CN103492864A - 布线缺陷检查方法、布线缺陷检查装置以及半导体基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明所涉及的布线缺陷检查方法中，获取半导体基板的短路路径的电阻值，将基于所获取的该电阻值而确定的电压施加于具有该缺陷部的该半导体基板，使该缺陷部发热并温度上升，利用红外线摄像机拍摄该缺陷部发热而温度上升的半导体基板。

Description

布线缺陷检查方法、布线缺陷检查装置以及半导体基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种适用于形成在液晶面板、太阳能电池面板等半导体基板上的布线的缺陷检测的布线缺陷检查方法、缺陷检查装置以及半导体基板的制造方法。

背景技术

作为半导体基板的一个例子，例如液晶面板的制造工艺大致分为阵列（TFT）工序，成盒（液晶）工序、以及模组工序。其中，在阵列工序中，当在透明基板上形成了栅极电极、半导体膜、源漏电极、保护膜、以及透明电极后，进行阵列检查，以检查电极或者布线等是否有布线短路。

通常，在阵列检查中，使探头接触布线的端部，来对布线两端的电阻或相邻布线之间的电阻以及电容进行测定，由此来确定上述缺陷。然而，在阵列检查中，即使能检测出布线部是否有缺陷，也难以确定该缺陷的位置。

例如，为了改善上述问题，作为确定缺陷位置的方法，有红外线检查的方法，该红外线检查对泄漏缺陷基板施加电压使其发热，并利用红外线摄像机拍摄泄漏缺陷基板的表面温度，由此来确定缺陷位置。

专利文献1涉及通过红外线图像来检测基板短路缺陷的红外线检查，利用基板在施加电压前后的红外线图像的差图像，由此检测出发热的布线，从而确定缺陷位置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开专利公报“特开平6-207914号公报（公开日：平成6年7月26日）”

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，专利文献1中进行了以下的描述。使用专利文献1的技术时，如果泄漏缺陷基板上的施加电压较小，则只有引出部无法检测到。另一方面，若升高电压值以使布线也能检测到，则电压会过高，从而有可能导致短路的像素烧断、或者正常的薄膜晶体管受损。因此，记载了电压要逐步增大，但为了逐步增大电压，会耗费较长的处理时间。由此，每个泄漏缺陷基板的检查时间当然变长，从而无法提高每单位时间的检查处理能力。

此外，在施加电压逐渐上升的情况下，从开始施加电压到结束施加电压为止的时间会变长。也就是说，发热部发热的发热时间变长。该热量会从发热部热传导到周边部。其结果是，本来没有发热的周边部的温度也上升。在该状况下，若进行红外线图像拍摄，则会将本来没有发热的部分误检测为发热的部位。因此，难以高精度地检测到发热的路径，发热部的轮廓变得不鲜明，变得难以根据发热部来识别布线。

而且，在该技术中，难以稳定地检测出泄漏缺陷部位。这是由于泄漏缺陷部位的种类、短路部位（泄漏缺陷基板上的位置）、或者短路部位自身的电阻值等不同，上升温度（发热量）会产生偏差。若泄漏缺陷基板的种类不同，则布线的电阻率、线宽或者膜厚不同，因此上升温度（发热量）会产生偏差。此外，基板上的布线并不都是相同的布线，不同位置上的布线的线宽以及膜厚不同，因此，不同的短路部位（基板上的位置）也会使上升温度（发热量）产生偏差。短路是因基板制造过程中所混入的导电性异物、布线层成膜工序中的膜残留、或者静电破坏等各种原因所产生，因此，每次发生短路时短路部位自身的电阻值大不相同，从而上升温度（发热量）会产生偏差。

因此，即使对任一个泄漏缺陷基板都施加相同电压值的电压，也会由于上述理由而导致上升温度（发热量）产生偏差，因此难以稳定地检测出发热的泄漏缺陷部位。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能稳定地确定泄漏缺陷部位的方法、装置以及半导体基板的制造方法，通过对泄漏缺陷基板上的短路路径施加基于预先由电阻检查所测定到的电阻值而确定的电压，由此使泄漏缺陷基板上的短路路径的发热量固定，而与泄漏缺陷基板的种类、短路部位（泄漏缺陷基板上的位置）、或者短路部位自身的电阻值等无关，从而能在红外线检查中稳定地确定泄漏缺陷部位。

解决技术问题所采用的技术方案

为了解决上述问题，本发明所涉及的布线缺陷检查方法的特征在于，包括：

电阻值测定工序，该电阻值测定工序通过对设置在半导体基板上的布线的电阻值进行测定，来判定是否存在布线短路部；

发热工序，该发热工序对于在上述电阻值测定工序中被判定为具有上述布线短路部的半导体基板的包含该布线短路部的短路路径，施加基于由上述电阻值测定工序所测定到的电阻值而确定的电压，从而使该短路路径发热；以及

位置确定工序，该位置确定工序利用红外线摄像机拍摄上述发热工序中发热的短路路径，并基于该拍摄的信息来确定上述布线短路部的位置。

根据上述结构，将基于预先由电阻检查获取的电阻值所确定的电压施加到半导体基板（泄漏缺陷基板）上，由此使该半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量固定，从而能利用红外摄像机通过红外线检查来可靠地确认温度上升，并且能确定短路部。此外，不会因施加电压过高而导致缺陷部烧断，因此能够稳定地确定短路部。

另外，为了解决上述问题，本发明所涉及的布线缺陷检查装置的特征在于，包括：

数据读取部，该数据读取部读取预先测定的设置在半导体基板上的布线的电阻值；

电压施加部，该电压施加部对上述布线施加电压；

控制部，该控制部对上述电压施加部进行控制；以及

红外线摄像机，该红外线摄像机从因受上述控制部控制的电压施加而发热的半导体基板，检测出红外线，

上述控制部基于上述数据读取部所读取的电阻值，来控制用于上述发热的施加电压的电压值。

根据上述结构，将基于预先测定的布线的电阻值所确定的电压施加在半导体基板（泄漏缺陷基板）上，由此使该半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量固定，从而能利用红外摄像机通过红外线检查来可靠地确认温度上升，并且能确定短路部。此外，不会由于施加电压过高而导致缺陷部烧断，因此能够稳定地确定短路部。

此外，由于电阻测定由其他装置实施，因此电阻测定与红外线摄像机拍摄能并行地动作，从而能提高处理能力。

另外，为了解决上述问题，本发明所涉及其他布线缺陷检查装置的特征在于，包括：

电压施加部，该电压施加部对设置在半导体基板上的布线施加电压；

电阻测定部，该电阻测定部测定上述布线的电阻值；

控制部，该控制部对上述电压施加部进行控制；以及

红外线摄像机，该红外线摄像机从因受上述控制部控制的电压施加而发热的半导体基板，检测出红外线，

上述控制部基于通过上述电阻测定部所测定的电阻值，来控制用于上述发热的施加电压的电压值。

根据上述结构，将基于预先由电阻检查获取的电阻值所确定的电压施加在半导体基板（泄漏缺陷基板）上，由此使该半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量固定，从而能利用红外摄像机通过红外线检查来可靠地确认温度上升，并且能确定短路部。此外，不会由于施加电压过高而导致缺陷部烧断，因此能够稳定地确定短路部。

并且，由于布线缺陷检查装置自身测定布线的电阻值，因此无需另外的测定电阻值的装置，因此能减少装置数量。

此外，本发明所涉及的半导体基板的制造方法的特征在于，包括：半导体基板形成工序，该导体基板形成工序在基板上形成栅极电极、源极电极以及漏极电极中的至少一个电极、与该至少一个电极相连接的布线、以及半导体膜，从而形成具有该布线的半导体基板；

电阻值测定工序，该电阻值测定工序通过对设置在上述半导体基板上的上述布线的电阻值进行测定，来判定是否存在布线短路部；

发热工序，该发热工序对在上述电阻值测定工序中被判定为具有上述布线短路部的半导体基板的包含该布线短路部的短路路径，施加基于由该电阻值测定工序所测定到的电阻值而确定的电压，从而使该短路路径发热；以及

位置确定工序，该位置确定工序利用红外线摄像机拍摄上述发热工序中发热的短路路径，并基于该拍摄的信息来确定上述布线短路部的位置。

发明效果

如上所述，通过本发明所涉及的布线缺陷检查方法以及布线缺陷检查装置，将基于预先由电阻检查获取的电阻值而确定的电压施加在半导体基板（泄漏缺陷基板）上，由此使该半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量固定，从而能利用红外摄像机通过红外线检查来可靠地确认温度上升，并且能确定短路部。此外，不会由于施加电压过高而导致缺陷部烧断，因此能够稳定地确定短路部。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的布线缺陷检查装置的结构的框图、以及表示具有液晶面板的母基板的结构的立体图。

图2是表示上述布线缺陷检查装置的结构的立体图。

图3是本发明的实施方式中所使用的液晶面板以及探头的俯视图。

图4是表示本发明的实施方式所涉及的布线缺陷检查方法的流程图。

图5是表示本发明的实施方式中所使用的像素部的缺陷的示意图。

图6是表示本发明的实施方式中所使用的短路路径的示意图。

具体实施方式

[实施方式1]

参照图1～图5，说明本发明所涉及的布线缺陷检查方法的一个实施方式。

图1（a）是表示本实施方式中进行布线缺陷检查方法的布线缺陷检查装置100的结构的框图，图1（b）是使用布线缺陷检查装置100来进行布线缺陷检查的对象即母基板1（半导体基板）的立体图。

布线缺陷检查装置100能对图1（b）中所示的母基板1上形成的多个液晶面板2（半导体基板）中的布线等缺陷进行检查。因此，布线缺陷检查装置100包括用于与液晶面板2导通的探头3、以及使探头3在各个液晶面板2上移动的探头移动单元4。此外，布线缺陷检查装置100包括用于获取红外线图像的红外线摄像机5、以及使红外线摄像机5在液晶面板2上移动的摄像机移动单元6。布线缺陷检查装置100还包括对探头移动单元4以及摄像机移动单元6进行控制的主控制部7（控制部）。

上述探头3与电阻测定部8以及电压施加部9相连接，该电阻测定部8用于测定液晶面板2的布线间的电阻，该电压施加部9用于对液晶面板2的布线间施加电压。这些电阻测定部8以及电压施加部9由主控制部7所控制。

上述主控制部7与数据存储部10相连接，该数据存储部10存储布线间的电阻值、以及图像数据。

图2是表示本实施方式的布线缺陷检查装置100的结构的立体图。如图2所示，布线缺陷检查装置100中，在基台上设置有对位平台11，对位平台11上能够放置母基板1。放置有母基板1的对位平台11的位置被调整为与探头移动单元4以及摄像机移动单元6的XY坐标轴平行。此时，对位平台11的位置调整利用了设置于对位平台11上方的用于确认母基板1位置的光学摄像

机12。

上述探头移动单元4以可滑动的方式设置在导轨13a上，该导轨13a配置在对位平台11的外侧。此外，探头移动单元4的主体侧也设置有导轨13b与13c，使得安装部14a能沿着这些导轨13在XYZ的各坐标方向上进行移动。该安装部14a上装载有与液晶面板2相对应的探头3。

上述摄像机移动单元6以可滑动的方式设置在导轨13d上，该导轨13d配置在探头移动单元4的外侧。此外，摄像机移动单元6的主体上也设置有导轨13e与13f，三处安装部14b、14c以及14d能够分别沿着这些导轨13在XYZ的各个坐标方向上进行移动。

安装部14c上装载有宏观测量用的红外线摄像机5a，安装部14b上装载有微观测量用的红外线摄像机5b，此外，安装部14d上装载有光学摄像机16。

宏观测量用的红外线摄像机5a是视野扩展到520×405mm左右的能进行宏观测量的红外线摄像机。由于宏观测量用的红外线摄像机5a的视野较大，因此，例如通过对四台红外线摄像机进行组合来构成。即，宏观测量用的红外线摄像机每一台的视野为母基板1的大概1/4。

此外，微观测量用的红外线摄像机5b是视野小到32×24mm左右但能进行高分辨率拍摄的能进行微观测量的红外线摄像机。

另外，也能在摄像机移动单元6上添加安装部，从而装载用于修正缺陷部位的激光照射装置。通过装载激光照射装置，在确定了缺陷部的位置后，对缺陷部进行激光照射，从而能连续地进行缺陷修正。

探头移动单元4以及摄像机移动单元6分别设置在不同的导轨13a以及13d上。因此，能沿X坐标方向在对位平台11的上方互不干涉地进行移动。因此，能在探头3与液晶面板2接触的状态下，使红外线摄像机5a、5b以及光学摄像机16在液晶面板2上移动。

图3（a）是形成在母基板1上的多个液晶面板2中的一个液晶面板2的俯视图。如图3（a）所示，各个液晶面板2上形成有像素部17和驱动电路部18，该像素部17在扫描线和信号线相交的各交点上形成有TFT，该驱动电路部18分别对扫描线和信号线进行驱动。液晶面板2的边缘部上设有端子部19a～19d，端子部19a～19d与像素部17或者驱动电路部18的布线相连。

另外，通过在透明基板上形成栅极电极、半导体膜、源极电极、漏极电极、保护膜以及透明电极来制作该液晶面板2。下面，举例说明该液晶面板2的具体制造方法。

首先，利用溅射法在整块透明基板上依次形成例如钛膜、铝膜以及钛膜等金属膜，然后，利用光刻形成图案，形成例如4000左右厚度的栅极布线、栅极电极以及电容布线。

接着，在形成有栅极布线、栅极电极以及电容布线的整块基板上，利用例如等离子CVD（Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积）法来形成氮化硅膜等，从而形成厚度4000左右的栅极绝缘膜。

之后，在形成有栅极绝缘膜的整块基板上利用等离子CVD法，连续地形成本征非晶硅膜、以及掺杂有磷的n+非晶硅膜。之后，对这些硅膜进行光刻，在栅极电极上形成岛状的图案，从而形成层叠有厚度2000

左右的本征非晶硅层以及厚度500

左右的n+非晶硅膜层的半导体膜。

然后，在形成有上述半导体膜的整块基板上利用溅射法形成铝膜以及钛膜等之后，利用光刻来形成图案，由此分别形成厚度2000

左右的源极布线、源极电极、导电膜、漏极电极。

接着，以源极电极以及漏极电极作为掩模，对上述半导体膜的n+非晶硅膜层进行蚀刻，由此形成沟道部的图案，从而形成TFT。

再接着，在形成有TFT的整块基板上，利用旋涂法涂布例如丙烯酸类的感光性树脂，并通过光掩模使该被涂布的感光性树脂曝光。之后，通过使上述曝光后的感光性树脂显影，在漏极电极上形成厚度2μm～3μm左右的层间绝缘膜。接着，在层间绝缘膜上为每个像素形成接触孔。

接下来，在形成有层间绝缘膜的整块基板上，利用溅射法形成ITO膜，之后，利用光刻形成图案，从而形成厚度1000

左右的透明电极。

通过采用上述方式，能形成液晶面板2（半导体基板）。

另外，上述一例制造方法能够适用于母基板1（半导体基板），使用大型的透明基板，在要形成多个（例如，图1（b）中的8个）液晶面板的区域中适用上述各步骤来形成栅极电极等，在形成透明电极后，实施以下所说明的布线缺陷检查方法，对于检测出缺陷的液晶面板进行缺陷修复，根据需要再次实施布线缺陷检查方法，从而制造出无缺陷的合格品，而没有检测到缺陷的液晶面板在该时刻为合格品。然后，例如作为之后的工序，将各个液晶面板从母基板分离，从而能完成一个液晶面板的制造。缺陷修复例如是照射激光来切断短路部分的方法，但并不限于此。

图3(b)是用于与设置在液晶面板2上的端子部19a～19d进行导通的探头3的俯视图。探头3呈与图3（a）所示的液晶面板2的大小大致相同的框形形状，包括与设置于液晶面板2的端子部19a～19d相对应的多个探针21a～21d。

多个探针21a～21d能经由开关继电器(未图示)，使探针21逐根分别与图1（a）所示的电阻测定部8以及电压施加部9相连接。因此，探头3能选择性地与和端子部19a～19d相连的多根布线相连接，或与多根布线一起相连接。

此外，探头3呈与液晶面板2的大小大致相同的框形形状。因此，在端子部19a～19d与探针21a～21d位置对齐时，能利用光学摄像机16从探头3的框架内侧确认该位置。

如上所述，本实施方式所涉及的布线缺陷检查装置100包括探头3、以及与探头3相连接的电阻测定部8，通过使探头3与液晶面板2导通，从而能够测定各布线的电阻值、以及相邻布线间的电阻值等。

此外，本实施方式所涉及的布线缺陷检查装置100包括探头3、与探头3相连接的电压施加部9、以及红外线摄像机5a与5b。于是，经由探头3在液晶面板2的布线上或者布线间施加电压，使用红外线摄像机5a以及5b来测量缺陷部中因电流流过所导致的发热，从而能确定缺陷部的位置。

因此，根据本实施方式的布线缺陷检查装置100，能够利用一台检查装置来兼顾进行电阻检查与红外线检查。

图4是使用本实施方式所涉及的布线缺陷检查装置100的布线缺陷检查方法的流程图。本实施方式所涉及的布线缺陷检查方法如图4所示，通过步骤S1～步骤S9，依次对形成在母基板1上的多个液晶面板2实施布线缺陷检查。

在步骤S1中，将母基板1放置在布线缺陷检查装置100的对位平台11上，并对基板的位置进行调整，使其与XY坐标轴平行。

在步骤S2中，利用探头移动单元4使探头3在作为检查对象的液晶面板2的上部进行移动，并使探针21a～21d与液晶面板2的端子部19a～19d接触。

在步骤S3中，对应于各种缺陷的模式，选择用于进行电阻检查的布线或者布线间，并对要导通的探针21进行切换。

在步骤S4（电阻值测定工序）中，进行电阻检查。在步骤S4中，测定所选择的布线或者布线间的电阻值，将该电阻值与不存在缺陷时的电阻值进行比较，从而检查出是否存在缺陷。

然后，在通过该检查的结果判明存在缺陷的情况下，将所测定的该电阻值存储于数据存储部10。

此处，图5（a）～（c）中，作为一个示例，示意性地示出了产生在像素部17中的缺陷部23（布线短路部）的位置。

图5（a）中，例如，在布线X与布线Y如扫描线与信号线那样上下相交的液晶面板中，在该相交部分示出了布线X与布线Y发生短路的缺陷部23。通过将要导通的探针21切换至图3所示的21a与21d的组合或者21b与21c的组合，并对布线X1～X10以及布线Y1～Y10一对一地测定布线间的电阻值，从而能确定是否存在缺陷部23及其位置。

图5(b)示出了在例如扫描线与辅助电容线那样相邻的布线X的布线间发生短路的缺陷部23。对于这种缺陷部23，通过将要导通的探针21切换为21b的奇数号和21d的偶数号的组合，来对布线X1～X10的相邻布线间的电阻值进行测定，从而能确定存在缺陷部23的布线。然后，在通过检查的结果判明存在缺陷的情况下，将所测定的该电阻值存储于数据存储部10。

图5(c)示出了在例如信号线与辅助电容线那样相邻的布线Y的布线间发生短路的缺陷部23。对于这种缺陷部23，通过将要导通的探针21切换为21a的奇数号和21c的偶数号的组合，来对布线Y1～Y10的相邻布线间的电阻值进行测定，从而能确定存在缺陷部23的布线。然后，在通过检查的结果判明存在缺陷的情况下，将所测定的该电阻值存储于数据存储部10。

在步骤S5中，根据步骤S4中所检查出的是否有缺陷部23，来判断是否进行红外线检查。在存在缺陷部23的情况下，为了进行红外线检查，转移至步骤S6，在不存在缺陷部23的情况下，不进行红外线检查而转移至步骤S8。该步骤S5可谓是电阻值测定工序的一部分。

例如，如图5（a）所示，在布线X与布线Y相交的位置产生了缺陷部23的情况下，通过布线间的电阻检查，检测出布线X4与布线Y4处的异常，因此能够确定到缺陷部23的位置。因此，在图5（a）所示的缺陷部23的情况下，不必利用红外线检查来确定该位置（步骤S6）。也就是说，若对布线X与布线Y的所有组合分别进行电阻检查，则也能确定位置，因此无需红外线检查。但是，因为组合数较为庞大，因此需要较长时间。例如，在全高清用液晶面板的情况下，布线X为1080根，布线Y为1920根，所有的组合约为207万。若对这样的组合分别进行电阻检查，则生产节拍会很长，大幅度降低了检查处理能力，并不现实。因此，通过将布线X与布线Y的所有组合中的几个合并起来进行电阻检查，从而能减少电阻检查次数。例如，若在合并成一个的布线X与合并成一个的布线Y之间进行电阻检查，则该电阻检查次数仅为一次。然而，虽然能通过电阻检查检测出布线间的短路，但无法确定位置。因此，还是需要利用红外线检查来确定缺陷部23的位置。

另一方面，如图5（b）或者图5（c）所示，在相邻布线间产生了缺陷部23的情况下，能够确定在一对布线间、例如布线X3与布线X4之间存在缺陷部。然而，在该布线的长度方向上无法确定缺陷部23的位置，因此需要利用红外线检查来确定缺陷部23的位置。

相邻布线间的电阻检查是一个庞大的数字，因此需要较长时间。例如，在全高清用液晶面板的情况下，相邻布线X间的电阻检查次数为1079，相邻布线Y间的电阻检查次数为1919。在进行图5（b）所示的相邻布线X间的电阻检查的情况下，若在所有的X奇数号与所有的X偶数号之间进行电阻检查，则该电阻检查次数仅为一次。在进行图5（c）所示的相邻布线Y间的电阻检查的情况下，若在所有的Y奇数号与所有的Y偶数号之间进行电阻检查，则该电阻检查次数仅为一次。然而，虽然能通过电阻检查检测出布线间的短路，但无法确定位置。因此，需要利用红外线检查来确定缺陷部23的位置。

在步骤S6（发热工序）中，对判断为需要进行红外线检查的液晶面板2进行红外线检查。

本发明的特征在于，基于步骤S4中存储在数据存储部10中的电阻值，来设定电压值，并由电压施加部9将该电压值的电压施加在上述液晶面板2上。

具体而言，在本实施方式中，将与步骤S4中所获取的电阻值的平方根成正比的施加电压V（伏特）施加于上述液晶面板2。即，步骤S6中，施加电压V（伏特）设定为下式（1）：

【数学式1】

$V=k\×\sqrt{\left(R\right)}...\left(1\right)$

其中，k：常数、R：电阻值（欧姆）

此处，每单位时间的发热量J（焦耳）表示为下式（2）：

【数学式2】

J=W×T=W=V×I=I²×R=V²/R···（2）

其中，W：耗电量（瓦特）、T：时间（秒）、I：电流（安培）

根据上述式（1）及式（2），每单位时间的发热量J表示为下式（3）；

【数学式3】

即，基于式（1），通过将与电阻值的平方根成正比的施加电压V（伏特）施加于液晶面板2，能使每单位时间的发热量固定。

因此，虽然由于基板的种类或者基板上缺陷部23的发生位置等短路原因的不同，包含缺陷部23的短路路径的电阻值会发生较大的变动，但通过进行本实施方式的步骤S6，能使每单位时间的发热量固定。

步骤S6的电压调整由图1所示的主控制部7控制电压施加部9来进行。

步骤S7（位置确定工序）中，为了检测出来自通过施加上述电压而产生电流并发热的缺陷部23的红外光，利用红外线摄像机来对缺陷部23进行拍摄。本实施方式中，具有宏观测量用的红外线摄像机5a与微观测量用的红外线摄像机5b，首先使用能将液晶面板2的较宽范围收纳在视野内的宏观测量用的红外线摄像机5a，根据需要扫描宏观测量用的红外线摄像机5a来确定缺陷部23的位置。接着，可以根据需要，使用微观测量用的红外线摄像机5b对发热部的周边进行测量。由于已利用宏观测量用的红外线摄像机5a确定了发热部的位置，因此能移动摄像机，使发热部位于微观测量用的红外线摄像机5b的视野内，从而能够高精度地确定缺陷部23的坐标位置，或者对于修正所需的形状等信息进行测量。另外，本实施方式中，使用宏观测量用的红外线摄像机5a与微观测量用的红外线摄像机5b进行二阶段的拍摄，但本发明并不限于此，也可以构成为使用一个红外线摄像机来进行一阶段的拍摄。或者，也可以实施后述变形例那样的拍摄步骤。

此处，上述短路路径由布线部分与缺陷部23构成，因此短路路径的发热量J由布线部分的发热量J₁与缺陷部23的发热量J₂构成。

于是，如下所示；

（a）在缺陷部23的电阻值较小的情况下，该缺陷部23的发热量J₂变小。然而，如上所述，由于短路路径的发热量J固定，因此缺陷部23的发热量J₂变小会导致布线部分的发热量J₁变大。因此，能在红外线图像中，简单地识别出发热较大的布线部分。然后，进一步对该识别出的部分进行分析，确定布线与布线之间短路的部分，由此能检测出缺陷部23。

（b）在缺陷部23的电阻值较大的情况下，该缺陷部23的发热量J₂变大。在该情况下，如上所述，由于短路路径的发热量J固定，因此缺陷部23的发热量J₂变大会导致布线部分的发热量J₁变小。因此，能在红外线图像中，简单地识别出发热较大的缺陷部23。

（c）在缺陷部23的电阻值不大也不小的情况下，如上所述，由于短路路径的发热量J固定，因此缺陷部23与布线部分发热程度相同。因此，能从红外线图像简单地识别出缺陷部23与布线部分。

根据以上的（a）至（c），缺陷部23或者布线部的任一个充分地发热，因此在拍摄的红外线图像中，流过电流的缺陷部23或者布线部的温度显示比周围要高。由此，能简单地确定缺陷部23的位置。所确定的该位置存储于数据存储部10。

步骤S8中，对于正在检查的液晶面板2，判断各种缺陷模式的所有检查是否已经结束，若存在未检查的缺陷模式，则返回到步骤S3。然后，配合下一个缺陷模式来切换探头3的连接，并重复缺陷检查。此处，缺陷模式是指图5所示的缺陷部23的种类。图5中，表示了三种缺陷模式。即，图5（a）的布线X与布线Y之间的短路缺陷模式，图5（b）的布线X间的短路缺陷模式，图5（c）的布线Y间的短路缺陷模式。

步骤S9中，对于正在检查的母基板1。判断是否所有的液晶面板2的缺陷检查已结束，若有未检查的液晶面板2，则返回步骤S2。于是，将探头移动到成为下一个检查对象的液晶面板2，重复缺陷检查。

（本实施方式的作用效果）

根据本实施方式，利用电阻检查来判断是否存在缺陷，在判断存在缺陷的情况下，获取液晶面板2的短路路径中的电阻值。然后，通过对液晶面板2施加基于该电阻值所确定的电压，使缺陷部23或者布线部的任一个充分地发热，因此能够在红外线检查时简单地识别出缺陷的位置。

此外，使用本实施方式所涉及的布线缺陷检查方法，不存在由于缺陷部23以及布线部的发热量不足而难以识别缺陷部23的位置的情况。而且，也不存在由于高电压施加过度而导致缺陷部23烧断的情况，因此能够在红外线检查时稳定地确定缺陷部23的位置。

(变形例)

本实施方式中，如图1所示，说明了设置有测定布线的电阻值的电阻测定部8的结构，但本发明并不限于此，作为具有读取预先测定的布线的电阻值的数据读取部（未图示）的结构，主控制部7可以基于由上述数据读取部所读取的电阻值，来控制上述用于发热的施加电压的电压值。

通过上述结构，由于电阻测定在其他装置中实施，因此能将电阻测定与红外线摄像机拍摄并行地进行动作，从而能提高处理能力。

[实施方式2]

对本发明所涉及的其他实施方式进行说明。

本实施方式中，使用与实施方式1中的装置相同的装置，并进行以下设定，使得施加电压V（伏特）与实施方式1不同。

上述实施方式1中，步骤S6中，将与步骤S4中所获取的电阻值的平方根成正比的施加电压V（伏特）施加于液晶面板2。与此相对，本实施方式中，将与步骤S4中所获取的电阻值成正比的施加电压V（伏特）施加于液晶面板2（图1（b）以及图2）。

具体而言，本实施方式的步骤S6中，施加电压V（伏特）设定为下式（4）。

【数学式4】

V=m×R···（4)

其中，m：常数、R：电阻值（欧姆）

此处，电流I（安培）为下式（5）；

【数学式5】

I=V/R=(m×R)/R=m···（5)

即，通过适当地设定施加电压，能使电流固定。

此处，形成于基板的布线的电阻值R为下式（6）；

【数学式6】

R=ρ×L/A···（6）

其中，ρ：电阻率、L：布线长（米）、A：截面积（平方米）

电阻率ρ及截面积A是由布线的种类以及位置所确定的常数。因此，每单位长度的布线电阻值R/L=ρ/A也是常数。即，若将根据布线的种类以及位置所编的号设为i，则布线i每单位长度的电阻值r（i）表示为下式（7）；

【数学式7】

r（i）=ρ(i)/A(i)=固定···（7）

其中，ρ(i)：布线i的电阻率、A(i)：布线i的截面积

因此，由上述式（2）、（5）以及（7），布线i每单位长度的布线i发热量为下式（8）；

【数学式8】

W（i）=I²×r(i)=m²×r(i)=固定···（8）

其中，W(i)：布线i的发热量

这里，图6是用于说明短路路径的图，是薄膜晶体管基板的电气布线图的一个示例。图6的薄膜晶体管基板在玻璃基板上以格子状配置有扫描线（布线）31～35与信号线（布线）41～45，各交点处连接有未图示的薄膜晶体管以及透明像素电极，整体是形成有5×5像素的基板。该薄膜晶体管基板与未图示的公共电极基板平行地配置，在它们之间封入液晶从而形成液晶面板。此外，如图6所示，薄膜晶体管基板上，扫描线的各引出线31p～35p的前端部通过共用线30以共用的方式相连，以防止静电破坏。信号线也相同。图6所示的薄膜晶体管基板中，扫描线33与信号线43之间形成了短路部位50。在这样的薄膜晶体管基板中，若考虑短路路径为引出线33p→扫描线33→短路部位50→信号线43→引出线43p，则每单位长度的扫描线33以及信号线43的发热量能分别固定。

因此，通过预先适当地设定常数m，从而能利用红外线图像稳定地识别扫描线33以及信号线43，而与短路部位的电阻大小无关。

然后，进一步分析该被识别的布线部分，确定扫描线33与信号线43之间短路的部分，由此能确定短路部位。若短路部位的电阻值较高，则由于短路部位的发热量变大，因此能简单地从红外线图像确定短路部位。

此外，为了基于布线的电阻值来设定电压，主控制部7每次执行计算上述式（1）至式（4）的处理即可。或者，将电阻值与电压之间的关系预先存储于表中，主控制部7每次参照该表，从而根据电阻值来设定电压。

如上所述，根据本实施方式的布线缺陷检查方法以及布线缺陷检查装置能与实施方式1相同地利用红外线图像来识别缺陷。

此外，本发明并不限于上述各实施方式。从业人员可在权利要求书所示的范围内，对本发明进行种种变更。即，在权利要求书所示的范围内，若将适当变更后的技术手段进行组合，则可以得到新的实施方式。即，发明的详细说明项中完成的具体实施方式都只是为了阐明本发明的技术内容，不应狭义地理解为只限于这样的具体例子，可在本发明的精神和下面所记载的权利要求书的范围内，进行各种变更后加以实施。

（本发明的总结）

本发明所涉及的布线缺陷检查方法的特征在于，包括：

电阻值测定工序，该电阻值测定工序通过对设置在半导体基板上的布线的电阻值进行测定，来判定是否存在布线短路部；

发热工序，该发热工序对在上述电阻值测定工序中被判定为具有上述布线短路部的半导体基板的包含该布线短路部的短路路径，施加基于由该电阻值测定工序所测定到的电阻值而确定的电压，从而使该短路路径发热；以及

位置确定工序，该位置确定工序利用红外线摄像机拍摄上述发热工序中发热的短路路径，并基于该拍摄的信息来确定上述布线短路部的位置。

根据上述结构，将基于预先由电阻检查获取的电阻值而确定的电压施加在半导体基板（泄漏缺陷基板）上，由此使该半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量固定，从而能利用红外摄像机通过红外线检查来可靠地确认温度上升，并且能确定短路部。此外，不会由于施加电压过高而导致缺陷部烧断，因此能够稳定地确定短路部。

另外，本发明所涉及的布线缺陷检查方法的一个方式是在上述结构的基础上，

优选为上述电阻值越大，上述发热工序中施加在上述布线上的上述电压越高。

由此，半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量变为固定。

另外，本发明所涉及的布线缺陷检查方法的一个方式是在上述结构的基础上，

优选为上述发热工序中施加在上述布线上的上述电压的电压值与上述电阻值的平方根成正比。

由此，半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量变为固定。

另外，本发明所涉及的布线缺陷检查方法的一个方式是在上述结构的基础上，

上述发热工序中施加在上述布线上的上述电压的电压值也可以与上述电阻值成正比。

通过该结构，半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量变为固定。

另外，为了解决上述问题，本发明所涉及的布线缺陷检查装置的特征在于，包括：

数据读取部，该数据读取部读取预先测定的设置在半导体基板上的布线的电阻值；

电压施加部，该电压施加部对上述布线施加电压；

控制部，该控制部对上述电压施加部进行控制；以及

红外线摄像机，该红外线摄像机从因受上述控制部控制的电压施加而发热的半导体基板检测出红外线，

上述控制部基于通过上述数据读取部所读取的电阻值，来控制用于上述发热的施加电压的电压值。

根据上述结构，将基于预先测定的布线的电阻值所确定的电压施加于半导体基板（泄漏缺陷基板），由此使该半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量固定，从而能利用红外摄像机通过红外线检查来可靠地确认温度上升，并且能确定短路部。此外，不会由于施加电压过高而导致缺陷部烧断，因此能够稳定地确定短路部。

此外，由于电阻测定在其他装置中实施，因此能将电阻测定与红外线摄像机拍摄并行地进行动作，从而能提高处理能力。

另外，为了解决上述问题，本发明所涉及的布线缺陷检查装置的特征在于，包括：

电压施加部，该电压施加部对设置在半导体基板上的布线施加电压；

电阻测定部，该电阻测定部测定上述布线的电阻值；

控制部，该控制部对上述电压施加部进行控制；以及

红外线摄像机，该红外线摄像机从因受上述控制部控制的电压施加而发热的半导体基板检测出红外线，

上述控制部基于上述电阻测定部所测定的电阻值，来控制用于上述发热的施加电压的电压值。

根据上述结构，将基于预先由电阻检查获取的电阻值所确定的电压施加于半导体基板（泄漏缺陷基板），由此使该半导体基板（泄漏缺陷基板）的发热量固定，从而能利用红外摄像机通过红外线检查来可靠地确认温度上升，并且能确定短路部。此外，不会由于施加电压过高而导致缺陷部烧断，因此能够稳定地确定短路部。

并且，由布线缺陷检查装置自身测定布线的电阻值，因此无需另外的测定电阻值的装置，因此能减少装置数量。

此外，本发明所涉及的半导体基板的制造方法的特征在于，包括：半导体基板形成工序，该导体基板形成工序在基板上形成栅极电极、源极电极以及漏极电极中的至少一个电极、与该至少一个电极相连接的布线、以及半导体膜，从而形成具有该布线的半导体基板；

电阻值测定工序，该电阻值测定工序通过对设置在上述半导体基板上的上述布线的电阻值进行测定，来判定是否存在布线短路部；

发热工序，该发热工序对在上述电阻值测定工序中被判定为具有上述布线短路部的半导体基板的包含该布线短路部的短路路径，施加基于由该电阻值测定工序所测定到的电阻值而确定的电压，从而使该短路路径发热；以及

位置确定工序，该位置确定工序利用红外线摄像机拍摄上述发热工序中发热的短路路径，并基于该拍摄的信息来确定上述布线短路部的位置。

工业上的实用性

本发明能使用于液晶面板等具有布线的半导体基板的布线状态的检查。

标号说明

1  母基板（半导体基板）

2  液晶面板（半导体基板）

3  探头

4  探头移动单元

5a、5b  红外摄像机

6  摄像机移动单元

7  主控制部（控制部）

8  电阻测定部

9  电压施加部

10  数据存储部

11  对位平台

12、16  光学摄像机

13a、13b、13c、13d、13e、13f  导轨

14a、14b、14d、14d  安装部

17  像素

18  驱动电路部

19a、19b、19c、19d  端子部

21a、21b、21c、21d  探头部

23  缺陷部（布线短路部）

30、40a、40b  共用线

31、32、33、34、35  扫描线

31p、32p、33p、34p、35p  扫描线引出线

41、42、43、44、45  信号线

41p、42p、43p、44p、45p  信号线引出线

50  短路部位

100  布线缺陷检查装置

Claims (7)

1.一种布线缺陷检查方法，其特征在于，包括：

电阻值测定工序，该电阻值测定工序通过对设置在半导体基板上的布线的电阻值进行测定，来判定是否存在布线短路部；

发热工序，该发热工序对在所述电阻值测定工序中被判定为具有所述布线短路部的半导体基板的包含该布线短路部的短路路径，施加基于由该电阻值测定工序所测定到的电阻值而确定的电压，从而使该短路路径发热；以及

位置确定工序，该位置确定工序利用红外线摄像机拍摄所述发热工序中发热的短路路径，并基于该拍摄的信息来确定所述布线短路部的位置。

2.如权利要求1所述的布线缺陷检查方法，其特征在于，

所述电阻值越大，所述发热工序中施加在所述布线上的所述电压越高。

3.如权利要求2所述的布线缺陷检查方法，其特征在于，

所述发热工序中施加在所述布线上的所述电压的电压值与所述电阻值的平方根成正比。

4.如权利要求2所述的布线缺陷检查方法，其特征在于，

所述发热工序中施加在所述布线上的所述电压的电压值与所述电阻值成正比。

5.一种布线缺陷检查装置，其特征在于，包括：

数据读取部，该数据读取部读取预先测定的设置在半导体基板上的布线的电阻值；

电压施加部，该电压施加部对所述布线施加电压；

控制部，该控制部对所述电压施加部进行控制；以及

红外线摄像机，该红外线摄像机从因受所述控制部控制的电压施加而发热的半导体基板检测出红外线，

所述控制部基于所述数据读取部所读取的电阻值，来控制用于所述发热的施加电压的电压值。

6.一种布线缺陷检查装置，其特征在于，包括：

电压施加部，该电压施加部对设置在半导体基板上的布线施加电压；

电阻测定部，该电阻测定部测定所述布线的电阻值；

控制部，该控制部对所述电压施加部进行控制；以及

红外线摄像机，该红外线摄像机从因受所述控制部控制的电压施加而发热的半导体基板检测出红外线，

所述控制部基于所述电阻测定部所测定的电阻值，来控制用于所述发热的施加电压的电压值。

7.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：

半导体基板形成工序，该半导体基板形成工序在基板上形成栅极电极、源极电极以及漏极电极中的至少一个电极、与该至少一个电极相连接的布线、以及半导体膜，从而形成具有该布线的半导体基板；

电阻值测定工序，该电阻值测定工序通过对设置在所述半导体基板上的所述布线的电阻值进行测定，来判定是否存在布线短路部；

发热工序，该发热工序对在所述电阻值测定工序中被判定为具有所述布线短路部的半导体基板的包含该布线短路部的短路路径，施加基于由该电阻值测定工序所测定到的电阻值而确定的电压，从而使该短路路径发热；以及

位置确定工序，该位置确定工序利用红外线摄像机拍摄所述发热工序中发热的短路路径，并基于该拍摄的信息来确定所述布线短路部的位置。

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