CN105931986A - 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成包括薄膜晶体管TFT的平坦层前膜层结构；在形成有所述平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案；在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层；在形成有所述透明导电膜层的衬底基板上形成触摸金属图案TPM；对所述透明导电膜层进行处理形成公共电极。本发明通过在透明导电膜层上形成TPM，然后再对透明导电膜层进行处理以形成公共电极，解决了相关技术中在公共电极上形成TPM可能会对平坦层图案造成损坏的问题，达到了形成TPM时，由透明导电膜层保护平坦层图案，不会对平坦层图案造成损坏的效果。

Description

阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。
背景技术
显示面板通常包括阵列基板、彩膜基板以及形成于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。其中，一种显示面板中的阵列基板上形成有大面积透明的公共电极以及像素电极，阵列基板通过这两个电极能够使液晶层中的液晶进行偏转。但由于公共电极的面积较大，其电阻通常较高，这可能会影响显示面板的显示效果，尤其是在将公共电极和像素电极作为该显示面板的两个触控电极时，公共电极的电阻过高会严重影响显示面板的触控功能。
相关技术中有一种阵列基板的制造方法，在该方法中：1)在衬底基板上形成包括薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)在内的平坦层前膜层结构；2)在形成有平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案；3)在形成有平坦层图形的衬底基板上形成公共电极；4)在公共电极上形成触摸金属图案(英文：Touch pattern Metal；简称：TPM)，TPM可以为金属走线，导电性能好，能够解决公共电极的电阻较大的问题；5)在形成有TPM的衬底基板上形成缓冲层以及像素电极，像素电极通过过孔与TFT中的源极或漏极连接。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：由于公共电极与平坦层图案的形状不同，平坦层图案上可能存在未覆盖公共电极的区域，且由于TPM形成时对温度的要求较高而平坦层图案对于高温的耐受性较差，此时在公共电极上形成TPM可能会对平坦层图案造成损坏。
发明内容
为了解决现有技术中在公共电极上形成TPM可能会对平坦层图案造成损坏的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。所述技术方案如下：
根据本发明的第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成包括薄膜晶体管TFT的平坦层前膜层结构；
在形成有所述平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案；
在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层；
在形成有所述透明导电膜层的衬底基板上形成触摸金属图案TPM；
对所述透明导电膜层进行处理形成公共电极。
可选地，所述在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层之前，所述方法还包括：
在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成第一钝化层；
所述在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层，包括：
在形成有所述第一钝化层的衬底基板上形成所述透明导电膜层；
所述公共电极上形成有公共电极孔，所述平坦层图案上形成有平坦层孔，所述平坦层孔使所述TFT的源极或漏极露出，所述对所述透明导电膜层进行处理形成公共电极之后，所述方法还包括：
在形成有所述透明电极的衬底基板上形成第二钝化层；
在所述第二钝化层和第一钝化层上形成TFT接触过孔，所述TFT接触过孔通过所述公共电极孔与所述平坦层孔连通，所述TFT接触过孔小于所述公共电极孔；
在形成有所述TFT接触过孔的衬底基板上形成像素电极，所述像素电极通过所述TFT接触过孔以及所述平坦层孔与所述TFT的源极或漏极连接。
可选地，所述在所述第二钝化层和第一钝化层上形成TFT接触过孔，包括：
通过一次构图工艺在所述第二钝化层和第一钝化层上形成TFT接触过孔。
可选地，所述在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成第一钝化层，包括：
在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的顶面的所述第一钝化层。
可选地，所述在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层，包括：
在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的顶面的所述透明导电膜层。
可选地，所述平坦层图案的材料包括亚克力。
可选地，所述像素电极的材料包括多晶硅氧化铟锡P-ITO。
根据本发明的第二方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板是由第一方面所述的方法制造形成的，所述阵列基板包括：
衬底基板；
所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管TFT的平坦层前膜层结构；
形成有所述平坦层前膜层结构的衬底基板上形成有平坦层图案；
形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成有公共电极；
所述公共电极上形成有触摸金属图案TPM。
可选地，所述公共电极上形成有公共电极孔，所述平坦层图案上形成有平坦层孔，所述平坦层孔使所述TFT的源极或漏极露出，
形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成有第一钝化层；
形成有所述TPM的衬底基板上形成有第二钝化层，所述第二钝化层和所述第一钝化层上形成有TFT接触过孔，所述TFT接触过孔穿过所述公共电极孔与所述平坦层孔连通，所述TFT接触过孔小于所述公共电极孔；
形成有所述TFT接触过孔的衬底基板上形成有像素电极，所述像素电极通过所述TFT接触过孔以及所述平坦层孔与所述TFT的源极或漏极连接。
根据本发明的第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面所述的阵列基板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在透明导电膜层上形成TPM，然后再对透明导电膜层进行处理以形成公共电极，解决了相关技术中在公共电极上形成TPM可能会对平坦层图案造成损坏的问题，达到了形成TPM时，由透明导电膜层保护平坦层图案，不会对平坦层图案造成损坏的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例示出的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图2-1是本发明实施例示出的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图2-2是图2-1所示实施例中衬底基板的结构示意图；
图2-3是图2-1所示实施例中衬底基板的结构示意图；
图2-4是图2-1所示实施例中衬底基板的结构示意图；
图2-5是图2-1所示实施例中形成第一钝化层的一种实现方式；
图2-6是图2-1所示实施例中衬底基板的结构示意图；
图2-7是图2-1所示实施例中形成透明导电膜层的一种实现方式；
图2-8是图2-1所示实施例中衬底基板的结构示意图；
图2-9是图2-1所示实施例中衬底基板的结构示意图；
图2-10是图2-1所示实施例中衬底基板的结构示意图；
图2-11是图2-1所示实施例中衬底基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
上述各个附图中，附图标记的含义可以为：11-衬底基板，12-LS层，13-缓冲层，14-多晶硅有源层，15-栅绝缘层，16-栅极，17-中间介电层，18-源漏极，19-平坦层图案，191-平坦层孔，20-第一钝化层，21-透明导电膜层，22-TPM，211-公共电极，211a-公共电极孔，231-TFT接触过孔，24-像素电极，30-平坦层前膜层结构。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例示出的一种阵列基板的制造方法的流程图，本实施例以该阵列基板的制造方法应用于制造阵列基板来举例说明。该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤：
步骤101，在衬底基板上形成包括TFT的平坦层前膜层结构。
步骤102，在形成有平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案。
步骤103，在形成有平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层。
步骤104，在形成有透明导电膜层的衬底基板上形成TPM。
步骤105，对透明导电膜层进行处理形成公共电极。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在透明导电膜层上形成TPM，然后再对透明导电膜层进行处理以形成公共电极，解决了相关技术中在公共电极上形成TPM可能会对平坦层图案造成损坏的问题，达到了形成TPM时，由透明导电膜层保护平坦层图案，不会对平坦层图案造成损坏的效果。
图2-1是本发明实施例示出的另一种阵列基板的制造方法的流程图，本实施例以该阵列基板的制造方法应用于制造阵列基板来举例说明。该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤：
步骤201，在衬底基板上形成包括TFT的平坦层前膜层结构。
在使用本发明实施例提供的阵列基板制造方法时，可以首先在衬底基板上形成包括TFT的平坦层前膜层结构。平坦层前膜层结构可以是指形成平坦层之前，衬底基板上的膜层结构，平坦层前膜层结构根据情况可能不同，在应用了低温多晶硅(英文：Low Temperature Poly-silicon；简称：LTPS)技术的阵列基板上，形成了平坦层前膜层结构的衬底基板可以如图2-2所示，其中，衬底基板11上由下而上形成有遮光(英文：Light Shield；简称：LS)层12、缓冲层(英文：buffer)13、多晶硅(P-SI)有源层14、栅绝缘层(英文：Gate Insulator；简称：GI)15、栅极16、中间介电层(英文：inter-layer Dielectric；简称：ILD)17和源漏极18等。平坦层前膜层结构还可以为其他，具体可以参考相关技术，在此不再赘述。
步骤202，在形成有平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案。
在衬底基板上形成平坦层前膜层结构后，可以在形成有平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案。平坦层图案的材料可以包括亚克力(英文：Acryl)。平坦层图案上可以形成有源漏极接触过孔，该源漏极接触过孔使平坦层图案下层的TFT中的源极或漏极露出。
本步骤结束时，衬底基板的结构可以如图2-3所示，其中，平坦层图案19形成于源漏极18上方，平坦层图案19上形成有平坦层孔191，源极或漏极从平坦层孔191中露出。需要说明的是，附图标记18代表源极和漏极，而源极和漏极中的一个从平坦层孔191中露出。
步骤203，在形成有平坦层图案的衬底基板上形成第一钝化层。
在衬底基板上形成平坦层图案后，可以在形成有平坦层图案的衬底基板上形成第一钝化层(英文：Passivation；简称：PVX)，该钝化层可以进一步保护平坦层图案。本步骤结束时，衬底基板的结构可以如图2-4所示，其中，第一钝化层20形成在平坦层图案19上。
此外，如图2-5所示，本步骤的一种实现方式为：
子步骤2031，在形成有平坦层图案的衬底基板上形成覆盖衬底基板的顶面的第一钝化层。
其中，衬底基板的顶面可以包括衬底基板上的有效显示区域(英文：ActiveArea；简称：AA)和周边区域。由于周边区域可能未形成有公共电极，因而周边区域的平坦层图案更有可能被损坏，因而在周边区域也形成有钝化层能够保护周边区域区的平坦层图案。其中，衬底基板的AA区可以是指该衬底基板后续形成的阵列基板的AA区。
步骤204，在形成有第一钝化层的衬底基板上形成透明导电膜层。
在衬底基板上形成第一钝化层后，可以在形成有第一钝化层的衬底基板上形成透明导电膜层，该透明导电膜层的材料可以包括氧化铟锡(英文：Indium TinOxides；简称：ITO)。该透明导电膜层用于后续形成公共电极。其中透明导电膜层可以由镀膜机来形成，形成时的工艺参数可以为：镀膜机功率为20KW(千瓦)，镀膜腔室的温度为室温。形成透明导电膜层时，镀膜机的功率较小，且镀膜腔室的温度较低，不会对平坦层图案造成损坏。
本步骤结束时，衬底基板的结构可以如图2-6所示，其中，透明导电膜层21形成于第一钝化层20上，19为平坦层图案。
此外，如图2-7所示，本步骤的一种实现方式为：
子步骤2041，在形成有平坦层图案的衬底基板上形成覆盖衬底基板的顶面的透明导电膜层。
其中，衬底基板的顶面可以包括衬底基板上的AA区和周边区域。由于周边区域可能未形成有公共电极，因而周边区域的平坦层图案更有可能被损坏，因而在周边区域也形成有透明导电膜层能够保护周边区域区的平坦层图案。
步骤205，在形成有透明导电膜层的衬底基板上形成TPM。
在衬底基板上形成了透明导电膜层后，可以在形成有透明导电膜层的衬底基板上形成TPM。TPM的材料可以包括钼(Mo)，膜厚可以为(埃)，TPM可以通过镀膜机形成，TPM形成时的工艺参数为：镀膜机功率为150KW，镀膜腔室的温度为100摄氏度。形成TPM时镀膜机的功率较高，镀膜腔室的温度较高，若平坦层图案暴露在这样的环境下，平坦层图案的表面会析出污染物，该污染物会对TPM以及镀膜腔室造成污染，TPM被污染后其电阻会被影响。
可以通过构图工艺来形成TPM，构图工艺可以包括曝光、显影、刻蚀和剥离等，具体可以参考相关技术，在此不再赘述。
由于透明导电膜层的稳定性通常强于平坦层，如ITO构成的透明导电膜层，其稳定性强于由亚克力构成的平坦层，在形成TPM时，透明导电膜层通常不会被影响。因而本发明实施例中，透明导电膜层可以在TPM的形成过程中，保护平坦层图案。
需要说明的是，TPM的图案在设计时可以避开后续形成公共电极时在透明导电膜层刻蚀掉的部分，示例性的，可以避开公共电极上的公共电极孔，避免后续形成公共电极时，对TPM造成损坏。
还需要说明的是，未设置TPM时，公共电极的电阻可能达到60欧左右，该阻值较高，可能会影响阵列基板构成的显示面板的显示效果。尤其在公共电极作为内嵌式触控(英文：full in cell；简称：FIC)技术中的一个触摸电极时，若公共电极的阻值较高，会在较大程度上影响触控功能的实现。而设置TPM后，公共电极的阻值通常会下降到1.5欧左右，该阻值较小，即使公共电极作为触摸电极，也不会对触控功能造成影响。
本步骤结束时，衬底基板的结构可以如图2-8所示，其中，TPM22形成于透明导电膜层21上。图2-8中其他附图标记的含义可以参考本发明实施例的其他附图，在此不再赘述。
步骤206，对透明导电膜层进行处理形成公共电极。
在衬底基板上形成了TPM之后，可以对透明导电膜层进行处理形成公共电极。具体的，可以通过构图工艺在所述透明导电膜层上形成公共电极。公共电极上形成有公共电极孔，公共电极孔可以与平坦诚图案上的平坦层孔连通，且大于平坦层孔。
本步骤结束时，衬底基板的结构可以如图2-9所示，其中，公共电极211形成于第一钝化层20上，公共电极211上形成有公共电极孔211a，TPM22位于公共电极211上。
步骤207，在形成有透明电极的衬底基板上形成第二钝化层。
在衬底基板上形成公共电极后，可以在形成有透明电极的衬底基板上形成第二钝化层，该第二钝化层可以用于保护公共电极与TPM。
步骤208，在第二钝化层和第一钝化层上形成TFT接触过孔。
在衬底基板上形成了第二钝化层后，可以在第二钝化层和第一钝化层上形成TFT接触过孔。具体的，由于第二钝化层和第一钝化层的材质可以相同，因而可以通过一次构图工艺在第二钝化层和第一钝化层上形成TFT接触过孔，具体的，在使用干法刻蚀来刻蚀第二钝化层和第一钝化层时，可以不更换刻蚀气体，而只需要根据第一钝化层和第二钝化层的厚度来调整刻蚀的时间即可，节省了成本。TFT接触过孔小于公共电极孔。TFT接触过孔可以穿过第二钝化层和第一钝化层并从公共电极孔中穿过，与平坦层孔连通。
本步骤结束时，衬底基板的结构可以如图2-10所示，其中，TFT接触过孔231经过第二钝化层23和第一钝化层20，并从公共电极孔211a中穿过，与平坦层孔191连通，使源极或漏极露出。需要说明的是，TFT接触过孔231可以是形成于第二钝化层23和第一钝化层20上的孔，且TFT接触过孔231经过公共电极211上的公共电极孔211a。图2-10中其他标记的含义可以参考本发明实施例的其他附图，在此不再赘述。
步骤209，在形成有TFT接触过孔的衬底基板上形成像素电极。
在衬底基板上形成了TFT接触过孔后，可以在形成有TFT接触过孔的衬底基板上形成像素电极。其中，像素电极通过TFT接触过孔以及平坦层孔与TFT的源极或漏极连接。像素电极的材料包括多晶硅氧化铟锡(P-ITO)。需要说明的是，本发明实施例示出的阵列基板可以用于高级超维场转换(英文：AdvancedSuper Dimension Switch；简称：ADS)型显示面板中。
本步骤结束时，衬底基板的结构可以如图2-11所示，其中，像素电极24形成于第二钝化层23上，且像素电极24与源漏极18中的源极或漏极连接。图2-11中其他标记的含义可以参考本发明实施例其他附图，在此不再赘述。像素电极24可以与公共电极211共同驱动液晶层(图2-11中未示出)中的液晶。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在透明导电膜层上形成TPM，然后再对透明导电膜层进行处理以形成公共电极，解决了相关技术中在公共电极上形成TPM可能会对平坦层图案造成损坏的问题，达到了形成TPM时，由透明导电膜层保护平坦层图案，不会对平坦层图案造成损坏的效果。
图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板可以是由图1示出的方法制造形成的，该阵列基板包括：
衬底基板11。
衬底基板11上形成有包括TFT的平坦层前膜层结构30。
形成有平坦层前膜层结构30的衬底基板11上形成有平坦层图案19。
形成有平坦层图案19的衬底基板11上形成有公共电极211。
公共电极211上形成有TPM22。TPM22可以是在衬底基板11上形成有透明导电膜层后形成的，透明导电膜层可以保护平坦层图案，后续对透明导电膜层进行处理可以得到公共电极211。
如图2-11所示，其为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，公共电极211上形成有公共电极孔211a，平坦层图案19上形成有平坦层孔191，平坦层孔191使TFT的源极或漏极18露出，形成有平坦层图案19的衬底基板11上形成有第一钝化层20。第一钝化层20能够在形成TPM22时，进一步保护平坦层图案19。
形成有TPM22的衬底基板11上形成有第二钝化层23，第一钝化层20和第二钝化层23上形成有TFT接触过孔231，TFT接触过孔231穿过公共电极孔211a与平坦层孔191连通，TFT接触过孔231小于公共电极孔211a。
形成有TFT接触过孔231的衬底基板11上形成有像素电极24，像素电极24通过TFT接触过孔231以及平坦层孔191与TFT的源极或漏极18连接。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，通过在透明导电膜层上形成TPM，然后再对透明导电膜层进行处理以形成公共电极，解决了相关技术中在公共电极上形成TPM可能会对平坦层图案造成损坏的问题，达到了形成TPM时，由透明导电膜层保护平坦层图案，不会对平坦层图案造成损坏的效果。
此外，本发明还提供一种显示装置，该显示装置可以包括图3所示的阵列基板，或图2-11所示的阵列基板。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成包括薄膜晶体管TFT的平坦层前膜层结构；
在形成有所述平坦层前膜层结构的衬底基板上形成平坦层图案；
在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层；
在形成有所述透明导电膜层的衬底基板上形成触摸金属图案TPM；
对所述透明导电膜层进行处理形成公共电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层之前，所述方法还包括：
在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成第一钝化层；
所述在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层，包括：
在形成有所述第一钝化层的衬底基板上形成所述透明导电膜层；
所述公共电极上形成有公共电极孔，所述平坦层图案上形成有平坦层孔，所述平坦层孔使所述TFT的源极或漏极露出，所述对所述透明导电膜层进行处理形成公共电极之后，所述方法还包括：
在形成有所述透明电极的衬底基板上形成第二钝化层；
在所述第二钝化层和第一钝化层上形成TFT接触过孔，所述TFT接触过孔通过所述公共电极孔与所述平坦层孔连通，所述TFT接触过孔小于所述公共电极孔；
在形成有所述TFT接触过孔的衬底基板上形成像素电极，所述像素电极通过所述TFT接触过孔以及所述平坦层孔与所述TFT的源极或漏极连接。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二钝化层和第一钝化层上形成TFT接触过孔，包括：
通过一次构图工艺在所述第二钝化层和第一钝化层上形成TFT接触过孔。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成第一钝化层，包括：
在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的顶面的所述第一钝化层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成透明导电膜层，包括：
在形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的顶面的所述透明导电膜层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平坦层图案的材料包括亚克力。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述像素电极的材料包括多晶硅氧化铟锡P-ITO。
8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板是由权利要求1至7任一所述的方法制造形成的，所述阵列基板包括：
衬底基板；
所述衬底基板上形成有包括薄膜晶体管TFT的平坦层前膜层结构；
形成有所述平坦层前膜层结构的衬底基板上形成有平坦层图案；
形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成有公共电极；
所述公共电极上形成有触摸金属图案TPM。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极上形成有公共电极孔，所述平坦层图案上形成有平坦层孔，所述平坦层孔使所述TFT的源极或漏极露出，
形成有所述平坦层图案的衬底基板上形成有第一钝化层；
形成有所述TPM的衬底基板上形成有第二钝化层，所述第二钝化层和所述第一钝化层上形成有TFT接触过孔，所述TFT接触过孔穿过所述公共电极孔与所述平坦层孔连通，所述TFT接触过孔小于所述公共电极孔；
形成有所述TFT接触过孔的衬底基板上形成有像素电极，所述像素电极通过所述TFT接触过孔以及所述平坦层孔与所述TFT的源极或漏极连接。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8或9所述的阵列基板。
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