CN105527765A - 液晶显示面板及液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示面板及液晶显示器，该液晶显示面板包括：彩膜基板，其包括第一玻璃基板，所述第一玻璃基板上间隔设置有多个呈阵列分布的彩膜色阻；阵列基板，其包括第二玻璃基板，所述第二玻璃基板上依次设置有公共电极层、第三绝缘层以及像素电极层；液晶层，设置于所述彩膜基板与所述像素电极层之间；所述公共电极层上设置有镂空结构，所述镂空结构与该多个彩膜色阻之间的间隔区域正对。本发明提供的液晶显示面板无需在彩膜基板上的彩膜色阻之间设置黑矩阵，有利于提高背光源的光利用率以及有利于减小对位偏差，并且还减少了一道光罩，减少了工艺流程，有利于提高生产效率。

Description

液晶显示面板及液晶显示器
技术领域
本发明涉及显示领域，特别是涉及一种液晶显示面板及液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是目前常用的平板显示器，液晶显示器以其低电压、低功耗、适宜于电路集成、轻巧便携等优点而受到广泛的研究与应用。
现有技术中液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。液晶显示面板中，透光的区域为像素区，在像素区与像素区之间，存在薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)、线路等其它结构。为了使这些结构不对显示画面造成影响，一般在液晶显示面板中的彩膜基板上通过掩膜工艺涂覆黑色不透光树脂，这些黑色区域组成的图案阵列称为黑矩阵(BlackMatrix，BM)。
一方面，黑矩阵的存在会吸收背光源发出的光线，会降低光的利用率，另一方面，通过设置黑矩阵来遮光工艺相对复杂，不利于提高生产效率。
因此，现有技术存在缺陷，亟需改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种通过在阵列基板的公共电极层设置镂空结构从而无需设置黑矩阵的液晶显示面板及液晶显示器；以解决现有的黑矩阵吸光导致光利用率低以及形成黑矩阵工艺相对复杂的缺陷。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种液晶显示面板，包括：
彩膜基板，其包括第一玻璃基板，所述第一玻璃基板上间隔设置有多个呈阵列分布的彩膜色阻；
阵列基板，其包括第二玻璃基板，所述第二玻璃基板上依次设置有公共电极层、第三绝缘层以及像素电极层；
液晶层，设置于所述彩膜基板与所述像素电极层之间；
所述公共电极层上设置有镂空结构，所述镂空结构与该多个彩膜色阻之间的间隔区域正对。
在本发明所述的液晶显示面板中，所述彩膜基板还包括设置于所述彩膜色阻上的第二平坦化层，所述第二平坦化层上对应区域设置有朝向所述第一玻璃基板的凸起以将该多个彩膜色阻之间的间隔区域填充。
在本发明所述的液晶显示面板中，还包括设置于所述液晶层中的衬垫，所述衬垫一端与所述第二平坦化层连接，另一端与所述像素电极层连接。
在本发明所述的液晶显示面板中，所述镂空结构通过在所述公共电极层上光刻形成。
在本发明所述的液晶显示面板中，所述第二玻璃基板与所述公共电极层之间还依次设置有第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、层间介质层以及第一平坦化层；
所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极以及漏极均设置于所述第一金属层上，所述薄膜晶体管的栅极设置于所述第二金属层上。
在本发明所述的液晶显示面板中，所述第一绝缘层为二氧化硅层，所述第一绝缘层的厚度为60纳米至90纳米。
在本发明所述的液晶显示面板中，所述第二绝缘层为氮化硅层，所述第二绝缘层的厚度为120纳米至180纳米。
在本发明所述的液晶显示面板中，所述像素电极层的厚度为20纳米至80纳米。
在本发明所述的液晶显示面板中，所述彩膜色阻的厚度为480纳米至640纳米。
本发明实施例还提供了一种液晶显示器，包括上述任一项所述的液晶显示面板。
相较于现有的液晶显示面板及液晶显示器，本优选实施例的液晶显示面板及液晶显示器中，通过在公共电极层上对应区域形成镂空结构使得公共电极层在镂空区域无法与像素电极层对应区域形成电位差，使得液晶层与该镂空结构正对区域的液晶分子不旋转，进而使得光线无法透过，从而起来遮光作用。因此，本发明提供的液晶显示面板无需在彩膜基板上的彩膜色阻之间设置黑矩阵，有利于提高背光源的光利用率以及有利于减小对位偏差，并且还减少了一道光罩，减少了工艺流程，有利于提高生产效率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1为本发明的液晶显示面板的优选实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1，图1为本发明的液晶显示面板的优选实施例的结构示意图。本优选实施例的液晶显示面板，包括彩膜基板100、阵列基板300以及设置于彩膜基板100与阵列基板300之间的液晶层200。
其中，彩膜基板100包括第一玻璃基板101、第二平坦化层103以及多个彩膜色阻102，该多个彩膜色阻102呈阵列间隔分布于该第一玻璃基板101上，该第二平坦化层103设置于该多个彩膜色阻102上，并且该第二平坦化层103的朝向第一玻璃基板101的一面设有凸起结构，该凸起结构将该多个彩膜色阻102之间的间隔区域填充。
具体地，该彩膜色阻102主要用于形成RGB像素，其厚度为480纳米至640纳米。
其中，阵列基板300包括第二玻璃基板301、薄膜晶体管(未标号)、扫描线(未示出)、数据线(未示出)、金属遮光层316。第二玻璃基板301上依次设置有第一绝缘层302、第一金属层(未标号)、第二绝缘层303、第二金属层(未标号)、层间介质层304、第一平坦化层305、公共电极层306、第三绝缘层307以及像素电极层308。
其中，扫描线设置于第二金属层上，用于传输扫描信号。数据线设置于第一金属层上，用于传输数据信号。薄膜晶体管的源极313以及漏极315均设置于第一金属层上，其中，源极313与数据线连接，漏极315与像素电极层308上的像素电极连接。薄膜晶体管的栅极314设置于第二金属层上，栅极314与扫描线连接。金属遮光层316设置于第一绝缘层上。该薄膜晶体管的沟道317位于第一金属层上。
具体地，该第一绝缘层302为二氧化硅层，其厚度为60纳米至90纳米，其主要用于供第一金属层设置于其上。
该第一金属层的材料可为铬、钼、铝或铜等，其厚度为100纳米至600纳米。
第二绝缘层303为氮化硅层，其厚度为120纳米至180纳米，其主要用于将第一金属层与第二金属层绝缘开。
第二金属层材料可为铬、钼、铝或铜等，其厚度为100纳米至600纳米。层间介质层304采用绝缘介质制成。层间介质层304上设置有第一过孔311以及第二过孔312，该第一过孔311与薄膜晶体管的源极313对应，其用于将数据线与源极313之间的连接。该第二过孔312与薄膜晶体管的漏极相对应，其主要用于与像素电极层308上的像素电极连接。
第一平坦化层305主要用于保护该公共电极层306。
该第三绝缘层307可以采用二氧化硅、氮化硅等绝缘材料制成，当然其并不限于此，其主要用于将像素电极层308与公共电极层306绝缘开。
像素电极层308上设置有多个像素电极，该像素电极层的厚度为20纳米至80纳米。
其中，液晶层200中设置有液晶分子，其位于彩膜基板100与阵列基板300之间，具体地，位于阵列基板300的像素电极层与彩膜基板100的第二平坦化层103之间。
本优选实施例的液晶显示面板中，该公共电极层306上还设置有镂空结构310，该镂空结构310与该多个彩膜色阻102之间的间隔区域正对。通过该镂空结构310使得公共电极层306在镂空区域无法与像素电极层308对应区域形成电位差，使得液晶层200与该镂空结构310正对区域的液晶分子不旋转，进而使得光线无法透过，从而起来遮光作用。因此，本发明提供的液晶显示面板无需在彩膜基板100上的彩膜色阻102之间设置黑矩阵，有利于提高背光源的光利用率以及有利于减小对位偏差，并且还减少了一道光罩，减少了工艺流程，有利于提高生产效率。
进一步的，在一些实施例中，该镂空结构310采用光刻形成，具体为在沉积形成公共电极层306后，通过Photo光刻工艺，将公共电极层306上需要遮光的区域刻开，形成镂空结构310。
进一步的，在一些实施例中，该液晶显示面板还包括设置于液晶层200中的衬垫400，该衬垫400一端与第二平坦化层103连接，另一端与该像素电极层308连接，为了防止形成阴影，该衬垫400采用透明材料制成。进一步的，该衬垫400位于液晶层200里镂空结构310正对的区域。
本发明还提供了一种液晶显示器，其包括上述实施例中的液晶显示面板。
本优选实施例的液晶显示面板及液晶显示器中，通过该镂空结构310使得公共电极层306在镂空区域无法与像素电极层308对应区域形成电位差，使得液晶层200与该镂空结构310正对区域的液晶分子不旋转，进而使得光线无法透过，从而起来遮光作用。因此，本发明提供的液晶显示面板无需在彩膜基板100上的彩膜色阻102之间设置黑矩阵，有利于提高背光源的光利用率以及有利于减小对位偏差，并且还减少了一道光罩，减少了工艺流程，有利于提高生产效率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
彩膜基板，其包括第一玻璃基板，所述第一玻璃基板上间隔设置有多个呈阵列分布的彩膜色阻；
阵列基板，其包括第二玻璃基板，所述第二玻璃基板上依次设置有公共电极层、第三绝缘层以及像素电极层；
液晶层，设置于所述彩膜基板与所述像素电极层之间；
所述公共电极层上设置有镂空结构，所述镂空结构与该多个彩膜色阻之间的间隔区域正对。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述彩膜基板还包括设置于所述彩膜色阻上的第二平坦化层，所述第二平坦化层上对应区域设置有朝向所述第一玻璃基板的凸起以将该多个彩膜色阻之间的间隔区域填充。
3.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括设置于所述液晶层中的衬垫，所述衬垫一端与所述第二平坦化层连接，另一端与所述像素电极层连接。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述镂空结构通过在所述公共电极层上光刻形成。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二玻璃基板与所述公共电极层之间还依次设置有第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、层间介质层以及第一平坦化层；
所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极以及漏极均设置于所述第一金属层上，所述薄膜晶体管的栅极设置于所述第二金属层上。
6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层为二氧化硅层，所述第一绝缘层的厚度为60纳米至90纳米。
7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层为氮化硅层，所述第二绝缘层的厚度为120纳米至180纳米。
8.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极层的厚度为20纳米至80纳米。
9.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述彩膜色阻的厚度为480纳米至640纳米。
10.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的液晶显示面板。
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