CN104503619B - 一种阵列基板的制造方法及触摸屏 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种阵列基板的制造方法,包括步骤:A)在基板(111)上形成栅电极(112)、栅极线、栅极绝缘层(113)、有源层(114)、数据线、源电极(115a)、漏电极(115b)、第一绝缘层(116)及过孔(116a);B)利用带有狭缝的掩模板在完成步骤A)的基板(111)上形成公共电极(117)和第二绝缘层(118),并在第二绝缘层(118)中形成穿孔(118a);C)在完成步骤B)的基板(111)上形成金属电极(119)、第三绝缘层(120)及像素电极(121)。本发明通过一道光刻制程完成公共电极和第二绝缘层的制作,缩短生产时间,从而提高生产效率,并且减少了一个掩模板的使用,降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明属于触控显示技术领域,具体地讲,涉及一种阵列基板的制造方法及触摸屏。
背景技术
触摸屏是允许用户使用手指或者物体通过选择显示在图像显示器等的屏幕上的指令内容来输入用户的指令的输入设备。用户的手或者物体在接触位置处直接与触摸屏相接触。由于这种触摸屏可以代替连接到图像显示器的诸如键盘或鼠标之类的独立输入设备,所以其应用领域已经日益扩大。目前,触摸屏已广泛应用于诸如智能移动电话、平板电脑(Pad)等电子设备中。
现有的触摸屏包括盖板、触控面板及显示面板(诸如,液晶显示面板)。按照触控面板设置位置的不同,可将触摸屏分为一体化触摸屏(OGS)、内置式(In-Cell)触摸屏及外挂式(On-Cell)触摸屏。与OGS触摸屏和On-Cell触摸屏不同,In-Cell触摸屏可在阵列基板上实现,即触控面板设置在的液晶显示面板的阵列基板上,其结构和制程相对简单,可靠性更高,使液晶显示面板整体更加轻薄。
图1是现有技术的一种能够实现In-Cell触摸屏的阵列基板的结构示意图。参照图1,现有技术的阵列基板包括:基板11;形成在基板11上的栅电极12及栅极线(未示出);形成在基板11上并覆盖栅电极12及栅极线的栅极绝缘层13;形成在栅极绝缘层13上的有源层14;形成在有源层14上的源电极15a和漏电极15b;形成在源电极15a和漏电极15b上的第一绝缘层16;形成在第一绝缘层16中的过孔16a,其中,该过孔16a使源电极15a暴露;形成在第一绝缘层16及过孔16a中的源电极15a上的公共电极层17;形成在第一绝缘层16上的第二绝缘层18,其中,第二绝缘层18覆盖第一绝缘层16上的公共电极层17;形成在第二绝缘层18中的穿孔18a;形成在第二绝缘层18上的金属电极19,其中,该金属电极19填充穿孔18a,并与公共电极层17接触;形成在第二绝缘层18及过孔16a中的公共电极层17上的第三绝缘层20;形成在第三绝缘层20及过孔16a中的公共电极层17上像素电极21。
第一绝缘层16还起到平坦化的作用。公共电极层17同时也作为触摸感测电极;金属电极19作为触摸传导电极。然而,在图1所示的阵列基板的现有制造方法中,公共电极层17和第二绝缘层18各需要通过一道光刻(Photo Engraving Process)制程来完成,导致生产时间较长,从而造成生产效率较低,并且增加生产成本。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种阵列基板的制造方法,包括步骤:A)在基板上形成栅电极、栅极线、栅极绝缘层、有源层、数据线、源电极、漏电极、第一绝缘层及过孔;B)利用带有狭缝的掩模板在完成步骤A)的基板上形成公共电极和第二绝缘层,并在第二绝缘层中形成穿孔;C)在完成步骤B)的基板上形成金属电极、第三绝缘层及像素电极。
进一步地,所述步骤A)具体包括步骤:A1)在基板上形成栅电极及栅极线;A2)在完成步骤A1)的基板上形成栅极绝缘层,其中,所述栅极绝缘层覆盖所述栅电极和所述栅极线;A3)在完成步骤A2)的基板上形成有源层、数据线、源电极和漏电极;A4)在完成步骤A3)的基板上形成第一绝缘层,并且在所述第一绝缘层中形成过孔,其中,所述过孔中的源电极暴露。
进一步地,所述步骤A)具体包括步骤:A1)在基板上形成栅电极及栅极线;A2)在完成步骤A1)的基板上形成栅极绝缘层,其中,所述栅极绝缘层覆盖所述栅电极和所述栅极线;A3)在完成步骤A2)的基板上形成有源层;A4)在完成步骤A3)的基板上数据线、源电极和漏电极;A5)在完成步骤A4)的基板上形成第一绝缘层,并且在所述第一绝缘层中形成过孔,其中,所述过孔中的源电极暴露。
进一步地,所述步骤B)具体包括步骤:B1)在完成步骤A)的基板上依序形成透明导电薄膜及第二绝缘薄膜,其中,所述透明导电薄膜覆盖所述第一绝缘层及所述过孔中的源电极,所述第二绝缘薄膜覆盖所述透明导电薄膜;B2)在完成步骤B1)的基板上涂覆光刻胶,其中,所述光刻胶覆盖所述第二绝缘薄膜;B3)采用所述带有狭缝的掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影处理,以将所述公共电极的间隔处的第二绝缘层暴露;B4)将暴露的所述公共电极的间隔处的第二绝缘层去除,以将所述公共电极的间隔处的透明导电薄膜暴露;B5)将暴露的所述公共电极的间隔处的透明导电薄膜去除;B6)将所述过孔中的光刻胶去除,并将形成所述穿孔处的光刻胶去除,以使所述穿孔处的第二绝缘层暴露;B7)将暴露出的所述穿孔处的第二绝缘层及所述过孔中的第二绝缘层去除,并将剩余的光刻胶去除。
进一步地,所述步骤C)具体包括步骤:C1)在完成步骤B)的基板上形成金属电极,其中,所述金属电极填充所述穿孔并与所述公共电极接触;C2)在完成步骤C1)的基板上形成所述第三绝缘层,其中,所述第三绝缘层覆盖所述金属电极及所述第二绝缘层;C3)在完成步骤C2)的基板上形成像素电极。
本发明还公开一种触摸屏,包括对盒设置的阵列基板及彩色滤光片基板,所述阵列基板为采用上述的制造方法制造的阵列基板。
本发明通过一道光刻制程完成公共电极和第二绝缘层的制作,缩短生产时间,从而提高生产效率,并且减少了一个掩模板的使用,降低了生产成本。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:
图1是现有技术的一种能够实现In-Cell触摸屏的阵列基板的结构示意图;
图2是根据本发明的实施例的阵列基板的结构示意图;
图3是根据本发明的实施例的阵列基板的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下,将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而,可以以许多不同的形式来实施本发明,并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
图2是根据本发明的实施例的阵列基板的结构示意图。根据本发明的实施例的阵列基板可应用于触摸屏中。
参照图2,根据本发明的实施例的阵列基板包括:基板111;形成在基板111上的栅电极112及栅极线(未示出);形成在基板111上并覆盖栅电极112及栅极线的栅极绝缘层113;形成在栅极绝缘层113上的有源层114;形成在有源层114上的源电极115a、漏电极115b及数据线(未示出);形成在源电极115a和漏电极115b上的第一绝缘层116;形成在第一绝缘层116中的过孔116a,其中,该过孔116a使源电极115a暴露;形成在第一绝缘层116及过孔116a中的源电极115a上的公共电极117;形成在第一绝缘层116上的第二绝缘层118,其中,第二绝缘层118覆盖第一绝缘层116上的公共电极117;形成在第二绝缘层118中的穿孔118a;形成在第二绝缘层118上的金属电极119,其中,该金属电极119填充穿孔118a,并与公共电极117接触;形成在第二绝缘层118及过孔116a中的公共电极117上的第三绝缘层120;形成在第三绝缘层120及过孔116a中的公共电极117上像素电极121。
此外,第一绝缘层116还起到平坦化的作用。公共电极117同时也作为触摸感测电极;金属电极119作为触摸传导电极。
下面将对根据本发明的实施例的阵列基板的制造方法进行说明。图3是根据本发明的实施例的阵列基板的制造方法的流程图。
参照图2和图3,根据本发明的实施例的阵列基板的制造方法包括:
步骤210,在基板111上形成栅电极112、栅极线、栅极绝缘层113、有源层114、数据线、源电极115a、漏电极115b、第一绝缘层116及过孔116a。
作为一个实施方式,实现步骤210的具体方法可包括:
步骤211a:在基板111上形成栅电极112及栅极线;
步骤212a:在完成步骤211a的基板111上形成栅极绝缘层113,其中,所述栅极绝缘层113覆盖所述栅电极112和所述栅极线;
步骤213a:在完成步骤212a的基板111上形成有源层114、数据线、源电极115a和漏电极115b;
步骤214a:在完成步骤213a的基板111上形成第一绝缘层116,并且在所述第一绝缘层116中形成过孔116a,其中,所述过孔116a中的源电极115a暴露。
作为另一个实施方式,实现步骤210的具体方法还可包括:
步骤211b:在基板111上形成栅电极112及栅极线;
步骤212b:在完成步骤211b的基板111上形成栅极绝缘层113,其中,所述栅极绝缘层113覆盖所述栅电极112和所述栅极线;
步骤213b:在完成步骤212b的基板111上形成有源层114;
步骤214b:在完成步骤213b的基板111上数据线、源电极115a和漏电极115b;
步骤214b:在完成步骤214b的基板111上形成第一绝缘层116,并且在所述第一绝缘层116中形成过孔116a,其中,所述过孔116a中的源电极115a暴露。
步骤220,利用带有狭缝的掩模板(例如:灰色调光刻(Gray Tone Mask)掩模板或半色调光刻(HalfTone Mask)掩模板或SSM(Single Slit Mask)掩模板)在完成步骤210的基板111上形成公共电极117和第二绝缘层118,并在第二绝缘层118中形成穿孔118a。
作为一个实施方式,实现步骤220的具体方法可包括:
步骤221:在完成步骤:210的基板111上依序形成透明导电薄膜及第二绝缘薄膜,其中,所述透明导电薄膜覆盖所述第一绝缘层116及所述过孔116a中的源电极115a,所述第二绝缘薄膜覆盖所述透明导电薄膜;
步骤222:在完成步骤221的基板111上涂覆光刻胶,其中,所述光刻胶覆盖所述第二绝缘薄膜;
步骤223:采用所述带有狭缝的掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影处理,以将所述公共电极117的间隔处的第二绝缘层118暴露;
步骤224:将暴露的所述公共电极117的间隔处的第二绝缘层118去除,以将所述公共电极117的间隔处的透明导电薄膜暴露;
步骤225:将暴露的所述公共电极117的间隔处的透明导电薄膜去除;
步骤226:将所述过孔116a中的光刻胶去除,并将形成所述穿孔118a处的光刻胶去除,以使所述穿孔118a处的第二绝缘层118暴露;
步骤227:将暴露出的所述穿孔118a处的第二绝缘层118及所述过孔116a中的第二绝缘层118去除,并将剩余的光刻胶去除。
步骤230,在完成步骤220的基板111上形成金属电极119、第三绝缘层120及像素电极121。
作为一个实施方式,实现步骤230的具体方法可包括:
步骤231:在完成步骤220的基板111上形成金属电极119,其中,所述金属电极119填充所述穿孔118a并与所述公共电极117接触;
步骤232:在完成步骤231的基板111上形成所述第三绝缘层120,其中,所述第三绝缘层120覆盖所述金属电极119及所述第二绝缘层118;
步骤233:在完成步骤232的基板111上形成像素电极121。
综上所述,根据本发明的实施例,通过一道光刻制程完成公共电极和第二绝缘层的制作,缩短生产时间,从而提高生产效率,并且减少了一个掩模板的使用,降低了生产成本。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明,但是本领域的技术人员将理解:在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下,可在此进行形式和细节上的各种变化。
Claims (5)
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:
A)在基板(111)上形成栅电极(112)、栅极线、栅极绝缘层(113)、有源层(114)、数据线、源电极(115a)、漏电极(115b)、第一绝缘层(116)及过孔(116a);
B)利用带有狭缝的掩模板在完成步骤A)的基板(111)上形成公共电极(117)和第二绝缘层(118),并在第二绝缘层(118)中形成穿孔(118a);所述步骤B)具体包括步骤:
B1)在完成步骤A)的基板(111)上依序形成透明导电薄膜及第二绝缘薄膜,其中,所述透明导电薄膜覆盖所述第一绝缘层(116)及所述过孔(116a),所述第二绝缘薄膜覆盖所述透明导电薄膜;
B2)在完成步骤B1)的基板(111)上涂覆光刻胶,其中,所述光刻胶覆盖所述第二绝缘薄膜;
B3)采用所述带有狭缝的掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影处理,以将所述公共电极(117)的间隔处的第二绝缘层(118)暴露;
B4)将暴露的所述公共电极(117)的间隔处的第二绝缘层(118)去除,以将所述公共电极(117)的间隔处的透明导电薄膜暴露;
B5)将暴露的所述公共电极(117)的间隔处的透明导电薄膜去除;
B6)将所述过孔(116a)中的光刻胶去除,并将形成所述穿孔(118a)处的光刻胶去除,以使所述穿孔(118a)处的第二绝缘层(118)暴露;
B7)将暴露出的所述穿孔(118a)处的第二绝缘层(118)及所述过孔(116a)中的第二绝缘层(118)去除,并将剩余的光刻胶去除;
C)在完成步骤B)的基板(111)上形成金属电极(119)、第三绝缘层(120)及像素电极(121)。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述步骤A)具体包括步骤:
A1)在基板(111)上形成栅电极(112)及栅极线;
A2)在完成步骤A1)的基板(111)上形成栅极绝缘层(113),其中,所述栅极绝缘层(113)覆盖所述栅电极(112)和所述栅极线;
A3)在完成步骤A2)的基板(111)上形成有源层(114)、数据线、源电极(115a)和漏电极(115b);
A4)在完成步骤A3)的基板(111)上形成第一绝缘层(116),并且在所述第一绝缘层(116)中形成过孔(116a),其中,所述过孔(116a)中的源电极(115a)暴露。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述步骤A)具体包括步骤:
A1)在基板(111)上形成栅电极(112)及栅极线;
A2)在完成步骤A1)的基板(111)上形成栅极绝缘层(113),其中,所述栅极绝缘层(113)覆盖所述栅电极(112)和所述栅极线;
A3)在完成步骤A2)的基板(111)上形成有源层(114);
A4)在完成步骤A3)的基板(111)上数据线、源电极(115a)和漏电极(115b);
A5)在完成步骤A4)的基板(111)上形成第一绝缘层(116),并且在所述第一绝缘层(116)中形成过孔(116a),其中,所述过孔(116a)中的源电极(115a)暴露。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述步骤C)具体包括步骤:
C1)在完成步骤B)的基板(111)上形成金属电极(119),其中,所述金属电极(119)填充所述穿孔(118a)并与所述公共电极(117)接触;
C2)在完成步骤C1)的基板(111)上形成所述第三绝缘层(120),其中,所述第三绝缘层(120)覆盖所述金属电极(119)及所述第二绝缘层(118);
C3)在完成步骤C2)的基板(111)上形成像素电极(121)。
5.一种触摸屏,包括对盒设置的阵列基板及彩色滤光片基板,其特征在于,所述阵列基板为采用权利要求1至4任一项所述的制造方法制造的阵列基板。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |