CN104516165B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置及其制造方法，在显示面板的上表面上不需要单独的触摸屏，因而可减小厚度和制造成本。该显示装置可包括：形成在包括栅极线和与栅极线交叉的数据线的像素区域中的包括栅极电极、半导体层、源极电极和漏极电极的薄膜晶体管；形成在薄膜晶体管上的第一钝化膜；形成在第一钝化膜上的第二钝化膜，其中存在穿过第一和第二钝化膜的孔，其至少部分地从第一和第二钝化膜暴露漏极电极；形成在第二钝化膜和漏极电极上并至少部分地填充该孔的像素电极，其通过该孔与漏极电极连接；形成在第二钝化膜上的感测线；与感测线连接的公共电极；与数据线的一端连接的数据焊盘；和由与公共电极相同的材料形成的与数据焊盘连接的数据焊盘电极。

Description

显示装置及其制造方法
本申请要求2013年9月27日提交的韩国专利申请No.10-2013-0115382的优先权，在此援引该专利申请作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种设置有用于感测用户触摸的感测电极的显示装置及其制造方法。
背景技术
诸如液晶显示装置、等离子体显示面板和有机发光显示装置之类的各种显示装置已得到发展。
传统的显示装置通常包括鼠标和键盘作为输入部件。然而，在诸如导航系统、便携式终端和家用电器这样的装置中通常利用使得用户通过使用他/她的手指或笔直接输入信息的触摸屏。
下文，将详细描述应用触摸屏的液晶显示装置。
图1是图解现有技术的液晶显示装置的简要剖面图。
如图1中所示，现有技术的液晶显示装置包括液晶面板10和触摸屏20。
液晶面板10显示图像，并包括下基板12、上基板14以及形成在这些基板12和14之间的液晶层16。
触摸屏20形成在液晶面板10的上表面上以便感测用户的触摸，并包括触摸基板22、形成在触摸基板22的下表面上的第一感测电极24、和形成在触摸基板22的上表面上的第二感测电极26。
第一感测电极24在水平方向上布置在触摸基板22的下表面上，第二感测电极26在垂直方向上布置在触摸基板22的上表面上。因此，如果用户触摸预定位置，第一感测电极24与第二感测电极26之间的电容在触摸位置处变化。结果，电容发生变化的位置被感测，由此可感测用户的触摸位置。
然而，因为现有技术的上述液晶显示装置具有触摸屏20分离地形成在液晶面板10的上表面上的结构，所以由于触摸屏20，显示装置的整体厚度增加，且制造成本也增加。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的显示装置及其制造方法。
本发明的一个优点是提供一种显示装置及其制造方法，其中用于感测用户触摸的感测电极内置在显示面板中，由此在显示面板的上表面上不需要单独的触摸屏。因而，减小了厚度和制造成本。
在下面的描述中将列出本发明的附加优点和特征，通过阅读说明书，这些优点和特征对于本领域普通技术人员来说将是显而易见的。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点，如在此具体化和广义描述的，根据一个实施方式的显示装置包括：形成在包括栅极线和与所述栅极线交叉的数据线的像素区域中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、半导体层、源极电极和漏极电极；形成在所述薄膜晶体管上的第一钝化膜；形成在所述第一钝化膜上的第二钝化膜，所述第一钝化膜和第二钝化膜被构造成存在穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔，所述孔至少部分地从所述第一钝化膜和第二钝化膜暴露所述源极电极和漏极电极；形成在所述第二钝化膜上并至少部分地填充穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔的像素电极，所述像素电极通过穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔与所述漏极电极连接；形成在所述第二钝化膜上的感测线；与所述感测线连接的公共电极；与所述数据线的一端连接的数据焊盘；形成在所述数据焊盘上并与所述数据焊盘连接的第一连接电极；形成在所述第一连接电极上并与所述第一连接电极连接的第二连接电极；和由与所述公共电极相同的材料形成的数据焊盘电极，所述数据焊盘电极通过所述第一连接电极和第二连接电极与所述数据焊盘连接。
在另一个实施方式中，一种制造显示装置的方法包括下述步骤：在上面形成有栅极电极和栅极绝缘膜的基板的表面上依次形成第一半导体层和源极/漏极电极层；同时图案化所述半导体层和源极/漏极电极层，以在薄膜晶体管区域中形成第一图案并在数据焊盘区域中形成第二图案，所述第一图案包括所述半导体层的第一部分和所述源极/漏极电极层的第一部分，所述第二图案包括所述半导体层的第二部分和由所述源极/漏极电极层的第二部分形成的数据焊盘；依次形成第一钝化膜和第二钝化膜，所述第一钝化膜和第二钝化膜被构造成存在穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔，所述源极/漏极电极层的至少一部分经由所述孔从包括所述第一图案的薄膜晶体管区域暴露；在所述第二钝化膜上依次形成第二材料层和第三材料层；通过使用半色调掩模的图案化工艺将所述第二材料层和第三材料层图案化，形成感测线图案、像素电极图案以及与所述数据焊盘连接的连接电极图案；在所述感测线图案、像素电极图案以及连接电极图案上形成第三钝化膜；以及在所述第三钝化膜上形成与所述感测线图案连接的公共电极并形成与所述连接电极图案连接的数据焊盘电极。
在又一个实施方式中，一种显示装置包括：形成在包括栅极线和与所述栅极线交叉的数据线的像素区域中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、半导体层、源极电极和漏极电极；形成在所述薄膜晶体管上的第一钝化膜；形成在所述第一钝化膜上的第二钝化膜，所述第一钝化膜和第二钝化膜被构造成存在穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔，所述孔至少部分地从所述第一钝化膜和第二钝化膜暴露所述漏极电极；形成在所述第二钝化膜和漏极电极上并至少部分地填充穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔的像素电极，所述像素电极通过穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔与所述漏极电极连接；形成在所述第二钝化膜上的感测线；与所述感测线连接的公共电极；与所述数据线的一端连接的数据焊盘；和由与所述公共电极相同的材料形成的数据焊盘电极，所述数据焊盘电极与所述数据焊盘连接。
应当理解，本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图图解了本发明的实施方式并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是图解现有技术的液晶显示装置的简要剖面图；
图2是图解根据本发明一个实施方式的显示装置的基板的简要平面图；
图3是图解根据本发明另一个实施方式的液晶显示装置的下基板的简要平面图；
图4是图解根据本发明第一个实施方式的显示装置的剖面图；
图5A到5I是图解根据本发明第一个实施方式的显示装置的基板的制造工艺步骤的简要剖面图；
图6A到6C是图解在根据本发明第一个实施方式的显示装置中出现底切(undercut)的剖面图；
图7是图解根据本发明第二个实施方式的显示装置的剖面图；
图8A到8J是图解根据本发明第二个实施方式的显示装置的基板的制造工艺步骤的简要剖面图；
图9是图解在根据本发明第二个实施方式的显示装置中残留的有机绝缘材料的剖面图；
图10是图解根据本发明第三个实施方式的显示装置的剖面图；以及
图11A到11G是图解根据本发明第三个实施方式的显示装置的基板的制造工艺步骤的简要剖面图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的典型实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部件。
本文使用术语“在…上”描述一元件与另一元件直接接触，或者描述一元件位于另一元件上方(在剖面图中)且在它们之间存在一个或多个插入元件。
本说明书中公开的诸如“第一”和“第二”这样的术语不是指相应元件的顺序，而是意在将相应的元件彼此区分。
下文，将参照附图描述本发明的实施方式。
图2是图解根据本发明一个实施方式的显示装置的基板的简要平面图。为了参考，由图2中的相应箭头显示的放大图是为了显示其中感测线600和公共电极700彼此电连接的像素区域。
如图2中所示，根据本发明一个实施方式的显示装置包括基板100、栅极线200、数据线300、薄膜晶体管T、像素电极500、感测线600、公共电极700、驱动集成电路1、面板内栅极(gate in panel)2、以及触摸驱动器3。面板内栅极2包括与面板集成的栅极驱动电路。
基板100可由玻璃或透明塑料形成。
栅极线200在第一方向，例如水平方向上布置在基板100上。栅极线200的一端与面板内栅极2连接，面板内栅极2通过栅极焊盘215与驱动集成电路1连接。因此，从驱动集成电路1施加的栅极信号通过栅极焊盘215和面板内栅极2传输给栅极线200。
数据线300在不同于第一方向的第二方向，例如垂直方向上布置在基板100上。这样，栅极线200和数据线300彼此交叉布置，由此限定多个像素区域。数据线300的一端通过数据焊盘315与驱动集成电路1连接。因此，从驱动集成电路1施加的数据信号通过数据焊盘315传输给数据线300。尽管如图所示数据线300以直线布置，但数据线300可以以曲线布置，或者以曲线和/或直线的图案，如Z字形布置。
薄膜晶体管T为开关元件，并形成在多个像素区域的每一个中。尽管未详细示出，但薄膜晶体管T包括与栅极线200连接的栅极电极、用作电子移动的沟道的半导体层、与数据线300连接的源极电极、以及被形成为与源极电极相对的漏极电极。此薄膜晶体管T可以以现有技术中公知的各种形式，如顶栅极结构、底栅极结构形成。
像素电极500被图案化在多个像素区域的每一个中。此像素电极500与薄膜晶体管T的漏极电极连接。
因为感测线600与公共电极700连接，所以感测线600用于向触摸驱动器3传输由公共电极700感测的用户的触摸信号。为了传输用户的触摸信号，多条感测线600与多个公共电极700成对地连接。换句话说，多条感测线600的每一条以一对一的结构与多个公共电极700的每一个连接。
为了防止感测线600降低光透射率，感测线600形成在数据线300上方。
在一个实施方式中，感测线600包括朝向薄膜晶体管T区域延伸的接触部600a，由此感测线600可通过接触部600a与公共电极700连接。薄膜晶体管T区域是其中不显示图像的区域，该区域比数据线300宽。因此，如果接触部600a被形成为在薄膜晶体管T区域与公共电极700连接，则可在不降低光透射率的情况下实现感测线600与公共电极700之间更可靠的连接。换句话说，因为感测线600和公共电极700通过预定接触孔彼此连接，所以为了它们之间的可靠连接，感测线600的宽度优选为预定范围或更大范围内的宽度。因此，接触部600a被形成为具有比数据线300的宽度大的宽度，由此感测线600和公共电极700可彼此更可靠地连接。
在其他实施方式中，感测线600不包括接触部600a，感测线600的至少一部分可与公共电极700电连接。
为了便于描述，在这样的装置环境下来描述下面的实施方式，其中感测线600包括接触部600a并通过接触部600a与公共电极700电连接。
公共电极700用作感测用户的触摸位置的感测电极。此外，在液晶显示装置的情形中，公共电极700用于通过与像素电极500一起形成电场来驱动液晶。也就是说，公共电极700可与像素电极500一起形成边缘场。为此，公共电极700设置有多个狭缝710。因此，通过狭缝710在像素电极500与公共电极700之间形成边缘场，可通过边缘场调整液晶的排列方向。换句话说，可实现边缘场切换模式液晶显示装置。
此外，为了使公共电极700用作用于感测用户的触摸位置的感测电极，多个公共电极700在基板100上以预定距离彼此间隔开。多个公共电极700的每一个以对应于一个或多个像素区域的尺寸形成；特别地，考虑到用户的触摸面积，以对应于多个像素区域的尺寸形成。
在驱动集成电路1从时序控制器(未示出)接收栅极控制信号之后，驱动集成电路1通过栅极焊盘215和面板内栅极2向栅极线200施加栅极信号。
此外，在驱动集成电路1从时序控制器(未示出)接收数据控制信号之后，驱动集成电路1通过数据焊盘315向数据线300施加数据信号。
面板内栅极2将从驱动集成电路1传输的栅极信号施加给栅极线200，且面板内栅极2可与每个像素的晶体管的制造工艺一起通过面板内栅极(GIP)方法(或称为“板内选通方法”)形成在基板100的左侧和/或右侧的非显示区域中。在另一个实施方式中，面板内栅极2可以以载带封装(TCP)或膜上芯片(COF)的结构形成，或者可以以面板内栅极2封装在基板100上的玻上芯片(COG)的结构形成。
因为触摸驱动器3与感测线600连接，所以触摸驱动器3从感测线600接收用户的触摸信号。触摸驱动器3通过感测由用户触摸导致的电容变化来检测是否存在用户触摸并检测用户的触摸位置。
图3是图解根据本发明另一个实施方式的液晶显示装置的下基板的简要平面图。除了感测线600之外，图3的液晶显示装置与图2的显示装置相同。因此，在整个附图中将使用相同的参考标记指代相同的部件，并将省略对相同部分的重复描述。
如图3中所示，根据本发明的另一个实施方式，多条感测线600以一对一的结构与多个公共电极700连接。特别地，多条感测线600以彼此相同的长度布置在其中显示图像的显示区域上。
根据图2的前述显示装置，感测线600的一端通过驱动集成电路1延伸至触摸驱动器3，感测线600的另一端与接触部600a连接。也就是说，根据图2，感测线600延伸至与公共电极700连接的接触部600a，由此与布置在第一行中的公共电极700连接的感测线600的长度长于与布置在第二行中的公共电极700连接的感测线600的长度。
与此相对照，根据图3的显示装置，感测线600的一端通过驱动集成电路1与触摸驱动器3连接，感测线600的另一端延伸至布置在第一行中的公共电极700的顶端。因此，在图3中，与布置在第一行中的公共电极700连接的感测线600在显示区域中形成为具有与布置在第二行中的公共电极700连接的感测线600的长度相同的长度。
如果如图3中所示多条感测线600以彼此相同的长度形成在显示区域中，则感测线600的图案均匀性大于如图2中所示多条感测线600以彼此不同的长度形成在显示区域中的情形，由此可提高可视性。
下文，将通过剖面结构更详细地描述根据本发明实施方式的显示装置。
第一个实施方式
图4是图解根据本发明第一个实施方式的显示装置的剖面图，图解了沿图2的线A-A，B-B和C-C的剖面。图2的线A-A图解了薄膜晶体管区域，图2的线B-B图解了栅极焊盘区域，图2的线C-C图解了数据焊盘区域。
如图4中所示，在基板100上形成有栅极电极210和栅极焊盘215。栅极电极210形成在薄膜晶体管区域中，栅极焊盘215形成在栅极焊盘区域中。栅极电极210可从前述栅极线200延伸，栅极焊盘215通过面板内栅极2与栅极线200的一端连接。
在栅极电极210和栅极焊盘215上形成有栅极绝缘膜220。栅极绝缘膜220形成在基板的除了第三接触孔CH3区域之外的整个表面上。
在栅极绝缘膜220上图案化有半导体层230和数据焊盘315。半导体层230形成在薄膜晶体管区域中，并可由基于硅的半导体材料或氧化物半导体材料形成。数据焊盘315形成在数据焊盘区域中，并与前述数据线300的一端连接。
在半导体层230上图案化有源极电极310和漏极电极320。源极电极310和漏极电极320形成在薄膜晶体管区域中。源极电极310与数据线300连接，漏极电极320在与源极电极310相对的同时与源极电极310间隔开。
在数据线300、源极电极310和漏极电极320上形成有第一钝化膜410。第一钝化膜410形成在除了薄膜晶体管区域中的第一接触孔CH1区域之外的区域，且不形成在其中形成有栅极焊盘215的栅极焊盘区域和其中形成有数据焊盘315的数据焊盘区域中。第一钝化膜410可由诸如硅氮化物或硅氧化物这样的无机绝缘材料形成。
在第一钝化膜410上形成有第二钝化膜420。第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区域中。可从栅极焊盘区域和数据焊盘区域省略(即，不形成)第二钝化膜420。第二钝化膜420可由诸如丙烯酸树脂这样的包括光学活性化合物(PAC)的有机绝缘材料形成。第二钝化膜420可以以比第一钝化膜410厚的厚度形成，并可用于使基板平坦化。
第一钝化膜410和第二钝化膜420被构造成：存在穿过第一钝化膜410和第二钝化膜420的第一接触孔CH1，第一接触孔CH1从第一钝化膜410和第二钝化膜420至少部分地暴露漏极电极。
在第二钝化膜420上图案化有像素电极500，像素电极500至少部分填充穿过第一钝化膜410和第二钝化膜420的第一接触孔CH1。像素电极500形成在薄膜晶体管区域中。像素电极500通过第一接触孔CH1与漏极电极320连接。第一接触孔CH1由分别形成在第一钝化膜410和第二钝化膜420中的孔的组合形成。
在像素电极500上形成有第三钝化膜430。第三钝化膜430形成在基板的除了用于第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第三钝化膜430可由诸如硅氮化物或硅氧化物这样的无机绝缘材料形成。
在第三钝化膜430上图案化有设置有接触部600a的感测线600。感测线600形成在薄膜晶体管区域中。
在感测线600上形成有第四钝化膜440。第四钝化膜440形成在基板的除了用于第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第四钝化膜440可由诸如硅氮化物或硅氧化物这样的无机绝缘材料形成。
在第四钝化膜440上图案化有公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。公共电极700形成在薄膜晶体管区域中，栅极焊盘电极750形成在栅极焊盘区域中，数据焊盘电极760形成在数据焊盘区域中。
公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760通过一道工艺使用一种材料形成在一层上。
公共电极700被图案化成其中设置有多个狭缝710。公共电极700通过设置在第四钝化膜440中的第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750通过由分别形成在栅极绝缘膜220、第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合形成的第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760通过由分别形成在第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合形成的第四接触孔CH4与数据焊盘315连接。
图5A到5I是图解根据本发明第一个实施方式的显示装置的基板的制造工艺步骤的简要剖面图，其涉及制造图4中所示的显示装置的基板的工艺。
如图5A中所示，在基板100上图案化栅极电极210和栅极焊盘215。栅极电极210形成在薄膜晶体管区域中，栅极焊盘215形成在栅极焊盘区域中。
可在通过溅射方法在基板100上沉积薄膜层之后，通过诸如光刻胶沉积、曝光、显影、蚀刻和剥离这样的一系列掩模工艺来图案化栅极电极210和栅极焊盘215。还可通过薄膜层的沉积和这一系列掩模工艺执行后文将描述的用于形成元件的图案的工艺。
接着，如图5B中所示，在栅极电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘膜220，并在栅极绝缘膜220上图案化半导体层230。通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在基板的整个表面上形成栅极绝缘膜220，半导体层230形成在薄膜晶体管区域中。
接着，如图5C中所示，在半导体层230上图案化与数据线300连接的源极电极310和漏极电极320，并在栅极绝缘膜220上图案化数据焊盘315。
源极电极310和漏极电极320形成在薄膜晶体管区域中，数据焊盘315形成在数据焊盘区域中。
接着，如图5D中所示，在数据线300、数据焊盘315、源极电极310和漏极电极320上形成第一钝化膜410。在第一钝化膜410上图案化第二钝化膜420。
通过PECVD方法在基板的整个表面上形成第一钝化膜410。
第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区域中。更详细地说，在基板的整个表面上沉积包括光学活性化合物(PAC)的有机绝缘材料之后，通过曝光和显影工艺图案化第二钝化膜420。第二钝化膜420被图案化为具有用于组成第一接触孔CH1的孔。
接着，如图5E中所示，为了将漏极电极320暴露到外部，蚀刻与第一接触孔CH1对应的第一钝化膜410区域，从而完成第一接触孔CH1。在此，第一钝化膜410区域对应于在第一钝化膜410上的由设置于第二钝化膜420中的孔暴露的区域。漏极电极320通过第一接触孔CH1暴露到外部。还在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中蚀刻第一钝化膜410。
接着，如图5F中所示，在第二钝化膜420上图案化像素电极500。像素电极500被图案化在薄膜晶体管区域中，从而通过第一接触孔CH1与漏极电极320连接。
接着，如图5G中所示，在像素电极500上形成第三钝化膜430，并在第三钝化膜430上图案化设置有接触部600a的感测线600。
通过PECVD方法在基板的整个表面上形成第三钝化膜430，感测线600被图案化在薄膜晶体管区域中。
接着，如图5H中所示，在感测线600上形成第四钝化膜440之后，形成第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4。
通过PECVD方法在基板的整个表面上形成第四钝化膜440。
通过蚀刻第四钝化膜440的预定区域形成第二接触孔CH2，感测线600的接触部600a通过第二接触孔CH2暴露到外部。
通过蚀刻栅极绝缘膜220、第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域形成第三接触孔CH3。栅极焊盘215通过第三接触孔CH3暴露到外部。
通过蚀刻第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域形成第四接触孔CH4。数据焊盘315通过第四接触孔CH4暴露到外部。
接着，如图5I中所示，在第四钝化膜440上图案化公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。
公共电极700被图案化在薄膜晶体管区域中，从而在其中设置有多个狭缝710。特别地，公共电极700被图案化为通过第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750被图案化在栅极焊盘区域中，从而通过第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760被图案化在数据焊盘区域中，从而通过第四接触孔CH4与数据焊盘315连接。
根据图5A到图5I的前述方法，当在图5E的工艺过程中蚀刻第一钝化膜410以便将漏极电极320暴露到外部时，由于数据焊盘315的暴露，数据焊盘315的形态结构可能劣化，如图6A中所示。由于此原因，如图6B中所示，当根据图5H的工艺通过蚀刻第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域形成第四接触孔CH4时，由于气体回流而可能产生底切(undercut)。如图6C中所示，由于这种底切，可产生下述问题，即当通过图5I的工艺形成数据焊盘电极760时，数据焊盘电极760可能开裂。
下文，将描述更优选的可防止产生底切的显示装置及其制造方法。
第二个实施方式
图7是图解根据本发明第二个实施方式的显示装置的剖面图，图解了沿图2的线A-A，B-B和C-C的剖面。图2的线A-A图解了薄膜晶体管区域，图2的线B-B图解了栅极焊盘区域，图2的线C-C图解了数据焊盘区域。
如图7中所示，在基板100上图案化有栅极电极210和栅极焊盘215。栅极电极210形成在薄膜晶体管区域中，栅极焊盘215形成在栅极焊盘区域中。栅极电极210可从前述栅极线200延伸，栅极焊盘215通过面板内栅极2与栅极线200的一端连接。
在栅极电极210和栅极焊盘215上形成有栅极绝缘膜220。栅极绝缘膜220形成在基板的除了第三接触孔CH3区域之外的整个表面上。
在栅极绝缘膜220上图案化有半导体层230和数据焊盘315。半导体层230形成在薄膜晶体管区域中，并可由基于硅的半导体材料或氧化物半导体材料形成。数据焊盘315形成在数据焊盘区域中，并与前述数据线300的一端连接。
在半导体层230上图案化有源极电极310和漏极电极320。源极电极310和漏极电极320形成在薄膜晶体管区域中。源极电极310与数据线300连接，漏极电极320在与源极电极310相对的同时与源极电极310间隔开。
在数据线300、数据焊盘315、源极电极310和漏极电极320上形成有第一钝化膜410。也就是说，在第一个实施方式中，第一钝化膜410形成在除了薄膜晶体管区域中的第一接触孔CH1之外的区域且不形成在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中。然而，在第二个实施方式中，第一钝化膜410形成在基板的除了用于第一接触孔CH1、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第一钝化膜410可由诸如硅氮化物或硅氧化物这样的无机绝缘材料形成。
在第一钝化膜410上形成有第二钝化膜420。第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区域中。第二钝化膜420可不形成在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中。第二钝化膜420可由诸如丙烯酸树脂这样的包括光学活性化合物(PAC)的有机绝缘材料形成。第二钝化膜420可以以比第一钝化膜410厚的厚度形成，并可用于使基板平坦化。
在第二钝化膜420上图案化有像素电极500。像素电极500形成在薄膜晶体管区域中。像素电极500通过第一接触孔CH1与漏极电极320连接。第一接触孔CH1由分别形成在第一钝化膜410和第二钝化膜420中的孔的组合形成。
在像素电极500上形成有第三钝化膜430。第三钝化膜430形成在基板的除了用于第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第三钝化膜430可由诸如硅氮化物或硅氧化物这样的无机绝缘材料形成。
在第三钝化膜430上图案化有设置有接触部600a的感测线600。感测线600形成在薄膜晶体管区域中。
在感测线600上形成有第四钝化膜440。第四钝化膜440形成在基板的除了用于第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第四钝化膜440可由诸如硅氮化物或硅氧化物这样的无机绝缘材料形成。
在第四钝化膜440上图案化有公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。公共电极700形成在薄膜晶体管区域中，栅极焊盘电极750形成在栅极焊盘区域中，数据焊盘电极760形成在数据焊盘区域中。
公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760通过一道工艺使用一种材料形成在一层上。
公共电极700被图案化成在其中设置有多个狭缝710。公共电极700通过设置在第四钝化膜440中的第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750通过由分别形成在栅极绝缘膜220、第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合形成的第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760通过由分别形成在第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合形成的第四接触孔CH4与数据焊盘315连接。
图8A到8J是图解根据本发明第二个实施方式的显示装置的基板的制造工艺步骤的简要剖面图，其涉及制造图7中所示的显示装置的基板的工艺。
首先，如图8A中所示，在基板100上图案化栅极电极210和栅极焊盘215。栅极电极210形成在薄膜晶体管区域中，栅极焊盘215形成在栅极焊盘区域中。
可在通过溅射方法在基板100上沉积薄膜层之后，通过诸如光刻胶沉积、曝光、显影、蚀刻和剥离这样的一系列掩模工艺图案化栅极电极210和栅极焊盘215。还可通过薄膜层的沉积和这一系列掩模工艺执行后文将描述的用于形成元件的图案的工艺。
接着，如图8B中所示，在栅极电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘膜220，并在栅极绝缘膜220上图案化半导体层230。通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在基板的整个表面上形成栅极绝缘膜220，半导体层230形成在薄膜晶体管区域中。
接着，如图8C中所示，在半导体层230上图案化与数据线300连接的源极电极310和漏极电极320，并在栅极绝缘膜220上图案化数据焊盘315。
源极电极310和漏极电极320形成在薄膜晶体管区域中，数据焊盘315形成在数据焊盘区域中。
接着，如图8D中所示，在数据线300、数据焊盘315、源极电极310和漏极电极320上形成第一钝化膜410。在第一钝化膜410上图案化第二钝化膜420。
通过PECVD方法在基板的整个表面上形成第一钝化膜410。
第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区域中。更详细地说，在基板的整个表面上沉积包括光学活性化合物(PAC)的有机绝缘材料之后，通过曝光和显影工艺图案化第二钝化膜420。第二钝化膜420被图案化为具有用于组成第一接触孔CH1的孔。
接着，如图8E中所示，在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中的第一钝化膜410上图案化蚀刻阻止层800。蚀刻阻止层800是为了在后续工艺(图8F的工艺)过程中蚀刻第一钝化膜410以形成第一接触孔CH1时防止数据焊盘区域被蚀刻。在基板的整个表面上沉积包括光学活性化合物(PAC)的有机绝缘材料之后，通过曝光和显影工艺图案化蚀刻阻止层800。
接着，如图8F中所示，蚀刻与第一接触孔CH1区域对应的第一钝化膜410区域，即蚀刻由设置于第二钝化膜420中的孔暴露的第一钝化膜410区域，由此完成第一接触孔CH1，并去除蚀刻阻止层800。
漏极电极320通过第一接触孔CH1暴露到外部。
接着，如图8G中所示，在第二钝化膜420上图案化像素电极500。像素电极500被图案化在薄膜晶体管区域中，从而通过第一接触孔CH1与漏极电极320连接。
接着，如图8H中所示，在像素电极500上形成第三钝化膜430，并在第三钝化膜430上图案化设置有接触部600a的感测线600。
通过PECVD方法在基板的整个表面上形成第三钝化膜430，感测线600被图案化在薄膜晶体管区域中。
接着，如图8I中所示，在感测线600上形成第四钝化膜440之后，形成第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4。
通过PECVD方法在基板的整个表面上形成第四钝化膜440。
通过蚀刻第四钝化膜440的预定区域形成第二接触孔CH2，感测线600的接触部600a通过第二接触孔CH2暴露到外部。
通过蚀刻栅极绝缘膜220、第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域形成第三接触孔CH3。栅极焊盘215通过第三接触孔CH3暴露到外部。
通过蚀刻第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域形成第四接触孔CH4。数据焊盘315通过第四接触孔CH4暴露到外部。
接着，如图8J中所示，在第四钝化膜440上图案化公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。
公共电极700被图案化在薄膜晶体管区域中，从而在其中设置有多个狭缝710。特别地，公共电极700被图案化为通过第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750被图案化在栅极焊盘区域中，从而通过第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760被图案化在数据焊盘区域中，从而通过第四接触孔CH4与数据焊盘315连接。
根据图8A到图8J的前述方法，因为图案化蚀刻阻止层800以防止在图8E的工艺过程中栅极焊盘区域被蚀刻，所以增加了掩模数量，且组成蚀刻阻止层800的有机绝缘材料在图案化蚀刻阻止层800的工艺过程中可能残留在第一接触孔CH1区域中。换句话说，在基板的整个表面上沉积有机绝缘材料之后，通过曝光和显影工艺图案化蚀刻阻止层800，从而有机绝缘材料仅残留在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中。此时，如图9中所示，有机绝缘材料900可能会残留在第一接触孔CH1区域中而没有被去除。如果有机绝缘材料残留在第一接触孔CH1区域中，则在图8F的工艺过程中对应于第一接触孔CH1区域的第一钝化膜410区域没有被蚀刻，因而在一定程度上阻止了正确形成第一接触孔CH1。
下文，将描述相对于上述实施方式来说使用减少数量的掩模且其中有机绝缘材料残留在第一接触孔CH1区域的问题被避免的更优选的显示装置及其制造方法。
第三个实施方式
图10是图解根据本发明第三个实施方式的显示装置的剖面图，图解了沿图2的线A-A，B-B和C-C的剖面。图2的线A-A图解了薄膜晶体管区域，图2的线B-B图解了栅极焊盘区域，图2的线C-C图解了数据焊盘区域。
如图10中所示，在基板100上形成有栅极电极210和栅极焊盘215。栅极电极210形成在薄膜晶体管区域中，栅极焊盘215形成在栅极焊盘区域中。栅极电极210可从前述栅极线200延伸，栅极焊盘215通过面板内栅极2与栅极线200的一端连接。
在栅极电极210和栅极焊盘215上形成有栅极绝缘膜220。栅极绝缘膜220形成在基板的除了第三接触孔CH3区域之外的整个表面上。
在栅极绝缘膜220上图案化有半导体层230。半导体层230形成在薄膜晶体管区域和数据焊盘区域中，并可由基于硅的半导体材料或氧化物半导体材料形成。
在半导体层230上图案化有源极电极310、漏极电极320和数据焊盘315。源极电极310和漏极电极320形成在薄膜晶体管区域中的半导体层230上，数据焊盘315形成在数据焊盘区域中的半导体层230上。此时，数据焊盘315与前述数据线300的一端连接。源极电极310与数据线300连接，漏极电极320在与源极电极310相对的同时与源极电极310间隔开。
与根据第一和第二个实施方式的显示装置不同，在根据第三个实施方式的显示装置的情形中，在按适当顺序沉积用于形成半导体层230的材料层(未示出)和用于形成源极电极310/漏极电极320的源极/漏极电极层(未示出)之后，因为通过使用单个掩模的一道工艺同时图案化源极/漏极电极层和材料层，所以除了薄膜晶体管区域之外，半导体层230甚至还形成在数据焊盘区域中的数据焊盘315下方。
此外，在根据第三个实施方式的显示装置的情形中，如上所述，因为在用于形成半导体层230的材料层上沉积源极/漏极电极层之后使用单个掩模同时图案化源极/漏极电极层和材料层，所以可使半导体层230的尾部(tail)最小化。
在数据线300、源极电极310和漏极电极320上形成有第一钝化膜410。第一钝化膜410形成在除了薄膜晶体管区域中的开口区域H之外的区域且不形成在设置有栅极焊盘215的栅极焊盘区域和设置有数据焊盘315的数据焊盘区域中。第一钝化膜410可由诸如硅氮化物或硅氧化物这样的无机绝缘材料形成。
在第一钝化膜410上形成有第二钝化膜420。第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区域中。可在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中省略(即，不形成)第二钝化膜420。第二钝化膜420可由诸如丙烯酸树脂这样的包括光学活性化合物(PAC)的有机绝缘材料形成。第二钝化膜420可以以比第一钝化膜410厚的厚度形成，并可用于使基板平坦化。
第一钝化膜410和第二钝化膜420被构造成：存在穿过第一和第二钝化膜的孔，该孔从第一钝化膜410和第二钝化膜420至少部分地暴露源极电极310和漏极电极320。
在第二钝化膜420上图案化有像素电极500、第一钝化电极510和第一连接电极520。像素电极500形成在薄膜晶体管区域中并至少部分填充穿过第一钝化膜410和第二钝化膜420的孔。特别地，在根据第三个实施方式的显示装置的情形中，在通过开口区域H暴露的被图案化的源极/漏极电极层上形成用于形成像素电极500的材料层(未示出)之后，当形成薄膜晶体管的沟道时，部分去除用于形成像素电极500的材料层和源极/漏极电极层。因此，与其中像素电极500通过第一接触孔CH1与漏极电极320连接的第一和第二个实施方式不同，在第三个实施方式中，薄膜晶体管的沟道以下述状态形成，即在形成沟道之前，用于形成像素电极500的材料层和源极/漏极电极层彼此直接接触。结果，第三个实施方式具有像素电极500通过穿过第一钝化膜410和第二钝化膜420的孔与漏极电极320直接连接的结构。而且，像素电极500与位于栅极电极210的至少一部分上方的漏极电极320的区域接触；换句话说，与基板垂直的、穿过漏极电极的所述区域的平面与栅极电极210的所述部分交叉。根据此结构，在根据第三个实施方式的显示装置中，比根据第一和第二个实施方式的显示装置更加改善了透射率。
在源极电极310上方的第二钝化膜420的区域上图案化有第一钝化电极510，第一钝化电极510用于在用于形成薄膜晶体管的沟道的蚀刻工艺中防止源极电极310被损坏。
在数据焊盘区域中形成有覆盖整个数据焊盘315的第一连接电极520。更详细地说，第一连接电极520被形成为覆盖数据焊盘315，并延伸至其中数据焊盘315未形成在栅极绝缘膜220上的区域。
同时，在形成像素电极500的工艺过程中，辅助电极530保留在对应于第二接触孔CH2的区域中，以形成感测线600，这将在后面描述。
像素电极500、第一钝化电极510、第一连接电极520和辅助电极530通过一道工艺使用一种材料形成在一层上。
在辅助电极530上图案化有设置有接触部600a的感测线600。在第一钝化电极510上图案化有在图案化感测线600的工艺过程中与感测线600一起形成的第二钝化电极610，在漏极电极320上方的像素电极500的区域上图案化有第三钝化电极620，在第一连接电极520上图案化有第二连接电极630。第二连接电极630以与第一连接电极520相同的形状被图案化。
第二钝化电极610用于与第一钝化电极510一起在形成沟道的工艺过程中防止源极电极310被蚀刻，第三钝化电极620用于在形成沟道的工艺过程中防止像素电极500和漏极电极320被蚀刻。
第二连接电极630用于与第一连接电极520一起将数据焊盘电极760与数据焊盘315连接。
感测线600、第二钝化电极610、第三钝化电极620和第二连接电极630通过一道工艺使用一种材料形成在一层上。
在感测线600、第二钝化电极610、第三钝化电极620和第二连接电极630上形成有第四钝化膜440。也就是说，第四钝化膜440形成在基板的除了用于第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第四钝化膜440可由诸如硅氮化物或硅氧化物这样的无机绝缘材料形成。
在第四钝化膜440上图案化有公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。公共电极700形成在薄膜晶体管区域中，栅极焊盘电极750形成在栅极焊盘区域中，数据焊盘电极760形成在数据焊盘区域中。公共电极700至少部分填充穿过第四钝化膜440的第二接触孔CH2，从而公共电极700通过第二接触孔CH2与感测线600连接。栅极焊盘电极750至少部分填充第三接触孔CH3，从而栅极焊盘电极750通过第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。数据焊盘电极760至少部分填充第四接触孔CH4，从而数据焊盘电极760通过经第四接触孔CH4暴露的第一连接电极520和第二连接电极630与数据焊盘315连接。
在第三个实施方式的显示装置中，第四接触孔CH4形成在第四钝化膜440的其中不与数据焊盘315交叠而从数据焊盘315横向偏移的区域中。换句话说，在第三个实施方式中，与基板垂直的穿过第四接触孔CH4的平面不与数据焊盘315交叉。因此，在第三个实施方式的显示装置中，当部分去除第四钝化膜440以形成第四接触孔时，可防止数据焊盘315随第四钝化膜440一起被蚀刻，由此可防止在数据焊盘315中出现底切。
公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760通过一道工艺使用一种材料形成在一层上。
公共电极700被图案化成在其中设置有多个狭缝710。公共电极700通过设置在第四钝化膜440中的第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750通过由分别形成在栅极绝缘膜220、第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合形成的第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760通过经形成在不与数据焊盘315交叠而从数据焊盘315横向偏移的区域中的第四接触孔CH4暴露的第一连接电极520和第二连接电极630与数据焊盘315连接。
图11A到11J是图解根据本发明第三个实施方式的显示装置的基板的制造工艺步骤的简要剖面图，其涉及制造图10中所示的显示装置的基板的工艺。
如图11A中所示，在基板100上图案化栅极电极210和栅极焊盘215。栅极电极210形成在薄膜晶体管区域中，栅极焊盘215形成在栅极焊盘区域中。
在通过溅射方法在基板100上沉积薄膜层之后，可通过诸如光刻胶沉积、曝光、显影、蚀刻和剥离这样的一系列掩模工艺图案化栅极电极210和栅极焊盘215。还可通过薄膜层的沉积和这一系列掩模工艺执行后文将描述的用于形成元件的图案的工艺。
接着，如图11B中所示，在栅极电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘膜220，并在栅极绝缘膜220上形成用于形成半导体层230的材料层和用于形成源极和漏极电极的源极/漏极电极层。通过使用单个掩模的一道工艺图案化材料层和源极/漏极电极层，由此形成半导体层230和源极/漏极电极层图案330。在此工艺中，在薄膜晶体管区域中形成包括半导体层230的第一部分和源极/漏极电极层图案330的第一部分的第一图案。在数据焊盘区域中形成包括半导体层230的第二部分和由源极/漏极电极层图案330的第二部分形成的数据焊盘315的第二图案。
通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在基板的整个表面上形成栅极绝缘膜220。
接着，如图11C中所示，在源极/漏极电极层图案330和数据焊盘315上形成第一钝化膜410，并在第一钝化膜410上图案化第二钝化膜420。
通过PECVD方法在基板的整个表面上形成第一钝化膜410。
第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区域中。更详细地说，在基板的整个表面上沉积包括光学活性化合物(PAC)的有机绝缘材料之后，通过曝光和显影工艺图案化第二钝化膜420。第二钝化膜420被图案化为具有用于部分暴露薄膜晶体管区域中的第一钝化膜410的开口区域H(即，孔)。
接着，如图11D中所示，通过蚀刻去除经开口区域H暴露的第一钝化膜410以及形成在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中的第一钝化膜410区域。然后，在基板100的整个表面上沉积用于形成像素电极500的材料层500a和用于形成感测线600的材料层600b。结果，用于形成像素电极500的材料层500a直接形成在源极/漏极电极层图案330上，由此即使没有单独的接触孔，像素电极500以与后文将描述的工艺相同的方式与漏极电极320直接接触。
接着，如图11E中所示，在通过使用半色调掩模的单个工艺在除了预定区域之外的区域上图案化用于形成像素电极500的材料层500a和用于形成感测线600的材料层600b中的至少之一之后，蚀刻经开口区域H暴露的源极/漏极电极层图案330的至少一部分，由此形成沟道区域。通过源极/漏极电极层图案330的这种蚀刻在半导体层230上形成源极电极310和漏极电极320，由此完成薄膜晶体管。
在这种情形中，所述预定区域是指其中应当形成感测线600的区域和数据焊盘区域。
因此，在薄膜晶体管区域中形成沉积有辅助电极530和感测线600的图案、沉积有第一钝化电极510和第二钝化电极610的图案、以及沉积有像素电极500和第三钝化电极620的图案，在其中显示图像的透射区域中形成用于像素电极500的图案，在数据焊盘区域中形成沉积有第一连接电极520和第二连接电极630的图案。
接着，如图11F中所示，在基板100的整个表面上形成第四钝化膜440之后，形成第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4。
通过PECVD方法在基板的整个表面上形成第四钝化膜440。
通过蚀刻第四钝化膜440的预定区域形成第二接触孔CH2，感测线600的接触部600a通过第二接触孔CH2暴露到外部。
通过蚀刻栅极绝缘膜220和第四钝化膜440的预定区域形成第三接触孔CH3，栅极焊盘215通过第三接触孔CH3暴露到外部。
通过蚀刻第四钝化膜440的预定区域形成第四接触孔CH4，第二连接电极630通过第四接触孔CH4暴露到外部。在一个实施方式中，在第四钝化膜440的其中不与数据焊盘315交叠而从数据焊盘315横向偏移的区域上形成第四接触孔CH4。结果，当形成第四接触孔CH4时可防止数据焊盘315被蚀刻，由此可防止出现数据焊盘315的底切。
接着，如图11G中所示，在第四钝化膜440上图案化公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。
公共电极700被图案化在薄膜晶体管区域中，从而在其中设置有多个狭缝710。特别地，公共电极700被图案化为通过第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750被图案化在栅极焊盘区域中，从而通过第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760被图案化在数据焊盘区域中，从而通过与经第四接触孔CH4暴露的第一连接电极520和第二连接电极630的连接而与数据焊盘315连接。
根据图11A到11G的前述方法，因为在依次沉积之后通过一道工艺图案化源极/漏极电极层和用于形成半导体层230的材料层，所以与第一个实施方式相比，掩模数量减少1个。因为在依次沉积之后通过一道工艺图案化用于形成像素电极500的材料层和用于形成感测线600的材料层，所以与第一个实施方式相比，掩模数量又减少1个。结果，可仅使用六个掩模制造显示装置。因此，通过减少制造时间，可使生产率最大化。
此外，根据图11A到11G的方法，因为即使不使用额外的钝化膜也可解决数据焊盘中出现的底切，所以与使用额外钝化膜来防止出现底切的第二个实施方式相比，可减少掩模的数量，且自然可解决当去除额外钝化膜时钝化膜残留的问题。
如上所述已描述了组成显示装置的基板及其制造方法。本发明包括可使用前述基板的各种显示装置及其制造方法，例如液晶显示装置、等离子体显示面板和有机发光显示装置及其制造方法。
根据本发明，可获得下列优点。
当使用公共电极作为用于感测用户触摸的感测电极时，与现有技术不同，在显示面板上不需要单独的触摸屏，由此厚度减小，简化了制造工艺，且降低了制造成本。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中可进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的所有修改和变化。

Claims (18)

1.一种显示装置，包括：
形成在包括栅极线和与所述栅极线交叉的数据线的像素区域中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、半导体层、源极电极和漏极电极；
形成在所述薄膜晶体管上的第一钝化膜；
形成在所述第一钝化膜上的第二钝化膜，所述第一钝化膜和第二钝化膜被构造成存在穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔；
形成在所述第二钝化膜上并至少部分地填充穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔的像素电极，所述像素电极通过穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔与所述漏极电极连接；
形成在所述第二钝化膜上的感测线；
与所述感测线连接的公共电极；
与所述数据线的一端连接的数据焊盘；
形成在所述数据焊盘上并与所述数据焊盘连接的第一连接电极；
形成在所述第一连接电极上并与所述第一连接电极连接的第二连接电极；和
由与所述公共电极相同的材料形成的数据焊盘电极，所述数据焊盘电极通过所述第一连接电极和第二连接电极与所述数据焊盘连接，
其中所述半导体层不仅设置在基板与所述源极电极和漏极电极之间，而且设置在所述基板与所述数据焊盘之间，
其中所述第一连接电极由与所述像素电极相同的材料形成并且所述第一连接电极直接位于所述数据焊盘上，在所述第一连接电极与所述数据焊盘之间不具有钝化膜；所述第二连接电极由与所述感测线相同的材料形成，并且所述第二连接电极直接位于所述第一连接电极上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
形成在所述感测线和第二连接电极上的第三钝化膜，所述第三钝化膜被构造成存在穿过所述第三钝化膜的第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔至少部分地被所述公共电极填充，使得所述感测线通过所述第一接触孔与所述公共电极连接；所述第二接触孔至少部分地被所述数据焊盘电极填充，使得所述第二连接电极通过所述第二接触孔与所述数据焊盘电极连接，其中所述第二接触孔形成在所述第三钝化膜的从所述数据焊盘横向偏移的区域中。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素电极通过穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔与位于所述栅极电极上方的漏极电极的区域连接。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述感测线形成在所述数据线上方。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括由与所述像素电极相同的材料形成的第一钝化电极，所述第一钝化电极形成在所述第二钝化膜和源极电极上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括与所述感测线具有相同材料的第二钝化电极，所述第二钝化电极形成在所述第一钝化电极上。
7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括与所述感测线和第二钝化电极具有相同材料的第三钝化电极，所述第三钝化电极形成在所述像素电极上。
8.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在上面形成有栅极电极和栅极绝缘膜的基板的表面上依次形成用于形成半导体层的第一材料层和源极/漏极电极层；
同时图案化所述第一材料层和源极/漏极电极层，以在薄膜晶体管区域中形成第一图案并在数据焊盘区域中形成第二图案，所述第一图案包括所述半导体层的第一部分和所述源极/漏极电极层的第一部分，所述第二图案包括所述半导体层的第二部分和由所述源极/漏极电极层的第二部分形成的数据焊盘；
依次形成第一钝化膜和第二钝化膜，所述第一钝化膜和第二钝化膜被构造成存在穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔，所述源极/漏极电极层的至少一部分经由所述孔从包括所述第一图案的薄膜晶体管区域暴露；
在所述第二钝化膜上依次形成第二材料层和第三材料层；
通过使用半色调掩模的图案化工艺将所述第二材料层和第三材料层图案化，形成感测线图案、像素电极图案以及与所述数据焊盘连接的连接电极图案；
在所述感测线图案、像素电极图案以及连接电极图案上形成第三钝化膜；以及
在所述第三钝化膜上形成与所述感测线图案连接的公共电极并且使用与所述公共电极相同的材料形成与所述连接电极图案连接的数据焊盘电极，
其中所述连接电极图案包括第一连接电极和第二连接电极，
其中所述第一连接电极由与所述像素电极图案相同的材料形成并且所述第一连接电极直接位于所述数据焊盘上，在所述第一连接电极与所述数据焊盘之间不具有钝化膜；所述第二连接电极由与所述感测线图案相同的材料形成，并且所述第二连接电极直接位于所述第一连接电极上。
9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第三钝化膜包括：
将所述第三钝化膜构造成：形成用于连接所述感测线图案与所述公共电极的第一接触孔并形成用于连接所述连接电极图案与所述数据焊盘电极的第二接触孔，其中所述第二接触孔形成在所述第三钝化膜的从所述数据焊盘横向偏移的区域中。
10.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述感测线图案、像素电极图案以及连接电极图案包括：
通过部分蚀刻经由所述孔暴露的源极/漏极电极层形成源极电极和漏极电极。
11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述感测线图案、像素电极图案以及连接电极图案包括：
将所述像素电极图案形成为与位于所述栅极电极上方的漏极电极的区域连接，所述位于所述栅极电极上方的漏极电极的区域经由所述孔从所述第一钝化膜和第二钝化膜暴露。
12.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述感测线图案、像素电极图案以及连接电极图案包括：
通过所述第二材料层的图案化形成所述第一连接电极，使得所述第一连接电极与所述数据焊盘连接；
通过所述第三材料层的图案化形成所述第二连接电极，使得所述第二连接电极与所述第一连接电极和数据焊盘电极连接；
通过第四材料层的图案化形成所述感测线图案；以及
通过所述第三材料层的图案化形成所述像素电极图案。
13.一种显示装置，包括：
形成在包括栅极线和与所述栅极线交叉的数据线的像素区域中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、半导体层、源极电极和漏极电极；
形成在所述薄膜晶体管上的第一钝化膜；
形成在所述第一钝化膜上的第二钝化膜，所述第一钝化膜和第二钝化膜被构造成存在穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔；
形成在所述第二钝化膜和漏极电极上并至少部分地填充穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔的像素电极，所述像素电极通过穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔与所述漏极电极连接；
形成在所述第二钝化膜上的感测线；
与所述感测线连接的公共电极；
与所述数据线的一端连接的数据焊盘；和
由与所述公共电极相同的材料形成的数据焊盘电极，所述数据焊盘电极与所述数据焊盘连接，
其中所述半导体层不仅设置在基板与所述源极电极和漏极电极之间，而且设置在所述基板与所述数据焊盘之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述像素电极通过穿过所述第一钝化膜和第二钝化膜的孔与位于所述栅极电极上方的漏极电极的区域接触。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述感测线形成在所述数据线上方。
16.根据权利要求13所述的显示装置，还包括由与所述像素电极相同的材料形成的第一钝化电极，所述第一钝化电极形成在所述第二钝化膜和源极电极上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，还包括与所述感测线具有相同材料的第二钝化电极，所述第二钝化电极形成在所述第一钝化电极上。
18.根据权利要求17所述的显示装置，还包括与所述感测线和第二钝化电极具有相同材料的第三钝化电极，所述第三钝化电极形成在所述像素电极上。
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