CN102193230B - 触摸感测式液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

触摸感测式液晶显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102193230B
CN102193230B CN201110065355.5A CN201110065355A CN102193230B CN 102193230 B CN102193230 B CN 102193230B CN 201110065355 A CN201110065355 A CN 201110065355A CN 102193230 B CN102193230 B CN 102193230B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sense wire
substrate
directions
touch
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110065355.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102193230A (zh
Inventor
吴锦美
金珍郁
金圣姬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN102193230A publication Critical patent/CN102193230A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102193230B publication Critical patent/CN102193230B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/047—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using sets of wires, e.g. crossed wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/22—Antistatic materials or arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

触摸感测式液晶显示装置及其制造方法。一种触摸感测式液晶显示装置包括：阵列基板，其包括第一基板、公共电极、像素电极和触摸感测单元；滤色器基板，其包括第二基板，并且面对所述阵列基板；防静电层，其在所述第二基板的外侧上，并且包括有机材料和碳纳米管；以及液晶层，其位于所述第一基板与所述第二基板的内侧之间。

Description

触摸感测式液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)装置，更具体地说，涉及包括防静电层的触摸感测式液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，LCD装置由于其低功耗和便携性已广泛用作下一代技术密集且有附加值的装置。通常，LCD装置使用液晶分子的光学各向异性和偏振特性来产生图像。由于液晶分子的光学各向异性，入射到液晶分子上的光的折射取决于液晶分子的配向(alignment)方向。液晶分子具有能沿特定方向配向的细长形状。能通过施加电场来控制液晶分子的配向方向。因此，液晶分子的配向根据所施加的电场的方向而变化，并且由于光学各向异性，光沿液晶分子的配向方向折射，从而显示图像。
由于包括薄膜晶体管(TFT)作为开关元件、被称为有源矩阵LCD(AM-LCD)装置的LCD装置具有高分辨率和显示运动图像的优异特性，所以AM-LCD装置已被广泛使用。
AM-LCD装置包括阵列基板、滤色器基板和插入在这二者之间的液晶层。阵列基板可包括像素电极和TFT，滤色器基板可包括滤色器层和公共电极。AM-LCD装置由像素电极和公共电极之间的电场驱动，以具有优异的透射率和孔径比特性。然而，由于AM-LCD装置使用垂直电场，所以AM-LCD装置具有较差的视角。
面内切换(IPS)模式LCD装置或边缘场切换(FFS)模式LCD装置可用于解决上面提到的限制。图1是根据现有技术的IPS模式LCD装置的截面图。如图1所示，阵列基板和滤色器基板分离并互相面对。阵列基板包括第一基板10、公共电极17和像素电极30。尽管未示出，但阵列基板可包括TFT、选通线、数据线等。滤色器基板包括第二基板9、滤色器层(未示出)等。液晶层11插入在第一基板10与第二基板9之间。由于公共电极17和像素电极30在同一水平面上形成在第一基板10上，所以在公共电极17与像素电极30之间产生水平电场“L”。液晶层11的液晶分子由水平电场驱动，使得IPS模式LCD装置具有宽视角。
图2A和图2B是示出根据现有技术的IPS模式LCD装置的开启/关闭状态的截面图。如图2A所示，当电压施加到IPS模式LCD装置时，公共电极17和像素电极30上方的液晶分子11a不变。但是公共电极17与像素电极30之间的液晶分子11b由于水平电场“L”而水平排列。由于液晶分子通过水平电场来排列，所以IPS模式LCD装置具有宽视角的特性。图2B示出当电压未施加到IPS模式LCD装置时的状况。因为公共电极17与像素电极30之间没有产生电场，所以液晶分子11的排列没有改变。
在FFS模式LCD装置中，像素电极和公共电极中的一个在像素区具有板形，并且像素电极和公共电极中的另一个具有开口。像素电极和公共电极形成在下基板上。结果，液晶分子由像素电极与公共电极之间的边缘场驱动。
遗憾的是，由于在IPS模式LCD装置或FFS模式LCD装置的上基板上不存在由导电材料形成的公共电极，所以在上基板的外侧上需要由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成的防静电层，以防止由于静电所导致的问题。通常，防静电层具有约200埃的厚度，以及约500欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻(sheet resistance)。因为防静电层的薄层电阻与金属材料的薄层电阻基本相同，所以由于该防静电层，静电不会对装置造成损坏。
IPS模式LCD装置或FFS模式LCD装置用于电视、投影仪、移动电话、PDA等。近来，移动装置包括触摸传感器，使得能通过触摸来操作该装置。
遗憾的是，即使电容覆盖式触摸传感器被包含在IPS模式LCD装置或FFS模式LCD装置的单元(cell)中，但是由于IPS模式LCD装置或FFS模式LCD装置的由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成的防静电层，导致不能检测触摸产生的电容变化。也就是说，不能通过触摸传感器来操作现有技术的IPS模式LCD装置或FFS模式LCD装置。
更具体地说，当用户将他的手指触摸到IPS模式LCD装置或FFS模式LCD装置上时，在手指与IPS模式LCD装置或FFS模式LCD装置的防静电层之间产生电容。该电容通过防静电层放电到外部空间，使得不能通过电容覆盖式触摸传感器来检测用户的触摸。如果为了触摸感测而去除防静电层，则静电会造成损坏。
发明内容
因此，本发明致力于基本上消除了由于现有技术的限制和缺点所导致的一个或更多个问题的触摸感测式LCD装置及其制造方法。
本发明的附加特征和优点将在以下的说明书中进行阐述，并且将根据说明书而部分地变得明显，或者可以通过对本发明的实践来了解。可以通过书面的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点，根据本发明的目的，如这里具体实施和广泛描述的，一种触摸感测式液晶显示装置包括：阵列基板，其包括第一基板、公共电极、像素电极和触摸感测单元；滤色器基板，其包括第二基板，并且面对所述阵列基板；防静电层，其在所述第二基板的外侧上，并且包括有机材料和碳纳米管；以及液晶层，其位于所述第一基板与所述第二基板的内侧之间。
在本发明的另一方面中，一种制造触摸感测式液晶显示装置的方法包括：在第一基板上形成选通线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和触摸感测单元；在第二基板的外侧上形成防静电层，所述防静电层包括有机材料和碳纳米管；以及接合所述第一基板和所述第二基板，所述第一基板与所述第二基板之间插入有液晶层。
在本发明的另一方面中，一种制造触摸感测式液晶显示装置的方法包括：在第一基板上形成选通线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和触摸感测单元；将第二基板接合到所述第一基板，以形成液晶面板，其中所述液晶面板具有第一厚度；蚀刻所述第一基板和所述第二基板中的每一个的外侧，使得所述液晶面板具有比所述第一厚度小的第二厚度；以及在所述第二基板的外侧上形成防静电层，所述防静电层包括有机材料和碳纳米管。
应该理解，本发明前面的一般描述和下面的具体描述都是示例性和说明性的，并且旨在对要求保护的本发明提供进一步说明。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明进一步的理解，并被并入本说明书且构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是根据现有技术的IPS模式LCD装置的截面图。
图2A和图2B是示出根据现有技术的IPS模式LCD装置的开启/关闭状态的截面图。
图3是根据本发明的用于触摸感测式LCD装置的阵列基板的示意性平面图。
图4是示出根据本发明的用于触摸感测式LCD装置的阵列基板的一部分的平面图。
图5是沿图4的线V-V截取的截面图。
图6是沿图4的线VI-VI截取的截面图。
图7A至图7E是示出根据本发明实施方式的触摸感测式LCD装置的制造工艺的截面图。
图8A至图8F是示出根据本发明实施方式的触摸感测式LCD装置的制造工艺的截面图。
具体实施方式
现在将详细参照优选实施方式，附图中例示了其示例。
图3是根据本发明的用于触摸感测式LCD装置的阵列基板的示意性平面图。
如图3所示，在阵列基板上限定多个触摸块TB。此外，在各触摸块TB中限定第一区A1、第二区A2和第三区A3。第二区A2被设置在第一区A1与第三区A3之间。触摸块TB是触摸感测的单位区域。在第一区A1、第二区A2和第三区A3中的每一个中限定多个像素区P。
多条选通线119沿第一方向(即，X方向)延伸，多条数据线130沿第二方向(即，Y方向)延伸。选通线119和数据线130互相交叉，以限定像素区P。
此外，X方向感测线Xsl穿过第一区A1和第三区A3沿第一方向延伸。X方向感测线Xsl设置在选通线119上方。也就是说，X方向感测线Xsl与选通线119交叠。一个触摸块TB中的第一区A1和第三区A3中的X方向感测线Xsl电连接到第二区A2中的连接线152。连接线152沿选通线119延伸，并与选通线119间隔开，以避免短路。连接线152可由与选通线119相同的材料形成，并被设置在与选通线119相同的层。连接线152的一端通过第一连接图案162连接到第一区A1中的X方向感测线Xsl，连接线152的另一端通过第二连接图案164连接到第三区A3中的X方向感测线Xsl。
Y方向感测线Ysl穿过第二区A2沿第二方向延伸。Y方向感测线Ysl设置在数据线130上方。也就是说，Y方向感测线Ysl与数据线130交叠。由于Y方向感测线Ysl设置在与连接线152不同的层，所以不存在短路。
尽管未示出，但形成具有板形的公共电极和具有开口的像素电极，并且二者之间具有绝缘层。一个像素区中的像素电极与另一像素区中的像素电极分离。一个触摸块TB中的公共电极与另一触摸块TB中的公共电极分离。此外，第一区A1、第二区A2和第三区A3中的公共电极互相分离。X方向感测电路设置在X方向感测线Xsl的一端处，Y方向感测电路设置在Y方向感测线Ysl的一端处。X方向感测电路和Y方向感测电路位于包括触摸块TB的显示区的外围的非显示区处。
当一个触摸块TB被触摸时，X方向感测电路和Y方向感测电路分别通过X方向感测线Xsl和Y方向感测线Ysl来检测像素与公共电极之间的电容变化。结果，被触摸的触摸块TB的位置被感测。
图4是示出根据本发明的用于触摸感测式LCD装置的阵列基板的一部分的平面图。图5是沿图4的线V-V截取的截面图，图6是沿图4的线VI-VI截取的截面图。图4示出各自包括一个像素区的第一区至第三区。然而，如图3所示，第一区至第三区中的每一个可具有至少一个像素区。
如图4至图6所示，选通线119和数据线130形成在第一基板101上。选通线119与数据线130互相交叉，以限定第一像素区P1、第二像素区P2和第三像素区P3。第一像素区P1、第二像素区P2和第三像素区P3分别包括在第一区A1、第二区A2和第三区A3中。
在各像素区P中，形成有包括半导体层113、栅极120、源极133和漏极136的薄膜晶体管(TFT)Tr。栅极120和源极133分别从选通线119和数据线130延伸，使得TFT Tr电连接到选通线119和数据线130。
半导体层113由多晶硅形成。半导体层113的中心的由本征多晶硅形成的第一半导体区113a用作沟道，第一半导体区113a的两侧的第二半导体区113b掺杂有高浓度杂质。栅绝缘层116形成在半导体层113上。
栅极120形成在栅绝缘层116上，并与第一半导体区113a相对应。选通线119形成在栅绝缘层116上，并连接到栅极120。连接线152也形成在栅绝缘层116上，并与选通线119平行。连接线152与选通线间隔开。选通线152设置在第二区A2的第二像素区P2中，连接线152的两端分别设置在第一区A1的第一像素区P1中和第三区A3的第三像素区P3中。
层间绝缘层123形成在选通线119、栅极120和连接线152上。例如，层间绝缘层123可由无机绝缘材料(例如，氧化硅或氮化硅)形成。对层间绝缘层123和栅绝缘层116进行构图，以形成暴露半导体层113的第二半导体区113b的半导体接触孔125。
在层间绝缘层123上，形成与选通线119交叉的数据线130。此外，源极133和漏极136形成在层间绝缘层123上。源极133和漏极136分别通过半导体接触孔125接触第二半导体区113b。
如上面提到的，半导体层113、栅绝缘层116、栅极120、层间绝缘层123、源极133和漏极136构成TFT Tr。这可被称为顶栅型(top gate type)TFT。另选地，可以使用底栅型(bottom gate type)TFT，其中半导体层位于作为TFT的下层的栅极与作为TFT的上层的源极和漏极之间。
由无机绝缘材料(例如，氧化硅或氮化硅)形成的第一钝化层140和由有机绝缘材料(例如，光亚克力(photo-acryl)或苯并环丁烯(BCB))形成的第二钝化层145堆叠在数据线130、源极133和漏极136上。第二钝化层145可具有约2微米至4微米的厚度，以提供平坦的顶面。由于数据线130的金属材料与第二钝化层145的有机绝缘材料之间的粘合强度小于数据线130的金属材料与第一钝化层140的无机绝缘材料之间的粘合强度，并小于第一钝化层140的无机绝缘材料与第二钝化层145的有机绝缘材料之间的粘合强度，所以数据线130的金属材料与第二钝化层145的有机绝缘材料之间的粘合特性由于第一钝化层140而得以改善。可省略第一钝化层140。
在第一区A1、第二区A2和第三区A3中的每一个中具有岛形(island shape)的公共电极150形成在第二钝化层145上。也就是说，第二区A2中的公共电极150与第一区A1和第三区A3中的每一个中的公共电极150分离。公共电极150具有板形。公共电极150由透明导电材料(例如，铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))形成。
X方向感测线Xsl和Y方向感测线Ysl形成在公共电极150上。X方向感测线Xsl与第一区A1和第三区A3中的选通线119交叠，Y方向感测线Ysl与第二区A2中的数据线130交叠。Y方向感测线Ysl沿数据线130延伸，使得沿数据线130排列的第二区A2通过Y方向感测线Ysl电连接。(图3的)各触摸块TB的第一区A1和第三区A3中的X方向感测线Xsl通过连接线152互相电连接。
第三钝化层155形成在X方向感测线Xsl和Y方向感测线Ysl上。第三钝化层155可由无机绝缘材料(例如，氧化硅或氮化硅)形成。
对第一钝化层140、第二钝化层145和第三钝化层155进行构图，以形成暴露漏极136的漏接触孔157。此外，对第三钝化层155进行构图，以形成分别暴露第一区A1和第三区A3中的X感测线Xsl的第一接触孔158a和第二接触孔159a。此外，对第一钝化层140、第二钝化层145、第三钝化层155和层间绝缘层123进行构图，以形成分别暴露连接线152的端部的第三接触孔158b和第四接触孔159b。
像素电极160形成在第三钝化层155上。像素电极160设置在各像素区P中，并通过漏接触孔157接触漏极136。像素电极160由透明导电材料(例如，ITO或IZO)形成。像素电极160具有至少一个开口op，像素电极160与公共电极150相对应，使得在像素电极160与公共电极150之间产生边缘场。第三钝化层155插入在像素电极160与公共电极150之间，使得形成存储电容器。
此外，第一连接图案162和第二连接图案164形成在第三钝化层155上。第一连接图案162的一端通过第一接触孔158a接触第一区A1中的X方向感测线Xsl，第一连接图案162的另一端通过第三接触孔158b接触连接线152。第二连接图案164的一端通过第二接触孔159a接触第三区A3中的X方向感测线Xsl，第二连接图案164的另一端通过第四接触孔159b接触连接线152。结果，第一区A1中的X方向感测线Xsl电连接到第三区A3中的X方向感测线Xsl。
第二基板171面对第一基板101。黑底(black matrix)173形成在第二基板171的内侧上。黑底173对应于像素区P的边界，并具有格形。黑底173还可对应于TFTTr。滤色器175形成在第二基板171的内侧上，并对应于像素区P。滤色器175可包括红色、绿色和蓝色滤色器。
此外，防静电层180形成在第二基板171的外侧上。防静电层180包括有机材料的基底层181和基底层181中的碳纳米管183。碳纳米管183具有导电特性。防静电层180具有约106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻。例如，用于基底层181的有机材料可包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，使得基底层181的薄层电阻具有在约1014欧姆每平方(Ω/sq)至1020欧姆每平方(Ω/sq)内的范围。当仅有基底层181形成在第二基板171的外侧上时，基底层181不能用作防静电层，因为基底层181的薄层电阻太高。因此，静电对装置的损坏很强。
然而，由于碳纳米管183与基底层181一起形成在第二基板171的外侧上，所以层180具有防静电特性。也就是说，由于防静电层180具有约106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻，所以静电不对装置造成损坏。
通过在第一基板101与第二基板171之间提供液晶层190，并在第一基板101和第二基板171中的一个的边缘提供密封图案(未示出)，来得到触摸感测式FFS模式LCD装置。图3至图6示出包括具有板形的公共电极和具有开口的像素电极的FFS模式LCD装置。另选地，包括彼此交替排列的公共电极和像素电极的IPS模式LCD装置也可用。
如上所述，触摸感测式LCD装置在第二基板171的外侧上包括防静电层180，该防静电层180包括基底层181和碳纳米管，以具有约106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻。防静电层180用作静电的通路，并且不用作用于触摸感测的障碍。也就是说，当装置被触摸时，防静电层180用作手指与公共电极150之间的电介质层，使得在手指与公共电极150之间形成电容器。结果，通过手指与公共电极150之间的电容变化来检测触摸。
更具体地，当(图3的)一个触摸块TB被触摸时，具有约106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻的防静电层180用作电介质层，使得通过手指、公共电极150、液晶层190、滤色器层175、第二基板171、防静电层180等来产生电容器。X方向感测电路(未示出)和Y方向感测电路(未示出)通过分别连接到公共电极150的X方向感测线Xsl和Y方向感测线Ysl来检测到电容器的电容变化，使得被触摸的触摸块TB的位置被感测到。
由于静电具有数千至数十万的电压，所以具有约106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻的防静电层180用作静电的导电通路。然而，由于手指的电流具有在数纳安至数微安内的范围，所以具有约106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻的防静电层180用作用于触摸的绝缘层。因此，防静电层180用作用于触摸的电容器的电介质层。结果，能通过触摸感测来操作包括触摸感测部(即，X方向感测线Xsl和Y方向感测线Ysl)以及防静电层180的根据本发明的装置，并且没有来自静电的损坏。
图7A至图7E是示出根据本发明实施方式的触摸感测式LCD装置的制造工艺的截面图。
如图7A所示，通过以下工艺形成阵列基板。通过沉积本征非晶硅，在第一基板101上形成本征非晶硅层(未示出)。该非晶硅层通过照射激光束或加热而结晶，以形成多晶硅层(未示出)。通过掩模工艺对该多晶硅层进行构图，以在各像素区P1、P2、P3中形成半导体层113。图7A至图7E示出一个触摸块TB中的(图3的)第二区A2的第二像素区P2。
接着，通过沉积诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，在半导体层113上形成栅绝缘层116。
接着，通过沉积铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金和铬(Cr)中的一种，在栅绝缘层116上形成第一金属层(未示出)。对第一金属层进行构图，以形成栅极120、(图4的)选通线119以及(图4的)连接线152。栅极120对应于半导体层113的中心，并从选通线119延伸。连接线152与选通线119间隔开，并平行于选通线119。连接线152设置在第二区A2中，连接线152的两端突出到(图3或图4的)第一区A1和第三区A3。
接着，使用栅极120作为遮挡(blocking)来将杂质掺杂到半导体层113中，使得杂质掺杂到半导体层113的两侧。结果，半导体层113的中心的由本征多晶硅形成的第一半导体区113a用作沟道，第一半导体区113a的两侧的第二半导体区113b掺杂有高浓度杂质。
接着，通过沉积无机绝缘材料(例如，氧化硅或氮化硅)，在选通线119、栅极120和连接线152上形成层间绝缘层123。对层间绝缘层123和栅绝缘层116进行构图，以形成暴露半导体层113的第二半导体区113b的半导体接触孔125。
接着，通过沉积铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、铬(Cr)和钼(Mo)中的一种，在层间绝缘层123上形成第二金属层(未示出)。对第二金属层进行构图，以形成数据线130、源极133和漏极136。源极133和漏极136分别通过半导体接触孔125接触第二半导体区113b。漏极136与源极133间隔开。数据线130从源极133延伸，并与选通线119交叉，以限定像素区P1、P2和P3。
半导体层113、栅绝缘层116、栅极120、层间绝缘层123、源极133和漏极136构成TFT Tr。这可被称为顶栅型TFT。另选地，可使用底栅型TFT，其中半导体层位于作为TFT的下层的栅极和作为TFT的上层的源极和漏极之间。为了形成底栅型TFT，顺序执行以下步骤：形成栅极、选通线和连接线；形成栅绝缘层；形成包括本征非晶硅的有源层和掺杂非晶硅的欧姆接触层的半导体层；以及形成数据线、源极和漏极。
接着，通过沉积无机绝缘材料和涂布有机绝缘材料，在TFT Tr和数据线130上顺序形成第一钝化层140和第二钝化层145。第二钝化层145具有平坦的顶面。可省略用于增强数据线的金属材料与第二钝化层145的有机绝缘材料之间的粘合特性的第一钝化层140。
接着，通过沉积透明导电材料(例如，ITO或IZO)，在第二钝化层145上形成第一透明导电材料层(未示出)。对第一透明导电材料层进行构图，以形成公共电极150。如上所述，在第一区A1、第二区A2和第三区A3中的每一个中，公共电极150具有岛形。也就是说，第二区A2中的公共电极150与第一区A1和第三区A3中的每一个中的公共电极150分离。
接着，通过沉积铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)和铜合金中的一种，在公共电极150上形成第三金属层(未示出)。对第三金属层进行构图，以形成(图4的)X方向感测线Xsl和Y方向感测线Ysl。X方向感测线Xsl与第一区A1和第三区A3中的选通线119交叠，Y方向感测线Ysl与第二区A2中的数据线130交叠。Y方向感测线Ysl沿数据线130延伸，使得沿数据线130排列的第二区A2通过Y方向感测线Ysl电连接。(图3的)各触摸块TB的第一区A1和第三区A3中的X方向感测线Xsl通过连接线152互相电连接。
接着，通过沉积无机绝缘材料(例如，氧化硅和氮化硅)，在X方向感测线Xsl和Y方向感测线上形成第三钝化层155。对第三钝化层155进行构图，以形成分别暴露第一区A1和第三区A3中的X方向感测线Xsl的第一接触孔158a和第二接触孔159a。对第一钝化层140、第二钝化层145和第三钝化层155进行构图，以形成暴露漏极136的漏接触孔157。对第一钝化层140、第二钝化层145、第三钝化层155以及层间绝缘层123进行构图，以形成分别暴露连接线152的端部的第三接触孔158b和第四接触孔159b。
接着，通过沉积透明导电材料(例如，ITO或IZO)，在第三钝化层145上形成第二透明导电材料层(未示出)。对第二透明导电材料层进行构图，以形成像素电极160以及第一连接图案162和第二连接图案164。像素电极160设置在各像素区P中，并通过漏接触孔157接触漏极136。像素电极160具有至少一个开口op，像素电极160与公共电极150相对应，使得在像素电极160与公共电极150之间产生边缘场。第一连接图案162的一端通过第一接触孔158a接触第一区A1中的X方向感测线Xsl，第一连接图案162的另一端通过第三接触孔158b接触连接线152。第二连接图案164的一端通过第二接触孔159a接触第三区A3中的X方向感测线Xsl，第二连接图案164的另一端通过第四接触孔159b接触连接线152。结果，第一区A1中的X方向感测线Xsl电连接到第三区A3中的X方向感测线Xsl。
接着，如图7B所示，通过旋涂(spin coating)装置(未示出)或狭缝涂布(slitcoating)装置(未示出)在室温下将包括溶液(包括具有有机溶剂的诸如PMMA和PET的有机材料)和碳纳米管的液相有机混合物涂布在第二基板171的外侧上，以形成有机溶液层182。将有机材料插入到有机溶剂中，以形成该溶液，并且将能量型(power-type)碳纳米管插入到该溶液中。混合所得到的溶液，以形成液相有机混合物。
接着，如图7C所示，通过在炉或烘箱197中加热来使(图7C的)包括碳纳米管的有机溶液层182干燥，以使有机溶剂挥发并被去除。结果，在第二基板171的外侧上形成包括有机材料的基底层181和碳纳米管183的防静电层180。如上所述，防静电层180具有约106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻。例如，防静电层180具有约300埃至1000埃的厚度。根据碳纳米管相对于有机材料的相对重量％来控制防静电层180的薄层电阻。
接着，如图7D所示，在第二基板171的内侧上涂布遮光材料(例如，黑色树脂)，并通过掩模工艺进行构图，以形成黑底173。接着，在第二基板171的内侧上形成包括红色、绿色和蓝色滤色器的滤色器175。结果，得到滤色器基板。尽管未示出，但可形成用于提供平坦的顶面的覆盖(overcoat)层。
接着，如图7E所示，设置阵列基板和滤色器基板，使得滤色器层175面对像素电极160，并且沿阵列基板和滤色器基板中的一个的边缘形成密封图案(未示出)。接着，在阵列基板和滤色器基板之间设置液晶层190，并且接合阵列基板和滤色器基板，以形成液晶面板。
尽管未示出，但在液晶面板上形成分别连接到X方向感测线和Y方向感测线的X方向感测电路和Y方向感测电路、以及连接到选通线119和数据线130的驱动电路，以得到装置100。
图8A至图8F是示出根据本发明实施方式的触摸感测式LCD装置的制造工艺的截面图。
图8A至图8F所示的工艺在形成防静电层的步骤和蚀刻第一基板和第二基板的步骤上具有差别。因此，下面的说明专注于这些差别。
如图8A所示，通过形成TFT Tr、选通线119、数据线130、X方向感测线Xsl、Y方向感测线Ysl、公共电极150、像素电极160、连接线152、连接图案162和164等，来得到阵列基板。
接着，如图8B所示，在第二基板171的内侧上形成黑底173和滤色器层175。
接着，如图8C所示，设置第一基板101和第二基板171，使得滤色器层175面对像素电极160，并且沿第一基板101和第二基板171中的一个的边缘形成密封图案(未示出)。接着，在第一基板101和第二基板171之间设置液晶层190，并且接合第一基板101和第二基板171，以形成液晶面板。
接着，如图8D所示，将液晶面板暴露到能够蚀刻第一基板101和第二基板171的玻璃的蚀刻剂，以减小第一基板101和第二基板171中的每一个的厚度。也就是说，减小了液晶面板的厚度。例如，蚀刻剂可包括氢氟酸(HF)。可以使用浸渍工艺或喷涂工艺。结果，能得到轻重量和薄外形的LCD装置。
当第一基板101和第二基板171的厚度在形成元件(例如，TFT Tr或滤色器层175)之前减小时，可能出现裂纹或破碎。因此，如上所述，在第一基板101和第二基板171上形成元件之后执行蚀刻工艺，以减小第一基板101和第二基板171的厚度。例如，在蚀刻工艺之后，第一基板101和第二基板171可具有约0.2mm至0.3mm的厚度。
接着，如图8E所示，通过旋涂装置(未示出)或狭缝涂布装置(未示出)在室温下将包括溶液(包括具有有机溶剂的诸如PMMA和PET的有机材料)和碳纳米管的液相有机混合物涂布在具有经减小的厚度的第二基板171的外侧上，以形成有机溶液层182。将有机材料插入到有机溶剂中以形成该溶液，并且将能量型碳纳米管插入到该溶液中。混合所得到的溶液，以形成液相有机混合物。
接着，如图8F所示，通过在炉或烘箱(未示出)中加热来使(图8E的)包括碳纳米管的有机溶液层182干燥，以使有机溶剂挥发。结果，在第二基板171的外侧上形成包括有机材料的基底层181和碳纳米管183的防静电层180。如上所述，防静电层180具有约106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻。例如，防静电层180具有300埃至1000埃的厚度。可以在100℃的温度下，优选地在约50℃至80℃之间的温度下执行干燥工艺，以防止密封图案由于液晶层190的膨胀而损坏以及液晶层190的相的变化。
尽管未示出，但是在液晶面板上形成分别连接到X方向感测线和Y方向感测线的X方向感测电路和Y方向感测电路、以及连接到选通线119和数据线130的驱动电路，以得到装置100。
对于本领域技术人员而言明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明作出各种修改和变型。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变型。
本申请要求2010年3月19日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2010-0024914的优先权，通过引用将其并入本文。

Claims (24)

1.一种触摸感测式液晶显示装置，该触摸感测式液晶显示装置包括：
阵列基板，其包括选通线、数据线、第一基板、公共电极、像素电极和触摸感测单元；
滤色器基板，其包括第二基板，并且面对所述阵列基板；
防静电层，其在所述第二基板的外侧上，并包括有机材料和碳纳米管，其中，所述碳纳米管分布在所述有机材料中；以及
液晶层，其位于所述第一基板与所述第二基板的内侧之间，
其中，所述触摸感测单元包括X方向感测线和Y方向感测线，所述X方向感测线沿所述选通线的方向延伸并且与所述选通线交叠，所述Y方向感测线沿所述数据线的方向延伸并且与所述数据线交叠，并且所述X方向感测线和所述Y方向感测线设置在相同层但与所述选通线和所述数据线不同的层上，
在所述第一基板上限定多个触摸块，各触摸块包括第一区、第二区和第三区，所述第一区、所述第二区和所述第三区中的每一个包括至少一个像素区，并且其中所述X方向感测线设置在所述第一区和所述第三区中，所述Y方向感测线设置在所述第二区中。
2.根据权利要求1所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述防静电层具有106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻。
3.根据权利要求1所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述有机材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
4.根据权利要求1所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述防静电层具有300埃至1000埃的厚度。
5.根据权利要求1所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述触摸感测单元还包括：
X方向感测电路，其在所述X方向感测线的一端处；以及
Y方向感测电路，其在所述Y方向感测线的一端处，
其中，所述X方向感测电路和所述Y方向感测电路分别通过所述X方向感测线和所述Y方向感测线检测由于触摸所导致的电容的变化。
6.根据权利要求1所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述第一区中的X方向感测线电连接到所述第三区中的X方向感测线。
7.根据权利要求6所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述触摸感测单元还包括所述第二区中的连接线，用于电连接所述第一区中的X方向感测线和所述第三区中的X方向感测线。
8.根据权利要求1所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述公共电极在所述第一区、所述第二区和所述第三区中的每一个中具有岛形，并且所述X方向感测线和所述Y方向感测线接触所述公共电极。
9.根据权利要求1所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述阵列基板还包括：
选通线，其在所述第一基板上；
层间绝缘层，其在所述选通线上；
数据线，其在所述层间绝缘层上并互相交叉以限定多个像素区，其中，多个像素区形成第一区、第二区和第三区中的每一个；
薄膜晶体管，其在各像素区中并连接到所述选通线和所述数据线；
第一钝化层，其在所述数据线和所述薄膜晶体管上，其中，所述公共电极设置在所述第一钝化层上，并且在所述第一区、所述第二区和所述第三区中的每一个中具有岛形；以及
第二钝化层，其在所述公共电极上方，其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层具有暴露所述薄膜晶体管的一部分的漏接触孔，
其中，所述像素电极设置在所述第二钝化层上，并通过所述漏接触孔接触所述薄膜晶体管的所述一部分。
10.根据权利要求9所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述像素电极具有至少一个开口，以与所述公共电极产生边缘场。
11.根据权利要求9所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述触摸感测单元还包括：
连接线，其在第二区中在所述层间绝缘层下面；以及
第一连接图案和第二连接图案，其在所述第二钝化层上，
其中，所述X方向感测线被设置在所述第一区和所述第三区中的公共电极上，并与所述选通线交叠，所述Y方向感测线被设置在所述第二区中的所述公共电极上，并与所述数据线交叠，
其中，所述第二钝化层具有暴露所述第一区中的X方向感测线的端部的第一接触孔以及暴露所述第三区中的X方向感测线的端部的第二接触孔，其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层具有暴露所述薄膜晶体管的一部分的漏接触孔，并且所述第一钝化层和所述第二钝化层以及所述层间绝缘层具有分别暴露所述连接线的两端的第三接触孔和第四接触孔，
其中，所述第一连接图案的一端通过所述第一接触孔接触所述第一区中的X方向感测线，而所述第一连接图案的另一端通过所述第三接触孔接触所述连接线的一端，并且
其中，所述第二连接图案的一端通过所述第二接触孔接触所述第三区中的X方向感测线，而所述第二连接图案的另一端通过所述第四接触孔接触所述连接线的另一端。
12.根据权利要求9所述的触摸感测式液晶显示装置，其中，所述滤色器基板还包括：
黑底，其对应于各像素区的边界；以及
滤色器层，其对应于各像素区。
13.一种制造触摸感测式液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤：
在第一基板上形成选通线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和触摸感测单元；
在第二基板的外侧上形成防静电层，所述防静电层包括有机材料和碳纳米管；以及
接合所述第一基板和所述第二基板，所述第一基板和所述第二基板之间插入有液晶层，
其中，通过使用旋涂装置或狭缝涂布装置在室温下涂布液相有机混合物来执行形成所述防静电层的步骤，
其中，形成所述触摸感测单元的步骤包括以下步骤：在与所述选通线相同的层形成连接线；在所述公共电极上形成X方向感测线和Y方向感测线，所述X方向感测线和所述Y方向感测线分别与所述选通线和所述数据线交叠，其中，所述X方向感测线设置在第一区和第二区中，并且所述Y方向感测线设置在所述第一区与所述第二区之间的第三区中；以及在与所述像素电极相同的层形成第一连接图案和第二连接图案。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述防静电层具有106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述有机材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述防静电层具有300埃至1000埃的厚度。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述液相有机混合物包括具有溶剂的所述有机材料和所述碳纳米管，并且其中通过加热来去除所述溶剂。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一连接图案的一端电连接到所述第一区中的X方向感测线，所述第一连接图案的另一端电连接到所述连接线，并且其中所述第二连接图案的一端电连接到所述第二区中的X方向感测线，而所述第二连接图案的另一端电连接到所述连接线。
19.一种制造触摸感测式液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤：
在第一基板上形成选通线、数据线、薄膜晶体管、公共电极、像素电极和触摸感测单元；
将第二基板接合到所述第一基板，以形成液晶面板，其中，所述液晶面板具有第一厚度；
蚀刻所述第一基板和所述第二基板中的每一个的外侧，使得所述液晶面板具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及
在所述第二基板的外侧上形成防静电层，所述防静电层包括有机材料和碳纳米管，
其中，通过使用旋涂装置或狭缝涂布装置在室温下涂布液相有机混合物来执行形成所述防静电层的步骤，
其中，形成所述触摸感测单元的步骤包括以下步骤：在与所述选通线相同的层形成连接线；在所述公共电极上形成X方向感测线和Y方向感测线，所述X方向感测线和所述Y方向感测线分别与所述选通线和所述数据线交叠，其中，所述X方向感测线设置在第一区和第二区中，所述Y方向感测线设置在所述第一区与所述第二区之间的第三区中；以及在与所述像素电极相同的层形成第一连接图案和第二连接图案。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述防静电层具有106欧姆每平方(Ω/sq)至109欧姆每平方(Ω/sq)的薄层电阻。
21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述有机材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
22.根据权利要求19所述的方法，其中，所述防静电层具有300埃至1000埃的厚度。
23.根据权利要求19所述的方法，其中，所述液相有机混合物包括具有溶剂的所述有机材料和所述碳纳米管，并且其中通过加热来去除所述溶剂。
24.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一连接图案的一端电连接到所述第一区中的X方向感测线，所述第一连接图案的另一端电连接到所述连接线，并且其中所述第二连接图案的一端电连接到所述第二区中的X方向感测线，而所述第二连接图案的另一端电连接到所述连接线。
CN201110065355.5A 2010-03-19 2011-03-17 触摸感测式液晶显示装置及其制造方法 Active CN102193230B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100024914A KR101298234B1 (ko) 2010-03-19 2010-03-19 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR10-2010-0024914 2010-03-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102193230A CN102193230A (zh) 2011-09-21
CN102193230B true CN102193230B (zh) 2014-12-03

Family

ID=44601588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110065355.5A Active CN102193230B (zh) 2010-03-19 2011-03-17 触摸感测式液晶显示装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (7) US9600109B2 (zh)
KR (1) KR101298234B1 (zh)
CN (1) CN102193230B (zh)
DE (2) DE102011005147B4 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9933645B2 (en) 2015-06-04 2018-04-03 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Array substrate, display panel, display device and manufacturing method thereof

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101298234B1 (ko) 2010-03-19 2013-08-22 엘지디스플레이 주식회사 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101295533B1 (ko) * 2010-11-22 2013-08-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101706242B1 (ko) * 2011-04-27 2017-02-14 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 패널
KR101524449B1 (ko) 2011-12-22 2015-06-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN103257733A (zh) * 2012-02-21 2013-08-21 东莞万士达液晶显示器有限公司 整合式触控面板以及触控显示面板
DE112013007836B3 (de) 2012-07-20 2023-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
US20140021603A1 (en) * 2012-07-23 2014-01-23 Rf Micro Devices, Inc. Using an interconnect bump to traverse through a passivation layer of a semiconductor die
CN202795318U (zh) 2012-08-08 2013-03-13 上海天马微电子有限公司 内嵌式触控显示装置
KR101464172B1 (ko) * 2012-09-27 2014-11-21 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 디스플레이 장치
CN102967976B (zh) * 2012-11-30 2015-07-15 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种镜面显示基板、及其制造方法和液晶镜面显示基板
CN103984169A (zh) * 2013-02-08 2014-08-13 群创光电股份有限公司 液晶显示装置
US9632542B2 (en) * 2013-05-02 2017-04-25 The Boeing Company Touch screens comprising graphene layers
KR102061792B1 (ko) * 2013-05-06 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103309503B (zh) * 2013-05-17 2016-03-02 北京京东方光电科技有限公司 一种触摸屏及显示装置
CN103558942B (zh) * 2013-11-08 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 触摸屏及其制造方法
CN103739205B (zh) * 2013-11-08 2017-06-13 北京京东方光电科技有限公司 功能材料及其制备方法、显示结构形成材料、彩膜基板、显示装置
US9711543B2 (en) 2013-11-29 2017-07-18 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display and method for manufacturing the same
CN104020621B (zh) * 2014-05-26 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
US9841614B2 (en) 2014-06-13 2017-12-12 Verily Life Sciences Llc Flexible conductor for use within a contact lens
US9753590B2 (en) * 2014-06-13 2017-09-05 Lg Display Co., Ltd. Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same
CN104090677A (zh) * 2014-06-20 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏和显示装置
EP3176223A4 (en) 2014-07-29 2018-03-28 Boe Technology Group Co. Ltd. Functional material, preparation method therefor, touch structure, and touch display device
CN104280951A (zh) * 2014-09-23 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN204515721U (zh) * 2014-10-17 2015-07-29 晨星半导体股份有限公司 内嵌式触控显示面板
KR102555010B1 (ko) * 2014-12-01 2023-07-18 엘지디스플레이 주식회사 탄소나노튜브 분산액 조성물 및 그 제조방법, 이를 포함하는 전도성 코팅액 조성물, 이를 이용한 정전기 방지막 및 표시장치
CN104461155A (zh) * 2014-12-24 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触控显示屏及显示装置
CN105895657B (zh) * 2015-02-13 2020-05-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 薄膜晶体管基板及具有薄膜晶体管基板的触控显示面板
KR20160114510A (ko) * 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
CN104777692B (zh) * 2015-05-08 2018-09-04 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及制作方法、触控显示面板
US10031363B2 (en) * 2015-06-05 2018-07-24 Innolux Corporation Touch display device
US20170017327A1 (en) * 2015-07-17 2017-01-19 Innolux Corporation Touch display device
CN104991390B (zh) * 2015-07-28 2018-06-22 上海中航光电子有限公司 显示面板的驱动电路、包含其的显示面板和显示器
KR102381082B1 (ko) * 2015-07-31 2022-03-30 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102148491B1 (ko) 2015-12-14 2020-08-26 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판
CN105527765A (zh) * 2016-02-18 2016-04-27 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示器
CN107134496B (zh) * 2016-02-29 2019-05-31 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置
KR102555392B1 (ko) * 2016-03-18 2023-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10234339B2 (en) * 2016-06-02 2019-03-19 Uneo Inc. Force sensor with noise shielding layer
CN107688252A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 内嵌式触控液晶显示面板
DE102016014540A1 (de) 2016-12-07 2017-06-29 Daimler Ag Abdeckelement für eine Anzeigevorrichtung und Anzeigevorrichtung
WO2018150988A1 (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 シャープ株式会社 位置入力機能付き表示装置
CN106873278A (zh) * 2017-04-25 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN107065369B (zh) * 2017-06-20 2020-01-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其维修方法、显示装置
US10371979B2 (en) * 2017-06-22 2019-08-06 Hannstar Display Corporation Display panel and manufacturing method thereof
CN107145014B (zh) * 2017-07-11 2020-10-09 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示面板的制造方法
CN109725450B (zh) * 2017-10-30 2022-02-08 瀚宇彩晶股份有限公司 显示面板与其制造方法
US10739630B2 (en) * 2017-10-31 2020-08-11 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch display panel and touch display device
CN107870493B (zh) * 2017-11-01 2021-06-04 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN108227326A (zh) * 2018-02-01 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、触控显示面板
CN110275333B (zh) * 2018-03-14 2022-11-25 群创光电股份有限公司 显示设备以及其制造方法
WO2019175704A1 (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、電気モジュールの作製方法
CN108461538B (zh) * 2018-03-29 2020-03-10 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法和控制方法、显示面板和装置
TWI672621B (zh) 2018-07-24 2019-09-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置以及感測元件基板
TWI707173B (zh) * 2019-01-15 2020-10-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
US11036322B2 (en) * 2019-06-24 2021-06-15 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Array substrate and method of manufacturing same
US10996781B2 (en) * 2019-08-13 2021-05-04 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
KR20210056669A (ko) 2019-11-11 2021-05-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
CN111341794A (zh) * 2020-04-08 2020-06-26 武汉华星光电技术有限公司 显示面板、阵列基板及其制作方法
US11688301B2 (en) 2020-10-01 2023-06-27 Capital One Services, Llc Secure tactile display systems

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101038385A (zh) * 2006-02-20 2007-09-19 三星电子株式会社 显示面板、具有该显示面板的显示设备及其方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2794499B2 (ja) 1991-03-26 1998-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2002298742A (ja) 2001-04-03 2002-10-11 Nec Corp プラズマディスプレイパネル、その製造方法及びプラズマ表示装置
CA2493206C (en) 2002-07-22 2011-09-13 Basf Aktiengesellschaft Synergistically acting herbicidal mixtures
JP4280726B2 (ja) 2004-06-29 2009-06-17 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP2006313330A (ja) * 2005-05-04 2006-11-16 Samsung Electronics Co Ltd 偏光板アセンブリとその製造方法、及びそれを用いたパネルアセンブリの製造方法
KR20070011699A (ko) 2005-07-21 2007-01-25 삼성전자주식회사 편광판어셈블리와, 이의 제조방법 및 이를 이용한패널어셈블리의 제조방법
KR20070044952A (ko) * 2005-10-26 2007-05-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
KR20070071798A (ko) * 2005-12-30 2007-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치와 그의 제조방법
JP5409369B2 (ja) * 2006-10-12 2014-02-05 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション ナノワイヤベースの透明導電体およびその適用
KR100790216B1 (ko) * 2006-10-17 2008-01-02 삼성전자주식회사 전도성 분산제를 이용한 ｃｎｔ 투명전극 및 그의 제조방법
JP5189757B2 (ja) * 2006-11-27 2013-04-24 株式会社Ｄｎｐファインケミカル 帯電防止フィルム
JP2008164787A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
US20080191715A1 (en) 2007-02-13 2008-08-14 Schediwy Richard R Solid state navigation device
US7650547B2 (en) 2007-02-28 2010-01-19 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Apparatus for locating a defect in a scan chain while testing digital logic
KR101383708B1 (ko) 2007-03-27 2014-04-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이장치 및 그 제조방법
US8860683B2 (en) 2007-04-05 2014-10-14 Cypress Semiconductor Corporation Integrated button activation sensing and proximity sensing
KR101340052B1 (ko) 2007-08-24 2013-12-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP5519101B2 (ja) * 2007-09-28 2014-06-11 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器
US8885135B2 (en) * 2007-10-29 2014-11-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanostructure-film LCD devices
KR101414042B1 (ko) 2007-12-07 2014-08-06 삼성디스플레이 주식회사 터치패널 액정표시장치
EP2079008A1 (en) 2007-12-26 2009-07-15 TPO Displays Corp. Position sensing display
JP4816668B2 (ja) 2008-03-28 2011-11-16 ソニー株式会社 タッチセンサ付き表示装置
JP5481040B2 (ja) 2008-04-11 2014-04-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置とその駆動方法
JP5266889B2 (ja) * 2008-06-04 2013-08-21 ソニー株式会社 光透過性導電体の製造方法
US8125460B2 (en) 2008-06-10 2012-02-28 Young Fast Optoelectronics Co., Ltd. Method for manufacturing touch panel with glass panel layer and glass substrate
US8508495B2 (en) 2008-07-03 2013-08-13 Apple Inc. Display with dual-function capacitive elements
KR20100009472A (ko) * 2008-07-18 2010-01-27 주식회사 엘지화학 액정표시장치
JP2010114066A (ja) 2008-10-06 2010-05-20 Fujifilm Corp 有機導電性高分子塗布液、有機導電性高分子膜、導電体、及び抵抗膜式タッチパネル
US8411045B2 (en) * 2008-12-15 2013-04-02 Sony Corporation Touch sensitive displays with coplanar capacitive touch and proximity sensor pads and related touch panels
JP2010181871A (ja) 2009-01-06 2010-08-19 Toppan Printing Co Ltd 反射防止フィルム
TWI497157B (zh) 2009-06-19 2015-08-21 Tpk Touch Solutions Inc 具觸控功能的平面轉換式液晶顯示器
TWI447475B (zh) * 2009-09-07 2014-08-01 Au Optronics Corp 觸控面板
JP5542427B2 (ja) * 2009-12-25 2014-07-09 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR101290709B1 (ko) * 2009-12-28 2013-07-29 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR101307962B1 (ko) * 2010-03-19 2013-09-12 엘지디스플레이 주식회사 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101305378B1 (ko) * 2010-03-19 2013-09-06 엘지디스플레이 주식회사 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101298234B1 (ko) * 2010-03-19 2013-08-22 엘지디스플레이 주식회사 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
US9201259B2 (en) * 2010-03-19 2015-12-01 Lg Display Co., Ltd. Touch sensing type liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20110108707A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 삼성전기주식회사 터치스크린

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101038385A (zh) * 2006-02-20 2007-09-19 三星电子株式会社 显示面板、具有该显示面板的显示设备及其方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9933645B2 (en) 2015-06-04 2018-04-03 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Array substrate, display panel, display device and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US20240152225A1 (en) 2024-05-09
DE102011005147B4 (de) 2019-05-02
US20170300156A1 (en) 2017-10-19
CN102193230A (zh) 2011-09-21
US11016594B2 (en) 2021-05-25
US20200201469A1 (en) 2020-06-25
US11907460B2 (en) 2024-02-20
US10620729B2 (en) 2020-04-14
DE102011005147A1 (de) 2011-11-10
US9727158B2 (en) 2017-08-08
US20210255725A1 (en) 2021-08-19
KR101298234B1 (ko) 2013-08-22
US20230214041A1 (en) 2023-07-06
US20170023835A1 (en) 2017-01-26
DE102011123094B3 (de) 2022-11-10
US20110227851A1 (en) 2011-09-22
US11620009B2 (en) 2023-04-04
KR20110105652A (ko) 2011-09-27
US9600109B2 (en) 2017-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102193230B (zh) 触摸感测式液晶显示装置及其制造方法
CN102193231B (zh) 触摸感测式液晶显示装置及其制造方法
CN102193229B (zh) 触摸感测式液晶显示装置及其制造方法
US8743301B2 (en) Liquid crystal display device provided with an electrode for sensing a touch of a user
CN102411239B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
KR101749146B1 (ko) 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법
US20120086665A1 (en) Liquid Crystal Display Device
CN102750024A (zh) 用于嵌入式触摸传感器液晶显示装置的基板及其制造方法
CN102914922A (zh) 面内切换模式液晶显示装置
CN105159486A (zh) Ads阵列基板及其制作方法、显示器件
CN102062964A (zh) 液晶显示设备
KR20110135131A (ko) 터치인식 액정표시장치
WO2015067040A1 (zh) 触摸屏及其制造方法
KR101738570B1 (ko) 터치인식 액정표시장치
KR101250320B1 (ko) 터치인식 횡전계형 액정표시장치 및 이의 제조 방법
CN103135302B (zh) 平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其制作方法
KR20130003430A (ko) 터치인식 액정표시장치
KR101379746B1 (ko) 엘시디 셀의 적층 구조

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant