CN103797639B - 具有直接耦合和交替的交叉耦合的介质波导滤波器 - Google Patents

具有直接耦合和交替的交叉耦合的介质波导滤波器 Download PDF

Info

Publication number
CN103797639B
CN103797639B CN201280045356.6A CN201280045356A CN103797639B CN 103797639 B CN103797639 B CN 103797639B CN 201280045356 A CN201280045356 A CN 201280045356A CN 103797639 B CN103797639 B CN 103797639B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resonator
dielectric material
monolithic
signal
waveguide filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280045356.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103797639A (zh
Inventor
R·范加拉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CTS Corp
Original Assignee
CTS Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CTS Corp filed Critical CTS Corp
Publication of CN103797639A publication Critical patent/CN103797639A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103797639B publication Critical patent/CN103797639B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/2002—Dielectric waveguide filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/207—Hollow waveguide filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/207—Hollow waveguide filters
    • H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/207—Hollow waveguide filters
    • H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
    • H01P1/2088—Integrated in a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/087—Transitions to a dielectric waveguide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00—Resonators of the waveguide type
    • H01P7/10—Dielectric resonators

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

一种介质波导滤波器，包括：介电材料块，其包括由介电材料块中限定的多个狭槽来限定的多个谐振器。谐振器以一个或多个行和列被配置在介电材料块上。第一和第二RF信号输入/输出电极限定在介电材料块上。用于传输RF信号的第一直接RF信号传输路径由第一和第二RF信号输入/输出电极以及多个谐振器来限定。在一个实施例中，内部窗口限定第一直接RF信号传输部件，并且另外的RF信号传输部件限定交替的或交叉耦合路径，用于将RF信号从一列中的谐振器传输至另一列中的谐振器。在一个实施例中，滤波器由耦合在一起的两个单独的介电材料块构成。

Description

具有直接耦合和交替的交叉耦合的介质波导滤波器
相关申请和共同待决的申请的交叉引用
本申请是2011年5月9日提交的、标题为“Dielectric Waveguide Filter withStructure and Method for Adjusting Bandwidth”、序列号为13/103,712的美国申请的继续部分申请，并要求该美国申请的提交日期和内容的优先权。本申请还要求2011年7月18日提交的序列号为61/508,987的美国临时申请的提交日期和内容的优先权。这些申请如本文所引用的所有文献那样通过引用明确地包含于此。
技术领域
本发明总地涉及介质波导滤波器，并且尤其涉及直接耦合和交替的交叉耦合的介质波导滤波器。
背景技术
本发明涉及Heine等人的美国专利No.5,926,079中公开的类型的介质波导滤波器，其中，多个谐振器沿着介电/陶瓷材料的单块的长度沿纵向分隔，并且其中多个狭槽/凹口沿着单块的长度沿纵向分隔并且在多个谐振器之间限定介电材料的多个RF信号桥，这提供了多个谐振器之间的直接电感/电容耦合。
Heine等人的美国专利No.5,926,079中公开的类型的波导滤波器的衰减特性可以以位于波导滤波器的一端或两端的附加谐振器的形式经由零点的合并而增加。然而，与附加谐振器的合并相关联的缺点是还增加了滤波器的长度，由于例如对客户的主板的空间限制，在一些应用中可能是不期望的或不可能的。
如在例如Vangala等人的美国专利No.7,714,680中公开的那样，滤波器的衰减特性还可以通过谐振器的直接和交叉耦合而增加，其公开了利用通过各自的金属化图案部分创建的谐振器的电感直接耦合和四组交叉耦合的单块滤波器，金属化图案限定在滤波器的顶部表面并且在所选择的那些谐振器通孔之间延伸以提供所公开的谐振器的直接和交叉耦合。
在例如Vangala等人的美国专利No.7,714,680中公开并且包括顶部表面金属化图案的类型的直接和交叉耦合不适用于Heine等人的美国专利No.5,926,079中公开的仅包括狭槽而不包括顶部表面金属化图案的类型的波导滤波器。
由此，本发明涉及利用直接和可选的或交替的交叉耦合的谐振器的介质波导滤波器，其允许在不增加波导滤波器的长度的情况下提高波导滤波器的衰减特性。
发明内容
本发明总地涉及一种波导滤波器，包括：介电材料块；多个谐振器，在介电材料块中由在介电材料块中限定的多个狭槽来限定，多个谐振器以一个或多个行和列配置在介电材料块上；第一和第二RF信号输入/输出电极，限定在介电材料块上；以及多个谐振器以及第一和第二RF信号输入/输出电极共同限定第一直接RF信号传输路径，用于经由波导滤波器传输RF信号。
在一个实施例中，第一直接RF信号传输路径由第一直接RF信号传输部件部分限定，用于直接将RF信号从一列谐振器中多个谐振器中的第一谐振器传输至另一列谐振器中多个谐振器中的第一谐振器。
在一个实施例中，第一和第二RF信号输入/输出电极限定在介电材料块的同一端，并且第一直接RF信号耦合路径大致是U形的。
在一个实施例中，第一直接RF信号传输部件是一个内部窗口，用于在一列谐振器中多个谐振器中的第一谐振器和位于另一列谐振器中的多个谐振器中的第一谐振器之间传输RF信号。
在一个实施例中，该内部窗口是介电材料块的内部没有导电材料的区域。
在一个实施例中，波导滤波器还包括限定第一间接路径的第一间接RF信号传输部件，用于将RF信号从一列谐振器中多个谐振器中的第二谐振器传输至另一列谐振器中的多个谐振器中的第二谐振器。
在一个实施例中，第一间接RF信号传输部件是外部RF信号传输电极，其限定在介电材料块的外部表面上并在一列谐振器中多个谐振器中的第二谐振器和另一列谐振器中的多个谐振器中的第二谐振器之间延伸。
在一个实施例中，波导滤波器还包括限定第二间接路径的第二间接RF信号传输部件，用于将RF信号从一列谐振器中多个谐振器中的第三谐振器传输至另一列谐振器中的多个谐振器中的第三谐振器。
在一个实施例中，第二RF信号传输部件由一个内部窗口限定，用于在一列谐振器中多个谐振器中的第三谐振器和另一列谐振器中的多个谐振器中的第三谐振器之间传输RF信号。
在一个实施例中，该内部窗口是介电材料块的内部没有导电材料的区域。
在一个实施例中，第一和第二RF信号输入/输出电极由在介电材料块上限定的第一和第二RF信号输入/输出垫部分限定。
在一个实施例中，第一和第二外部RF信号连接器分别耦合第一和第二RF信号输入/输出电极。
在特定实施例中，本发明涉及一种波导滤波器，包括：第一介电材料块，包括限定多个第一谐振器的多个第一狭槽；第一RF信号输入/输出电极，限定在第一介电材料块上；第二介电材料块，耦合至第一介电材料块，并包括限定多个第二谐振器的多个第二狭槽；第二RF信号输入/输出电极，限定在第二介电材料块上；以及第一直接RF信号传输路径，由第一和第二RF信号输入/输出电极以及第一和第二介电材料块中的多个谐振器的组合来限定。
在一个实施例中，第一直接RF信号传输路径由第一直接RF信号传输部件部分限定，其从第一介电材料块中多个谐振器中的第一谐振器延伸至第二介电材料块中多个谐振器中的第一谐振器。
在一个实施例中，第一直接RF信号传输部件由限定在第一和第二介电材料块上的相应的第一和第二RF信号传输窗口来限定。
在一个实施例中，相应的第一和第二RF信号传输窗口由第一和第二介电材料区域来限定。
在一个实施例中，波导滤波器还包括限定第一间接耦合路径的第一间接RF信号传输部件，用于将RF信号从第一介电材料块中多个谐振器中的第二谐振器传输至第二介电材料块中多个谐振器中的第二谐振器。
在一个实施例中，第一间接RF信号传输部件包括外部RF信号传输电极，其限定在介电材料块的外部表面上并在第一介电材料块中多个谐振器中的第二谐振器和第二介电材料块中多个谐振器中的第二谐振器之间延伸。
在一个实施例中，波导滤波器还包括限定第二间接耦合路径的第二间接RF信号传输部件，用于将RF信号从第一介电材料块中多个谐振器中的第三谐振器传输至第二介电材料块中多个谐振器中的第三谐振器。
在一个实施例中，第二间接RF信号传输线路部件包括限定在第一和第二介电材料块上的第三和第四窗口。
在另一特定实施例中，本发明涉及一种介质波导滤波器，包括：介电材料块，包括配置在第一列中的多个第一谐振器和配置在第二列中的邻近多个第一谐振器的多个第二谐振器；第一和第二RF信号输入/输出电极，限定在介电材料块上；第一直接耦合RF信号传输窗口，限定在该块的内部中多个第一谐振器中的一个谐振器和多个第二谐振器中的第一谐振器之间，用于将RF信号直接从多个第一谐振器传输至多个第二谐振器；第一间接交叉耦合RF信号传输部件，由在多个第一谐振器中的第二谐振器和多个第二谐振器中的第二谐振器之间延伸的外部传输线路限定，用于在多个第一谐振器中的第二谐振器和多个第二谐振器中的第二谐振器之间传输RF信号；以及第二间接交叉耦合RF信号传输部件，由介电材料块的内部位于多个第一谐振器中的第三谐振器和多个第二谐振器中的第三谐振器之间的内部窗口限定，用于在多个第一谐振器中的第三谐振器和多个第二谐振器中的第三谐振器之间传输RF信号。
在另一实施例中，多个第一谐振器和多个第二谐振器被配置在耦合在一起的第一和第二介电材料块上。
通过以下对本发明的优选实施例、附图和所附权利要求的详细描述，本发明的其他优点和特征将更加明显。
附图说明
本发明的这些以及其他特征可以通过以下附图的描述更好地理解：
图1是根据本发明的介质波导滤波器的放大立体图；
图2是图1所示的介质波导滤波器的放大的、部分分解的、部分虚化的立体图；
图3是根据本发明的介质波导滤波器的另一实施例的放大立体图；
图4是图3所示的介质波导滤波器的放大的、部分分解的、部分虚化的立体图；
图5是根据本发明的介质波导滤波器的另一实施例的放大立体图；
图6是图5所示的介质波导滤波器的放大的、部分分解的、部分虚化的立体图；
图7是根据本发明的介质波导滤波器的另一实施例的放大立体图；
图8是图7所示的波导滤波器的放大的、部分分解的、部分虚化的立体图；
图9是根据本发明的介质波导滤波器的另一实施例的放大顶部立体图；
图10是图9所示的介质波导滤波器的放大底部立体图；
图11是表示图1所示的陶瓷介质波导滤波器的性能/频率响应的图；
图12是表示图3、7和9所示的陶瓷介质波导滤波器的性能/频率响应的图；以及
图13是表示图5所示的陶瓷介质波导滤波器的性能/频率响应的图。
具体实施方式
第一实施例
图1和2示出根据本发明的陶瓷介质波导滤波器100的第一实施例，其仅包括直接耦合特性，以及其中波导滤波器100的衰减特性在不增加波导滤波器100的长度的情况下提高，如以下更详细地讨论和描述的。
最初，在图1和2的实施例中，波导滤波器100由一对单独的大致是平行六面体形状的单块101和103制成，单块101和103被耦合并被固定在一起以形成波导滤波器100，如以下更详细地描述。
单块101和103中的每一个包括合适的介电材料，诸如陶瓷；限定了纵轴L1；包括相对的纵向水平外表面102和104，其以与纵轴L1相同的方向纵向延伸；相对的纵向侧垂直外表面106和108，其以与纵轴L1相同的方向纵向延伸；以及相对的横向侧垂直外端面110和112，其在通常与单块101和103中的每一个的纵轴L1正交的方向上延伸。
单块101和103中的每一个分别包括多个谐振部（也称为腔或单元或谐振器）114、116和118以及120、121和122，它们在各自的列中配置并且沿着相应单块101和103的长度和纵轴L1纵向分隔，并且通过多对（更具体地在图1和2的实施例中为2对）空间分离的垂直狭缝或狭槽124和126相互分隔，从而被切割成单块101和103中的每一个的表面102、104、106和108以及介电材料的RF信号桥128、130、132和134，如以下更详细地描述。
两个狭槽124沿着单块101和103中的每一个的侧表面106的长度以空间分离和平行的关系并且以大致与纵轴L1正交的关系延伸。狭槽124中的每一个切割穿过侧表面106以及相对的水平表面102和104，并且部分穿过单块101和103中的每一个的主体和介电材料。
两个狭槽126沿着单块101和103中的每一个的相对的侧表面108的长度以空间分离和平行的关系、以大致与纵轴L1正交的关系、并且以与在侧表面106中限定的相应狭槽124相对、共线和共面的关系延伸。狭槽126中的每一个切割穿过侧表面108以及相对的水平表面102和104，并且部分穿过单块101和103中的每一个的主体和介电材料。
由于它们的相对的、分隔的、共线的和共面的关系，狭槽对124和126中的每一个分别在单块101和103中共同限定多个（更具体地在图1和图2的实施例中为2个）大致位于中央的RF信号桥128和130以及RF信号桥132和134，它们各自由介电材料的桥或岛组成，该桥或岛在单块101和103中的每一个的表面102和104之间延伸，其关系和方向大致与相应单块101和103中的每一个的纵轴L1垂直并相交并且互连相应谐振器114、116和118以及谐振器120、121和122。
具体地，单块101上的介电材料的桥128将谐振器114的介电材料桥接并互连至谐振器116的介电材料，而介电材料的桥130将谐振器116的介电材料互连至谐振器118的介电材料。以类似的方式，单块103上的介电材料的桥132将谐振器120的介电材料互连至谐振器121的介电材料，而介电材料的桥134将谐振器121的介电材料桥接并互连至谐振器122的介电材料。
在所示出的实施例中，介电材料的RF信号桥或岛128、130、132和134中的每一个的宽度取决于相对的狭槽124和126之间的距离，以及在所示出的实施例中大约为单块101和103中的每一个的宽度的三分之一。
尽管在图中未示出，但可以理解，狭槽124和126的厚度或宽度以及狭槽124和126从侧表面106或108的相应一者延伸至单块101和103中的每一个的主体和介电材料中的深度或距离可以根据特定应用而变化，从而使得RF信号桥128、130、132和134的宽度和长度相应地变化以控制波导滤波器100的电耦合和带宽，从而控制波导滤波器100的性能特性。
单块101和103还包括并分别限定相应的端部台阶或切口136和138，在所示出的实施例中，每一个包括相应单块101和103的纵向表面104的通常L形凹进的或刻槽的或阶梯的或切口的区域或部分、相对的侧表面106和108、以及相对的侧端面110和112，以及更具体地相应的端部谐振器114和122，其中介电陶瓷材料被移除或不存在。
换句话说，相应的台阶136和138在相应单块101和103中的每一个的端部面或区域（以及更具体地，相应的端部谐振器114和122）中限定或由其限定，相应的台阶136和138的高度小于相应单块101和103的剩余部分的高度。
换句话说，相应的台阶136和138各自包括在相应单块101和103上限定的相应端部谐振器114和122的大致L形的凹口或切口部分，其包括大致水平的第一表面140和大致垂直的第二表面或壁142，第一表面140位于或向内指向、分隔并平行于相应单块101和103的表面104，第二表面或壁142位于或向内指向、分隔并平行于相应单块101和103的相应侧端面110和112。
单块101和103还分别包括各自为通孔146的形式的电RF信号输入/输出电极，通孔146以大致与其纵轴L1正交的关系延伸穿过相应单块101和103的主体，以及更具体地穿过其相应台阶136和138，以及更具体地以大致与相应台阶136和138的表面140以及相应单块101和103的表面104正交的关系在表面140和表面104之间穿过在相应单块101和103中限定的相应端部谐振器114和122的主体。
更具体地，相应RF信号输入/输出通孔146与相应单块101和103的相应横向侧端面110分隔并大致平行，并且分别限定图2所示的大致圆形开口147和149，该开口147和149终止于相应单块101和103的每一个的台阶表面140和单块表面104。
RF信号输入/输出通孔146以大致与侧端面110和台阶壁或表面142分隔并平行的关系在侧端面110和台阶壁或表面142之间位于并延伸穿过相应的单块101和103以及相应的台阶136和138的内部。
单块101和103的所有外部表面102、104、106、108、110和112、狭槽124和126的内部表面、以及输入/输出通孔146的内部表面由诸如银的合适的导电材料覆盖，除了以下更详细描述的区域，包括相应台阶136和138的表面140中围绕由相应通孔146限定的开口147的介电材料的区域151。
单块101和103还包括相应的SMA RF信号输入/输出共轴连接器400和401，每一个包括大致矩形的连接器基板或凸缘404、大致从凸缘404的上表面正交地向上和向外延伸的大致圆柱形的连接器外壳或壳体406、以及延伸穿过壳体406的内部和凸缘404的主体的细长中央连接器销403。
相应的连接器400和401，以及更具体地其相应的基板或凸缘404以与相应单块101和103的侧表面106和108以及纵轴L1正交的关系坐落于相应单块101和103的相应台阶136和138上，其中相应连接器400和401的凸缘404坐落于相应台阶136和138的表面140上，壳体406共轴地与在相应台阶136和138中限定的相应通孔146对准。
连接器凸缘404被直接焊接至相应单块101和103的相应台阶136和138的表面140，并且连接器销403延伸至并且回流焊接至相应通孔146的内部的导电材料。
如图1所示，单独的单块101和103在所示实施例中相互耦合并固定以限定并形成根据本发明的波导滤波器100，其中，多个谐振器配置在一个或多个行或列中，以及更具体地，在所示实施例中，以以下关系配置：六个谐振器114、116、118、120、121和122被配置在两列和三行中，如以下更详细描述的。
具体地，如图1所示，单块101和103耦合并固定在一起来限定波导滤波器100，其中，单块101的垂直侧表面108抵接并固定至单块103的垂直侧表面106；单块101上的狭槽126共线地与单块103上的狭槽124对准以限定一对相应的细长的空间分离的平行的内部或里面的狭槽129和131，狭槽129和131位于波导滤波器100的中央，大致与单块101和103的纵轴L1正交并且与单块101的表面106中限定的相应外部或外围狭槽124以及在单块103的表面108中限定的外部或外围狭槽126共线地对准；以及单块101上的台阶136与单块103上的台阶138抵接并对准。
由此，在图1所示的关系中，限定波导滤波器100的单块101上的谐振器114、116和118被配置在第一列中；限定滤波器100的单块103上的谐振器120、121和122被配置在邻接的第二列中；限定波导滤波器100的相应单块101和103上的相应谐振器114和122以邻接的并排关系设置；限定波导滤波器100的相应单块101和103上的相应谐振器116和121以邻接的并排关系设置；以及限定波导滤波器100的相应单块101和103上的相应谐振器118和120以邻接的并排关系设置。
如图2所示，波导滤波器100还包括第一直接耦合RF信号传输部件600，用于将来自单块101上的谐振器118的RF信号直接传输并耦合至单块103上的谐振器120。
在图1和2的实施例中，直接RF信号传输部件600包括介电材料的相应内部或里面的区域或窗口或孔622（即，没有导电材料的区域），其限定在相应谐振器118和120的区域中、相应单块101和103的相应外部侧表面106和108上，并且适于相互抵接以限定内部或里面的直接耦合RF信号传输部件600以及内部或里面的直接耦合路径，用于将来自谐振器118的RF信号传输至谐振器120，如以下更详细描述的。
由此，如图1所示的组装或成品波导滤波器100包括限定中央纵轴L2的由两个单块部分101和103限定的介电材料块105；在与纵轴L2相同的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的顶部和底部水平外表面102和104；在与纵轴L2相同的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的垂直外表面106和108；以及在与纵轴L2横切的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的垂直外端面110和112。
成品波导滤波器100还包括细长的端部台阶或切口137，其由台阶136和138的组合限定，并由此，以上关于台阶136和138的结构的描述针对台阶137的结构通过引用包含于此。
台阶或切口137在介电材料块105中在其邻接横向端面104的区域中限定并且在侧表面106和侧表面108之间在与块105的纵轴L2正交的方向上延伸。台阶137包括水平表面140和垂直表面或壁142，水平表面140从波导滤波器100的块的外表面102向内分隔并大致与该外表平102平行，垂直表面或壁142从块的端部侧垂直表面110向内分隔并与该垂直表面110平行。
波导滤波器100还包括由一对RF信号输入/输出通孔146部分限定的一对RF信号输入/输出端或电极，其以上描述通过引用包含于此，其以大致与纵轴L2正交的关系和方向延伸穿过块105的主体和介电材料并分别在台阶表面140和块表面104中的开口终止。
如图2所示，该对通孔146中的第一个定位并限定在台阶137中位于纵轴L2之上并与端面104分隔的区域中，而该对通孔146中的第二个定位并限定在台阶137中位于纵轴L2之下并与端面104分隔的区域中并且与该对通孔146中的第一个共线。
波导滤波器100还包括一对SMA RF信号输入/输出共轴连接器400和401，其上述描述通过引用包含于此，其以空间分离和共线的关系坐落于台阶137的表面140上并且分别耦合至RF信号输入/输出通孔146。
波导滤波器100还包括并限定一对空间分离并大致平行的细长狭槽124，其上述描述通过引用包含于此，其以大致与块105的侧表面106和纵轴L2正交的关系从块105的侧表面106延伸至块105的主体和介电材料中；以及一对空间分离并平行的细长狭槽126，其上述描述也通过引用包含于此，其以大致与块105的侧表面108和纵轴L2正交的关系并且以与相应的狭槽124共线和分隔的关系从块105的侧表面108延伸至块105的主体和介电材料中。狭槽124和126在波导滤波器100的块105的顶部和底部外表面102和104以及相应侧表面106和108之间延伸并穿过所述各个表面。
波导滤波器100还包括并限定一对大致椭圆形的、位于中央的细长的空间分离的平行的内部狭槽129和131，其上述描述通过引用包含于此，其以大致与纵轴L2垂直并相交的关系定向并延伸穿过块105的主体和介电材料，并且在波导滤波器100的块105的顶部和底部外表面102和104中的各自大致椭圆形的开口中终止。
狭槽129以与狭槽对124和126中的一对共线、在该对狭槽之间并与之分隔的关系位于波导滤波器100的块105中，而狭槽131以与狭槽129分隔并大致平行并与狭槽对124和126中的一对共线、在该对狭槽之间并与之分隔的关系位于波导滤波器100的块105中。
在图1和2的实施例中，块105的所有外部表面102、104、106、108、110、112，狭槽124、126、129和131中每一个的内部表面，以及RF信号输入/输出通孔146中每一个的内部表面由导电材料层覆盖，除了外部顶部表面102的围绕由相应RF信号输入/输出通孔146在外部顶部表面102中限定的开口147的区域151以及上述内部窗口622以外。
另外，在图1和2的实施例中，导电材料的中央内部细长层或壁109以与波导滤波器100的块105的纵轴L2共线和共面的关系垂直地延伸穿过波导滤波器100的块105的主体的全部长度和高度，除了上面详细描述的在导电材料的层或壁109中限定的介电材料的小的内部或里面的窗口622以外。
介电材料块105、狭槽124、126、129和131、以及上面详细描述的导电材料限定并创建了两个行和列的RF信号谐振器114、116、118、120、121和122以及如图1和2所示和前面详细描述的本发明的波导滤波器100的介电材料的连接RF信号桥128、130、132和134，其中，谐振器114和122、谐振器116和121以及谐振器118和120并排设置并通过导电材料的中央内部层或壁109相互电分隔，除如下所述以外。
根据本发明，波导滤波器100限定：用于RF信号的第一磁性或电感的大致U形直接耦合RF信号传输路径或传输线路，大致在图1中用箭头d表示，其在实施例中连续经过位于台阶137上的连接器400，其中连接器400限定RF信号输入连接器；第一RF信号传输输入通孔146，延伸穿过台阶137以及更具体地延伸穿过在单块101中形成的台阶136；块105中的台阶137以及更具体地，单块101的谐振器114中的台阶136；块105中的谐振器114，以及更具体地，单块101中的谐振器114；块105中的谐振器116，以及更具体地，经由并通过RF信号桥128的单块101中的谐振器116；以及块105中的谐振器118，以及更具体地，经由并通过RF信号桥130的单块101中的谐振器118。
之后，RF信号经由并通过内部直接耦合RF信号传输部件600发送至块105的谐振器120，以及更具体地单块103的谐振器120，RF信号传输部件600由在块105的内部两个谐振器118和120之间限定的内部RF信号传输窗口622限定，以及更具体地，窗口622在位于块105的两个单块101和103之间并分隔两个单块101和103以及更具体地在两个谐振器118和120之间并分隔两个谐振器118和120的导电材料的内部层109中限定；RF信号之后经由RF信号桥132发送至块105中的谐振器121，以及更具体地单块103中的谐振器121；RF信号之后经由并通过RF信号桥134发送至块105中的谐振器122，以及更具体地单块103中的谐振器122；块105的台阶137，以及更具体地位于单块103的谐振器122的端部处的台阶138；块105的台阶137中的RF信号传输输出通孔146，以及更具体地，单块103的谐振器122中的台阶138；以及输出通过位于块105的台阶137上以及更具体地位于单块103的台阶138上的RF信号输出连接器401。
由此，与序列号为61/345,382的共同待决的美国专利申请中公开的例如具有较少数量的谐振器和较短长度的RF信号路径/传输线路的波导滤波器相比，根据本发明，波导滤波器100的结构以及更具体地波导滤波器100的使用限定并提供了具有改进的衰减、增加的谐振器数量以及增加长度的RF信号路径/传输线路的波导滤波器100，而没有增加波导滤波器的长度，其中，块105、限定块105的单块101和103、及其相应的谐振器114、116、118、120、121和122，如以上详细描述的，以行和列以及并排关系配置和耦合在一起，直接耦合RF信号传输部件600直接耦合上述相应单块101和103中的谐振器118和120，并且经由直接耦合RF信号传输部件600如上述传输RF信号。
图11是图1所示的波导滤波器100的性能/频率响应的图，其中，衰减（以dB度量）沿纵轴示出以及频率（以MHz度量）沿横轴示出。
第二实施例
图3和4示出波导滤波器1100，其不仅包括图1和2所示的波导滤波器100的直接RF信号耦合以及传输特征和特性，还包括交替的交叉耦合/间接RF信号耦合以及传输特征和特性，如以下更详细描述的。
在图3和4的实施例中，以与上述波导滤波器100相同的方式并由此通过引用包含于此的波导滤波器1100由一对单独的大致平行六面体形的单块1101和1103制成，单块1101和1103耦合并固定在一起以形成波导滤波器1100，如以下更详细描述的。单块1101和1103由诸如陶瓷的合适的介电材料组成；限定纵轴L1；包括相对的空间分离的纵向水平外表面1102和1104，其在与纵轴L1相同的方向上纵向延伸；相对的空间分离的纵向侧部垂直外表面1106和1108，在与纵轴L1相同的方向上纵向延伸；以及相对的空间分离的横向侧部垂直外端面1110和1112，在大致与单块1101和1103的每一个的纵轴L1正交的方向上延伸。
单块1101和1103包括相应的多个谐振部（也称为腔或单元或谐振器）1114、1116和1118、以及1120、1121和1122，它们分别以列关系配置并且沿着相应单块1101和1103的长度和纵轴L1纵向分隔，并且通过多个（更具体地在图3和4的实施例中为2个）空间分离的垂直狭缝或狭槽1124和1126相互分离，其被切割成相应单块1101和1103的表面1102、1104、1106和1108并通过介电材料的RF信号桥1128、1130、1132和1134互连在一起，如以下更详细描述的。
两个狭槽1124沿着单块1101和1103中的每一个的侧表面1106的长度以空间分离和平行的关系并且以大致与纵轴L1正交的关系延伸。狭槽1124中的每一个切割穿过侧部表面1106以及相对的水平表面1102和1104，并且部分穿过单块1101和1103中的每一个的主体和介电材料。
两个狭槽1126沿着单块1101和1103中的每一个的相对的侧表面1108的长度以空间分离和平行的关系、以大致与纵轴L1正交的关系、并且以与在侧表面1106中限定的相应狭槽1124相对、共线和共面的关系延伸。狭槽1126中的每一个切割穿过侧表面1108以及相对的水平表面1102和1104，并且部分穿过单块1101和1103中的每一个的主体和介电材料。
由于它们的相对的、分隔的、共线的和共面的关系，狭槽对1124和1126中的每一个共同限定多个（更具体地在图3和图4的实施例中为2个）在单块1101中的在谐振器1114、1116和1118之间延伸并互连谐振器1114、1116和1118的大致位于中央的RF信号桥1128和1130、以及在单块1103中的在谐振器1120、1121和1122之间延伸并互连谐振器1120、1121和1122的大致位于中央的RF信号桥1132和1134，它们各自由介电材料的桥或岛组成，该桥或岛以大致与相应单块1101和1103中的每一个的纵轴L1垂直并相交的关系和方向在单块1101和1103中的每一个的表面1102和1104之间延伸。
具体地，介电材料的桥1128将谐振器1114的介电材料桥接并互连至谐振器1116的介电材料，而介电材料的桥1130将谐振器1116的介电材料桥接并互连至谐振器1118的介电材料。以类似的方式，单块1103上的介电材料的桥1132将谐振器1120的介电材料桥接并互连至谐振器1121的介电材料，而介电材料的桥1134将谐振器1121的介电材料桥接并互连至谐振器1122的介电材料。
在所示出的实施例中，RF信号桥1128、1130、1132和1134中的每一个的宽度取决于相对的狭槽1124和1126之间的距离，以及在所示出的实施例中大约为单块1101和1103中的每一个的宽度的三分之一。
狭槽1124和1126的厚度、宽度和深度可以被改变以改变相应RF信号桥1118、1130、1132和1134的宽度和长度。
单块1101和1103还包括并限定相应的端部台阶或切口1136和1138，在所示出的实施例中，每一个包括相应单块1101和1103的纵向表面1104的通常L形凹进的或刻槽的或阶梯的或切口的区域或部分、相对的侧表面1106和1108、以及相对的侧端面1110和1112，以及更具体地相应的端部谐振器1114和1122，其中介电陶瓷材料被移除或不存在。
台阶1136和1138的所有特征和特性与波导滤波器100的台阶136和138的特征和特性相同，由此针对台阶1136和1138将这些特征和特性的先前描述通过引用包含于此。单块1101和1103还各自包括各自为通孔1146的形式的电RF信号输入/输出电极，通孔1146在与其纵轴L1正交并共线的方向上延伸穿过相应单块1101和1103的主体，以及更具体地穿过其相应台阶1136和1138，以及更具体地以大致与相应台阶1136和1138的表面1140以及相应单块1101和1103的表面1104正交的关系在表面1140和表面1104之间穿过在相应单块1101和1103中限定的相应端部谐振器1114和1122的主体。
更具体地，相应RF信号输入/输出通孔1146与相应单块1101和1103的相应横向侧端面1110分隔并大致平行，并且分别限定各自的大致圆形的开口，该开口位于并终止于台阶表面1140和单块表面1104。图4仅示出在台阶表面1140中限定的开口1149。
RF信号输入/输出通孔1146以大致与侧端面1110和台阶壁或表面1142分隔并平行的关系在侧端面1110和台阶壁或表面1142之间坐落并位于并延伸穿过相应的单块1101和1103以及相应的台阶1136和1138的内部。
单块1101和1103的所有外部表面1102、1104、1106、1108、1110和1112、相应狭槽1124和1126的内部表面、以及输入/输出通孔1146的内部表面由诸如银的合适的导电材料覆盖，除了以下更详细描述的区域以及围绕台阶表面1140中由相应通孔1146限定的开口的与图2所示的区域151相同的区域（未示出）。
单块1101和1103还包括相应的SMA RF信号输入/输出共轴连接器1400和1401，每一个包括大致矩形的连接器基板或凸缘1404、大致从凸缘1404的上表面正交地向上和向外延伸的大致圆柱形的连接器外壳或壳体1406、以及延伸穿过壳体1406的内部和凸缘1404的主体的细长的中央连接器销1403。
相应的连接器1400和1401以大致与相应单块1101和1103的侧表面1106和1108正交的关系坐落于相应单块1101和1103的相应台阶1136和1138上，其中相应连接器1400和1401的基板1404坐落于相应台阶1136和1138的表面1140上，壳体1406共轴地与在相应台阶1136和1138中限定的相应通孔1146对准。
连接器凸缘404被直接焊接至相应单块101和103的相应台阶136和138的表面140，并且连接器销403延伸至并且回流焊接至相应通孔146的内部的导电材料。
如图3所示，单独的单块1101和1103相互耦合并固定来以以上关于波导滤波器100所述相同的方式限定并形成波导滤波器1100，其中，多个谐振器1114、1116、1118、1120、1121和1122以与波导滤波器100的谐振器114、116、118、120、121和122相同的方式被配置在两列和三行中，并且由此以上描述针对波导滤波器1100通过引用包含于此。
具体地，如图3所示，单块1101和1103耦合并固定在一起来限定波导滤波器1100，其中，单块1101的垂直侧表面1108抵接并固定至单块1103的垂直侧表面1106；单块1101上的狭槽1126共线地与单块1103上的狭槽1124对准以限定并形成一对相应的细长的空间分离的平行的内部或里面的细长狭槽1129和1131，狭槽1129和1131位于波导滤波器1100的中央，其大致与单块1101和1103的纵轴L1正交并且与单块1101的表面1106中限定的相应外部或外围狭槽1124以及在单块1103的表面1108中限定的外部或外围狭槽1126共线地对准；以及单块1101上的台阶1136与单块1103上的台阶1138抵接并对准。
由此，在图3所示的关系中，限定波导滤波器1100的单块1101上的谐振器1114、1116和1118被配置在第一列中；限定滤波器1100的单块1103上的谐振器1120、1121和1122被配置在邻接的第二列中；相应单块1101和1103上的相应谐振器1114和1122以邻接的并排关系设置；相应单块1101和1103上的相应谐振器1116和1121以邻接的并排关系设置；以及相应单块1101和1103上的相应谐振器1118和1120以邻接的并排关系设置。
波导滤波器1100还包括第一直接耦合RF信号传输部件1600（与上述RF信号传输部件600相同，其描述由此通过引用包含于此），用于直接在相应单块1101和1103上的相应谐振器1118和1120之间直接传输RF信号。
在图3和4的实施例中，直接耦合RF信号传输部件1600包括相应内部或里面的RF信号传输窗口或区域或孔1622，其限定在相应谐振器1118和1120的区域中、在相应谐振器1118和1120之间、相应单块1101和1103的相应外部侧表面1106和1108上，其没有导电材料（即，介电材料的区域或孔1622）并相互抵接以限定直接耦合RF信号传输部件1600和直接路径，用于将来自单块1101中的谐振器1118的RF信号传输至单块1103中的谐振器1120。
波导滤波器1100与波导滤波器100的不同之处在于波导滤波器1100还包括第一间接的、交替的或交叉耦合的RF信号传输部件，其在所示出的实施例中为外部的、交叉耦合/间接耦合的、旁路的或代替的RF信号传输电极或桥构件或者传输线路1500的形式，其具有特定阻抗和相位并且在相应单块1101和1103的相应谐振器1116和1121之间延伸并且互连并电耦合相应谐振器1116和1121。
在所示出的实施例中，外部交叉耦合传输线路1500大致矩形的印制电路板1502包括并由其限定，其位于相应单块1101和1103的相应顶部表面1102上并桥接相应顶部表面1102。外部交叉耦合传输电极1500还包括在印制电路板1502的顶部表面上限定并形成的导电材料的细长带1504，其桥接相应单块1101和1103上的相应谐振器1116和1121并在其上延伸。
此外，尽管图3中未示出，但可以理解，印制电路板1502还包括并限定延伸穿过印制电路板1502的主体的相应内部通孔，其适于接收相应导电柱1510和1512，导电柱1510和1512从相应单块1101和1103的相应谐振器1116和1121的相应顶部表面1102向外延伸至与导电材料的细长带1504的相对端面接触，以用于电交叉耦合谐振器1116和1121。
波导滤波器1100在结构上与波导滤波器100另外的不同之处在于，波导滤波器1100还包括第二间接、交替的或交叉耦合RF信号传输部件1700，用于将来自单块1101上的谐振器1114的RF信号传输至单块1122上的谐振器1122。
在图3和4的实施例中，间接或交叉耦合RF信号传输部件1700包括介电材料的相应的RF信号传输内部或里面的窗口或区域或孔1722（即，没有导电材料的区域），其限定在相应谐振器1114和1122的区域中、在相应谐振器1114和1122之间、相应单块1101和1103的相应外部侧表面1106和1108上，以及更具体地，限定在位于相应台阶1136和1138的垂直端壁1142与相应第一对狭槽124和126之间的相应外部表面1106和1108的区域中，第一对狭槽124和126位于相应的谐振器1114和1116以及谐振器1122和1121之间。相应窗口1722适于相互抵接以限定内部或里面的间接或交叉耦合RF信号传输部件1700和内部或里面的间接或交叉耦合路径，用于将来自谐振器1114的RF信号传输至谐振器1122。
由此，如图3中所示组装或成品波导滤波器1100包括：限定中央纵轴L2的由两个单块部分1101和1103限定的介电材料块1105；在与纵轴L2相同的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的顶部和底部水平外表面1102和1104；在与纵轴L2相同的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的垂直外表面1106和1108；以及在与纵轴L2横切的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的垂直外端面1110和1112。
成品波导滤波器1100还包括细长的端部台阶或切口1137，台阶或切口1137在介电材料块1105中在其邻接横向端面1104的区域中限定并且在侧表面1106和侧表面1108之间在与块1105的纵轴L2正交的方向上延伸。台阶1137具有与组合限定台阶1137的台阶1136和1138相同的结构和特征，包括与波导滤波器1100的块1105的外表面1102分隔并大致平行的水平表面1140、以及与块和垂直表面1110分隔并平行的垂直端部壁1142。
成品波导滤波器1100还包括由一对RF信号输入/输出通孔1146部分限定的一对RF信号输入/输出端或电极，其以上描述通过引用包含于此，其以大致与纵轴L2正交的关系和方向延伸穿过块1105的主体和介电材料并分别在台阶表面1140和块表面1104中的开口终止。如图4所示，该对通孔1146中的第一个定位并限定在台阶1137中位于纵轴L2之上并与端面1104分隔的区域中，而该对通孔1146中的第二个定位并限定在台阶1137中位于纵轴L2之下、与端面1104分隔并且与该对通孔1146中的第一个共线的区域中。
波导滤波器1100还包括一对SMA RF信号输入/输出共轴连接器1400和1401，其以上描述通过引用包含于此，其以空间分离和共线的关系坐落于台阶1137的表面1140上并且分别耦合至RF信号输入/输出通孔1146。
波导滤波器1100还包括并限定一对空间分离并大致平行的细长狭槽1124，其以上描述通过引用包含于此，其以大致与块1105的侧表面1106和纵轴L2正交的关系从块1105的侧表面1106延伸至块1105的主体和介电材料中；以及一对空间分离并平行的细长狭槽1126，其以上描述也通过引用包含于此，其以大致与块1105的侧表面1108和纵轴L2正交的关系并且以与相应的狭槽1124共线和分隔的关系从块1105的侧表面1108延伸至块1105的主体和介电材料中。狭槽1124和1126在波导滤波器1100的块1105的顶部和底部外表面1102和1104以及相应侧表面1106和1108之间延伸并穿过所述各个表面。
波导滤波器1100还包括并限定一对大致椭圆形的、位于中央的细长的空间分离的平行的内部狭槽1129和1131，其以上描述通过引用包含于此，其以与块1105的纵轴L2垂直并相交的关系延伸穿过块1105的主体和介电材料，并且在波导滤波器1100的块1105的顶部和底部外表面1102和1104中的相应的大致椭圆形的开口中终止。
狭槽1129以与狭槽对1124和1126一对共线、在该对狭槽之间并与之分隔的关系位于波导滤波器1100的块1105中，而狭槽1131以与狭槽1129分隔并大致平行并与狭槽对1124和1126另一对共线、在该对狭槽之间并与之分隔的关系位于波导滤波器1100的块1105中。
在图3和4的实施例中，交叉耦合RF信号传输部件1500位于狭槽1129和1131之间、与狭槽1129和1131分隔并与之平行。
在图3和4的实施例中，所有的外部表面1102、1104、1106、1108、1110、1112，狭槽1124、1126、1129和1131中每一个的内部表面，以及RF信号输入/输出通孔1146中每一个的内部表面由导电材料层覆盖，除了与上述围绕由相应RF信号输入/输出通孔1146在台阶1137的表面1140中限定的开口的区域151相同的区域（未示出）。
另外，在图3和4的实施例中，导电材料的中央内部层或壁1109以与波导滤波器1100的块1105的纵轴L2共线和共面的关系垂直地延伸穿过波导滤波器1100的块1105的主体的全部长度和高度，除了上面详细描述的在层1109中限定的介电材料的内部或里面的窗口或区域1622和1722（其没有导电材料）以外。
介电材料块1105、狭槽1124、1126、1129和1131、以及以上详细描述的覆盖上述块和狭槽的导电材料的组合限定并创建了两个行和列的RF信号谐振器1114、1116、1118、1120、1121和1122以及如图3和4所示的波导滤波器1100的块1105中的介电材料的连接RF信号桥1128、1130、1132和1134，其中，谐振器1114和1122、谐振器1116和1121以及谐振器1118和1120并排设置并通过介电材料的中央内部层或壁1109相互电分隔，除了在其包括窗口1622和1722以及RF信号传输部件1500的区域中以外。
根据本发明，以与通过引用包含于此的上述波导滤波器100相同的方式，波导滤波器1100限定：用于RF信号的第一磁性或电感的大致U形直接耦合RF信号传输路径，大致在图3中用箭头d表示，其在实施例中连续经过连接器1400，其中连接器1400限定RF信号输入连接器；台阶1137中的RF信号传输输入通孔1146；块1105中的台阶1137以及更具体地，单块1101的谐振器1114中的台阶1136；块1105中的谐振器1114，以及更具体地，单块1101中的谐振器1114；块1105中的谐振器1116，以及更具体地，经由并通过RF信号桥1128的单块1101中的谐振器1116；以及块1105中的谐振器1118，以及更具体地，经由并通过RF信号桥1130的单块1101中的谐振器1118。
之后，RF信号经由直接耦合RF信号传输部件1600发送至块1105的谐振器1120，以及更具体地单块1103的谐振器1120，RF信号传输部件1600由内部RF信号传输窗口1622限定，内部RF信号传输窗口1622在块1105的内部中由导电材料的内部层或壁1109限定并在谐振器1118和1120之间；RF信号经由并通过RF信号桥1132发送至块1105中的谐振器1121，以及更具体地单块1103中的谐振器1121；经由并通过RF信号桥1134发送至块1105中的谐振器1122，以及更具体地单块1102中的谐振器1122；RF信号传输输出通孔1146也位于台阶1137中，以及更具体地，位于单块1103的谐振器1122的端部处的台阶1138中；返回至台阶1137，以及更具体地单块1103的谐振器1121的端部处的台阶1138；以及输出通过位于台阶1137上以及更具体地位于单块1103中的台阶1138上的RF信号输出连接器1401。
根据本发明的实施例，波导滤波器1100还限定并提供用于RF信号的一对交替的或间接或交叉耦合的RF信号传输路径，大致在图3中用箭头c表示。
交叉耦合或间接电场/电容RF信号传输路径c中之一由外部RF信号传输线路1500限定和创建，其允许将直接RF信号的一小部分传输通过块1105的谐振器1116，以及更具体地，单块1101的谐振器1116，经由导电材料的外部带1504直接传输至块1105的谐振器1121，以及更具体地单块1103的谐振器1121，其中导电材料的外部带1504桥接并电互连块1105上的相应谐振器1116和1121、以及更具体地相应单块1101和1103上的相应谐振器1116和1121。
另一交叉耦合或间接磁性/电感RF信号传输路径c由内部或里面的RF信号传输部件1700限定和创建，其允许将直接RF信号的一小部分传输通过块1105的谐振器1114，以及更具体地，单块1101的谐振器1114，经由并通过在块1105的内部在谐振器1114和1122之间限定的内部或里面的RF信号传输窗口1722，直接传输至块1105的谐振器1122，以及更具体地单块1103的谐振器1122。
根据本发明，如上所述RF信号的交叉耦合有利地创建了相应的第一和第二对传输零点，第一对位于波导滤波器1100的通带以下，第二对位于波导滤波器1100的通带以上，如图12所示，图12是图3所示的波导滤波器1100的性能/频率响应的图，其中，沿纵轴示出衰减（以dB度量）并且沿横轴示出频率（以MHz度量）。
此外，根据图3所示的本发明的实施例，内部RF信号传输窗口1622被设计/制造为创建电感直接RF信号耦合，其强于由在相应谐振器1116和1121之间延伸并互连相应谐振器1116和1121的外部RF传输线路1500创建和限定的间接或交叉电容耦合，而该间接或交叉电容耦合被设计/制造为创建比以下更强的间接交叉耦合：由在相应谐振器1114和1122之间并互连相应谐振器1114和1122的内部RF传输窗口1722创建并限定的间接交叉耦合。
第三实施例
图5和6示出了根据本发明的波导滤波器2100的另一实施例，其包括波导滤波器100和1100的所有元件和特征，除了波导滤波器2100包括台阶2137以及更具体地改变长度并限定分路零点的台阶2136和2138，如以下更详细描述的。
由此，如以上关于波导滤波器100和1100所述并由此通过引用包含于此，在所示出的实施例中，波导滤波器2100由一对单独的大致平行六面体形状的单块2101和2103制成，其被耦合并固定在一起以形成波导滤波器组件2100，如以下更详细描述的。
单块2101和2103中的每一个由诸如陶瓷的合适的介电材料组成；限定纵轴L1；包括相对的空间分离的纵向水平外表面2102和2104，其在与纵轴L1相同的方向上纵向延伸；相对的空间分离的纵向侧部垂直外表面2106和2108，在与纵轴L1相同的方向上纵向延伸；以及相对的横向侧部垂直外部和空间分离的端面2110和2112，在大致与单块2101和2103的每一个的纵轴L1正交的方向上延伸的。
单块2101和2103中的每一个分别包括多个谐振部（也称为腔或单元或谐振器）2114、2116和2118以及2120、2121和2122，它们各自在列中配置并且沿着相应单块2101和2103的长度和纵轴L1纵向分隔，并且通过多个（更具体地在图5的实施例中为2个）空间分离的垂直狭缝或狭槽2124和2126相互分隔，从而被切割成单块2101和2103中的每一个的表面2102、2104、2106和2108并且通过RF信号桥2128、2130、2132和2134互连在一起，如以下更详细描述的。
两个狭槽2124沿着单块2101和2103中的每一个的侧表面2106的长度以空间分离和平行的关系并且以大致与纵轴L1正交的关系延伸。狭槽2124中的每一个切割穿过侧表面2106以及相对的水平表面2102和2104，并且部分穿过单块2101和2103中的每一个的主体和介电材料。
两个狭槽2126沿着单块2101和2103中的每一个的相对的侧表面2108的长度以空间分离和平行的关系、以大致与纵轴L1正交的关系、并且以与在侧表面2106中限定的相应狭槽2124相对、共线和共面的关系延伸。狭槽2126中的每一个切割穿过侧表面2108以及相对的水平表面2102和2104，并且部分穿过单块2101和2103中的每一个的主体和介电材料。
由于它们的相对的、分隔的、共线的和共面的关系，狭槽对2124和2126中的每一个共同限定多个（更具体地在图5的实施例中为2个）在单块2101中的在相应谐振器2114、2116和2118之间延伸并互连谐振器2114、2116和2118的大致位于中央的RF信号桥2128和2130、以及在相应谐振器2120、2121和2122之间延伸并互连谐振器2120、2121和2122的RF信号桥2132和2134，它们各自由介电材料的桥或岛组成，该桥或岛以大致与相应单块2101和2103中的每一个的纵轴L1垂直并相交的关系和方向在单块2101和2103中的每一个的表面2102和2104之间延伸。
具体地，单块2101上的介电材料的桥2128将谐振器2114的介电材料桥接并互连至谐振器2116的介电材料，而介电材料的桥2130将谐振器2116的介电材料桥接并互连至谐振器2118的介电材料。以类似的方式，单块2103上的介电材料的桥2132将谐振器2120的介电材料桥接并互连至谐振器2121的介电材料，而介电材料的桥2134将谐振器2121的介电材料桥接并互连至谐振器2122的介电材料。
在所示出的实施例中，RF信号桥2128、2130、2132和2134中的每一个的宽度取决于相对的狭槽2124和2126之间的距离，以及在所示出的实施例中大约为单块2101和2103中的每一个的宽度的三分之一。
尽管在图中未示出，但可以理解，狭槽2124和2126的厚度或宽度以及狭槽2124和2126从侧表面2106或2108中相应一者延伸至单块2101和2103中每一个的主体和介电材料中的深度或距离可以根据特定应用而改变以允许RF信号桥2128和2130的宽度和长度因此而改变，从而控制波导滤波器组件2100的电耦合和带宽，因此控制波导滤波器组件2100的性能特征。
单块2101和2103还包括并限定相应的端部台阶或切口2136和2138，在所示出的实施例中，每一个包括单块2101的纵向表面2104的通常L形凹进的或刻槽的或阶梯的或切口的区域或部分、相对的侧部表面2106和2108、以及相对的侧部端面2110和2112，其中介电陶瓷材料被移除或不存在。
换句话说，相应台阶2136和2138在相应单块2101和2103的相应端部部分或区域（以及更具体地相应的端部谐振器2114和2122）中或由其限定，相应台阶2136和2138的高度小于相应单块2101和2103的剩余部分的高度。
换句话说，相应台阶2136和2138各自包括在相应单块2101和2103上限定的相应端部谐振器2114和2122的大致L形的凹口或切口部分，其包括大致水平的第一表面2140和大致垂直的第二表面或壁2142，第一表面2140位于或向内指向、分隔并平行于相应单块2101和2103的表面2104，第二表面或壁2142位于或向内指向、分隔并平行于相应单块2101和2103的相应侧部端面2110和2112。
然而，波导滤波器2100的台阶2136和2138与波导滤波器100的台阶136和138在结构上的不同之处在于台阶2136和2138比相应波导滤波器100和1100的台阶长并且还在于，在所示出的实施例中，台阶2138比台阶2136长。
如图5和6所示，波导滤波器2100与波导滤波器100和1100在结构上的不同之处还在于单块2101和2103还限定另外一对共线配置并且相对的狭槽2124和2126，其在相应单块2101和2103的相应表面2106和2108中限定并且以与相应单块2101和2103的纵轴L1正交并且与限定相应台阶2136和2138的垂直壁2140分隔的关系定位并限定在相应台阶2136和2138中的每一个中，其中相应连接器2400和2401在相应的狭槽对2124和2126和相应台阶2136和2138的垂直壁2140之间坐落于相应台阶2136和2138上。
单块2101和2103还各自包括各自为通孔2146的形式的电RF信号输入/输出电极（图6），通孔2146以大致与其纵轴L1正交的关系延伸穿过相应单块2101和2103的主体，以及更具体地穿过其相应台阶2136和2138，以及更具体地以大致与相应台阶2136和2138的表面2140以及相应单块2101和2103的表面2104正交的关系在表面2140和表面2104之间穿过在相应单块2101和2103中限定的相应端部谐振器2114和2122的主体。
更具体地，相应输入/输出通孔2146与相应单块2101和2103的相应横向侧部端面2110分隔并大致平行，并且分别限定各自的大致圆形的开口（未示出），该开口位于并终止于台阶表面2140和单块表面2104。
RF信号输入/输出通孔2146以大致与另外一对狭槽2124和2126以及台阶壁或表面2142分隔并平行的关系以及在大致与纵轴L1垂直并相交的方向上、在位于狭槽2124和2126与台阶壁或表面2142之间的区域中位于并延伸穿过相应的单块2101和2103以及相应的台阶2136和2138的内部。
单块2101的所有外部表面2102、2104、2106、2108、2110和2112、相应狭槽2124和2126的内部表面、以及输入/输出通孔2146的内部表面都由诸如银的合适的导电材料覆盖，除了包括与以上详细描述的图1所示的区域151相同的区域（未示出）的以下更详细描述的区域。
单块2101和2103还包括相应的SMA RF信号输入/输出共轴连接器2400和2401，其如上所述坐落于相应台阶2136和2138上并且各自包括大致矩形的连接器基板或凸缘2404、大致从凸缘2404的上表面正交地向上和向外延伸的大致圆柱形的连接器外壳或壳体2406、以及延伸穿过壳体2406的内部和凸缘2404的主体的细长的中央连接器销2403。
相应的连接器2400和2401以大致与相应单块2101和2103的侧表面2106和2108正交的关系坐落于相应单块2101和2103的相应台阶2136和2138上，其中相应连接器2400和2401的基板2404坐落于相应台阶2136和2138的表面2140上，壳体2406共轴地与在相应台阶2136和2138中限定的相应通孔2146对准。
连接器凸缘2404被直接焊接至相应单块2101和2103的相应台阶2136和2138的表面2140，并且连接器销2403延伸至并且回流焊接至相应通孔2146的内部的导电材料。
在所示实施例中，相应连接器2400和2401以大致与纵轴L1垂直并相交的方向和关系坐落于相应台阶2136和2138的相应部分中，该相应部分位于相应另外一对狭槽2124和2126以及相应台阶2136和2138的垂直端面2142之间。
如图5所示，单独的单块2101和2103相互耦合并固定来限定并形成如以下更详细描述的波导滤波器2100，其中，多个谐振器2114、2116、2118、2120、2121和2122被配置在一个或多个行和列中，以及更具体地，在所示实施例中多个谐振器2114、2116、2118、2120、2121和2122被配置为两列和三行的模式。
具体地，如图5所示，单块2101和2103耦合并固定在一起来限定波导滤波器2100，其中，单块2101的垂直侧表面2108抵接单块2103的垂直侧表面2106；单块2101上的狭槽2126共线地与单块2103上的狭槽2124对准以限定一对相应的细长的空间分离并平行的内部细长狭槽2129和2131，狭槽2129和2131位于波导滤波器2100的中央，其大致与单块2101和2103的纵轴L1正交并且与单块2101的表面2106中限定的外部和外围狭槽2124以及在单块2103的表面2108中限定的狭槽2126共线地对准；以及单块2101上的台阶2136与单块2103上的台阶2138抵接并对准。
由此，在图5所示的关系中，单块2101上的谐振器2114、2116和2118被配置在第一列中；单块2103上的谐振器2120、2121和2122被配置在邻接的第二列中；相应单块2101和2103上的相应谐振器2114和2122以邻接的并排关系设置；相应单块2101和2103上的相应谐振器2116和2121以邻接的并排关系设置；以及相应单块2101和2103上的相应谐振器2118和2120以邻接的并排关系设置。
波导滤波器2100还包括第一交替的或间接或交叉耦合RF信号传输部件，其在所示实施例中是第一外部、交替的交叉耦合/间接耦合RF信号传输电极或桥构件或线路2500的形式（与上述RF信号传输部件1500相同并通过引用包含于此），其具有特定阻抗和相位并且在相应单块2101和2103的相应谐振器2116和2121之间延伸并且互连并电耦合相应谐振器2116和2121。
在所示出的实施例中，外部交叉耦合传输线路2500包括大致矩形的印制电路板2502并由其限定，其位于相应单块2101和2103的相应顶部表面2102上并桥接相应顶部表面2102。外部交叉耦合传输电极2500还包括在印制电路板2502的顶部表面上限定并形成的导电材料的细长带2504，其桥接相应单块2101和2103上的相应谐振器2116和2121并在其上延伸。
此外，尽管图5中未示出，但可以理解，印制电路板2502还包括并限定延伸穿过印制电路板2502的主体的相应内部通孔，其适于接收相应导电柱2510和2512，导电柱2510和2512从相应单块2101和2103的相应谐振器2116和2121的相应顶部表面2102向外延伸至与导电材料的细长带2504的相对端面接触，以用于电耦合谐振器2116和2121。
波导滤波器2100还包括直接耦合RF信号传输部件2600（与上述RF信号传输部件600和1000相同并通过引用包含于此），用于直接互连并耦合以及限定在相应单块2101和2103上的相应谐振器2118和2120之间的直接RF信号传输路径。
在图5和6的实施例中，直接RF信号传输部件2600包括介电材料的相应RF信号内部或里面的传输窗口或区域或孔2622（即，没有导电材料的区域），其限定在谐振器2118和2120的区域中、在谐振器2118和2120之间、相应单块2101和2103的相应外部侧表面2106和2108上，其相互抵接以限定内部或里面的路径或窗口，用于将来自谐振器2118的RF信号传输至谐振器2120。
波导滤波器2100还包括第二交替的、交叉耦合/间接耦合RF信号传输部件2700（与上述RF信号传输部件1700的结构相同并通过引用包含于此），用于互连相应单块2101和2103的相应谐振器2114和2122。
在图5的实施例中，间接或交叉耦合RF信号传输部件2700包括没有导电材料的相应的内部或里面的RF信号传输窗口或区域或孔2722（即，介电材料的区域），其限定在相应谐振器2114和2122的区域中、在相应谐振器2114和2122之间、相应单块2101和2103的相应外部侧表面2106和2108上，以及更具体地，限定在位于相应台阶2136和2138的垂直端壁2142与相应第一对狭槽2124和2126之间的相应外部表面2106和2108的区域中，第一对狭槽2124和2126位于相应的谐振器2114和2116以及谐振器2122和2121之间。相应窗口2722适于相互抵接以限定内部或里面的间接或交叉耦合RF信号传输部件和内部或里面的间接或交叉耦合路径，用于将来自谐振器2114的RF信号传输至谐振器2122。
由此，如图5和6中所示组装或成品波导滤波器2100包括：限定中央纵轴L2的介电材料块2105；在与纵轴L2相同的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的顶部和底部水平外表面2102和2104；在与纵轴L2相同的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的垂直外表面2106和2108；在与纵轴L2横切的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的垂直外端面2110和2112。
成品波导滤波器2100还包括细长的端部台阶或切口2137，台阶或切口2137在介电材料块2105中在其邻接横向端面2104的区域中限定并且在侧部表面2106和侧部表面2108之间在与块2105的纵轴L2正交的方向上延伸。台阶2137包括与波导滤波器2100的块的外部表面2102分隔并大致平行的水平表面2140、以及与块端部垂直表面2110分隔并大致平行的垂直端部壁2142。
在所示实施例中，台阶2137包括并由位于纵轴L2以下的单块2103的台阶2138以及位于纵轴L2以上的单块2101的台阶2136的组合限定，并且比台阶2138短。
波导滤波器2100还包括由相应RF信号输入/输出通孔2146部分限定的一对RF信号输入/输出端，其以上描述通过引用包含于此，其以大致与纵轴L2正交的关系和方向限定在并延伸穿过块2105的主体和介电材料。如图6所示，通孔2146中的一个定位并限定在台阶2137中位于纵轴L2之上并与端面2104分隔的区域中，而通孔2146中的另一个定位并限定在台阶2137中位于纵轴L2之下、与端面2104分隔并且与通孔2146中的一个共线的区域中。
波导滤波器2100还包括一对SMA RF信号输入/输出共轴连接器2400和2401，其以上描述通过引用包含于此，其以空间分离和共线的关系并且以与纵轴L2正交的关系坐落于台阶2137的表面2140上并且分别耦合至RF信号输入/输出通孔2146。
在所示实施例中，连接器2400坐落于台阶2137的位于纵轴L2之上的部分中，以及连接器2401坐落于台阶2137的位于纵轴L2之下的部分中。
波导滤波器2100还包括并限定三个空间分离并大致平行的细长狭槽2124，其以大致与块2105的侧表面2106和纵轴L2正交的关系从块2105的侧表面2106延伸至块2105的主体和介电材料中；以及三个单独的空间分离并平行的细长狭槽2126，其以大致与块2105的侧表面2108和纵轴L2正交的关系并且以与相应的狭槽2124共线的关系从块2105的侧表面2108延伸至块2105的主体和介电材料中，从而限定三对相对的并且共线的狭槽2124和2126。狭槽2124和2126在波导滤波器2100的块的顶部和底部外表面2102和2104以及相应侧表面2106和2108之间延伸并穿过所述各个表面。
在所示实施例中，共线和相对的狭槽对2124和2126中的一对以与台阶2137的垂直端部壁2142分隔并平行的关系定位并限定在台阶2137中。
波导滤波器2100还包括并限定三个大致椭圆形的、位于中央的细长的空间分离的平行的内部狭槽2125、2129和2131，其延伸穿过块2105的主体和介电材料，并且在波导滤波器2100的块2105的顶部和底部外部表面2102和2104中的相应的大致椭圆形的开口中终止。
狭槽2129以与狭槽对2124和2126一个中的一对共线并分隔的关系位于波导滤波器2100的块2105中，而狭槽2131以与狭槽2129分隔并大致平行并与狭槽对2124和2126的中的另一对共线并分隔的关系位于波导滤波器2100的块2105中。狭槽2125以与台阶2137中限定的狭槽对2124和2126共线并分隔的关系位于波导滤波器2100的块2105的台阶2137中。
此外，狭槽2125、2129和2131以大致与波导滤波器2100的块2105的纵轴L2垂直并相交的关系位于波导滤波器2100的块2105中。
由此，在图5和6的实施例中，RF信号输入/输出通孔2146和耦合至该通孔的相应连接器2400和2401位于台阶2137的位于限定在台阶2137中的狭槽2124、2125和2126与台阶2137的垂直内部壁2142之间的区域中。
在图5和6的实施例中，所有的外部表面2102、2104、2106、2108、2110、2112，狭槽2124、2126、2125、2129和2131中每一个的内部表面，以及RF信号输入/输出通孔2146中每一个的内部表面由导电材料层覆盖，除了与如图1所示围绕由相应RF信号输入/输出通孔2146在台阶表面2140中限定的开口的区域151相似的区域（未示出）。
另外，在图5和6的实施例中，导电材料的中央内部垂直层或壁2109以与波导滤波器2100的块2105的纵轴L2共线和共面的关系延伸穿过波导滤波器2100的块的主体的全部长度和高度，除了上面详细描述的在其中限定的介电材料的内部或里面的窗口或区域2622和2722（其中没有导电材料）以外。
介电材料块2105、狭槽2124、2126、2125、2129和2131、以及以上详细描述的覆盖上述块和狭槽的导电材料限定并创建了两行的RF信号谐振器2114、2116、2118、2120、2121和2122以及如图5和6所示的波导滤波器2100的介电材料的连接RF信号桥2128、2130、2132和2134，其中，谐振器2114和2122、谐振器2116和2121以及谐振器2118和2120并排设置并通过介电材料的中央内部层或壁2109相互电分隔，除了在其中具有内部或里面的窗口2622和2722的区域中以外。
波导滤波器2100以与以上关于波导滤波器1100所述相同的方式限定并创建了相同的直接RF信号路径d和间接交叉耦合RF信号路径c，由此，先前关于波导滤波器1100的描述关于波导滤波器2100通过引用包含于此。
根据本发明，并且以与上述波导滤波器100相同的方式并由此通过引用包含于此，波导滤波器2100限定：用于RF信号的第一磁性或电感的大致U形直接耦合RF信号传输路径，大致在图5中用箭头d表示，其在实施例中连续经过连接器2400，其中连接器2400限定RF信号输入连接器；台阶2137、更具体地单块2101的端部谐振器2114中的台阶2136中的RF信号传输输入通孔2146；块2105中的台阶2137以及更具体地，单块2101上的台阶2136；块2105中的谐振器2114，以及更具体地，单块2101中的谐振器2114；块2105中的谐振器2116，以及更具体地，经由并通过RF信号桥2128的单块2101中的谐振器2116；以及块2105中的谐振器2118，以及更具体地，经由并通过RF信号桥2130的单块2101中的谐振器2118。
之后，RF信号经由RF信号传输部件2600发送至块2105的谐振器2120，以及更具体地单块2103的谐振器2120，RF信号传输部件2600由介电材料的内部RF信号传输窗口2622在块2105的内部限定，内部RF信号传输窗口2622如上所述在块2105的内部在谐振器2118和2120的区域中并在谐振器2118和2120之间限定，并通过引用包含于此；经由并通过RF信号桥2132发送至块2105中的谐振器2121，以及更具体地单块2103中的谐振器2121；经由并通过RF信号桥2134发送至块2105中的谐振器2122，以及更具体地单块2103中的谐振器2122；RF信号传输输出通孔2146，也位于台阶2137中以及更具体地，位于单块2103的端部谐振器2122中限定的台阶2138中；返回至台阶2137，以及更具体地单块2103的谐振器2121的端部中限定的台阶2138；以及输出通过位于台阶2137上以及更具体地位于单块2103中的台阶2138上的RF信号输出连接器2401。
根据本发明的实施例，波导滤波器2100还限定并提供用于RF信号的一对交替的或间接或交叉耦合RF信号传输路径，大致在图3中用箭头c表示。
交叉耦合或间接电场/电容RF信号传输路径c中之一由在谐振器2116和2121之间延伸的外部RF信号传输线路2500限定和创建，如上所述并通过引用包含于此，其允许将直接RF信号的一小部分传输通过块2105的谐振器2116，以及更具体地，单块2101的谐振器2116，经由导电材料的外部带2504直接传输至块2105的谐振器2121，以及更具体地单块2103的谐振器2121，其中导电材料的外部带2504桥接并电互连块2105上的相应谐振器2116和2121，以及更具体地相应单块2101和2103上的谐振器2116和2121。
另一交叉耦合或间接磁性/电感RF信号传输路径c由内部RF信号传输部件2700限定和创建，如上所述并通过引用包含于此，其允许将直接RF信号的一小部分传输通过块2105的谐振器2114，以及更具体地，单块2101的谐振器2114，经由并通过在谐振器2114和2122的区域中在谐振器2114和2122之间在块2105的内部限定的内部或里面的RF信号传输窗口2722直接传输至块2105的谐振器2122，以及更具体地单块2103的谐振器2122。
根据本发明，如上所述RF信号的交叉耦合有利地创建了相应的第一和第二对传输零点，第一对位于波导滤波器2100的通带以下，第二对位于波导滤波器2100的通带以上，如图13所示，图13是图5所示的波导滤波器2100的性能/频率响应的图，其中，沿纵轴示出衰减（以dB度量）并且沿横轴示出频率（以MHz度量）。
此外，根据本发明，内部RF信号传输窗口2622被设计/制造为创建电感直接RF信号耦合，其强于由在相应谐振器2116和2121之间延伸并互连相应谐振器2116和2121的外部RF传输线路2500创建和限定的间接或交叉电容耦合，而该间接或交叉电容耦合被设计/制造为创建比以下更强的间接交叉耦合：由在相应谐振器2114和2122之间并互连相应谐振器2114和2122的内部RF传输窗口2722创建并限定的间接交叉耦合。
然而，除了如以上和先前关于波导滤波器1100所述，通过使用第一和第二交叉耦合路径创建第一和第二对传输零点以外，波导滤波器2100还通过使用台阶2137、以及更具体地台阶2136和2138创建第一对分路零点来提供进一步改进的衰减特性，如以上详细描述和图13所示，台阶2136和2138在其中具有狭槽并具有不同长度，其不仅示出波导滤波器2100的通带以上和以下的一对传输零点，还示出波导滤波器2100的通带以上和以下的另一分路零点。
第四实施例
图7和8示出在结构和功能上与波导滤波器1100类似的波导滤波器3100，由此以上关于滤波器1100的描述通过引用包含于此，除了波导滤波器3100的相应单块3101和3103上的相应台阶3136和3138包括相应直接表面安装RF信号输入/输出垫3800和3802来代替波导滤波器1100中的外部连接器1400和1401，并进一步包括不同结构的交叉耦合RF信号传输部件或构件3500，如以下更详细描述的。
具体地，在所示实施例中，波导滤波器组件3100由一对单独的大致平行六面体形状的单块3101和3103制成，它们耦合并固定在一起以形成波导滤波器3100，如以下更详细描述的。
单块3101和3103中的每一个由诸如陶瓷的合适的介电材料组成；限定纵轴L1；相对的空间分离的纵向水平外部表面3102和3104，其在与纵轴L1相同的方向上纵向延伸；相对的空间分离的纵向侧部垂直外部表面3106和3108，其在与纵轴L1相同的方向上纵向延伸；以及相对的空间分离的横向侧部垂直外部端面3110和3112，其在大致与单块3101和3103的每一个的纵轴L1正交的方向上延伸。
单块3101和3103分别包括多个谐振部（也称为腔或单元或谐振器）3114、3116和3118、以及3120、3121和3122，它们各自在列中配置并且沿着相应单块3101和3103的长度和纵轴L1纵向分隔，并且通过多个（更具体地在图7的实施例中为2个）空间分离的垂直狭缝或狭槽3124和3126相互分隔，从而被切割成单块3101和3103中的每一个的表面3102、3104、3106和3108。
两个狭槽3124沿着单块3101和3103中的每一个的侧表面3106的长度以空间分离和平行的关系并且以大致与纵轴L1正交的关系延伸。狭槽3124中的每一个切割穿过侧表面3106以及相对的水平表面3102和3104，并且部分穿过单块3101和3103中的每一个的主体。
两个狭槽3126沿着单块3101和3103中的每一个的相对的侧表面3108的长度以空间分离和平行的关系、以大致与纵轴L1正交的关系、并且以与在侧表面3106中限定的相应狭槽3124相对、共线和共面的关系延伸。狭槽3126中的每一个切割穿过侧部表面3108以及相对的水平表面3102和3104，并且部分穿过单块3101和3103中的每一个的主体和介电材料。
由于它们的相对的、分隔的、共线的和共面的关系，狭槽对3124和3126中的每一个在相应单块3101和3103中共同限定多个（更具体地为2个）大致位于中央的RF信号桥3128和3130以及RF信号桥3132和3134，它们各自由介电材料的桥或岛组成，该桥或岛以大致与相应单块3101和3103中的每一个的纵轴L1垂直并相交的关系和方向在单块3101和3103中的每一个的表面3102和3104之间延伸并互连相应谐振器3114、3116和3118以及谐振器3120、3131和3122。
具体地，桥3128将谐振器3114的介电材料桥接并互连至谐振器3116的介电材料，而介电材料的桥3130将谐振器3116的介电材料桥接并互连至谐振器3118的介电材料。以类似的方式，单块3103上的介电材料的桥3132将谐振器3120的介电材料桥接并互连至谐振器3121的介电材料，而介电材料的桥3134将谐振器3121的介电材料桥接并互连至谐振器3122的介电材料。
在所示出的实施例中，RF信号桥3128、3130、3132和3134中的每一个的宽度取决于相对的狭槽3124和3126之间的距离，以及在所示出的实施例中大约为单块3101和3103中的每一个的宽度的三分之一。
单块3101和3103还包括并分别限定相应的端部台阶或切口3136和3138，其在结构和功能上与波导滤波器100的相应端部台阶或切口136和138以及波导滤波器1100的相应端部台阶或切口1136和1138相同，由此切口136和138以及台阶1136和1138的特征和结构的先前描述关于台阶3136和3138通过引用包含于此。
由此，在所示出实施例中，台阶或切口3136和3138中的每一个包括单块3101和3103的纵向表面3104的通常L形凹进的或刻槽的或阶梯的或切口的区域或部分、相对的侧表面3106和3108、以及相对的侧端面3110和3112，以及更具体地相应的端部谐振器3114和3122，其中介电陶瓷材料被移除或不存在。台阶3136和3138在与相应单块3101和3103的纵轴L1垂直并相交的方向上延伸。
单块3101和3103还各自包括各自为通孔3146的形式的电RF信号输入/输出电极，如图8所示，通孔3146延伸穿过相应单块3101和3103的主体，以及更具体地穿过其相应台阶3136和3138，以及更具体地以大致与相应台阶3136和3138的表面3140以及相应单块3101和3103的表面3104正交的关系在表面3140和表面3104之间穿过在相应单块3101和3103中限定的相应端部谐振器3114和3122的主体。
更具体地，相应的输入/输出通孔3146与相应单块3101和3103的相应横向侧端面3110分隔并大致平行，并且分别限定各自的大致圆形的开口（未示出），该开口位于并终止于台阶表面3140和单块表面3104。
RF信号输入/输出通孔3146以大致与侧部端面3110和台阶壁或表面3142分隔并平行的关系在侧端面3110和台阶壁或表面3142之间在大致与其纵轴L1正交并共线的方向上定位并延伸穿过相应的单块3101和3103以及相应的台阶3136和3138的内部和介电材料。
代替先前实施例中的外部连接器，波导滤波器3100包括限定在相应单块3101和3103的底部表面3104上的相应直接表面安装RF信号输入/输出垫3800和3802。
如图7和8所示，单块3101和3103部分以虚线示出，RF信号输入/输出垫3800和3802各自包括导电材料的带3803，其包括位于底部表面3104并耦合至由相应通孔3146在相应单块3101和3103的底部表面3104中限定的开口，包住接合块表面3104和3110的角，并由介电材料的区域3804围绕。
根据本实施例，尽管未示出，但可以理解，RF信号输入/输出垫3800和3802允许波导滤波器3100坐落在客户的主板的表面上，其中，RF信号输入/输出垫3800和3802耦合至客户的主板上的相应RF信号输入/输出垫。
单块3101和3103的所有外部表面3102、3104、3106、3108、3110和3112、狭槽3124和3126的内部表面、以及RF信号输入/输出通孔3146的内部表面由诸如银的合适的导电材料覆盖，除了上述以及以下更详细描述的区域。
如图7所示，单独的单块3101和3103相互耦合并固定来限定并形成波导滤波器3100，如以下更详细描述的，其中，多个谐振器3114、3116、3118、3120、3121和3122被配置在一个或多个行或列中，以及更具体地，在所示实施例中，多个谐振器被配置在两列和三行中。
具体地，如图7所示，单块3101和3103耦合并固定在一起来限定波导滤波器3100，其中，单块3101的垂直侧表面3108抵接单块3103的垂直侧表面3106；单块3101上的狭槽3126共线地与单块3103上的狭槽3124对准以限定一对相应的细长的空间分离并平行的内部或里面的狭槽3129和3131，狭槽3129和3131位于波导滤波器3100的中央，其大致与单块3101和3103的纵轴L1正交并且与单块3101的表面3106中限定的狭槽3124以及在单块3103的表面3108中限定的狭槽3126共线地对准；以及单块3101上的台阶3136与单块3103的台阶3138抵接并对准。
由此，在图7所示的关系中，单块3101上的谐振器3114、3116和3118被配置在第一列中；单块3103上的谐振器3120、3121和3122被配置在邻接的第二列中；相应单块3101和3103上的相应谐振器3114和3122以邻接的并排关系设置；相应单块3101和3103上的相应谐振器3116和3121以邻接的并排关系设置；以及限定波导滤波器3100的相应单块3101和3103上的相应谐振器3118和3120以邻接的并排关系设置。
波导滤波器3100还包括第一间接或交叉耦合、旁路或交替的外部RF信号传输电极或桥构件或线路或部件3500，其具有特定阻抗和相位并且在相应单块3101和3103的相应谐振器3116和3121之间延伸并且互连并电耦合相应谐振器3116和3121。
外部RF信号传输线路3500包括在相应单块3101和3103的顶部表面3102上限定并形成的导电材料的相应带3504，其在相应单块3101和3103的顶部表面3102上由介电材料的相应区域3502围绕。
当单块3101和3103如上所述耦合并固定在一起时，相应带3504进入抵接关系以允许将来自单块3101的谐振器3116的RF信号的一小部分直接外部传输至单块3103的谐振器3121中。
波导滤波器3100还包括直接RF信号传输部件3600，其在结构和操作上与RF信号传输部件600、1600和2600相同，其以上描述通过引用包含于此，其在相应单块3101和3103上的相应谐振器3118和3120之间延伸以及互连并耦合相应谐振器3118和3120
具体地，RF信号传输部件3600包括没有导电材料的相应内部或里面的RF信号传输窗口或区域或孔3622（即，介电材料的区域），其限定在相应单块3101和3103的相应外部侧表面3106和3108上，其相互抵接以限定内部或里面的直接路径，用于将来自谐振器3118的RF信号传输至谐振器3120。
波导滤波器3100还包括第二交叉耦合/间接耦合、交替的RF信号传输部件3700，其在结构和操作上与上述RF信号传输部件1700和2700相同并通过引用包含于此，其在相应单块3101和3103的相应谐振器3114和3122之间延伸并互连相应谐振器3114和3122。
具体地，RF信号传输部件3700包括相应的内部或里面的RF信号传输窗口或区域3722，其限定在相应单块3101和3103的相应外部侧表面3106和3108上，其相互抵接以限定交替的或间接的内部或里面的路径，用于来自谐振器3114的RF信号至谐振器3122的内部或里面的传输。
由此，如图7所示组装或成品波导滤波器3100包括：限定中央纵轴L2的介电材料块3105；在与纵轴L2相同的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的顶部和底部水平外表面3102和3104；在与纵轴L2相同的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的垂直外表面3106和3108；以及在与纵轴L2横切的方向上延伸的一对相对的并且空间分离的垂直外端面3110和3112。
波导滤波器3100还包括细长的端部台阶或切口3137，台阶或切口3137限定在介电材料块3105中以及更具体地由位于相应单块3101和3103的相应端部谐振器3114和3122中的相应台阶3136和3138的组合限定，其描述关于台阶3137通过引用包含于此。台阶3137形成在块3105的邻接其横向端面3104的区域中并且在与块3105的纵轴L2垂直并相交的方向上延伸。台阶3105包括与波导滤波器3100的块3105的外表面3102分隔并大致平行的水平表面3140、以及在块3105的顶部表面3102和台阶3137的水平表面3140之间延伸的垂直壁3142。
波导滤波器3100还包括由相应RF信号输入/输出通孔3146部分限定的一对RF信号输入/输出端，其上述描述通过引用包含于此，其以大致与纵轴L2正交并分隔的关系和方向限定在并延伸穿过块3105的主体和介电材料。如图7所示，通孔3146中的一个定位并限定在台阶3137中以及更具体地单块3101上的台阶3136中，其在位于纵轴L2之上并与纵轴L2和端面3104分隔的区域中，而通孔3146中的另一个定位并限定在台阶3137中，以及更具体地单块3103上的台阶3138中，其在位于纵轴L2之下、与端面3104分隔并且与通孔3146中的一个共线的区域中。
波导滤波器3100还包括一对RF信号输入/输出垫3800和3801，其上述描述通过引用包含于此，其以相互空间分离并平行以及与纵轴L2空间分离并平行的关系限定在块3105的下表面3104以及台阶3137上的相应谐振器3114和3122上，并分别耦合至RF信号输入/输出通孔3146。
波导滤波器3100还包括并限定一对空间分离并大致平行的细长狭槽3124，如以上详细描述，其以大致与块3105的侧表面3106和纵轴L2正交的关系从块3105的侧表面3106延伸至块3105的主体和介电材料中；以及一对空间分离并平行的细长狭槽3126，其以大致与块3105的侧表面3108和纵轴L2正交的关系并且以与相应的狭槽3124相对和共线的关系从块3105的侧表面3108延伸至块3105的主体和介电材料中。狭槽3124和3126在波导滤波器3100的块3105的顶部和底部外表面3102和3104以及相应侧表面3106和3108之间延伸并穿过所述各个表面。
波导滤波器3100还包括并限定一对大致椭圆形的、位于中央的狭槽3129和3131，其延伸穿过块3105的主体和介电材料，并且在波导滤波器3100的块3105的顶部和底部外表面3102和3104中的相应的大致椭圆形的开口中终止。
狭槽3129以与共线狭槽对3124和3126中的一对共线并分隔的关系位于波导滤波器3100的块3105中，而狭槽3131以与狭槽3129分隔并大致平行并且与共线狭槽对3124和3126中的另一对共线并分隔的关系位于波导滤波器3100的块3105中。
此外，狭槽3129和3131以大致与波导滤波器3100的块3105的纵轴L2垂直并相交的关系位于波导滤波器3100的块3105中。
在所示实施例中，RF信号传输部件3500，如上所述并通过引用包含于此，以与狭槽3129和3131分隔并平行并且与纵轴L2垂直并相交的关系位于两个狭槽3124和3131之间。
在图7和8的实施例中，所有的外部表面3102、3104、3106、3108、3110、3112，狭槽3124、3126、3129和3131中每一个的内部表面，以及RF信号输入/输出通孔3146中每一个的内部表面都由导电材料层覆盖，除了围绕RF信号传输部件3500的导电材料的带3504的区域3502和围绕RF信号输入/输出垫3800和3801中每一个的导电材料的带3803的区域3804。
另外，在图7和8的实施例中，导电材料的中央内部垂直层或壁3109以与波导滤波器3100的块3105的纵轴L2共线和共面的关系延伸穿过波导滤波器3100的块的主体的全部长度和高度，除了在块3105的内部分别在谐振器3118和3120以及谐振器3114和3122的区域中或者它们之间限定的内部或里面的窗口3622和3722，如以上详细描述的，其是没有导电材料的介电材料的内部区域。
介电材料块3105、狭槽3124、3126、3129和3131、以及以上详细描述的覆盖上述块和狭槽的导电材料的组合限定并创建了两行RF信号谐振器3114、3116、3118、3120、3121和3122以及如图7和8所示的波导滤波器3100的介电材料的连接RF信号桥3128、3130、3132和3134，其中，谐振器3114和3122、谐振器3116和3121以及谐振器3118和3120分别并排设置并通过介电材料的中央内部层或壁3109相互电分隔，除了在相应内部或里面的窗口3622和3722的区域中以外，如以下更详细的描述。
波导滤波器3100以与以上关于波导滤波器1100和2100所述相同的方式限定并创建了相同的直接RF信号路径d和间接交叉耦合或交替的RF信号路径c，由此其先前描述关于波导滤波器3100通过引用包含于此。
具体地，根据本发明，并且以与上述波导滤波器1100相同的方式并通过引用包含于此，波导滤波器3100限定：用于RF信号的第一磁性或电感的大致U形直接耦合RF信号传输路径，大致在图7中用箭头d表示，其在实施例中连续经过位于块3105的台阶3137中以及更具体地单块3101的台阶3136中的RF信号输入/输出垫3800，其中RF信号垫3800限定RF信号输入垫；RF信号传输输入通孔3146，位于台阶3137中以及更具体地位于在单块3101的谐振器3114中限定的台阶3136中；块3105上的台阶3137以及更具体地，单块3101上的台阶3136；块3105中的谐振器3114，以及更具体地，单块3101的谐振器3114；块3105中的谐振器3116，以及更具体地，经由并通过RF信号桥3128的单块3101中的谐振器3116；以及块3105中的谐振器3118，以及更具体地，经由并通过RF信号桥3130的单块3101中的谐振器3118。
之后，RF信号经由RF信号传输部件3600发送至块3105的谐振器3120，以及更具体地单块3103的谐振器3120，RF信号传输部件3600由介电材料的内部RF信号传输窗口3622限定，内部RF信号传输窗口3622在块3105的内部中在谐振器3118和3120的区域中并在谐振器3118和3120之间由导电材料的内部层或壁3109限定，其如上所述并通过引用包含于此；经由并通过RF信号桥3132发送至块3105中的谐振器3121，以及更具体地单块3103中的谐振器3121；经由并通过RF信号桥3134发送至块3105中的谐振器3122，以及更具体地单块3102中的谐振器3122；另一RF信号传输输出通孔3146，位于台阶3137中以及更具体地，位于单块3103的端部谐振器3122中限定的台阶3138中；返回至台阶3137，以及更具体地单块3103的谐振器3121的端部处限定的台阶3138；以及输出通过位于台阶3137上以及更具体地位于单块3103的台阶3138中的RF信号输出垫3801。
根据本发明的实施例，波导滤波器3100还限定并提供用于RF信号的一对交替的或间接或交叉耦合的RF信号传输路径，大致在图3中用箭头c表示。
交叉耦合或间接的电场/电容RF信号传输路径c中之一由外部RF信号传输线路3500限定和创建，其在谐振器3116和3121之间延伸，如上所述并通过引用包含于此，其允许将直接RF信号的一小部分传输通过块3105的谐振器3116，以及更具体地，单块3101的谐振器3116，经由导电材料的外部带3504直接传输至块3105的谐振器3121，以及更具体地单块3103的谐振器3121，其中导电材料的外部带3504桥接并电互连块3105、以及更具体地相应单块3101和3103上的相应谐振器3116和3121、。
另一交叉耦合或间接磁性/电感RF信号传输路径c由内部或里面的RF信号传输部件3700限定和创建，如上所述并通过引用包含于此，其允许将直接RF信号的一小部分传输通过块3105的谐振器3114，以及更具体地，单块3101的谐振器3114，经由并通过在谐振器3114和3122的区域及其之间的区域中在块3105的内部中限定的内部或里面的RF信号传输窗口3722直接传输至块3105的谐振器3122，以及更具体地单块3103的谐振器3122。
根据本发明，并且以与以上关于波导滤波器1100所述相同的方式，可以理解，上述RF信号的交叉耦合有利地创建了相应的第一和第二对传输零点，第一对位于波导滤波器3100的通带以下，第二对位于波导滤波器3100的通带以上，如图12所示，图12也表示图7所示的波导滤波器3100的性能/频率响应。
此外，根据本发明并且以与波导滤波器1100相同的方式，内部RF信号传输窗口3622被设计/制造为创建电感直接RF信号耦合，其强于由在相应谐振器3116和3121之间延伸并互连相应谐振器3116和3121的外部RF传输线路3500创建和限定的间接或交叉电容耦合，而该间接或交叉电容耦合被设计/制造为创建比以下更强的间接交叉耦合：由在相应谐振器3114和3122之间并互连相应谐振器3114和3122的内部RF传输窗口3722创建并限定的间接交叉耦合。
仅有的不同之处在于，在波导滤波器3100中，RF信号经由RF信号输入/输出垫3800而不是经由外部连接器从客户的主板输入至块3105中，并且还经由块3805上的RF信号输入/输出垫3801输出至客户的主板中。
第五实施例
可以理解，波导滤波器100、1100、2100和3100中每一个在图1-8中示出为包括耦合并固定在一起的两个单独的单块。然而，可以理解，本发明包括单一整体块的实施例，如在图9和10所示的单一整体块波导滤波器实施例4100中所示，其在以下更详细描述，其具有与例如图3所示的两个块的波导滤波器实施例1100相同的性能以及操作特性和优点。
具体地，图9和10所示的波导滤波器4100由单一整体的大致平行六面体形的单块4105制造，其由诸如陶瓷的合适的介电材料组成；限定纵轴L1；相对的空间分离的纵向水平外表面4102和4104，其在与纵轴L1相同的方向上纵向延伸；相对的空间分离的纵向侧部垂直外表面4106和4108，在与纵轴L1相同的方向上纵向延伸；以及相对的空间分离的横向侧部垂直外端面4110和4112，在大致与单块4105的纵轴L1正交的方向上延伸。
单块4105包括多个谐振部（也称为腔或单元或谐振器）4114、4116和4118、以及4120、4121和4122，它们由被切割并定位在单块4101中或单块4101上的相应的狭缝和狭槽限定，如以下详细描述的，它们以以下关系配置：谐振器4114、4116和4118被配置在第一列中，谐振器4120、4121和4122被配置在第二列中，谐振器4114和4122在第一行中并排配置，谐振器4116和4121在第二行中并排配置，以及谐振器4118和4120在第三行中并排配置。
在所示实施例中，两个内部外围狭槽4124沿着单块4105的侧表面4106的长度以空间分离和平行的关系延伸。狭槽4124中的每一个切割穿过侧表面4106以及相对的水平表面4102和4104，并且以大致与单块4105的纵轴L1正交的关系部分穿过单块4105的主体和介电材料。
两个内部外围狭槽4126沿着单块4105的相对的侧表面4108的长度以空间分离和平行的关系、并且以与在侧表面4106中限定的相应狭槽4124相对和共线的关系延伸。狭槽4126中的每一个切割穿过侧表面4108以及相对的水平表面4102和4104，并且以大致与单块4105的纵轴L1正交的关系部分穿过单块4105的主体和介电材料。
单块4105还限定并包括四个另外的狭槽或狭槽4129、4131、4133和4135，如以下更详细描述的。
大致椭圆形的细长狭槽4129定位并形成在单块4101的中央并以与在单块4105的相应表面4106和4108中限定的第一对外围狭槽4124和4126分隔并共线对准的关系并且以大致与单块4105的纵轴L1垂直并相交的关系在第一对外围狭槽4124和4126之间延伸。
狭槽4131也是细长并且大致椭圆形的，以与狭槽4129分隔并大致平行的关系定位并限定在单块4101的中央，并且还以与在单块4105的相应表面4106和4108中限定的第二对外围狭槽4124和4126分隔并共线对准的关系并且以大致与单块4105的纵轴L1垂直并相交的关系在第二对外围狭槽4124和4126之间延伸。
狭槽4133定位并限定在单块4101的中央，并且以大致与单块4105的纵轴L1共线的关系在狭槽4129和4131之间延伸并互连狭槽4129和4131以在单块4101的中央限定大致“I”形的位于中央的狭槽4141。
另一狭槽4135从单块4101的端面4110延伸，切割穿过在单块4101中限定的台阶4136并且在单块4101的主体中在与狭槽4131分隔的点处终止。在所示实施例中，狭槽4135以大致与单块4105的狭槽4133和纵轴L1共线的关系并且以大致与狭槽4129和4131正交的关系定位。
由此，根据本实施例，相应狭槽4124、4126、4129、4131、4133和4135都相互对应地位于并定位在单块4105中以创建并限定多个谐振器4144、4116、4118、4120、4121和4122以及在多个谐振器4144、4116、4118、4120、4121和4122之间延伸并互连该多个谐振器的介电材料的多个RF信号桥4128、4130、4132和4134。
在所示实施例中，桥4128限定在单块4105的表面4106中的狭槽4124与狭槽4131之间并且在它们之间延伸，并且将谐振器4114的介电材料桥接并互连至谐振器4116的介电材料。桥4130限定在单块4105的表面4106中的第二狭槽4124与狭槽4129之间并且延伸，并且将谐振器4116的介电材料桥接并互连至谐振器4118的介电材料。桥4132限定在单块4105的表面4108中的狭槽4126与狭槽4129之间并且延伸，并且将谐振器4120的介电材料桥接并互连至谐振器4121的介电材料。桥4134限定在单块4105的表面4108中的另一狭槽4126与狭槽4131之间并且延伸，并且将谐振器4121的介电材料桥接至谐振器4122的介电材料。
由此，在如图9和10所示的关系中，相应谐振器4114和4122并排设置并且通过内部狭槽4135相互分隔，除了位于狭槽4135和4131之间的另一介电材料的RF信号桥4141；相应谐振器3116和3121并排设置并且通过内部狭槽4133相互分隔；以及相应谐振器3118和3120以邻接的并排关系设置。
在所示实施例中，RF信号桥4128、4130、4132、4134和4141中每一个的宽度取决于相应狭槽4124、4126、4129和4131之间的距离。
尽管在图中未示出，但可以理解，相应狭缝和狭槽的厚度或宽度以及上述狭缝和狭槽延伸至单块4105的主体中的深度或距离可以根据特定应用而改变以允许相应RF信号桥的宽度和长度因此而改变，从而控制波导滤波器4100的电耦合和带宽，因此控制波导滤波器4100的性能特征。
单块4105还包括并限定端部台阶或切口4136，在所示出的实施例中，端部台阶或切口4136包括单块101的纵向表面104的通常L形凹进的或刻槽的或阶梯的或切口的区域或部分、相对的侧表面106和108、以及相对的侧端面110和112，以及更具体地端部谐振器4114和4122，其中介电陶瓷材料被移除或不存在。
换句话说，台阶4136在单块4105和谐振器4114和4122的端部部分或区域中或者由其限定，台阶4136的高度小于单块4105的剩余部分的高度。
再换句话说，台阶4136包括在单块4105上限定的相应端部谐振器4114和4122的大致L形的凹口或切口部分，其包括大致水平的第一表面4140和大致垂直的第二表面或壁4142，第一表面4140位于或向内指向、分隔并平行于单块4105的表面4104并以大致与单块4105的纵轴L1垂直并相交的关系在单块4105的相对的侧部外表面4106和4108之间延伸，第二表面或壁4142位于或向内指向、分隔并平行于单块4105的相应侧部端面4110，并以大致与单块4105的纵轴L1垂直并相交的关系在单块4105的相对的侧部外表面4106和4108之间延伸。
在所示实施例中，狭槽4135延伸穿过台阶4137并将台阶4137分离成分别位于单块4105的纵轴L1之上和之下的相应上部和下部的单独台阶部分。
单块4105还包括以各自的通孔4146的形式的一对电RF信号输入/输出电极（图10），通孔4146延伸穿过单块4105的主体，以及更具体地穿过台阶4136，以及更具体地以大致与台阶4136的表面4140以及单块4101的表面4102正交的关系在表面4140和表面4102之间穿过在单块4105中限定的相应端部谐振器4114和4122的主体。
更具体地，相应RF信号输入/输出通孔4146与单块4105的横向侧端面4110分隔并大致平行，并且分别限定各自的大致圆形的开口，该开口位于并终止于台阶表面4140和单块表面4104。
RF信号输入/输出通孔4146以大致与侧端面4110和台阶壁或表面4142分隔并平行的关系在侧端面4110和台阶壁或表面4142之间位于并延伸穿过单块4105以及台阶4137的内部和介电材料。通孔4146中的一个位于台阶4137的位于纵轴L1和其中限定的狭槽4135之上的部分中，而通孔4146中的另一个位于台阶4137的位于纵轴L1和其中限定的狭槽4135之下的部分中。
单块4105还限定一对另外的空间分离的通孔4137和4139，其定位并限定在单块4105的位于单块4101的狭槽4129和单块4101的端面4112之间的区域中并且延伸穿过单块4105的主体和介电材料，并且大致与单块4105的狭槽4133和纵轴L1共线，并与块表面4102和4104正交。通孔4137和4139在单块4105的顶部和底部外部表面4102和4104中限定相应开口并且定位在谐振器4118和4120之间。
单块4105的所有外部表面4102、4104、4106、4108、4110和4112、狭槽4124、4126、4129、4131、4133和4135的内部表面、以及RF信号输入/输出通孔4146的内部表面都由诸如银的合适的导电材料覆盖，除了以下更详细论述的区域。
单块4105还包括相应的SMA RF信号输入/输出共轴连接器4400和4401，各自包括大致矩形的连接器基板或凸缘4404、大致从凸缘4404的上表面正交地向上和向外延伸的大致圆柱形的连接器外壳或壳体4406、以及延伸穿过壳体4406的内部和凸缘4404的主体的细长的中央连接器销4403。
相应的连接器4400和4401以大致与单块4105的侧表面4106和4108以及纵轴L1正交的关系和方向坐落于单块4105的台阶4136上，其中相应连接器4400和4401的凸缘4404坐落于台阶4136的表面4140上，壳体4406共轴地与在台阶4136中限定的相应通孔4146对准。
连接器凸缘4404被直接焊接至单块4105的台阶4136的表面4140，并且连接器销4403被回流焊接至相应通孔146。
在所示实施例中，连接器4400坐落于于台阶4137的位于纵轴L1和其中限定的狭槽4135之上的部分中，而连接器4401坐落于台阶4137的位于纵轴L1和其中限定的狭槽4135之下的部分中。
波导滤波器4100还包括外部的交叉耦合/间接耦合、旁路或交替的RF信号传输电极或桥构件或线路或部件4500，其具有特定阻抗和相位并且在单块4105的相应谐振器4116和4121之间延伸并且互连并电耦合相应谐振器4116和4121。
外部交叉耦合传输线路4500包括大致矩形的印制电路板4502并由其限定，其位于单块4105的顶部表面4102上的狭槽4133并桥接狭槽4133。外部交叉耦合传输电极4500还包括在印制电路板4502的顶部表面上限定并形成的导电材料的细长带4504，其桥接单块4105上的相应谐振器4116和4121并在其上延伸。
此外，尽管图9中未示出，但可以理解，印制电路板4502还包括并限定延伸穿过印制电路板4502的主体的相应内部通孔，其适于接收相应导电柱4510和4512，导电柱4510和4512从相应谐振器4116和4121的顶部表面4102向外延伸至与带4504的相对端部面接触，以用于电耦合谐振器4116和4121。
在所示实施例中，外部传输线路4500位于狭槽4129和4131之间并与狭槽4129和4131分隔，并且与纵轴L1相交。
波导滤波器4100还包括由通孔4138和4139限定的内部或里面的直接电感耦合RF信号传输部件4600，其在相应谐振器4118和4120之间定位并延伸，并且互连并耦合相应谐振器4118和4120，并限定用于将来自谐振器4118的RF信号传输至谐振器4120的内部或里面的路径。
根据本发明，波导滤波器4100提供与波导滤波器1100相同的性能以及操作优点和特性，限定：用于RF信号的第一磁性或电感的大致U形的直接耦合RF信号传输路径，大致在图9中用箭头d表示，其在实施例中连续经过连接器4400，其中连接器4400限定RF信号输入连接器；台阶4137中位于纵轴L1和狭槽4135之上的部分中的RF信号输入/输出通孔4146；谐振器4114；经由并通过介电材料的桥4128的谐振器4116；经由并通过介电材料的桥4130的谐振器4118；经由内部RF信号传输部件4600的谐振器4120，内部RF信号传输部件4600由相应内部通孔4138和4139在谐振器4118和4120之间的块4105的内部限定；经由并通过介电材料的桥4132的谐振器4121；经由并通过介电材料的桥4134的谐振器4122；台阶4137的位于纵轴L1和狭槽4135之下的部分；位于台阶4137的位于纵轴L1之下的部分中的RF信号输入/输出通孔4146；以及输出通过RF信号输出连接器4401。
根据本实施例，波导滤波器4100还限定用于RF信号的第一交替的或间接或交叉耦合的外部RF信号传输路径，大致在图9中用箭头c表示，其由外部RF信号传输线路4500限定和创建，其允许将直接RF信号的一小部分外部传输通过谐振器4116，经由导电材料的外部带4504直接传输至谐振器4121，其中导电材料的外部带4504桥接狭槽4133并电互连相应谐振器4116和4121。
根据本实施例，狭槽4135防止RF信号直接从谐振器4114至谐振器4122的任何交叉耦合或传输，除了经由并通过RF信号桥4141和在图9中大致用第二箭头c表示的传输路径从谐振器4114传输至谐振器4122的一小部分，该传输路径限定了用于RF信号的第二交替的或间接或交叉耦合的RF信号传输路径，与图3和4所示的由波导滤波器1100的内部窗口1722创建的第二交替的或间接或交叉耦合路径类似。
狭槽4133防止RF信号直接从谐振器4116至谐振器4121的任何交叉耦合或传输，当然除了通过如上所述的外部交叉耦合电极4500。
根据本发明，单块4101中RF信号的交叉耦合，如以上详细描述的，有利地创建了相同的第一和第二对传输零点，如以上关于波导滤波器1100所述并由此通过引用包含于此并在图12中示出，图12还示出图9所示的波导滤波器4100的性能/频率响应。
尽管具体参考所示出实施例教导了本发明，但可以理解，本领域普通技术人员将意识到可以在不背离本发明的精神和范围的情况下作出形式和细节上的改变。所述实施例在所有方面仅被认为是示例性和非限制性的。

Claims (14)

1.一种波导滤波器，包括：
介电材料块；
多个谐振器，在所述介电材料块中由在所述介电材料块中限定的多个狭槽来限定并分别由其分开，所述多个谐振器以一个或多个行和列配置在所述介电材料块上；
所述介电材料块中的导电材料的内部层；
第一和第二RF信号输入/输出电极，限定在所述介电材料块上；以及
所述多个谐振器以及所述第一和第二RF信号输入/输出电极共同限定第一直接RF信号传输路径，用于经由所述波导滤波器传输RF信号，所述第一直接RF信号传输路径由内部窗口部分限定，用于将所述RF信号从一列谐振器中多个谐振器中的第一谐振器直接传输至另一列谐振器中多个谐振器中的第一谐振器；以及
所述介电材料块包括耦合在一起的第一和第二介电材料块；并且所述波导滤波器还包括覆盖所述第一和第二介电材料块的导电材料层，其中所述内部窗口是所述导电材料的内部层中没有导电材料的区域。
2.根据权利要求1所述的波导滤波器，其中所述第一和第二RF信号输入/输出电极限定在所述介电材料块的相同端部处，以及所述第一直接RF信号传输路径大致是U形的。
3.根据权利要求1所述的波导滤波器，还包括限定第一间接路径的第一间接RF信号传输部件，用于将所述RF信号从一列谐振器中多个谐振器中的第二谐振器传输至另一列谐振器中的多个谐振器中的第二谐振器。
4.根据权利要求3所述的波导滤波器，其中所述第一间接RF信号传输部件是外部RF信号传输电极，其限定在所述介电材料块的外部表面上并在一列谐振器中多个谐振器中的第二谐振器和另一列谐振器中的多个谐振器中的第二谐振器之间延伸。
5.根据权利要求3所述的波导滤波器，还包括限定第二间接路径的第二间接RF信号传输部件，用于将所述RF信号从一列谐振器中多个谐振器中的第三谐振器传输至另一列谐振器中的多个谐振器中的第三谐振器。
6.根据权利要求5所述的波导滤波器，其中所述第二间接RF信号传输部件由内部窗口限定，用于在一列谐振器中多个谐振器中的第三谐振器和另一列谐振器中的多个谐振器中的第三谐振器之间传输所述RF信号。
7.根据权利要求6所述的波导滤波器，其中所述内部窗口是所述介电材料块的内部中没有导电材料的区域。
8.一种波导滤波器，包括：
第一介电材料块，包括分隔第一多个谐振器的第一多个狭槽；
第一RF信号输入/输出电极，限定在所述第一介电材料块上；
第二介电材料块，耦合至所述第一介电材料块，并包括限定第二多个谐振器的第二多个狭槽；
第二RF信号输入/输出电极，限定在所述第二介电材料块上；
导电材料层，覆盖所述第一和第二介电材料块；以及
第一直接RF信号传输路径，由所述第一和第二RF信号输入/输出电极以及所述第一和第二介电材料块中的多个谐振器的组合来限定，所述第一直接RF信号传输路径由限定在所述第一和第二介电材料块上的相应的第一和第二RF信号传输窗口来部分限定，其从所述第一介电材料块中多个谐振器中的第一谐振器延伸至所述第二介电材料块中多个谐振器中的第一谐振器；以及
利用所述第二介电材料块耦合至所述第一介电材料块，覆盖所述第一和第二介电材料块的导电材料层限定导电材料的内部层，将所述第一多个谐振器与所述第二多个谐振器分开，所述第一RF信号传输窗口由覆盖所述第一介电材料块的外侧表面的导电材料层中没有导电材料的第一区域限定，所述第二RF信号传输窗口由覆盖所述第二介电材料块的外侧表面的导电材料层中没有导电材料的第二区域限定，通过所述第二介电材料块耦合至所述第一介电材料块，所述第一和第二RF信号传输窗口一起限定所述导电材料的内部层中的内部RF信号传输窗口。
9.根据权利要求8所述的波导滤波器，还包括限定第一间接耦合路径的第一间接RF信号传输部件，用于将所述RF信号从所述第一介电材料块中多个谐振器中的第二谐振器传输至所述第二介电材料块中多个谐振器中的第二谐振器。
10.根据权利要求9所述的波导滤波器，其中所述第一间接RF信号传输部件包括外部RF信号传输电极，其限定在所述介电材料块的外部表面上并在所述第一介电材料块中多个谐振器中的第二谐振器和所述第二介电材料块中多个谐振器中的第二谐振器之间延伸。
11.根据权利要求9所述的波导滤波器，还包括限定第二间接耦合路径的第二间接RF信号传输部件，用于将所述RF信号从所述第一介电材料块中多个谐振器中的第三谐振器传输至所述第二介电材料块中多个谐振器中的第三谐振器。
12.根据权利要求11所述的波导滤波器，其中所述第二间接RF信号传输部件包括限定在所述第一和第二介电材料块上的第三和第四窗口。
13.一种介质波导滤波器，包括：
介电材料块，包括配置在第一列中的第一多个谐振器和配置在第二列中的邻近所述第一多个谐振器的第二多个谐振器；
第一和第二RF信号输入/输出电极，限定在所述介电材料块上；
导电材料的内部层，分隔所述第一和第二多个谐振器；
第一直接耦合RF信号传输窗口，限定在所述介电材料块的内部中第一多个谐振器中的第一谐振器和第二多个谐振器中的第一谐振器之间，用于将RF信号直接从所述第一多个谐振器传输至所述第二多个谐振器；
第一间接交叉耦合RF信号传输部件，由在所述第一多个谐振器中的第二谐振器和所述第二多个谐振器中的第二谐振器之间延伸的外部传输线路限定，用于在所述第一多个谐振器中的第二谐振器和所述第二多个谐振器中的第二谐振器之间传输所述RF信号；以及
第二间接交叉耦合RF信号传输部件，由所述介电材料块的内部中位于所述第一多个谐振器中的第三谐振器和所述第二多个谐振器中的第三谐振器之间的内部窗口限定，用于在所述第一多个谐振器中的第三谐振器和所述第二多个谐振器中的第三谐振器之间传输所述RF信号。
14.根据权利要求13所述的介质波导滤波器，其中所述第一和第二多个谐振器分别被配置在被导电材料层覆盖的第一和第二介电材料块中，所述第一和第二介电材料块耦合在一起形成所述介电材料块。
CN201280045356.6A 2011-07-18 2012-05-22 具有直接耦合和交替的交叉耦合的介质波导滤波器 Active CN103797639B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161508987P 2011-07-18 2011-07-18
US61/508987 2011-07-18
US13/373862 2011-12-03
US13/373,862 US9030279B2 (en) 2011-05-09 2011-12-03 Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling
PCT/US2012/000249 WO2013012438A1 (en) 2011-07-18 2012-05-22 Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103797639A CN103797639A (zh) 2014-05-14
CN103797639B true CN103797639B (zh) 2017-02-15

Family

ID=46420499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280045356.6A Active CN103797639B (zh) 2011-07-18 2012-05-22 具有直接耦合和交替的交叉耦合的介质波导滤波器

Country Status (8)

Country Link
US (2) US9030279B2 (zh)
JP (1) JP6078064B2 (zh)
KR (2) KR102033913B1 (zh)
CN (1) CN103797639B (zh)
DE (1) DE112012003019T5 (zh)
GB (1) GB2507673B (zh)
IN (1) IN2014DN00230A (zh)
WO (1) WO2013012438A1 (zh)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8823470B2 (en) 2010-05-17 2014-09-02 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with structure and method for adjusting bandwidth
US9130256B2 (en) 2011-05-09 2015-09-08 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling
US9130255B2 (en) 2011-05-09 2015-09-08 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling
US9030279B2 (en) 2011-05-09 2015-05-12 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling
US9030278B2 (en) 2011-05-09 2015-05-12 Cts Corporation Tuned dielectric waveguide filter and method of tuning the same
US10116028B2 (en) 2011-12-03 2018-10-30 Cts Corporation RF dielectric waveguide duplexer filter module
US9666921B2 (en) 2011-12-03 2017-05-30 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with cross-coupling RF signal transmission structure
US10050321B2 (en) 2011-12-03 2018-08-14 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling
US9583805B2 (en) 2011-12-03 2017-02-28 Cts Corporation RF filter assembly with mounting pins
US9130258B2 (en) * 2013-09-23 2015-09-08 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling
KR102244162B1 (ko) * 2012-11-28 2021-04-26 시티에스 코포레이션 직접 결합 및 대안적인 상호 결합을 갖는 유전체 도파관 필터
CN105359335B (zh) * 2013-06-03 2017-04-05 Cts公司 具有直接耦合和交替的交叉耦合的介质波导滤波器
GB201320995D0 (en) * 2013-11-28 2014-01-15 Radio Design Ltd Ceramic waveguide filter apparatus and method of manufacture and use thereof
US9614264B2 (en) 2013-12-19 2017-04-04 Mesaplexxpty Ltd Filter
WO2015157510A1 (en) * 2014-04-10 2015-10-15 Cts Corporation Rf duplexer filter module with waveguide filter assembly
GB201412682D0 (en) * 2014-07-17 2014-09-03 Radio Design Ltd Ceramic filter apparatus and method of use thereof
CN104218278A (zh) * 2014-09-16 2014-12-17 张家港保税区灿勤科技有限公司 一种带凹槽的陶瓷电介质波导滤波器
CN105792501B (zh) * 2014-12-23 2018-10-30 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 电路板及其制作方法
US10483608B2 (en) 2015-04-09 2019-11-19 Cts Corporation RF dielectric waveguide duplexer filter module
US11081769B2 (en) 2015-04-09 2021-08-03 Cts Corporation RF dielectric waveguide duplexer filter module
WO2017004417A1 (en) 2015-07-01 2017-01-05 Cts Corporation Rf dielectric waveguide duplexer filter module
CN105244571B (zh) 2015-09-17 2018-03-09 深圳三星通信技术研究有限公司 一种介质波导滤波器
CN105356016A (zh) * 2015-11-18 2016-02-24 苏州艾福电子通讯股份有限公司 一种波导滤波器
WO2017203918A1 (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 株式会社村田製作所 誘電体導波管フィルタ、高周波フロントエンド回路およびＭａｓｓｉｖｅ ＭＩＭＯシステム
WO2018029956A1 (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 株式会社村田製作所 誘電体導波管フィルタ、高周波フロントエンド回路、Ｍａｓｓｉｖｅ ＭＩＭＯシステム、及び誘電体導波管フィルタの製造方法
CN113991267B (zh) 2017-02-16 2022-12-06 华为技术有限公司 介质滤波器、收发设备及基站
WO2018190222A1 (ja) * 2017-04-10 2018-10-18 株式会社村田製作所 誘電体フィルタの製造方法、誘電体フィルタ、高周波フロントエンド回路およびＭａｓｓｉｖｅ ＭＩＭＯシステム
CN107994310A (zh) * 2017-11-29 2018-05-04 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司 一种介质波导滤波器负零点耦合结构
CN108649302A (zh) * 2018-04-26 2018-10-12 西南交通大学 一种应用于4g基站通信的六腔陶瓷滤波器
WO2020008748A1 (ja) 2018-07-02 2020-01-09 株式会社村田製作所 誘電体導波管フィルタ
US10985435B2 (en) 2018-07-20 2021-04-20 The Boeing Company Tunable probe for high-performance cross-coupled RF filters
CN109103553B (zh) * 2018-08-27 2019-11-29 重庆思睿创瓷电科技有限公司 一种介质块的制造方法及其应用
CN109066022B (zh) * 2018-08-27 2019-09-20 重庆思睿创瓷电科技有限公司 一种介质块及介质波导滤波器
CN109560355B (zh) * 2018-12-28 2024-05-14 重庆思睿创瓷电科技有限公司 用于5g通信的介质体、介质波导滤波器、射频模块及基站
CN111384523A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 深圳市大富科技股份有限公司 介质滤波器、通信设备、制备介质块及介质滤波器的方法
KR20200091301A (ko) * 2019-01-22 2020-07-30 삼성전자주식회사 캐비티 필터 및 상기 캐비티 필터를 포함하는 안테나 모듈
CN110459840B (zh) * 2019-06-06 2022-02-11 深圳市大富科技股份有限公司 通信设备、介质滤波器、介质块
JP7207193B2 (ja) * 2019-06-21 2023-01-18 Ａｇｃ株式会社 導波管フィルタ
KR102085921B1 (ko) * 2019-06-21 2020-03-06 모아컴코리아주식회사 복수개의 유전체 블럭을 포함하는 세라믹 도파관 필터
KR102055689B1 (ko) * 2019-06-21 2019-12-13 모아컴코리아주식회사 인쇄회로기판에 의하여 튜닝되는 세라믹 도파관 필터
US11437691B2 (en) 2019-06-26 2022-09-06 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with trap resonator
CN110277613B (zh) * 2019-06-28 2021-12-17 武汉凡谷电子技术股份有限公司 一种叠层一体化介质滤波器
JP6905608B2 (ja) * 2019-07-12 2021-07-21 株式会社フジクラ ポスト壁導波路及びフィルタモジュール
KR20210027060A (ko) * 2019-08-30 2021-03-10 주식회사 케이엠더블유 도파관 필터
RU197717U1 (ru) * 2020-01-29 2020-05-25 Акционерное общество «Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем» (АО «Российские космические системы») СВЧ-фильтр
KR102280048B1 (ko) * 2020-02-17 2021-07-21 (주)파트론 무선신호 송수신 모듈
WO2022092792A1 (ko) * 2020-10-29 2022-05-05 주식회사 케이엠더블유 안테나용 세라믹 도파관 필터
EP4254651A4 (en) * 2020-12-15 2024-02-14 Huawei Tech Co Ltd DIELECTRIC FILTER, TRANSCEIVER AND BASE STATION
US11532862B1 (en) 2021-06-29 2022-12-20 Meta Platforms, Inc. Housing structure for maintaining alignment between ceramic sections of a waveguide filter
CN113540725B (zh) * 2021-09-16 2021-12-17 成都雷电微力科技股份有限公司 一种具有滤波特性的波导耦合器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4431977A (en) * 1982-02-16 1984-02-14 Motorola, Inc. Ceramic bandpass filter
US4996506A (en) * 1988-09-28 1991-02-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Band elimination filter and dielectric resonator therefor
JPH10308606A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Murata Mfg Co Ltd 誘電体フィルタ
CN1398014A (zh) * 2001-07-17 2003-02-19 东光株式会社 电介质波导管滤波器及其安装结构
EP1439599A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-21 Toko, Inc. Waveguide-Type dielectric filter

Family Cites Families (115)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3882434A (en) 1973-08-01 1975-05-06 Microwave Dev Lab Phase equalized filter
SE7604853L (sv) 1975-05-01 1976-11-02 Televerkets Centralfoervalt Bandpassfilter
US4396896A (en) 1977-12-30 1983-08-02 Communications Satellite Corporation Multiple coupled cavity waveguide bandpass filters
JPS5671704A (en) 1979-11-19 1981-06-15 Babcock Hitachi Kk Method of starting fluidized boiler
NL8302439A (nl) 1983-07-08 1985-02-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een golfgeleiderfilter, alsmede een golfgeleiderfilter vervaardigd volgens die werkwijze.
JPS6152003A (ja) 1984-08-21 1986-03-14 Murata Mfg Co Ltd 誘電体フイルタ
US4742562A (en) 1984-09-27 1988-05-03 Motorola, Inc. Single-block dual-passband ceramic filter useable with a transceiver
JPS6238601U (zh) 1985-08-27 1987-03-07
US4609892A (en) 1985-09-30 1986-09-02 Motorola, Inc. Stripline filter apparatus and method of making the same
US4692726A (en) 1986-07-25 1987-09-08 Motorola, Inc. Multiple resonator dielectric filter
US4800348A (en) 1987-08-03 1989-01-24 Motorola, Inc. Adjustable electronic filter and method of tuning same
JPH01175301A (ja) 1987-12-28 1989-07-11 Tdk Corp 誘電体フィルタ
JPH0290801A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Murata Mfg Co Ltd 誘電体フィルタ
US4940955A (en) 1989-01-03 1990-07-10 Motorola, Inc. Temperature compensated stripline structure
US4837535A (en) 1989-01-05 1989-06-06 Uniden Corporation Resonant wave filter
US4963844A (en) 1989-01-05 1990-10-16 Uniden Corporation Dielectric waveguide-type filter
US5023944A (en) 1989-09-05 1991-06-11 General Dynamics Corp./Electronics Division Optical resonator structures
JPH03212003A (ja) * 1990-01-17 1991-09-17 Fujitsu Ltd 導波管型誘電体フィルタ
CA2037262A1 (en) 1990-03-02 1991-09-03 Hiroyuki Sogo Dielectric resonator and a filter using same
US5004992A (en) 1990-05-25 1991-04-02 Motorola, Inc. Multi-resonator ceramic filter and method for tuning and adjusting the resonators thereof
JPH06177607A (ja) * 1991-03-20 1994-06-24 Fujitsu Ltd 誘電体フィルタ
US5130682A (en) 1991-04-15 1992-07-14 Motorola, Inc. Dielectric filter and mounting bracket assembly
US5288351A (en) 1991-12-02 1994-02-22 Motorola, Inc. Silver paste sintering method for bonding ceramic surfaces
US5243309A (en) 1992-06-04 1993-09-07 Ghz Technologies Inc. Temperature stable folded waveguide filter of reduced length
JPH06132706A (ja) 1992-09-07 1994-05-13 Murata Mfg Co Ltd 誘電体共振部品
JP3083416B2 (ja) 1992-11-06 2000-09-04 進工業株式会社 ディレイライン素子およびその製造方法
US5537082A (en) 1993-02-25 1996-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Dielectric resonator apparatus including means for adjusting the degree of coupling
US5285570A (en) 1993-04-28 1994-02-15 Stratedge Corporation Process for fabricating microwave and millimeter wave stripline filters
JPH0730305A (ja) * 1993-07-06 1995-01-31 Murata Mfg Co Ltd 誘電体フィルターおよび誘電体フィルターを用いたトランシーバー
EP0917232B1 (en) 1993-08-24 2003-11-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laminated dielectric filter
JP3239552B2 (ja) 1993-09-16 2001-12-17 株式会社村田製作所 誘電体共振器装置
JPH0725602U (ja) 1993-09-28 1995-05-12 日本特殊陶業株式会社 誘電体フィルタの実装構造
US5422610A (en) 1993-09-29 1995-06-06 Motorola, Inc. Multi-filter device and method of making same
US5382931A (en) 1993-12-22 1995-01-17 Westinghouse Electric Corporation Waveguide filters having a layered dielectric structure
US5416454A (en) 1994-03-31 1995-05-16 Motorola, Inc. Stripline filter with a high side transmission zero
JP3448341B2 (ja) 1994-04-11 2003-09-22 日本特殊陶業株式会社 誘電体フィルタ装置
US5528204A (en) 1994-04-29 1996-06-18 Motorola, Inc. Method of tuning a ceramic duplex filter using an averaging step
US5602518A (en) 1995-03-24 1997-02-11 Motorola, Inc. Ceramic filter with channeled features to control magnetic coupling
JPH09107206A (ja) 1995-08-04 1997-04-22 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体フィルタ及びその結合容量調整方法
JPH09219605A (ja) 1996-02-09 1997-08-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体フィルタ及びその共振周波数調整方法
US5731751A (en) 1996-02-28 1998-03-24 Motorola Inc. Ceramic waveguide filter with stacked resonators having capacitive metallized receptacles
JP3014638B2 (ja) 1996-03-15 2000-02-28 ティーディーケイ株式会社 誘電体フィルタ
JP3389819B2 (ja) 1996-06-10 2003-03-24 株式会社村田製作所 誘電体導波管型共振器
US5926079A (en) 1996-12-05 1999-07-20 Motorola Inc. Ceramic waveguide filter with extracted pole
JPH10173407A (ja) * 1996-12-16 1998-06-26 Mitsubishi Electric Corp 導波管形分波器、および導波管形分波器の製造方法
JP3610751B2 (ja) * 1997-01-24 2005-01-19 株式会社村田製作所 誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ
JP3379415B2 (ja) 1997-02-14 2003-02-24 株式会社村田製作所 誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサ
US5850168A (en) 1997-04-18 1998-12-15 Motorola Inc. Ceramic transverse-electromagnetic-mode filter having a waveguide cavity mode frequency shifting void and method of tuning same
US5821836A (en) 1997-05-23 1998-10-13 The Regents Of The University Of Michigan Miniaturized filter assembly
AU2868899A (en) 1998-02-17 1999-08-30 Itron Inc. Laser tunable thick film microwave resonator for printed circuit boards
US6154106A (en) 1998-08-27 2000-11-28 Merrimac Industries, Inc. Multilayer dielectric evanescent mode waveguide filter
US6137383A (en) 1998-08-27 2000-10-24 Merrimac Industries, Inc. Multilayer dielectric evanescent mode waveguide filter utilizing via holes
KR20010089305A (ko) 1998-10-16 2001-09-29 추후기재 동조 가능 유전 구조물, 동축 케이블, 공동 안테나 용도의동조 가능 공동, 마이크로스트립 라인, 공면 라인 및 도파관
JP3534008B2 (ja) 1998-10-29 2004-06-07 株式会社村田製作所 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信機装置
JP3389868B2 (ja) 1998-11-09 2003-03-24 株式会社村田製作所 誘電体フィルタの自動特性調整方法、自動特性調整装置およびそれを用いた誘電体フィルタの製造方法
JP2000165104A (ja) 1998-11-25 2000-06-16 Murata Mfg Co Ltd 誘電体フィルタ、デュプレクサ及び通信機装置
US6556106B1 (en) 1999-01-29 2003-04-29 Toko, Inc. Dielectric filter
JP2000286606A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Toko Inc 誘電体フィルタ
US6329890B1 (en) 1999-02-25 2001-12-11 Thin Film Technology Corp. Modular thin film distributed filter
US6504446B1 (en) 1999-03-10 2003-01-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for adjusting characteristics of dielectric filter, method for adjusting characteristics of dielectric duplexer, and devices for practicing the methods
US6462629B1 (en) 1999-06-15 2002-10-08 Cts Corporation Ablative RF ceramic block filters
FI113581B (fi) 1999-07-09 2004-05-14 Nokia Corp Menetelmä aaltojohdon toteuttamiseksi monikerroskeramiikkarakenteissa ja aaltojohto
JP3610863B2 (ja) 2000-02-10 2005-01-19 株式会社村田製作所 誘電体線路の製造方法および誘電体線路
SE0001674D0 (sv) 2000-05-05 2000-05-05 Stig Petersson Förfarande för tillverkning av invid varandra anordnade vågledarkanaler
FR2809870B1 (fr) 2000-06-05 2002-08-09 Agence Spatiale Europeenne Filtre hyperfrequences bi-mode
US6594425B2 (en) 2000-08-29 2003-07-15 The Charles Stark Draper Laboratory Microcavity-based optical channel router
US6535083B1 (en) 2000-09-05 2003-03-18 Northrop Grumman Corporation Embedded ridge waveguide filters
US6927653B2 (en) 2000-11-29 2005-08-09 Kyocera Corporation Dielectric waveguide type filter and branching filter
KR100399041B1 (ko) 2001-07-03 2003-09-19 엔알디 주식회사 비방사 유전체 도파관을 이용한 금속 윈도우 필터 조립체
US6888973B2 (en) 2001-11-14 2005-05-03 Massachusetts Institute Of Technology Tunable optical add/drop multiplexer with multi-function optical amplifiers
US7068127B2 (en) 2001-11-14 2006-06-27 Radio Frequency Systems Tunable triple-mode mono-block filter assembly
US6559740B1 (en) 2001-12-18 2003-05-06 Delta Microwave, Inc. Tunable, cross-coupled, bandpass filter
US6757963B2 (en) 2002-01-23 2004-07-06 Mcgraw-Edison Company Method of joining components using a silver-based composition
JP3733913B2 (ja) 2002-02-04 2006-01-11 日本電気株式会社 フィルタ
US20040129958A1 (en) 2002-03-08 2004-07-08 Koh Philip J. Compact microwave/millimeter wave filter and method of manufacturing and designing thereof
JP2003298313A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体フィルタ又は誘電体デュプレクサ等の誘電体電子部品、及び該誘電体電子部品の結合量調整方法
US6801106B2 (en) 2002-03-29 2004-10-05 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Dielectric electronic component and method of adjusting input/output coupling thereof
JP3780416B2 (ja) 2002-06-18 2006-05-31 株式会社村田製作所 誘電体フィルタの実装構造、誘電体フィルタ装置、誘電体デュプレクサの実装構造および通信装置
US6900708B2 (en) 2002-06-26 2005-05-31 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
ATE320087T1 (de) 2002-07-29 2006-03-15 Cit Alcatel Mikrowellen-bandpassfilter mit kanonischer allgemeiner filterkurve
US7449979B2 (en) 2002-11-07 2008-11-11 Sophia Wireless, Inc. Coupled resonator filters formed by micromachining
JP2004187224A (ja) 2002-12-06 2004-07-02 Toko Inc 誘電体導波管共振器の入出力結合構造
JP3839410B2 (ja) 2003-02-12 2006-11-01 Ｔｄｋ株式会社 フィルタおよび共振器の配置方法
US6791403B1 (en) 2003-03-19 2004-09-14 Raytheon Company Miniature RF stripline linear phase filters
US6900150B2 (en) 2003-04-29 2005-05-31 Cts Corporation Ceramic composition and method
US6953698B2 (en) 2003-06-19 2005-10-11 Agilent Technologies, Inc. Methods for making microwave circuits
US7161555B2 (en) 2003-09-11 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric antenna and radio device using the same
KR100626647B1 (ko) 2003-11-06 2006-09-21 한국전자통신연구원 비아를 이용한 도파관 필터
JP4133747B2 (ja) 2003-11-07 2008-08-13 東光株式会社 誘電体導波管の入出力結合構造
CN1322629C (zh) 2003-11-13 2007-06-20 京瓷株式会社 电介质共振器、电介质滤波器以及无线通信设备
JP2005269012A (ja) 2004-03-17 2005-09-29 Tdk Corp フィルタ
KR100586502B1 (ko) 2004-06-09 2006-06-07 학교법인 서강대학교 금속 가이드 캔이 연결된 유전체 세라믹 필터
EP1646105A1 (en) 2004-10-07 2006-04-12 Huber+Suhner Ag Filter assemblies and communication systems based thereon
JP2009510884A (ja) 2005-09-30 2009-03-12 エヌエックスピー ビー ヴィ 薄膜バルク音響（ｂａｗ）共振器におけるまたはそれに関連する改良
KR100651627B1 (ko) 2005-11-25 2006-12-01 한국전자통신연구원 교차결합을 갖는 유전체 도파관 필터
US7545235B2 (en) 2005-12-07 2009-06-09 Mansour Raafat R Dielectric resonator filter assemblies and methods
TW200807799A (en) 2006-05-11 2008-02-01 Koninkl Philips Electronics Nv Resonator device with shorted stub and MIM-capacitor
WO2007142786A1 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Cts Corporation Ceramic monoblock filter with inductive direct-coupling and quadruplet cross-coupling
WO2008019307A2 (en) 2006-08-04 2008-02-14 Dielectric Laboratories, Inc. Wideband dielectric waveguide filter
KR100846872B1 (ko) 2006-11-17 2008-07-16 한국전자통신연구원 유전체 도파관 대 전송선의 밀리미터파 천이 장치
WO2009075833A1 (en) 2007-12-10 2009-06-18 Cts Corporation Rf monoblock filter with recessed top pattern and cavity providing improved attenuation
JP4552205B2 (ja) 2007-12-17 2010-09-29 Ｎｅｃエンジニアリング株式会社 スイッチ機能付きフィルタ
GB2456043B (en) 2007-12-28 2011-11-30 Furuno Electric Co Harmonic suppression resonator, harmonic propagation blocking filter, and radar apparatus
DE102008017967B4 (de) 2008-04-08 2015-03-12 Airbus Defence and Space GmbH Resonanzfilter mit geringem Verlust
US8171617B2 (en) 2008-08-01 2012-05-08 Cts Corporation Method of making a waveguide
KR101001935B1 (ko) * 2008-09-11 2010-12-17 서강대학교산학협력단 유전체 공진기 조립체
US8314667B2 (en) 2008-12-09 2012-11-20 Electronics And Telecommunications Research Institute Coupled line filter and arraying method thereof
JP4844646B2 (ja) 2009-03-30 2011-12-28 Ｔｄｋ株式会社 共振器およびフィルタ
US8823470B2 (en) 2010-05-17 2014-09-02 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with structure and method for adjusting bandwidth
FR2966307B1 (fr) 2010-10-15 2013-07-12 Commissariat Energie Atomique Filtre a ondes acoustiques comprenant un guidage acoustique integre
CN201898182U (zh) 2010-11-01 2011-07-13 西安空间无线电技术研究所 一种多层1/4模基片集成波导滤波器
JP5675449B2 (ja) 2011-03-11 2015-02-25 東光株式会社 誘電体導波管フィルタ
US9130255B2 (en) * 2011-05-09 2015-09-08 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling
US9030279B2 (en) 2011-05-09 2015-05-12 Cts Corporation Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling
CN102361113B (zh) 2011-06-21 2014-08-13 中国电子科技集团公司第十三研究所 硅基多层腔体滤波器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4431977A (en) * 1982-02-16 1984-02-14 Motorola, Inc. Ceramic bandpass filter
US4996506A (en) * 1988-09-28 1991-02-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Band elimination filter and dielectric resonator therefor
JPH10308606A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Murata Mfg Co Ltd 誘電体フィルタ
CN1398014A (zh) * 2001-07-17 2003-02-19 东光株式会社 电介质波导管滤波器及其安装结构
EP1439599A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-21 Toko, Inc. Waveguide-Type dielectric filter

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Rectangular Waveguide Elliptic Filters with Capacitive and Inductive Irises and Integrated Coaxial Excitation;Jorge A. Ruiz-Cruz，Kawthar A. Zaki;《IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM》;20050612;第269-272页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103797639A (zh) 2014-05-14
KR20140047131A (ko) 2014-04-21
KR102033913B1 (ko) 2019-10-21
GB201400291D0 (en) 2014-02-26
US9437908B2 (en) 2016-09-06
DE112012003019T5 (de) 2014-05-08
IN2014DN00230A (zh) 2015-06-05
JP2014521278A (ja) 2014-08-25
US20120286901A1 (en) 2012-11-15
GB2507673B (en) 2019-01-02
JP6078064B2 (ja) 2017-02-08
KR20190082328A (ko) 2019-07-09
KR102276838B1 (ko) 2021-07-14
US20150244049A1 (en) 2015-08-27
US9030279B2 (en) 2015-05-12
GB2507673A (en) 2014-05-07
WO2013012438A1 (en) 2013-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103797639B (zh) 具有直接耦合和交替的交叉耦合的介质波导滤波器
CN104348442B (zh) 高频模块
KR100753319B1 (ko) 분파기
CN105122645B (zh) 高频模块
JP6249020B2 (ja) 高周波モジュール
CN107636890B (zh) 具有直接耦合和替代交叉耦合的电介质波导滤波器
CN107078715A (zh) 高频模块
TWI556502B (zh) 用於射頻積體電路的多模濾波器
EP1107346A2 (en) Duplexer having laminated structure
JP3972046B2 (ja) 阻止帯域減衰特性を改善した積層型フィルター
CN105453428B (zh) 高频模块
WO2002052724A1 (fr) Multiplexeur
US20060103488A1 (en) Duplexer, and laminate-type high-frequency device and communication equipment using the same
CN106384864A (zh) 一种基于多频耦合的ltcc平衡式带通滤波器
US8456256B2 (en) Electronic component and passive component
CN105359335B (zh) 具有直接耦合和交替的交叉耦合的介质波导滤波器
JPS63124601A (ja) 誘電体フイルタ
KR102579968B1 (ko) Rf 유전체 도파관 듀플렉서 필터 모듈
JP2003115736A (ja) ３分波・合波器
CN209183697U (zh) 合路器
US20050140471A1 (en) High frequency filter
CN209329125U (zh) 电桥合路器
JP2004147300A (ja) 共用器、並びにそれを用いた積層型高周波デバイス及び通信機器
CN109560357A (zh) 电桥合路器
JP4280118B2 (ja) 多連ノイズフィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant