CN102914922A - 面内切换模式液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种面内切换模式液晶显示装置，包括：第一和第二基板以及夹在它们之间的液晶层；在显示区域中并且在所述第一基板的内表面上的栅极线、数据线和公共线；与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上的滤色器层；在滤色器层上的第一钝化层；在第一钝化层上的辅助公共线、内公共电极和像素电极，其中辅助公共线包括垂直部分和水平部分，内公共电极从水平部分延伸，像素电极与内公共电极交替布置；以及在非显示区域中的遮光图案，其中遮光图案包含与滤色器层相同的材料。

Description

面内切换模式液晶显示装置
本申请要求2011年8月4日提交的韩国专利申请No.10-2011-0077906的优先权，为了所有目的在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，尤其涉及一种具有改善的开口率的面内切换模式液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，由于低功耗、较佳的便携性和较高的附加价值，液晶显示装置作为下一代先进技术的显示装置而受到关注。
一般来说，液晶显示（LCD）装置使用液晶分子的光学各向异性和偏振特性。液晶分子由于其细长的形状而具有明确的取向方向。可通过横跨液晶分子施加电场来控制液晶分子的取向方向。
换句话说，因为电场的强度或方向变化，所以液晶分子的取向也变化。因为由于液晶分子的光学各向异性，入射光基于液晶分子的取向而发生折射，所以可通过控制液晶材料的光透射率显示图像。
因为包括作为开关元件的薄膜晶体管的LCD装置（称作有源矩阵LCD（AM-LCD）装置）具有高分辨率和显示移动图像的出色特性，所以AM-LCD装置得到广泛应用。
AM-LCD装置包括阵列基板、滤色器基板和夹在它们之间的液晶层。阵列基板可包括像素电极和薄膜晶体管，滤色器基板可包括滤色器层和公共电极。AM-LCD装置由像素电极与公共电极之间的电场驱动，从而具有出色的透射率和开口率特性。然而，因为AM-LCD装置使用垂直于基板的垂直电场，所以AM-LCD装置具有较差的视角。
已提出并发展了具有宽视角特性的LCD装置来解决上述缺陷。
图1是现有技术的面内切换（IPS）模式LCD装置的剖面图。如图1中所示，现有技术的IPS模式LCD装置包括彼此隔开并面对的上基板9和下基板10。液晶层11夹在上、下基板9和10之间。在下基板10上形成公共电极17和像素电极30。公共电极17和像素电极30可设置在同一水平面上。液晶层11的液晶分子由公共电极17与像素电极30之间产生的水平电场L驱动。
图2A和2B分别是显示现有技术的IPS模式LCD装置的开启/关闭状态的剖面图。如图2A中所示，显示了处于开启状态的液晶分子的排列，当向IPS模式LCD装置施加电压时，公共电极17和像素电极30上方的液晶分子11a的排列未改变。然而，公共电极17与像素电极30之间的液晶分子11b由于水平电场L而水平排列。因为液晶分子11b通过水平电场L排列，所以IPS模式LCD装置具有宽视角特性。例如，IPS模式LCD装置在上、下以及左、右具有大约80度到大约89度的视角，同时不会产生图像反转或色反转。
图2B显示了不向IPS模式LCD装置施加电压的状态。因为在公共电极17与像素电极30之间没有产生电场，所以液晶层的液晶分子11的排列没有改变。
图3是示意性示出现有技术的IPS模式LCD装置的像素区域的剖面图。
如图3中所示，现有技术的IPS模式LCD装置95包括阵列基板40、滤色器基板70以及夹在基板40与70之间的液晶层90。
阵列基板40包括沿水平方向形成的栅极线（未示出）、平行于栅极线的公共线（未示出）以及与栅极线和公共线（未示出）交叉的数据线50。在数据线50与栅极线和公共线之间设置栅极绝缘层48。栅极线和数据线50限定像素区域P。
在每个像素区域P中形成薄膜晶体管（未示出），薄膜晶体管包括栅极（未示出）、半导体层（未示出）以及源极和漏极（未示出）。钝化层60覆盖薄膜晶体管（未示出）。
在钝化层60上的像素区域P中形成多个像素电极64和多个公共电极62。像素电极64通过暴露漏极（未示出）的漏极接触孔（未示出）与薄膜晶体管（未示出）的漏极（未示出）电连接。公共电极62通过公共接触孔（未示出）与公共线（未示出）连接。像素电极64和公共电极62均具有条形形状并彼此交替布置。
这里，钝化层48上的像素电极64和公共电极62具有透明导电材料或不透明金属材料的单层结构。
对应于阵列基板40的滤色器基板70包括具有与像素区域P对应的开口的黑矩阵73和在黑矩阵73的开口中的滤色器层76。滤色器层76包括依次重复排列的红色、绿色和蓝色滤色器图案76a、76b和76c。
涂覆层78覆盖滤色器层76。在像素区域P的边界处形成具有第一高度的间隙形成间隔件（未示出）和具有第二高度的防止挤压间隔件（未示出）。第二高度低于第一高度。
在IPS模式LCD装置95中，当附接阵列基板40和滤色器基板70时，可能会产生未对准。因此，为了防止漏光，考虑到阵列基板40与滤色器基板70之间的对准裕度，黑矩阵应具有较宽的宽度。因此，降低了开口率。
发明内容
因此，本发明旨在提出一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的IPS模式LCD装置。
本发明的一个目的是提供一种改善开口率和透射率并降低生产成本的IPS模式LCD装置。
在下面的描述中将列出本发明的其它特点和优点，这些特点和优点的一部分从下面的描述将是显而易见的，或者可从本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体化和概括描述的，一种液晶显示装置包括：彼此面对的第一基板和第二基板，其中在所述第一基板和第二基板上限定有显示区域和非显示区域，且在所述第一基板和第二基板之间夹有液晶层；所述第一基板的内表面上并且在所述显示区域中的栅极线、数据线和公共线，其中所述栅极线和所述数据线彼此交叉以限定像素区域，所述公共线与所述栅极线平行；位于所述像素区域并与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；在整个所述显示区域上且在所述薄膜晶体管上的滤色器层；在所述滤色器层上的由光学压克力形成的第一钝化层；在所述第一钝化层上的辅助公共线、内公共电极和像素电极，其中所述辅助公共线包括与所述数据线交叠的垂直部分和与所述栅极线和所述公共线交叠的水平部分，且所述辅助公共线具有网格结构，所述内公共电极从所述像素区域中的水平部分延伸并具有条形形状，所述像素电极与所述内公共电极交替布置并具有条形形状；以及在所述非显示区域中并包围所述显示区域的遮光图案，其中所述遮光图案包含与所述滤色器层相同的材料。
应当理解，本发明前面的大体描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
为本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图示出了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是现有技术的IPS模式LCD装置的剖面图；
图2A和2B分别是显示现有技术的IPS模式LCD装置的开启/关闭状态的剖面图；
图3是示意性示出现有技术的IPS模式LCD装置的像素区域的剖面图；
图4是示意性示出根据本发明一个实施方式的IPS模式LCD装置的像素区域的平面图；
图5是示意性示出根据本发明实施方式的另一例子的IPS模式LCD装置的像素区域的平面图；
图6是沿图4的线VI-VI所取的剖面图；
图7是沿图4的线VII-VII所取的剖面图；以及
图8是示意性示出根据本发明实施方式的IPS模式LCD装置的一部分非显示区域的剖面图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述附图中所示出的本发明的示例性实施方式。
图4是示意性示出根据本发明一个实施方式的面内切换（IPS）模式液晶显示（LCD）装置的像素区域的平面图。
在图4中，LCD装置100包括阵列基板（未示出）、对向基板（未示出）以及夹在阵列基板与对向基板之间的液晶层（未示出）。阵列基板包括像素电极170、公共电极173和滤色器层（未示出）。对向基板包括用于形成单元间隙的第一间隔件（未示出）和用于防止挤压的第二间隔件。
在阵列基板包括在内表面上并且在显示区域中的栅极线、数据线和公共线。具体地，在透明绝缘基板（未示出）上形成栅极线103和数据线130，在栅极线103与数据线130之间形成栅极绝缘层（未示出）。透明绝缘基板用作基底并由玻璃或塑料形成。栅极线103可沿水平方向延伸，数据线130可沿垂直方向延伸。栅极线103和数据线130彼此交叉以限定像素区域P。
在绝缘基板（未示出）上形成公共线109，公共线109包括与栅极线103相同的材料。公共线109分别与栅极线103平行地间隔开并穿过像素区域P。
在每个像素区域P中的栅极线103和数据线130的交叉部分处形成薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr与栅极线103和数据线130连接。
薄膜晶体管Tr包括依次形成的栅极105、栅极绝缘层（未示出）、半导体层（未示出）以及源极和漏极133和136。源极和漏极133和136彼此间隔开。
在像素区域P中，多个外公共电极116由与公共线109相同的材料形成。外公共电极116从每条公共线109延伸并与数据线130平行。外公共电极116使由与其相邻的数据线130导致的对像素区域P的影响最小化。
在本发明中，包括红色、绿色和蓝色滤色器图案（未示出）的滤色器层（未示出）覆盖薄膜晶体管Tr并基本形成在显示图像的整个显示区域（未示出）上。红色、绿色和蓝色滤色器图案依次重复排列，且每个滤色器图案都对应于像素区域P。
尽管图中未示出，在滤色器层（未示出）与薄膜晶体管Tr之间形成无机绝缘材料的第一钝化层（未示出）。
这里，每个滤色器图案（未示出）的边界设置在每个像素区域P的边界上，例如，可设置在数据线130或栅极线103上。在滤色器图案（未示出）的边界处省去了黑矩阵。
红色、绿色和蓝色滤色器图案（未示出）沿平行于栅极线103的方向依次重复排列。沿平行于数据线130的方向，红色、绿色和蓝色滤色器图案（未示出）可依次重复排列，或者可排列相同的滤色器图案。当沿平行于数据线130的方向排列相同的滤色器图案时，滤色器图案的边界设置在数据线130上。
尽管图中未示出，但在非显示区域以及显示区域的外围中形成遮光图案，并且遮光图案包围显示区域。遮光图案包括彼此交叠的两个或更多个滤色器图案，其中的每一个滤色器图案由与滤色器层的红色、绿色或蓝色滤色器图案相同的材料形成。遮光图案用作用于阻挡显示区域外围中的光泄漏的黑矩阵。
同时，尽管每个滤色器图案的边界设置在每个像素区域P的边界上并且在其间没有交叠部分，但在像素区域P的边界上滤色器图案可以和与其相邻的滤色器图案重叠。
在像素区域P的边界上彼此交叠的滤色器图案可与辅助公共线175一起进一步稳固地防止与像素区域P的边界对应的光泄漏。
此外，尽管图中未示出，在滤色器层和遮光图案上形成第二钝化层。第二钝化层可由具有负型光敏特性的光学压克力（photoacryl）形成。
辅助公共线175形成在第二钝化层上并包括垂直部分175a和水平部分175b。垂直部分175a与数据线130、数据线130两侧的外公共电极116以及在数据线130与每个外公共电极116之间的空间交叠。水平部分175b与栅极线103、公共线109以及在栅极线103与公共线109之间的空间交叠。
因此，辅助公共线175在显示区域中大致具有网格形状。
辅助公共线175包含不透明金属材料并对应于栅极线103、公共线109和数据线130。水平部分175b遮蔽在彼此相邻的栅极线103与公共线109之间的空间，垂直部分175a遮蔽在彼此相邻的数据线130与外公共电极116之间的空间。因此，辅助公共线175用作图3所示的现有技术IPS模式LCD装置95的滤色器基板70上的黑矩阵73。
这里，因为辅助公共线175形成在包括栅极线103和数据线130的阵列基板上且不必考虑对准裕度，所以与图3的黑矩阵73相比，辅助公共线175可具有相对窄的宽度。因此，增加了像素区域P的开口率。
同时，在像素区域P中形成具有条形形状并彼此间隔开的内公共电极173。内公共电极173从辅助公共线175的水平部分175b延伸并与外公共电极116平行。
辅助公共线175通过暴露像素区域P中的公共线109或一个外公共电极116的公共接触孔158与公共线109或这一个外公共电极116接触。
在本发明的实施方式中，公共接触孔158暴露像素区域P中的外公共电极116的一端。另一方面，当辅助公共线175具有网格结构并包含相对低电阻的材料时，如图5中所示可省去公共接触孔。
图5是示意性示出根据本发明一个实施方式的另一例子的IPS模式LCD装置的像素区域的平面图，在图5中，与图4相同的部件将使用相同的附图标记。
当在像素区域P中省去公共接触孔时，公共线109和辅助公共线175可通过另外的接触孔在非显示区域（位于包含像素区域P的显示区域的外部）中彼此电连接。
因为辅助公共线175在显示区域中具有网格结构并包含相对低电阻的金属材料，所以由于大致整个显示区域（未示出）中的电阻产生的压降所导致的差异与图4的IPS模式LCD装置100的情况（其中辅助公共线175通过图4的公共接触孔158与公共线109或外公共电极116连接）类似。
因此，如上所述，即使在像素区域P中省去图4的公共接触孔158且在非显示区域（未示出）中公共线109与辅助公共线175电连接，因为由压降导致的差异类似，所以也不会产生问题。在这种情况下，因为可在像素区域中省去图4的公共接触孔158，所以进一步提高了像素区域P的开口率。
参照图4，像素图案169形成在显示区域AA的像素区域P中并通过漏极接触孔157与薄膜晶体管Tr的漏极136连接。像素图案169与公共线109交叠。优选地，像素图案连接像素电极的端部。具有条形形状的像素电极170从像素图案169延伸并与处于外侧像素电极116之间的内公共电极173交替布置。
外公共电极116、内公共电极173和像素电极170相对于横跨像素区域P的中心并与栅极线103平行的虚线对称地弯曲，并相对于栅极线103具有预定角度。公共电极116和173以及像素电极170相对于像素区域P的中心向上、向下具有不同方向的部分，由此形成两个域。这是为了防止基于用户的视角而导致的色移并改善图像质量。
因为公共电极116和173以及像素电极170在像素区域P中弯曲，所以数据线130也相对于像素区域P的中心对称地弯曲。
这里，数据线130不被每个像素区域P分离，而是连续形成在整个显示区域中，数据线130在显示区域中具有Z字形。
在根据本发明实施方式的IPS模式LCD装置100的阵列基板中，公共电极116和173、像素电极170以及数据线130相对于像素区域P的中心弯曲，以形成两个域。然而，公共电极116和173、像素电极170以及数据线130可以是直线。
在像素区域P中，漏极136具有延伸部，其中延伸部与公共线109交叠并且在它们之间插入有栅极绝缘层（未示出）。公共线109和漏极136的交叠部分成为第一和第二存储电极110和138，第一和第二存储电极110和138以及在第一和第二存储电极之间的栅极绝缘层形成存储电容器StgC。
在本发明的IPS模式LCD装置中，辅助公共线175、像素图案169、内公共电极173和像素电极170具有双层结构，从而外部光的反射率可小于39％。
这里，辅助公共线175、像素图案169、像素电极170和内公共电极173包括下层（未示出）和上层（未示出）。下层例如由诸如钼钛（MoTi）这样的具有相对低电阻的不透明金属材料形成。上层例如由诸如氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）或掺杂铝的氧化锌（AZO）这样的透明导电材料，或者诸如铜氮化物（CuNx）这样的不透明金属材料形成。
同时，与具有上述结构的阵列基板（未示出）面对的对向基板（未示出）包括在内表面上的第一间隔件和第二间隔件。具体地，对向基板包括用于形成单元间隙的第一间隔件（未示出）和用于防止挤压的第二间隔件（未示出）。第一和第二间隔件均具有柱形形状。第一间隔件设置在与像素区域P的边界对应的区域中并具有第一高度。第二间隔件与第一间隔件间隔开并具有第二高度。
第一间隔件和第二间隔件可由透明有机绝缘材料或包含黑色颜料的黑色树脂形成。
液晶层（未示出）夹在阵列基板与对向基板之间。第一间隔件的一端与阵列基板的顶部元件接触。
同时，在阵列基板与对向基板之间的非显示区域中形成密封图案（未示出）。密封图案包围液晶层并用作粘结剂，从而阵列基板和对向基板附接以形成面板并保持该面板。相应地，完成了根据本发明实施方式的IPS模式LCD装置100。
下文将参照附图描述根据本发明实施方式的IPS模式LCD装置的剖面结构。
图6是沿图4的线VI-VI所取的剖面图，图7是沿图4的线VII-VII所取的剖面图，图8是示意性示出根据本发明实施方式的IPS模式LCD装置的一部分非显示区域的剖面图。为便于解释，定义了薄膜晶体管的开关区域TrA和存储电容器StgC的存储区域StgA。
如图中所示，本发明的IPS模式LCD100包括：形成有像素电极170、公共电极173和滤色器层150的阵列基板102；形成有第一和第二间隔件188和189的对向基板181；以及液晶层195。
在阵列基板102上，沿一方向形成图4的栅极线103，图4的公共线109与图4的栅极线103平行地间隔开。
图4的栅极线103还设置在开关区域TrA中，开关区域TrA中的图4的栅极线103用作栅极105。
在像素区域P中，外公共电极116从图4的公共线109延伸并与数据线130相邻。存储区域StgA中的公共线109具有比其它区域中的更宽的宽度并用作第一存储电极110。
在图4的栅极线103、栅极105、图4的公共线109和外公共电极116上形成栅极绝缘层118。栅极绝缘层118例如由诸如二氧化硅（SiO2）或硅氮化物（SiNX）这样的无机绝缘材料形成。
在栅极绝缘层118上的开关区域TrA中形成半导体层120。半导体层120包括本征非晶硅有源层120a和掺杂有杂质的非晶硅欧姆接触层120b。欧姆接触层120b设置在有源层120a上并彼此间隔开。
数据线130形成在栅极绝缘层118上并与图4的栅极线103交叉，以限定像素区域P。这里，在数据线130下方形成半导体图案121。半导体图案121包括由与半导体层120相同的材料形成的第一和第二图案121a和121b。可省去半导体图案121。
在开关区域TrA中，在半导体层120上形成源极133和漏极136。源极133从数据线130延伸，漏极136与源极133间隔开。这里，源极133和漏极136分别接触欧姆接触层120b。
在开关区域TrA中依次层叠的栅极105、栅极绝缘层118、半导体层120以及源极133和漏极136构成薄膜晶体管Tr，即开关元件。
在存储区域StgA中，漏极136的延伸部与第一存储电极110对应地设置在栅极绝缘层118上并用作第二存储电极138。第一存储电极110、栅极绝缘层118和第二存储电极138构成存储电容器StgC。
在整个阵列基板102上且在数据线130、源极和漏极133和136以及第二存储电极138上形成第一钝化层140。第一钝化层140例如由诸如二氧化硅（SiO2）或硅氮化物（SiNX）这样的无机绝缘材料形成。
在显示区域AA中的第一钝化层140上形成滤色器层150。滤色器层150包括依次重复排列的红色、绿色和蓝色滤色器图案150a、150b和150c。红色、绿色和蓝色滤色器图案150a、150b和150c的每个都对应于一个像素区域P。
在非显示区域NA中，在第一钝化层140上形成遮光图案151。遮光图案151包围显示区域AA并包括与滤色器层150的红色、绿色和蓝色滤色器图案中的两个滤色器图案（或三个滤色器图案）具有相同材料的至少两个不同颜色的彩色图案151a和151b。彩色图案151a和151b彼此交叠。
如图中所示，遮光图案151可以具有红色和蓝色图案151a和151b的双层结构。可选择地，遮光图案151可以具有红色、绿色和蓝色图案的三层结构。
当两个或更多个彩色图案彼此交叠时，光学密度变得非常高，光透射率降低。因此，通过形成包括双层或三层彩色图案的遮光图案151，可防止显示区域AA外围中的光泄漏。
遮光图案151和辅助公共线175分别防止显示区域AA外围和像素区域P中的光泄漏。
同时，在根据本发明实施方式的IPS模式LCD装置100中，滤色器层150的滤色器图案150a、150b和150c不彼此交叠。作为另一个例子，滤色器层150的滤色器图案150a、150b和150c可在彼此相邻的像素区域P的边界处彼此交叠。交叠的滤色器图案150a、150b和150c及其上的辅助公共线175可防止像素区域P外围中的光泄漏。
在整个阵列基板102上且在滤色器层150和遮光图案151上形成第二钝化层155。第二钝化层155由具有相对低介电常数的有机绝缘材料，例如光学压克力形成，以使由数据线130和外公共电极116与辅助公共线175的垂直部分175a的交叠而导致的寄生电容最小化，并使由数据线130和与其相邻的外公共电极116产生的电场的影响最小化。
因为光学压克力具有光敏特性，所以第二钝化层155可被图案化为形成暴露下层的接触孔，而无需额外的剥离（stripping）步骤，由此可简化工艺。光学压克力可以是负型，其中曝光的部分在显影之后保留。
在第二钝化层155、滤色器层150和第一钝化层140中形成漏极接触孔157，漏极接触孔157暴露漏极136，更具体地说是第二存储电极138。在第二钝化层155、滤色器层150、第一钝化层140和栅极绝缘层118中形成图4的公共接触孔158，图4的公共接触孔158暴露外公共电极116的一端。
在根据本发明的图5的IPS模式LCD装置100的另一个例子中，可省去公共接触孔。
在具有图4的漏极接触孔157和公共接触孔158的第二钝化层155上形成包括下层（未示出）和上层（未示出）的辅助公共线175。下层由诸如钼钛（MoTi）这样的具有相对低电阻的不透明金属材料形成。上层由诸如氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、掺杂铝的氧化锌（AZO）这样的透明导电材料，或者诸如铜氮化物（CuNx）这样的具有相对低反射率的不透明金属材料形成。
辅助公共线175通过图4的公共接触孔158与外公共电极116连接。可选择地，在图5的IPS模式LCD装置中，辅助公共线175可与显示区域AA外部的非显示区域NA中的图4的公共线109连接。
辅助公共线175包括垂直部分175a和水平部分175b。垂直部分175a与数据线130和外公共电极116交叠，水平部分175b与图4的栅极线103和图4的公共线109交叠。辅助公共线175在显示区域AA中具有网格结构。辅助公共线175用作黑矩阵，用于阻挡在数据线130与外公共电极116之间的空间以及在图4的栅极线103与图4的公共线109之间的空间中产生光泄漏。
此外，像素图案169形成在第二钝化层155上并通过漏极接触孔157与漏极136的第二存储电极138连接。
此外，在第二钝化层155上的像素区域P中的外公共电极116之间形成内公共电极173。内公共电极173从辅助公共线175的水平部分175b延伸。内公共电极173具有双层结构且具有条形形状。
在第二钝化层155上的像素区域P中的外公共电极116之间形成像素电极170。像素电极170从像素图案169延伸。像素电极170具有双层结构且具有条形形状，并与内公共电极173交替布置。
这里，像素电极170和内公共电极173包括下层170a和173a以及上层170b和173b。下层170a和173a由诸如钼钛（MoTi）这样的具有相对低电阻的不透明金属材料形成。上层170b和173b由诸如氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、掺杂铝的氧化锌（AZO）这样的透明导电材料，或者诸如铜氮化物（CuNx）这样的具有相对低反射率的不透明金属材料形成。
由于具有双层结构的像素电极170和内公共电极173，外部光的反射率可降低到小于39％。
更详细地说，因为双层结构的两个材料层具有预定的厚度并具有不同的折射率，所以由于抗反射涂层效果（其中在各材料层处反射的光会产生破坏性干涉），最终被反射的光具有降低的强度。因此，外部光的反射率被降低到小于39％。
这里，如果上层由铜氮化物CuNX形成，则可能不会有抗反射涂层效果。然而，铜氮化物CuNX具有相对低的反射率，因而外部光的反射率可小于39％。此时，因为铜氮化物CuNX与光学压克力材料的第二钝化层155具有较差的接触特性，所以铜氮化物CuNX可从第二钝化层155脱落。为防止此问题，在铜氮化物CuNX的上层的下方形成钼钛（MoTi）材料的下层。
像素电极170、内公共电极173和外公共电极116可具有直条形形状或可具有相对于每个像素区域P的中心对称的弯曲条形形状。
当像素电极170、内公共电极173和外公共电极116相对于像素区域P的中心对称地弯曲时，在像素区域P中形成两个域。这防止了基于用户的视角而导致的色移。
同时，在与具有上述结构的阵列基板102面对的对向基板181上形成用于形成单元间隙的第一间隔件188和用于防止挤压的第二间隔件189。第一间隔件188和第二间隔件189均具有柱形形状。第一间隔件188设置在与像素区域P的边界对应的区域中并具有第一高度。第二间隔件189与第一间隔件188间隔开并具有第二高度。第一高度高于第二高度。
第一间隔件和第二间隔件可由透明有机绝缘材料或包含黑色颜料的黑色树脂形成。第一间隔件188的一端与阵列基板102的顶部元件接触。
在阵列基板102与对向基板181之间的非显示区域NA中形成密封图案197。密封图案197包围液晶层195并用作粘结剂，从而阵列基板102和对向基板197附接以形成面板并保持该面板。相应地，完成了根据本发明实施方式的IPS模式LCD装置100。
根据本发明实施方式的IPS模式LCD装置100不包括考虑对准裕度而设计的黑矩阵。因而，提高了开口率，并减少了掩模工艺。此外，因为还省去了涂覆层，所以减少了材料成本，降低了制造成本。
不需要用于黑矩阵的设施，可降低初始安装成本。
因为第二钝化层155由具有负性光敏特性的光学压克力形成，所以在形成接触孔之后不需要剥离步骤。因此，简化了工艺。
与数据线130平行的内公共电极173和像素电极170相对于像素区域P的中心对称地弯曲，且在像素区域P中形成两个域。因此，可防止由于视角而导致的色移。
内公共电极173和像素电极170具有由不透明金属材料和透明导电材料，或者不透明金属材料和铜氮化物（CuNX）构成的双层结构，外部光的反射率被降低到小于39％。因而，不会产生虹点（rainbow spot），提高了环境对比度。
这样，在本发明的IPS模式LCD装置中，省去了黑矩阵，滤色器层形成在阵列基板上。有效防止了光泄漏，并增加了开口率。
在本发明中，从数据线到像素电极和内公共电极的距离增加，且钝化层由具有相对低电阻的光学压克力形成。由与数据线相邻的金属材料带来的影响被最小化，提高了显示质量。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中可进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求书范围及其等效范围内的对本发明的所有修改和变化。

Claims (14)

1.一种液晶显示装置，包括：
彼此面对的第一基板和第二基板，其中在所述第一基板和第二基板上限定有显示区域和非显示区域，且在所述第一基板和第二基板之间夹有液晶层；
所述第一基板的内表面上并且在所述显示区域中的栅极线、数据线和公共线，其中所述栅极线和所述数据线彼此交叉以限定像素区域，所述公共线与所述栅极线平行；
位于所述像素区域并与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；
在整个所述显示区域上且在所述薄膜晶体管上的滤色器层；
在所述滤色器层上的由光学压克力形成的第一钝化层；
在所述第一钝化层上的辅助公共线、内公共电极和像素电极，其中所述辅助公共线包括与所述数据线交叠的垂直部分和与所述栅极线和所述公共线交叠的水平部分，且所述辅助公共线具有网格结构，所述内公共电极从所述像素区域中的水平部分延伸并具有条形形状，所述像素电极与所述内公共电极交替布置并具有条形形状；以及
在所述非显示区域中并包围所述显示区域的遮光图案，其中所述遮光图案包含与所述滤色器层相同的材料。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括：
在整个所述第一基板上且在所述薄膜晶体管与所述滤色器层之间的第二钝化层，其中所述第二钝化层由无机绝缘材料形成。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中所述滤色器层包括依次重复排列的红色、绿色和蓝色滤色器图案，每个所述滤色器图案的边界设置在所述像素区域的边界上。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述红色、绿色和蓝色滤色器图案中的相邻两个滤色器图案在所述像素区域的边界上彼此交叠。
5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述遮光图案包括与所述红色、绿色和蓝色滤色器图案中的两个滤色器图案具有相同材料的至少两个彩色图案。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括在所述第一基板上的像素区域中从所述公共线延伸并与所述数据线平行的多个外公共电极，其中所述垂直部分与所述外公共电极交叠，以遮蔽在所述数据线与所述外公共电极之间的空间。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中所述第一钝化层、所述滤色器层和所述第二钝化层包括暴露所述薄膜晶体管的漏极的漏极接触孔和暴露所述多个外公共电极中的一个外公共电极的公共接触孔，所述像素电极通过所述漏极接触孔与所述薄膜晶体管的漏极接触，所述辅助公共线通过所述公共接触孔与所述一个外公共电极接触。
8.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中所述第一钝化层、所述滤色器层和所述第二钝化层包括暴露所述薄膜晶体管的漏极的漏极接触孔，所述像素电极通过所述漏极接触孔与所述薄膜晶体管的漏极接触，所述辅助公共线和所述公共线在所述非显示区域中彼此接触。
9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括在所述第一钝化层上的像素区域中的像素图案，其中所述像素图案与所述像素电极的端部连接。
10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述辅助公共线、所述像素电极和所述内公共电极均包括由不透明金属材料形成的下层和由透明导电材料或铜氮化物形成的上层。
11.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其中所述透明导电材料是氧化铟锡、氧化铟锌和掺杂铝的氧化锌之一。
12.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述公共线包括与所述薄膜晶体管的漏极的第二存储电极交叠的第一存储电极，并且所述第一存储电极、所述第二存储电极以及在所述第一存储电极和所述第二存储电极之间的栅极绝缘层形成存储电容器。
13.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括：
在所述第二基板的内表面上的第一间隔件，所述第一间隔件对应于所述像素区域的边界并具有第一高度；和
在所述第二基板的内表面上的第二间隔件，所述第二间隔件与所述第一间隔件间隔开并具有低于所述第一高度的第二高度。
14.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述数据线、所述像素电极、所述外公共电极和所述内公共电极相对于所述像素区域的中心对称地弯曲，并且在所述像素区域中具有两个域。
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