CN102709327A - 氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及显示领域。所述氧化物薄膜晶体管，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。本发明避免了在制作氧化物薄膜晶体管的过程中刻蚀阻挡层对氧化物薄膜晶体管的活化层，或者漏电极和源电极造成的危害。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。
背景技术
有机发光显示器件是新一代的显示器件，与液晶显示器相比，具有很多优点，如：自发光、响应速度快、宽视角等，可以用于柔性显示、透明显示、3D显示等。
有源矩阵发光显示器为每一个像素配备了用于控制该像素的开关—薄膜晶体管，因此通过驱动电路，可以独立控制每一个像素，同时不会对其他像素造成串扰等影响。薄膜晶体管至少由栅极、源极、漏极、栅绝缘层和活化层组成。
目前活化层主要由硅组成，也可以由非晶硅或多晶硅组成。采用非晶硅制成的活化层的薄膜晶体管，因其特性的限制（如迁移率、开态电流等），难以用于需要较大电流和快速响应的场合，如有机发光显示器和大尺寸、高分辨率、高刷新频率的显示器等。采用多晶硅制成的活化层的薄膜晶体管，其特性优于采用非晶硅制成的活化层的薄膜晶体管，可以用于有机发光显示器，但是因为均匀性不佳，因此制备中大尺寸的面板仍有困难。可采用增加补偿电路的方法处理多晶硅特性不均匀的问题，但同时增加了像素中的薄膜晶体管和电容的数量，增加了掩膜数量和制作难度，造成产量减低和良率下降。另外，如果采用诸如ELA（准分子激光退火技术）等LTPS（低温多晶硅）技术来对非晶硅进行晶化，还将需要增加昂贵的设备和维护费用。
因此，氧化物半导体日益受到重视。氧化物半导体为活化层的薄膜晶体管的特性优于非晶硅，如迁移率、开态电流、开关特性等。虽然特性不如多晶硅，但足以用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分比率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。氧化物的均匀性较好，与多晶硅相比，由于没有均匀性问题，不需要增加补偿电路，在掩膜数量和制作难度上均有优势。在制作大尺寸的显示器方面也没有难度。而且采用溅射等方法就可以制备，不需增加额外的设备，具有成本优势。
在现有的一种氧化物薄膜晶体管的制作方法中，源电极和漏电极设置于活化层之上，为了形成源电极和漏电极，需采用刻蚀阻挡层来确保在对源漏金属层刻蚀时活化层不被刻蚀，这种工艺的缺点是刻蚀阻挡层中的H+离子会扩散到活化层中从而影响晶体管性能，而且还或多或少地会出现活化层被刻蚀的现象。
图1是现有的一种氧化物薄膜晶体管的典型结构图，该氧化物薄膜晶体管包括基板100、栅电极101、栅极绝缘层102、活化层103、刻蚀阻挡层104、漏电极105-1和源电极105-2。在现有氧化物薄膜晶体管的制作过程中，漏电极105-1、源电极105-2用湿法刻蚀来图案化，由于刻蚀液对漏电极105-1和源电极105-2下面的活化层103也具有刻蚀作用，因此采用一刻蚀阻挡层104来确保在对源漏金属层刻蚀时活化层103不被刻蚀，这种工艺的缺点是刻蚀阻挡层中的H+离子会扩散到活化层103中从而影响晶体管性能，而且还或多或少地会出现活化层被刻蚀的现象。
在现有的另一种氧化物薄膜晶体管的制作方法中，活化层设置于源电极和漏电极之上，为了形成活化层，需采用刻蚀阻挡层来确保在对活化层刻蚀而形成活化层时源电极和漏电极不被刻蚀，这种工艺的缺点是刻蚀阻挡层中的H+离子会扩散到源电极和漏电极中从而影响晶体管性能，而且还或多或少地会出现源电极和漏电极被刻蚀的现象。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，以避免刻蚀阻挡层对活化层，或者漏电极和源电极造成的危害。
为了达到上述目的，本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；
所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；
所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；
所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。
实施时，所述源电极和所述漏电极分别设置于所述活化层上；
所述钝化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板。
实施时，所述活化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板上；所述钝化层设置于设有所述活化层的基板上。
本发明还提供了一种阵列基板，包括上述任一所述的氧化物薄膜晶体管。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述所述的阵列基板。
本发明还提供了一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：在形成活化层和钝化层之间，至少在源电极与漏电极和活化层接触的区域外设置光刻胶；之后剥离该光刻胶。
实施时，本发明所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：在活化层上除了要分别形成漏电极和源电极的区域之外设置光刻胶；在所述活化层和所述光刻胶上沉积源漏金属层，通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的源漏金属层，从而在所述活化层上分别形成漏电极和源电极。
实施时，所述光刻胶上的源漏金属层和与所述活化层接触的源漏金属层之间存在一高度差。
实施时，在设置有光刻胶的基板上沉积源漏金属层步骤包括：在设置有光刻胶的基板上采用常温溅射或常温蒸镀沉积源漏金属层。
实施时，本发明所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：
在形成有漏电极和源电极的基板上，除了所述漏电极上和所述源电极上要与活化层连接的区域及要形成沟道的区域，设置光刻胶；
在设置有光刻胶的基板上沉积活化层，并通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的活化层，从而在设有所述源电极和所述漏电极的基板上设置活化层。
实施时，所述光刻胶上的活化层和与所述漏电极和所述源电极上的活化层之间存在一高度差。
实施时，在设置有光刻胶的基板上沉积活化层步骤包括：在设置有光刻胶的基板上采用常温溅射或常温蒸镀而沉积活化层。
与现有技术相比，本发明所述的氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，具有如下优点：
制作过程省去了刻蚀阻挡层，工艺简单化；
没有刻蚀阻挡层给活化层带来的如H+扩散、沉积刻蚀阻挡层时对活化层的伤害等；
将光刻胶剥离的剥离液对活化层没有刻蚀作用，不用担心活化层被刻蚀；
沉积源漏金属层采用常温蒸镀或常温溅射，避免了高温蒸镀或高温溅射沉积源漏金属层给活化层带来的危害；
工艺简单化，生产良率好控制。
附图说明
图1是现有的氧化物薄膜晶体管的典型结构图；
图2是本发明第一实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法的流程图；
图3是本发明第二实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法的流程图；
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F是本发明第三实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法的工艺流程示意图；
图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F是本发明第四实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法的工艺流程示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。本发明所述的氧化物薄膜晶体管制作方法可以适用于顶栅顶接触、顶栅底接触、底栅、双栅等结构的氧化物薄膜晶体管。
本发明所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：在形成活化层和钝化层之间，至少在源电极与漏电极和活化层接触的区域外设置光刻胶；之后剥离该光刻胶。
本发明所述的氧化物薄膜晶体管，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；
所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；
所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；
所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。
如图2所示，本发明第一实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法包括以下步骤：
步骤21：在活化层上除了要分别形成漏电极和源电极的区域之外设置光刻胶；
步骤22：在所述活化层和所述光刻胶上沉积源漏金属层；
步骤23：通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的源漏金属层，从而在所述活化层上分别形成漏电极和源电极。
如图3所示，本发明第二实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法包括以下步骤：
步骤31：在形成有漏电极和源电极的基板上，除了所述漏电极上和所述源电极上要与活化层连接的区域及要形成沟道的区域，设置光刻胶；
步骤32：在设置有光刻胶的基板上沉积活化层；
步骤33：通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的活化层，从而在设有所述源电极和所述漏电极的基板上设置活化层。
本发明第三施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法包括以下步骤：
步骤一：如图4A所示，在基板100上沉积栅电极层，对所述栅电极层光刻后形成图形化的栅电极101；在形成有栅电极101的基板100上沉积栅极绝缘层102；
所述栅电极101可以是由钼（Mo）、钼铌合金（MoNb）、铝（Al）、铝钕合金（AlNd）、钛（Ti）或铜（Cu）形成的单层栅电极；
所述栅电极101也可以是由钼（Mo）、钼铌合金（MoNb）、铝（Al）、铝钕合金（AlNd）、钛（Ti）、铜（Cu）中的多种材料形成的多层复合叠层组成；
优选时，所述栅电极101是由Mo、Al或包含Mo或Al的合金组成的单层栅电极；
优选时，所述栅电极101还可以是由Mo、Al、包含Mo或Al的合金中的多种材料组成的多层复合膜组成。
在基板100上沉积栅电极层的方法可以是溅射沉积方法；
所述基板可以为玻璃基板或石英基板，也可以为透明塑料材质，用作柔性显示；
所述栅极绝缘层102可以是由硅的氧化物（SiOx）、硅的氮化物（SiNx）或铪的氧化物（HfOx）组成的单层栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层102也可以是由硅的氧化物（SiOx）、硅的氮化物（SiNx）、铪的氧化物（HfOx）中的至少两种组成的多层复合膜组成；
所述栅极绝缘层102优选为由SiOx组成的单层栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层102采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）技术制作，所述栅极绝缘层102的厚度可以控制在100nm至400nm；
步骤二：如图4B所示，在所述栅极绝缘层102上沉积活化层并经过刻蚀后形成活化层103；
所述活化层103是由In（铟）、Ga（镓）、Zn（锌）、Sn（锡）中至少两种元素以及O(氧)组成的氧化物薄膜，例如可以为IGZO（氧化铟镓锌）薄膜、氧化铟锌(IZO)薄膜、氧化铟锡（InSnO）薄膜或氧化铟镓锡（InGaSnO）薄膜，优选为IGZO薄膜或IZO薄膜；所述活化层103的厚度控制在10nm至100nm；
步骤三：如图4C所示，在设有所述活化层103的基板100上涂布PR(光刻胶)107，并通过曝光显影去除所述活化层103上要分别形成漏电极和源电极的区域内的光刻胶；
所述光刻胶可以为醛树脂类光刻胶，由酚醛树脂、感光剂、添加剂等组成；
可以采用spin（旋转）、slit（挤压）或其他方法进行光刻胶的涂布；
所述光刻胶的厚度控制在0.3μm至5μm，其中优选2μm；
在所述栅极绝缘层102和所述活化层103上涂布光刻胶107后，为了保证溅射或蒸镀源漏金属层时光刻胶不起皮、剥离等，需要在涂布光刻胶107后对光刻胶107进行热烘烤使之固化；
步骤四：如图4D所示，在设有所述光刻胶107的基板100上沉积源漏金属层108，并该源漏金属层108的厚度为100nm至300nm；
由于该源漏金属层108的100nm至300nm的厚度不足以覆盖厚度为0.3μm至3μm的光刻胶107，使得所述光刻胶107上的源漏金属层108和与所述活化层103接触的源漏金属层108之间存在一高度差，以致于部分光刻胶107裸露出来，在之后光刻胶107被剥离时，剥离液从裸露的光刻胶107开始逐渐渗透到光刻胶107里面，使得光刻胶107被剥离，在光刻胶107上面的源漏金属层也随着光刻胶107一起被剥离掉，从而在所述活化层103上形成漏电极104-1和源电极104-2（如图4E所示）；
所述漏电极104-1和所述源电极104-2可以是由Mo（钼）、MoNb（钼铌合金）、Al（铝）、AlNd（铝钕合金）、Ti（钛）或Cu（铜）组成的单层电极；
所述漏电极104-1和所述源电极104-2也可以是由Mo（钼）、MoNb（钼铌合金）、Al（铝）、AlNd（铝钕合金）、Ti（钛）、Cu（铜）中的多种材料形成的多层复合叠层组成；
优选时，所述漏电极104-1和所述源电极104-2为由Mo、Al或包含Mo或Al的合金组成的单层电极；
优选时，所述漏电极104-1和所述源电极104-2还可以是由Mo、Al、包含Mo或Al的合金中的多种材料形成的多层复合膜组成。
由于高温沉积源漏金属层会破坏在步骤三中形成的光刻胶，因此本发明采用常温溅射或常温蒸镀来沉积源漏金属层，例如，可以在25摄氏度下沉积AL；
步骤五：如图4F所示，在形成有所述漏电极104-1和所述源电极104-2的基板100上沉积钝化层105；
所述钝化层105可以由SiOx（硅基氧化物）、SiNx（氮化硅）、HfOx（氧化铪）或AlOx（铝氧化物）组成；
所述钝化层105也可以由SiOx（硅基氧化物）、SiNx（氮化硅）、HfOx（氧化铪）、AlOx（铝氧化物）中的两种或多种组成的多层叠层膜组成；
所述钝化层105采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）技术制作，所述钝化层105的厚度可以控制在100nm至400nm；
优选的，本实施例制作的薄膜晶体管作为显示器件像素单元的开关部件时，还包括：在所述钝化层105上设置透明电极106；
所述透明电极106的厚度为350nm至1500nm，透过率控制在85%以上；
沉积透明电极106的方法优选为采用Sputter（溅射）工艺进行沉积；
在所述钝化层105上设置透明电极106时，先在所述钝化层105上沉积非晶态的ITO电极，刻蚀成图案之后进行退火，得到电阻率较低的晶体态ITO电极。
在本发明中所述透明电极106的透明导电薄膜的材料可以使用氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO），或其它高分子透明材料。
如图4F所示，采用本发明该实施例所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法制作而成的氧化物薄膜晶体管，也即本发明第一实施例所述的氧化物薄膜晶体管包括基板100、栅电极101、栅极绝缘层102、活化层103、漏电极104-1、源电极104-2、钝化层105和透明电极106，其中，
所述栅电极101设置于所述基板100上；
所述栅极绝缘层102设置于设有所述栅电极101的基板100上；
所述活化层103设置于所述栅极绝缘层102上；
所述漏电极104-1和所述源电极104-2分别设置于所述活化层103上；
所述漏电极104-1和源电极104-2之间的区域为沟道区域；
所述钝化层设105置于设有所述漏电极104-1和所述源电极104-2的基板上100；
所述透明电极106设置于所述钝化层105上；
所述源电极104-2与数据线（图中未示）连接，所述漏电极104-1通过绝缘层过孔与所述透明电极106连接（其中绝缘层过孔和连接关系图中未示）；
优选时，所述活化层103的厚度为10nm至100nm。
本发明第四实施例所述的氧化物薄膜晶体管制作方法包括以下步骤：
步骤一：如图5A所示，在基板100上沉积栅电极层，对所述栅电极层光刻后形成图形化的栅电极101；在栅电极101上沉积栅极绝缘层102；在所述栅极绝缘层102上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层刻蚀后形成图形化的源电极104-1和漏电极104-2；
所述栅电极101可以是由钼（Mo）、钼铌合金（MoNb）、铝（Al）、铝钕合金（AlNd）、钛（Ti）或铜（Cu）形成的单层栅电极；
所述栅电极101也可以是由钼（Mo）、钼铌合金（MoNb）、铝（Al）、铝钕合金（AlNd）、钛（Ti）、铜（Cu）中的多种材料形成的多层复合叠层组成；
优选时，所述栅电极101是由Mo、Al或包含Mo或Al的合金组成的单层栅电极；
优选时，所述栅电极101还可以是由Mo、Al、包含Mo或Al的合金中的多种材料组成的多层复合膜组成；
在基板100上沉积栅电极层的方法可以是溅射沉积方法；
所述栅极绝缘层102可以是由硅的氧化物（SiOx）、硅的氮化物（SiNx）或铪的氧化物（HfOx）组成的单层栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层102也可以是由硅的氧化物（SiOx）、硅的氮化物（SiNx）、铪的氧化物（HfOx）中的至少两种组成的多层复合膜组成；
所述栅极绝缘层102优选为由SiOx组成的单层栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层102采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）技术制作，所述栅极绝缘层102的厚度可以控制在100nm至400nm；
所述漏电极104-1和所述源电极104-2可以是由Mo（钼）、MoNb（钼铌合金）、Al（铝）、AlNd（铝钕合金）、Ti（钛）或Cu（铜）组成的单层电极；
所述漏电极104-1和所述源电极104-2也可以是由Mo（钼）、MoNb（钼铌合金）、Al（铝）、AlNd（铝钕合金）、Ti（钛）、Cu（铜）中的多种材料形成的多层复合叠层组成；
优选时，所述漏电极104-1和所述源电极104-2为由Mo、Al或包含Mo或Al的合金组成的单层电极；
优选时，所述漏电极104-1和所述源电极104-2还可以是由Mo、Al、包含Mo或Al的合金中的多种材料形成的多层复合膜组成。
步骤二：如图5B所示，在形成有漏电极104-1和源电极104-2的基板100上涂布PR(光刻胶)107，并通过曝光显影去除所述漏电极104-1和所述源电极104-2上要与所述活化层103连接的区域内的光刻胶及要形成沟道区域内的光刻胶；
所述光刻胶可以为醛树脂类光刻胶，由酚醛树脂、感光剂、添加剂等组成；
可以采用spin（旋转）、slit（挤压）或其他方法进行光刻胶的涂布；
所述光刻胶的厚度控制在0.3μm至3μm，其中优选2μm；
在形成有漏电极104-1和源电极104-2的基板100上涂布光刻胶107后，为了保证通过溅射或蒸镀而沉积活化层时光刻胶不起皮、剥离等，需要在涂布光刻胶107后对光刻胶107进行热烘烤使之固化；
步骤三：如图5C所示，在所述光刻胶107、所述漏电极104-1、所述源电极104-2和所述栅极绝缘层102上沉积活化层109，该活化层109的厚度设置在10nm-100nm，沉积温度为常温。由于该活化层109的10nm至100nm的厚度不足以覆盖厚度为0.3μm至5μm的光刻胶107，使得所述光刻胶107上的活化层109和与所述漏电极104-1和所述源电极104-2上的活化层109之间存在一高度差，以致于部分光刻胶107裸露出来（图5C中表层较细的线所示的是裸露出来的光刻胶），在之后光刻胶107被剥离时，剥离液从裸露的光刻胶107开始逐渐渗透到光刻胶107里面，使得光刻胶107被剥离，在光刻胶107上面的活化层也随着光刻胶107一起被剥离掉，从而在所述漏电极104-1和源电极104-2上形成活化层103（如图5D所示）。
所述活化层103是由In（铟）、Ga（镓）、Zn（锌）、Sn（锡）中至少两种元素以及O(氧)组成的氧化物薄膜，例如可以为IGZO（氧化铟镓锌）薄膜、氧化铟锌(IZO)薄膜、氧化铟锡（InSnO）薄膜或氧化铟镓锡（InGaSnO）薄膜，优选为IGZO薄膜或IZO薄膜；所述活化层103的厚度控制在10nm至100nm；
由于活化层103是在常温25摄氏度下采用溅射或蒸镀而沉积，因此不会伤害该步骤三中形成的光刻胶。
步骤四：如图5E所示，在设有所述活化层103的基板100上沉积钝化层105；
所述钝化层105可以由SiOx（硅基氧化物）、SiNx（氮化硅）、HfOx（氧化铪）或AlOx（铝氧化物）组成；
所述钝化层105也可以由SiOx（硅基氧化物）、SiNx（氮化硅）、HfOx（氧化铪）、AlOx（铝氧化物）中的两种或多种组成的多层叠层膜组成；
所述钝化层105采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）技术制作，所述钝化层105的厚度可以控制在100nm至400nm；
优选的，本实施例制作的薄膜晶体管作为显示器件像素单元的开关部件时，还包括：在所述钝化层105上设置透明电极106；
步骤五：如图5F所示，在所述钝化层105上设置透明电极106；
所述透明电极106的厚度为350nm至1500nm，所述透明电极106的透过率控制在85%以上；
沉积透明电极106的方法优选为采用Sputter（溅射）工艺进行沉积；
在所述钝化层105上设置透明电极106时，先在所述钝化层105上沉积非晶态的电极，刻蚀成图案之后进行退火，得到电阻率较低的晶体态电极。
如图5F所示，采用本发明该实施例所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法制作而成的氧化物薄膜晶体管，也即本发明第二实施例所述的氧化物薄膜晶体管包括基板100、栅电极101、栅极绝缘层102、活化层103、漏电极104-1、源电极104-2、钝化层105和透明电极106，其中，
所述栅电极101设置于所述基板100上；
所述栅极绝缘层102设置于设有所述栅电极101的基板100上；
所述漏电极104-1和所述源电极104-2设置于所述栅极绝缘层102上；
所述活化层103设置于设有所述漏电极104-1和所述源电极104-2的基板100上；
所述漏电极104-1和源电极104-2之间的区域为沟道区域；
所述钝化层105设置于设有所述活化层103的基板100上；
所述透明电极106设置于所述钝化层105上；
所述源电极104-2与数据线（图中未示）连接，所述漏电极104-1通过绝缘层过孔与所述透明电极106连接（其中绝缘层过孔和连接关系图中未示）；
优选时，所述活化层103的厚度为10nm至100nm。
本实施例还提供一种阵列基板，包括以上所述的氧化物薄膜晶体管。其中，氧化物薄膜晶体管的具体结构以及原理同上述实施例，在此不再赘述。
本实施例还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。其中，阵列基板具体结构以及原理同上述实施例，在此不再赘述。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围内。
Claims (12)
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；
所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；
所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；
所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。
2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，
所述源电极和所述漏电极分别设置于所述活化层上；
所述钝化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板。
3.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，
所述活化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板上；
所述钝化层设置于设有所述活化层的基板上。
4.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在形成活化层和钝化层之间，至少在源电极与漏电极和活化层接触的区域外设置光刻胶；之后剥离该光刻胶。
5.如权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在活化层上除了要分别形成漏电极和源电极的区域之外设置光刻胶；在所述活化层和所述光刻胶上沉积源漏金属层，通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的源漏金属层，从而在所述活化层上分别形成漏电极和源电极。
6.如权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光刻胶上的源漏金属层和与所述活化层接触的源漏金属层之间存在一高度差。
7.如权利要求5或6所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在设置有光刻胶的基板上沉积源漏金属层步骤包括：在设置有光刻胶的基板上采用常温溅射或常温蒸镀沉积源漏金属层。
8.如权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在形成有漏电极和源电极的基板上，除了所述漏电极上和所述源电极上要与活化层连接的区域及要形成沟道的区域，设置光刻胶；
在设置有光刻胶的基板上沉积活化层，并通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的活化层，从而在设有所述源电极和所述漏电极的基板上设置活化层。
9.如权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光刻胶上的活化层和与所述漏电极和所述源电极上的活化层之间存在一高度差。
10.如权利要求8或9所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
在设置有光刻胶的基板上沉积活化层步骤包括：在设置有光刻胶的基板上采用常温溅射或常温蒸镀而沉积活化层。
11.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至3中任一权利要求所述的氧化物薄膜晶体管。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的阵列基板。
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