CN104282698B - 影像感测器二阶段封装方法 - Google Patents

影像感测器二阶段封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104282698B
CN104282698B CN201310311466.9A CN201310311466A CN104282698B CN 104282698 B CN104282698 B CN 104282698B CN 201310311466 A CN201310311466 A CN 201310311466A CN 104282698 B CN104282698 B CN 104282698B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor chip
cis
adhesive
adhesive layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310311466.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104282698A (zh
Inventor
黄俊龙
杜修文
吴承昌
杨崇佑
王荣昌
杨若薇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tong Hsing Electronic Industries Ltd
Original Assignee
Kingpak Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kingpak Technology Inc filed Critical Kingpak Technology Inc
Priority to CN201710971596.3A priority Critical patent/CN107742630B/zh
Publication of CN104282698A publication Critical patent/CN104282698A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104282698B publication Critical patent/CN104282698B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明是有关于一种影像感测器二阶段封装方法，包括有下列步骤：提供基板、固设感测器芯片于基板上、固设透明板体于感测器芯片上、电性连接基板及感测器芯片、形成第一封胶层以及形成第二封胶层。本发明的制造方法是以二阶段封装的方式，避免因为影像感测器封装制造工艺中形成封胶层时产生的过大压力，致使感测器芯片或电性连接用的引线产生位移或毁损或封胶溢入而污染被透明板体保护的感测器芯片，而影响影像感测器封装制造工艺的良率或造成影像感测器本身的感测灵敏度的缺陷，借此可以提升感测器封装制造工艺的质量与产量并降低感测器封装的制造成本。

Description

影像感测器二阶段封装方法
技术领域
本发明是关于一种影像感测器封装方法，特别是关于一种影像感测器二阶段封装方法。
背景技术
公知技术中，为了保护影像感测器芯片及连接影像感测器芯片与基板的引线，在影像感测器芯片与引线上都会以模造方式制造一层封胶体(encapsulant)。
但公知的封胶体制造方法，却经常因为模造方式中封胶体产生的压力，使影像感测器芯片或引线产生位移或断裂或封胶溢入而污染被透明板体保护的感测器芯片，影响影像感测器芯片的正常功能并造成影像感测器芯片中感测区的污染，大幅降低影像感测器封装的良率。
因此，如何发展出一种可以有效将低封胶体模造压力的影像感测器封装方法，就变成为今日半导体及影像感测器产业，研发及制造的一个重要发展课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种影像感测器二阶段封装方法，其可以避免因为影像感测器封装制造工艺中形成封胶层时产生过大的压力，致使感测器芯片或电性连接用的引线产生位移或毁损，而影响影像感测器封装制造工艺的良率或影像感测器本身的感测灵敏度的缺陷。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的影像感测器二阶段封装方法，其包括下列步骤：提供基板，该基板具有：第一表面；及第二表面，其与该第一表面相对；固设感测器芯片于该基板上，其是将该感测器芯片固设于该第一表面上，并且该感测器芯片具有感测区；固设透明板体于该感测器芯片上，其中该透明板体通过中间物与该感测器芯片相结合，以使该透明板体与该感测器芯片间形成密闭空间，又该中间物围绕该感测区外侧并使该感测区位于该密闭空间之中；电性连接该基板及该感测器芯片，其是通过多个引线电性连接该基板及该感测器芯片，并且该些引线位于该中间物的外侧；形成第一封胶层，其是以第一封胶体包覆该些引线及该中间物外侧的该感测器芯片上表面及该感测器芯片位置以外的该第一表面，并使该第一封胶体固化形成该第一封胶层，其中该第一封胶层包覆至该透明板体侧面的一部分，且该第一封胶层上表面的高度低于该透明板体的上表面的高度；以及形成第二封胶层，其是以第二封胶体覆盖于该第一封胶层之外，并使该第二封胶体固化形成该第二封胶层，又该第二封胶层包覆该透明板体侧面的剩余部分，且该第二封胶层上表面与该透明板体的上表面等高又共平面。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的影像感测器二阶段封装方法，其中该基板为塑料基板或陶瓷基板，且具有多个导电接脚固设于该第二表面上。
前述的影像感测器二阶段封装方法，其中该感测器芯片为CMOS感测器芯片或该CMOS感测器芯片结合电子电路所形成的芯片。
前述的影像感测器二阶段封装方法，其中该中间物的材质为玻璃或塑料，并且该中间物的上下两端分别通过黏着剂与该感测器芯片及该透明板体相密接。
前述的影像感测器二阶段封装方法，其中该中间物为液晶聚合物材料压模成型所形成，并且该中间物的上下两端分别通过黏着剂与该感测器芯片及该透明板体相密接。
前述的影像感测器二阶段封装方法，其中该中间物为热固化黏胶或紫外光固化黏胶或具接着性的聚酰亚胺或酰胺树脂，并借由固化该中间物的过程将该透明板体黏着于该感测器芯片。
前述的影像感测器二阶段封装方法，其中该密闭空间的高度介于100um至500um之间。
前述的影像感测器二阶段封装方法，其中该第一封胶体为环氧树脂(Epoxy)。
前述的影像感测器二阶段封装方法，其中该第二封胶体为热固化封胶体。
借由上述技术方案，本发明影像感测器二阶段封装方法至少具有下列优点及有益效果：
一、有效降低封胶体模造压力对影像感测器及引线产生的影响；及
二、提高影像感测器封装制造工艺的良率、质量与产量，并降低制造成本。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1为本发明实施例一种影像感测器二阶段封装方法步骤流程图；
图2A为本发明实施例一种基板剖视图；
图2B为本发明实施例一种影像感测器芯片固设于基板上的剖视图；
图2C为如图2B所示的结构再固设透明板体的实施例剖视图；
图2D为如图2C所示的结构再将影像感测器芯片及基板电性连接的实施例剖视图；
图2E为如图2D所示的结构再形成一第一封胶层的实施例剖视图；
图2F为本发明实施例一种如图2E所示的结构再形成一第二封胶层，使其成为影像感测器二阶段封装方法所制造的一种影像感测器封装体的剖视图；及
图3为本发明实施例一种影像感测器二阶段封装方法所制造的另一种影像感测器封装体剖视图。
10：基板
11：第一表面 1： 第二表面
13：导电接脚 20：感测器芯片
21：感测区 30：透明板体
40：中间物 41：黏着剂
50：密闭空间
H： 密闭空间的高度
60：引线 61：接头
70：第一封胶层 80：第二封胶层
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的影像感测器二阶段封装方法其具体实施方式、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
如图1所示，本实施例一种影像感测器二阶段封装方法S100包括下列步骤：提供基板(步骤S10)；固设感测器芯片于基板上(步骤S20)；固设透明板体于感测器芯片上(步骤S30)；电性连接基板及感测器芯片(步骤S40)；形成第一封胶层(步骤S50)；及形成第二封胶层(步骤S60)。
如图1、图2A、图2F及图3所示，提供基板(步骤S10)，其中基板10具有第一表面11及第二表面12，第二表面12与第一表面11相对。基板10可以为塑料基板或陶瓷基板，又基板10可具有多个导电接脚13固设于第二表面12上，该些导电接脚13可以做为影像感测器芯片20或基板10上的电路与基板10外部电性相连接的用途。
如图1、图2B、图2F及图3所示，固设感测器芯片于基板上(步骤S20)，其是将感测器芯片20固设于基板10的第一表面11上。感测器芯片20并且具有感测区21，做为感测器芯片20用以进行感测的信号输入区域。感测器芯片20可以为CMOS感测器芯片或CMOS感测器芯片结合电子电路所形成的芯片。
如图1、图2C、图2F及图3所示，固设透明板体于感测器芯片上(步骤S30)，其是将透明板体30通过中间物40与感测器芯片20相结合，以使透明板体30与感测器芯片20间形成密闭空间50。其中，中间物40围绕感测区21的外侧并使感测区21位于密闭空间50之中。
如图2C至图3所示，透明板体30可以为透明玻璃或透明树脂或透明塑料等材质所形成，感测器芯片20欲感测的信号可以穿透透明板体30而被感测区21接收。当中间物40的材质为玻璃或塑料或聚酰亚胺(Polyimide)或酰胺树脂(Amide Resin)所形成，或是由液晶聚合物(LCP，Liquid Crystal Polymer)材料压模成型所形成时，中间物40的上下两端还分别通过黏着剂41与感测器芯片20及透明板体30相密接。
如图3所示，中间物40亦可以为热固化黏胶(Heat Curable Adhesive)或紫外光固化黏胶(UV Curable Adhesive)或具接着性的聚酰亚胺或酰胺树脂，并借由固化中间物40的过程将透明板体30黏着于感测器芯片20。因此当中间物40为热固化黏胶或紫外光固化黏胶时，便不须再使用黏着剂41，即可使中间物40与感测器芯片20及透明板体30相密接。
如图2C、图2F及图3所示，中间物40、透明板体30与感测器芯片20所围成的密闭空间50内，其透明板体30与感测器芯片20间的垂直距离为密闭空间的高度H，且密闭空间的高度H可以在进行固设透明板体于感测器芯片上(步骤S30)时，借由选择中间物40的尺寸大小，可以提供使用者依照感测器芯片20的感测需求决定密闭空间的高度H。
如图2C及图2F所示的密闭空间50的高度H，可以选择介于100um至500um之间(um=微米，10-6米)。
如图1、图2D、图2F及图3所示，电性连接基板及感测器芯片(步骤S40)是通过将多个引线60两端的接头61分别连接至基板10及感测器芯片20，以使基板10及感测器芯片20相互电性连，并且该些引线60及接头61皆位于中间物40的外侧，亦即该些引线60及接头61是位于密闭空间50之外。其中，该些引线60可以为金(Au)线，或是金与银或是金与铜混和物质形成的电导线。
如图1、图2E、图2F及图3所示，形成第一封胶层(步骤S50)，其是以第一封胶体包覆该些引线60及该些接头61及中间物40外侧的感测器芯片20上表面及感测器芯片20位置以外的第一表面11，并使第一封胶体固化形成第一封胶层70，其中第一封胶层70可包覆至透明板体30侧面的一部分，且第一封胶层70上表面的高度低于透明板体30上表面的高度。
第一封胶体可以为环氧树脂(Epoxy)，又第一封胶体可以点胶(dispensing)方式填入以包覆该些引线60、引线60两端的接头61、中间物40外侧的感测器芯片20上表面及感测器芯片20位置以外的第一表面11，并且在填入时第一封胶体仍为液态胶状物质，且因为使用数量不需填满至与透明板体30等高，其产生的压力也相对较小，更因还具有可流动性，所以对引线60、引线60两端的接头61或感测器芯片20的影响也较小，并且第一封胶体固化为第一封胶层70后，又可达到保护第一封胶层70内所有构件的功效，所有构件是指前述的该些引线60、引线60两端的接头61、中间物40外侧的感测器芯片20上表面及感测器芯片20位置以外的第一表面11。
如图1、图2F及图3所示，形成第二封胶层(步骤S60)，其是以第二封胶体覆盖于第一封胶层70之外，并使第二封胶体固化形成第二封胶层80，又第二封胶层80包覆至透明板体30侧面的剩余部分，第二封胶层80上表面是与透明板体30的上表面等高又共平面。
如图2E、图2F及图3所示，第一封胶层70及第二封胶层80的侧面皆可以与基板10的侧面切齐。
由于在第一封胶体固化形成第一封胶层70之后，才将第二封胶体覆盖于第一封胶层70之外，第一封胶层70所覆盖并保护的所有构件便不会因为形成第二封胶层(步骤S60)产生的压力而受影响。
第二封胶体可以为热固化封胶体，其又可以依照不同的应用需求选择不同的材质或颜色，当使用在本实施例的影像感测器二阶段封装方法S100时，为达到不透光以避免干扰感测功能，可以选择黑色或不易透光的材质或颜色。
综上所述，本实施例所述的影像感测器二阶段封装方法S100，由于第一封胶层70及第二封胶层80是以二阶段封装，大幅降低对引线60或感测器芯片20因压力产生的不良影响，可以提高影像感测器封装制造工艺的良率、质量与产量，并降低制造成本。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (9)

1.一种影像感测器二阶段封装方法，其特征在于其包括下列步骤：
提供基板，该基板具有：第一表面；及第二表面，其与该第一表面相对；
固设感测器芯片于该基板上，其是将该感测器芯片固设于该第一表面上，并且该感测器芯片具有感测区；
固设透明板体于该感测器芯片上，其中该透明板体通过中间物与该感测器芯片相结合，以使该透明板体与该感测器芯片间形成密闭空间，又该中间物围绕该感测区外侧并使该感测区位于该密闭空间之中；
电性连接该基板及该感测器芯片，其是通过多个引线电性连接该基板及该感测器芯片，并且该些引线位于该中间物的外侧；
以点胶形成第一封胶层，其是以第一封胶体包覆该些引线及该中间物外侧的该感测器芯片上表面及该感测器芯片位置以外的该第一表面，并使该第一封胶体固化形成该第一封胶层，其中该第一封胶层包覆至该透明板体侧面的一部分，且该第一封胶层上表面的高度低于该透明板体的上表面的高度；以及
以模造成型形成第二封胶层，其是以第二封胶体覆盖于该第一封胶层之外，并使该第二封胶体固化形成该第二封胶层之后让该第二封胶层包覆该透明板体侧面的剩余部分，且让该第二封胶层上表面与该透明板体的上表面等高又共平面。
2.如权利要求1所述的影像感测器二阶段封装方法，其特征在于该基板为塑料基板或陶瓷基板，且具有多个导电接脚固设于该第二表面上。
3.如权利要求1所述的影像感测器二阶段封装方法，其特征在于该感测器芯片为CMOS感测器芯片或该CMOS感测器芯片结合电子电路所形成的芯片。
4.如权利要求1所述的影像感测器二阶段封装方法，其特征在于该中间物的材质为玻璃或塑料，并且该中间物的上下两端分别通过黏着剂与该感测器芯片及该透明板体相密接。
5.如权利要求1所述的影像感测器二阶段封装方法，其特征在于该中间物为液晶聚合物材料压模成型所形成，并且该中间物的上下两端分别通过黏着剂与该感测器芯片及该透明板体相密接。
6.如权利要求1所述的影像感测器二阶段封装方法，其特征在于该中间物为热固化黏胶或紫外光固化黏胶或具接着性的聚酰亚胺或酰胺树脂，并借由固化该中间物的过程将该透明板体黏着于该感测器芯片。
7.如权利要求4-6任一项权利要求所述的影像感测器二阶段封装方法，其特征在于该密闭空间的高度介于100um至500um之间。
8.如权利要求1所述的影像感测器二阶段封装方法，其特征在于该第一封胶体为环氧树脂。
9.如权利要求1所述的影像感测器二阶段封装方法，其特征在于该第二封胶体为热固化封胶体。
CN201310311466.9A 2013-07-08 2013-07-23 影像感测器二阶段封装方法 Active CN104282698B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710971596.3A CN107742630B (zh) 2013-07-08 2013-07-23 影像感测器封装结构

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102124442A TW201503334A (zh) 2013-07-08 2013-07-08 影像感測器二階段封裝方法
TW102124442 2013-07-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710971596.3A Division CN107742630B (zh) 2013-07-08 2013-07-23 影像感测器封装结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104282698A CN104282698A (zh) 2015-01-14
CN104282698B true CN104282698B (zh) 2017-10-20

Family

ID=52133071

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310311466.9A Active CN104282698B (zh) 2013-07-08 2013-07-23 影像感测器二阶段封装方法
CN201710971596.3A Active CN107742630B (zh) 2013-07-08 2013-07-23 影像感测器封装结构

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710971596.3A Active CN107742630B (zh) 2013-07-08 2013-07-23 影像感测器封装结构

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8969120B2 (zh)
JP (1) JP5635661B1 (zh)
KR (1) KR101467699B1 (zh)
CN (2) CN104282698B (zh)
TW (1) TW201503334A (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9165794B1 (en) * 2014-07-31 2015-10-20 Himax Display, Inc. Partial glob-top encapsulation technique
FR3029687A1 (fr) * 2014-12-09 2016-06-10 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Procede de fabrication de dispositifs electroniques et dispositif electronique a double anneau d'encapsulation
US9711425B2 (en) * 2015-08-20 2017-07-18 Xintec Inc. Sensing module and method for forming the same
KR102185063B1 (ko) 2015-08-31 2020-12-01 삼성전기주식회사 센싱 패키지 및 이의 제조방법
EP4231653A3 (en) * 2016-03-28 2024-03-06 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module and molded photosensitive assembly and manufacturing method therefor, and electronic device
EP3267486B1 (en) * 2016-07-06 2020-12-30 Kingpak Technology Inc. Sensor package structure
CN107591374B (zh) * 2016-07-06 2020-02-18 胜丽国际股份有限公司 感测器封装结构
US10692917B2 (en) * 2016-07-06 2020-06-23 Kingpak Technology Inc. Sensor package structure
EP3267485B1 (en) * 2016-07-06 2020-11-18 Kingpak Technology Inc. Sensor package structure
CN107611147B (zh) 2016-07-11 2020-02-18 胜丽国际股份有限公司 多芯片塑胶球状数组封装结构
US10340250B2 (en) * 2017-08-15 2019-07-02 Kingpak Technology Inc. Stack type sensor package structure
TWI642150B (zh) * 2017-08-15 2018-11-21 勝麗國際股份有限公司 堆疊式感測器封裝結構
TWI640073B (zh) * 2017-08-16 2018-11-01 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
US11081510B2 (en) 2018-03-19 2021-08-03 Tdk Taiwan Corp. Photosensitive module having transparent plate and image sensor
US11561330B2 (en) 2018-03-19 2023-01-24 Tdk Taiwan Corp. Photosensitive module having transparent plate and image sensor
KR101967261B1 (ko) 2018-05-28 2019-08-13 테라셈 주식회사 이미지 센서 패키지 및 이것의 제조 방법
JP2020036216A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
US11177301B2 (en) 2018-11-19 2021-11-16 UTAC Headquarters Pte. Ltd. Reliable semiconductor packages
TWI685922B (zh) 2019-02-22 2020-02-21 勝麗國際股份有限公司 晶片級感測器封裝結構
CN111627866B (zh) * 2019-02-27 2022-03-04 胜丽国际股份有限公司 芯片级传感器封装结构
CN111769125B (zh) * 2019-04-02 2023-08-01 同欣电子工业股份有限公司 感测器封装结构
CN110021619A (zh) * 2019-05-17 2019-07-16 积高电子(无锡)有限公司 图像传感器封装结构及封装方法
CN110112163A (zh) * 2019-05-17 2019-08-09 积高电子(无锡)有限公司 一种图像传感器封装结构及封装方法
KR102081612B1 (ko) 2019-11-25 2020-05-15 테라셈 주식회사 반도체 패키지 및 이것의 제조 방법
KR102110143B1 (ko) 2019-11-25 2020-05-13 테라셈 주식회사 이미지 센서 패키지 및 이것의 제조 방법
KR20210080718A (ko) 2019-12-20 2021-07-01 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US20210246015A1 (en) * 2020-02-06 2021-08-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Sensor device package and method for manufacturing the same
TWI721815B (zh) * 2020-03-10 2021-03-11 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
TWI721837B (zh) * 2020-03-26 2021-03-11 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
US11869912B2 (en) * 2020-07-15 2024-01-09 Semiconductor Components Industries, Llc Method for defining a gap height within an image sensor package
WO2022050119A1 (ja) * 2020-09-07 2022-03-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
KR20220051470A (ko) 2020-10-19 2022-04-26 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
TWI769780B (zh) * 2021-04-12 2022-07-01 勝麗國際股份有限公司 感測器封裝結構
JP2022189647A (ja) * 2021-06-11 2022-12-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置および電子機器
US11798967B2 (en) * 2021-10-06 2023-10-24 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd Image sensor package with transparent adhesive covering the optical sensing circuit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0951009A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃモジュールの樹脂封止方法、ｉｃモジュール及びｉｃカード
CN1758422A (zh) * 2004-10-09 2006-04-12 北京七星华创电子股份有限公司 一种用于厚膜印刷电路的光耦封装方法
CN1905144A (zh) * 2005-05-27 2007-01-31 阿瓦戈科技通用Ip(新加坡)股份有限公司 用于封装图像传感器的方法和封装的图像传感器
CN101950751A (zh) * 2009-07-10 2011-01-19 菱光科技股份有限公司 图像传感器及其封装方法
CN102589753A (zh) * 2011-01-05 2012-07-18 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6646316B2 (en) * 2001-01-24 2003-11-11 Kingpak Technology, Inc. Package structure of an image sensor and packaging
CN1212662C (zh) * 2002-01-16 2005-07-27 翰立光电股份有限公司 显示元件的封装构造
US6472736B1 (en) * 2002-03-13 2002-10-29 Kingpak Technology Inc. Stacked structure for memory chips
TW586197B (en) * 2002-04-24 2004-05-01 Scientek Corp Image sensor semiconductor package
US20040113286A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Jackson Hsieh Image sensor package without a frame layer
US6933493B2 (en) * 2003-04-07 2005-08-23 Kingpak Technology Inc. Image sensor having a photosensitive chip mounted to a metal sheet
US6995462B2 (en) * 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages
JP2007311416A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Fujifilm Corp 固体撮像装置
KR100818546B1 (ko) 2006-07-31 2008-04-01 하나 마이크론(주) 이미지 센서 패키지 및 이의 제조방법
TWI364823B (en) * 2006-11-03 2012-05-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor type semiconductor package and fabrication method thereof
JP2008192769A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Sharp Corp 樹脂封止型半導体受光素子、樹脂封止型半導体受光素子の製造方法、及び樹脂封止型半導体受光素子を用いた電子機器
US7964945B2 (en) * 2007-09-28 2011-06-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Glass cap molding package, manufacturing method thereof and camera module
JP2009111130A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Fujifilm Corp 撮像装置及びその製造方法
TWI398949B (zh) * 2009-07-29 2013-06-11 Kingpak Tech Inc 模造成型之影像感測器封裝結構製造方法及封裝結構
TW201104850A (en) * 2009-07-29 2011-02-01 Kingpak Tech Inc Image sensor package structure with large air cavity
JP5658466B2 (ja) * 2010-02-05 2015-01-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
TWI414060B (zh) * 2010-09-17 2013-11-01 Kingpak Tech Inc 模造成型之免調焦距影像感測器構裝結構及其製造方法
KR20130083249A (ko) * 2012-01-12 2013-07-22 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이를 이용한 이미지 센서 패키지
KR101963809B1 (ko) * 2012-04-25 2019-03-29 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0951009A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃモジュールの樹脂封止方法、ｉｃモジュール及びｉｃカード
CN1758422A (zh) * 2004-10-09 2006-04-12 北京七星华创电子股份有限公司 一种用于厚膜印刷电路的光耦封装方法
CN1905144A (zh) * 2005-05-27 2007-01-31 阿瓦戈科技通用Ip(新加坡)股份有限公司 用于封装图像传感器的方法和封装的图像传感器
CN101950751A (zh) * 2009-07-10 2011-01-19 菱光科技股份有限公司 图像传感器及其封装方法
CN102589753A (zh) * 2011-01-05 2012-07-18 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101467699B1 (ko) 2014-12-01
CN104282698A (zh) 2015-01-14
CN107742630B (zh) 2020-05-19
CN107742630A (zh) 2018-02-27
JP2015019031A (ja) 2015-01-29
US8969120B2 (en) 2015-03-03
US20150011038A1 (en) 2015-01-08
JP5635661B1 (ja) 2014-12-03
TW201503334A (zh) 2015-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104282698B (zh) 影像感测器二阶段封装方法
TW445608B (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof of lead frame without flashing
US7145253B1 (en) Encapsulated sensor device
US20020008315A1 (en) Semiconductor package and method of fabricating the same
TWI520234B (zh) Manufacturing method of semiconductor device
CN105470212B (zh) 用于半导体器件的封装及其组装方法
US11355423B2 (en) Bottom package exposed die MEMS pressure sensor integrated circuit package design
CN105870024A (zh) 系统级封装方法
CN105977220A (zh) 半导体封装组件
KR100800475B1 (ko) 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
TWM550909U (zh) 影像感測器封裝結構
TW201312711A (zh) 塑封預模內空封裝之結構改良
US7541222B2 (en) Wire sweep resistant semiconductor package and manufacturing method therefor
CN110301042A (zh) 带有导线键合网的半导体封装
CN209169123U (zh) 一种封装结构
CN204558444U (zh) 指纹识别模组封装结构以及电子设备
CN110112163A (zh) 一种图像传感器封装结构及封装方法
CN106897709A (zh) 指纹识别模组及电子装置
CN102298724A (zh) 一种ic卡电子元件的胶合式整装工艺
CN209544354U (zh) 图像传感器的封装结构
CN204361080U (zh) 电路系统及其芯片封装
CN210668337U (zh) 一种传感器的封装结构及传感器
CN107399712A (zh) 一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法
CN209525013U (zh) 一种温度传感器芯片的封装结构及温度探头
US7943433B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20161222

Address after: No. eighty-four Taiwan Hsinchu County China jhubei City, Taihe Road

Applicant after: KINGPAK TECHNOLOGY Inc.

Address before: Taiwan Hsinchu County Chinese jhubei City, Taihe Road No. 84

Applicant before: KINGPAK TECHNOLOGY INC.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230116

Address after: Taipei City, Taiwan Chinese Zhongzheng District Yanping Road No. 83 6 floor

Patentee after: TONG HSING ELECTRONIC INDUSTRIES, Ltd.

Address before: No. eighty-four Taiwan Hsinchu County China jhubei City, Taihe Road

Patentee before: KINGPAK TECHNOLOGY Inc.

TR01 Transfer of patent right