CN102750024A - 用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的基板及其制造方法 - Google Patents

用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102750024A
CN102750024A CN2011104154132A CN201110415413A CN102750024A CN 102750024 A CN102750024 A CN 102750024A CN 2011104154132 A CN2011104154132 A CN 2011104154132A CN 201110415413 A CN201110415413 A CN 201110415413A CN 102750024 A CN102750024 A CN 102750024A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sense wire
layer
area
passivation layer
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011104154132A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102750024B (zh
Inventor
金玟秀
李明湜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN102750024A publication Critical patent/CN102750024A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102750024B publication Critical patent/CN102750024B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/047—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using sets of wires, e.g. crossed wires

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的基板及其制造方法。用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板包括：基板；所述基板上的选通线和数据线；薄膜晶体管，其连接到所述选通线和所述数据线；第一钝化层，其在所述薄膜晶体管上；公共电极，其在所述第一钝化层上；腐蚀防止图案，其覆盖所述漏极接触孔；x感测线和y感测线，其在所述公共电极上；第二钝化层，其在所述x感测线和所述y感测线上；以及像素电极，其在所述第二钝化层上。

Description

用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的基板及其制造方法
技术领域
本公开涉及液晶显示装置，更具体地说，涉及防止接触孔中的金属图案之间的电短路的嵌入式触摸传感器液晶显示装置的基板以及制造该基板的方法。
背景技术
近来，作为由于低功耗和良好便携性而具有高附加值的下一代显示装置的液晶显示(LCD)装置已经成为焦点。包括薄膜晶体管作为多个像素的开关器件的有源矩阵液晶显示(AM-LCD)装置已经由于其在显示运动图像时的高分辨率和优越性而被广泛使用。
通常，通过以下工艺来制造LCD装置：阵列基板工艺，其用于在阵列基板上形成薄膜晶体管和像素电极；滤色器基板工艺，其用于在滤色器基板上形成滤色器层和公共电极；以及单元工艺，其用于在阵列基板与滤色器基板之间形成液晶层。
图1是示出了根据相关技术的液晶显示装置的分解立体图。在图1中，液晶显示(LCD)装置包括阵列基板10、滤色器基板20以及该阵列基板10与该滤色器基板20之间的液晶层30。阵列基板10包括第一基板12、第一基板12上的选通线14、与选通线14交叉以限定像素区P的数据线16、连接到选通线14和数据线16的薄膜晶体管(TFT)T以及连接到该TFT T的像素电极18。
此外，面对阵列基板10的滤色器基板20包括：第二基板22；阻挡与选通线14、数据线16和TFT T相对应的非显示区的黑底25；包括各自与像素区P相对应的红色滤色器26a、绿色滤色器26b和蓝色滤色器26c的滤色器层26；和第二基板22的整个表面上的公共电极28。
尽管图1中未示出，但是密封图案可以形成在阵列基板10与滤色器基板20之间的边界部分，以防止液晶层30泄漏。下朝向膜可以形成在阵列基板10与液晶层30之间，上朝向膜可以形成在滤色器基板20与液晶层30之间，以初始地对液晶层配向。此外，偏振板可以形成在第一基板12和第二基板22中的至少一个的外表面上。
背光单元可以被设置在阵列基板10下方，以提供光。当导通TFT T的选通信号顺序地提供给选通线14时，该TFT T被导通，并且提供给数据线16的数据信号通过该TFT T被提供给像素电极18。结果，在像素电极18与公共电极28之间生成垂直电场，并且液晶层30中的液晶分子通过该垂直电场重新配向，从而LCD装置由于液晶层30的透射率改变而显示图像。
然而，利用该垂直电场驱动的LCD装置在视角方面存在缺点。因此，已经提出了像素电极和公共电极形成在阵列基板上、并且液晶显示分子被像素电极与公共电极之间生成的水平电场来驱动的板内切换(IPS)模式LCD装置或边缘场切换(FFS)模式LCD装置。IPS模式LCD装置或FFS模式LCD装置用于诸如电视、投影仪、移动电话和个人数字助理(PDA)的各种应用产品。另外，各种应用产品具有感测触摸的功能。包括集成在其中的触摸传感器的LCD装置可以被称为嵌入式触摸传感器LCD装置。
用于嵌入式触摸传感器LCD装置的阵列基板具有选通线和数据线以及用于感测触摸的多个触摸块和连接到该多个触摸块的多条感测线。例如，当具有良好移动性的多晶硅薄膜晶体管(TFT)被用作切换元件时，可以通过十一掩膜工艺形成用于嵌入式触摸传感器LCD装置的阵列基板。此外，该阵列基板可以包括选通绝缘层、中间层绝缘层、辅助绝缘层、第一钝化层和第二钝化层。辅助绝缘层包括无机绝缘材料，以改进诸如数据线、源极和漏极的金属材料的导线与有机绝缘材料的第一钝化层之间的粘附。
出于简化制造工艺的目的，形成辅助绝缘层的步骤可以省略。然而，当省略辅助绝缘层时，漏极和连接到数据线的数据焊盘通过第一钝化层中的接触孔露出。所露出的漏极和数据焊盘可能由于用于透明材料的公共电极的蚀刻液或用于第一钝化层上的金属材料的感测线的溶液而劣化。结果，漏极和数据焊盘的接触特性劣化。
发明内容
用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板包括：基板，其包括各自包括多个像素区的多个触摸块；所述基板上的选通线和数据线，该选通线和该数据线彼此交叉，并且中间层绝缘层插置在其间，以限定所述多个像素区中的每一个；薄膜晶体管，其连接到所述选通线和所述数据线；第一钝化层，其在所述薄膜晶体管上，该第一钝化层具有露出所述薄膜晶体管的漏极的第一漏极接触孔；公共电极，其在所述多个接触块中的每一个中的所述第一钝化层上；腐蚀防止图案，其覆盖所述漏极接触孔，所述腐蚀防止图案具有与所述公共电极相同的材料和相同的层，并且所述腐蚀防止图案与所述公共电极分开；x感测线和y感测线，其在所述公共电极上，所述x感测线与所述选通线交叠，并且所述y感测线与所述数据线交叠；第二钝化层，其在所述x感测线和所述y感测线上，所述第二钝化层具有露出所述腐蚀防止图案的第二漏极接触孔；以及像素电极，其在所述多个像素区中的每一个中的所述第二钝化层上，所述像素电极通过所述第二漏极接触孔接触所述腐蚀防止图案并具有各自具有条形的多个敞开区。
在另一方面中，一种制造用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的方法包括以下步骤：在包括各自包括多个像素区的多个触摸块的基板上形成选通线、数据线和薄膜晶体管，所述选通线与所述数据线彼此交叉，并且中间层绝缘层插置在其间，以限定所述多个像素区中的每一个，并且所述薄膜晶体管连接到所述选通线和所述数据线；在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层，该第一钝化层具有露出所述薄膜晶体管的漏极的第一漏极接触孔；在所述第一钝化层上形成公共电极和腐蚀防止图案，所述公共电极被设置在所述多个接触块中的每一个中，所述腐蚀防止图案与所述公共电极分开，并且所述腐蚀防止图案具有比所述漏极接触孔大的面积，以完全覆盖所述漏极；在所述公共电极上形成x感测线和y感测线，所述x感测线与所述选通线交叠，并且所述y感测线与所述数据线交叠；在所述x感测线和所述y感测线上形成第二钝化层，所述第二钝化层具有露出所述腐蚀防止图案的第二漏极接触孔；以及在所述多个像素区中的每一个中的所述第二钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二漏极接触孔接触所述腐蚀防止图案并具有各自具有条形的多个敞开区。
应当理解，以上总体描述和后续详细描述这两者是示例性和解释性的，旨在提供所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括在本申请中以提供对本公开的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1是示出根据相关技术的液晶显示装置的分解立体图；
图2是示出根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的触摸块的平面图；
图3是示出根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的像素区的截面图；
图4是示出根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的焊盘区的截面图；
图5是示出根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的触摸块的端部的截面图；
图6A至图6J是示出根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的像素区的阵列基板的截面图；
图7A至图7J是示出制造根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的焊盘区的阵列基板的方法的截面图；以及
图8A至图8J是示出根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的触摸块的端部的阵列基板的截面图。
具体实施方式
现在将详细说明优选实施方式，在附图中例示了这些优选实施方式的示例。
图2是示出了根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的触摸块的平面图，而图3是示出了根据本发明的实施方式的嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的像素区的截面图。此外，图4是示出根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的焊盘区的截面图，而图5是示出根据本发明的实施方式的嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的触摸块的端部的截面图。
在图2至图5中，用于嵌入式触摸传感器液晶显示(LCD)装置的阵列基板101包括显示图像的有源区AA和围绕该有源区AA的无源区NA。有源区AA可包括多个触摸块TB，各个触摸块TB可包括多个像素区P。此外，无源区NA包括焊盘区PA。由于触摸传感器检测到手指的触摸，所以用于嵌入式触摸传感器LCD装置的阵列基板包括各自包括多个像素区P的多个触摸块TB。
在图2中，触摸块TB包括第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。选通线119、x感测线xsl和y感测线ysl形成在基板101上的第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中。x感测线xsl与选通线119平行并与其分开，y感测线ysl与选通线119交叉。X感测线xsl可以通过另一层中的导电材料的跳线(未示出)与y感测线ysl交叉。结果，第二区域A2通过y感测线ysl连接到第二区域A2的上接触块和下接触块(未示出)。此外，第一区域A1和第三区域A3通过x感测线xsl分别连接到左边触摸块和右边触摸块(未示出)。例如，第一区域A1可通过x感测线xsl连接到左边触摸块的第三区域A3，而第三区域A3可通过x感测线xsl连接到右边触摸块的第一区域A1。
第二区域A2的x感测线具有条形，第二区域A2的x感测线xsl与第一区域A1和第三区域A3的x感测线xsl电隔离。因此，第一区域A1至第三区域A3的x感测线xsl在第一区域A1与第二区域A2之间的边界以及第二区域A2与第三区域A3之间的边界处电隔离。
第一区域A1和第三区域A3的x感测线xsl通过第二区域A2的辅助感测线122彼此电连接。例如，第一区域A1的x感测线xsl的端部通过(图3的)连接图案163连接到第一区域A1的边界处的(图3的)第二感测接触孔158和(图3的)第一钝化层145的第一感测接触孔148中的第二区域A2的辅助感测线122的端部。类似地，第三区域A3的x感测线xsl的端部通过连接图案163连接到在第三区域A3的边界处的第二感测接触孔158和在第一钝化层145的第一感测接触孔148中的第二区域A2的辅助感测线122的另一端部。因此，第一区域A1和第三区域A3通过第二区域A2的x感测线xsl和辅助感测线122彼此连接。
在图3、图4和图5中，诸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料的缓冲层105形成在透明基板101上。当基板101由玻璃制成时，多晶硅的半导体层113可能由于从基板101发出的碱离子而劣化，并且薄膜晶体管(TFT)Tr的特性可能下降。可以通过利用缓冲层105阻挡碱离子来防止半导体层113的劣化。在另一个实施方式中，可以省略缓冲区105。
包括第一半导体区113a和第二半导体区113b的半导体层113形成在像素区P中的缓冲层105上。本征多晶硅的第一半导体区113a被设置在半导体层113的中心部，掺杂了杂质的多晶硅的第二半导体区113b被设置在第一半导体区113a的两侧。第一半导体区113a用作TFT Tr的沟道，第二半导体区113b用作TFT Tr的源区和漏区。
诸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料的栅绝缘层116形成在半导体层113上。(图2的)选通线119、辅助感测线122和栅极120形成在栅绝缘层116上。选通线119、辅助感测线122和栅极120可以具有金属材料的单层结构或多层结构。例如，选通线119、辅助感测线122和栅极120可以包括铝(Al)、铝合金(例如，铝钇合金(AlNd))、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金(例如，钼钛合金(MoTi))中的至少一种。
选通线119与辅助感测线122平行并与其分开，栅极120连接到选通线119。栅极120与半导体层113的第一半导体区113a相对应。尽管未示出，但是连接到选通线119的选通链接线形成在无源区NA中的栅绝缘层116上，并且连接到选通链接线的选通焊盘形成在焊盘区PA中的栅绝缘层116上。
诸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料的中间层绝缘层123形成在栅极120、选通线119、辅助感测线122、选通链接线和选通焊盘上。中间层绝缘层123和栅绝缘层116具有露出半导体层113的第二半导体区113b的半导体接触孔125。
数据线30、源极133和漏极136形成在中间层绝缘层123上。数据线130与选通线119交叉，以限定像素区P。此外，数据线130可以具有金属材料的单层结构或多层结构。例如，数据线130可以包括铝(Al)、铝合金(例如，铝钇合金(AlNd))、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金(例如，钼钛合金(MoTi))中的至少一种。当数据线130具有多层结构时，数据线130可以具有三层结构，该三层结构包括钼(Mo)和钼钛合金(MoTi)中的一种的第一层、铝(Al)、铝合金、铜(Cu)和铜合金中的一种的第二层以及钼(Mo)和钼钛合金(MoTi)中的一种的第三层。
源极133和漏极136彼此分开，与数据线130处于相同的层上，并且与数据线130的材料相同。此外，源极133和漏极136通过半导体接触孔125连接到第二半导体区113b。半导体层113、栅绝缘层116、栅极120、中间层绝缘层123、源极133和漏极136构成TFT Tr。TFT Tr这样连接到选通线119和数据线130：栅极120连接到选通线119并且源极133连接到数据线130。
此外，连接到数据线130的数据链接线131形成在无源区NA中的中间层绝缘层123上，连接到数据链接线131的数据焊盘132形成在焊盘区PA中的中间层绝缘层123上。
诸如苯并环丁烯(BCB)和烯酸脂的有机材料的第一钝化层145形成在数据线130和源极133以及漏极136上。第一钝化层145覆盖有源区AA和除焊盘区PA以外的无源区NA，用于平坦化。由于第一钝化层145没有覆盖焊盘区PA，焊盘区PA中的数据焊盘132和数据链接线131的一部分通过第一钝化层145露出。由于第一钝化层145在没有中间的辅助绝缘层的情况下直接形成在数据线130以及源极133和漏极136上，所以降低了制造费用。
尽管金属材料的数据线130以及源极133和漏极136直接接触有机材料的第一钝化层145，但是由于经改进的有机材料具有对金属材料的优异的粘附力，所以金属材料与有机材料之间的粘附特性没有劣化。第一钝化层145具有露出漏极136的第一漏极接触孔147和露出与辅助感测线122的端部相对应的中间层绝缘层123的第一感测孔148。
诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料的公共电极150形成在有源区AA的第一钝化层145上。公共电极150具有露出像素区P中的TFT Tr上的第一钝化层145的第一敞开区oa1和露出第一感测孔148的第二敞开区oa2。公共电极150可以具有与包括多个像素区P的各触摸块TB相对应的板状。例如，公共电极150可以包括相分开与(图2的)第一区域A1至第三区域A3相对应的三个板状图案。
此外，腐蚀防止图案151和第一辅助焊盘图案152形成在第一钝化层145上，腐蚀防止图案151和第一辅助焊盘图案152的材料与公共电极150的相同，并与公共电极150处于相同的层上。腐蚀防止图案151覆盖第一漏极接触孔147的内部和边界。因此，腐蚀防止图案151接触第一漏极接触孔147的边界和侧壁的第一钝化层145和通过第一漏极接触孔147露出的漏极136。
第一辅助焊盘图案152覆盖通过焊盘区PA中的第一钝化层145露出的数据焊盘132和数据链接线131的一部分。因此，第一辅助焊盘图案152接触焊盘区PA中的第一钝化层145的边缘顶表面和侧壁面、数据焊盘132以及数据链接线131的一部分。腐蚀防止图案151和第一辅助焊盘图案152中的每一个都具有与公共电极150分开的岛状。
这里，通过第一漏极接触孔147露出的漏极136被腐蚀防止图案151覆盖，并且在第一钝化层145的外侧的焊盘区PA中露出的数据链接线131的一部分和数据焊盘132被第一辅助焊盘图案152覆盖。结果，可以防止在对透明材料层(未示出)构图时，漏极136、数据链接线131的一部分以及数据焊盘132被暴露于用于公共电极150的蚀刻液。此外，防止了在后续工艺中对金属材料层(未示出)进行构图时，漏极136、数据链接线131的一部分和数据焊盘132被暴露于用于x感测线xsl和y感测线ysl的蚀刻液。因此，在没有第一钝化层145下方的附加辅助绝缘层的情况下防止了漏极136、数据链接线131的一部分和数据焊盘132的劣化。
x感测线xsl和y感测线ysl形成在公共电极150上。x感测线xsl可以与选通线119交叠，而y感测线ysl可以与数据线130交叠。此外，x感测线xsl和y感测线ysl可以具有金属材料的单层结构或多层结构。例如，x感测线xsl和y感测线ysl可以包括铝(Al)、铝合金(例如，铝钇合金(AlNd))、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金(例如，钼钛合金(MoTi))中的至少一种。在各个触摸块TB中，x感测线xsl的端部和辅助感测线122的端部被设置在第一感测接触孔148中。
由于x感测线xsl和y感测线ysl彼此处于相同的层中并且彼此的材料相同，所以x感测线xsl和y感测线ysl在各个触摸块TB的各第一区域A1至第三区域A3中彼此电连接。然而，由于第一区域A1和第三区域A3的x感测线xsl与第二区域A2的x感测线xsl电隔离，所以第一区域A1和第三区域A3的x感测线xsl可用于检测各个触摸块TB的触摸点的x坐标，而第二区域A2的y感测线ysl可用于检测各个触摸块TB的触摸点的y坐标。
通过第一漏极接触孔147露出的漏极136被腐蚀防止图案151覆盖，并且在第一钝化层145外侧的焊盘区PA中露出的数据链接线131的一部分和数据焊盘132被第一辅助焊盘图案152覆盖。结果，防止了在对金属材料层(未示出)进行构图时，漏极136、金属链接线131的该部分和数据焊盘132被暴露于用于x感测线xsl和y感测线ysl的蚀刻液。因此，在没有第一钝化层145下方的附加辅助绝缘层的情况下防止了漏极136、数据链接线131的该部分和数据焊盘132的劣化。
诸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料的第二钝化层155形成在公共电极150、x感测线xsl和y感测线ysl上。第二钝化层155具有露出腐蚀防止图案152的第二漏极接触孔157和露出焊盘区PA中的数据焊盘132上的第一辅助焊盘图案152的数据焊盘接触孔159。此外，通过对第二钝化层155和中间层绝缘层123一起进行构图来使第二钝化层155和中间层绝缘层123具有露出选通焊盘(未示出)的选通焊盘接触孔(未示出)和露出彼此相邻的辅助感测线122的端部和x感测线xsl的端部这两者的第二感测接触孔158。第一感测接触孔148与第二感测接触孔158彼此连通。
诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料的像素电极160形成在像素区P中的第二钝化层155上。像素电极160通过第二漏极接触孔157连接到腐蚀防止图案151。此外，像素电极160具有多个第三敞开区oa3，用于在被施加驱动电压时与公共电极150生成边缘场。该多个第三敞开区oa3中的各第三敞开区oa3可为条形。
此外，选通焊盘端子(未示出)和数据焊盘端子165形成在焊盘区PA中的第二钝化层155上，选通焊盘端子(未示出)和数据焊盘端子165与像素电极160处于相同的层上，并且材料也与像素电极160的相同。选通焊盘端子通过选通焊盘接触孔接触选通焊盘，而数据焊盘端子165通过数据焊盘接触孔159接触第一辅助焊盘图案152。
此外，连接图案163形成在各个触摸块TB中的第二钝化层155上，连接图案163与像素电极160处于相同的层上，并且材料也与像素电极160的相同。岛状的连接图案163接触第一感测接触孔148和第二感测接触孔158中的辅助感测线122的端部和x感测线xsl的端部这两者。
像素电极160和公共电极150在像素区P中彼此交叠，并且第二钝化层155插置在其间，彼此交叠的公共电极150、第二钝化层155和像素电极160构成存储电容器。
图6A至图6J是示出根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的像素区的阵列基板的截面图，图7A至图7J是示出制造用于根据本发明的实施方式的嵌入式触摸传感器液晶显示装置的焊盘区的阵列基板的方法的截面图，而图8A至图8J是示出根据本发明的实施方式的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的触摸块的端部的阵列基板的截面图。
在图6A、图7A和图8A中，通过沉积诸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料将缓冲层105形成在透明基板101上。当通过激光辐射或热处理将基板101上的非晶硅层晶体化为多晶硅时，碱离子可能从玻璃的基板101发出，半导体层113可能被碱离子劣化。通过利用缓冲层105阻挡碱离子来防止半导体层113的劣化。在另一实施方式中，缓冲层105可以省略。
通过沉积本征非晶硅来将本征非晶硅层(未示出)形成在缓冲层105上，并且通过使用准分子激光的准分子激光退火(ELA)法、连续横向固化(SLS)法、固态相晶体化(SPC)法和交流磁场晶体化(AMFC)法中的一种来将本征非晶硅层(未示出)晶体化为多晶硅层(未示出)。接着，通过经由光刻工艺对多晶硅层进行构图来将本征多晶硅的半导体层113形成在像素区P中。
在图6B、图7B和图8B中，通过沉积诸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料将栅绝缘层116形成在半导体层113上。接着，通过沉积诸如铝(Al)、铝合金(例如，铝钇合金(AlNd))、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金(例如，钼钛合金(MoTi))的至少一种金属材料将第一金属层(未示出)形成在栅绝缘层116上。第一金属层可以具有单层结构或多层结构。
接着，通过经由光刻工艺对第一金属层进行构图来将栅极120、(图2的)选通线119和辅助感测线122形成在栅绝缘层116上。栅极120对应于半导体层113。选通线119连接到栅极120，并在像素区P的边界沿第一方向延伸。此外，辅助感测线122在各个触摸块TB中与选通线119平行并与其分开。尽管未示出，但是连接到选通线119的栅链接线形成在无源区NA中的栅绝缘层116上，并且连接到栅链接线的选通焊盘形成在焊盘区PA中的栅绝缘层116上。
在图6C、图7C和图8C中，通过使用栅极120作为掺杂掩膜来利用杂质对半导体层113进行掺杂来形成第一半导体区113和第二半导体区113b。因此，本征多晶硅的第一半导体区113a对应于栅极120，掺杂了杂质的多晶硅的第二半导体区113b被设置在第一半导体区113a的两侧。
在图6D、图7D和图8D中，通过沉积诸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料将中间层绝缘层123形成在栅极120、选通线119、辅助感测线122、栅链接线和选通焊盘上。接着，通过对中间层绝缘层123和栅绝缘层116进行构图来形成露出半导体层113的第二半导体区113b的半导体接触孔125。
在图6E、图7E和图8E中，通过沉积诸如铝(Al)、铝合金(例如，铝钇合金(AlNd))、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金(例如，钼钛合金(MoTi))的至少一种金属材料将第二金属层(未示出)形成在中间层绝缘层123上。第二金属层可以具有单层结构或多层结构。
接着，通过利用光刻工艺对第二金属层进行构图来将数据线130、源极133、漏极133、数据链接线131和数据焊盘132形成在中间层绝缘层123上。源极133和漏极136通过半导体接触孔125连接到第二半导体区113b。半导体层113、栅绝缘层116、栅极120、中间层绝缘层123、源极133和漏极136构成作为像素区P中的切换元件的薄膜晶体管(TFT)Tr。数据线130连接到源极133，并与选通线110交叉以限定像素区P。此外，无源区NA中的数据链接线131连接到数据线130，而焊盘区PA中的数据焊盘132连接到数据链接线131。
在图6F、图7F和图8F中，通过涂敷诸如苯并环丁烯(BCB)和烯酸脂的有机材料来将第一钝化层145形成在TFT Tr、数据线130、数据链接线131和数据焊盘132上。接着，通过利用光刻工艺对第一钝化层145进行构图来形成露出漏极136的第一漏极接触孔147和露出与辅助感测线122的端部相对应的中间层绝缘层123的第一感测孔148。同时，去除焊盘区PA中的第一钝化层145。当第一钝化层145具有光敏特性时，可以省略光刻工艺的腐蚀步骤。结果，具有用于平坦化的平坦顶表面的第一钝化层145覆盖有源区AA和焊盘区PA以外的无源区NA。
在图6G、图7G和图8G中，通过沉积诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料并对该透明导电材料进行构图来将公共电极150、腐蚀防止图案151和第一辅助焊盘图案152形成在第一钝化层145上。公共电极150具有露出像素区P中的TFT Tr上的第一钝化层145的第一敞开区oa1和露出第一感测孔148的第二敞开区oa2。形成第一敞开区oa1以防止(图6J的)像素电极160与公共电极150之间的电短路，并且形成第二敞开区oa2以防止(图8J的)连接图案163与公共电极150之间的电短路。第二敞开区oa2可以具有比第一感测接触孔148大的面积。
腐蚀防止图案151和第一辅助焊盘图案152中的每一个都与公共电极电隔离。腐蚀防止图案151覆盖第一漏极接触孔147的边界以及该第一漏极接触孔147，并且第一辅助焊盘图案152覆盖在第一钝化层145外侧露出的数据焊盘132的边界和数据链接线131的一部分以及数据焊盘132和数据链接线131的一部分。此外，腐蚀防止图案151接触第一钝化层145的边界顶表面和侧壁表面以及漏极136，第一辅助焊盘图案152接触焊盘区PA中的第一钝化层145的边缘顶表面和侧壁表面、数据焊盘132和数据链接线131的一部分。因此，腐蚀防止图案151具有完全覆盖漏极136的岛状，第一辅助焊盘图案152具有完全覆盖数据焊盘132和数据链接线131的该部分的岛状。由于腐蚀防止图案151和第一辅助焊盘图案152，可以在没有第一钝化层145下方的附加辅助绝缘层的情况下防止漏极136、数据链接线131的一部分和数据焊盘132的劣化。
在图6H、图7H和图8H中，通过沉积诸如铝(Al)、铝合金(例如，铝钇合金(AlNd))、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼合金(例如，钼钛合金(MoTi))的至少一种将第三金属层(未示出)形成在公共电极150、腐蚀防止图案151和第一辅助焊盘图案152上。第三金属层可以具有单层结构或多层结构。接着，通过利用光刻工艺对第三金属层进行构图来将x感测线xsl和y感测线ysl形成在公共电极150上。x感测线和y感测线分别与选通线119和数据线130交叠。在各个触摸块TB中，x感测线xsl可以为条形，并且x感测线xsl的端部可以被弯曲，以被设置为与第一感测接触孔148中的辅助感测线122的端部相邻。
利用腐蚀防止图案151来完全覆盖通过第一漏极接触孔147露出的漏极136，并且利用第一辅助焊盘图案152来完全覆盖在第一钝化层145外侧的焊盘区PA中露出的数据链接线131的一部分和数据焊盘132。结果，漏极136、数据链接线131的一部分和数据焊盘132不会露出于用于对第三金属层进行构图的蚀刻液。因此，在没有第一钝化层145下方的附加辅助绝缘层的情况下防止了漏极136、数据链接线131的一部分和数据焊盘132的劣化。
在图6I、图7I和图8I中，通过沉积诸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的无机绝缘材料将第二钝化层155形成在x感测线xsl和y感测线ysl上。接着，通过经由光刻工艺对第二钝化层155进行构图来形成露出腐蚀防止图案151的第二漏极接触孔157和露出第一辅助焊盘图案152的第二数据焊盘接触孔159。同时，通过对第二钝化层155和中间层绝缘层123进行构图来形成露出彼此相邻的辅助感测线122的端部和x感测线xsl的端部这两者的第二感测接触孔158和露出选通焊盘(未示出)的选通焊盘接触孔(未示出)。
在图6J、图7J和图8J中，通过沉积诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料来将透明导电材料层(未示出)形成在第二钝化层155上。接着，通过经由光刻工艺对透明导电材料层进行构图来将像素电极160、连接图案163、选通焊盘端子(未示出)和数据焊盘端子(未示出)形成在第二钝化层155上，从而完成了用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板。像素电极160具有用于在被施加了驱动电压时与公共电极生成边缘场的多个第三敞开区oa3。该多个第三敞开区oa3中的每一个第三敞开区oa3可为条形。
像素电极160通过第二漏极接触孔157接触腐蚀防止图案151，连接图案163接触第一感测接触孔148和第二感测接触孔158中的辅助感测线122的端部和x感测线xsl的端部这两者。此外，选通焊盘端子通过焊盘区PA中的选通焊盘接触孔接触选通焊盘，数据焊盘端子165通过数据焊盘接触孔159接触第一辅助焊盘图案152。
嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板可附接到滤色器基板(未示出)，而液晶层(未示出)可形成在阵列基板与滤色器基板之间。接着，x感测电路(未示出)和y感测电路(未示出)可以分别连接到x感测线xsl和y感测线ysl，从而完成嵌入式触摸传感器液晶显示(LCD)装置。当用户的手指接触嵌入式触摸传感器LCD装置的像素区P中的位置时，公共电极150与像素电极160之间的电容改变，并且公共电极150和像素电极160的电压改变。公共电极150和像素电极160的改变后的电压通过x感测线xsl发送到x感测电路并且通过y感测线ysl发送到y感测电路。通过分析改变后的电压来检测接触的位置，并且执行与显示在该位置中的菜单相对应的操作。
于是，在根据本发明的嵌入式触摸传感器LCD装置的阵列基板中，与公共电极同时形成腐蚀防止图案和第一辅助焊盘图案。此外，利用腐蚀防止图案完全覆盖通过第一漏极接触孔露出的漏极，并且利用第一辅助焊盘图案完全覆盖露出在第一钝化层外部的数据焊盘。因此，在没有第一钝化层下方的附加辅助绝缘层的情况下防止了由于x感测线和y感测线的蚀刻液导致的漏极和数据焊盘的劣化。结果，防止了接触孔中的接触特性的劣化，改进了生产率。此外，由于省略了附加辅助绝缘层，所以降低了材料费用并改进了生产率。
对于本领域技术人员而言很明显，在不偏离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明的用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板以及制造该阵列基板的方法做出各种修改和变型。因而，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变型。
本申请要求2011年4月21日在韩国提交的韩国专利申请第10-2011-0037243号的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。

Claims (20)

1.一种用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括：
基板，其包括多个触摸块，各触摸块包括多个像素区；
所述基板上的选通线和数据线，所述选通线和所述数据线彼此交叉，中间层绝缘层插置在所述选通线和所述数据线之间，以限定所述多个像素区中的各像素区；
薄膜晶体管，其连接到所述选通线和所述数据线；
第一钝化层，其在所述薄膜晶体管上，所述第一钝化层具有露出所述薄膜晶体管的漏极的第一漏极接触孔；
公共电极，其在所述多个触摸块中的各触摸块中，在所述第一钝化层上；
腐蚀防止图案，其覆盖所述漏极接触孔，所述腐蚀防止图案与所述公共电极处于相同的层，并且所述腐蚀防止图案的材料与述公共电极的相同，所述腐蚀防止图案与所述公共电极分开；
在所述公共电极上的x感测线和y感测线，所述x感测线与所述选通线交叠，所述y感测线与所述数据线交叠；
在所述x感测线和所述y感测线上的第二钝化层，所述第二钝化层具有露出所述腐蚀防止图案的第二漏极接触孔；以及
像素电极，其在所述多个像素区中的各像素区中在所述第二钝化层上，所述像素电极通过所述第二漏极接触孔接触所述腐蚀防止图案并具有各自为条形的多个敞开区。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述多个触摸块中沿与所述选通线平行的第一方向相邻的两个触摸块通过所述x感测线彼此连接，其中，所述多个触摸块中的各触摸块包括第一区域、第二区域和第三区域，所述多个触摸块中沿与所述数据线平行的第二方向相邻的两个触摸块的第二区域连接到所述y感测线，并且其中，所述公共电极包括在分开在所述第一区域、第二区域和第三区域中的三个板图案。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一区域的所述x感测线与所述第二区域的所述x感测线分开，并且所述第二区域的所述x感测线与所述第三区域的所述x感测线分开。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，所述阵列基板还包括所述中间层绝缘层上的辅助感测线，
其中，所述辅助感测线形成在所述多个触摸块中的各触摸块的所述第二区域中，与所述选通线平行，
其中，所述辅助感测线与所述选通线处于相同的层并且所述辅助感测线的材料与所述选通线的材料相同，并且
其中，所述第一区域的所述x感测线与所述第三区域的所述x感测线通过所述辅助感测线彼此连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，所述阵列基板还包括连接图案，所述连接图案与所述像素电极处于相同的层，并且所述连接图案的材料与所述像素电极的材料相同，
其中，所述第一钝化层具有露出与所述x感测线的端部相对应的所述中间层绝缘层的第一感测孔，
其中，所述第二钝化层具有露出所述第一接触孔中的所述x感测线的所述端部的第二感测孔，
其中，所述中间层绝缘层具有露出所述辅助感测线的端部的第三感测孔，并且
其中，所述连接图案接触所述x感测线的所述端部和所述辅助感测线的所述端部。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述公共电极具有与所述薄膜晶体管相对应的第一敞开区和与所述第一感测孔相对应的第二敞开区，并且其中，所述第二敞开区的面积大于所述第一敞开区的面积。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，沿所述第一方向设置的所述多个触摸块通过所述x感测线彼此电连接，并且沿所述第二方向设置的所述多个触摸块通过所述y感测线彼此电连接。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，所述阵列基板还包括：
栅链接线，所述栅链接线与所述选通线处于相同的层，并且所述栅链接线的材料与所述选通线的材料相同；
选通焊盘，所述选通焊盘连接到所述栅链接线；
数据链接线，所述数据链接线与所述数据线处于相同的层，并且所述数据链接线的材料和所述数据线的材料相同；
数据焊盘，所述数据焊盘连接到所述数据链接线；以及
第一辅助焊盘图案，所述第一辅助焊盘图案与所述公共电极处于相同的层，并且所述第一辅助焊盘图案的材料和所述公共电极的材料相同，
其中，所述基板包括显示图像的有源区和包围所述有源区的无源区，并且所述无源区显示区包括焊盘区，
其中，所述栅链接线和所述数据链接线被形成在所述无源区中，并且所述选通焊盘和所述数据焊盘被形成在所述焊盘区中，
其中，所述选通焊盘和所述数据焊盘露出在所述第一钝化层外部，并且
其中，所述第一辅助焊盘图案完全覆盖所述数据焊盘。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，所述阵列基板还包括选通焊盘端子和数据焊盘端子，所述选通焊盘端子和数据焊盘端子与所述像素电极处于相同的层，并且所述选通焊盘端子和数据焊盘端子的材料和所述像素电极的材料相同，
其中，所述第二钝化层具有露出所述第一辅助焊盘图案的数据焊盘接触孔，
其中，所述第二钝化层和所述中间层绝缘层具有露出所述选通焊盘的选通焊盘接触孔，
其中，所述选通焊盘端子通过所述选通焊盘接触孔接触所述选通焊盘，并且
其中，所述数据焊盘端子通过所述数据焊盘接触孔接触所述第一辅助焊盘图案。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管包括：半导体层，所述半导体层具有本征多晶硅的第一半导体区和在所述第一半导体区的两侧的掺杂了杂质的多晶硅的第二半导体区；在所述半导体层上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上、所述第一半导体区上方的栅极；所述中间层绝缘层，所述中间层绝缘层具有露出所述第二半导体区的第二接触孔；在所述中间层绝缘层上的源极；以及与所述源极分开的所述漏极，并且其中，所述源极和所述漏极通过所述半导体接触孔接触所述第二半导体区。
11.一种制造用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的阵列基板的方法，所述方法包括以下步骤：
在包括多个触摸块的基板上形成选通线、数据线和薄膜晶体管，各触摸块包括多个像素区，所述选通线与所述数据线彼此交叉，并且中间层绝缘层设置在所述选通线与所述数据线之间，以限定所述多个像素区中的各像素区，并且所述薄膜晶体管连接到所述选通线和所述数据线；
在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层，所述第一钝化层具有露出所述薄膜晶体管的漏极的第一漏极接触孔；
在所述第一钝化层上形成公共电极和腐蚀防止图案，所述公共电极被设置在所述多个触摸块中的各触摸块中，所述腐蚀防止图案与所述公共电极分开，并且所述腐蚀防止图案具有比所述漏极接触孔大的面积，以完全覆盖所述漏极；
在所述公共电极上形成x感测线和y感测线，所述x感测线与所述选通线交叠，所述y感测线与所述数据线交叠；
在所述x感测线和所述y感测线上形成第二钝化层，所述第二钝化层具有露出所述腐蚀防止图案的第二漏极接触孔；以及
在所述多个像素区中的各像素区中的所述第二钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二漏极接触孔接触所述腐蚀防止图案并具有多个敞开区，各所述敞开区为条形。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个触摸块中沿与所述选通线平行的第一方向相邻的两个触摸块通过所述x感测线彼此连接，其中，所述多个触摸块中的各触摸块包括第一区域、第二区域和第三区域，所述多个触摸块中沿与所述数据线平行的第二方向相邻的两个触摸块的第二区域连接到所述y感测线，并且其中，所述公共电极包括分开在所述第一区域、第二区域和第三区域中的三个板图案。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一区域的所述x感测线与所述第二区域的所述x感测线分开，并且所述第二区域的所述x感测线与所述第三区域的所述x感测线分开。
14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括在所述中间层绝缘层上形成辅助感测线，
其中，所述辅助感测线形成在所述多个触摸块中的各触摸块的所述第二区域中，与所述选通线平行，
其中，所述辅助感测线与所述选通线处于相同的层并且所述辅助感测线的材料与所述选通线的材料相同，以及
其中，所述第一区域的所述x感测线与所述第三区域的所述x感测线通过所述辅助感测线彼此连接。
15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括与所述像素电极一起形成连接图案，
其中，所述第一钝化层具有露出与所述x感测线的端部相对应的所述中间层绝缘层的第一感测孔，
其中，所述第二钝化层具有露出所述第一接触孔中的所述x感测线的所述端部的第二感测孔，
其中，所述中间层绝缘层具有露出所述辅助感测线的端部的第三感测孔，并且
其中，所述连接图案接触所述x感测线的所述端部和所述辅助感测线的所述端部。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述公共电极具有与所述薄膜晶体管相对应的第一敞开区和与所述第一感测孔相对应的第二敞开区，并且其中，所述第二敞开区的面积大于所述第一敞开区的面积。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，沿所述第一方向设置的所述多个触摸块通过所述x感测线彼此电连接，并且沿所述第二方向设置的所述多个触摸块通过所述y感测线彼此电连接。
18.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
与所述选通线一起形成栅链接线和连接到所述栅链接线的选通焊盘；
与所述数据线一起形成数据链接线和连接到所述数据链接线的数据焊盘；以及
与所述公共电极一起形成第一辅助焊盘图案，
其中，所述基板包括显示图像的有源区和包围所述有源区的无源区，并且所述无源区包括焊盘区，
其中，所述栅链接线和所述数据链接线被设置在所述无源区中，并且所述选通焊盘和所述数据焊盘被设置在所述焊盘区中，
其中，所述选通焊盘和所述数据焊盘露出在所述第一钝化层外部，并且
其中，所述第一辅助焊盘图案完全覆盖所述选通焊盘和所述数据焊盘。
19.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括与所述像素电极一起形成选通焊盘端子和数据焊盘端子，
其中，所述第二钝化层具有露出所述第一辅助焊盘图案的数据焊盘接触孔，
其中，所述第二钝化层和所述中间层绝缘层具有露出所述选通焊盘的选通焊盘接触孔，
其中，所述选通焊盘端子通过所述选通焊盘接触孔接触所述选通焊盘，并且
其中，所述数据焊盘端子通过所述数据焊盘接触孔接触所述第一辅助焊盘图案。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述薄膜晶体管包括以下步骤：
在所述基板上形成本征非晶硅层；
将所述本征非晶硅层晶体化为多晶硅层；
对所述多晶硅层进行构图，以形成多晶硅的半导体层；
在所述半导体层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上、所述半导体层上方的形成栅极，所述栅极连接到所述选通线；
使用所述栅极作为掺杂掩模来利用杂质对所述半导体层进行掺杂，以限定本征多晶硅的第一半导体区和在所述第一半导体区的两侧的掺杂了杂质的多晶硅的第二半导体区；
在所述栅极上形成所述中间层绝缘层，所述中间层绝缘层具有露出所述第二半导体区的第二接触孔；以及
在所述中间层绝缘层上形成源极和所述漏极，所述源极和所述漏极通过所述半导体接触孔接触所述第二半导体区。
CN201110415413.2A 2011-04-21 2011-12-13 用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的基板及其制造方法 Active CN102750024B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110037243A KR101520423B1 (ko) 2011-04-21 2011-04-21 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR10-2011-0037243 2011-04-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102750024A true CN102750024A (zh) 2012-10-24
CN102750024B CN102750024B (zh) 2015-03-18

Family

ID=46967463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110415413.2A Active CN102750024B (zh) 2011-04-21 2011-12-13 用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的基板及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9201533B2 (zh)
KR (1) KR101520423B1 (zh)
CN (1) CN102750024B (zh)
DE (1) DE102011088319B4 (zh)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103034386A (zh) * 2012-12-20 2013-04-10 北京京东方光电科技有限公司 电容式触控显示面板、显示装置、控制装置及方法
CN103901679A (zh) * 2012-12-24 2014-07-02 乐金显示有限公司 用于边缘场开关模式液晶显示设备的阵列基板及其制造方法
CN103941496A (zh) * 2013-05-13 2014-07-23 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、触控液晶显示面板及其制造方法
CN104516165A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN104679321A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 乐金显示有限公司 触摸传感器集成式显示装置
CN104777692A (zh) * 2015-05-08 2015-07-15 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及制作方法、触控显示面板
CN104867944A (zh) * 2015-05-08 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及其制作方法
CN105070268A (zh) * 2015-09-23 2015-11-18 深圳市华星光电技术有限公司 降低内嵌式触摸液晶面板的漏电流的方法及设备
CN105259690A (zh) * 2015-10-10 2016-01-20 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板制作方法、阵列基板以及触控液晶显示装置
CN105739741A (zh) * 2014-12-30 2016-07-06 乐金显示有限公司 具有内嵌型触摸传感器的超高分辨率平板显示器
WO2016106841A1 (zh) * 2014-12-31 2016-07-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制造方法及触摸屏
CN105931986A (zh) * 2016-05-18 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置
CN106502449A (zh) * 2015-09-03 2017-03-15 东友精细化工有限公司 触控面板及包括触控面板的显示装置
CN109388283A (zh) * 2015-09-24 2019-02-26 乐金显示有限公司 显示装置及制造该显示装置的方法
CN109659310A (zh) * 2017-10-10 2019-04-19 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构以及像素结构的制作方法
CN109727912A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法
US10409121B2 (en) 2017-04-28 2019-09-10 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Array substrate and display device including the same
CN111897156A (zh) * 2015-11-10 2020-11-06 乐金显示有限公司 包括盒内式触摸板的背板基板
WO2024020767A1 (zh) * 2022-07-26 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、液晶盒、显示装置

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101295533B1 (ko) * 2010-11-22 2013-08-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101830179B1 (ko) * 2011-11-03 2018-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP5723023B2 (ja) * 2011-11-18 2015-05-27 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法
KR101971594B1 (ko) * 2012-02-16 2019-04-24 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US9869908B2 (en) * 2012-03-06 2018-01-16 Apple Inc. Pixel inversion artifact reduction
US8704232B2 (en) 2012-06-12 2014-04-22 Apple Inc. Thin film transistor with increased doping regions
US9065077B2 (en) 2012-06-15 2015-06-23 Apple, Inc. Back channel etch metal-oxide thin film transistor and process
JP2014021170A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US9685557B2 (en) 2012-08-31 2017-06-20 Apple Inc. Different lightly doped drain length control for self-align light drain doping process
US8987027B2 (en) 2012-08-31 2015-03-24 Apple Inc. Two doping regions in lightly doped drain for thin film transistors and associated doping processes
US8748320B2 (en) 2012-09-27 2014-06-10 Apple Inc. Connection to first metal layer in thin film transistor process
US8999771B2 (en) 2012-09-28 2015-04-07 Apple Inc. Protection layer for halftone process of third metal
US9201276B2 (en) 2012-10-17 2015-12-01 Apple Inc. Process architecture for color filter array in active matrix liquid crystal display
US9536905B2 (en) * 2012-11-08 2017-01-03 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device using same
US9599866B2 (en) * 2012-11-08 2017-03-21 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device
US9594281B2 (en) * 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN103293750B (zh) * 2012-12-14 2016-05-11 上海天马微电子有限公司 一种内嵌式触摸屏彩膜基板及其制造方法
CN103278955B (zh) * 2012-12-14 2015-11-11 上海天马微电子有限公司 一种彩膜基板及触控式液晶显示装置
KR102052749B1 (ko) * 2012-12-20 2019-12-06 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 일체형 표시장치
KR101697272B1 (ko) * 2012-12-24 2017-01-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR102047727B1 (ko) * 2012-12-29 2019-11-22 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판
JP5909198B2 (ja) 2013-01-21 2016-04-26 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル及び電子機器
US9001297B2 (en) 2013-01-29 2015-04-07 Apple Inc. Third metal layer for thin film transistor with reduced defects in liquid crystal display
US9088003B2 (en) 2013-03-06 2015-07-21 Apple Inc. Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display
CN103235457B (zh) * 2013-04-25 2014-11-19 北京京东方光电科技有限公司 触控像素驱动电路、方法、阵列基板和液晶显示装置
US9639193B2 (en) 2013-04-25 2017-05-02 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch-control pixel driving circuit, touch-control pixel driving method, array substrate and liquid crystal display (LCD) device
CN104216545A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 一种内置触摸装置及其实现方法
KR102066020B1 (ko) * 2013-06-28 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 산화물 반도체를 이용한 표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR102068170B1 (ko) * 2013-08-19 2020-01-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
KR102140644B1 (ko) * 2013-12-11 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조방법
CN103700669A (zh) * 2013-12-19 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
KR102167136B1 (ko) * 2013-12-31 2020-10-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판을 구비한 표시장치 및 그 제조방법
KR101584423B1 (ko) * 2014-02-21 2016-01-11 하이디스 테크놀로지 주식회사 모아레 감소를 위한 오버코트층을 구비한 터치 패널, 터치 패널을 구비한 액정표시장치 및 터치 패널 형성 방법
CN105022184A (zh) * 2014-04-17 2015-11-04 株式会社日本显示器 显示装置
CN203894716U (zh) * 2014-04-21 2014-10-22 速博思股份有限公司 立体空间配置感测区块的内嵌式触控显示设备
CN104020621B (zh) * 2014-05-26 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
KR101725896B1 (ko) * 2014-06-13 2017-04-12 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 패널 일체형 표시장치 및 제조방법
US9753590B2 (en) 2014-06-13 2017-09-05 Lg Display Co., Ltd. Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same
CN104076550A (zh) * 2014-06-17 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 彩膜阵列基板、显示装置及彩膜阵列基板的制作方法
KR101719397B1 (ko) * 2014-08-14 2017-03-24 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 내장형 액정 표시장치
KR102256461B1 (ko) * 2014-10-10 2021-05-26 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102297760B1 (ko) * 2014-12-31 2021-09-03 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터를 구비한 액정표시장치
CN104571715B (zh) * 2015-02-02 2018-01-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和驱动方法、显示装置
TWI561894B (en) * 2015-05-29 2016-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Manufacturing method of making electronic connection structure, tft substrate, and insulation layer
US10228787B2 (en) * 2015-06-05 2019-03-12 Innolux Corporation Display device
CN105116276B (zh) * 2015-09-15 2019-03-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种电容屏的检测装置
KR102521944B1 (ko) * 2015-10-02 2023-04-18 삼성디스플레이 주식회사 머리 탑재형 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2017077994A1 (ja) * 2015-11-06 2017-05-11 シャープ株式会社 表示基板及び表示装置
KR102392683B1 (ko) 2015-11-30 2022-05-02 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시장치
KR102543487B1 (ko) 2015-12-28 2023-06-16 삼성디스플레이 주식회사 자기 정전 용량형 터치 스크린 및 이를 구비하는 표시 장치
KR102431688B1 (ko) * 2015-12-31 2022-08-11 엘지디스플레이 주식회사 내열성이 향상된 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치
KR102485387B1 (ko) * 2016-01-20 2023-01-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102435900B1 (ko) * 2016-01-21 2022-08-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105742238A (zh) * 2016-03-02 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 孔结构和阵列基板及其制作方法、探测装置和显示装置
TWI686653B (zh) * 2016-05-16 2020-03-01 日商凸版印刷股份有限公司 顯示裝置
US10101853B2 (en) 2016-06-03 2018-10-16 Apple Inc. Display with shallow contact holes and reduced metal residue at planarization layer steps
WO2018073706A1 (en) * 2016-10-21 2018-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operating method thereof
KR102036293B1 (ko) * 2017-03-22 2019-10-24 동우 화인켐 주식회사 전극 접속 구조물 및 터치 센서
KR102330864B1 (ko) * 2017-05-12 2021-11-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109085942B (zh) * 2017-06-14 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、触控显示装置
US10371979B2 (en) * 2017-06-22 2019-08-06 Hannstar Display Corporation Display panel and manufacturing method thereof
CN107682001B (zh) * 2017-09-19 2020-01-10 武汉华星光电技术有限公司 一种触摸屏开关、触摸屏及触摸屏开关的制作方法
CN107611115B (zh) * 2017-09-29 2019-12-13 武汉华星光电技术有限公司 集成电路针脚、内嵌式触摸屏及集成电路针脚的封装方法
CN109725450B (zh) * 2017-10-30 2022-02-08 瀚宇彩晶股份有限公司 显示面板与其制造方法
DE102019100407B3 (de) * 2019-01-09 2020-03-12 Fliegl Agrartechnik Gmbh Austragsvorrichtung für ein Beschickungssystem zum Bereitstellen von Biomasse in einer Biogasanlage
TWI690917B (zh) * 2019-03-13 2020-04-11 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
CN111477589B (zh) * 2020-04-08 2022-08-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置
CN114512495A (zh) * 2020-10-23 2022-05-17 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN113064307B (zh) * 2021-03-19 2022-02-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及制作方法、显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080055265A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Elan Home Systems, Llc Interactive touchpad
CN101276107A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 乐金显示有限公司 具有感测功能的液晶显示装置及其制造方法
CN101320185A (zh) * 2008-07-18 2008-12-10 昆山龙腾光电有限公司 触控式液晶显示阵列基板及液晶显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451379B1 (ko) * 1998-06-19 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법
KR100870700B1 (ko) * 2002-12-09 2008-11-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US8059015B2 (en) * 2006-05-25 2011-11-15 Cypress Semiconductor Corporation Capacitance sensing matrix for keyboard architecture
DE112007002544A1 (de) * 2006-06-09 2010-07-22 Apple Inc., Cupertino Flüssigkristallanzeige mit Berührungsbildschirm
JP5051690B2 (ja) * 2007-01-30 2012-10-17 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 入力機能付表示装置
JP4487318B2 (ja) 2007-07-26 2010-06-23 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
EP2079008A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-15 TPO Displays Corp. Position sensing display
US8749496B2 (en) 2008-12-05 2014-06-10 Apple Inc. Integrated touch panel for a TFT display
US8760412B2 (en) 2009-02-02 2014-06-24 Apple Inc. Dual configuration for display data lines
US8217913B2 (en) 2009-02-02 2012-07-10 Apple Inc. Integrated touch screen
JP5458371B2 (ja) * 2009-03-25 2014-04-02 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 薄膜トランジスタ、その製造方法、液晶表示パネル及び電子機器
KR101589272B1 (ko) 2009-08-21 2016-01-27 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서 인셀 타입 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080055265A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Elan Home Systems, Llc Interactive touchpad
CN101276107A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 乐金显示有限公司 具有感测功能的液晶显示装置及其制造方法
CN101320185A (zh) * 2008-07-18 2008-12-10 昆山龙腾光电有限公司 触控式液晶显示阵列基板及液晶显示装置

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103034386A (zh) * 2012-12-20 2013-04-10 北京京东方光电科技有限公司 电容式触控显示面板、显示装置、控制装置及方法
CN103901679A (zh) * 2012-12-24 2014-07-02 乐金显示有限公司 用于边缘场开关模式液晶显示设备的阵列基板及其制造方法
CN103941496A (zh) * 2013-05-13 2014-07-23 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、触控液晶显示面板及其制造方法
CN103941496B (zh) * 2013-05-13 2017-06-06 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、触控液晶显示面板及其制造方法
US9583518B2 (en) 2013-09-27 2017-02-28 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
CN104516165A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN104516165B (zh) * 2013-09-27 2017-09-19 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN104679321A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 乐金显示有限公司 触摸传感器集成式显示装置
US9851825B2 (en) 2013-11-28 2017-12-26 Lg Display Co., Ltd. Touch sensor integrated type display device
CN104679321B (zh) * 2013-11-28 2018-10-09 乐金显示有限公司 触摸传感器集成式显示装置
CN105739741B (zh) * 2014-12-30 2018-09-28 乐金显示有限公司 具有内嵌型触摸传感器的超高分辨率平板显示器
CN105739741A (zh) * 2014-12-30 2016-07-06 乐金显示有限公司 具有内嵌型触摸传感器的超高分辨率平板显示器
WO2016106841A1 (zh) * 2014-12-31 2016-07-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制造方法及触摸屏
US9785023B2 (en) 2015-05-08 2017-10-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate structure and manufacturing method thereof
US9811191B2 (en) 2015-05-08 2017-11-07 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Array substrate and manufacture method thereof, and touch display panel
CN104867944A (zh) * 2015-05-08 2015-08-26 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及其制作方法
CN104867944B (zh) * 2015-05-08 2018-07-10 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板结构及其制作方法
CN104777692B (zh) * 2015-05-08 2018-09-04 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及制作方法、触控显示面板
CN104777692A (zh) * 2015-05-08 2015-07-15 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及制作方法、触控显示面板
CN106502449A (zh) * 2015-09-03 2017-03-15 东友精细化工有限公司 触控面板及包括触控面板的显示装置
CN106502449B (zh) * 2015-09-03 2021-05-11 东友精细化工有限公司 触控面板及包括触控面板的显示装置
CN105070268A (zh) * 2015-09-23 2015-11-18 深圳市华星光电技术有限公司 降低内嵌式触摸液晶面板的漏电流的方法及设备
CN105070268B (zh) * 2015-09-23 2017-10-24 深圳市华星光电技术有限公司 降低内嵌式触摸液晶面板的漏电流的方法及设备
CN109388283A (zh) * 2015-09-24 2019-02-26 乐金显示有限公司 显示装置及制造该显示装置的方法
CN105259690A (zh) * 2015-10-10 2016-01-20 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板制作方法、阵列基板以及触控液晶显示装置
CN111897156A (zh) * 2015-11-10 2020-11-06 乐金显示有限公司 包括盒内式触摸板的背板基板
US11592699B2 (en) 2015-11-10 2023-02-28 Lg Display Co., Ltd. Backplane substrate including in-cell type touch panel, liquid crystal display device using the same, and method of manufacturing the same
CN111897156B (zh) * 2015-11-10 2023-09-01 乐金显示有限公司 包括盒内式触摸板的背板基板
CN105931986A (zh) * 2016-05-18 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置
US10409121B2 (en) 2017-04-28 2019-09-10 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Array substrate and display device including the same
CN109659310A (zh) * 2017-10-10 2019-04-19 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构以及像素结构的制作方法
US10775674B2 (en) 2017-10-10 2020-09-15 Hannstar Display Corporation Pixel structure and manufacturing method thereof
CN109659310B (zh) * 2017-10-10 2021-02-05 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构以及像素结构的制作方法
CN109727912A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法
WO2024020767A1 (zh) * 2022-07-26 2024-02-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、液晶盒、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9465246B2 (en) 2016-10-11
CN102750024B (zh) 2015-03-18
KR20120119369A (ko) 2012-10-31
US20160054609A1 (en) 2016-02-25
KR101520423B1 (ko) 2015-05-14
DE102011088319B4 (de) 2014-02-20
US9201533B2 (en) 2015-12-01
DE102011088319A1 (de) 2012-10-25
US20120268396A1 (en) 2012-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102750024B (zh) 用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的基板及其制造方法
CN102193229B (zh) 触摸感测式液晶显示装置及其制造方法
KR101799529B1 (ko) 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법
CN102193231B (zh) 触摸感测式液晶显示装置及其制造方法
CN108255355B (zh) 内嵌式触控显示面板
CN106200064B (zh) In-cell触摸液晶显示装置及其制造方法
KR101749146B1 (ko) 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법
KR101466556B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
CN102109722B (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN103176302B (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN102193230B (zh) 触摸感测式液晶显示装置及其制造方法
CN100504554C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
KR101608637B1 (ko) 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법
JP2001083540A (ja) ワイドビューアングル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法
CN102593126B (zh) 面板及其制法
CN106886107B (zh) 显示面板
CN104423112A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN102478737A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
KR101887371B1 (ko) 액정 표시장치와 이의 제조방법
CN105159486A (zh) Ads阵列基板及其制作方法、显示器件
CN105045433B (zh) 一种触控显示面板及显示装置
CN106935600B (zh) 一种显示面板和显示装置
KR102246696B1 (ko) 인셀 터치 방식 표시장치 및 이의 제조방법
CN103985714A (zh) 阵列基板及其制造方法
CN112631448A (zh) 触控显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant