JPH0951009A - Ｉｃモジュールの樹脂封止方法、ｉｃモジュール及びｉｃカード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣカードに使うＣＯＢやＣＯＴ方式による
ＩＣモジュールの生産効率を上げる。 【解決手段】 熱硬化性樹脂でチップ面を覆うように塗
布した後、熱硬化性樹脂を完全硬化させる前に紫外線硬
化性樹脂で被覆し、一次硬化工程で紫外線硬化性樹脂を
硬化させるところまでを、ワイヤボンディング工程と共
に一貫生産工程とし、次いで分離した後硬化工程で熱硬
化性樹脂の完全硬化を行う。また、ＩＣもジュールは内
部を熱硬化性樹脂で、外側を紫外線硬化性樹脂で樹脂封
止した構成となる。またこのＩＣモジュールを用いたＩ
Ｃカードとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣカードを製造する
に当たって、通常のリジッドなプリント配線基板上にＩ
Ｃモジュールを製造するＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏ
ａｒｄ）方式、及びフレキシブルなフィルム状のプリン
ト配線基板上にＩＣモジュールを製造するＣＯＴ（Ｃｈ
ｉｐ Ｏｎ Ｔａｐｅ）方式で、ＩＣモジュールを製造
する際に、ワイヤボンディング済みのＩＣチップを樹脂
封止する方法に関し、さらに詳しくは、生産効率の向上
に寄与する樹脂封止方法に関する。そして、この方法で
得られたＩＣモジュール、さらにはＩＣカードに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】通常、ＩＣカードは、プラスチック製の
カード基材に設けらた凹形状の埋設部にＩＣモジュール
を埋設して製造される。このようなＩＣモジュールは図
２に示す様にＩＣチップを直接プリント配線基板上に実
装するＣＯＢ方式による構造のものと、ＣＯＴ方式によ
る構造のものが用いられる。すなわち、従来のＩＣモジ
ュール９は、コンタクト面８を有するプリトン配線基板
２にＩＣチップ３をボンディング・ワイヤ７で接続し、
ＩＣチップ３を熱硬化性又は紫外線硬化性樹脂による樹
脂封止部４で封止した構造のものである。そして、この
ような樹脂封止方法には、以下の方法が実用化されてい
る。すなわち、第１の方法は、１液又は２液性のエポキ
シ系の熱硬化性樹脂を、ＩＣチップ面を覆うように塗布
して、加熱炉を通して樹脂を熱硬化させる方法である。
また、第２の方法は、熱硬化性樹脂の代わりに紫外線硬
化性樹脂を塗布して、紫外線を照射することによって硬
化させる方法である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の樹脂封止方法には、一長一短があった。すなわち、
ＣＯＢでＩＣモジュールを製造するには、ワイヤボンデ
ィング工程、樹脂封止工程、及び硬化工程を一貫して行
う必要があり、もしも分離して行うと、ボンディング後
の一次保管時ではワイヤ損傷、硬化工程前一時保管では
封止樹脂の傾きや接触による変形等の問題が発生する。
特に、ＣＯＴ方式の場合は、これら問題は顕著である。

【０００４】ところが、第１の樹脂封止方法である熱硬
化性樹脂を用いる方法では、熱硬化性樹脂は熱硬化工程
に時間を要し、このような一貫工程の生産速度は遅い硬
化時間の為に、速くすることはできない。そこで、実際
には、例えばＣＯＢ方式で、一度に大量の基板を加熱炉
に自動的に収納できる構造及び搬送系を有する装置で
は、ある程度基板枚数がたまった時点で、一括して加熱
炉に基板を収納してから硬化処理を行うことで、見かけ
の生産速度を速くすることができる。しかし、ＣＯＢ方
式及びＣＯＴ方式でもこの様な装置を用いない場合に
は、熱硬化工程を樹脂が搬送時のこすれ等で変形しない
最低限の樹脂硬化程度までとする一次硬化と、完全硬化
まで行う後硬化とに分離し、一貫工程では一次硬化のみ
を行い、その後、別工程で樹脂封止後のＩＣモジュール
をまとめて後硬化工程を行っている。

【０００５】そして、一度に大量の基板を加熱炉に収納
してから硬化処理をする前者の方法では、それを自動的
に行う装置は複雑な搬送系とする必要があり、設備コス
トの増大も招く。そこで、加熱炉への収納を人手を行う
様にすれば、装置は安価となるが、人手による基板の移
動、搬送、設置を無衝撃で安定的に行うことが困難で、
衝撃や傾き等により、樹脂の液だれ等が発生する恐れが
ある。また、一次硬化と後硬化とに分けて硬化処理を行
う後者の方法では、一次硬化工程として（硬化の加熱温
度にもよるが）相当の時間が必要となり（例えば１５０
℃で３０分程度）、以下の問題があった。

【０００６】(1) 生産能力向上の為にワーク搬送速度を
上げるには、充分な硬化時間を確保するために長いキュ
アスペースが必要で、設備の大型化、設備コストアップ
につながる。 (2) キュアスペースを短くすると、その間にある程度の
硬化が完了する様な速さまで搬送速度を落とすこととな
り、全体の生産能力が低下する。

【０００７】また、第２の樹脂封止方法である紫外線硬
化性樹脂を用いる方法では、樹脂を塗布後、ＵＶランプ
による紫外線照射で、かなり小スペース且つ短時間での
樹脂硬化が可能となるが、熱硬化方式と比べて以下の問
題がある。

【０００８】(1) 充分な硬化後もある程度の変形に対す
る柔軟性を有するため、曲げ等の外力が加わったときに
内部のワイヤやチップに応力が伝わり、変形したり損傷
する恐れがある。 (2) 上記(1) の問題等は添加剤によりある程度の物性改
良は可能だが紫外線を内部まで通す必要から添加量には
限界があり、その結果、耐湿性が充分でなく、ワイヤの
酸化等による不具合の恐れがある。 (3) 紫外線硬化性樹脂はその性質上、ある程度の透明性
を持たざるを得ないため、完全に内部のチップやワイヤ
配線を隠すことが困難で、外部からの観察でＩＣの構造
や配線パターンが解読され易い。

【０００９】そこで、本発明の目的は、生産設備の低コ
スト化、設備の小スペース化を図り、生産効率に優れ、
且つ生産時の搬送、こすれ等で変形せず、充分な耐湿
性、外力に対する強度を有する樹脂封止方法を提供する
ことである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のＩＣモジュール
の樹脂封止方法は、前記課題を解決し目的を達成するた
めに、熱硬化性樹脂でチップ面を覆うように塗布した
後、該熱硬化性樹脂を完全硬化させる前に該熱硬化性樹
脂を紫外線硬化性樹脂で被覆し、該紫外線硬化性樹脂を
硬化させ、次いで前記熱硬化性樹脂を完全硬化させる。
上記樹脂封止方法において、内部の熱硬化性樹脂を後硬
化工程で完全硬化させる前に、一次硬化工程で、紫外線
硬化性樹脂の硬化と共に予備硬化させる様にしたもので
もある。また、本発明のＩＣモジュールは内部を熱硬化
性樹脂で、その外側を紫外線硬化性樹脂で樹脂封止した
構成とする。また、本発明のＩＣカードは上記ＩＣモジ
ュールを用いた構成とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明のＩＣモジュールの
樹脂封止方法、本発明のＩＣモジュール及びＩＣカード
の実施の形態を図面を参照しながら詳述する。

【００１２】図１は、本発明の樹脂封止方法によって得
られる、本発明のＩＣモジュールの一実施例を示す縦断
面図である。本発明のＩＣモジュール１は、コンタクト
面８を有するプリトン配線基板２にＩＣチップ３をボン
ディング・ワイヤ７で接続し、ＩＣチップ３を先ず熱硬
化性樹脂による樹脂封止部５で覆ったのち、該樹脂封止
部５を紫外線硬化性樹脂による樹脂封止部６でさらに覆
った二重構造の樹脂封止部を有するものである。

【００１３】樹脂封止部の内側となる、熱硬化性樹脂に
よる樹脂封止部５としては、従来公知の熱硬化性樹脂を
使用することができる。熱硬化性樹脂としては、不飽和
ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂等もあるが、な
かでもエポキシ系樹脂はこれらに比べて硬化時の収縮が
少なく且つ硬化後の化学的、電気的及び機械的特性が優
れる点で好ましく、以下エポキシ系樹脂を熱硬化性樹脂
として使用することを前提に説明する。エポキシ系樹脂
としては、具体的には、主剤にクレゾールノボラック型
エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂等を使用し、これに硬化剤として脂肪族や芳
香族アミン等を使用し、さらに硬化促進剤、可塑剤、無
機充填剤料等の各種添加剤を使用したもの等が挙げられ
る。なお、エポキシ系樹脂は、一液型、二液型（直前に
混合する）どちらでも良い。

【００１４】次に、紫外線樹脂による樹脂封止部６に使
用される紫外線硬化性樹脂としては、従来公知の樹脂が
使用できる。すなわち、紫外線硬化性樹脂は、多官能性
のベースレジンに単官能性又は多官能性の反応性希釈
剤、フリーラジカルを生成する光開始剤、光開始助剤、
さらに顔料等の添加剤等を所望の配合比で配合した液状
の組成物である。ベースレジン：反応性希釈剤：添加剤
の重量比は、用途により適宜調整し幅があるが、例え
ば、８０：１５：５〜４０：４０：２０程度である。

【００１５】ベースレジンとしては、エポキシアクリレ
ート、ポリエステルアクリレート、ポリウレタンアクリ
レート等と複数のアクリロイル基、或いはメタクリロイ
ル基を有する光重合性オリゴマーが挙げられる。これら
ベースレジンは硬化物に強靱性、柔軟性、接着性等の諸
物性を与える働きをする。しかし、粘度が高いために、
反応性希釈剤により組成物を低粘度化する。このような
反応性希釈剤としては、アクリル基、メタクリル基、ビ
ニル基等を有する、アクリル酸エステル、メタクリル酸
エステル、スチレン、酢酸ビニル等の単官能モノマー、
或いは二官能モノマー、三官能モノマー等が挙げられ
る。

【００１６】また、光開始剤としては、紫外線照射にて
特定波長を吸収し電子的励起状態となりラジカルを発生
して、光重合性オリゴマー、モノマーの重合を開始させ
る化合物であり、例えば、ベンゾイン系、アセトフェノ
ン系、チオキサンソン系、パーオキサイド系等の光開始
剤が挙げられる。そして、光開始助剤は、それ自身では
紫外線によりラジカルを発生しないが、光開始剤との共
存した場合に光開始剤に水素を供与して、光開始剤のラ
ジカル発生を増進するものである。このような光開始助
剤には、例えば、アミン系、キノン系等の光開始助剤が
挙げられる。

【００１７】そして、上記光重合性オノゴマー、反応性
希釈剤、光開始剤、光開始助剤以外に、熱重合禁止剤、
無機充填剤、紫外線不活性樹脂、可塑剤等が適宜配合さ
たものが紫外線硬化性樹脂として使用される。

【００１８】次に本発明の樹脂封止方法を説明する。当
方法では、前記した様な熱硬化性樹脂でチップ面を覆う
ように塗布した後、該熱硬化性樹脂を完全硬化させる前
に該熱硬化性樹脂を紫外線硬化性樹脂で被覆し、一次硬
化工程で該紫外線硬化性樹脂を硬化させ、次いで後硬化
工程で前記熱硬化性樹脂を完全硬化させる。

【００１９】特に、本発明の方法では、樹脂封止部の内
部に熱硬化性樹脂を使用する場合でも、一次硬化工程に
従来と同様の所要時間を設定する必要がない。従来では
熱硬化性樹脂を予備硬化させる為の一次硬化工程に１５
０℃で３０分程度を要したが、一次硬化工程はその後に
施す高速硬化が可能な紫外線硬化性樹脂の硬化を主体と
するからである。紫外線硬化性樹脂の硬化のみであれ
ば、数秒からせいぜい１分の紫外線照射のための一次硬
化時間で充分である。また、使用する熱硬化性樹脂にも
よるが、一次硬化工程に１００〜１８０℃で５〜１０分
程度の加熱を付与した方が、内部の熱硬化性樹脂がある
程度まで硬化するので、長期の一次保管時等の耐湿性向
上、極端な傾きを持った状態で保管する際の流動防止等
の点からは好ましい。しかし、それでもこの程度の（一
次硬化工程）の所要時間であれば、従来の３０分に比
べ、しかもその３０分がワイヤボンディング工程から
（一次）硬化工程までを一貫生産する全工程の所要時間
の殆どを占めることから考えれば３分の１以下になる為
に、生産効率の向上効果は予想以上のものが得られる。

【００２０】そして、次に、紫外線硬化性樹脂で、ＩＣ
チップ等を被覆した後の完全硬化前の熱硬化性樹脂を、
塗布又は印刷法によりさらに被覆した後、紫外線を照射
して該紫外線硬化性樹脂を架橋、重合させて液状物から
固形状物に変える。その結果、内部の熱硬化性樹脂が完
全硬化前で柔らかい状態でも樹脂封止部全体としての変
形が防止され、ＩＣモジュール製造中での搬送が可能と
なる。紫外線硬化性樹脂による樹脂封止部６の厚みは、
通常は０．０５〜０．２ｍｍ程度とする。０．０５ｍｍ
未満であると、硬化後の皮膜としての強度が弱く、内部
の柔らかい熱硬化性樹脂に対する流動防止効果や、耐湿
性向上効果がなく、逆に、０．２ｍｍを超えると、外側
の皮膜としての機能は飽和し、結果的に内部の熱硬化性
樹脂の膜厚が小さくなるために強度、耐湿性が不充分と
なる。

【００２１】なお、紫外線硬化性樹脂の硬化は、２００
〜４００ｎｍ程度の紫外線を発生する、水銀ランプやメ
タルハライドランプ等の紫外線硬化装置を使用する。

【００２２】また、熱線を遮断する手段を特別に設けな
い場合は、紫外線照射装置からは紫外線と共に若干の熱
線も放出しワークを加熱する。このため、一次硬化工程
が紫外線照射装置のみによる紫外線硬化性樹脂を目的と
した硬化であっても、その熱によって内部の熱硬化性樹
脂の予備硬化が進行することは、本発明の樹脂封止方法
の意に反するものではなく、むしろ好都合である。一次
硬化工程で紫外線照射装置と共に赤外線等の熱線発生装
置或いは加熱炉等を併用する場合を熱硬化性樹脂の明示
的な予備硬化とすれば、このような場合は熱硬化性樹脂
の付随的な予備硬化と言える。

【００２３】なお、上記した様に、紫外線硬化性樹脂を
対象とする紫外線照射条件として硬化条件は、樹脂封止
部全体を（熱硬化性樹脂でなく）紫外線硬化性樹脂で形
成する場合に比べても、表層のみで厚みが薄いために、
より短時間で可能である。例えば、数秒から６０秒程度
である。このように、紫外線硬化性樹脂は所定波長域の
紫外線を極めて短時間照射するだけで完全硬化する特性
を持つため、熱硬化性樹脂の一次硬化工程で必要な加熱
炉と比べて、設備の小型化、設備コストの低下が可能と
なるものである。

【００２４】一次硬化工程終了後の後硬化工程は、内部
の熱硬化性樹脂を完全硬化させるため加熱工程である。
ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程及び一次硬化工
程を一貫工程とし、後硬化工程は前記各工程と切り離し
た別工程とすることで、製造工程トータルとしての生産
効率を向上させることができる。但し、後硬化工程の硬
化条件は、一次硬化工程での予備硬化が従来よりも少な
い分、或いは無い分だけ、従来の後硬化工程の条件より
時間的には長くなる。具体的には使用する樹脂にもよる
が、１００〜１８０℃で１２０〜１８０分程度、例え
ば、１５０℃で１５０分程度とすれば充分である。

【００２５】そして、以上説明した様な材料及び方法に
よって、ＩＣモジュールが得られるが、このＩＣモジュ
ールを用いてＩＣカードを作れば、本発明のＩＣカード
が得られる。

【００２６】なお、以上の説明では、一次硬化工程及び
後硬化工程の硬化条件は、熱可塑性樹脂として物性面等
で優れた性能を出し易いエポキシ系樹脂を前提としてき
たが、本発明の主旨は、内部の熱硬化性樹脂の予備硬化
を従来よりもより少なくした状態で一貫生産できるもの
であるので、外側の紫外線硬化性樹脂の硬化によって一
次硬化工程が短縮され迅速に行えるものであれば、熱硬
化性樹脂はエポキシ系樹脂に限定されるものではない。

【００２７】

【実施例】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説明
する。

【００２８】《実施例１》おもて面にコンタク面付きの
リジッドなプリント配線基板の裏面に、ＩＣチップをダ
イボンディングし、リード線をワイヤボンディングした
後、一液型エポキシ樹脂系熱硬化性樹脂としてノボラッ
ク型エポキシ樹脂（粘度：１８００ポイズ、硬度：ロッ
クウェルＭスケール１００以上、ガラス転移温度：１５
０℃、線膨張係数３．０×１０^-5〔１／℃〕）をディス
ペンサーにてチップ全面にリード線が充分に被覆させる
様に塗布し、次いで、エポキシ系樹脂からなる紫外線硬
化性樹脂（粘度：７０ポイズ、硬度：ショアＤで５０）
を同様の方法で、前記熱硬化性樹脂全面が被覆される程
度に薄く（厚み約０．１ｍｍ）塗布した。次いで、一次
硬化工程として水銀ランプの紫外線照射装置にて封止樹
脂面に紫外線を照射条件１２０ｍＷ／ｃｍ² で３０秒間
照射して、上記紫外線硬化性樹脂を硬化させた。次い
で、この状態のＩＣモジュールをまとめて、後硬化工程
として、１５０℃の熱硬化炉に１５０分間入れて、内部
の熱硬化性樹脂を完全硬化させて、本発明のＩＣモジュ
ールを得た。そして、このＩＣモジュールを、埋設部を
有するプラチスック性のカード基材に埋め込み、本発明
のＩＣカードを得た。なお、プリント配線基板は約１２
ｍｍ×１１ｍｍ、総厚０．１６ｍｍのガラスエポキシ樹
脂製プリント配線基板を用い、ＩＣチップは約５．０ｍ
ｍ×５．０ｍｍ、厚み０．３ｍｍのＣＰＵ付きＩＣチッ
プを用いた。

【００２９】《比較例１》実施例１で用いた熱硬化性樹
脂単独にて樹脂封止を行い、一次硬化工程は１５０℃３
０分、その後の別工程の後硬化工程は１５０℃１５０分
にて熱硬化を行い、比較例１のＩＣモジュールを得た。

【００３０】《比較例２》実施例１で用いた紫外線硬化
性樹脂単独にて樹脂封止を行い、紫外線照射装置にて紫
外線照射して樹脂硬化を行い、比較例２のＩＣモジュー
ルを得た。

【００３１】以上の実施例と比較例について、耐湿性、
物理的強度について比較評価した結果を表１に示す。性
能評価方法は以下に示す。

【００３２】１．耐湿性：最初にデータ読取り及び書込
み動作を行い正常であることを確認したＩＣモジュール
を、温度１２１℃、湿度１００％ＲＨ、気圧２．０ａｔ
ｍの雰囲気下で２００時間保管した後、再度データの読
取り及び書込み動作を行い、正常であるＩＣモジュール
個数で評価した。

【００３３】２．物理的強度：ベンディングテストに
て、ＩＣカードとした場合の曲げ強度を測定した。上記
実施例及び比較例で得たＩＣモジュールを埋め込んだＩ
Ｃカードを作成し、最初にデータ読取り及び書込み動作
を行い正常であることを確認したＩＣカードを、カード
の長短表裏４方向について、たわみ量を長方向では２ｃ
ｍ、短方向では１ｃｍとし、曲げ周期３０回／分で１０
００回行った後、再度、データの読取り及び書込み動作
を行い、正常であるＩＣカードの枚数で評価した。

【００３４】

【表１】 ※注： 表中、数字は正常数／評価数を表す

【００３５】

【発明の効果】本発明のＩＣモジュールの樹脂封止方法
では、ＩＣチップの樹脂封止を熱硬化性樹脂による樹脂
封止がまだ未硬化の状態で、紫外線硬化性樹脂で前記樹
脂封止を覆うように第２の樹脂封止を行い一次硬化工程
で紫外線硬化性樹脂を硬化させてしまうので、ワークの
搬送、保管ができ、別工程の後硬化工程で前記熱硬化性
樹脂を完全硬化させることができ、次の様な従来にない
優れた効果を奏する。 ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程、及び一次硬
化工程からなる一貫生産工程の内、生産性に最も影響す
る（従来は熱硬化性樹脂の硬化に使われていた）一次硬
化工程の所要時間を短縮でき、上記全工程を高速に行
え、生産効率が向上する。 内側の熱硬化性樹脂の時間のかかる完全硬化の工程
を、切り離して後硬化工程として行えるので、任意の時
に、任意の場所で行える。したがって、熱硬化炉をワイ
ヤボンダー及び樹脂封止装置に連結するスペースがなく
ても、熱硬化炉を分離した任意の場所に設置できて、装
置レイアウトの自由度を大きくできる。 また、後硬化工程の熱硬化炉自身のスペースはワーク
搬送速度に合わせて大きくとる必要はなく、また、大量
のワークを一括して完全硬化させることができ、従っ
て、熱硬化炉の小型化による装置スペースの有効利用及
び装置コストの低減が図れ、工程の効率化も容易に図れ
る。

【００３６】また、上記の様な方法で得られる本発明の
ＩＣモジュールは、樹脂封止の内部が熱硬化性樹脂で外
側が紫外線硬化性樹脂から構成されているので、熱硬化
性樹脂の優れた化学的、電気的、機械的物性が得られる
上、生産効率も良く、ＩＣチップの隠蔽もできる。ま
た、ＩＣチップの最も外側の被覆膜が硬化後もある程度
弾力性を有する紫外線硬化性樹脂とすることができるた
め、ＩＣモジュールをＩＣカードに埋設する最終工程に
至るまでのＩＣモジュールの一次保管、搬送中のこす
れ、衝撃等の外力に対しても、ある程度、これを外側の
紫外線硬化性樹脂が吸収し、内部の硬い熱硬化性樹脂へ
の応力伝達を防ぎ、熱硬化性樹脂及び内部のＩＣチップ
の損傷を防ぐことができる。

【００３７】さらに上記ＩＣモジュールを用いた本発明
のＩＣカードも優れた前記物性が得られる上、生産効率
も良い。特に、曲げ強度に強いＩＣカードが得られる。
それは、ＩＣモジュールをＩＣカードに埋設する為に設
けるカード基材の座ぐり部（凹形状埋設部）の形成工程
では、カードが外力で曲げられたときに硬いＩＣモジュ
ールの熱硬化性樹脂部が直接に座ぐり部底面に接触し、
応力が樹脂及び内部のＩＣチップ、ワイヤ等に伝達され
て樹脂、チップ、ワイヤの損傷が発生することを防ぐた
めに、カードが曲げられても直接ＩＣモジュールの樹脂
がカード基材に接触しない様にするために、充分な深さ
の座ぐり部を形成する必要がある。しかし、座ぐり部を
深くすると、結果的にカードの薄肉部が多くなり、ＩＣ
モジュールとカード基材の接着をホットメルト方式で行
う場合は、薄肉部への熱伝導により薄肉部が変形し、カ
ード厚み寸法精度の悪化や、外観上の不具合が発生し易
くなるのである。ところが、本発明のＩＣカードでは、
上記ＩＣモジュールを用いるので、たとえ、ＩＣモジュ
ールの樹脂部とカード基材が一部で接触しても、弾力性
に富んだ紫外線硬化性樹脂がカードから伝わる曲げ応力
を吸収し、内部の熱硬化性樹脂及びＩＣチップ、ワイヤ
を保護するために、カード基材の座ぐり部の深さを比較
的浅くすることができ、ホットメルト等によるＩＣモジ
ュールとカードの接着工程において、カード基材側の熱
変形を最小限に抑えることが出来るという利点もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の樹脂封止方法によるＩＣモジュールの
縦断面図。

【図２】従来の樹脂封止方法によるＩＣモジュールの縦
断面図。

【符号の説明】

１ ＩＣモジュール ２ プリント配線基板 ３ ＩＣチップ ４ 熱硬化性又は紫外線硬化性樹脂による樹脂封止部 ５ 熱硬化性樹脂による樹脂封止部 ６ 紫外線硬化性樹脂による樹脂封止部 ７ ボンディング・ワイヤ ８ コタントク面 ９ 従来のＩＣモジュール

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱硬化性樹脂でチップ面を覆うように塗
   布した後、該熱硬化性樹脂を完全硬化させる前に該熱硬
   化性樹脂を紫外線硬化性樹脂で被覆し、一次硬化工程で
   該紫外線硬化性樹脂を硬化させ、次いで後硬化工程で前
   記熱硬化性樹脂を完全硬化させることを特徴とするＩＣ
   モジュールの樹脂封止方法。
2. 【請求項２】 内部の熱硬化性樹脂を後硬化工程で完全
   硬化させる前に、一次硬化工程で、紫外線硬化性樹脂の
   硬化と共に予備硬化させることを特徴とする請求項１記
   載のＩＣモジュールの樹脂封止方法。
3. 【請求項３】 内部を熱硬化性樹脂で、その外側を紫外
   線硬化性樹脂で樹脂封止したことを特徴とするＩＣモジ
   ュール。
4. 【請求項４】 請求項３記載のＩＣモジュールを用いた
   ことを特徴とするＩＣカード。