光是通过使用13.5～248nm波长范围内的光来进行的。
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