CN104471020A - 用于有机电致发光器件的材料 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及式(1)和式(2)的化合物，所述化合物适用于电子器件、尤其是有机电致发光器件中。

Description

用于有机电致发光器件的材料
技术领域
本发明涉及适用于电子器件中、特别是有机电致发光器件中的材料。
背景技术
例如，在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中，描述了其中利用有机半导体作为功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。在这里使用的发光材料越来越多地是显示磷光而不是荧光的有机金属络合物(M.A.Baldo等，Appl.Phys.Lett.(应用物理快报)1999,75,4-6)。出于量子力学的原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体可实现高达四倍的能量和功率效率。通常，在OLED的情况中，特别是另外在显示三重态发光(磷光)的OLED的情况中，例如就效率、工作电压和寿命而言仍需要改进。这尤其适用于在相对短波区域发光的OLED。
磷光OLED的性能并非仅仅由使用的三重态发光体确定。特别是，使用的其它材料，例如基质材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料，在此处同样特别重要。因此，对这些材料的改进也可导致OLED性能的显著改进。在这些材料用于荧光OLED的情况下，同样仍需要改进。
本发明的目的是提供适合在荧光或磷光OLED中、特别是在磷光OLED中使用的化合物，所述化合物例如用作基质材料或用作空穴传输/电子阻挡材料或激子阻挡材料。
令人预料不到的是，已经发现以下更详细描述的特定化合物实现了这一目的，并在有机电致发光器件中产生了特别是关于寿命、效率和工作电压的改进。这尤其在使用本发明化合物作为基质材料的情况中适用，但也在用作空穴传输材料或空穴注入材料的情况中适用。因此，本发明涉及这些材料和包括这种类型化合物的有机电致发光器件。
WO 2011/042107公开了被三嗪或其它缺电子杂芳基基团取代的桥连的咔唑衍生物，其中被缺电子杂芳基取代基团是必须的。特别地，将这些化合物描述为用于磷光发光体的基质材料。未公开不具有这种取代模式的化合物。
WO 2011/088877公开了被二芳基氨基、三芳基氨基或咔唑基团取代的桥连的咔唑衍生物，其中被这些基团取代是必须的。未公开不具有这种取代模式的化合物。
发明内容
令人预料不到地，已经发现，在有机电致发光器件中使用根据本发明的化合物产生了良好的电子性能。
因此，本发明涉及下式(1)或(2)的化合物，
其中如下适用于所使用的符号和标记：
V在每次出现时相同或不同地是N、P或P＝O；
X在每次出现时相同或不同地是CR或N；或如果基团L键合到X，则该基团X代表C；
Y、Y1、Y2、Y3在每次出现时相同或不同地是单键或C(R1)2、NR1、O、S、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、Si(R1)2、BR1、PR1、P(＝O)R1、SO、SO2；条件是Y和Y1不同时代表单键且Y2和Y3不同时代表单键；
Z在每次出现时相同或不同地是CR或N；或如果基团Y1或Y2或Y3键合到Z，则该基团Z代表C；
L：如果q＝1，则L相同或不同地为R；或者L相同或不同地是具有1～40个C原子的二价、三价、四价、五价或六价的直链亚烷基、烷叉基、亚烷氧基或硫代亚烷氧基基团，或具有3～40个C原子的支链或环状的亚烷基、烷叉基、亚烷氧基或硫代亚烷氧基基团，或具有2～40个C原子的亚烯基或亚炔基基团，所述基团在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代，其中在每种情况下一个或多个不相邻的CH2基团可以被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、P(＝O)R2、S＝O、SO2、-O-、-S-或-CONR2-代替，和其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5～40个芳族环原子的二价、三价、四价、五价或六价的芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代，或具有5～60个芳族环原子的杂芳族环系，其仅包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代，或P(R2)3-r、P(＝O)(R2)3-r、C(R2)4-r、Si(R2)4-r、N(Ar)3-r，其中r代表2、3或4，条件是r不大于L的最大化合价；或L是化学键，在此情况中q＝2；此处基团L的化合价＝q+1；
n、m、p在每次出现时相同或不同地是0或1，其中n＝0或m＝0或p＝0指的是，相应基团Y1或Y2或Y3分别不存在，且基团R代替Y2或Y3键合到相应的碳原子；
q为1、2、3、4、5或6；
R、R1在每次出现时相同或不同地选自如下基团：H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，C(＝O)Ar，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar)2，具有1～40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3～40个C原子的支链或环状烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有2～40个C原子的烯基或炔基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2代替，和其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有6～60个芳族环原子的芳族环系，其在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代，具有5～60个芳族环原子的杂芳族环系，其包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代，具有5～60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，其可以被一个或多个基团R2取代，或具有5～60个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团，其可以被一个或多个基团R2取代，其中键合到相同基团Y的两个取代基R1可以任选地相互形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代；此外，两个相邻的基团R可以形成稠合上的苯并环，其可以被一个或多个基团R2取代；如果基团L键合到相应的碳原子，则式(2)中的基团R不存在；
R2在每次出现时相同或不同地选自如下基团：H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，C(＝O)Ar，C(＝O)R3，P(＝O)(Ar)2，具有1～40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3～40个C原子的支链或环状烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有2～40个C原子的烯基或炔基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R3取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、C＝O、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，和其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5～60个芳族环原子的芳族环系，其在每种情况下可以被一个或多个基团R3取代，具有5～60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，其可以被一个或多个基团R3取代，或具有5～60个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团；
Ar在每次出现时相同或不同地是具有5～30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可以被一个或多个非芳族基团R3取代；键合到相同P原子的两个基团Ar此处还可以通过单键或选自N(R3)、C(R3)2、O或S的桥连基相互桥连；
R3是选自如下的基团：H，D，F，CN，具有1～20个C原子的脂族烃基团或具有5～30个芳族环原子的芳族环系，其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I或CN代替；
本发明不包括如下化合物：
相邻的基团R被认为指的是，键合到相互直接连接的碳原子的基团R。
在本发明意义上的芳基基团包含6至60个C原子；在本发明意义上的杂芳基基团包含2至60个C原子和至少一个杂原子，条件是C原子和杂原子的总和至少是5。所述杂原子优选选自O和/或S和任选另外的N。芳基基团或者杂芳基基团在此被认为是指简单的芳族环，即苯，或者简单的杂芳族环，例如噻吩、呋喃等，或者稠合(缩合)的芳基或杂芳基基团，如萘、蒽、菲、苯并呋喃、苯并噻吩等。相比之下，通过单键相互连接的芳族环，例如联苯，不称作芳基或杂芳基基团，而是称作芳族环系。
在本发明意义上含硫或含氧的杂芳基基团是包含至少一个硫原子或氧原子的杂芳基基团，特别是呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并呋喃和二苯并噻吩。
在本发明意义上的芳族环系在所述环系中包含6～80个C原子。在本发明意义上的杂芳族环系在所述环系中包含2～60个C原子和至少一个杂原子，条件是C原子和杂原子的总和至少为5。所述杂原子优选选自O和/或S和任选另外的N。存在于所述杂芳族环系中的杂芳基基团仅为含硫或含氧的基团。在本发明意义上的芳族或杂芳族环系旨在指如下体系，该体系不必仅包含芳基或杂芳基基团，而是在该体系中多个芳基或杂芳基基团还可以通过一个或多个C原子来连接。因此，例如，和其中两个或更多个芳基基团例如通过短的烷基基团连接的体系一样，诸如芴、9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴等的体系，也旨在被认为是本发明意义上的芳族环系。此外，将通过单键相互连接的芳族环例如联苯称为本发明意义上的芳族环系。
为了本发明的目的，通常可包含1～40或另外1～20个C原子的且其中单独的H原子或CH2基团还可以被上述基团取代的脂族烃基团或烷基基团或烯基或炔基基团，优选是指如下基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。具有1～40个C原子的烷氧基基团优选是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、环庚氧基、正辛氧基、环辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基和2,2,2-三氟乙氧基。具有1至40个C原子的硫代烷基基团特别是指甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、环庚硫基、正辛硫基、环辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、环戊烯硫基、己烯硫基、环己烯硫基、庚烯硫基、环庚烯硫基、辛烯硫基、环辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。一般来讲，根据本发明的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷基基团可以是直链、支链或环状的，其中一个或多个非相邻的CH2基团可被上述基团代替；此外，一个或多个H原子也可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，优选被F、Cl或CN代替，还优选被F或CN代替，特别优选被CN代替。
在每一情况下也可被上述基团R2或R3取代并且可通过芳族或杂芳族基团上任何需要的位置连接的具有5～80个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，特别是指衍生自如下物质的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、苯并菲、芘、、苝、荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、偶苯、三联苯、三聚苯、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴、三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吩噻嗪、吩嗪、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、异唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、吩噻嗪、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑和苯并噻二唑，或衍生于这些体系的组合的基团。
在本发明的优选实施方案中，V代表N。
在本发明另外优选的实施方案中，Y、Y1、Y2和Y3在每次出现时相同或不同地代表单键、C(R1)2、NR1、O或S，尤其优选代表单键或C(R1)2。
在本发明另外优选的实施方案中，每个环中基团X和Z中最多一个代表N，且该环中的其它基团X和Z代表CR，或如果基团Y1或Y2或Y3键合到Z，则该Z代表C，且如果基团L与X键合，则X代表C。尤其优选地，所有的X和Z都代表CR，或如果基团Y1或Y2或Y3键合到Z，则该Z代表C，且如果基团L键合到X，则该X代表C。
因此，式(1)或(2)的优选实施方案是下式(1a)或(2a)的化合物，
其中以下适用于使用的符号：
Y、Y1、Y2、Y3在每次出现时相同或不同地为单键、C(R1)2、NR1、O或S；
X、Z为CR或N，条件是每个环中基团X和Z中最多一个代表N，且该环中的其它基团X和Z代表CR，或如果基团Y1或Y2或Y3键合到Z，则该Z代表C，且如果基团L键合到X，则该X代表C；
且使用的其它符号和标记具有上文给出的含义。
式(1)或(2)的尤其优选的实施方案是下式(1b)或(2b)的化合物，
其中以下适用于使用的符号：
Y、Y1、Y2、Y3在每次出现时相同或不同地为单键、C(R1)2、NR1、O或S，特别是单键或C(R1)2；
Z为CR，或如果Y1或Y2或Y3键合到Z，则该Z为C；
且使用的其它符号和标记具有上文给出的含义；
如果基团L在此处键合，则该位置处不存在基团R。
还优选式(1)、(1a)、(1b)或(2)、(2a)、(2b)的化合物，其中Y代表单键。同样优选式(1)或(2)的化合物，其中Y代表C(R1)2、NR1、O或S，和Y2相同或不同地代表C(R1)2、NR1、O或S，和n＝0且p＝0。同样优选式(1)或(2)的化合物，其中Y代表C(R1)2、NR1、O或S，和Y3相同或不同地代表C(R1)2、NR1、O或S，和n＝0且m＝0。
因此，式(1)或(1a)或(1b)的优选实施方案为下式(3)～(5)的化合物，且式(2)或(2a)或(2b)的优选实施方案为下式(6)～(8)的化合物，
其中使用的符号和标记具有上文给出的含义，且如果键合基团L，则在该位置处不存在基团R。
在式(1)或式(2)化合物的优选实施方案或上述优选实施方案中，标记q＝1和L代表基团R。
因此，式(3)～(8)化合物的优选实施方案为下式(3a)、(4a)和(5a)的化合物，
其中使用的符号和标记具有上文给出的含义。
式(3)化合物的优选实施方案为下式(9)～(13)的化合物，且式(6)的化合物的优选实施方案为下式(14)～(18)的化合物，
其中使用的符号和标记具有上文给出的含义。在式(9)、(10)、(14)和(15)中，Y3优选代表单键。
式(3a)化合物的优选实施方案为下式(19)～(23)的化合物，
其中使用的符号和标记具有上文给出的含义。在式(19)和(20)中，Y3优选代表单键。
在本发明的优选实施方案中，在式(3)～(23)化合物的每个环中基团X和Z中共计最多一个基团代表N。尤其优选地，所有基团X和Z都代表CR或C。
因此本发明尤其优选的实施方案为下式(19a)～(23a)的化合物，
其中使用的符号和标记具有上文给出的含义。在式(19a)和(20a)中，Y3优选代表单键。
因此本发明非常尤其优选的实施方案为下式(19b)～(23b)的化合物，
其中使用的符号和标记具有上文给出的含义。在式(19b)和(20b)中，Y3优选代表单键。
式(4a)和(5a)的优选实施方案为下式(24)和(25)的化合物，
其中使用的符号具有上文给出的含义，且Y、Y2和Y3优选在每次出现时相同或不同地代表单键、C(R1)2、NR1、O或S，特别是相同或不同地代表单键或C(R1)2。
式(24)和(25)的优选实施方案为下式(24a)和(25a)的化合物，
其中使用的符号具有上文给出的含义，且Y、Y2和Y3优选在每次出现时相同或不同地代表单键、C(R1)2、NR1、O或S，特别是相同或不同地代表单键或C(R1)2。
优选的取代基R在每次出现时相同或不同地选自如下基团：H，D，F，CN，C(＝O)Ar，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar)2，具有1～10个C原子的直链烷基基团，或具有3～10个C原子的支链或环状烷基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被O或S代替，和其中一个或多个H原子可以被D或F代替，具有6～24个芳族环原子的芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代，具有5～24个芳族环原子的杂芳族环系，其仅包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代，或具有5～24个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团，其可以被一个或多个基团R2取代，其中两个相邻的取代基R可以任选地相互形成稠合上的苯并环，其可以被一个或多个基团R2取代。
尤其优选的取代基R在每次出现时相同或不同地选自如下基团：H，具有1～4个C原子的直链烷基基团，尤其是甲基，或具有3～8个C原子的支链或环状烷基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代，具有6～24个芳族环原子的芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代，具有5～24个芳族环原子的杂芳族环系，其仅包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代。
如果R代表芳族或杂芳族环系，则其优选选自下式(26)～(58)，
其中虚线键表示键合到基本结构，且所述基团可以被一个或多个基团R2取代，但优选不被取代。
式(35)～(38)基团中的R2优选相同或不同地代表具有1～10个C原子的烷基基团，尤其代表甲基，或苯基基团，其可以被一个或多个基团R3取代。
式(28)的优选取代的实施方案是下式(28a)和(28b)，式(31)的优选实施方案是式(31a)，式(35)的优选实施方案是下式(35a)、(35b)、(35c)和(35d)，式(36)的优选实施方案是下式(36a)、(36b)、(36c)和(36d)，式(37)的优选实施方案是下式(37a)、(37b)、(37c)和(37d)，式(38)的优选实施方案是下式(38a)、(38b)、(38c)和(38d)，
其中虚线键表示键合到基本结构。
如果Y或Y1或Y2或Y3代表C(R1)2，则R1优选在每次出现时相同或不同地选自如下基团：H，D，F，具有1～10个C原子的直链烷基基团或具有3～10个C原子的支链或环状烷基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被O或S代替，和其中一个或多个H原子可以被D或F代替，具有5～24个芳族环原子的芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代，具有5～24个芳族环原子的杂芳族环系，其仅包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代，或具有5～24个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团，其可以被一个或多个基团R2取代，其中键合到相同碳原子的取代基R1可以任选地相互形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系并可由此形成螺环系，其可以被一个或多个基团R2取代。R1尤其优选在每次出现时相同或不同地选自如下基团：具有1～4个C原子的直链烷基基团，尤其是甲基，或具有3～10个C原子的支链烷基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代，或者苯基或邻-、间-或对-联苯基团，其可以被一个或多个基团R2取代，其中键合到相同碳原子的取代基R1可以任选地相互形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系并可由此形成螺环系，其可以被一个或多个基团R2取代。
如果Y或Y1或Y2或Y3代表N(R1)，则R1优选在每次出现时相同或不同地选自如下基团：具有1～10个C原子的直链烷基基团或具有3～10个C原子的支链或环状烷基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代，其中不直接键合到氮的一个或多个不相邻的CH2基团可以被O或S代替，和其中一个或多个H原子可以被D或F代替，具有5～24个芳族环原子的芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代，具有5～24个芳族环原子的杂芳族环系，其仅包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代，或具有5～24个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团，其可以被一个或多个基团R2取代。R1特别优选在每次出现时相同或不同地选自如下基团：具有5～24个芳族环原子的芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代，或具有5～24个芳族环原子的杂芳族环系，其仅包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代。
对于通过真空蒸发处理的化合物，在基团R和R1中的烷基基团优选具有不超过四个C原子，尤其优选不超过一个C原子。对于从溶液处理的化合物，如下的化合物也是特别合适的，其被具有最高达10个C原子的烷基基团取代，或被低聚亚芳基基团例如邻-、间-、对-或支链的三联苯基团或四联苯基团或邻-、间-或对-联苯基团取代。
在本发明另外优选的实施方案中，L是具有1～10个C原子的二价或多价直链亚烷基或烷叉基基团，或具有3～10个C原子的支链或环状亚烷基或烷叉基基团，其在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个H原子可以被D或F代替，或具有5～24个芳族环原子的至少二价的芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代，或具有5～24个芳族环原子的杂芳族环系，其仅包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代；或L为化学键。
本发明的上述实施方案能够根据需要相互组合。尤其优选将上文作为优选提及的本发明实施方案相互组合。
根据上述实施方案的优选化合物或可优选用于电子器件中的化合物的实例为以下化合物。
根据本发明的化合物的合成概括地示于方案1至方案3中。
方案1
方案2
方案3
因此，本发明还涉及制备式(1)的化合物的方法，其包括如下反应步骤：
a)合成尚未包含桥连基Y的相应基本结构；和
b)引入基团Y。
本发明还涉及如下的混合物，其包含至少一种根据本发明的化合物和至少一种另外的化合物。如果根据本发明的化合物用作基质材料，则所述另外的化合物可以例如为荧光或磷光掺杂剂。下文结合有机电致发光器件示出了合适的荧光和磷光掺杂剂，其对于根据本发明的混合物也是优选的。如果根据本发明的化合物用作空穴传输或电子传输化合物，则所述另外的化合物还可以是掺杂剂。下文结合有机电致发光器件示出了合适的掺杂剂。
为了例如通过旋涂或通过印刷工艺从溶液或从液相进行处理，根据本发明的化合物或混合物的溶液或制剂是必需的。优选使用两种或更多种溶剂的混合物。合适并优选的溶剂例如为甲苯，苯甲醚，邻-、间-或对-二甲苯，苯甲酸甲酯，二甲基苯甲醚，均三甲苯，四氢化葵，邻二甲氧基苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二烷，或这些溶剂的混合物。
本发明因此还涉及一种制剂，特别是溶液、悬浮液或微乳液，其包含至少一种根据本发明的化合物或混合物和一种或多种溶剂、尤其是有机溶剂。制备这种类型的溶液的方式对本领域普通技术人员是已知的并在例如WO 2002/072714、WO 2003/019694和其中引用的文献中进行了描述。
根据本发明的化合物和混合物适合用于电子器件中。此处的电子器件是指包括至少一个如下层的器件，其中所述层包含至少一种有机化合物。然而，此处的组件也可以包括无机材料或另外完全由无机材料构造的层。
因此，本发明还涉及根据本发明的上述化合物或混合物在电子器件中的用途，特别是在有机电致发光器件中的用途。
此外，本发明又涉及一种电子器件，其包含根据本发明的上述化合物或混合物中的至少一种。对于化合物的上述优选同样适用于所述电子器件。
所述电子器件优选选自有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机染料敏化太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC)、有机激光二极管(O-laser)和“有机等离子体发射器件”(D.M.Koller等人，Nature Photonics(自然光子学)2008,1-4)，优选有机电致发光器件(OLED、PLED)，特别是磷光OLED。
所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层，所述有机电致发光器件也可以包括其它的层，例如在每一情况下，一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层和/或电荷产生层。在两个发光层之间引入具有例如激子阻挡功能的中间层同样是可行的。然而，应该指出，这些层中的每个层不必必须存在。所述有机电致发光器件此处可包括一个发光层或多个发光层。如果存在多个发光层，则优选这些发光层具有总共多个在380nm～750nm之间的发光峰值，总体上导致白色发光，即，将能够发荧光或发磷光的多种发光化合物用于所述发光层中。特别优选具有三个发光层的体系，其中所述三个发光层分别显示蓝色、绿色和橙色或红色发光(对于基本结构，参见例如WO2005/011013)。这些发光层可以为荧光或磷光发光层或者其中荧光和磷光发光层相互组合的混合体系。
取决于确切的结构，根据上述实施方案的本发明化合物可用于不同的层中。优选如下的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含根据本发明的化合物作为荧光或磷光发光体、特别是磷光发光体的基质材料，和/或在电子阻挡或激子阻挡层中和/或在空穴传输或空穴注入层中包含根据本发明的化合物。上述优选实施方案同样适用于所述材料在有机电子器件中的用途。
在本发明的优选实施方案中，根据本发明的化合物在发光层中用作荧光或磷光化合物的基质材料，特别是磷光化合物的基质材料。此处所述有机电致发光器件可以包括一个发光层或多个发光层，其中至少一个发光层包含至少一种根据本发明的化合物作为基质材料。
如果根据本发明的化合物在发光层中用作发光化合物的基质材料，则优其与一种或多种发磷光的材料(三重态发光体)组合使用。在本发明的意义上的磷光是指从相对高自旋多重态、即自旋态>1的激发态的发光，特别是从激发三重态的发光。为了本申请的目的，所有发光的过渡金属络合物和发光的镧系络合物，特别是所有的铱、铂和铜络合物，都被视为发磷光的化合物。
基于包含发光体和基质材料的整个混合物，包含本发明化合物和发光化合物的混合物包含99～1体积％、优选98～10体积％、特别优选97～60体积％、特别是95～80体积％的本发明化合物。相应地，基于包含发光体和基质材料的整个混合物，所述混合物包含1～99体积％、优选2～90体积％、特别优选3～40体积％、特别是5～20体积％的发光体。
本发明的另外优选的实施方案是将根据本发明的化合物作为磷光发光体的基质材料与其它基质材料组合使用。能够与根据本发明的化合物组合使用的特别合适的基质材料是：芳族酮，芳族氧化膦或者芳族亚砜或砜，例如根据WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO2006/005627或WO 2010/006680的，三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N,N-二咔唑基联苯)或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP2004/288381、EP 1205527或WO 2008/086851中公开的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根据WO 2007/063754或WO 2008/056746的，茚并咔唑衍生物，例如根据WO 2010/136109和WO 2011/000455的，氮杂咔唑衍生物，例如根据EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP2005/347160的，双极性基质材料，例如根据WO 2007/137725的，硅烷，例如根据WO 2005/111172的，氮杂硼杂环戊二烯或硼酸酯，例如根据WO 2006/117052的或未公布的申请EP 11010103.7的，三嗪衍生物，例如根据WO 2010/015306、WO 2007/063754或WO 2008/056746的，锌络合物，例如根据EP 652273或WO 2009/062578中的，二氮杂硅杂环戊二烯或四氮杂硅杂环戊二烯衍生物，例如根据WO2010/054729的，二氮磷杂环戊二烯衍生物，例如根据WO 2010/054730的，或桥连咔唑衍生物，例如根据US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107或WO 2011/088877的。比实际发光体在更短的波长处发光的其它磷光发光体同样可以作为共主体存在于该混合物中。
合适的磷光化合物(＝三重态发光体)特别是在适当激发时发光、优选在可见区发光的化合物，并且该化合物另外包含至少一种原子序数大于20、优选大于38且小于84、尤其优选大于56且小于80的原子，特别是具有该原子序数的金属。使用的磷光发光体优选是包含铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，特别是包含铱或铂的化合物。为了本发明的目的，包含上述金属的所有发光化合物都视为发磷光的化合物。
如下申请公开了上述发光体的实例：WO 00/70655、WO2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373、US2005/0258742、WO 2009/146770、WO 2010/015307、WO 2010/031485、WO 2010/054731、WO 2010/054728、WO 2010/086089、WO2010/099852、WO 2010/102709、WO 2011/032626、WO 2011/066898、WO 2011/157339和WO 2012/007086。一般来讲，根据磷光OLED的现有技术使用的和有机电致发光领域中的普通技术人员已知的所有磷光络合物都是适当的，并且本领域普通技术人员在不需要创造性劳动的情况下就能够使用其它的磷光络合物。
在本发明的另一种实施方案中，根据本发明的有机电致发光器件不包括单独的空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴阻挡层和/或电子传输层，即，如在例如WO2005/053051中所描述的，发光层直接与空穴注入层或阳极相邻，和/或发光层直接与电子传输层或电子注入层或阴极相邻。此外，如在例如WO 2009/030981中所描述的，可以使用与发光层中的金属络合物相同或类似的金属络合物作为与发光层直接相邻的空穴传输或空穴注入材料。
在本发明另外的优选实施方案中，根据本发明的化合物用作空穴传输或空穴注入层中的空穴传输或空穴注入材料。此处的发光层可以是发荧光或发磷光的。本发明意义上的空穴注入层是与阳极直接相邻的层。本发明意义上的空穴传输层是位于空穴注入层与发光层之间的层。
在本发明又另一种优选的实施方案中，根据本发明的化合物用于激子阻挡层中。激子阻挡层被认为指的是与阳极侧上的发光层直接相邻的层。
如果将根据本发明的化合物用于空穴注入或空穴传输层中，还可对其进行掺杂，在此情况下，通常根据现有技术经常使用的所有掺杂剂都是合适的。合适的掺杂剂为电子受体化合物，例如F4-TCNQ(四氟四氰基醌二甲烷)，或如在EP 1476881或EP 1596445中所描述的化合物。
在本发明的一种实施方案中，根据本发明的化合物用在空穴传输或注入层中，其与包含六氮杂三亚苯衍生物、尤其是六氰基六氮杂三亚苯衍生物(例如根据EP 1175470的)的层组合。因此，例如优选如下所述的组合：阳极-六氮杂三亚苯衍生物-空穴传输层，其中所述空穴传输层包含一种或多种根据本发明的化合物。同样地，可以在该构造中使用多个连续的空穴传输层，其中至少一个空穴传输层包含至少一种根据本发明的化合物。更优选的组合如下：阳极-空穴传输层-六氮杂三亚苯衍生物-空穴传输层，其中所述两个空穴传输层中至少一者包含一种或多种根据本发明的化合物。同样地，可以在这种构造中使用多个连续的空穴传输层以代替一个空穴传输层，其中至少一个空穴传输层包括至少一种根据本发明的化合物。
在根据本发明有机电致发光器件的另外的层中，可使用根据现有技术经常使用的所有材料。因此，不需要创造性劳动，本领域普通技术人员能够将用于有机电致发光器件的所有已知材料与根据本发明的化合物组合使用。
另外优选如下的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件特征在于利用升华方法涂布一个或多个层，其中在真空升华装置中，在小于10-5毫巴，优选小于10-6毫巴的初始压力下将材料气相沉积。然而，对于甚至更低或更高，例如低于10-7毫巴的初始压力，同样是可行的。
同样优选如下的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件特征在于，利用OVPD(有机气相沉积)方法或者借助于载气升华，涂布一个或多个层，其中在10-5毫巴～1巴之间的压力下施加材料。这一方法中的特别情况是OVJP(有机气相喷墨印刷)方法，其中材料通过喷嘴直接施加并由此结构化(例如M.S.Arnold等,Appl.Phys.Lett.(应用物理快报)2008,92,053301)。
另外优选如下的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件的特征在于从溶液中例如通过旋涂，或者利用任何需要的印刷方法，例如喷墨印刷、LITI(光引发热敏成像、热转印)、丝网印刷、柔性版印刷、平板印刷或者喷嘴印刷，来制造一个或多个层。为了该目的，需要例如通过适当的取代获得的可溶性化合物。这些方法同样特别适合于低聚物、树枝状大分子和聚合物。
混合式方法也是可行的，其中，例如从溶液中施加一个或多个层和通过气相沉积施加一个或多个其它的层。由此，可以例如从溶液施加发光层并通过气相沉积施加电子传输层。
本领域普通技术人员通常已知这些方法，并且能够在不付出创造性劳动的情况下将这些方法应用于包含本发明化合物的有机电致发光器件。
本发明的化合物和本发明的有机电致发光器件的突出之处在于以下令人预料不到的一项或多项优点：
1.用作荧光或磷光发光体的基质材料的本发明化合物，产生高的效率和长寿命。如果所述化合物用作磷光发光体的基质材料，则该优点特别适用。
2.本发明的化合物具有高的热稳定性。
3.用于有机电致发光器件中的本发明化合物，产生高效率并产生在低使用电压情况下的陡峭的电流/电压曲线。
4.本发明的化合物在用作空穴传输材料时，关于有机电致发光器件的效率、寿命和工作电压产生好的性能。
上述的这些优点不伴有对其它电子性能的损害。
具体实施方案
通过如下实施例更详细地解释本发明，但不希望由此限制本发明。本领域普通技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下在说明书的基础上在公开的整个范围内实施本发明和制备本发明的其它化合物，并且将这些化合物用于电子器件中或使用本发明的方法。
实施例：
除非另外指出，否则以下合成在保护气体气氛下在干燥溶剂中进行。溶剂和试剂可以从例如Sigma-ALDRICH或ABCR购买。所使用的原料可以例如为吩嗪。在原料从文献已知的情况中，方括号中的数字指的是CAS号。
实施例1：5,10-二氢吩嗪
在保护气体下将20g(110mmol)吩嗪悬浮在600ml乙醇中。在回流下对反应混合物进行加热。随后滴加溶于600ml脱气的水中的38.3g(220mmol)连二亚硫酸钠，并将混合物在回流下加热另外4小时。在冷却之后，将沉淀的黄色固体在保护气体下滤出并在真空中干燥。纯度为92.0％。产率：19g(107mmol)，理论值的96％。
实施例2：5-联苯-4-基-10-(2-溴苯基)-5,10-二氢吩嗪
在保护气体下将15.8g(87.8mmol)的9,10-二氢吩嗪、20g(87mmol)的4-溴联苯和0.8g(0.88mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯、1.79g(7.9mmol)的醋酸钯悬浮在500ml甲苯中。将反应混合物在回流下加热8小时。随后添加24.8g(87mmol)的1-溴-2-碘苯，并将混合物在回流下加热另外8小时。在冷却之后，分离有机相，每次用200ml水洗涤三次并随后蒸发至干。利用甲苯/庚烷(1:2)在硅胶上通过柱色谱对产物进行纯化。纯度为97.0％。产率：29g(37mmol)，理论值的70％。
类似地，得到化合物2a～2m：
同样得到化合物2n：
实施例3：8-联苯-4-基-8H-8,12b-二氮杂苯并[a]苯并苊
将73g(0.175mmol)的5-联苯-4-基-10-(2-溴苯基)-5,10-二氢吩嗪在保护气体下溶于500ml二甲基乙酰胺中。将2.4g(6.5mmol)的三环己基膦四氟硼酸酯和701mg(3.1mmol)的Pd(OAc)2添加到该溶液。随后将混合物在120℃下搅拌9小时。在这一时间后，将反应混合物冷却至室温并利用二氯甲烷进行萃取。将合并的有机相在Na2SO4上干燥并蒸发。将残余物用热甲苯进行萃取，从甲苯中重结晶并最后在高真空中升华。产率为49g(121mmol)，理论值的81％。
类似地，得到化合物3a～3m：
实施例4：2-[2-(10-联苯-2-基-10H-吩嗪-5-基)苯基]丙-2-醇
将99g(213mmol)的2-(10-联苯-2-基-10H-吩嗪-5-基)苯甲酸甲酯溶于1500ml干燥的THF中并脱气。将混合物冷却至-78℃，并在40分钟过程内添加569ml(854mmol)的甲基锂。允许在1小时的过程内混合物温热至-40℃，并通过TLC对反应进行监控。当反应完全时，在-30℃下利用MeOH将混合物仔细淬灭。将反应溶液蒸发至1/3，并添加1L的CH2Cl2，对混合物进行洗涤，并将有机相在MgSO4上干燥并蒸发。产率为90g(194mmol)，理论值的90％。
类似地，得到化合物4a～4c：
实施例5：5-联苯-2-基-9,9-二甲基-5H,9H-5,13b-二氮杂萘并[3,2,1-de]蒽
将20g(43.6mmol)的2-[2-(10-联苯-2-基-10H-吩嗪-5-基)苯基]丙-2-醇溶于1200ml脱气甲苯中，并添加40g多磷酸和28ml甲烷磺酸的悬浮液，将混合物在60℃下加热1小时。将该批料冷却，并添加水。固体析出，并将其溶于CH2Cl2/THF(1:1)中。使用20％的NaOH仔细地使得溶液呈碱性，将所述相分离并在MgSO4上干燥。将残余物用热甲苯萃取，从甲苯/庚烷(1:2)中重结晶并最后在高真空中升华。产率为15.6g(34mmol)，理论值的80％。
类似地，得到化合物5a～5d：
实施例6：1-硝基-10-(2-溴苯基)-10H-吩嗪
在保护气体下将20g(88mmol)的1-硝基-10H-吩嗪(CAS：26103-27-5)、20g(88mmol)的1,2-二溴苯、0.8g(0.88mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯和1.79g(7.9mmol)的醋酸钯悬浮在500ml甲苯中。将反应混合物在回流下加热8小时。在冷却之后，分离有机相，用200ml水洗涤三次并随后蒸发至干。利用甲苯/庚烷(1:2)在硅胶上通过柱色谱对产物进行纯化。纯度为97.0％。产率：19g(49mmol)，理论值的78％。
类似地，得到化合物6a～6b：
实施例7：10-(2-溴苯基)-10H-酚嗪-1-基胺
将14.5g(42mmol)的1-硝基-10-(2-溴苯基)-10H-酚嗪悬浮在200ml乙醇中。在搅拌下在60℃下分份添加溶于25ml浓HCl中的26g(140mmol)SnCl2，并将混合物在回流下加热8小时。然后将沉淀物滤出并在真空中干燥。纯度为94％。产率：12g(35mmol)，理论值的92％。
类似地，得到化合物7a～7b：
实施例8：9-苯基-9H-5-氧杂-9,13b-二氮杂萘并[3,2,1-de]蒽
在保护气体下将9.2g(26.3mmol)的9,10-二氢吩嗪、0.24g(0.26mmol)的三(二亚苄基丙酮)二钯和0.53g(2.37mmol)的醋酸钯悬浮在150ml甲苯中。将反应混合物在回流下加热8小时。随后添加4g(26mmol)的4-溴-苯，并将混合物在回流下另外加热8小时。在冷却之后，分离有机相，用80ml水洗涤三次并随后蒸发至干。用热甲苯萃取残余物，从甲苯/庚烷(1:2)中重结晶并最终在高真空中升华。纯度为97.0％。产率：5.6g(16.3mmol)，理论值的63％。
类似地，得到化合物8a～8f：
实施例9：制造OLED
通过按照WO 2004/058911中的一般方法制造本发明的OLED和现有技术的OLED，根据此处描述的情况(层厚度的改变，材料)调整所述方法。
如下实施例V1～E17中给出了多种OLED的数据(见表1和2)。为了改进的处理，在涂布有50nm厚度的结构化ITO(氧化铟锡)的玻璃板上涂布20nm的PEDOT:PSS(聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)，作为CLEVIOSTMP VP AI 4083从德国Heraeus Precious MetalsGmbH(贺利氏贵金属股份有限公司)购买，通过从水溶液中旋涂来施加)。这些涂布的玻璃板形成向其施加OLED的基底。所述OLED原则上具有以下的层结构：基底/任选的空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/任选的中间层(IL)/电子阻挡层(EBL)/发光层(EML)/任选的空穴阻挡层(HBL)/电子传输层(ETL)/任选的电子注入层(EIL)和最后的阴极。所述阴极由厚度为100nm的铝阴极形成。OLED的确切结构显示于表1中。制造所述OLED所需要的材料显示于表1中。此外，提及的材料例如“3f”涉及在上述实施例3f中描述了其合成的材料。这类似地适用于本发明的其它化合物。
在真空室中通过热气相沉积施加所有材料。此处的发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)组成，所述发光掺杂剂以特定体积比例通过共蒸发与一种或多种基质材料混和。诸如IC1:3k:TEG1(70％:25％:5％)的表达式在此处是指，材料IC1以70％的体积比例存在于所述层中，来自实施例3k的材料以25％的体积比例存在于所述层中，且TEG1以15％的体积比例存在于所述层中。类似地，电子传输层也可由两种材料的混合物组成。
通过标准方法表征所述OLED。为此，确定电致发光光谱，电流效率(以cd/A计量)，功率效率(以lm/W计量)，和外部量子效率(EQE，以百分比计量)，其作为发光密度的函数从电流/电压/发光密度特性线(IUL特性线)进行计算和呈现Lambert发射特性，，和确定寿命。在1000cd/m2的发光密度下测定所述电致发光谱，并由此计算CIE 1931x和y颜色坐标。表2中的表述U1000表示对于1000cd/m2的发光密度所需要的电压。CE1000和PE1000表示在1000cd/m2下实现的电流和功率效率。最后，EQE1000表示在1000cd/m2的工作发光密度下的外部量子效率。
将各种OLED的数据总结在表2中。实例V1～V3是根据现有技术的对比例，实施例E1～E17显示了包含本发明的材料的OLED的数据。
为了示例本发明化合物的优势，下面更详细地解释一些实例。然而，应指出这仅仅代表对表2中示出的数据的一种选择。
本发明的化合物作为空穴传输材料的用途
如果使用本发明的化合物3f代替现有技术的类似化合物H3作为包含绿色掺杂剂TEG1的OLED中的空穴传输材料，则获得几乎改进了20％的功率效率(实施例V1和E5)。
本发明的化合物作为磷光OLED中的基质材料的用途
将两种材料用作包含绿色磷光掺杂剂的OLED中的基质(主体)，通常比使用单种材料产生更好的性能数据，这是材料对于该应用特别受关注的原因。特别是，与根据现有技术的含三嗪的材料相比，本发明的包含含硫或氧的杂芳族环系作为取代基的材料在此处性能突出：获得更好的量子效率和功率效率(实施例V2、V3、E6、E7和E8)。此外，寿命显著提高。在恒定电流密度下运行时，对于实施例V2和V3，发光密度分别在160小时和180小时内从其初始值10000cd/m2降至70％，而这在实施例E6、E7和E8中分别耗时300小时、245小时和230小时。
表1：OLED的结构
表2：OLED的数据
表3：OLED的材料的结构式

Claims (16)

1.式(1)或(2)的化合物，
其中以下适用于所使用的符号和标记：
V在每次出现时相同或不同地是N、P或P＝O；
X在每次出现时相同或不同地是CR或N；或如果基团L键合到X，则该基团X代表C；
Y、Y1、Y2、Y3在每次出现时相同或不同地是单键或C(R1)2、NR1、O、S、C＝O、C＝NR1、C＝C(R1)2、Si(R1)2、BR1、PR1、P(＝O)R1、SO、SO2；条件是Y和Y1不同时代表单键且Y2和Y3不同时代表单键；
Z在每次出现时相同或不同地是CR或N；或如果基团Y1或Y2或Y3键合到Z，则该基团Z代表C；
L：如果q＝1，则L相同或不同地为R；或者L相同或不同地是具有1～40个C原子的二价、三价、四价、五价或六价的直链亚烷基、烷叉基、亚烷氧基或硫代亚烷氧基基团，或具有3～40个C原子的支链或环状的亚烷基、烷叉基、亚烷氧基或硫代亚烷氧基基团，或具有2～40个C原子的亚烯基或亚炔基基团，所述基团在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代，其中在每种情况下一个或多个不相邻的CH2基团可以被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、P(＝O)R2、S＝O、SO2、-O-、-S-或-CONR2-代替，和其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5～40个芳族环原子的二价、三价、四价、五价或六价的芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代，或具有5～60个芳族环原子的杂芳族环系，其仅包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代，或P(R2)3-r、P(＝O)(R2)3-r、C(R2)4-r、Si(R2)4-r、N(Ar)3-r，其中r代表2、3或4，条件是r不大于L的最大化合价；或L是化学键，在此情况中q＝2；此处基团L的化合价＝q+1；
n、m、p在每次出现时相同或不同地是0或1，其中n＝0或m＝0或p＝0指的是，相应基团Y1或Y2或Y3分别不存在，且基团R代替Y2或Y3键合到相应的碳原子；
q为1、2、3、4、5或6；
R、R1在每次出现时相同或不同地选自如下基团：H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，C(＝O)Ar，C(＝O)R2，P(＝O)(Ar)2，具有1～40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3～40个C原子的支链或环状烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有2～40个C原子的烯基或炔基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、C＝O、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2代替，和其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有6～60个芳族环原子的芳族环系，其在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代，具有5～60个芳族环原子的杂芳族环系，其包含含硫或含氧的杂芳基基团作为杂芳基基团并可以被一个或多个基团R2取代，具有5～60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，其可以被一个或多个基团R2取代，或具有5～60个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团，其可以被一个或多个基团R2取代，其中键合到相同基团Y的两个取代基R1可以任选地相互形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，其可以被一个或多个基团R2取代；此外，两个相邻的基团R可以形成稠合上的苯并环，其可以被一个或多个基团R2取代；如果基团L键合到相应的碳原子，则式(2)中的基团R不存在；
R2在每次出现时相同或不同地选自如下基团：H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，C(＝O)Ar，C(＝O)R3，P(＝O)(Ar)2，具有1～40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有3～40个C原子的支链或环状烷基、烷氧基或硫代烷基基团，或具有2～40个C原子的烯基或炔基基团，所述基团中的每个可以被一个或多个基团R3取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可以被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、C＝O、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，和其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，具有5～60个芳族环原子的芳族环系，其在每种情况下可以被一个或多个基团R3取代，具有5～60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，其可以被一个或多个基团R3取代，或具有5～60个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团；
Ar在每次出现时相同或不同地是具有5～30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其可以被一个或多个非芳族基团R3取代；键合到相同P原子的两个基团Ar此处还可以通过单键或选自N(R3)、C(R3)2、O或S的桥连基相互桥连；
R3是选自如下的基团：H，D，F，CN，具有1～20个C原子的脂族烃基团或具有5～30个芳族环原子的芳族环系，其中一个或多个H原子可以被D、F、Cl、Br、I或CN代替；
本发明不包括如下化合物：
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，Y、Y1、Y2和Y3在每次出现时相同或不同地代表单键、C(R1)2、NR1、O或S。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自式(1a)或(2a)的化合物，
其中以下适用于使用的符号：
Y、Y1、Y2、Y3在每次出现时相同或不同地为单键、C(R1)2、NR1、O或S；
X、Z为CR或N，条件是每个环中基团X和Z中的最多一个代表N，且所述环中的其它基团X和Z代表CR，或如果基团Y1或Y2或Y3键合到Z，则该Z代表C，且如果基团L键合到X，则该X代表C；
且使用的其它符号和标记具有权利要求1中给出的含义。
4.根据权利要求1～3中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自式(1b)或(2b)的化合物，
其中以下适用于使用的符号：
Y、Y1、Y2、Y3在每次出现时相同或不同地为单键、C(R1)2、NR1、O或S，特别是单键或C(R1)2；
Z为CR，或如果Y1或Y2或Y3键合到Z，则该Z为C；
且使用的其它符号和标记具有权利要求1中给出的含义；如果基团L在此处键合，则该位置处不存在基团R。
5.根据权利要求1～4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自式(3)～(8)的化合物，
其中使用的符号和标记具有权利要求1中给出的含义，且如果键合基团L，则在该位置处不存在基团R。
6.根据权利要求1～5中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自式(3a)、(4a)和(5a)的化合物，
其中使用的符号和标记具有权利要求1中给出的含义。
7.根据权利要求1～6中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，式(3)的化合物选自式(19)～(23)的化合物，
其中使用的符号和标记具有权利要求1中给出的含义。
8.根据权利要求1～7中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自式(19a)～(23a)、(24)或(25)的化合物，
其中使用的符号具有权利要求1下给出的含义，且Y、Y2和Y3优选在每次出现时相同或不同地代表单键、C(R1)2、NR1、O或S。
9.根据权利要求1～8中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自式(19b)～(23b)、(24a)或(25a)的化合物，
其中使用的符号具有权利要求1中给出的含义，且Y、Y2和Y3优选在每次出现时相同或不同地代表单键、C(R1)2、NR1、O或S。
10.根据权利要求1～10中的一项或多项所述的化合物，其特征在于，如果R代表芳族或杂芳族环系，则R选自式(26)～(58)的基团，
其中虚线键表示键合到基本结构且所述基团可以被一个或多个基团R2取代。
11.一种用于制备根据权利要求1～10中的一项或多项所述的化合物的方法，其包括如下反应步骤：
a)合成尚未包含桥连基Y的相应基本结构；和
b)引入基团Y。
12.一种混合物，所述混合物包含至少一种根据权利要求1～10中的一项或多项所述的化合物和至少一种另外的化合物。
13.一种制剂，特别是溶液、悬浮液或微乳液，其包含至少一种根据权利要求1～10中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求12所述的混合物和一种或多种溶剂。
14.根据权利要求1～10中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求12所述的混合物在电子器件中的用途。
15.一种电子器件，所述电子器件包含至少一种根据权利要求1～10中的一项或多项所述的化合物或根据权利要求12所述的混合物，所述电子器件优选选自有机电致发光器件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、有机染料敏化太阳能电池、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件、发光电化学电池、有机激光二极管和“有机等离子体发射器件”。
16.根据权利要求15所述的电子器件，其为有机电致发光器件，其特征在于，根据权利要求1～10中的一项或多项所述的化合物被用作荧光或磷光发光体的基质材料和/或用于电子阻挡或激子阻挡层中和/或用于空穴传输或空穴注入层中。
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