CN102903837B - 发光器件封装件及包括其的照明系统 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光器件封装件及一种照明系统。发光器件封装件包括：本体；在本体的第一区域中的第一腔；在本体的第二区域中的第二腔；在第一腔中的彼此间隔开的第一引线框和第二引线框；在第二腔中的与第二引线框间隔开的第三引线框；在第一腔中的第一引线框和第二引线框上的第一发光器件；在第二腔中的第二引线框和第三引线框上的第二发光器件；以及在第一腔和第二腔中的模制构件。

Description

发光器件封装件及包括其的照明系统
技术领域
实施方案涉及一种发光器件封装件及一种包括其的照明系统。
背景技术
发光器件如发光二极管(LED)是将电能转换为光的半导体器件，并且广泛地用作替代传统荧光灯和白炽灯的下一代光源。
由于LED通过使用半导体器件来产生光，所以与通过加热钨来产生光的白炽灯或与通过激发经高电压放电产生的紫外线与荧光物质碰撞来产生光的荧光灯相比，LED可以表现出低的功耗。
此外，LED通过使用半导体器件的势能间隙来产生光，所以与传统光源相比，LED在寿命、响应速度、安全性以及环保方面是有利的。
关于这一点，已经进行了各种研究来使用LED替代传统光源。LED越来越多地用作照明装置如各种室内用灯和户外用灯、液晶显示器、电子广告牌以及街灯等的光源。
发明内容
实施方案提供了一种包括发光器件的发光器件封装件以及一种包括其的照明系统，其中发光器件倒装接合(flip-bonded)至形成在本体的不同区域处的腔的底部。
实施方案提供了一种发光器件封装件以及一种包括其的照明系统，其中多个引线框设置在多个腔中并且发光器件倒装接合至设置在腔的底部上的引线框。
根据实施方案的发光器件封装件包括：本体；在本体的第一区域中的第一腔；在本体的第二区域中的第二腔；在第一腔中的彼此间隔开的第一引线框和第二引线框；在第二腔中的与第二引线框间隔开的第三引线框；在第一腔中的在第一引线框和第二引线框上的第一发光器件；在第二腔中的在第二引线框和第三引线框上的第二发光器件；以及在第一腔和第二腔中的模制构件。
根据实施方案的发光器件封装件包括：本体；在本体的第一区域中的第一腔；在本体的第二区域中的第二腔；在第一腔的底表面上的第一引线框和第二引线框；在第二腔的底表面上的第三引线框和第四引线框；在第一腔中的倒装接合至第一引线框和第二引线框的第一发光器件；在第二腔中的倒装接合至第三引线框和第四引线框的第二发光器件；以及在第一腔和第二腔中的模制构件。
根据实施方案的照明系统包括：多个发光器件封装件；以及其中排列有发光器件封装件的模块衬底。各个发光器件封装件包括：本体；在本体的第一区域中的第一腔；在本体的第二区域中的第二腔；在第一腔的底表面上的第一引线框和第二引线框；在第二腔的底表面上的第三引线框和第四引线框；在第一腔中的倒装接合至第一引线框和第二引线框的第一发光器件；在第二腔中的倒装接合至第三引线框和第四引线框的第二发光器件；以及在第一腔和第二腔中的模制构件。
附图说明
图1是示出根据实施方案的发光器件封装件的立体图；
图2是图1所示的发光器件封装件的俯视图；
图3是示出连接至图1所示的发光器件封装件的引线框的发光器件的俯视图；
图4是示出图1的发光器件封装件的下部视图；
图5是示出图1的发光器件封装件的侧视截面图；
图6是示出根据实施方案的具有透镜的图1的发光器件封装件的侧视截面图；
图7是示出根据另一实施方案的发光器件封装件的引线框的立体图；
图8是根据实施方案的多个发光器件的电路图；
图9是示出根据第二实施方案的发光器件封装件的立体图；
图10是图9所示的发光器件封装件的侧视截面图；
图11是示出根据第三实施方案的发光器件封装件的俯视图；
图12是图11所示的发光器件封装件的俯视图，示出引线框、发光器件以及保护器件的布置；
图13是示出根据实施方案的发光器件封装件的发光器件的一个示例的截面图；
图14是设置有发光器件的显示装置的分解立体图；
图15是示出设置有发光器件的显示装置的另一示例的示意性截面图；以及
图16是设置有发光器件的照明装置的立体图。
具体实施方式
下文中，将参考附图详细描述实施方案，使得本发明所属领域的普通技术人员可以容易地实施本发明的实施方案。在实施方案的描述中，应当理解：在层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘或另一图案“上”或“下”，其可以“直接”或“间接”地在该另一衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上或下，或者也可以存在一个或更多个中间层。将参考附图来描述层的这种位置。
为了方便和清楚，可以放大、省略或示意性地绘出附图所示的各个层的厚度和尺寸。此外，元件的尺寸并没有完全反映其真实尺寸。在附图中，相同的附图标记用于指代相同的元件。下文中，将参考附图描述根据实施方案的发光器件封装件。
图1是示出根据实施方案的发光器件封装件的立体图，图2是图1所示的发光器件封装件的俯视图，图3是示出连接至图1所示的发光器件封装件的引线框的发光器件的俯视图，图4是示出图1的发光器件封装件的下部视图，图5是示出图1的发光器件封装件的侧视截面图。
参考图1至图5，发光器件封装件100包括：本体110、形成在本体110的第一区域处的第一腔125、形成在本体110的第二区域处的第二腔135、设置在本体110中的具有第一引线框121、第二引线框131和第三引线框141的多个引线框、以及第一发光器件151和第二发光器件152。
本体110包括绝缘材料或导电材料。例如，本体110包括树脂材料如PPA(聚邻苯二甲酰胺)、Si基材料、金属材料、PSG(感光玻璃)、Al2O3以及PCB中的至少一种。本体110可以包括具有高反射率的树脂材料如PPA(聚邻苯二甲酰胺)。
本体110可以通过使用具有导电性的材料形成。在这种情况下，本体110的表面上形成有绝缘层(未示出)，以防止本体110与第一引线框121、第二引线框131以及第三引线框141之间的电短路。在从顶部观察时，根据发光器件封装件100的应用和设计，本体110可以具有各种外部形状如三角形、长方形、多边形以及圆形。
本体110包括多个侧面111至114，其中侧面111至114中的至少一个是相对于本体110的下表面垂直的或倾斜的。本体110的侧面111至114可以是相对于本体110的下表面垂直的或倾斜的，并且第一侧面111和第二侧面112的宽度可以不同于第三侧面113和第四侧面114的宽度。第一侧面111和第二侧面112的宽度可以对应于第三侧面113与第四侧面114之间的距离，并且第三侧面113和第四侧面114的宽度可以对应于第一侧面111与第二侧面112之间的距离。本体110具有多边形结构如六面体结构，但是实施方案不限于此。
本体110的上部116形成有由第一腔125的上部限定的第一区域和由第二腔135的上部限定的第二区域，并且光经由第一区域和第二区域发出。
第一腔125和第二腔135设置在本体110的顶表面与下表面之间。
第一腔125和第二腔135设置在本体110中的不同的区域处，并且从本体110的顶表面向下凹陷，使得第一腔125和第二腔135具有杯形或凹陷形状。第一腔125的侧面是相对于第一腔125的底表面倾斜的或垂直的。在第一腔125的侧面中，两个相反的侧面可以以相同或不同的角度倾斜。
第一腔125的中心可以沿着发光器件封装件的长度方向与第二腔135的中心成直线对准。
如图1和图2所示，第二引线框131的第一部分132和第一引线框121设置在第一腔125中，同时彼此间隔开。第二引线框131的第一部分132和第一引线框121设置在第一腔125的底表面上作为散热部。如图2所示，第一分离部126使设置在第一腔125的底表面上的第二引线框131的第一部分132与第一引线框121彼此分离。第二引线框131的第一部分132和第一引线框121可以构成第一腔125的结构。第一分离部126形成在第一腔125的底表面和侧面上。
第二引线框131的第二部分134和第三引线框141设置在第二腔135中，同时彼此间隔开。第二引线框131的第二部分134和第三引线框141设置在第二腔135的底表面上作为散热部。如图2所示，第二分离部136使设置在第二腔135的底表面上的第二引线框131的第二部分134与第三引线框141分离。第二引线框131的第二部分134和第三引线框141可以构成第二腔135的结构。第二分离部136设置在第二腔135的底表面和侧面上。
第一分离部126和第二分离部136可以通过使用绝缘材料形成。例如，第一分离部126和第二分离部136可以通过使用与本体110相同的材料形成，但是实施方案不限于此。第一分离部126和第二分离部136可以具有相同的宽度。
参考图3，第二引线框131设置在第一引线框121与第三引线框141之间。第一引线框121的长度D2可以等于第三引线框141的长度D4并且小于第二引线框131的长度D3。在以下描述中，长度方向指的是经过第一腔125的中心和第二腔135的中心延伸的方向，或沿着发光器件封装件的长侧延伸的方向。此外，宽度方向是指垂直于长度方向延伸的方向，或沿着发光器件封装件的短侧延伸的方向。
第一引线框121、第二引线框131以及第三引线框141可以具有相同的宽度D1。
第一引线框121、第二引线框131以及第三引线框141的厚度在约0.15mm到约0.3mm的范围内。因为在第一腔125中的第一引线框121和第二引线框131、以及在第二腔135中的第二引线框131和第三引线框141分别直接连接至发光器件151和152，所以可以提高散热效率。第一引线框121、第二引线框131以及第三引线框141包括导电金属材料。例如，第一引线框121、第二引线框131以及第三引线框141可以包括选自Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P以及其合金中的至少一种。此外，第一引线框121、第二引线框131以及第三引线框141可以由同质金属层或异质金属层形成，但是实施方案不限于此。
参考图3和图5，第一引线框121的上部121A和第三引线框141的上部141A向腔125的外面和腔135的外部弯曲，并且在本体110的顶表面与下表面之间设置为靠近本体110的顶表面而不是靠近本体110的下表面。第一引线框121的上部121A在本体110的第一侧面111的下部处朝向本体110的第一侧面111弯曲，第三引线框141的上部141A在本体110的第二侧面112的下部处朝向与本体110的第一侧面111相反的本体110的第二侧面112弯曲。此外，第一引线框121、第二引线框131以及第三引线框141的其它部分可以通过本体110的至少一个侧面选择性地暴露。
设置在第一引线框121与第二引线框131之间的第一分离区域126A的间距可以等于或不同于设置在第二引线框131与第三引线框141之间的第二分离区域136A的间距。
第一分离区域126A和第二分离区域136A的长度可以等于第一引线框121、第二引线框131以及第三引线框141的宽度D1。
第二引线框131的连接部133将第二引线框131的第一部分132连接至第二引线框131的第二部分134。如图5所示，连接部133可以设置在本体110中或在本体110的顶表面上暴露出。
参考图4至图5，第一腔125的底表面与本体110的下表面115沿着同一平面对准。在第一腔125的底表面处，第一引线框121通过第一分离部126与第二引线框131的第一部分132间隔开。第二腔135的底表面与本体110的下表面115在同一平面上对准。在第二腔135的底表面处，第三引线框141通过第二分离部136与第二引线框131的第二部分134间隔开。
第一腔125中设置有至少一个第一发光器件151，并且发光器件151通过倒装方案接合至第一腔125的底表面。第一发光器件151可以通过粘附构件如钎料或导电构件接合至第二引线框131的第一部分132和第一引线框121而不使用另外的导线。第一腔125可以具有相对于穿过第一发光器件151的中心延伸的线对称的结构。此外，第一腔125可以具有点对称结构或不对称结构。
第二腔135中设置有至少一个发光器件152，并且发光器件152接合至第二腔135的底表面。第二发光器件152可以焊接至第二引线框131的第二部分134和第三引线框141而不使用另外的导线。发光器件151和152可以分别设置在腔125和135的中心处。第二腔135可以具有相对于穿过第二发光器件152的中心延伸的线对称的结构。此外，第二腔135可以具有点对称结构或不对称结构。
因为第一发光器件151和第二发光器件152分别倒装接合在第一腔125和第二腔135中，所以在第一腔125和第二腔135中可以省略引线接合所需的空间。此外，因为第一发光器件151接合在第一腔125中并且第二发光器件152接合在第二腔135中，所以不必在本体110上设置引线接合所需的另外的引线框。此外，由于省略了引线，所以可以更多地减小发光器件封装件的厚度。
第一发光器件151和第二发光器件152可以选择性地发出具有在紫外光波段到可见光波段的范围内的波段的光。此外，第一发光器件151和第二发光器件152可以发出具有相同峰值波长或不同峰值波长的光。第一发光器件151和第二发光器件152可以包括使用III-V族化合物半导体的LED芯片。例如，第一发光器件151和第二发光器件152可以包括UV(紫外)LED芯片、蓝光LED芯片、绿光LED芯片、白光LED芯片以及红光LED芯片中的至少一种。
参考图5，第一腔125中形成有第一模制构件161，第二腔135中形成有第二模制构件162。第一模制构件161和第二模制构件162由包括有硅材料或环氧材料的透明树脂层形成。第一模制构件161和第二模制构件162可以形成为直至本体110的上部区域。第一模制构件161和第二模制构件162可以包括磷光体以改变从第一发光器件151和第二发光器件152发出的光的波长。通过从第一发光器件151和第二发光器件152发出的光的一部分激发磷光体，使得可以改变光的波长。
例如，如果第一发光器件151和第二发光器件152是蓝光LED并且磷光体为黄色磷光体，则通过用蓝光激发黄色磷光体，使得可以产生白光。如果第一发光器件151和第二发光器件152发出UV光，则可以在第一模制构件161和第二模制构件162中添加红色磷光体、绿色磷光体以及蓝色磷光体，以产生白光。可以在第一模制构件161和第二模制构件162中添加相同类型或不同类型的磷光体，但是实施方案不限于此。
如图6所示，本体110上可以形成有透镜170。透镜可以包括凹透镜和/或凸透镜，并且可以调节从发光器件封装件100发出的光的分布。此外，透镜的中心处可以具有凹陷结构，并且在与发光器件151和152对应的区域处具有凸出结构。此外，透镜170的顶表面的中心处可以设置有凹陷部171，但是实施方案不限于此。
图7是示出根据另一实施方案的发光器件封装件的引线框的立体图。
参考图7，发光器件封装件包括具有相同长度L1的第一引线框122和第二引线框123。第一引线框122和第二引线框123在第一腔125和第二腔135中通过分离部件127彼此间隔开。第一引线框122的侧宽度D5大于第二引线框123的侧宽度D6。第一引线框122的上部122A和第二引线框123的上部123A彼此相反弯曲。
分离部件127沿着第一引线框122和第二引线框123经由第一腔125和第二腔135的底表面纵向延伸。
参考图8，图1所示的发光器件封装件的第一发光器件151和第二发光器件152相互串联连接(见图8中的(A))，图7所示的发光器件封装件的第一发光器件151和第二发光器件152相互并联连接(见图8中的(B))。第一发光器件151和第二发光器件152可以给阳极A和阴极C供电。
图9是示出根据第二实施方案的发光器件封装件的立体图，图10是图9所示的发光器件封装件的侧视截面图。在以下关于第二实施方案的描述中，为了避免冗余，可以不详细解释已经在第一实施方案中描述过的元件和结构。
参考图9，发光器件封装件100包括本体110、形成在本体110的第一区域处的第一腔125、形成在本体110的第二区域处的第二腔135、设置在本体110中的第一引线框121、第二引线框131和第三引线框141、以及第一发光器件151和第二发光器件152。
第一引线框121包括第一引线部121B。第一引线部121B可以在本体110的第一侧面111的下部处朝向本体110的第一侧面111突起。
第三引线框141包括第二引线部141B。第二引线部141B可以在本体110的第二侧面112的下部处朝向本体110的第二侧面112突起。
参考图10，设置在第一引线框121与第二引线框131之间的第一分离部126的下表面的宽度大于第一分离部126的顶表面的宽度。因此，第一引线框121和第二引线框131通过第一分离部126相互支撑。
设置在第二引线框131与第三引线框141之间的第二分离部136的下表面的宽度大于第二分离部136的顶表面的宽度，因此，第二引线框131和第三引线框141可以通过第二分离部136相互支撑。第一分离部126和第二分离部136可以通过使用与本体110的材料相同的材料形成，或通过使用不同于本体110的材料的粘附材料形成，但是实施方案不限于此。
第一引线框121的第一端128和第二引线框131的第一端138可以具有梯级结构。梯级结构可以增加与第一分离部126的接触面积。此外，第一引线框121的第一端128和第二引线框131的第一端138的梯级结构的表面上形成有凹凸图案P1和P2，以增加与第一分离部126的接触面积，使得可以抑制湿气渗入。
第二引线框131的第二端139和第三引线框141的第一端148可以具有梯级结构。梯级结构可以增加与第二分离部136的接触面积。此外，第二引线框131的第二端139和第三引线框141的第一端148的梯级结构上形成有凹凸图案P3和P4，以增加与第二分离部136的接触面积，使得可以抑制湿气渗入。
图11示出根据第三实施方案的发光器件封装件的俯视图，图12是图11所示的发光器件封装件的俯视图，示出引线框、发光器件以及保护器件的布置。
参考图11和图12，发光器件封装件包括本体110、形成在本体110的第一区域处的第一腔125、形成在本体110的第二区域处的第二腔135、设置在本体110中的第一引线框121、第二引线框131和第三引线框141、以及第一发光器件151和第二发光器件152。
第一引线框121通过连接框130连接至第三引线框141。连接框130设置在第二引线框131与本体110的第三侧面113之间。
连接框130与第二引线框131的连接部133之间设置有保护器件153。保护器件153设置在以预定深度形成在本体110的顶表面上的第三腔145中。第三腔145的深度小于第一腔125和第二腔135的深度。例如，第三腔145的深度在50μm到200μm的范围内。
保护器件153可以选择性地包括齐纳二极管、晶闸管或TVS(瞬态电压抑制)二极管。
第一分离部126与第二分离部136之间的间隔可以等于或大于连接框130与第二引线框131的连接部133之间的间隔，但是实施方案不限于此。
第一腔125和第二腔135中设置有包括磷光体的模制构件，第三腔145中设置有不含磷光体的模制构件。
尽管实施方案公开了腔是由两个或三个框来限定的，并且发光器件倒装接合在腔中，但是实施方案不限于此。例如，发光器件可以倒装接合在至少三个腔中。
图13是示出根据实施方案的发光器件封装件的发光器件的一个示例的截面图。
参考图13，第一发光器件151和第二发光器件152中的每一个发包括衬底51、第一半导体层53、第一导电半导体55、有源层57、第二导电半导体层59、反射电极层71、绝缘层73、第一电极75、第二电极77、第一连接电极81、第二连接电极83以及支撑构件91。
衬底51可以包括透射衬底、绝缘衬底或导电衬底。例如衬底51可以包括Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge以及Ga2O3中的至少一种。衬底的一个侧面处可以形成有光提取结构如凹凸图案。凹凸图案可以通过蚀刻衬底形成，或者可以形成另外的图案如粗糙结构。凹凸图案可以具有条形或凸透镜形。衬底51用作生长半导体层的生长衬底。
可以通过使用II-VI族或III-V族化合物半导体在衬底51下形成第一半导体层53。具体地，第一半导体层53可以通过使用II-VI族或III-V族化合物半导体形成为单层或多层。例如，第一半导体层53可以包括含有III-V族化合半导体如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN或AlInN的半导体层。第一半导体层53可以通过使用氧化物如ZnO形成，但是实施方案不限于此。
第一半导体层53可以由缓冲层形成。缓冲层可以减小衬底与氮化物半导体层之间的晶格失配。
第一半导体层53可以由未掺杂半导体层形成。未掺杂半导体层可以通过使用III-V族化合物半导体如GaN基半导体来形成。即使在制造期间没有有意地掺杂导电掺杂剂，未掺杂半导体层仍然具有第一导电性能。未掺杂半导体层的浓度小于第一导电半导体层55的导电掺杂剂的浓度。
第一半导体层53可以由缓冲层和未掺杂半导体层中的至少一种形成，但是实施方案不限于此。
发光结构60形成在第一半导体层53下，发光结构60可以包括具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的III-V族化合物半导体，并且可以发出具有在紫外光波段与可见光波段之间的范围内的预定峰值波长的光。
发光结构60包括第一导电半导体层55、第二导电半导体层59以及介于第一导电半导体层55与第二导电半导体层59之间的有源层57。
第一导电半导体层55形成在第一半导体层53下。第一导电半导体层55通过使用掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族化合物半导体来形成。第一导电半导体层55是N型半导体层，并且第一导电掺杂剂包括N型掺杂剂如Si、Ge、Se或Te。
第一导电半导体层55与第一半导体层53之间可以设置有其中异质半导体层交替地堆叠的超晶格结构。超晶格结构可以减小晶体缺陷。超晶格结构中的各个层可以具有约几或更大的厚度。
第一导电半导体层55与有源层57之间可以形成有第一导电覆层。第一导电覆层可以包括GaN基半导体。第一导电覆层的能带隙等于或大于有源层57的能带隙。第一导电覆层可以限制载流子。
有源层57形成在第一导电半导体层55下。有源层57可以选择性地包括单量子阱结构、多量子阱结构(MQW)、量子点结构或量子线结构。有源层57可以具有阱层/势垒层的堆叠结构。阱层可以具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，势垒层可以具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。
阱层/势垒层的堆叠结构可以通过使用InGaN/GaN、AlGaN/GaN、InGaN/AlGaN或InGaN/InGaN的堆叠结构重复至少一次。势垒层可以包括能带隙大于阱层的能带隙的半导体材料。
第二导电半导体层59形成在有源层57下。第二导电半导体层59可以包括掺杂有第二导电掺杂剂的半导体。例如，第二导电半导体层59可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN以及AlInN中的至少一种。第二导电半导体层59是P型半导体层，第二导电掺杂剂是P型掺杂剂如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
第二导电半导体层59可以包括超晶格结构如InGaN/GaN超晶格结构或者AlGaN/GaN超晶格结构。第二导电半导体层59的超晶格结构扩展异常地包括在电压中的电流，以保护有源层57。
第一导电半导体层55可以由P型半导体层形成，第二导电半导体层59可以由N型半导体层形成。此外，第二导电半导体层59上可以形成极性与第二导电半导体层59的极性相反的第三导电半导体层。
在发光器件151和152中，第一导电半导体层55、有源层57以及第二导电半导体层59可以构成发光结构60。发光结构60可以具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的一种。在这种情况下，“N”与“P”分别表示N型半导体层和P型半导体层，并且“-”表示P型半导体层直接或间接连接至N型半导体层的结构。为了便于解释，将基于第二导电半导体层59用作发光结构的最上层的假设进行以下描述。
反射电极层71形成在第二导电半导体层59下。反射电极层71包括欧姆接触层、反射层、扩散阻挡层以及保护层中的至少一种。
反射电极层71可以具有欧姆接触层/反射层/扩散阻挡层/保护层的结构、反射层/扩散阻挡层/保护层的结构、欧姆接触层/反射层/保护层的结构、反射层/扩散阻挡层的结构或反射层的结构。
欧姆接触层与第二导电半导体层59的下表面接触。欧姆接触层与第二导电半导体层59之间的接触面积等于或大于第二导电半导体层59的下部面积的70％。欧姆接触层可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、SnO、InO、InZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Ni、Cr、其化合物以及其合金中的一种。欧姆接触层可以由至少一个层形成。欧姆接触层可以具有约到的厚度。
反射层形成在欧姆接触层下。反射层可以包括反射率等于或大于70％的材料。例如，反射层可以包括选自Al、Ag、Ru、Pd、Rh、Pt、Ir以及具有至少两种上述元素的合金中的一种。反射层可以与第二导电半导体层59的下表面欧姆接触。在这种情况下，可以省略欧姆接触层。反射层可以具有约到的厚度。
保护层可以包括选自Au、Cu、Hf、Ni、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及具有至少两种上述元素的合金中的一种。保护层可以具有约到的厚度。
反射电极层71可以具有透射电极层/反射层的堆叠结构。透射电极层可以包括选自ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、SnO、InO、InZnO、ZnO、IrOx以及RuOx中的一种。反射层形成在透射电极层下。反射层包括堆叠结构，其中交替地堆叠至少两对具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层。第一折射率不同于第二折射率，第一层和第二层可以包括折射率在约1.5到2.4的范围内的材料。例如，第一层和第二层可以包括导电材料或绝缘材料以形成DBR(分布式布拉格反射)结构。
第二导电半导体层59和反射电极层71中的至少一个上可以形成有光提取结构如粗糙结构。光提取结构可以改变入射光的临界角，从而提高光提取效率。
第一电极75形成在第一导电半导体层55的区域下，第二电极77形成在反射电极层71的区域下。第一连接电极81形成在第一电极75下，第二连接电极83形成在第二电极77下。
第一电极75电连接至第一导电半导体层55的区域。第一电极75可以包括电极焊盘，但是实施方案不限于此。
第一电极75与第二导电半导体层59的侧面和有源层57间隔开，并且其面积小于第一导电半导体层55的区域的面积。
第二电极77通过反射电极层71与第二导电半导体层59物理接触和/或电接触。第二电极77可以包括电极焊盘。
第一电极75和第二电极77中的每一个可以包括粘附层、反射层、扩散阻挡层以及接合层中的至少一个。粘附层与第一导电半导体层55的区域的下表面欧姆接触，并且包括选自Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf以及其合金中的一种。粘附层可以具有约到的厚度。反射层形成在粘附层下，并且包括选自Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd以及其合金中的一种。反射层可以具有约到的厚度。扩散层形成在反射层下，并且包括选自Ni、Mo、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及其合金中的一种。扩散层可以具有约到的厚度。接合层接合至第一连接电极81，并且包括选自Al、Ru、Rh、Pt以及其合金中的一种。接合层可以具有约到的厚度。
第一电极75和第二电极77可以具有相同或不同的堆叠结构。例如，第二电极77的堆叠结构可以小于第一电极75的堆叠结构。具体地，第一电极75可以具有粘附层/反射层/扩散阻挡层/接合层的堆叠结构或粘附层/扩散阻挡层/接合层的堆叠结构，第二电极77可以具有粘附层/反射层/扩散阻挡层/接合层的堆叠结构或粘附层/扩散阻挡层/接合层的堆叠结构。
第二电极77的顶表面的面积等于反射电极层71的下表面的面积或者大于第二连接电极83的顶表面的面积。
第一电极75与第二电极77中的至少一个设置有电流扩展图案如从电极焊盘分支的臂状结构或指状结构。此外，第一电极75和第二电极77可以具有一个电极焊盘或更多个电极焊盘，但是实施方案不限于此。
第一连接电极81和第二连接电极83具有引线功能以供电和提供散热路径。第一连接电极81和第二连接电极83具有柱形状如球柱形状、圆柱形状或多角柱形状或随机形状。多角柱形状可以具有等角结构或非等角结构，但是实施方案不限于此。第一连接电极81和第二连接电极83的下表面的面积等于或不同于第一连接电极81和第二连接电极83的顶表面的面积。例如，第一连接电极81和第二连接电极83的下表面可以小于或大于第一连接电极81和第二连接电极83的顶表面。
第一连接电极81和第二连接电极83中的至少一个的宽度可以小于发光结构60的下表面的宽度，并且大于电极75和77中的每一个的直径或下表面的宽度。
第一连接电极81和第二连接电极83可以具有在1μm到100000μm的范围内的直径或宽度以及在1μm到100000μm的范围内的高度。此外，第一连接电极81的厚度H1大于第二连接电极83的厚度H2，并且第一连接电极81和第二连接电极83沿着同一平面(即，水平面)对准。
第一连接电极81和第二连接电极83可以通过使用一种金属或合金由单层形成。在这种情况下，该单层可以具有在1μm到100000μm的范围内的宽度和高度。具体地，该单层的厚度大于第二连接电极83的厚度。
第一连接电极81和第二连接电极83可以包括选自Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W以及其合金中的一种。可以使用In、Sn、Ni、Cu以及其合金中的一种来镀覆第一连接电极81和第二连接电极83，以提高相对于第一电极75和第二电极77的粘附强度。优选地，镀覆厚度在1μm到100000μm的范围之内。
第一连接电极81和第二连接电极83上可以形成有镀覆层。镀覆层可以通过使用Sn、Sn合金、Ni、Ni合金或Sn-Ag-Cu形成为约0.5μm到10μm的厚度。镀覆层可以提高与其它接合层的粘附强度。
绝缘层73形成在发射电极层71下。绝缘层73可以形成在第二导电半导体层59的下表面上、有源层57和第二导电半导体层59的侧面上、以及第一导电半导体层55的区域的下表面上。绝缘层73形成在除了用于反射电极层71、第一电极75以及第二电极77的区域之外的发光结构60的下部上，以电保护发光结构60的下部。
绝缘层73可以包括如下绝缘树脂或绝缘材料，其包含具有Al、Cr、Si、Ti、Zn以及Zr中的至少一种的氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物中的至少一种。例如，绝缘层73可以包括选自SiO2、Si3N4、Al2O3以及TiO2中的一种。此外，绝缘层73可以形成为单层或多层，但是实施方案不限于此。在出于倒装接合的目的在发光结构60下形成金属结构时，绝缘层73可以防止发光结构60的各层之间的电短路。
绝缘结构73不形成在反射电极层71的下表面上而只形成在发光结构60上。因为绝缘支撑构件91形成在反射电极层71的下表面上，所以绝缘层73可以不延伸到反射电极层71的下表面。
绝缘层73可以具有DBR结构，其中交替地堆叠有第一层和折射率与第一层的折射率不同的第二层。第一层可以包括SiO2、Si3N4、Al2O3以及TiO2中的一种，第二层可以包括除第一层的材料之外的材料。在这种情况下，可以省略反射电极层。
绝缘层73具有在约到的范围内的厚度。如果绝缘层73具有多层结构，则各个层可以具有在约到或到的范围内的厚度。取决于发光波长的光的反射效率可以依赖于具有多层结构的绝缘层73的各个层的厚度来变化。
第一连接电极81和第二连接电极83可以包括选自Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W以及以其合金中的一种。此外，第一连接电极81和第二连接电极83可以包括镀覆层，以提高与第二电极77的粘附强度。在这种情况下，镀覆层可以包括In、Sn、Ni、Cu以及其合金，并且具有在到的范围内的厚度。第一连接电极81和第二连接电极83可以用作焊球或金属凸点，但是实施方案不限于此。
支撑构件91用作支撑发光器件151和152的支撑层。支撑构件91由包括树脂的绝缘材料如硅树脂或环氧树脂制成。此外，绝缘材料可以包括糊状墨或绝缘墨。绝缘材料可以包括选自聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基醚树脂(PPE)、聚苯醚树脂(PPO)、聚苯硫醚树脂、氰酸酯树脂、苯并环丁烯树脂(BCB)、聚酰胺-胺型(PAMAM)树状物、聚亚丙基亚胺树状物(PPI)、具有PAMAM内部结构和OS外部结构的PAMAM-OS(有机硅)以及其组合中的树脂。支撑构件91可以包括与绝缘层73的材料不同的材料。
可以对支撑构件91添加化合物例如具有Al、Cr、Si、Ti、Zn或Zr中的至少一种的氧化物、氮化物、氟化物以及硫化物中的至少一种。添加到支撑构件91中的化合物可以是散热体。散热体可以由具有预定尺寸的粉粒、颗粒、填料或添加剂形成，为了便于解释，将称其为散热体。散热体可以具有绝缘性能或导电性能，并且具有在到的范围内的尺寸。优选地，散热体具有在到的范围内的尺寸，以提高散热效率。散热体可以具有球形颗粒形状或随机的颗粒形状，但是实施方案不限于此。
散热体可以包括陶瓷材料。陶瓷材料包括选自LTCC(低温共烧陶瓷)、HTCC(高温共烧陶瓷)、氧化铝、石英、锆酸钙、镁橄榄石、SiC、石墨、熔融石英、莫来石、堇青石、氧化锆、氧化铍以及氮化铝中的至少一种。陶瓷材料可以包括热导率相对高于一般氮化物和氧化物的热导率的金属氮化物。金属氮化物包括热导率等于或大于140W/mK的材料。陶瓷材料可以包括陶瓷基材料如SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、BN、Si3N4、SiC(SiC-BeO)、BeO、CeO以及AlN。导热材料可以包括C(金刚石或CNT)组分。
支撑构件91可以形成为单层或多层，但是实施方案不限于此。支撑构件91中设置有陶瓷粉末，因此可以增加支撑构件91的强度和热导率。
此外，支撑构件91中可以包含1wt％到99wt％的散热体。具体地，支撑构件91中可以包含50wt％到99wt％的散热体，以提高散热效率。因为散热体包含在支撑构件91中，所以可以提高内部导热率。支撑构件91具有4×106/℃至11×106/℃的热膨胀系数。上述热膨胀系数等于或近似于衬底51如蓝宝石衬底的热膨胀系数，因此，可以防止由晶片与发光结构60之间的热膨胀系数的不同而引起的晶片的弯曲和破坏，从而防止发光器件可靠性的降低。
支撑构件91的下表面的面积基本上等于衬底51的顶表面的面积。支撑构件91的下表面的面积等于第一导电半导体层55的顶表面的面积。此外，支撑构件91的下表面的宽度等于衬底51的顶表面的宽度和第一导电半导体层55的顶表面的宽度。因为在形成支撑构件91后，各个芯片被分离，所以支撑构件91的侧面、衬底51的侧面以及第一导电半导体层55的侧面可以沿着同一平面对准。将支撑构件91的下表面变平坦，使得热导率可以均匀地分布。
可以移除衬底51。在这种情况下，发光结构60的第一导电半导体层55或第一半导体层53可以设置在发光结构60的最上层处。设置在发光结构60的最上层处的衬底51、第一导电半导体层55以及第一半导体层53中的至少一个的顶表面可以形成有凹凸结构。
如图5所示，发光器件151和152通过粘附构件如钎料或通过共晶键合分别安装在第一引线框121与第二引线框131之间、第二引线框131与第三引线框141之间。第一发光器件151安装在设置在第一腔125中的第一引线框121和第二引线框131上，其中形成有散热体的支撑构件91的下部可以通过第一引线框121和第二引线框131实施导热功能。
第二发光器件152安装在设置在第二腔135中的第二引线框131和第三引线框141上，其中形成有散热体的支撑构件91的下部可以通过第二引线框131和第三引线框141实施导热功能。
发光器件151和152通过支撑构件91和彼此不同的引线框121、131以及141来传递热量，使得可以提高散热效率。
此外，设置在发光器件151和152上的透射衬底51和有源层57彼此间隔开，使得可以提高光提取效率。
<照明系统>
根据实施方案的发光器件封装件可以应用于照明系统。照明系统可以具有包括多个发光器件封装件的阵列结构。照明系统可以包括图14和图15所示的显示装置、图16所示的光单元、此外还有照明灯、信号灯、车辆前灯、电子显示器等。
图14是根据一个实施方案的显示装置的分解立体图。
参考图14，根据实施方案的显示装置1000可以包括；导光板1041、给导光板1041提供光的发光模块1031、在导光板1041下的反射构件1022、在导光板1041上的光学片1051、在光学片1051上的显示面板1061以及容纳导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022的底盖1011，但是本公开不限于此。
底盖1011、反射构件1022、导光板1041以及光学片1051可以定义为光单元1050。
导光板1041用于通过扩散线性光来将线性光转换成平面光。导光板1041可以由透明材料制成，并且可以包括丙烯酰基系列树脂如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、COC树脂以及聚萘二甲酸乙二醇酯树脂中的一种。
发光模块1031给导光板1041的至少一个侧面提供光，并且最终用作显示装置的光源。
发光模块1031可以包括在底盖1011中的至少一个发光模块，并且直接或间接地从导光板1041的一个侧面提供光。发光模块1031可以包括板1033以及根据以上公开的实施方案的发光器件封装件100，发光器件封装件100可以设置为在板1033上彼此间隔开预定间隔。
板1033可以是包括有电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。板1033可以包括金属芯PCB(MPCB)、柔性PCB(FPCB)以及普通PCB等，但是本公开不限于此。在其中发光器件封装件100安装在侧表面上或散热板上的情况下，可以移除板1033。在此，散热板的某些部分可以与底盖1011的上表面接触。
可以在板1033上安装多个发光器件封装件100，使得多个发光器件封装件100的发光面与导光板1041间隔开预定距离，但是本公开不限于此。发光器件封装件100可以直接或间接地给作为导光板1041的一个侧面的光入射部提供光，但是本公开不限于此。
反射构件1022可以设置在导光板1041下。反射构件1022反射从导光板1041的下表面入射的光，使得能够将反射的光向上引导，从而能够增强光单元1050的亮度。反射构件1022可以由如PET、PC、PVC树脂等形成，但是本公开不限于此。
底盖1011可以容纳导光板1041、发光模块1031、反射构件1022等。为此，底盖1011可以具有形成为顶表面开放的盒形的容纳部1012，但是本公开不限于此。底盖1011可以耦接至顶盖，但是本公开不限于此。
底盖1011可以由金属材料或树脂材料形成，并且可以通过使用如压模或注模等工艺来制造。此外，底盖1011可以包括金属材料或具有良好热导率的非金属材料，但是本公开不限于此。
显示面板1061是如LCD面板，并且包括彼此面对的第一透明基板和第二透明基板以及介于第一基板与第二基板之间的液晶层。显示面板1061的至少一个表面上可以附着有偏光片，但是本公开不限于此。显示面板1061通过使用经过光学片1051的光显示信息。显示装置1000可以应用于各种移动终端、笔记本电脑的监视器、便携式电脑的监视器、电视等。
光学片1051设置在显示面板1061与导光板1041之间，并且包括至少一个透明片。光学片1051可以包括如扩散片、水平和/或垂直棱镜片以及增亮片中的至少一种。扩散片扩散入射光，水平和/或垂直棱镜片将入射光汇聚在显示区域上，增亮片通过重新利用损失的光来增强亮度。此外，显示面板1061上可以设置有保护片，但是本公开不限于此。这里，显示装置1000可以包括导光板1041和光学片1051作为位于发光模块1031的光学路径上的光学构件，但是本公开不限于此。
图15是根据实施方案的显示装置的横截面图。
参考图15，显示装置1100包括：底盖1152、其上布置有以上公开的发光器件封装件100的板1120、光学构件1154以及显示面板1155。
板1120和发光器件封装件100可以定义为发光模块1160。底盖1152、至少一个发光模块1160以及光学构件1154可以定义为光单元1150。
底盖1152可以设置有容纳部1153，但是本公开不限于此。
在此，光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片中的至少一种。导光板可以由聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成，也可以移除导光板。扩散片扩散入射光，水平和垂直棱镜片将入射光汇聚在显示区域上，增亮片通过重新使用损失的光来增强亮度。
光学构件1154设置在发光模块1160上。光学构件1154将从发光模块1160发出的光转换成平面光，并且进行扩散、聚光等。
图16是根据一个方案的照明装置的立体图。
参考图16，照明装置1500可以包括壳1510、包括在壳1510中的发光模块1530以及包括在壳1510中并从外部电源供电的接线端子1520。
优选地，壳1510可以由具有良好散热的材料如金属材料或树脂材料形成。
发光模块1530可以包括板1532和安装在板1532上的至少一个根据实施方案的发光器件封装件100。发光器件封装件100可以包括以矩阵构造彼此间隔开预定距离布置的多个发光器件封装件。
板1532可以是其上印刷有电路图案的绝缘衬底，并且可以包括如印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4基板等。
此外，板1532可以由能够有效地反射光的材料形成，并且板1532的表面可以形成为能够有效地反射光的颜色如白色或银色。
板1532上可以安装至少一个发光器件封装件100。各个发光器件封装件100可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括发出红光、绿光或白光的彩色LED以及发出紫外光的UV LED。
发光模块1530可以具有各种发光器件封装件的组合，以获得期望的颜色和亮度。例如，发光模块1530可以具有白光LED、红光LED以及绿光LED的组合，以获得高的显色指数(CRI)。
接线端子1520可以电连接至发光模块1530以供电。接线端子1520可以旋拧并耦接至插座型外部电源，但是本公开不限于此。例如，接线端子1520可以制作成管脚类型并且插入到外部电源中，或可以通过电源线连接至外部电源。
根据实施方案，可以提高具有多个腔的发光器件封装件的光提取效率。
根据实施方案，可以提高发光器件封装件和具有其的光单元的可靠性。
本说明书中对于“一个实施方案”、“实施方案”、“示例实施方案”等的任意引用表示结合实施方案描述的具体特征、结构或者特性包括在本发明的至少一个实施方案中。本说明书中的各个位置出现的这样的短语并非都涉及相同的实施方案。此外，在结合任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时，都认为结合实施方案的其它特征、结构或特性来实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的范围内。
虽然已参照大量示意性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以在本公开的原理的精神和范围内设计出大量其它修改和实施方案。更具体地，可以在本公开、附图和所附权利要求的范围内对主题组合设置的部件和/或设置进行各种变化和修改。除了部件和/或设置方面的变化和修改，替选用途对本领域技术人员来说也是明显的。

Claims (20)

1.一种发光器件封装件，包括：
包括绝缘材料的本体；
在所述本体的第一区域中的第一腔；
在所述本体的第二区域中的第二腔；
在所述第一腔中的彼此间隔开的第一引线框和第二引线框；
在所述第二腔中的与所述第二引线框间隔开的第三引线框；
在所述第一腔中的在所述第一引线框和所述第二引线框上的第一发光器件；
在所述第二腔中的在所述第二引线框和所述第三引线框上的第二发光器件；以及
在所述第一腔和所述第二腔中的模制构件，
其中所述第一腔和所述第二腔设置在所述本体中的不同的区域处并且从所述本体的顶表面向下凹陷，
其中所述第一引线框、所述第二引线框和所述第三引线框的设置在所述第一腔和所述第二腔的底部上的底表面设置在与所述本体的底表面相同的水平面上，
其中所述第一引线框和所述第三引线框的上部向所述第一腔和所述第二腔的外部弯曲，以及
其中所述第一引线框和所述第三引线框的上部设置在所述本体的顶表面与底表面之间以靠近所述本体的顶表面而不是靠近所述本体的底表面。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装件，其中所述第一发光器件和所述第二发光器件中的每一个均包括：
发光结构；以及
在所述发光结构下的第一电极和第二电极，
其中所述第一发光器件的所述第一电极和所述第二电极接合到所述第一引线框和所述第二引线框上，并且
所述第二发光器件的所述第一电极和所述第二电极接合到所述第二引线框和所述第三引线框上。
3.根据权利要求2所述的发光器件封装件，其中所述第一发光器件和所述第二发光器件中的每一个均包括设置在所述第一发光器件和所述第二发光器件的顶部侧上的半导体层或衬底。
4.根据权利要求2所述的发光器件封装件，其中所述第一发光器件和所述第二发光器件中的每一个均包括：
设置在所述发光结构和所述第二电极之间的反射电极层；以及
设置在所述反射电极层下和设置在所述第一电极与所述第二电极周围的绝缘支撑构件。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件封装件，其中所述第二引线框的设置在所述第一腔中的第一部分连接至所述第二引线框的设置在所述第二腔中的第二部分。
6.根据权利要求5所述的发光器件封装件，其中设置在所述第一腔中的所述第一引线框连接至设置在所述第二腔中的所述第三引线框。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件封装件，还包括形成在所述本体上的第三腔，其中所述第一引线框的连接框和所述第二引线框的连接部设置在所述第三腔中，并且在所述第三腔中的所述第一引线框的所述连接框上和所述第二引线框的所述连接部上设置有保护器件。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件封装件，其中所述模制构件设置为直至所述本体的上部区域。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件封装件，还包括：
从所述第一引线框朝向所述本体的第一侧面的下部突起的第一引线部；以及
从所述第三引线框朝向所述本体的第二侧面的下部突起的第二引线部。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件封装件，还包括：
设置在所述第一腔的底表面和侧面上以在所述第一引线框和所述第二引线框之间分离的第一分离部；以及
设置在所述第二腔的底表面和侧面上以在所述第二引线框和所述第三引线框之间分离的第二分离部。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件封装件，其中所述第一腔的底表面和侧面是由所述第一引线框和所述第二引线框形成的，所述第二腔的底表面和侧面是由所述第二引线框和所述第三引线框形成的。
12.一种发光器件封装件，包括：
包括绝缘材料的本体；
在所述本体的第一区域中的第一腔；
在所述本体的第二区域中的第二腔；
在所述第一腔的底表面上的第一引线框和第二引线框；
在所述第二腔的底表面上的第三引线框和第四引线框；
在所述第一腔中的倒装接合至所述第一引线框和所述第二引线框的第一发光器件；
在所述第二腔中的倒装接合至所述第三引线框和所述第四引线框的第二发光器件；以及
在所述第一腔和所述第二腔中的模制构件，
其中所述第一腔和所述第二腔设置在所述本体中的不同的区域处并且从所述本体的顶表面向下凹陷，
其中设置在所述第一腔和所述第二腔的底部上的所述第一引线框至所述第四引线框设置在与所述本体的底表面相同的水平面上，
其中设置在所述第一腔中的所述第一引线框连接至设置在所述第二腔中的所述第四引线框。
13.根据权利要求12所述的发光器件封装件，其中所述第一发光器件和所述第二发光器件中的每一个均包括：
发光结构；以及
在所述发光结构下的第一电极和第二电极，
其中所述第一发光器件的所述第一电极和所述第二电极接合到所述第一引线框和所述第二引线框上，并且
所述第二发光器件的所述第一电极和所述第二电极接合到所述第三引线框和所述第四引线框上。
14.根据权利要求13所述的发光器件封装件，其中所述第一发光器件和所述第二发光器件中的每一个均包括：
设置在所述发光结构和所述第二电极之间的反射电极层；以及
设置在所述反射电极层下并且与所述第一电极和所述第二电极接触的绝缘支撑构件。
15.根据权利要求14所述的发光器件封装件，其中所述支撑构件的下表面设置在与所述第一电极和所述第二电极的下表面相同的平面上。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的发光器件封装件，其中所述第一腔的侧面相对于所述第一腔的底表面是倾斜的。
17.根据权利要求12至15中任一项所述的发光器件封装件，其中设置在所述第一腔中的所述第二引线框连接至设置在所述第二腔中的所述第三引线框。
18.根据权利要求12至15中任一项所述的发光器件封装件，其中在所述第一腔的底表面和侧面上形成有第一分离部，以及
其中在所述第二腔的底表面和侧面上形成有第二分离部。
19.根据权利要求18所述的发光器件封装件，其中所述本体包括：
在所述第一引线框和所述第二引线框之间的所述第一分离部；以及
在所述第三引线框和所述第四引线框之间的所述第二分离部，以及
所述第一分离部和所述第二分离部的下表面的宽度大于所述第一分离部和所述第二分离部的顶表面的宽度。
20.一种照明系统，包括：
多个根据权利要求1至4和12至15中任一项所述的发光器件封装件；以及
其中排列有所述发光器件封装件的模块衬底。
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