CN107399712A - 一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法 - Google Patents

一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107399712A
CN107399712A CN201610341256.8A CN201610341256A CN107399712A CN 107399712 A CN107399712 A CN 107399712A CN 201610341256 A CN201610341256 A CN 201610341256A CN 107399712 A CN107399712 A CN 107399712A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
package
pressure sensor
chip
insulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610341256.8A
Other languages
English (en)
Inventor
张强波
江京
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi Sky Interconnect Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuxi Sky Interconnect Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi Sky Interconnect Technology Co Ltd filed Critical Wuxi Sky Interconnect Technology Co Ltd
Priority to CN201610341256.8A priority Critical patent/CN107399712A/zh
Publication of CN107399712A publication Critical patent/CN107399712A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/008—MEMS characterised by an electronic circuit specially adapted for controlling or driving the same
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L11/00—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49112—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting a common bonding area on the semiconductor or solid-state body to different bonding areas outside the body, e.g. diverging wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法，其中，制作方法，包括：在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔；采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指或焊盘连接；将通过整版设计加工制造出的绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围；使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化。所述系统级封装的压力传感器结构和制作方法，通过采用绝缘框成型的方式，在IC前期研发阶段，基板布局和相应的芯片尺寸可根据需要灵活改动，对绝缘框加工不产生影响，提高了开发效率，降低了开发成本。

Description

一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法
技术领域
本发明涉及半导体器件封装技术领域，特别是涉及一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法。
背景技术
系统级封装(SiP，System in Package)是指将多种电子元件(如微处理器、存储器、MEMS、光学器件、被动元件等)在封装时集成在一起的一种系统构装方式。
预成型(Open-molding)是在引线框架或者封装基板表面通过注塑压合的方法在某特定区域直接漏出引线框架和基板，用作后道工艺处理。
目前，市场上对小型化、集成度高的压力传感器需求越来越大，而对于新产品开发阶段，原有的压力传感器封装都是通过模具一体注塑而成，即Open molding工艺。通过这种工艺进行验证后，发现工艺周期较长，模具成本较高。
发明内容
本发明的目的是提供一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法，提高了开发效率，降低了开发成本。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种系统级封装的压力传感器制作方法，包括：
在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔；
采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指或焊盘连接；
将通过整版设计加工制造出的绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围；
使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化。
其中，在所述使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化之后，还包括将金属壳通过粘结剂固定在所述环氧树脂胶表面，其中，所述金属盖具有通孔，用于所述感应芯片感应外界气压。
其中，所述连接孔为采用激光钻孔或机械钻孔得到的连接孔。
其中，在所述在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔，和所述采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指连接之间，还包括：
将电子元器件通过锡膏焊接在所述基板上。
其中，多个所述压力感应芯片堆叠后设置在所述基板上，或倒装在所述基板上。
其中，多个所述处理芯片堆叠后设置在所述基板上，或倒装在所述基板上。
其中，所述绝缘框为FR4绝缘框或BT绝缘框。
除此之外，本发明实施例还提供了一种系统级封装的压力传感器结构，包括基板、绝缘框和设有通孔的金属盖，所述基板上设置有用于连接上下线路层的连接孔，所述基板的正面固接有压力感应芯片和处理芯片，所述压力感应芯片和所述处理芯片与所述基板的金手指或焊盘连接，所述绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围，所述基板上的所述绝缘框外区域由环氧树脂胶填充固化，所述金属壳粘结剂固定在所述环氧树脂胶表面。
其中，所述绝缘框为FR4绝缘框或BT绝缘框。
其中，所述压力感应芯片或所述处理芯片与所述基板的金手指或焊盘通过金线、铜线或铝线连接。
本发明实施例所提供的系统级封装的压力传感器结构以及制作方法，与现有技术相比，具有以下优点：
本发明实施例提供的系统级封装的压力传感器制作方法，包括：
在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔；
采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指或焊盘连接；
将通过整版设计加工制造出的绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围；
使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化。
除此之外，本发明实施例所提供了的系统级封装的压力传感器结构，包括基板、绝缘框和设有通孔的金属盖，所述基板上设置有用于连接上下线路层的连接孔，所述基板的正面固接有压力感应芯片和处理芯片，所述压力感应芯片和所述处理芯片与所述基板的金手指或焊盘连接，所述绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围，所述基板上的所述绝缘框外区域由环氧树脂胶填充固化，所述金属壳粘结剂固定在所述环氧树脂胶表面。
所述系统级封装的压力传感器结构和制作方法，通过采用绝缘框成型的方式，在IC前期研发阶段，基板布局和相应的芯片尺寸可根据需要灵活改动，对绝缘框加工不产生影响，采用绝缘框成型的方式，提高了开发效率，降低了开发成本。
综上所述，本发明实施例提供的系统级封装的压力传感器结构和制作方法，通过采用绝缘框成型的方式，提高了开发效率，降低了成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的系统级封装的压力传感器制作方法的一种步骤流程示意图；
图2为本发明实施例所提供的系统级封装的压力传感器结构的一种具体实施方式中的基板的结构示意图；
图3为本发明实施例所提供的系统级封装的压力传感器结构的一种具体实施方式的横截面结构示意图；
图4为本发明实施例所提供的系统级封装的压力传感器结构的一种具体实施方式的纵截面结构示意图；
图5为本发明实施例所提供的系统级封装的压力传感器结构的一种具体实施方式的封装结构示意图；
图6为本发明实施例所提供的系统级封装的压力传感器结构的另一种具体实施方式的封装结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术部分所述，现有技术中的压力传感器封装都是通过模具一体注塑而成，即Open molding工艺。通过这种工艺进行验证后，发现工艺周期较长，模具成本较高。
基于此，本发明实施例提供了一种系统级封装的压力传感器制作方法，包括：
在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔；
采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指或焊盘连接；
将通过整版设计加工制造出的绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围；
使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化。
除此之外，本发明实施例还提供了一种系统级封装的压力传感器结构，包括基板、绝缘框和设有通孔的金属盖，所述基板上设置有用于连接上下线路层的连接孔，所述基板的正面固接有压力感应芯片和处理芯片，所述压力感应芯片和所述处理芯片与所述基板的金手指或焊盘连接，所述绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围，所述基板上的所述绝缘框外区域由环氧树脂胶填充固化，所述金属壳粘结剂固定在所述环氧树脂胶表面。
综上所述，本发明实施例提供的系统级封装的压力传感器结构和制作方法，通过采用绝缘框成型的方式，在IC前期研发阶段，基板布局和相应的芯片尺寸可根据需要灵活改动，对绝缘框加工不产生影响，采用绝缘框成型的方式，提高了开发效率高，降低了开发成本。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参考图1，图1为本发明实施例所提供的系统级封装的压力传感器制作方法的一种步骤流程示意图。
在一种具体实施方式中，所述系统级封装的压力传感器制作方法，包括：
步骤10，在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔；
步骤20，采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指或焊盘连接；
步骤30，将通过整版设计加工制造出的绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围；
步骤40，使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化。
通过采用绝缘框2成型的方式，在IC前期研发阶段，基板1布局和相应的芯片尺寸可根据需要灵活改动，对绝缘框2加工不产生影响，采用绝缘框2成型的方式，提高了开发效率高，降低了开发成本。
由于封装的目的是在使用过程中减少外界对压力感应芯片的干扰和破坏，为减少压力感应芯片与外物直接接触的几率，在所述使用环氧树脂胶将所述基板1上的所述绝缘框2外区域填充固化之后，还包括将金属壳通过粘结剂固定在所述环氧树脂胶表面，其中，所述金属盖7具有通孔71，用于所述感应芯片感应外界气压。
需要说明的是，本发明对所述金属盖7的通孔71的获得方式、大小、位置和形状不做具体限定，一般以金属盖7与感应芯片之间的空间较小，金属盖7上的通孔71的总面积越大越好，这样能够使得感应芯片所处区域的气压能够与外界需要测量的气压更快同步，提高感应芯片的检测响应速度和灵敏度。
本发明中的基板1为多层结构的基板1，从上到下依次是油墨(Soldermask)层11、线路层12、BT芯板层(Core)13、线路层14和油墨层15；在最上层的油墨层上设置有金手指或者焊盘(Pad)，在上下线路层之间设于连接孔。
一般所述连接孔为采用激光钻孔或机械钻孔得到的连接孔，采用激光钻孔获得的连接孔的尺寸精度较高，成本稍微高一些，好事较长一些，而采用机械钻孔获得的连接孔的速度较快，效率较高，但是如果连接孔的尺寸较小，很难保证精度，而且由于金属盖7的厚度一般非常小，采用机械钻孔的方式很容易将金属盖7钻破，因此，一般采用机械钻孔的方式获得连接孔。需要说明的是，本发明对所述连接孔的获得方式不做具体限定。
由于系统级封装的压力传感器一般还会在基板1上设置除了压力感应芯片4之外的电子元器件5，在所述在基板1上制作用于连接上下线路层的连接孔，和所述采用导电胶将压力感应芯片4和处理芯片3固定在所述基板1上，并与所述基板1的金手指连接之间，还包括：
将电子元器件5通过锡膏焊接在所述基板1上。
需要说明的是，本发明对所述电子元器件5的种类和数量不做具体限定，可以是电阻或电容，也可以是其它的电子元器件5。
而在同一基板1上设置的压力感应芯片4的数量可以是多个，这样通过对比，较少压力感应芯片4处理过程中产生的偶然误差，处理芯片3的数量也可以是多个，这样就能组成多核处理系统，加快处理处理速度。一般所述压力感应芯片4堆叠后设置在所述基板1上，或倒装在所述基板1上。多个所述处理芯片3堆叠后设置在所述基板1上，或倒装在所述基板1上。当然，单个的压力感应芯片4或处理芯片3也可以直接倒装安装在基板1上。
本发明中的绝缘框2一般为FR4绝缘框2或BT绝缘框2，或是其它的耐高温不发生形变的环氧材料制成，通过正版设计加工制造，最后按照需求尺寸切割成型而成。
除此之外，本发明实施例还提供了一种系统级封装的压力传感器结构，如图2-6所示，包括基板1、绝缘框2和设有通孔71的金属盖7，所述基板1上设置有用于连接上下线路层的连接孔，所述基板1的正面固接有压力感应芯片4和处理芯片3，所述压力感应芯片4和所述处理芯片3与所述基板1的金手指或焊盘连接，所述绝缘框2粘接在所述基板1上，将所述压力感应芯片4包围，所述基板1上的所述绝缘框2外区域由环氧树脂胶填充固化，所述金属壳粘结剂固定在所述环氧树脂胶表面。
本发明中的基板1为多层结构的基板1，从上到下依次是油墨(Soldermask)层11、线路层12、BT芯板层(Core)13、线路层14和油墨层15；在最上层的油墨层上设置有金手指或者焊盘(Pad)，在上下线路层之间设于连接孔。
一般所述连接孔为采用激光钻孔或机械钻孔得到的连接孔，采用激光钻孔获得的连接孔的尺寸精度较高，成本稍微高一些，好事较长一些，而采用机械钻孔获得的连接孔的速度较快，效率较高，但是如果连接孔的尺寸较小，很难保证精度，而且由于金属盖7的厚度一般非常小，采用机械钻孔的方式很容易将金属盖7钻破，因此，一般采用机械钻孔的方式获得连接孔。需要说明的是，本发明对所述连接孔的获得方式不做具体限定。
本发明中的绝缘框2一般由FR4或BT以及其它的耐高温不发生形变的环氧材料制成，通过正版设计加工制造，最后按照需求尺寸切割成型而成，即所述绝缘框2一般为FR4绝缘框2或BT绝缘框2。
压力感应芯片4或所述处理芯片3与所述基板1的金手指或焊盘通过金线、铜线或铝线连接。
在本发明中采用导电胶或者非导电胶等粘接材料将压力感应芯片4或处理芯片3固定在基板1上，通过引线键合机将金线/铜线/铝线与基板1的金手指或焊盘连接。
绝缘框2是按照正版设计加工制造，最后按照需求切割成型而成，然后将制作好的绝缘框2粘接到基板1上，外围进行环氧树脂胶6填充固化，最后只留出压力感应芯片4，用于外界气压接收。最后使用粘接剂将金属盖7固定在固化后的环氧树脂胶6表面，金属盖表面仅流出一个细小的通孔71，用来接收外界压力。
综上所述，本发明实施例所提供的系统级封装的压力传感器结构和制作方法，通过采用绝缘框成型的方式，在IC前期研发阶段，基板布局和相应的芯片尺寸可根据需要灵活改动，对绝缘框加工不产生影响，采用绝缘框成型的方式，提高了开发效率高，降低了开发成本。
以上对本发明所提供的系统级封装的压力传感器结构和制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种系统级封装的压力传感器制作方法，其特征在于，包括：
在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔；
采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指或焊盘连接；
将通过整版设计加工制造出的绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围；
使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化。
2.如权利要求1所述的系统级封装的压力传感器制作方法，其特征在于，在所述使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化之后，还包括将金属壳通过粘结剂固定在所述环氧树脂胶表面，其中，所述金属盖具有通孔，用于所述感应芯片感应外界气压。
3.如权利要求2所述的系统级封装的压力传感器制作方法，其特征在于，所述连接孔为采用激光钻孔或机械钻孔得到的连接孔。
4.如权利要求3所述的系统级封装的压力传感器制作方法，其特征在于，在所述在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔，和所述采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指连接之间，还包括：
将电子元器件通过锡膏焊接在所述基板上。
5.如权利要求4所述的系统级封装的压力传感器制作方法，其特征在于，多个所述压力感应芯片堆叠后设置在所述基板上，或倒装在所述基板上。
6.如权利要求5所述的系统级封装的压力传感器制作方法，其特征在于，多个所述处理芯片堆叠后设置在所述基板上，或倒装在所述基板上。
7.如权利要求6所述的系统级封装的压力传感器制作方法，其特征在于，所述绝缘框为FR4绝缘框或BT绝缘框。
8.一种系统级封装的压力传感器结构，其特征在于，包括基板、绝缘框和设有通孔的金属盖，所述基板上设置有用于连接上下线路层的连接孔，所述基板的正面固接有压力感应芯片和处理芯片，所述压力感应芯片和所述处理芯片与所述基板的金手指或焊盘连接，所述绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围，所述基板上的所述绝缘框外区域由环氧树脂胶填充固化，所述金属壳粘结剂固定在所述环氧树脂胶表面。
9.如权利要求8所述的系统级封装的压力传感器结构，其特征在于，所述绝缘框为FR4绝缘框或BT绝缘框。
10.如权利要求9所述的系统级封装的压力传感器结构，其特征在于，所述压力感应芯片或所述处理芯片与所述基板的金手指或焊盘通过金线、铜线或铝线连接。
CN201610341256.8A 2016-05-20 2016-05-20 一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法 Pending CN107399712A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610341256.8A CN107399712A (zh) 2016-05-20 2016-05-20 一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610341256.8A CN107399712A (zh) 2016-05-20 2016-05-20 一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107399712A true CN107399712A (zh) 2017-11-28

Family

ID=60389339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610341256.8A Pending CN107399712A (zh) 2016-05-20 2016-05-20 一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107399712A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108726468A (zh) * 2018-08-08 2018-11-02 宁波琻捷电子科技有限公司 传感器封装结构、方法及封装模具

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090020862A1 (en) * 2007-05-30 2009-01-22 Industrial Technology Research Institute Device structure with preformed ring and method therefor
US20110036174A1 (en) * 2009-08-12 2011-02-17 Hooper Stephen R Molded Differential PRT Pressure Sensor
CN102331325A (zh) * 2010-07-13 2012-01-25 英飞凌科技股份有限公司 压力传感器封装系统和方法
US20120175747A1 (en) * 2010-08-31 2012-07-12 Freescale Semiconductor, Inc. Mems device assembly and method of packaging same
US8501517B1 (en) * 2012-04-09 2013-08-06 Freescale Semiconductor, Inc. Method of assembling pressure sensor device
CN103935952A (zh) * 2013-01-23 2014-07-23 英飞凌科技股份有限公司 芯片封装体及其制造方法
CN104244154A (zh) * 2013-06-18 2014-12-24 美商楼氏电子有限公司 Mems麦克风组件中的开口腔基板及其制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090020862A1 (en) * 2007-05-30 2009-01-22 Industrial Technology Research Institute Device structure with preformed ring and method therefor
US20110036174A1 (en) * 2009-08-12 2011-02-17 Hooper Stephen R Molded Differential PRT Pressure Sensor
CN102331325A (zh) * 2010-07-13 2012-01-25 英飞凌科技股份有限公司 压力传感器封装系统和方法
US20120175747A1 (en) * 2010-08-31 2012-07-12 Freescale Semiconductor, Inc. Mems device assembly and method of packaging same
US8501517B1 (en) * 2012-04-09 2013-08-06 Freescale Semiconductor, Inc. Method of assembling pressure sensor device
CN103935952A (zh) * 2013-01-23 2014-07-23 英飞凌科技股份有限公司 芯片封装体及其制造方法
CN104244154A (zh) * 2013-06-18 2014-12-24 美商楼氏电子有限公司 Mems麦克风组件中的开口腔基板及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108726468A (zh) * 2018-08-08 2018-11-02 宁波琻捷电子科技有限公司 传感器封装结构、方法及封装模具

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104779221A (zh) 指纹识别模组封装结构、制备指纹识别模组封装结构的方法以及电子设备
CN105731354B (zh) 用于mems传感器器件的晶片级封装及对应制造工艺
CN105047621A (zh) 一种传感芯片封装结构及其制备方法
CN106744646A (zh) Mems芯片封装结构以及封装方法
CN103985692A (zh) Ac-dc电源电路的封装结构及其封装方法
CN207743214U (zh) 多芯片并排式封装结构
CN101958257B (zh) 双面图形芯片直接置放先镀后刻模组封装方法
CN103011053A (zh) 传感器芯片正面向下外露的封装结构及封装方法
CN109585403A (zh) 传感器封装件及其制作方法
CN209029376U (zh) 一种基于基板的ipd集成封装结构
CN110176439A (zh) 一种模块SiP结构及其制造方法
CN107399712A (zh) 一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法
CN204558444U (zh) 指纹识别模组封装结构以及电子设备
CN105609472B (zh) 压力传感器的封装结构及其制造方法
CN107946282A (zh) 三维扇出型封装结构及其制造方法
CN103985693A (zh) 无刷直流电机集成驱动电路的封装结构及其封装方法
CN106744647A (zh) Mems芯片封装结构以及封装方法
CN105990298A (zh) 一种芯片封装结构及其制备方法
CN205211727U (zh) 一种指纹识别多芯片封装结构
CN109686749A (zh) 图像传感器芯片封装结构以及其制备方法
CN212587519U (zh) 一种led晶元封装结构
CN107481979A (zh) 指纹识别芯片的封装结构及封装方法
CN105590904A (zh) 一种指纹识别多芯片封装结构及其制备方法
CN100356533C (zh) 中央焊垫存储器堆叠封装组件及其封装工艺
CN201927599U (zh) 双面图形芯片倒装先镀后刻模组封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171128

RJ01 Rejection of invention patent application after publication