DE102011088319B4 - Substrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen und Herstellungsverfahren für dasselbe - Google Patents

Substrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen und Herstellungsverfahren für dasselbe Download PDF

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Abstract

Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen, umfassend: – ein Substrat (101) mit mehreren berührungsempfindlichen Blöcken, von denen jeder mehrere Pixelbereiche umfasst; – eine Gateleitung (119) und eine Datenleitung (130) auf dem Substrat, wobei sich die Gateleitung (119) und die Datenleitung (130) kreuzen und eine Zwischenisolationsschicht (123) zwischen ihnen ausgebildet ist, um jeden der mehreren Pixelbereiche (P) zu definieren; – einen Dünnschichtransistor (Tr), der mit der Gateleitung (119) und der Datenleitung (130) verbunden ist; – eine erste Passivierungsschicht (145) auf dem Dünnschichttransistor, wobei die erste Passivierungsschicht ein erstes Drainkontaktloch (147) aufweist, das eine Drainelektrode (136) des Dünnschichttransistors freilegt; – eine Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential auf der ersten Passivierungsschicht (145) in jedem der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke; – ein Ätzverhinderungsmuster (151), das das Drainkontaktloch (147) bedeckt und die durch das erste Drainkontaktloch (147) freigelegte Drainelektrode (136) kontaktiert, wobei das Ätzverhinderungsmuster ein selbes Material und eine selbe Schicht wie die Elektrode für ein gemeinsames Potential aufweist, und wobei das Ätzverhinderungsmuster (151) von der Elektrode für ein gemeinsames Potential räumlich getrennt ist; – eine x-Erfassungsleitung (xls) und eine y-Erfassungsleitung (yls) auf der Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential, wobei die x-Erfassungsleitung die Gateleitung (119) überlappt und die y-Erfassungsleitung die Datenleitung (130) überlappt; – eine zweite Passivierungsschicht (155) auf der x-Erfassungsleitung und der y-Erfssungsleitung wobei die zweite Passivierungsschicht ein zweites Drainkontaktloch (157) aufweist, das das Ätzverhinderungsmuster freilegt; und – eine Pixelelektrode (160) auf der zweiten Passivierungsschicht (155) in jedem der mehreren Pixelbereiche, wobei die Pixelelektrode das Ätzverhinderungsmuster (151) durch das zweite Drainkontaktloch (157) kontaktiert und mehrere offene Bereiche (oa3) aufweist, die jeweils eine stabförmige Form aufweisen.

Description

  • Gebiet der Offenbarung
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, und insbesondere ein Substrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen, bei dem ein elektrischer Kurzschluss zwischen Metallmustern in einem Kontaktloch verhindert wird, und ein Herstellungsverfahren für das Substrat.
  • Diskussion des Stands der Technik
  • Kürzlich ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) als eine Anzeigevorrichtung der nächsten Generation ins Rampenlicht gerückt, die einen hohen Mehrwert aufgrund ihres geringen Energieverbrauchs und guter Transportfähigkeit aufweist. Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Aktivmatrix (AM-LCD), die Dünnschichttransistoren als Schaltvorrichtungen für mehrere Pixel umfasst, wird aufgrund ihrer hohen Auflösung und ihrer Überlegenheit hinsichtlich der Anzeige von bewegten Bildern weitgehend verwendet.
  • Die LCD-Vorrichtung wird im Allgemeinen durch einen Arraysubstratprozess für das Ausbilden eines Dünnschichttransistors und einer Pixelelektrode auf einem Arraysubstrat, einen Farbfiltersubstratprozess für das Ausbilden einer Farbfilterschicht und einer Elektrode für ein gemeinsames Potential auf einem Farbfiltersubstrat und einen Zellenprozess für das Ausbilden einer Flüssigkristallschicht zwischen dem Arraysubstrat und dem Farbfiltersubstrat hergestellt.
  • 1 ist eine Explosionsansicht, die eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik zeigt. In 1 umfasst die Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) ein Arraysubstrat 10, ein Farbfiltersubstrat 20 und eine Flüssigkristallschicht 30 zwischen dem Arraysubstrat 10 und dem Farbfiltersubstrat 20. Das Arraysubstrat 10 umfasst ein erstes Substrat 12, eine Gateleitung 14 auf dem ersten Substrat 12, eine Datenleitung 16, die die Gateleitung 14 kreuzt, um einen Pixelbereich P zu definieren, einen Dünnschichttransistor (TFT) T, der mit der Gateleitung 14 und der Datenleitung 16 verbunden ist, und eine Pixelelektrode 18, die mit dem TFT T verbunden ist.
  • Weiter umfasst das dem Arraysubstrat 10 gegenüberliegende Farbfiltersubstrat 20 ein zweites Substrat 22, eine Schwarzmatrix 25, die einen Nicht-Anzeigebereich entsprechend der Gateleitung 14, der Datenleitung 16 und dem TFT T abschirmt, eine Farbfilterschicht 26 mit roten, grünen und blauen Farbfiltern 26a, 26b und 26c, die jeweils dem Pixelbereich P entsprechen, und eine Elektrode 28 für ein gemeinsames Potential auf einer gesamten Oberfläche des zweiten Substrats 22.
  • Obwohl es in 1 nicht gezeigt ist, kann ein Dichtungsmuster in einem Grenzbereich zwischen dem Arraysubstrat 10 und dem Farbfiltersubstrat 20 ausgebildet sein, um einen Leckage der Flüssigkristallschicht 30 zu verhindern. Ein unterer Orientierungsfilm kann zwischen dem Arraysubstrat 10 und der Flüssigkristallschicht 30 ausgebildet sein und ein oberer Orientierungsfilm kann zwischen dem Farbfiltersubstrat 20 und der Flüssigkristallschicht 30 ausgebildet sein, um anfangs die Flüssigkristallschicht auszurichten. Weiter kann eine Polarisationsplatte auf einer äußeren Oberfläche wenigstens des ersten oder des zweiten Substrats 12 und 22 ausgebildet sein.
  • Eine Hintergrundbeleuchtungseinheit kann unter dem Arraysubstrat 10 angeordnet sein, um Licht bereitzustellen. Wenn ein Gatesignal, das den TFT T anschaltet, sequentiell an die Gateleitung 14 ausgegeben wird, wird der TFT T angeschaltet und ein an die Datenleitung 16 ausgegebenes Datensignal wird durch den TFT an die Pixelelektrode 18 angelegt. Im Ergebnis wird ein vertikales elektrisches Feld zwischen der Pixelelektrode 18 und der Elektrode 28 für ein gemeinsames Potential erzeugt, und Flüssigkristallmoleküle in der Flüssigkristallschicht 30 werden durch das vertikale elektrische Feld umorientiert, wodurch die LCD-Vorrichtung aufgrund einer Transmittanzänderung der Flüssigkristallschicht 30 Bilder anzeigt.
  • Die LCD-Vorrichtung, die unter Verwendung des vertikalen elektrischen Feldes angesteuert wird, weist jedoch einen Nachteil hinsichtlich des Betrachtungswinkels auf. Dementsprechend wurde ein LCD-Vorrichtung mit IPS-Modus („in-plane switching mode”) und eine LCD-Vorrichtung mit FFS-Modus („fringe field switching mode”) vorgeschlagen, wo eine Pixelelektrode und eine Elekrode für ein gemeinsames Potential auf einem Arraysubstrat ausgebildet sind und Flüssigkristallmoleküle durch ein horizontales elektrisches Feld angesteuert werden, das zwischen der Pixelelektrode und der Elektrode für ein gemeinsames Potential erzeugt wird. Die LCD-Vorrichtung mit IPS-Modus oder die LCD-Vorrichtung mit FFS-Modus werden für verschiedene Anwendungsprodukte verwendet, wie beispielsweise Fernseher, Projektoren, Mobiltelefone und persönliche digitale Assistenten (PDA). Weiter weisen die verschiedenen Anwendungsprodukte die Funktion auf, dass sie eine Berührung erfassen können. Eine LCD-Vorrichtung mit einem integrierten berührungsempfindlichen Sensor kann als eine LCD-Vorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen bezeichnet werden.
  • Ein Arraysubstrat für die LCD-Vorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen weist mehrere berührungsempfindliche Blöcke für das Erfassen einer Berührung und mehrere Erfassungsleitungen, die mit den mehreren berührungsempfindlichen Blöcken verbunden sind, als auch die Gateleitungen und die Datenleitungen auf. Wenn beispielsweise ein Dünnschichttransistor TFT aus polykristalinem Silizium, der eine ausgezeichnete Mobilität aufweist, als Schaltelement verwendet wird, kann ein Arraysubstrat für eine LCD-Vorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen durch elf Maskenprozesse ausgebildet werden. Weiter kann das Arraysubstrat eine Gateisolationssicht, eine Zwischenisolationsschicht, eine Hilfsisolationssicht, eine erste Passivierungsschicht und eine zweite Passivierungsschicht umfassen. Die Hilfsisolationsschicht umfasst ein anorganisches Isolationsmaterial, um eine Adhäsion zwischen einer leitenden Leitung aus einem metallischen Material, wie beispielsweise einer Datenleitung, einer Source-Elektrode und einer Drainelektrode, und der ersten Passivierungsschicht aus einem organischen Isolationsmaterial zu verbessern.
  • Ein Arraysubstrat für LCD-Vorrichtungen mit berührungsempfindlichen Sensoren ist aus der US 2008/0180407 A1 bekannt. Aus der US 2009/0179868 A1 ist ein kapazitativer berührungsempfindlicher Sensor bekannt, welcher gekreuzte x- und y-Erfassungsleitungen mit Kontaktelektroden und zugehörige Erfassungsschaltkreise umfasst. Aus der US 2008/0062140 A1 sind Flüssigkristallanzeigevorrichtungen mit integrierten berührungsempfindlichen Elementen bekannt. Zusätzliche metallische Messleitungen sind unterhalb der Pixelelektrode auf dem Arraysubstrat ausgebildet, um Störungen im Bereich des erzeugten Bildes zu reduzieren. Aus der WO 2010/088659 A1 ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bekannt, bei der berührungsempfindliche Blöcke sowie x- und y-Erfassungsleitungen auf einem Arraysubstrat ausgebildet sind. Ein 2-Lagen-Touch-Sensor, bei dem berührungsempfindliche Blöcke über ein Verbindungsmuster miteinander verbunden sind, ist aus der US 2007/0273560 A1 bekannt. Aus der US 5 990 999 A ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einem Substrat bekannt, in welchem ein erstes Ätzverhinderungsmuster und ein zweites Ätzverhinderungsmuster auf einer Passivierungsschicht gebildet sind. Die Ätzverhinderungsmuster sind über dem Kreuzungsbereich der Gateleitungen und der Datenleitungen angeordnet.
  • Zum Zwecke der Vereinfachung des Herstellungsprozesses kann der Schritt für das Ausbilden der Hilfsisolationsschicht weggelassen werden. Wenn jedoch die Hilfsisolationsschicht weggelassen wird, werden die Drainelektrode und eine mit der Datenleitung verbundene Datenkontaktfläche durch ein Kontaktloch in der ersten Passivierungsschicht freigelegt. Die freigelegte Drainelektrode und die Datenkontaktfläche können sich aufgrund einer Ätzlösung für eine Elektrode für ein gemeinsames Potential aus einem transparenten Material verschlechtern, oder aufgrund einer Lösung für eine Erfassungsleitung aus einem metallischen Material auf der ersten Passivierungsschicht. Im Ergebnis verschlechtern sich Kontakteigenschaften der Drainelektrode und der Datenkontaktfläche.
  • Zusammenfassung
  • Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen und ein Herstellungsverfahren für ein Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen anzugeben, die verhindern, dass sich Kontakteigenschaften der Drainelektrode und der Datenkontaktfläche verschlechtern.
  • Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst.
  • Vorzugsweise umfasst ein Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen: ein Substrat mit mehreren berührungsempfindlichen Blöcken, von denen jeder mehrere Pixelbereiche umfasst; eine Gateleitung und eine Datenleitung auf dem Substrat, wobei sich die Gateleitung und die Datenleitung kreuzen und eine Zwischenisolationsschicht zwischen ihnen ausgebildet ist, um jeden der mehreren Pixelbereiche zu definieren; einen Dünnschichtransistor, der mit der Gateleitung und der Datenleitung verbunden ist; eine erste Passivierungsschicht auf dem Dünnschichttransistor, wobei die erste Passivierungsschicht ein erstes Drainkontaktloch aufweist, das eine Drainelektrode des Dünnschichttransistors freilegt; eine Elektrode für ein gemeinsames Potential auf der ersten Passivierungsschicht in jedem der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke; ein Ätzverhinderungsmuster, das das Drainkontaktloch bedeckt und die durch das erste Drainkontaktloch (147) freigelegte Drainelektrode (136) kontaktiert, wobei das Ätzverhinderungsmuster ein selbes Material und eine selbe Schicht wie die Elektrode für ein gemeinsames Potential aufweist, und wobei das Ätzverhinderungsmuster von der Elektrode für ein gemeinsames Potential räumlich getrennt ist; eine x-Erfassungsleitung und eine y-Erfassungsleitung auf der Elektrode für ein gemeinsames Potential, wobei die x-Erfassungsleitung die Gateleitung überlappt und die y-Erfassungsleitung die Datenleitung überlappt; eine zweite Passivierungsschicht auf der x-Erfassungsleitung und der y-Erfssungsleitung, wobei die zweite Passivierungsschicht ein zweites Drainkontaktloch aufweist, das das Ätzverhinderungsmuster freilegt; und eine Pixelelektrode auf der zweiten Passivierungsschicht in jedem der mehreren Pixelbereiche, wobei die Pixelelektrode das Ätzverhinderungsmuster durch das zweite Drainkontaktloch kontaktiert und mehrere offene Bereiche aufweist, die jeweils eine stabartige Form aufweisen.
  • Gemäß einem anderen Aspekt umfasst ein Verfahren für die Herstellung eines Arraysubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen: Ausbilden einer Gateleitung, einer Datenleitung und eines Dünnschichttransistors auf einem Substrat mit mehreren berührungsempfindlichen Blöcken, die jeweils mehrere Pixelbereiche umfassen, wobei die Gateleitung und die Datenleitung einander kreuzen und eine Zwischenisolationsschicht dazwischen ausgebildet ist, um jeden der mehreren Pixelbereiche zu definieren, und der Dünnschichttransistor mit der Gateleitung und der Datenleitung verbunden ist; Ausbilden einer ersten Passivierungsschicht auf dem Dünnschichttransistor, wobei die erste Passivierungsschicht ein erstes Drainkontaktfloch aufweist, das eine Drainelektrode des Dünnschichttransistors freilegt; Ausbilden einer Elektrode für ein gemeinsames Potential und eines Ätzverhinderungsmusters auf der ersten Passivierungsschicht, wobei die Elektrode für ein gemeinsames Potential in jedem der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke angeordnet ist, wobei das Ätzverhinderungsmuster von der Elektrode für ein gemeinsames Potential räumlich getrennt ist, und wobei das Ätzverhinderungsmuster eine Fläche aufweist, die größer als das Drainkontaktloch ist, um die durch das Drainkontaktloch (147) freigelegte Drainelektrode vollständig zu bedecken und zu kontaktieren; Ausbilden einer x-Erfassungsleitung und einer y-Erfassungsleitung auf der Elektrode für ein gemeinsames Potential, wobei die x-Erfassungsleitung die Gateleitung überlappt und die y-Erfassungsleitung die Datenleitung überlappt; Ausbilden einer zweiten Passivierungsschicht auf der x-Erfassungsleitung und der y-Erfassungsleitung, wobei die zweite Passivierungsschicht ein zweites Drainkontaktloch aufweist, das das Ätzverhinderungsmuster freilegt; und Ausbilden einer Pixelelektrode auf der zweiten Passivierungsschicht in jedem der mehreren Pixelbereiche, wobei die Pixelelektrode das Ätzverhinderungsmuster durch das zweite Drainkontaktloch kontaktiert und mehrere offene Bereiche aufweist, die jeweils stabförmig ausgebildet sind.
  • Die Aufgabe wird auch durch eine Anzeigevorrichtung mit einem solchen Arraysubstrat gelöst.
  • Es ist zu verstehen, dass sowohl die vorangegangene allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung exemplarisch und erläuternd sind und beabsichtigt sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung, wie sie beansprucht ist, zu bieten.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die angehängten Zeichnungen, welche enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu bieten und eingefügt sind und einen Teil dieser Beschreibung bilden, zeigen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erläuterung der Prinzipien der Erfindung. in den Zeichnungen:
  • 1 ist eine Explosionsansicht, die eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik zeigt;
  • 2 ist eine Draufsicht, die einen berührungsempfindlichen Block eines Arraysubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 3 ist eine Schnittansicht, die einen Pixelbereich eines Arraysubstrats einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 4 ist eine Schnittansicht, die einen Kontaktflächenbereich eines Arraysubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 5 ist eine Schnittansicht, die einen Endbereich eines berührungsempfindlichen Blockes eines Arraysubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 6A bis 6J sind Schnittansichten, die ein Arraysubstrat eines Pixelbereichs für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform einer vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 7A bis 7J sind Schnittansichten, die ein Herstellungsverfahren eines Arraysubstrats eines Kontaktflächenbereichs für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; und
  • 8A bis 8J sind Schnittansichten, die ein Arraysubstrat eines Endbereichs eines berührungsempfindlichen Blockes für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Detaillierte Beschreibung der beispielhaften Ausführungsformen
  • Es wird nun detailliert Bezug auf bevorzugte Ausführungsformen genommen, von denen Beispiele in den angehängten Zeichnungen gezeigt sind.
  • 2 ist eine Draufsicht, die einen berührungsempfindlichen Block eines Arraysubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einem berührungsempfindlichen Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, und 3 ist eine Schnittansicht, die einen Pixelbereich eines Arraysubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführugsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Weiter ist 4 eine Schnittansicht, die einen Kontaktflächenbereich eines Arraysubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt und 5 ist eine Schnittansicht, die einen Endbereich eines berührungsempfindlichen Blocks eines Arraysubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • In den 2 bis 5 umfasst ein Arraysubstrat 101 für einen Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen einen aktiven Bereich AA, der ein Bild anzeigt, und einen nicht-aktiven Bereich NA, der den aktiven Bereich NA umgibt. Der aktive Bereich AA kann mehrere berührungsempfindliche Blöcke TB umfassen und jeder berührungsempfindliche Block TB kann mehrere Pixelbereiche P umfassen. Weiter umfasst der nicht-aktive Bereich NA einen Kontaktflächenbereich PA. Da ein berührungsempfindlicher Sensor einen Berührung eines Fingers erfasst, umfasst das Arraysubstrat für eine LCD-Vorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen die mehreren berührungsempfindlichen Blöcke TB, die jeweils die mehreren Pixelbereiche P umfassen.
  • In 2 umfasst ein berührungsempfindlicher Block TB einen ersten, zweiten und dritten Bereich A1, A2 und A3. Eine Gateleitung 119, eine x-Erfassungsleitung xsl und eine y-Erfassungsleitung ysl sind im ersten, zweiten und dritten Bereich A1, A2 und A3 auf dem Substrat 101 ausgebildet. Die x-Erfassungsleitung xsl ist parallel zur Gateleitung 119 ausgebildet und räumlich von dieser getrennt, und die y-Erfassungsleitung ysl kreuzt die Gateleitung 119. Die x-Erfassungsleitung xsl kann die y-Erfassungsleitung ysl durch eine Sprungleitung (nicht gezeigt) aus einem leitenden Material in einer anderen Schicht kreuzen. Im Ergebnis ist der zweite Bereich A2 mit oberen und unteren berührungsempfindlichen Blöcken (nicht gezeigt) des zweiten Bereichs A2 durch die y-Erfassungsleitung ysl verbunden. Weiter sind der erste und der dritte Bereich A1 und A3 entsprechend mit linken und rechten berührungsempfindlichen Blöcken (nicht gezeigt) durch die x-Erfassungsleitung xsl verbunden. Beispielsweise kann der erste Bereich A1 mit einem dritten Bereich A3 des linken berührungsempfindlichen Blockes durch die x-Erfassungsleitung xsl verbunden sein, und der dritte Bereich A3 kann mit einem ersten Bereich A1 des rechten Blockes durch die x-Erfassungsleitung xsl verbunden sein.
  • Die x-Erfassungsleitung xsl des zweiten Bereichs A2 weist eine Stabform auf, so dass die x-Erfassungsleitung xsl des zweiten Bereichs A2 elektrisch von der x-Erfassungsleitung xsl des ersten und des dritten Bereichs A1 und A3 getrennt ist. Dementsprechend sind die x-Erfassungsleitungen xsl der ersten bis dritten Bereiche A1 bis A3 an einer Grenze zwischen dem ersten und zweiten Bereich A1 und A2 und zwischen dem zweiten und dem dritten Bereich A2 und A3 elektrisch getrennt.
  • Die x-Erfassungsleitungen xsl des ersten und des dritten Bereichs A1 und A3 sind durch eine Hilfserfassungsleitung 122 des zweiten Bereichs A2 elektrisch miteinander verbunden. Beispielsweise ist ein Endbereich der x-Erfassungsleitungen xsl des ersten Bereichs A1 mit einem Endbereich der Hilfserfassungsleitungen 122 des zweiten Bereichs A2 in einem ersten Erfassungskontaktloch 148 einer ersten Passivierungsschicht 145 (der 3) und einem zweiten Erfassungskontaktloch 155 (der 3) an einer Grenze des ersten Bereichs A1 durch ein Verbindungsmuster 163 (der 3) verbunden. Ähnlich ist ein Endbereich der x-Erfassungsleitungen xsl des dritten Bereichs A3 mit dem anderen Endbereich der Hilfserfassungsleitung 122 des zweiten Bereichs A2 im ersten Erfassungskontaktloch 148 der ersten Passivierungsschicht 145 und im zweiten Erfassungskontaktloch 155 an einer Grenze des dritten Bereichs A3 durch ein Verbindungsmuster 163 verbunden. Dementsprechend sind der erste und dritte Bereich A1 und A3 durch die x-Erfassungsleitungen xsl und die Hilfserfassungsleitung 122 des zweiten Bereichs A2 miteinander verbunden.
  • In den 3, 4 und 5 ist eine Pufferschicht 105 aus einem anorganischen Isolationsmaterial, wie beispielsweise Siliziumoxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx) auf einem transparenten Substrat 101 ausgebildet. Wenn das Substrat 101 aus Glas ausgebildet ist, kann eine Halbleiterschicht 113 aus polykristallinem Silizium durch ein Alkali-Ion, das vom Substrat 101 austritt, eine Verschlechterung erfahren, und eine Eigenschaft eines Dünnschichttransistors (FTT) Tr kann sich verschlechtern. Die Verschlechterung der Halbleiterschicht 113 wird verhindert, in dem das Alkali-Ion durch die Pufferschicht 105 geblockt wird. In einer anderen Ausführungsform kann die Pufferschicht 105 weggelassen werden.
  • Die Halbleiterschicht 113, die einen ersten und zweiten Halbleiterbereich 113a und 113b umfasst, ist auf der Pufferschicht 105 im Pixelbereich P ausgebildet. Der erste Halbleiterbereich 113a aus intrinsischem polykristiallinen Silizium ist an einem mittigen Bereich der Halbleiterschicht 113 angeordnet und der zweite Halbleiterbereich 113b aus störstellendotiertem polykristallinen Silizium ist an beiden Seiten des ersten Halbleiterbereichs 113a angeordnet. Der erste Halbleiterbereich 113a dient als Kanal des TFT Tr und der zweite Halbleiterbereich 113a dient als Source- und Drainbereich des TFT Tr.
  • Eine Gateisolationsschicht 116 aus einem anorganischen isolierenden Material, wie Siliziumoxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx) ist auf der Halbleiterschicht 113 ausgebildet. Eine Gateleitung 119 (der 2), eine Hilfserfassungsleitung 122 und eine Gateelektrode 120 sind auf der Gateisolationsschicht 116 ausgebildet. Die Gateleitung 119, die Hilfserfassungsleitung 122 und die Gateelektrode 120 können eine Einzelschichtstruktur oder eine Multischichtstruktur aus einem metallischen Material aufweisen. Beispielsweise können die Gateleitung 119, die Hilfserfassungsleitung 122 und die Gateelektrode 120 wenigstens eines aus der Gruppe umfassen, die Aluminium (Al), Aluminiumlegierungen (z. B. Aluminiumneodym (AlNd)), Kupfer (Cu), Kupferlegierungen, Molybdän (Mo) und Molybdänlegierungen (z. B. Molybdän-Titan (MoTi)) enthält.
  • Die Gateleitung 119 ist parallel zur Hilfserfassungsleitung 122 und räumlich von dieser getrennt, und die Gateelektrode 120 ist mit der Gateleitung 119 verbunden. Die Gateelektrode 120 entspricht dem ersten Halbleiterbereich 113a der Halbleiterschicht 113. Obwohl es nicht gezeigt ist, ist eine Gateverbindungsleitung, die mit der Gateleitung 119 verbunden ist, auf der Gateisolationsschicht 116 im nicht-aktiven Bereich NA ausgebildet, und eine Gatekontaktfläche, die mit der Gateverbindungsleitung verbunden ist, ist auf der Gateisolationsschicht 116 im Kontaktflächenbereich PA ausgebildet.
  • Eine Zwischenisolationsschicht 123 aus einem anorganischen Isolationsmaterial, wie Siliziumoxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx), ist auf der Gateelektrode 120, der Gateleitung 119, der Hilfserfassungsleitung 122, der Gateverbindungsleitung und der Gatekontaktfläche ausgebildet. Die Zwischenisolationsschicht 123 und die Gateisolationsschicht 116 weisen ein Halbleiterkontaktloch 125 auf, das den zweiten Halbleiterbereich 113b der Halbleiterschicht 113 freilegt.
  • Eine Datenleitung 130, eine Source-Elektrode 133 und eine Drainelektrode 136 sind auf der Zwischenisolationsschicht 123 ausgebildet. Die Datenleitung 130 kreuzt die Gateleitung 119, um einen Pixelbereich P zu definieren. Weiter kann die Datenleitung 130 eine Einzelschichtstruktur oder eine Multischichtstruktur aus einem metallischen Material aufweisen. Beispielsweise kann die Datenleitung 130 wenigstens eines aus einer Gruppe umfassen, die Aluminium (Al), Aluminiumlegierungen (z. B. Aluminiumneodym (AlNd)), Kupfer (Cu), Kupferlegierungen, Molybdän (Mo) und Molybdänlegierungen (z. B. Molybdän-Titan (MoTi)) enthält. Wenn die Datenleitung 130 eine Multischichtstruktur aufweist, kann die Datenleitung 130 eine Dreifachschichtstruktur aufweisen, die eine erste Schicht aus Molybdän (Mo) oder Molybdän-Titan (MoTi), eine zweite Schicht aus Aluminium (Al), einer Aluminiumlegierung, Kupfer (Cu) oder einer Kupferlegierung und eine dritte Schicht aus Molybdän (Mo) oder Molybdän-Titan (MoTi) umfasst.
  • Die Source- und Drainelektroden 133 und 136 sind räumlich voneinander getrennt und weisen dieselbe Schicht und dasselbe Material wie die Datenleitung 130 auf. Weiter sind die Source- und Drainelektroden 133 und 136 mit dem zweiten Halbleiterbereich 113b durch das Halbleiterkontaktloch 125 verbunden. Die Halbleiterschicht 113, die Gateisolationsschicht 116, die Gateelektrode 120, die Zwischenisolationsschicht 123, die Sourceelektrode 133 und die Draineleketrode 136 bilden den TFT Tr. Der TFT Tr ist mit der Gateleitung 119 und der Datenleitung 133 verbunden, so dass die Gateelektrode 120 mit der Gateleitung 119 und die Sourceelektrode 133 mit der Datenleitung 130 verbunden ist.
  • Weiter ist eine Datenverbindungsleitung 131, die mit der Datenleitung 130 verbunden ist, auf der Zwischenisolationsschicht 123 in einem nicht-aktiven Bereich NA ausgebildet, und eine Datenkontaktfläche 132, die mit der Datenverbindungsleitung 131 verbunden ist, ist auf der Zwischenisolationsschicht 123 im Kontaktflächenbereich PA ausgebildet.
  • Eine erste Passivierungsschicht 145 aus einem organischen Material, wie beispielsweise Benzocyclobuten (BCB) und Akrylharz ist auf der Datenleitung 130 und den Source- und Drainelektroden 133 und 136 ausgebildet. Die erste Passivierungsschicht 145 bedeckt den aktiven Bereich AA und den nicht-aktiven Bereich NA mit Ausnahme des Kontaktflächenbereichs PA für eine Planarisierung. Da die erste Passivierungsschicht 145 den Kontaktflächenbereich PA nicht bedeckt, sind die Datenkontaktfläche 132 und ein Teil der Datenverbindungsleitung 133 im Kontaktflächenbereich PA durch die erste Passivierungsschicht 145 freigelegt. Da die erste Passivierungsschicht 145 direkt auf der Datenleitung 130 und den Source- und Drainelektroden 133 und 136 ohne eine Hilfsisolationsschicht dazwischen ausgebildet sind, sind Herstellungskosten reduziert.
  • Obwohl die Datenleitung 130 und die Source- und Draineleketroden 133 und 136 aus einem metallischen Material die Passivierungsschicht 145 aus einem organischen Material direkt kontaktieren, sind Adhäsionseigenschaften zwischen dem metallischen Material und dem organischen Material nicht verschlechtert, da das verbesserte organische Material eine ausgezeichnete Adhäsionskraft zum metallischen Material aufweist. Die erste Passivierungsschicht 145 weist ein erstes Drainkontaktloch 147 auf, das die Drainelektrode 136 freilegt, und ein erstes Erfassungsloch 148, das die Zwischenisolationsschicht 123 entsprechend einem Endbereich der Hilfserfassungsleitung 122 freilegt.
  • Eine Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential aus einem transparenten leitenden Material, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO) ist auf der ersten Passivierungsschicht 145 im aktiven Bereich AA ausgebildet. Die Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential weist einen ersten offenen Bereich oa1 auf, der die erste Passivierungsschicht 145 über dem TFT Tr im Pixelbereich P freilegt, und weist einen zweiten offenen Bereich oa2 auf, der das erste Erfassungsloch 148 freilegt. Die Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential kann eine Plattenform entsprechend einem jeden berührungsempfindlichen Block TB mit den mehreren Pixelbereichen P aufweisen. Beispielsweise kann die Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential drei Plattenmuster aufweisen, die getrennt sind, so dass sie den ersten bis dritten Bereichen A1 bis A3 (der 2) entsprechen.
  • Weiter sind ein Ätzverhinderungsmuster 151 und ein erstes Hilfskontaktflächemuster 152, die dieselbe Schicht und dasselbe Material wie die Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential aufweisen, auf der ersten Passivierungsschicht 145 ausgebildet. Das Ätzverhinderungsmuster 151 bedeckt eine Innenseite und einen Rand des ersten Drainkontaktlochs 147. Dementsprechend kontaktiert das Ätzverhinderungsmuster 151 die erste Passivierungsschicht 145, den Rand und eine Seitenwand des ersten Drainkontaktlochs 147 und die durch das erste Drainkontaktloch 147 freigelegte Drainelektrode 136.
  • Das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 bedeckt die Datenkantaktfläche 132 und den Bereich der Datenverbindungsleitungen 131, der durch die erste Passivierungsschicht 145 im Kontaktflächenbereich PA freigelegt ist. Dementsprechend kontaktiert das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 den Rand der oberen Oberfläche und die Seitenwandoberfläche der ersten Passivierungsschicht 145 im Kontaktflächenbereich PA, die Datenkontaktfläche 132 und den Bereich der Datenverbindungsleitung 131. Sowohl das Ätzverhinderungsmuster 151 als auch das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 weisen eine Inselform auf, die getrennt von der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential ist.
  • Hier ist die Drainelektrode 136, die durch das erste Drainkontaktloch 147 freigelegt ist, vom Ätzverhinderungsmuster 151 bedeckt, und der Bereich der Datenverbindungsleitung 131 und der Datenkontaktfläche 132, die im Kontaktflächenbereich PA außerhalb der ersten Passivierungsschicht 145 freigelegt sind, sind mit dem ersten Hilfskontaktflächenmuster 152 bedeckt. Im Ergebnis wird ein Aussetzen der Drainelektrode 136, des Bereichs der Datenverbindungsleitung 131 und der Datenkontaktfläche 132 an eine Ätzlösung für die Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential verhindert, während eine transparente Materialschicht (nicht gezeigt) strukturiert wird. Weiter wird ein Aussetzen der Drainelektrode 136, des Bereichs der Datenverbindungsleitung 131 und der Datenkontaktfläche 132 an eine Ätzlösung für die x- und y-Erfassungsleitungen xsl und ysl verhindert, während eine metallische Materialschicht (nicht gezeigt) in einem nachfolgenden Prozess strukturiert wird. Dementsprechend wird eine Verschlechterung der Drainelektrode 136, des Bereichs der Datenverbindungsleitung 131 und der Datenkontaktfläche 132 ohne eine zusätzliche Hilfsisolationsschicht unter der ersten Passivierungsschicht 145 verhindert.
  • Eine x-Erfassungsleitung xsl und eine y-Erfassungsleitung ysl sind auf der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential ausgebildet. Die x-Erfassungsleitung xsl kann die Gateleitung 119 überlappen und die y-Erfassungsleitung ysl kann die Datenleitung 130 überlappen. Weiter können die x- und y-Erfassungsleitungen xsl und ysl eine Einzelschichtstruktur oder eine Multischichtstruktur aus einem metallischen Material umfassen. Beispielsweise können die x- und y-Erfassungsleitungen xsl und ysl wenigstens eines aus einer Gruppe umfassen, die Aluminium (Al), Aluminiumlegierungen (z. B. Aluminiumneodym (AlNd)), Kupfer (Cu), Kupferlegierungen, Molybdän (Mo) und Molybdänlegierungen (z. B. Molybdäntitan (MoTi)) enthält. In jedem berührungsempfindlichen Block TB sind ein Endbereich der x-Erfassungsleitung xsl und ein Endbereich der Hilfserfassungsleitung 122 im ersten Erfassungskontaktloch 148 angeordnet.
  • Da die x- und y-Erfassungsleitungen xsl und ysl dieselbe Schicht und dasselbe Material aufweisen, sind die x- und y-Erfassungsleitungen xsl und ysl in jedem der ersten bis dritten Bereiche A1 bis A3 eines jeden berührungsempfindlichen Blocks TB elektrisch miteinander verbunden. Da jedoch die x-Erfassungsleitungen xsl des ersten und dritten Bereichs A1 und A3 von der x-Erfassungsleitung xsl des zweiten Bereichs A2 getrennt sind, können die x-Erfassungsleitungen xsl des ersten und des zweiten Bereichs A1 und A3 für das Erfassen einer x-Koordinate eines Berührungspunkts für jeden berührungsempfindlichen Block TB verwendet werden, und die y-Erfassungsleitung ysl des zweiten Bereichs A2 kann für das Erfassen einer y-Koordinate eines Berührungspunkts eines jeden berührungsempfindlichen Blocks TB verwendet werden.
  • Die Drainelektrode 136, die durch das erste Drainkontaktloch 147 freigelegt ist, ist mit dem Ätzverhinderungsmuster 151 bedeckt, und der Bereich der Datenverbindungsleitung 131 und die Datenkontaktfläche 132, die außerhalb der ersten Passivierungsschicht 145 im Kontaktflächenbereich PA freigelegt sind, sind mit dem ersten Hilfskontaktflächenmuster 152 bedeckt. Im Ergebnis wird ein Aussetzen der Drainelektrode 136 des Bereichs der Datenverbindungsleitung 131 und der Datenkontaktfläche 132 an eine Ätzlösung für die x-Erfassungsleitung xsl und die y-Erfassungsleitung ysl verhindert, während eine metallische Materialschicht (nicht gezeigt) strukturiert wird. Dementsprechend wird eine Verschlechterung der Drainelektrode 136, des Bereichs der Datenverbindungsleitung 131 und der Datenkontaktfläche 132 ohne eine zusätzliche Hilfsisolationsschicht unterhalb der ersten Passivierungsschicht 145 verhindert.
  • Eine zweite Passivierungsschicht 155 aus einem anorganischen Isolationsmaterial, wie beispielsweise Siliziumoxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx) ist auf der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential, der x-Erfassungsleitung xsl und der y-Erfassungsleitung ysl ausgebildet. Die zweite Passivierungsschicht 155 weist ein zweites Drainkontaktloch 157 auf, das das Ätzverhinderungsmuster 152 freilegt, und ein Datenkontaktflächenkontaktloch 159, das das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 auf der Datenkontaktfläche 132 im Kontaktflächenbereich PA freilegt. Weiter weisen die zweite Passivierungsschicht 155 und die Zwischenisolationsschicht 123 ein Gatekontaktflächenkontaktloch (nicht gezeigt) auf, das eine Gatekontaktfläche (nicht gezeigt) freilegt, und ein zweites Erfassungskontaktloch 158, das sowohl den Endbereich der Hilfserfassungsleitung 122 als auch den Endbereich der x-Erfassungsleitung xsl, die zueinander benachbart sind, freilegt, indem die zweite Passivierungsschicht 155 und die Zwischenisolationsschicht 123 zusammen strukturiert werden. Das erste und das zweite Erfassungskontaktloch 148 und 158 stehen miteinander in Verbindung.
  • Eine Pixelelektrode 160 aus einem transparenten leitenden Material, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO), ist auf der zweiten Passivierungsschicht 155 im Pixelbereich P ausgebildet. Die Pixelelektrode 160 ist mit dem Ätzverhinderungsmuster 151 durch das zweite Drainkontaktloch 157 verbunden. Weiter weist die Pixelelektrode 160 mehrere dritte offene Bereiche oa3 für das Erzeugen eines Streufelds mit der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential auf, wenn eine Ansteuerungsspannung angelegt wird. Jede der mehreren dritten offenen Bereiche oa3 kann eine Stabform aufweisen.
  • Weiter sind ein Gatekontaktflächenanschluss (nicht gezeigt) und ein Datenkontaktflächenanschluss 165, die dieselbe Schicht und dasselbe Material wie die Pixelelektrode 160 aufweisen, auf der zweiten Passivierungsschicht 155 im Kontaktflächenbereich PA ausgebildet. Der Gatekontaktflächenanschluss kontaktiert die Gatekontaktfläche durch das Gatekontaktflächenkontaktloch, und der Datenkontaktflächenanschluss 165 kontaktiert das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 durch das Datenkontaktflächenkontaktloch 159.
  • Weiter ist ein Verbindungsmuster 163, das dieselbe Schicht und dasselbe Material wie die Pixelelektrode 160 aufweist, auf der zweiten Passivierungsschicht 155 in jedem berührungsempfindlichen Block TB ausgebildet. Das Verbindungsmuster 163, das eine Inselform aufweist, kontaktiert sowohl den Endbereich der Hilfserfassungsleitung 122 als auch den Endbereich der x-Erfassungsleitung xsl im ersten und zweiten Erfassungskontaktloch 148 und 158.
  • Die Pixelelektrode 160 und die Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential überlappen einander im Pixelbereich P mit der zweiten Passivierungsschicht 155 dazwischen, und die Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential, die zweite Passivierungsschicht 155 und die Pixelelektrode 160, die einander überlappen, bilden einen Speicherkondensator.
  • 6A bis 6J sind Schnittansichten, die ein Arraysubstrat eines Pixelbereichs für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, 7A bis 7J sind Schnittansichten, die ein Herstellungsverfahren eines Arraysubstrats eines Kontaktflächenbereichs für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, und 8A bis 8J sind Schnittansichten, die ein Arraysubstrat eines Endbereichs eines berührungsempfindlichen Blocks für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • In den 6A, 7A und 8A wird eine Pufferschicht 105 auf einem transparenten Substrat 101 durch das Abscheiden eines anorganischen Isolationsmaterials ausgebildet, wie beispielsweise Siliziumoxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx). Wenn eine amorphe Siliziumschicht auf dem Substrat 101 durch eine Lasereinstrahlung oder eine Wärmebehandlung in polykristallines Silizium kristallisiert wird, kann ein Alkaliion vom Substrat 101 aus Glas austreten und eine Halbleiterschicht 113 kann durch das Alkaliion verschlechtert werden. Die Verschlechterung der Halbleiterschicht 113 wird verhindert, indem das Alkaliion mit der Pufferschicht 105 blockiert wird. In einer anderen Ausführungsform kann die Pufferschicht 105 weggelassen werden.
  • Eine intrinsische amorphe Siliziumschicht (nicht gezeigt) wird auf der Pufferschicht 105 durch das Abscheiden von intrinsischem amorphem Silizium ausgebildet, und die intrinsische amorphe Siliziumschicht wird durch ein Excimerlaser-Ausheizverfahren („exima laser anncaling (ELA) method”) unter Verwendung eines Excimerlasers, ein SLS-Verfahren („sequential lateral solitification (SLS) method), ein SPC-Verfahren („solid face crystalisation (SFC) method”) oder ein magnetisches Wechselfeld-Kristallisationsverfahren („alternating magnetic field crystalisation (AMFC) method”) in eine polykristalline Siliziumschicht (nicht gezeigt) kristallisiert. Als nächstes wird in einem Pixelbereich P die Halbleiterschicht 113 aus intrinsischem polykristallinen Silizium durch Strukturieren der polykristallinen Siliziumschicht mit einem Photolitographieprozess ausgebildet.
  • In den 6B, 7B und 8B wird eine Gateisolationsschicht 116 auf der Halbleiterschicht 113 durch das Abscheiden eines anorganischen Isolationsmaterials ausgebildet, wie beispielsweise Siliziumoxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx). Als nächstes wird eine erste Metallschicht (nicht gezeigt) auf der Gateisolationsschicht 116 ausgebildet, indem wenigstens ein metallisches Material abgeschieden wird, wie beispielsweise Aluminium (Al), eine Aluminiumlegierung (z. B. Aluminiumneodym (AlNd)), Kupfer (Cu), eine Kupferlegierung, Molybdän (Mo) oder eine Molybdänlegierung (zum Beispiel Molybdäntitan (MoTi)). Die erste Metallschicht kann eine Einzelschichtstruktur oder eine Multischichtstruktur aufweisen.
  • Anschließend werden eine Gateelektrode 120, eine Gateleitung 119 (der 2) und eine Hilfserfassungsleitung 122 auf der Gateisolationsschicht 116 ausgebildet, indem die erste Metallschicht durch einen photolithographischen Prozess strukturiert wird. Die Gateelektrode 120 entspricht der Halbleiterschicht 113. Die Gateleitung 119 ist mit der Gateelektrode 120 verbunden und erstreckt sich entlang einer ersten Richtung an einem Rand des Pixelbereichs P. Weiter ist die Hilfserfassungsleitung 122 parallel zur Gateleitung 119 in jedem berührungsempfindlichen Block TB und ist räumlich von dieser getrennt. Obwohl es nicht gezeigt ist, ist eine mit der Gateleitung 119 verbundene Gateverbindungsleitung auf der Gateisolationsschicht 116 in einem nicht-aktiven Bereich NA ausgebildet, und eine mit der Gateverbindungsleitung verbundene Gatekontaktfläche ist auf der Gateisolationsschicht 116 in einem Kontaktflächenbereich PA ausgebildet.
  • In den 6C, 7C und 8C werden der erste und der zweite Halbleiterbereich 113a und 113b ausgebildet, indem die Halbleiterschicht 113 mit Störstellen unter Verwendung der Gateelektrode 120 als eine Dotiermaske dotiert wird. Dementsprechend entspricht die erste Halbleiterschicht 113a aus intrinsischem polykristallinen Silizium der Gateelektrode 120 und der zweite Halbleiterbereich 113b aus störstellendotiertem polykristallinen Silizium ist an beiden Seiten des ersten Halbleiterbereichs 113a angeordnet.
  • In den 6D, 7D und 8D wird eine Zwischenisolationsschicht 123 auf der Gateelektrode 120, der Gateleitung 119, der Hilfserfassungsleitung 122, der Gateverbindungsleitung und der Gatekontaktfläche ausgebildet, indem ein anorganisches Isolationsmaterial abgeschieden wird, wie beispielsweise Siliziumoxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx). Anschließend wird ein Halbleiterkontaktloch 125, das den zweiten Halbleiterbereich 113b der Halbleiterschicht 113 freilegt, durch Strukturieren der Zwischenisolationsschicht 123 und der Gateisolationsschicht 116 ausgebildet.
  • [00611 In den 6E, 7E und 8E wird eine zweite Metallschicht (nicht gezeigt) auf der Zwischenisolationsschicht 123 ausgebildet, indem wenigstens ein metallisches Material abgeschieden wird, wie beispielsweise Aluminium (Al), eine Aluminiumlegierung (zum Beispiel Aluminiumneodym (AlNd)), Kupfer (Cu), eine Kupferlegierung, Molybdän (Mo) oder eine Molybdänlegierung (zum Beispiel Molybdäntitan (MoTi)). Die zweite Metallschicht kann eine Einzelschichtstruktur oder eine Multischichtstruktur aufweisen.
  • Als nächstes werden eine Datenleitung 130, eine Sourceelektrode 133, eine Drainelektrode 133, eine Datenverbindungsleitung 131 und eine Datenkontaktfläche 132 auf der Zwischenisolationsschicht 123 ausgebildet, indem die zweite Metallschicht durch einen photolithographischen Prozess strukturiert wird. Die Source- und die Drainelektroden 133 und 136 sind durch das Halbleiterkontaktloch 125 mit dem zweiten Halbleiterbereich 113b verbunden. Die Halbleiterschicht 113, die Gateisolationsschicht 116, die Gateelektrode 120, die Zwischenisolationsschicht 123, die Sourceelektrode 133 und die Drainelektrode 136 bilden einen Dünnschichttransistor (TFT) Tr eines Schaltelements im Pixelbereich P. Die Datenleitung 130 ist mit der Sourceelektrode 133 verbunden und kreuzt die Gateleitung 110, um den Pixelbereich P zu definieren. Weiter ist die Datenverbindungsleitung 131 im nicht-aktiven Bereich NA mit der Datenleitung 130 verbunden, und die Datenkontaktfläche 132 im Kontaktflächenbereich PA ist mit der Datenverbindungsleitung 131 verbunden.
  • In den 6F, 7F und 8F wird eine erste Passivierungsschicht 145 auf dem TFT Tr, der Datenleitung 130, der Datenverbindungsleitung 131 und der Datenkontaktfläche 132 ausgebildet, indem ein organisches Material aufgetragen wird, wie beispielsweise Benzocyclobuten (BCB) und Acrylharz. Anschließend werden ein erstes Drainkontaktloch 147, das die Drainelektrode 136 freilegt, und ein erstes Erfassungsloch 148, das die Zwischenisolationschicht 123 entsprechend einem Endbereich der Hilfserfassungsleitung 122 freilegt, durch Strukturieren der ersten Passivierungsschicht 145 durch einen photolithografischen Prozess ausgebildet. Zum selben Zeitpunkt wird die erste Passivierungsschicht 145 im Kontaktflächenbereich PA entfernt. Wenn die erste Passivierungsschicht 145 photosensitive Eigenschaften aufweist, kann ein Ätzschritt des photolithografischen Prozesses weggelassen werden. Im Ergebnis weist die erste Passivierungsschicht 145 eine flache Oberfläche für eine Planarisierung auf und bedeckt den aktiven Bereich AA und den nichtaktiven Bereich NA mit Ausnahme des Kontaktflächenbereichs PA.
  • In den 6G, 7G und 8G werden eine Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential, ein Ätzverhinderungsmuster 151 und ein erstes Hilfskontaktflächenmuster 152 auf der ersten Passivierungsschicht 145 ausgebildet, indem ein transparentes leitendes Material, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO), abgeschieden und strukturiert wird. Die Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential weist einen ersten offenen Bereich oa1 auf, der die erste Passivierungsschicht 145 über dem TFT Tr im Pixelbereich P freilegt, und weist einen zweiten offenen Bereich oa2 auf, der das erste Erfassungsloch 148 freilegt. Der erste offene Bereich oa1 wird ausgebildet, um zu verhindern, dass ein elektrischer Kurzschluss zwischen einer Pixelelektrode 160 (der 6J) und der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential auftritt, und der zweite offene Bereich oa2 wird ausgebildet, um zu verhindern, dass ein elektrischer Kurzschluss zwischen einem Verbindungsmuster 163 (der 8J) und der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential auftritt. Der zweite offene Bereich oa2 kann eine größere Fläche als das erste Erfassungskontaktloch 148 aufweisen.
  • Sowohl das Ätzverhinderungsmuster 151 als auch das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 sind von der Elektrode für ein gemeinsames Potential elektrisch getrennt. Das Ätzverhinderungsmuster 151 bedeckt einen Rand des ersten Drainkontaktlochs 147 und auch das erste Drainkontaktloch 147, und das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 bedeckt einen Rand der Datenkontaktfläche 132 und den Teil der Datenverbindungsleitung 131, der nach aussen von der ersten Passivierungsschicht 145 freigelegt ist, und auch die erste Datenkontaktfläche 132 und einen Teil der Datenverbindungsleitung 131. Weiter kontaktiert das erste Ätzverhinderungsmuster 151 eine obere Grenzoberfläche und eine Seitenwandoberfläche der ersten Passivierungsschicht 145 und die Drainelektrode 136, und das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 kontaktiert eine obere Randoberfläche und eine Seitenwandoberfläche der ersten Passivierungsschicht 145 im Kontaktflächenbereich PA, die Datenkontaktfläche 132 und den Bereich der Datenverbindungsleitung 131. Dementsprechend weist das Ätzverhinderungsmuster 151 eine Inselform auf, die die Drainelektrode 136 vollständig bedeckt, und das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 weist eine Inselform auf, die die Datenkontaktfläche 132 und den Bereich der Datenverbindungsleitung 131 vollständig bedeckt. Die Verschlechterung der Drainelektrode 136, des Bereichs der Datenverbindungsleitung 131 und der Datenkontaktfläche 132 wird ohne eine zusätzliche Hilfsisolationsschicht unter der ersten Passivierungsschicht 145 durch das Ätzverhinderungsmuster 151 und das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 verhindert.
  • In den 6H, 7H und 8H wird eine dritte Metallschicht (nicht gezeigt) auf der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential, dem Ätzverhinderungsmuster 151 und dem ersten Hilfskontaktflächenmuster 152 ausgebildet, indem wenigstens Aluminium (Al), eine Aluminiumlegierung (zum Beispiel Aluminiumneodym (AlNd)), Kupfer (Cu), eine Kupferlegierung, Molybdän (Mo) oder eine Molybdänlegierung (zum Beispiel Molybdäntitan (MoTi)) abgeschieden wird. Die dritte Metallschicht kann eine Einzelschichtstruktur oder eine Multischichtstruktur aufweisen. Als nächstes werden eine x-Erfassungsleitung xsl und eine y-Erfassungsleitung ysl auf der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential ausgebildet, indem die dritte Metallschicht durch einen photolithografischen Prozess strukturiert wird. Die x-Erfassungsleitung xsl und die y-Erfassungsleitung ysl überlappen entsprechend die Gateleitung 119 und die Datenleitung 130. Die x-Erfassungsleitung xsl kann in jedem berührungsempfindlichen Block TB eine Stabform aufweisen, und ein Endbereich der x-Erfassungsleitung xsl kann gebogen sein, so dass er benachbart zu einem Endbereich der Hilfserfassungsleitung 122 im ersten Erfassungskontaktloch 148 angeordnet ist.
  • Die Drainelektrode 136, die durch das erste Drainkontaktloch 147 freigelegt ist, ist vollständig mit dem Ätzverhinderungsmuster 151 bedeckt, und der Bereich der Datenverbindungsleitung 131 und die Datenkontaktfläche 132, die im Kontaktflächenbereich PA außerhalb der ersten Passivierungsschicht 145 freigelegt sind, sind vollständig mit dem ersten Hilfskontaktflächenmuster 152 bedeckt. Im Ergebnis sind die Drainelektrode 136, der Bereich der Datenverbindungsleitung 131 und die Datenkontaktfläche 132 nicht einer Ätzlösung für das Strukturieren der dritten Metallschicht ausgesetzt. Dementsprechend wird eine Verschlechterung der Drainelektrode 136, des Bereichs der Datenverbindungsleitung 131 und der Datenkontaktfläche 132 ohne eine zusätzliche Hilfsisolationsschicht unter der ersten Passivierungsschicht 145 verhindert.
  • In den 6I, 7I und 8I wird eine zweite Passivierungsschicht 155 auf der x-Erfassungsleitung xsl und der y-Erfassungsleitung ysl ausgebildet, indem ein anorganisches Isolationsmaterial abgeschieden wird, wie beispielsweise Siliziumoxid (SiO2) und Siliziumnitrid (SiNx). Als nächstes werden ein zweites Drainkontaktloch 157, das das Ätzverhinderungsmuster 151 freilegt, und ein zweites Datenflächenkontaktloch 159, das das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 freilegt, durch Strukturieren der zweiten Passivierungsschicht 155 durch einen photolithografischen Prozess ausgebildet. Gleichzeitig werden ein zweites Erfassungskontaktloch 158, das sowohl den Endbereich der Hilfserfassungsleitung 122 als auch den Endbereich der x-Erfassungsleitung xsl, die benachbart zueinander sind, freilegt, und ein Gatekontaktflächenkontaktloch (nicht gezeigt), das die Gatekontaktfläche (nicht gezeigt) freilegt, durch Strukturieren der zweiten Passivierungsschicht 155 und der Zwischenisolationsschicht 123 ausgebildet.
  • In den 6J, 7J und 8J wird eine transparente leitende Materialschicht (nicht gezeigt) auf der zweiten Passivierungsschicht 155 ausgebildet, indem ein transparentes leitendes Material abgeschieden wird, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO) und Indiumzinkoxid (IZO). Anschließend werden eine Pixelelektrode 160, ein Verbindungsmuster 163, ein Gatekontaktflächenanschluss (nicht gezeigt) und ein Datenkontaktflächenanschluss (nicht gezeigt) auf der zweiten Passivierungsschicht 155 ausgebildet, indem das transparente leitende Material durch einen photolithographischen Prozess strukturiert wird, wodurch ein Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen vervollständigt wird. Die Pixelelektrode 160 weist mehrere dritte offene Bereiche oa3 für das Erzeugen eines Streufeldes mit der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential auf, wenn eine Ansteuerungsspannung angelegt wird. Jeder der mehreren dritten offenen Bereiche oa3 kann eine Stabform aufweisen.
  • Die Pixelelektrode 160 kontaktiert das Ätzverhinderungsmuster 151 durch das zweite Drainkontaktloch 157, und das Verbindungsmuster 163 kontaktiert sowohl einen Endbereich der Hilfserfassungsleitung 122 als auch den Endbereich der x-Erfassungsleitung xsl im ersten und zweiten Erfassungskontaktloch 148 und 158. Weiter kontaktiert der Gatekontaktflächenanschluss die Gatekontaktfläche durch das Gatekontaktflächenkontaktloch im Kontaktflächenbereich PA, und der Datenkontaktflächenanschluss 165 kontaktiert das erste Hilfskontaktflächenmuster 152 durch das Datenkontaktflächenkontaktloch 159.
  • Das Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen kann an einem Farbfiltersubstrat (nicht gezeigt) angebracht sein und eine Flüssigkristallschicht (nicht gezeigt) kann zwischen dem Arraysubstrat und dem Farbfiltersubstrat ausgebildet sein. Anschließend können ein x-Erfassungsschaltkreis (nicht gezeigt) und ein y-Erfassungsschaltkreis (nicht gezeigt) entsprechend mit der x-Erfassungsleitung xsl und der y-Erfassungsleitung ysl verbunden werden, wodurch eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen vervollständigt wird. Wenn ein Finger eines Benutzers eine Stelle im Pixelbereich P der LCD-Vorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen berührt, ändert sich eine Kapazität zwischen der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential und der Pixelelektrode 160 und die Spannungen der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential und der Pixelelektrode 160 ändern sich. Die veränderten Spannungen der Elektrode 150 für ein gemeinsames Potential und der Pixelelektrode 160 werden an den x-Erfassungsschaltkreis durch die x-Erfassungsleitung xsl und an den y-Erfassungsschaltkreis durch die y-Erfassungsleitung ysl übertragen. Die berührte Stelle wird erfasst, indem die veränderten Spannungen analysiert werden, und ein Vorgang entsprechend einem an dieser Stelle angezeigten Menü wird ausgeführt.
  • Beim Arraysubstrat für eine LCD-Vorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen gemäß der vorliegenden Offenbarung werden ein Ätzverhinderungsmuster und ein erstes Hilfskontaktflächenmuster gleichzeitig mit einer Elektrode für gemeinsames Potential ausgebildet. Weiter ist eine Drainelektrode, die durch ein erstes Drainkontaktloch freigelegt ist, vollständig vom Ätzverhinderungsmuster bedeckt, und eine Datenkontaktfläche, die außerhalb einer ersten Passivierungsschicht freiliegt, ist vollständig vom ersten Hilfskontakflächenmuster bedeckt. Dementsprechend wird eine Verschlechterung der Drainelektrode und der Datenkontaktfläche aufgrund einer Ätzlösung für x- und y-Erfassungsleitungen ohne eine zusätzliche Hilfsisolationsschicht unter einer ersten Passivierungsschicht verhindert. Im Ergebnis wird eine Verschlechterung der Kontakteigenschaften in den Kontaktlöchern verhindert und eine Produktionsausbeute wird verbessert. Weiter sind die Materialkosten reduziert und eine Produktivität verbessert, da die zusätzliche Hilfsisolationsschicht weggelassen wird.
  • Es wird dem Fachmann offensichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen beim Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen und einem Herstellungsverfahren des Arraysubstrats der vorliegenden Offenbarung durchgeführt werden können, ohne vom Geist oder vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Deshalb ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung diese Modifikationen und Variationen der Erfindung abdeckt, vorausgesetzt, dass sie innerhalb des Schutzumfangs der angehängten Ansprüche und ihrer Äquivalente liegen.

Claims (20)

  1. Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen, umfassend: – ein Substrat (101) mit mehreren berührungsempfindlichen Blöcken, von denen jeder mehrere Pixelbereiche umfasst; – eine Gateleitung (119) und eine Datenleitung (130) auf dem Substrat, wobei sich die Gateleitung (119) und die Datenleitung (130) kreuzen und eine Zwischenisolationsschicht (123) zwischen ihnen ausgebildet ist, um jeden der mehreren Pixelbereiche (P) zu definieren; – einen Dünnschichtransistor (Tr), der mit der Gateleitung (119) und der Datenleitung (130) verbunden ist; – eine erste Passivierungsschicht (145) auf dem Dünnschichttransistor, wobei die erste Passivierungsschicht ein erstes Drainkontaktloch (147) aufweist, das eine Drainelektrode (136) des Dünnschichttransistors freilegt; – eine Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential auf der ersten Passivierungsschicht (145) in jedem der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke; – ein Ätzverhinderungsmuster (151), das das Drainkontaktloch (147) bedeckt und die durch das erste Drainkontaktloch (147) freigelegte Drainelektrode (136) kontaktiert, wobei das Ätzverhinderungsmuster ein selbes Material und eine selbe Schicht wie die Elektrode für ein gemeinsames Potential aufweist, und wobei das Ätzverhinderungsmuster (151) von der Elektrode für ein gemeinsames Potential räumlich getrennt ist; – eine x-Erfassungsleitung (xls) und eine y-Erfassungsleitung (yls) auf der Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential, wobei die x-Erfassungsleitung die Gateleitung (119) überlappt und die y-Erfassungsleitung die Datenleitung (130) überlappt; – eine zweite Passivierungsschicht (155) auf der x-Erfassungsleitung und der y-Erfssungsleitung wobei die zweite Passivierungsschicht ein zweites Drainkontaktloch (157) aufweist, das das Ätzverhinderungsmuster freilegt; und – eine Pixelelektrode (160) auf der zweiten Passivierungsschicht (155) in jedem der mehreren Pixelbereiche, wobei die Pixelelektrode das Ätzverhinderungsmuster (151) durch das zweite Drainkontaktloch (157) kontaktiert und mehrere offene Bereiche (oa3) aufweist, die jeweils eine stabförmige Form aufweisen.
  2. Arraysubstrat nach Anspruch 1, wobei zwei benachbarte der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke entlang einer ersten Richtung parallel zur Gateleitung (119) durch die x-Erfassungsleitung (xls) verbunden sind, wobei jeder der berührungsempfindlichen Blöcke einen ersten, zweiten und dritten Bereich umfasst, und die zweiten Bereiche von zwei benachbarten der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke entlang einer zweiten Richtung parallel zur Datenleitung (130) mit der y-Erfassungsleitung verbunden sind, und wobei die Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential drei Plattenmuster umfasst, die im ersten, zweiten und dritten Bereich getrennt sind.
  3. Arraysubstrat nach Anspruch 1 oder 2, wobei die x-Erfassungsleitung des ersten Bereichs getrennt von der x-Erfassungsleitung des zweiten Bereichs ist, und die x-Erfassungsleitung des zweiten Bereichs getrennt von der x-Erfassungsleitung des dritten Bereichs ist.
  4. Arraysubstrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, weiter mit einer Hilfserfassungsleitung (122) auf der Zwischenisolationsschicht (123), wobei die Hilfserfassungsleitung (122) im zweiten Bereich jedes der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke ausgebildet ist, so dass sie parallel zur Gateleitung (119) ist, wobei die Hilfserfassungsleitung (122) eine selbe Schicht und ein selbes Material wie die Gateleitung (119) aufweist, und wobei die x-Erfassungsleitung des ersten Bereichs und die x-Erfassungsleitung des dritten Bereichs durch die Hilfserfassungsleitung (122) miteinander verbunden sind.
  5. Arraysubstrat nach einem der vorstehen Ansprüche, weiter mit einem Verbindungsmuster (163), das eine selbe Schicht und ein selbes Material wie die Pixelelektrode (160) aufweist, wobei die erste Passivierungsschicht (145) ein erstes Erfassungsloch (148) aufweist, das die Zwischenisolationsschicht (123) entsprechend einem Endbereich der x-Erfassungsleitung freilegt, wobei die zweite Passivierungsschicht (155) ein zweites Erfassungsloch aufweist, das den Endbereich der x-Erfassungsleitung im ersten Kontaktloch freilegt, wobei die Zwischenisolationsschicht (123) ein drittes Erfassungsloch aufweist, das einen Endbereich der Hilfserfassungsleitung (122) freilegt, und wobei das Verbindungsmuster (163) den Endbereich der x-Erfassungsleitung und den Endbereich der Hilfserfassungsleitung (122) kontaktiert.
  6. Arraysubstrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential einen ersten offenen Bereich aufweist, der dem Dünnschichttransistor (Tr) entspricht, und einen zweiten offenen Bereich, der dem ersten Erfassungsloch (148) entspricht, und wobei eine Fläche des zweiten offenen Bereichs größer als eine Fläche des ersten offenen Bereichs ist.
  7. Arraysubstrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die mehreren entlang der ersten Richtung angeordneten berührungsempfindlichen Blöcke durch die x-Erfassungsleitung elektrisch miteinander verbunden sind, und die entlang der zweiten Richtung angeordneten mehreren berührungsempfindlichen Blöcke durch die y-Erfassungsleitung elektrisch miteinander verbunden sind.
  8. Arraysubstrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, weiter umfassend wenigstens eines der folgenden Merkmale: – eine Gateverbindungsleitung, die eine selbe Schicht und ein selbes Material wie die Gateleitung (119) aufweist; – eine Gatekontaktfläche, die mit der Gateverbindungsleitung verbunden ist; eine Datenverbindungsleitung (131), die eine selbe Schicht und ein selbes Material wie die Datenleitung (130) aufweist; – eine Datenkontaktfläche (132), die mit der Datenverbindungsleitung (131) verbunden ist; und – ein erstes Hilfskontaktflächenmuster (152), das eine selbe Schicht und ein selbes Material wie die Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential aufweist, wobei das Substrat (101) einen aktiven Bereich umfasst, der ein Bild anzeigt, und einen nicht-aktiven Bereich, der den aktiven Bereich umgibt, und der nicht-aktive Bereich einen Kontaktflächenbereich umfasst, wobei die Gateverbindungsleitung und die Datenverbindungsleitung (131) im nichtaktiven Bereich ausgebildet sind, und die Gatekontaktfläche und die Datenkontaktfläche (132) im Kontaktflächenbereich ausgebildet sind, wobei die Gatekontaktfläche und die Datenkontaktfläche (132) außerhalb der ersten Passivierungsschicht (145) freiliegen, und wobei das erste Hilfskontaktflächenmuster (152) die Datenkontaktfläche (132) vollständig bedeckt.
  9. Arraysubstrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, weiter mit einem Gatekontaktflächenanschluss und einem Datenkontaktflächenanschluss, die eine selbe Schicht und ein selbes Material wie die Pixelelektrode aufweisen, wobei die zweite Passivierungsschicht ein Datenkontaktflächenkontaktloch aufweist, das das erste Hilfskontaktflächenmuster (152) freilegt, wobei die zweite Passivierungsschicht (155) und die Zwischenisolationsschicht (123) ein Gatekontaktflächenkontaktloch aufweisen, das die Gatekontaktfläche freilegt, wobei der Gatekontaktflächenanschluss die Gatekontaktfläche durch das Gatekontaktflächenkontaktloch kontaktiert, und wobei der Datenkontaktflächenanschluss das erste Hilfskontaktflächenmuster (152) durch das Datenkontaktflächenkontaktloch kontaktiert.
  10. Arraysubstrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Dünnschichttransistor (Tr) umfasst: – eine Halbleiterschicht (113) mit einem ersten Halbleiterbereich (113a) aus intrinsischem polykristallinen Silizium und einem zweiten Halbleiterbereich (113b) aus störstellendotiertem polykristallinen Silizium an beiden Seiten des ersten Halbleiterbereichs; – eine Gateisolationsschicht (116) auf der Halbleiterschicht (113); – eine Gateelektrode (120) auf der Gateisolationsschicht (116) über dem ersten Halbleiterbereich; – ein Halbleiterkontaktloch (125) in der Zwischenisolationsschicht (123), das den zweiten Halbleiterbereich freilegt; – eine Source-Elektrode (133) auf der Zwischenisolationsschicht, wobei die Drainelektrode (136) von der Sourceelektrode (133) räumlich getrennt ist, und wobei die Source- und Drainelektroden den zweiten Halbleiterbereich durch das Halbleiterkontaktloch kontaktieren.
  11. Verfahren für die Herstellung eines Arraysubstrats für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen, umfassend: – Ausbilden einer Gateleitung (119), einer Datenleitung (130) und eines Dünnschichttransistors (Tr) auf einem Substrat (101) mit mehreren berührungsempfindlichen Blöcken, die jeweils mehrere Pixelbereiche (P) umfassen, wobei die Gateleitung (119) und die Datenleitung (130) einander kreuzen und eine Zwischenisolationsschicht (123) dazwischen ausgebildet ist, um jeden der mehreren Pixelbereiche zu definieren, und der Dünnschichttransistor mit der Gateleitung (119) und der Datenleitung (130) verbunden ist; – Ausbilden einer ersten Passivierungsschicht (145) auf dem Dünnschichttransistor, wobei die erste Passivierungsschicht ein erstes Drainkontaktfloch (147) aufweist, das eine Drainelektrode (136) des Dünnschichttransistors freilegt; – Ausbilden einer Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential und eines Ätzverhinderungsmusters (151) auf der ersten Passivierungsschicht (145), wobei die Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential in jedem der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke angeordnet ist, wobei das Ätzverhinderungsmuster von der Elektrode für ein gemeinsames Potential räumlich getrennt ist, und wobei das Ätzverhinderungsmuster eine Fläche aufweist, die größer als das Drainkontaktloch (147) ist, um die durch das Drainkontaktloch (147) freigelegte Drainelektrode (136) vollständig zu bedecken und zu kontaktieren; – Ausbilden einer x-Erfassungsleitung (xls) und einer y-Erfassungsleitung (yls) auf der Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential, wobei die x-Erfassungsleitung die Gateleitung (119) überlappt und die y-Erfassungsleitung die Datenleitung (130) überlappt; – Ausbilden einer zweiten Passivierungsschicht (155) auf der x-Erfassungsleitung und der y-Erfassungsleitung, wobei die zweite Passivierungsschicht ein zweites Drainkontaktloch (157) aufweist, das das Ätzverhinderungsmuster freilegt; und – Ausbilden einer Pixelelektrode (160) auf der zweiten Passivierungsschicht (155) in jedem der mehreren Pixelbereiche, wobei die Pixelelektrode das Ätzverhinderungsmuster (151) durch das zweite Drainkontaktloch (157) kontaktiert und mehrere offene Bereiche (oa3) aufweist, die jeweils eine stabförmige Form aufweisen.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei zwei benachbarte der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke entlang einer ersten Richtung parallel zur Gateleitung (119) durch die x-Erfassungsleitung miteinander verbunden sind, wobei jeder der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke einen ersten, zweiten und dritten Bereich umfasst, und die zweiten Bereiche von zwei benachbarten der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke entlang einer zweiten Richtung parallel zur Datenleitung (130) mit der y-Erfassungsleitung verbunden sind, und wobei die Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential drei Plattenmuster umfasst, die im ersten, zweiten und dritten Bereich getrennt sind.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei die x-Erfassungsleitung des ersten Bereichs von der x-Erfassungsleitung des zweiten Bereichs getrennt ist, und die x-Erfassungsleitung des zweiten Bereichs von der x-Erfassungsleitung des dritten Bereichs getrennt ist.
  14. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche 11 bis 13, weiter umfassend das Ausbilden einer Hilfserfassungsleitung (122) auf der Zwischenisolationsschicht (123), wobei die Hilfserfassungsleitung (122) im zweiten Bereich eines jeden der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke ausgebildet ist, so dass sie parallel zur Gateleitung (119) ist, wobei die Hilfserfassungsleitung (122) eine selbe Schicht und ein selbes Material wie die Gateleitung (119) aufweist, und wobei die x-Erfassungsleitung des ersten Bereichs und die x-Erfassungsleitung des dritten Bereichs durch die Hilfserfassungsleitung (122) verbunden sind.
  15. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche 11 bis 14, weiter umfassend das Ausbilden eines Verbindungsmusters zusammen mit der Pixelelektrode (160), wobei die erste Passivierungsschicht (145) ein erstes Erfassungsloch aufweist, das die Zwischenisolationsschicht entsprechend einem Endbereich der x-Erfassungsleitung freilegt, wobei die zweite Passivierungsschicht (155) ein zweites Erfassungsloch aufweist, das den Endbereich der x-Erfassungsleitung im ersten Kontaktloch freilegt, wobei die Zwischenisolationsschicht (123) ein drittes Erfassungsloch aufweist, das einen Endbereich der Hilfserfassungsleitung (122) freilegt, und wobei das Verbindungsmuster den Endbereich der X-Erfassungsleitung und den Endbereich der Hilfserfassungsleitung (122) kontaktiert.
  16. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche 11 bis 15, wobei die Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential einen ersten offenen Bereich aufweist, der dem Dünnschichttransistor (Tr) entspricht, und einen zweiten offenen Bereich, der dem ersten Erfassungsloch (148) entspricht, und wobei eine Fläche des zweiten offenen Bereichs größer als eine Fläche des ersten offenen Bereichs ist.
  17. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche 11 bis 16, wobei die mehreren entlang der ersten Richtung angeordneten berührungsempfindlichen Blöcke durch die x-Erfassungsleitung elektrisch miteinander verbunden sind, und wobei die mehreren entlang der zweiten Richtung angeordneten berührungsempfindlichen Blöcke durch die y-Erfassungsleitung elektrisch miteinander verbunden sind.
  18. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche 11 bis 17, weiter umfassend: – Ausbilden einer Gateverbindungsleitung und einer mit der Gateverbindungsleitung verbundenen Gatekontaktfläche zusammen mit der Gateleitung (119); – Ausbilden einer Datenverbindungsleitung (131) und einer mit der Datenverbindungsleitung (131) verbundenen Datenkontaktfläche zusammen mit der Datenleitung (130); und – Ausbilden eines ersten Hilfskontaktflächenmusters (152) zusammen mit der Elektrode für ein gemeinsames Potential, wobei das Substrat (101) einen aktiven Bereich umfasst, der ein Bild anzeigt, und einen nicht-aktiven Bereich, der den aktiven Bereich umgibt, und wobei der nicht-aktive Bereich einen Kontaktflächenbereich umfasst, wobei die Gateverbindungsleitung und die Datenverbindungsleitung (131) im nichtaktiven Bereich angeordnet sind, und die Gatekontaktfläche und die Datenkontaktfläche im Kontaktflächenbereich angeordnet sind, wobei die Gatekontaktfläche und die Datenkontaktfläche außerhalb der ersten Passivierungsschicht (145) freigelegt sind, und wobei das erste Hilfskontaktflächenmuster (152) die Gatekontaktfläche und die Datenkontaktfläche vollständig bedeckt.
  19. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche 11 bis 18, weiter umfassend das Ausbilden eines Gatekontaktflächenanschlusses und eines Datenkontaktflächenanschlusses zusammen mit der Pixelelektrode, wobei die zweite Passivierungsschicht (155) ein Datenkontaktflächenkontaktloch aufweist, das das erste Hilfskontaktflächenmuster (152) freilegt, wobei die zweite Passivierungsschicht (155) und die Zwischenisolationsschicht ein Gatekontaktflächenkontaktloch aufweisen, das die Gatekontaktfläche freilegt, wobei der Gatekontaktflächenanschluss die Gatekontaktfläche durch das Gatekontaktflächenkontaktloch kontaktiert, und wobei der Datenkontaktflächenanschluss das erste Hilfskontaktflächenmuster (152) durch das Datenkontaktflächenkontaktloch kontaktiert.
  20. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche 11 bis 19, wobei das Ausbilden des Dünnschichttransistors (Tr) umfasst: – Ausbilden einer intrinsischen amorphen Siliziumschicht auf dem Substrat (101); – Kristallisieren der intrinsischen amorphen Siliziumschicht in eine polykristalline Siliziumschicht; – Strukturieren der polykristallinen Siliziumschicht, um eine Halbleiterschicht aus polykristallinem Silizium auszubilden; – Ausbilden einer Gateisolationschicht (116) auf der Halbleiterschicht (113); – Ausbilden einer Gateelektrode (120) auf der Gateisolationsschicht (116) über der Halbleiterschicht (113), wobei die Gateelektrode (120) mit der Gateleitung (119) verbunden ist; – Dotieren der Halbleiterschicht (113) mit Störstellen unter Verwendung der Gateelektrode (120) als Dotiermaske, um einen ersten Halbleiterbereich aus intrinsischem polykristallinen Silizium und einen zweiten Halbleiterbereich aus störstellendotiertem polykristallinen Silizium an beiden Seiten des ersten Halbleiterbereichs zu definieren; Ausbilden der Zwischenisolationsschicht (123) auf der Gateelektrode (120), wobei die Zwischenisolationsschicht ein Halbleiterkontaktloch (125) aufweist, das den zweiten Halbleiterbereich freilegt; und Ausbilden einer Sourceelektrode (136) und der Drainelektrode (136) auf der Zwischenisolationsschicht (123), wobei die Source- und Drainelektroden den zweiten Halbleiterbereich durch das Halbleiterkontaktloch (125) kontaktieren.
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