KR20050022161A - 발광 다이오드 제조방법 및 캡슐화 재료 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 다이오드(LED) 제조방법 및 캡슐화 재료에 관한 것으로, 올리고머, 반응성 모노머 및 광개시제 중 하나 이상으로 조성된 감광수지를 포함하고, LED 칩의 캡슐화공정 후에 적외선을 포함하지 않는 가시광선 또는 자외선 또는 전자빔에 감광수지를 노출시킴으로써 감광수지의 자유기 중합반응 및 실온에서의 급속한 경화를 유도하여 급속한 경화를 촉진시킴과 동시에 발광 다이오드 캡슐화공정에서 가열로 내에서의 가열공정을 없애, 제품의 생산효율을 향상시키는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 캡슐화 재료의 적용 및 발광 다이오드(LED)의 제조방법에 관한 것으로, 발광 다이오드의 캡슐화공정시 가열로에서 가열할 필요가 없고, 급속한 경화를 촉진시켜 생산효율을 향상시킨다.
도 1은 종래의 발광 다이오드(LED) 제조방법을 도시하고, 이것은 하기의 공정으로 나뉜다.
1. 다이 본딩공정 : 발광 다이오드 칩을 미리 펀칭가공된 제 1 리드 프레임에 위치시켜 접합한다.
2. 납땜공정 : 발광 다이오드 칩과 제 2 리드 스탠드를 납으로 연결하여 전기가 통하게 하고, 제 1 리드 프레임, 제 2 리드 프레임 및 발광 다이오드 칩이 전기적 링크를 형성하도록 한다.
3. 캡슐화공정 : 걸쭉하고 점성을 갖는 액체상태의 에폭시 수지를 몰드에 주입한 후, 발광 다이오드 칩, 제 1 리드 프레임 및 제 2 리드 프레임을 몰드에 담근다.
4. 가열경화공정 : 캡슐화공정 후, 캡슐화 재료를 가열로에 넣고 고온으로 가열한다. 3 내지 8시간후, 걸쭉하고 점성을 갖는 고분자량 액체 수지가 경화되면 캡슐화공정이 완료된다.
5. 커팅, 테스트 및 포장공정.
상기 제조공정 중 캡슐화공정 및 가열경화공정은 종래의 "캡슐화공정"에 관련한 것이다. 에폭시 수지는 "고분자량 수지" 재료로서 캡슐 제조에 있어 주요한 요소이고, 따라서 에폭시 수지는 발광 다이오드의 캡슐화 재료로 이용되고 있는데, 이는 에폭시 수지가 고투명성, 고내열성, 고열전도성, 내습성 및 내식성을 갖고, 또한 이러한 특성들로 인해 적용가능한 환경 및 기능에 요구되는 발광 다이오드의 조건에 적합하기 때문이다.
발광 다이오드의 캡슐화공정에 가장 널리 사용되고 있는 에폭시 수지는 열경화성 에폭시 수지로, 이것은 경화 이전에는 유체, 점성이 큰 액체 또는 반 아교질 형태이다. 경화제를 첨가시켜 고온에서 3 내지 8 시간동안 경화시킨 후, 가교 고체 폴리머를 형성한다.
또한, 에폭시 수지와 LED 칩의 열팽창 계수의 차가 크기 때문에 에폭시 수지의 경화, 냉각 및 수축공정 동안에 에폭시 수지의 크랙발생, LED 칩의 파열, 접착부의 분리, 리드 프레임에 연결된 구성요소의 이탈 및 쪼개짐 등, 에폭시 수지와 LED 칩 사이에 내부응력이 발생하게 된다.
상기 발광 다이오드 제조공정 전반에 있어, 에폭시 수지 캡슐화공정 및 가열경화공정에 특히 많은 시간이 소요되고 또한 구성요소 형성이 복잡하기 때문에 발광 다이오드 제조시간을 단축하기가 어려워, 결국 비효율적 생산이라는 문제를 초래하게 된다. 따라서, 좀 더 개선된 제조공정이 필요하다.
본 발명은 올리고머 또는 반응성 모노머 중 하나 이상, 및 광개시제로 조성된 감광수지를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법 및 캡슐화 재료를 제공한다. LED 칩의 캡슐화공정 후, 적외선을 포함하지 않는 가시광선 또는 자외선, 또는 전자빔에 감광수지를 노출시켜 액체 감광수지의 자유기 중합반응(free radical polymerization reaction) 및 실온에서의 급속한 경화를 유도함으로써, 급속한 경화를 촉진함과 동시에 발광 다이오드 캡슐화공정시 가열경화공정을 없애, 생산효율이 증대되게 된다.
본 발명의 또 다른 목적은 올리고머 또는 반응성 모노머 중 하나 이상으로 조성된 감광수지를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법 및 캡슐화 재료를 제공하는 것이다. LED 칩 캡슐화공정 이후에, 전자빔을 조사하여 재료의 분자를 혼합하는 데 전자 충격을 이용함으로써, 액체 감광수지의 자유기 중합반응 및 실온에서의 급속한 경화를 유도하여, 급속한 경화를 촉진함과 동시에 발광 다이오드 캡슐화공정시 가열경화공정을 없애, 생산효율이 증대되게 된다.
또한 본 발명을 실시할 경우, 실란 결합제를 캡슐화 재료에 첨가하여 재료간의 접합강도를 증가시키고, 자외선 열화에 대한 내성을 증가시키기 위해 자외선 흡수제를 첨가하고, 자유기 화학구조 파괴를 피하기 위해 장애 아민 광안정화제(Hindered Amine Light Stabilizer)를 첨가한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대해서는 하기 상세한 설명을 통해 보다 이해하기 쉽게 설명한다.
본 발명의 기술적 방법 및 목적의 이해를 돕기 위해 바람직한 실시예의 상세한 설명과 함께 도면에 대해 간단히 설명한다.
본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법 및 캡슐화 재료를 도 2에 도시하고, 전체 발광 다이오드 제조공정은 하기와 같은 공정으로 나뉜다.
1. 다이 본딩공정 : 발광 다이오드 결정(LED) 칩을 미리 펀칭가공된 제 1 리드 프레임에 위치시킨다.
2. 납땜공정 : 발광 다이오드 칩과 제 2 리드 스탠드를 납으로 연결하여 전기가 통하게 하고, 제 1 리드 프레임, 제 2 리드 프레임 및 발광 다이오드 칩이 전기적 링크를 형성하도록 한다.
3. 캡슐화공정 : 걸쭉하고 점성을 갖는 액체상태의 감광수지를 몰드에 주입한 후, 발광 다이오드(LED) 칩, 제 1 리드 프레임 및 제 2 리드 프레임을 몰드에 담근다.
4. 경화공정 : 캡슐화공정 후, 감광수지의 급속한 경화를 위해 감광수지를 가시광선 또는 자외선 또는 전자빔에 노출시킨다.
5. 커팅, 테스트 및 포장공정.
상기 제조공정에서, 다이 본딩공정, 납땜공정, 캡슐화공정, 경화 및 커팅공정, 테스트 및 포장공정의 순서는 종래의 기술과 유사하다. 하지만, 본 발명은 아래에 기술하는 바와 같은 현저한 특징을 갖는다.
상기한 캡슐화 재료인 고분자량 수지의 액체형태는 올리고머 또는 반응성 모노머 중 하나 이상, 및 광개시제로 조성된 감광수지를 포함한다.(*올리고머(예비중합체): 일반적으로 종래의 수지보다 분자량이 매우 작은 아크릴레이트 또는 메트아크릴레이트 베이스. 통상 상기 상기 올리고머는 약간의 반복 단위를 하나 가진다. 조사되는 광선과 상호작용하여 높은 분자량 구조로 중합체화될 수 있다. 이것의 예로는 에폭시 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 실리콘 아크릴레이트, 아크릴 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트가 있다, *모노머: 하나 내지 여섯 개의 작용기들을 갖는 아크릴레이트 또는 메트아크릴레이트 베이스. 상기 모노머는 광선의 조사에 의해 중합체화가 가능한 단일 단위이다. 상기 모노머는 올리고머보다 분자량이 작은 경우가 일반적이지만, 반드시 그런 것은 아니다. 이것의 예로는 에폭시 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 실리콘 아크릴레이트, 아크릴 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트가 있다, *광개시제는 중합체화를 개시하기 위한 유리 라디칼을 발생시키며, 자외선 또는 가시광선의 에너지를 화학 에너지로 전환시킬 수 있는 화학적 성분이다. 이것의 예로는 2-히드록시-2-메틸-페닐-프로판-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥시드, 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 아실포스핀 옥시드, 2,4,6-트리메틸 벤조일이 있다.) LED 칩의 캡슐화공정 후에, 적외선을 포함하지 않는 가시광선 또는 자외선 또는 전자빔에 감광수지를 5 내지 15초 정도 노출시켜 액체 감광수지의 자유기 중합반응 및 실온에서의 급속한 경화를 유도함으로써, 종래의 발광 다이오드 캡슐화공정에서 소요되는 3 내지 8시간에 달하는 가열경화시간을 절약하게 되고, 결국 제품 생산효율을 증대시키게 된다.
본 발명은 발광 다이오드 완제품을 제조하는 공정을 완성하기 위해 상기 캡슐화 재료를 이용한다. 본 발명자는 본 발명과 종래의 제조공정을 비교하기 위한 표를 작성하였고, 이를 아래에서 상세히 설명한다.
종래의 열경화형 LED와 본 발명의 LED 비교표
| 종래의 열경화형 LED | 본 발명의 LED | 본 발명의 우수성 | |
| 경도 | 크다 | 매우 크다 | 성분 보호에 양호 |
| 경화시간 | 3~8시간 | 5~15초 | 경화속도가 매우 빠르다 |
| 가시광선 투광도(%) | 90~92 | 90~93 | 같거나 다소 높음 |
| 경화 방법 | 경화제와 혼합하여 열에 의해 경화한다 | 경화제가 필요 없고 빛에 의해 경화한다 | 생산공정을 줄이고 생산성을 향상시킨다 |
| 점성(cps) | 매우 높고 처리시 매우 어려움(3000~7000 cps) | 점성이 낮고 처리가 매우 용이하다 (200 ~800cps) | 시간단축 및 처리가 용이 |
| 자외선 변색에 대한 저항성 | 중간 | 양호 | 자외선 변색이 적다 |
| 전기 절연성 | 중간 | 우수 | 전기 절연성이 우수하다 |
본 발명은 발광 다이오드 완제품을 제조하기 위해 상기 공정 및 캡슐화 재료를 이용함과 동시에 경도, 경화속도 및 자외선 변색에 대한 저항성과 같은 특징을 유지시키고, 이러한 특성들은 상기 비교표에 나타낸 바와 같이 종래의 제조공정으로 제조된 발광 다이오드 보다 우수하다는 것을 명백히 알 수 있다. 본 발명에서 설명되고 있는 제조공정에 있어서의 주요 특징은, 캡슐화공정후, 적외선을 포함하지 않는 가시광선 또는 자외선 또는 전자빔에 감광수지를 약 5 내지 15초간 노출시키기만 하면 실온에서 급속한 경화가 일어난다는 것이다. 반면 종래의 제조공정에서는 캡슐화공정 후 경화가 일어나기 전에 3 내지 8시간 동안 가열로에 위치시켜 고온으로 가열하여야 한다. 따라서, 본 발명은 제품의 생산효율을 증대시킴은 물론, 시간과 노력의 절약에 있어서도 효율적이다.
본 발명의 제 2 실시예를 도시하고 있는 도 3에서, 제조공정에서 광개시제에 전자빔을 조사(irradiation)하는 방법 및 가시광선에만 노출시키는 방법이 이용되고 있다. 제조공정은 올리고머 또는 반응성 모노머 중 하나 이상으로 조성된 감광수지를 포함한다. LED 칩의 캡슐화공정 후에, 감광수지에 전자빔을 조사하여 재료 분자를 혼합하기 위해 전자 충격을 이용함으로써, 액체 감광수지의 자유기 중합반응 및 실온에서의 급속한 경화를 유도하고, 따라서 급속한 경화를 촉진함과 동시에 가열경화를 할 필요가 없게 된다.
또한 도면에 나타낸 바와 같이, 다이 본딩공정, 납땜공정, 캡슐화공정 및 경화, 커팅, 테스팅 및 포장공정의 순서는 종래의 기술과 유사하므로 여기서 설명하지는 않는다.
또한 본 발명을 실시하는 데 있어, 실란 결합제를 0.1~0.2% 첨가하여 재료간의 접합강도를 증가시킬수 있고, 자외선 열화에 대한 저항성을 증가시키기 위해 자외선 흡수제 0.01%~15%를 첨가할 수 있으며, 자유기 화학구조 파괴를 막기 위해 장해 아민 광안정제를 첨가할 수 있다.
상기한 것들은 단순히 본 발명의 원리만을 설명하는 것이고, 당업자에게 있어서는 하기의 청구범위에 기재된 바와 같은 본 발명의 기술사상에서 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 수정 및 변경이 가능하다.
본 발명은 종래의 LED 캡슐제조시 이용되는 가열경화공정을 가시광선 또는 자외선 경화 및 전자속 경화 공정으로 대체하여, 캡슐화공정시 실온에서 급속한 경화를 유도함으로써 전체적인 LED 제조공정 시간을 단축할 뿐만 아니라 그에 따르는 비용도 절감할수 있어, 결국 생산성을 향상시키는 효과를 갖는다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 제조공정의 순서도,
도 2는 본 발명에 따른 제 1 실시예를 나타내는 제조공정의 순서도 및
도 3은 본 발명에 따른 제 2 실시예를 나타내는 제조공정의 순서도이다.
Claims (19)
- 올리고머, 반응성 모노머 중 하나 이상, 및 광개시제로 조성되는 감광수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드(LED) 캡슐화 재료.
- 올리고머 또는 반응성 모노머 중 하나 이상으로 조성되는 감광수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 캡슐화 재료.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.1%~20%의 실란 결합제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 캡슐화 재료.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~15%의 자외선 흡수제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 캡슐화 재료.
- 제 3 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~15%의 자외선 흡수제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 캡슐화 재료.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~20%의 장애 아민 광안정화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 캡슐화 재료.
- 제 3 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~20%의 장애 아민 광안정화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 캡슐화 재료.
- 제 4 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~20%의 장애 아민 광안정화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 캡슐화 재료.
- 제 5 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~20%의 장애 아민 광안정화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 캡슐화 재료.
- 올리고머, 반응성 모노머 중 하나 이상, 및 광개시제로 조성되는 감광수지를 포함하고, LED 칩의 캡슐화 공정 후에 적외선을 포함하지 않는 가시광선에 감광수지를 노출시킴으로써 감광수지의 자유기 중합반응 및 실온에서의 급속한 경화를 유도하여 급속한 경화를 촉진시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드(LED) 제조방법.
- 올리고머 또는 반응성 모노머 중 하나 이상으로 조성되는 감광수지를 포함하고, LED 칩의 캡슐화 공정 후에 전자빔을 조사하여 재료의 분자를 혼합하기 위해 전자 충격을 이용함으로써 액체 감광수지의 자유기 중합반응 및 실온에서의 급속한 경화를 유도하여 급속한 경화를 촉진시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 올리고머 또는 반응성 모노머 중 하나 이상, 및 광개시제로 조성되는 감광수지를 포함하고, LED 칩의 캡슐화 공정 후에 감광수지를 자외선에 노출시켜 감광수지의 자유기 중합반응 및 실온에서의 급속한 경화를 유도하여 급속한 경화를 촉진시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.1~20%의 실란 결합제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~15%의 자외선 흡수제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~15%의 자외선 흡수제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~20%의 장애 아민 광안정화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~20%의 장애 아민 광안정화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 제 14 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01%~20%의 장애 아민 광안정화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,캡슐화 재료는 0.01~20%의 장애 아민 광안정화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
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| US20070092736A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
| JP2009513021A (ja) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 成形された封入材を有する発光デバイスの製造方法 |
| US7595515B2 (en) * | 2005-10-24 | 2009-09-29 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device having a molded encapsulant |
| US20070269586A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing composition |
| US7655486B2 (en) * | 2006-05-17 | 2010-02-02 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant |
| US8092735B2 (en) * | 2006-08-17 | 2012-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Method of making a light emitting device having a molded encapsulant |
| KR101271225B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2013-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법 |
| KR100845089B1 (ko) * | 2007-02-08 | 2008-07-09 | 충북대학교 산학협력단 | 발광다이오드의 인캡슐레이션 방법 |
| TWI481064B (zh) * | 2007-02-13 | 2015-04-11 | 3M Innovative Properties Co | 具有透鏡之發光二極體裝置及其製造方法 |
| JP3138795U (ja) * | 2007-11-02 | 2008-01-17 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置を用いた面状発光源 |
| CN100483760C (zh) * | 2007-12-14 | 2009-04-29 | 暨南大学 | 一种白色发光二极管的封装方法 |
| GB2462411B (en) * | 2008-07-30 | 2013-05-22 | Photonstar Led Ltd | Tunable colour led module |
| CN104517862B (zh) * | 2013-09-29 | 2018-11-02 | 深南电路有限公司 | 一种指纹传感器封装方法和结构 |
| US9613912B2 (en) * | 2014-12-16 | 2017-04-04 | Deca Technologies Inc. | Method of marking a semiconductor package |
| KR102173090B1 (ko) * | 2019-09-04 | 2020-11-03 | (주)라이타이저 | 캐리어 기판의 선택적 전사 방법, 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 |
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Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5590445A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-09 | Bridgestone Corp | Laminated glass |
| NL8303316A (nl) | 1983-09-28 | 1985-04-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht. |
| JPH0597063U (ja) * | 1991-04-15 | 1993-12-27 | モレックス インコーポレーテッド | 電気コネクタ |
| JPH0595136A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Fanuc Ltd | 発光ダイオードの固着方法 |
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| US5991160A (en) * | 1995-12-27 | 1999-11-23 | Infineon Technologies Corporation | Surface mount LED alphanumeric display |
| JP3337405B2 (ja) * | 1996-12-27 | 2002-10-21 | シャープ株式会社 | 発光表示素子およびその電気配線基板への接続方法ならびに製造方法 |
| US6521916B2 (en) * | 1999-03-15 | 2003-02-18 | Gentex Corporation | Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity |
| BR0208683A (pt) * | 2001-04-06 | 2004-03-30 | Borden Chem Inc | Conjunto de fibra ótica revestida e respectivo processo de preparação e composição de revestimento de fibras óticas |
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