CN104145322A - 作为化学再使用策略的反应体积的顺序级联 - Google Patents

作为化学再使用策略的反应体积的顺序级联 Download PDF

Info

Publication number
CN104145322A
CN104145322A CN201380011983.2A CN201380011983A CN104145322A CN 104145322 A CN104145322 A CN 104145322A CN 201380011983 A CN201380011983 A CN 201380011983A CN 104145322 A CN104145322 A CN 104145322A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction volume
valve
precursor gas
pressure
controller
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380011983.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104145322B (zh
Inventor
卡尔·利泽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Novellus Systems Inc
Original Assignee
Novellus Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Novellus Systems Inc filed Critical Novellus Systems Inc
Publication of CN104145322A publication Critical patent/CN104145322A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104145322B publication Critical patent/CN104145322B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/0006—Controlling or regulating processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/0318—Processes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/86389—Programmer or timer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87249—Multiple inlet with multiple outlet

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种衬底处理系统包括限定N个反应体积的一个或多个处理室。N-1个第一阀被布置在N个反应体积之间。控制器与N-1第一阀连通并被配置成：利用前驱物气体加压N个反应体积中的第一个至第一目标压力，等待第一预定的浸泡时期，排空N个反应体积中的第二个至低于第一目标压力的第二目标压力，以及打开N个反应体积中的第一个与N个反应体积中的第二个之间的N-1个第一阀中的一个。

Description

作为化学再使用策略的反应体积的顺序级联
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年2月27日提交的申请号为13/779,056的美国实用新型申请的优先权，以及要求于2012年3月1日提交的申请号为61/605,231的美国临时申请的权益。以上所引用的申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及衬底处理室，并且更具体地涉及半导体处理室。
背景技术
本文提供的背景技术描述是为了总体上呈现本发明的上下文的目的。在本背景技术部分所描述的范围内的目前署名的发明人的工作、以及在提交申请时可能未以其它方式认定为现有技术的本说明书的各方面，既没有明示地也没有暗示地被承认为是相对于本发明的现有技术。
一些基于气相的反应技术及其相关应用(例如介电常数(k)恢复和原子层沉积(ALD))需要昂贵的前驱物气体。这些处理涉及将衬底暴露于在目标压力下的前驱物气体，使该衬底被浸泡，然后排放该前驱物气体(暴露/浸泡/排放的顺序)。为了使前驱物气体的使用最小化，已经付出显著的努力以最大限度地减少反应体积，其减少每个晶片的前驱物气体消耗。然而，较小的反应体积可能导致其它不期望有的反应器设计妥协，其可能会增加基于所通过的每个晶片的成本。
现在参考图1，示出了第一反应体积10。基座12被布置在第一反应体积10中并且为诸如半导体晶片之类的衬底14提供支撑。前驱物气体20-1、20-2、...和20-N(统称为前驱物气体20)经由阀22-1、22-2、...和22-N(统称为阀20)被供应至第一反应体积10，其中N是整数。清扫气体24经由阀26被供应至第一反应体积10。泵30可以被用于从第一反应体积10选择性地抽取前驱物气体和/或清扫气体。
现在参考图2，示出了用于操作第一反应体积10的方法。在31中，N＝1。在32中，衬底14被布置在第一反应体积10中并且在目标压力下暴露于第一前驱物气体。在34中，使衬底14在前驱物气体中浸泡持续预定的时间。在36中，将前驱物气体从第一反应体积10清扫出并丢弃。在38中，如果将使用另一种前驱物气体，则控制返回到32。任选地，顺序可以经由39和41循环。否则结束该处理。
发明内容
一种衬底处理系统包含限定n个反应体积的一个或多个处理室，其中N是大于一的整数。N-1个第一阀被布置于该N个反应体积之间。控制器与该N-1个第一阀连通并且被配置成利用前驱物气体加压该N个反应体积中的第一个至第一目标压力，等待第一预定浸泡时期，排空该N个反应体积中的第二个到低于该第一目标压力的第二目标压力，并打开该N个反应体积中的第一个与该N个反应体积中的第二个之间的该N-1个第一阀中的一个。
在其它特征中，N个压力传感器分别测量在N个反应体积中的压力。控制器被配置成与该N个压力传感器连通。N个泵经由N个第二阀与该N个反应体积流体连通。控制器被配置成选择性地操作该N个泵和该N个第二阀。
在其它特征中，控制器被配置成等待直到该N个反应体积中的第一个与该N个反应体积中的第二个之间存在预定的压力关系，并关闭该N-1个第一阀中的一个。该预定的压力关系是压力平衡。
在其它特征中，控制器被配置成引入额外量的该前驱物气体至该N个反应体积中的第二个以在关闭该N-1个第一阀中的一个之后获得第三目标压力。
在其它特征中，控制器被配置成从该N个反应体积中的第一个清扫出残留的前驱物气体。
在其它特征中，控制器被配置成等待第二预定浸泡时期并且使在该N个反应体积中的第二个中的该前驱物气体级联至该N个反应体积中的另外一个中。
在还有的其它特征中，N-1个压缩机和N-1个第二阀被布置在该N个反应体积之间。控制器进一步与该N-1个压缩机和该N-1个第二阀连通。控制器被配置成，在排空该N个反应体积中的第二个至该第二目标压力之后，打开在该N个反应体积中的第一个与该N个反应体积中的第二个之间的该N-1个第二阀中的一个，并操作该N-1个压缩机中的一个以从该N个反应体积中的第一个驱动该前驱物气体至该N个反应体积中的第二个。
在其它特征中，控制器被配置成关闭该N-1个第一阀中的一个以及该N-1个第二阀中的一个。控制器被配置成添加额外量的该前驱物气体至该N个反应体积中的第二个以获得第三目标压力。控制器被配置成从该N个反应体积中的第一个清扫出残留的前驱物气体。
一种衬底处理，其包括限定反应体积的处理室。第一阀被设置在该反应体积和存储体积之间。控制器与该第一阀连通并被配置成利用前驱物气体加压该反应体积至第一目标压力，等待预定的浸泡时期，排空该存储体积至低于该第一目标压力的压力，并打开该第一阀。
在其它特征中，控制器与第二阀和压缩机连通，并且被配置成操作该第一阀、该第二阀和该压缩机以从该反应体积驱动该前驱物气体至该存储体积。
在其它特征中，压力传感器测量在反应体积中的压力。泵经由第二阀与该反应体积流体连通。控制器与该压力传感器、该泵和该第二阀连通。控制器被配置成关闭该第一阀和该第二阀。控制器被配置成从该反应体积清扫出残留的前驱物。控制器被配置成打开在该反应体积与该存储体积之间的该第一阀和该第二阀，并且操作压缩机以从该存储体积驱动该前驱物气体至该反应体积。
在其它特征中，N个额外的反应体积和N个额外的阀连接该N个额外的反应体积至该压缩机。控制器被配置成打开该第一阀中的一个或该N个额外的阀中的一个，打开该第二阀，并操作该压缩机以从该存储体积泵送该前驱物气体至该反应体积中的一个或N个额外的反应体积中的一个。
本发明的应用的进一步领域将从具体实施方式、权利要求书和附图中变得显而易见。具体实施方式和具体实施例仅旨在为说明的目的，而不是旨在限制本发明的范围。
附图说明
本发明将从具体实施方式和附图被更充分地理解，其中：
图1是根据现有技术的第一反应体积的功能方框图；
图2是根据现有技术示出第一反应体积的操作的流程图；
图3是根据本发明的第一反应体积和第二反应体积的功能方框图；
图4是根据本发明的三个或更多个级联反应体积的功能方框图；
图5是根据本发明的控制器的功能方框图；
图6是示出用于操作图3的第一反应体积和第二反应体积的方法的流程图；
图7是对根据本发明的第一反应体积和第二反应体积的另一种布置的功能方框图；
图8是根据本发明的另一种控制器的功能方框图；
图9是示出用于操作图7的第一反应体积和第二反应体积的方法的流程图；
图10是根据本发明的反应体积的另一种布置的功能方框图；以及
图11是示出用于操作图10的反应体积的方法的流程图。
具体实施方式
根据本发明，使衬底在第一反应体积中于第一目标压力下暴露于前驱物气体。让该衬底浸泡前驱物气体中。然后，打开从第一反应体积至被排空且在低于第一目标压力的压力下的第二反应体积(或存储体积)的阀。在压力平衡后，关闭该阀且添加前驱物气体至第二反应体积以达到可能与第一目标压力相同或者可能与第一目标压力不相同的第二目标压力。
现在参考图3，示出了第一反应体积40。基座42被布置在第一反应体积40中并且为诸如半导体晶片之类的衬底44提供支撑。压力传感器45可以被布置在第一反应体积40中以监测压力。还示出了第二反应体积46。基座48被布置在第二反应体积46中并且为诸如半导体晶片之类的衬底50提供支撑。压力传感器51可以被布置在第二处理体积46中以监测压力。替代地，可以省略压力传感器45和压力传感器51，并且可以使用定时器以基于时间和/或其它参数来估计压力。
前驱物气体60-1、60-2、...、和60-N(统称为前驱物气体60)经由阀62-1、62-2、...、和62-N(统称为阀62)被选择性地供应至第一反应体积40。清扫气体64经由阀66被供应至第一反应体积40。泵68和阀69可以被用于从第一反应体积40选择性地抽取前驱物气体和/或清扫气体。
前驱物气体70-1、70-2和70-N(统称为前驱物气体70)经由阀72-1、72-2、...、和72-N(统称为阀72)被选择性地供应至第二反应体积46。清扫气体74经由阀76被选择性地供应至第二反应体积46。泵78和阀79可以被用于从第二反应体积46选择性地抽取前驱物气体和/或清扫气体。
如将在下面进一步描述的，使衬底44在第一反应体积40中暴露于前驱物气体。使衬底44于第一目标压力下浸泡在前驱物气体中。然后，打开在第一反应体积40与第二反应体积46之间的阀79。在打开阀79之前，该第二反应体积46被排空并且维持在低于第一反应体积40压力的压力下。在压力平衡后，添加前驱物气体至第二反应体积46以达到可能与第一目标压力相同或者可能与第一目标压力不相同的第二目标压力。使衬底50被浸泡。可以理解的是，前驱物气体可以被清扫和排放或在反应体积40中再使用。
虽然图3示出了第一反应体积40和第二反应体积46，但是可以使用三个或更多个级联反应体积。现在参照图4，示出了包括三个或更多个级联反应体积82-1、82-2和82-M的系统80，其中M是大于2的整数。此外，虽然对于每个处理室示出了一个反应体积，但是每个处理室可以与一个或多个反应体积结合。
现在参考图5，示出了可以用于控制采用多个反应体积的处理的控制器90。控制器90与一个或多个阀(如统一表示为图5中的92的阀62、阀72和阀79)、一个或多个泵(如统一表示为图5中的94的泵68和泵78)和/或一个或多个压力传感器(如统一表示为图5中的96的压力传感器45和压力传感器51)连通和/或控制一个或多个阀(如统一表示为图5中的92的阀62、阀72和阀79)、一个或多个泵(如统一表示为图5中的94的泵68和泵78)和/或一个或多个压力传感器(如统一表示为图5中的96的压力传感器45和压力传感器51)。
现在参考图6，示出了用于操作图3的第一反应体积和第二反应体积的控制器的方法100的实施例。在104中，利用前驱物气体加压第一反应体积至第一目标压力。在108中，使衬底浸泡持续预定的时间。在112中，排空第二反应体积至低于第一反应体积压力的压力。在116中，打开阀79。在120中，设置预定的周期的时间，以允许产生压力平衡。如本文中所使用的，平衡表示相等或基本上相等的压力。在一些实施例中，基本上相等的压力表示彼此的压力在10％、5％、2％、1％或更低之内。该平衡压力将低于在第二反应体积中的目标浸泡压力。如果体积是相等的，则在假设处理体积相等的情况下平衡压力将大约为目标压力的一半。
在124中，关闭阀79。在128中，引入额外的前驱物气体至第二反应体积中以达到第二目标压力。在132中，可以排放在第一反应体积中的残留的前驱物气体。使衬底浸泡在第二反应体积中。在136中，在第二反应体积中的前驱物气体可以被清扫和排放或如果有需要则级联至额外的反应体积。
现在参考图7-8，示出了第一反应体积和第二反应体积的另一种布置。压缩机150被布置在阀151(其连接到第一反应体积40)和阀152(其连接到第二反应体积46)之间。在图8中，控制器90可以进一步被连接至压缩机150。
现在参考图9，示出了用于操作图7的第一反应体积和第二反应体积的控制器的方法200的实施例。在204中，利用前驱物气体加压第一反应体积至第一目标压力。在208中，使衬底在前驱物气体中浸泡持续预定的周期。在212中，排空第二反应体积至低于第一反应体积压力的压力。在216中，打开至压缩机150的阀151和阀152。压缩机150利用增加的能量压缩前驱物以驱动它进入第二反应体积46。
第二反应体积的加压将遵循一阶指数响应曲线。此外，由于因为压缩引起的热力损耗，稳态最大可达到的压力将低于第二反应体积的目标压力，但高于在图3和图6中所述的处理提供的压力。
在220中，关闭阀151和阀152。在224中，引入额外的前驱物气体至第二反应体积以达到第二目标压力。在228中，可以排放在第一反应体积中的残留的前驱物气体。使在第二反应体积中的衬底被浸泡。在232中，如果有需要，则在第二反应体积中的前驱物气体可以被级联到额外的反应体积。
反应体积的实施例包括但不限于衬底处理室或衬底处理室的站点。处理的实施例包括但不限于：共形膜沉积、原子层沉积、等离子体增强原子层沉积、以及介电常数(k)恢复处理。基座可以被实施温度控制和/或由RF偏置施加偏置。虽然上述处理包括浸泡步骤，但是可以执行额外的操作。
现在参考图10，示出了另一种衬底处理系统300。处理气体304-1、304-2、...、和304-T分别经由阀306-1、306-2、...、和306T被选择性地供应至反应体积310-1、310-2、...、和310-T。压力传感器312-1、312-2、...、和312-T分别监测在反应体积310-1、310-2、...、310-T中的压力。反应体积310-1、310-2、...、及310-T可以分别利用阀318-1、318-2、...、及318-T和泵320-1、320-2、...、及320-T被排空。阀324-1、324-2、...、和324-T、压缩机326和第二阀330被连接在相应的反应体积310-1、310-2、...、及310-T与存储体积334之间。可以利用阀338和泵340排空存储体积334。
控制器350与压力传感器312和336、泵318和338、阀318、324、330及338和压缩机326连通。控制器350利用前驱物加压反应体积310-1的反应体积至第一目标压力。控制器350等待预定的浸泡时期。控制器350排空存储体积334至低于第一目标压力的压力。控制器350打开在反应体积310-1与存储体积334之间的阀324-1和阀330。控制器350操作压缩机326以从反应体积310-1泵送前驱物气体至存储体积334。
控制器350关闭阀324-1和阀330。控制器350可以从第一反应体积清扫残留的前驱物。控制器350可以打开在反应体积310-1、310-2、...、和310-T中的一个与存储体积334之间的阀324-1、324-2、...、和324–T中的任何一个和阀330并且操作压缩机326以从存储体积334泵回前驱物至反应体积310-1、310-2、...、和310-T中的一个。额外的前驱物气体可以被添加到上述所选择的反应体积。
可以理解的是，T个处理室可以被连接至S个存储体积，其中T和S是整数并且T≥S。例如，在图10中，T个处理室可以被连接到1个共享的存储体积。前驱物气体可以返回到相同的处理室或不同的处理室。
现在参考图11，示出了用于操作图10的反应体积和存储体积的方法400的实施例。在404中，利用前驱物气体加压第一反应体积至第一目标压力。在408中，使衬底浸泡在前驱物气体中持续预定的周期。在412中，排空存储体积至低于第一反应体积压力的压力。在416中，打开阀并且操作压缩机。压缩机利用增加的能量压缩前驱物以驱动它进入存储体积。
在420中，控制关闭阀。在428中，可以排放在第一反应体积中的残留的前驱物气体。第一反应体积中可以进行一个或多个操作。在432中，打开从存储体积至第一反应体积或其它反应体积中的任何一个的阀并且操作压缩机以输送前驱物气体至所选择的反应体积。
前面的描述在本质上仅仅是说明性的并且决不旨在限制本发明、其应用、或使用。本发明的广泛教导可以以各种形式来实现。因此，虽然本发明包括具体的实施例，但是本发明的真实范围不应当受此限制，因为对于附图、说明书和以下权利要求书的研究将使其它的修改变得显而易见。为清楚起见，将在附图中使用相同的附图标记以标识类似的元件。如本文所使用地，短语A、B和C中的至少一个应该被解释为使用非排他性的逻辑上的“或”来意指逻辑上的(A或B或C)。但是应当理解的是，在方法内的一个或多个步骤可以在不改变本发明的原理的情况下以不同的顺序(或同步地)执行。
如本文所使用地，术语控制器可以指专用集成电路(ASIC)、电子电路、组合逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)、执行代码的处理器(共享、专用或组)、提供所述功能的其它合适的硬件部件、或如在系统级芯片中的上述一些或所有的组合；可以是专用集成电路(ASIC)、电子电路、组合逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)、执行代码的处理器(共享、专用或组)、提供所述功能的其它合适的硬件部件、或如在系统级芯片中的上述一些或所有的组合的部分；或者可以包括专用集成电路(ASIC)、电子电路、组合逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)、执行代码的处理器(共享、专用或组)、提供所述功能的其它合适的硬件部件、或如在系统级芯片中的上述一些或所有的组合。术语控制器可以包括存储由处理器执行的代码的存储器(共享，专用或组)。
如上所使用地，术语代码可以包括软件、固件、和/或微代码，并且可以指程序、例行程序、函数、类、和/或对象。如上所使用地，术语共享是指可以利用单个(共享)处理器执行来自多个控制器的一些或全部代码。此外，可以通过单个(共享)存储器存储来自多个控制器的一些或全部代码。如上所使用地，术语组是指可以利用成组的处理器执行来自单个控制器的一些或全部代码。此外，可以利用成组的存储器存储来自单个控制器的一些或全部代码。
本文所述的装置和方法可以通过由一个或多个处理器执行的一个或多个计算机程序来实现。计算机程序包括存储在非临时性的有形计算机可读介质上的处理器可执行的指令。该计算机程序还可以包括所存储的数据。非临时性的有形计算机可读介质的非限制性实施例是非易失性存储器、磁存储器和光存储器。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种衬底处理系统，其包括：
一个或多个处理室，其限定N个反应体积，其中N是大于1的整数；
N-1个第一阀，其被布置在所述N个反应体积之间；以及
控制器，其与所述N-1个第一阀连通并且被配置成：
利用前驱物气体加压所述N个反应体积中的第一个至第一目标压力；
等待第一预定的浸泡时期；
排空所述N个反应体积中的第二个至低于所述第一目标压力的第二目标压力；
打开所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的第二个之间的所述N-1个第一阀中的一个；
在打开所述N-1个第一阀中的所述一个之后关闭所述N-1个第一阀中的所述一个；以及
引入额外量的所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个以在关闭所述N-1个第一阀中的所述一个之后达到第三目标压力。
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其进一步包括分别测量在所述N个反应体积中的压力的N个压力传感器，其中所述控制器被配置成与所述N个压力传感器连通。
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其进一步包括经由N个第二阀与所述N个反应体积流体连通的N个泵，其中所述控制器被配置成选择性地操作所述N个泵和所述N个第二阀。
4.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成：
等待直到所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的所述第二个之间存在预定的压力关系；以及
响应于存在于所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的所述第二个之间的所述预定的压力关系执行所述关闭所述N-1个第一阀中的所述一个。
5.根据权利要求4所述的衬底处理系统，其中所述预定的压力关系是压力平衡。
6.根据权利要求4所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成从所述N个反应体积中的所述第一个清扫出残留的前驱物气体。
7.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成：
等待第二预定的浸泡时期；以及
使在所述N个反应体积中的所述第二个中的所述前驱物气体级联至所述N个反应体积中的额外的一个。
8.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其进一步包括被布置在所述N个反应体积之间的N-1个压缩机和N-1个第二阀，其中：所述控制器进一步与所述N-1个压缩机和所述N-1个第二阀连通；以及所述控制器被配置成：
在排空所述N个反应体积中的所述第二个至所述第二目标压力之后，打开所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的所述第二个之间的所述N-1个第二阀中的一个；以及
操作所述N-1个压缩机中的一个以从所述N个反应体积中的所述第一个驱动所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个。
9.根据权利要求8所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成关闭所述N-1个第一阀中的所述一个以及所述N-1个第二阀中的所述一个。
10.根据权利要求9所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成添加额外量的所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个以达到第三目标压力。
11.根据权利要求9所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成从所述N个反应体积中的所述第一个清扫出残留的前驱物。
12.一种衬底处理系统，其包括：
处理室，其限定反应体积；
第一阀，其被布置在所述反应体积与存储体积之间；
控制器，其与所述第一阀连通并且被配置成：
利用前驱物气体加压所述反应体积至第一目标压力；
等待预定的浸泡时期；
排空所述存储体积至低于所述第一目标压力的压力；以及
打开所述第一阀；
第二阀，其被布置在所述第一阀与所述存储体积之间；以及
压缩机，其被布置在所述第一阀和所述第二阀之间，
其中所述控制器连通所述第二阀和所述压缩机，并且被配置成操作所述第一阀、所述第二阀和所述压缩机以从所述反应体积驱动所述前驱物气体至所述存储体积。
13.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其进一步包括：
压力传感器，其测量在所述反应体积中的压力；以及
泵，其经由第三阀与所述反应体积流体连通，
其中所述控制器连通所述压力传感器、所述泵和所述第三阀。
14.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成关闭所述第一阀和所述第二阀。
15.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成从所述反应体积清扫出残留的前驱物。
16.根据权利要求15所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成：
打开在所述反应体积与所述存储体积之间的所述第一阀和所述第二阀；以及
操作所述压缩机以从所述存储体积驱动所述前驱物气体至所述反应体积。
17.根据权利要求12所述的衬底处理系统，其进一步包括：
N个额外的反应体积；
N个额外的阀，其连接所述N个额外的反应体积至所述压缩机，
其中所述控制器被配置成：
打开所述第一阀中的一个或所述N个额外的阀中的一个；
打开所述第二阀；以及
操作所述压缩机以从所述存储体积泵送所述前驱物气体至所述反应体积中的一个或所述N个额外的反应体积中的一个。
18.一种方法，其包括：
利用前驱物气体加压N个反应体积中的第一个至第一目标压力；
等待第一预定的浸泡时期；
排空所述N个反应体积中的第二个至低于所述第一目标压力的第二目标压力；
打开所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的第二个之间的N-1个第一阀中的一个；
在排空所述N个反应体积中的所述第二个至所述第二目标压力之后，打开所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的所述第二个之间的N-1个第二阀中的一个；以及
操作所述N个反应体积之间的N-1个压缩机中的一个以从所述N个反应体积中的所述第一个驱动所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个。
19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：
等待直到所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的所述第二个之间产生预定的压力关系；以及
关闭所述N-1个第一阀中的所述第一个。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述预定的压力关系是压力平衡。
21.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括引入额外量的所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个以在关闭所述N-1个第一阀中的所述第一个之后达到第三目标压力。
22.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括从所述第一反应体积清扫出残留的前驱物气体。
23.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括：
等待第二预定的浸泡时期；以及
使所述前驱物气体级联至所述N个反应体积中的额外的一个。
24.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括关闭所述N-1个第一阀中的所述一个以及所述N-1个第二阀中的所述一个。
25.根据权利要求24所述的方法，其进一步包括添加额外量的所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个以达到第三目标压力。
26.根据权利要求24所述的方法，其进一步包括从所述N个反应体积中的所述第一个清扫出残留的前驱物气体。
27.一种操作衬底处理系统的方法，其包括：
利用前驱物气体加压反应体积至第一目标压力；
等待预定的浸泡时期；
排空存储体积至低于所述第一目标压力的压力；
打开位于所述反应体积与所述存储体积之间的第一阀；
打开所述第一阀与所述存储体积之间的第二阀；以及
操作所述第一阀与所述存储体积之间的压缩机以从所述反应体积驱动所述前驱物气体至所述存储体积。
28.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括关闭所述第一阀和所述第二阀。
29.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括从所述反应体积清扫出残留的前驱物气体。
30.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括：
打开在所述反应体积和所述存储体积之间的所述第一阀和所述第二阀；以及
操作所述压缩机以从所述存储体积驱动所述前驱物气体至所述反应体积。
31.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括：
打开所述第一阀或N个额外的阀中的一个，其中所述N个额外的阀连接N个额外的反应体积至所述压缩机；
打开所述第二阀；以及
操作所述压缩机以从所述存储体积泵送所述前驱物气体至所述反应体积中的一个或所述N个额外的反应体积中的一个。

Claims (35)

1.一种衬底处理系统，其包括：
一个或多个处理室，其限定N个反应体积，其中N是大于1的整数；
N-1个第一阀，其被布置在所述N个反应体积之间；
控制器，其与所述N-1个第一阀连通并且被配置成：
利用前驱物气体加压所述N个反应体积中的第一个至第一目标压力；
等待第一预定的浸泡时期；
排空所述N个反应体积中的第二个至低于所述第一目标压力的第二目标压力；以及
打开所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的第二个之间的所述N-1个第一阀中的一个。
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其进一步包括分别测量在所述N个反应体积中的压力的N个压力传感器，其中所述控制器被配置成与所述N个压力传感器连通。
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其进一步包括经由N个第二阀与所述N个反应体积流体连通的N个泵，其中所述控制器被配置成选择性地操作所述N个泵和所述N个第二阀。
4.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成：
等待直到所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的所述第二个之间存在预定的压力关系；以及
关闭所述N-1个第一阀中的所述一个。
5.根据权利要求4所述的衬底处理系统，其中所述预定的压力关系是压力平衡。
6.根据权利要求4所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成引入额外量的所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个以在关闭所述N-1个第一阀中的所述一个之后达到第三目标压力。
7.根据权利要求4所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成从所述N个反应体积中的所述第一个清扫出残留的前驱物气体。
8.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成：
等待第二预定的浸泡时期；以及
使在所述N个反应体积中的所述第二个中的所述前驱物气体级联至所述N个反应体积中的额外的一个。
9.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其进一步包括：
被布置在所述N个反应体积之间的N-1个压缩机和N-1个第二阀，
其中所述控制器进一步与所述N-1个压缩机和所述N-1个第二阀连通，以及
其中所述控制器被配置成：
在排空所述N个反应体积中的所述第二个至所述第二目标压力之后，打开所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的所述第二个之间的所述N-1个第二阀中的一个；以及
操作所述N-1个压缩机中的一个以从所述N个反应体积中的所述第一个驱动所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个。
10.根据权利要求9所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成关闭所述N-1个第一阀中的所述一个以及所述N-1个第二阀中的所述一个。
11.根据权利要求10所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成添加额外量的所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个以达到第三目标压力。
12.根据权利要求10所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成从所述N个反应体积中的所述第一个清扫出残留的前驱物。
13.一种衬底处理系统，其包括：
处理室，其限定反应体积；
第一阀，其被布置在所述反应体积与存储体积之间；
控制器，其与所述第一阀连通并且被配置成：
利用前驱物气体加压所述反应体积至第一目标压力；
等待预定的浸泡时期；
排空所述存储体积至低于所述第一目标压力的压力；以及
打开所述第一阀。
14.根据权利要求13所述的衬底处理系统，其进一步包括：
第二阀，其被布置在所述第一阀与所述存储体积之间；以及
压缩机，其被布置在所述第一阀和所述第二阀之间，
其中所述控制器连通所述第二阀和所述压缩机，并且被配置成操作所述第一阀、所述第二阀和所述压缩机以从所述反应体积驱动所述前驱物气体至存储体积。
15.根据权利要求13所述的衬底处理系统，其进一步包括：
压力传感器，其测量在所述反应体积中的压力；以及
泵，其经由第二阀与所述反应体积流体连通，
其中所述控制器连通所述压力传感器、所述泵和所述第二阀。
16.根据权利要求14所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成关闭所述第一阀和所述第二阀。
17.根据权利要求14所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成从所述反应体积清扫出残留的前驱物。
18.根据权利要求17所述的衬底处理系统，其中所述控制器被配置成：
打开在所述反应体积与所述存储体积之间的所述第一阀和所述第二阀；以及
操作所述压缩机以从所述存储体积驱动所述前驱物气体至所述反应体积。
19.根据权利要求14所述的衬底处理系统，其进一步包括：
N个额外的反应体积；
N个额外的阀，其连接所述N个额外的反应体积至所述压缩机，
其中所述控制器被配置成：
打开所述第一阀中的一个或所述N个额外的阀中的一个，
打开所述第二阀；以及
操作所述压缩机以从所述存储体积泵送所述前驱物气体至所述反应体积中的一个或所述N个额外的反应体积中的一个。
20.一种方法，其包括：
利用前驱物气体加压N个反应体积中的第一个至第一目标压力；
等待第一预定的浸泡时期；
排空所述N个反应体积中的第二个至低于所述第一目标压力的第二目标压力；以及
打开所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的第二个之间的N-1个第一阀中的一个。
21.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括：
等待直到所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的所述第二个之间产生预定的压力关系；以及
关闭所述N-1个第一阀中的所述第一个。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述预定的压力关系是压力平衡。
23.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括引入额外量的所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个以在关闭所述N-1个第一阀中的所述第一个之后达到第三目标压力。
24.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括从所述第一反应体积清扫出残留的前驱物气体。
25.根据权利要求23所述的方法，其进一步包括：
等待第二预定的浸泡时期；以及
使所述前驱物气体级联至所述N个反应体积中的额外的一个。
26.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括：
在所述N个反应体积之间布置N-1个压缩机和N-1个第二阀；
在排空所述N个反应体积中的所述第二个至所述第二目标之后，打开所述N个反应体积中的所述第一个与所述N个反应体积中的所述第二个之间的所述N-1个第二阀中的一个；以及
操作所述N-1个压缩机中的一个以从所述N个反应体积中的所述第一个驱动所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个。
27.根据权利要求26所述的方法，其进一步包括关闭所述N-1个第一阀中的所述一个以及所述N-1个第二阀中的所述一个。
28.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括添加额外量的所述前驱物气体至所述N个反应体积中的所述第二个以达到第三目标压力。
29.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括从所述N个反应体积中的所述第一个清扫出残留的前驱物气体。
30.一种操作衬底处理系统的方法，其包括：
利用前驱物气体加压反应体积至第一目标压力；
等待预定的浸泡时期；
排空存储体积至低于所述第一目标压力的压力；以及
打开位于所述反应体积与所述存储体积之间的第一阀。
31.根据权利要求30所述的方法，其进一步包括：
在所述第一阀与所述存储体积之间布置压缩机和第二阀；
打开所述第二阀；以及
操作所述压缩机以从所述反应体积驱动所述前驱物气体至存储体积。
32.根据权利要求31所述的方法，其进一步包括关闭所述第一阀和所述第二阀。
33.根据权利要求30所述的方法，其进一步包括从所述反应体积清扫出残留的前驱物气体。
34.根据权利要求31所述的方法，其进一步包括：
打开在所述反应体积和所述存储体积之间的所述第一阀和所述第二阀；以及
操作所述压缩机以从所述存储体积驱动所述前驱物气体至所述反应体积。
35.根据权利要求31所述的方法，其进一步包括：
布置N个额外的阀以连接N个额外的反应体积至所述压缩机；
打开所述第一阀或所述N个额外的阀中的一个；
打开所述第二阀；以及
操作所述压缩机以从所述存储体积泵送所述前驱物气体至所述反应体积中的一个或所述N个额外的反应体积中的一个。
CN201380011983.2A 2012-03-01 2013-02-28 作为化学再使用策略的反应体积的顺序级联 Active CN104145322B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261605231P 2012-03-01 2012-03-01
US61/605,231 2012-03-01
US13/779,056 2013-02-27
US13/779,056 US9162209B2 (en) 2012-03-01 2013-02-27 Sequential cascading of reaction volumes as a chemical reuse strategy
PCT/US2013/028214 WO2013130737A1 (en) 2012-03-01 2013-02-28 Sequential cascading of reaction volumes as a chemical reuse strategy

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104145322A true CN104145322A (zh) 2014-11-12
CN104145322B CN104145322B (zh) 2017-05-17

Family

ID=49042127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380011983.2A Active CN104145322B (zh) 2012-03-01 2013-02-28 作为化学再使用策略的反应体积的顺序级联

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9162209B2 (zh)
JP (1) JP6196244B2 (zh)
KR (1) KR102091890B1 (zh)
CN (1) CN104145322B (zh)
SG (1) SG11201405370WA (zh)
TW (1) TWI589725B (zh)
WO (1) WO2013130737A1 (zh)

Families Citing this family (281)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
KR101672230B1 (ko) * 2016-01-04 2016-11-03 주식회사 티이에스 원자층 증착 장비
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) * 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4725204A (en) * 1986-11-05 1988-02-16 Pennwalt Corporation Vacuum manifold pumping system
US5433780A (en) * 1992-11-20 1995-07-18 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and exhaust system that prevents particle contamination
JP2001102281A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Canon Inc ロードロック室、チャンバ、半導体製造装置およびデバイス製造方法
JP2002270663A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Daikin Ind Ltd ロードロック装置とその運転方法
CN1637283A (zh) * 2003-12-31 2005-07-13 波克股份有限公司 用于真空加工腔室的控制、抽吸和去除的设备和方法
US20100256809A1 (en) * 2005-11-28 2010-10-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing system
JP2011233707A (ja) * 2010-04-27 2011-11-17 Nissin Electric Co Ltd 真空処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58221269A (ja) * 1982-06-17 1983-12-22 Toshiba Corp Ｓｉ系感光体の製造装置
JPS5939339A (ja) * 1982-08-27 1984-03-03 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 気相成長反応装置
JPS6026663A (ja) * 1983-07-25 1985-02-09 Toshiba Ceramics Co Ltd Ｃｖｄ炉用水素排ガス回収装置
JP3791648B2 (ja) * 1997-12-15 2006-06-28 石川島播磨重工業株式会社 高圧加熱炉およびその運転方法
US6878402B2 (en) * 2000-12-06 2005-04-12 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for improved temperature control in atomic layer deposition
US20050103264A1 (en) * 2003-11-13 2005-05-19 Frank Jansen Atomic layer deposition process and apparatus
US8053372B1 (en) * 2006-09-12 2011-11-08 Novellus Systems, Inc. Method of reducing plasma stabilization time in a cyclic deposition process
WO2011031672A2 (en) 2009-09-09 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Parallel system for epitaxial chemical vapor deposition
JP2011089174A (ja) * 2009-10-22 2011-05-06 Seiko Epson Corp 真空処理システムの制御方法、圧力制御装置および真空処理システム
JP2011108936A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Nuflare Technology Inc 半導体製造装置及び半導体製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4725204A (en) * 1986-11-05 1988-02-16 Pennwalt Corporation Vacuum manifold pumping system
US5433780A (en) * 1992-11-20 1995-07-18 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and exhaust system that prevents particle contamination
JP2001102281A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Canon Inc ロードロック室、チャンバ、半導体製造装置およびデバイス製造方法
JP2002270663A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Daikin Ind Ltd ロードロック装置とその運転方法
CN1637283A (zh) * 2003-12-31 2005-07-13 波克股份有限公司 用于真空加工腔室的控制、抽吸和去除的设备和方法
US20100256809A1 (en) * 2005-11-28 2010-10-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing system
JP2011233707A (ja) * 2010-04-27 2011-11-17 Nissin Electric Co Ltd 真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102091890B1 (ko) 2020-04-16
CN104145322B (zh) 2017-05-17
KR20140130744A (ko) 2014-11-11
SG11201405370WA (en) 2014-10-30
TW201348503A (zh) 2013-12-01
US9162209B2 (en) 2015-10-20
JP6196244B2 (ja) 2017-09-13
US20130228225A1 (en) 2013-09-05
WO2013130737A1 (en) 2013-09-06
TWI589725B (zh) 2017-07-01
JP2015513801A (ja) 2015-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104145322A (zh) 作为化学再使用策略的反应体积的顺序级联
US11990355B2 (en) Method and system for scheduling apparatuses on production line
CN107068585B (zh) 用于原子层沉积的动态前体投配
RU2630733C2 (ru) Способ и устройство для защиты внутренних поверхностей насоса посредством атомно-слоевого покрытия
JP6396670B2 (ja) 成膜装置ならびに排気装置および排気方法
WO2011017222A3 (en) Method and apparatus for dry cleaning a cooled showerhead
JP6154677B2 (ja) クリーニング方法及び処理装置
CN106681690B (zh) 基于蒙哥马利模乘的数据处理方法、模乘运算方法及装置
CN102713287A (zh) 真空排气装置、真空排气方法及基板处理装置
JP2011119610A (ja) 枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法
EP2569541B1 (en) Vacuum pumping system
CN111809166A (zh) 处理装置和处理方法
CN106999938B (zh) 分配器装置及其清洗方法
JP7226949B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
CN111986973A (zh) 设备操作方法和基板处理设备
EP4372385A1 (en) Evaporative concentration device and automatic analysis device
CN104423927B (zh) 指令处理方法及装置、处理器
US8906163B2 (en) Methods and apparatus for integrating and controlling a plasma processing system
EP2751705A1 (en) Digital signal processor and method for addressing a memory in a digital signal processor
CN103031545B (zh) 一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备
US8516181B1 (en) Memory devices having data flow pipelining
RU2015149062A (ru) Устройство для атомно-слоевого осаждения тонких пленок из газовой фазы
WO2022150635A1 (en) Process fluid path switching in recipe operations
CN107367976A (zh) 一种工艺顺序控制方法和装置
Hosemann et al. On enhancing SIMD-controlled dsps for performing recursive filtering

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant