CN102667985A - 电化学电容器 - Google Patents

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Abstract

提出一种能够增加电容的电化学电容器。该电化学电容器是形成于基板的表平面上的正电极和负电极。此外，电化学电容器具有电解质，并且正电极和负电极与电解质的相同表平面接触。换句话说，电化学电容器具有在电解质的表平面上的正电极活性材料和负电极活性材料，接触正电极活性材料的正电极集流器，以及接触负电极活性材料的负电极集流器。通过前述结构，可以增加电化学电容器的电容。

Description

电化学电容器
技术领域
本发明涉及电化学电容器及其制造方法。
背景技术
近年来，已经进行了电化学电容器的开发。作为电化学电容器的示例，有利用在电极与电解质溶液的界面静电累积的电容的正电荷与负电荷的双电层电容器（electric double layer capacitor，EDLC），以及利用采用电子转移过程（法拉第过程）在电极的表面累积的电容的氧化还原电容器（参照专利文献1）。
[参照]
专利文献1：日本专利申请公开第2007-123833号。
发明内容
在本发明的实施例中，提供一种新的电化学电容器的结构和电化学电容器的制造方法。另外，在本发明的实施例中，提出能够增加电容的电化学电容器。此外，在本发明的实施例中，提出能够改进生产率的电化学电容器的制造方法。
在本发明的实施例中，在基板（substrate，衬底）的表平面（surface plane）形成正电极和负电极是电化学电容器的特征。此外，在本发明的实施例中，有具有电解质、以及与电解质的相同表平面接触的正电极和负电极的电化学电容器。换句话说，电化学电容器具有与电解质的表平面接触并且在电解质的表平面上的正电极活性材料和负电极活性材料，接触正电极活性材料的正电极集流器（current collector）以及接触负电极活性材料的负电极集流器。
当电化学电容器是氧化还原电容器时，电解质形成于基板上。备选地，电解质作为支撑起作用。在此情况下，电解质由质子导体（proton conductor）形成。作为质子导体，使用硫酸氢铯、磷酸氢铯、氧化硅或包含氢的非晶半导体。作为包含氢的非晶半导体，有非晶硅、非晶硅锗或非晶锗。备选地，作为包含氢的非晶半导体，有包含氢的氧化物半导体；以及作为包含氢的氧化物半导体，有氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、氧化锡或氧化铟。此外，作为包含氢的非晶半导体，有In-M-Zn氧化物半导体（M选自于一个或多个金属元素Al、Ga、Fe、Ni、Mn以及Co），在其中InMO3（ZnO）m（m>0）的晶体可以包含于非晶结构中。另外，氮可以包含于In-M-Zn氧化物半导体中。通过包含氮，可以增加In-M-Zn氧化物半导体的氢浓度。
在电化学电容器是双电层电容器的情况下，正电极和负电极形成于基板的表面。并且，采用正电极和负电极形成的基板以及电解质溶液由密封件密封。
根据本发明的实施例，可以改进电化学电容器的生产率。另外，可以增加本发明的实施例的电化学电容器的电容。
附图说明
在附图中：
图1A和图1B是示出电化学电容器的结构的截面图。
图2A和图2B是示出电化学电容器的结构的俯视图。
图3A和图3B是示出电化学电容器的结构的截面图。
图4是示出电化学电容器的结构的截面图。
图5A和图5B是示出电化学电容器的结构的截面图。
图6是示出电化学电容器的结构的截面图。
图7是示出电化学电容器的循环伏安图的图表。
具体实施方式
以下，将参照附图描述本发明的实施例。注意本发明并不限于以下描述，并且本领域技术人员将容易理解可以做出各种改变和修改而不背离本发明的精神和范围。因此，本发明不应解释为限制于以下的实施例的描述。在参照附图的描述中，在一些情况下，在不同附图中相同参考标号公共地使用于相同部分。另外，在一些情况下，相同阴影图案应用于相似部件并且相似部分不必用参考标号标出。
（实施例1）
在本实施例中，将参照图1A和图1B描述电化学电容器的模式的氧化还原电容器的结构。
图1A示出了氧化还原电容器，其具有形成于基板120上的电解质126，形成于电解质126上的第一活性材料124和第二活性材料128，形成于第一活性材料124上的第一集流器122，以及形成于第二活性材料128上的第二集流器130。
图1B示出了氧化还原电容器，其具有形成于基板140上的第一集流器142和第二集流器150，形成于第一集流器142上的第一活性材料144，形成于第二集流器150上的第二活性材料148，与第一集流器142和第二集流器150的侧面加上第一活性材料144和第二活性材料148的表面和侧面重叠的电解质146。
塑料或陶瓷（如玻璃、石英、和氧化铝）可以用作基板120。注意，可以使用玻璃纤维增强的塑料（FRP）板、聚氟乙烯（PVF）膜、聚酯膜或丙烯酸树脂膜作为塑料。
第一集流器122和142或者第二集流器130和150作为正集流器起作用，并且另一个作为负集流器起作用。第一集流器122和142以及第二集流器130和150使用这些元素，例如铝、镍、钛、铜、金、银、铂和钴，或其合金或化合物。
此外，第一集流器122和142以及第二集流器130和150可以使用导电碳（例如活性碳）或导电聚合物（例如聚苯胺、聚噻吩和聚吡咯）。
注意，尽管在图1A和图1B中没有图示，然而第一集流器122和142或者第二集流器130和150连接到正电极端子或负电极端子，并且第一集流器122和142或者第二集流器130和150的另一个连接到正电极端子或负电极端子的另一个。
第一活性材料124和144或第二活性材料128和148作为正电极活性材料起作用，并且另一个作为负电极活性材料起作用。第一活性材料124和144以及第二活性材料128和148可以使用一个或多个氧化钌、氧化铱、氧化钴、氧化锰、氧化钨、氧化铌、氧化铁等。
注意，在使用导电聚合物（例如聚苯胺、聚噻吩和聚吡咯）的情况下，在第一集流器122和142以及第二集流器130和150，没有提供第一活性材料124和144以及第二活性材料128和148，并且导电聚合物作为集流器和活性材料两者起作用。
电解质126和146由固体质子导体形成，固体质子导体例如硫酸氢铯、磷酸氢铯、氧化硅或包含氢的非晶半导体。作为包含氢的非晶半导体，有非晶硅、非晶硅锗或非晶锗。作为包含氢的非晶半导体，有包含氢的氧化物半导体，典型地有氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、氧化锡或氧化铟。而且，作为包含氢的氧化物半导体，有In-M-Zn氧化物半导体（M选自于一个或多个金属元素Al、Ga、Fe、Ni、Mn和Co），其中InMO3（ZnO）m（m>0）的晶体可以包含于非晶结构中。另外，氮可以包含于In-M-Zn氧化物半导体中。通过包含氮，可以增加In-M-Zn氧化物半导体的氢浓度。
备选地，除了上述以外，In-Sn氧化物半导体、In-Sn-Zn氧化物半导体、In-Al-Zn氧化物半导体、Sn-Ga-Zn氧化物半导体、Al-Ga-Zn氧化物半导体、Sn-Al-Zn氧化物半导体、In-Zn氧化物半导体、Sn-Zn氧化物半导体、或Al-Zn氧化物半导体可以用作包含氢的氧化物半导体。此外，氧化硅可以包含于以上描述的金属氧化物中。
硫酸氢铯、磷酸氢铯或包含氢的氧化物半导体可以是水合氧化物。优选的水化物的水合数取决于金属类型而不同。
此外，质子导电高分子材料可以作为电解质126和146来使用。作为质子导电高分子材料，可以使用全氟磺酸离子交换树脂、其他离子交换树脂、或能够传导质子的高分子材料。
注意，可以在氧化还原电容器周围提供保护层132或保护层152。氮化硅、类金刚石碳（DLC）、氧化硅等可以作为保护层132和152使用。通过在氧化还原电容器周围提供保护层132或保护层152，氧化还原电容器能稳定操作并且可以减少其退化。
在图2A和图2B中图示图1A中所示出的氧化还原电容器的俯视图。
如图2A所示，第一集流器122和第二集流器130可以平行排列。备选地，如图2B所示，第一集流器122和第二集流器130可以是梳形（comb-shaped）的。以此方式，通过第一集流器122和第二集流器130为平行或梳形，可以扩大第一集流器122和第二集流器130的相反区，并且可以增加氧化还原电容器的电容。
注意，第一集流器122连接到正电极端子和负电极端子136的一个，并且第二集流器130连接到正电极端子和负电极端子134的另一个。然而，集流器与正电极端子或负电极端子的连接方法没有限制，并且集流器与正电极端子或负电极端子的组合可以适当改变。
注意，图1B所示出的氧化还原电容器的第一集流器142和第二集流器150可以具有图2A和图2B所图示的顶面形状。
接下来，将描述图1A所示出的氧化还原电容器的制造方法。
如在图1A中所图示的，电解质126形成于基板120上。电解质126使用这样的方法形成，该方法例如溅射法、CVD法、蒸发法、印刷法、溶胶-凝胶法或浸涂法。
当用硫酸氢铯或磷酸氢铯形成电解质126时，可以适当使用蒸发法、溶胶-凝胶法或浸涂法。
当通过溅射法形成包含氢的非晶半导体作为电解质126时，包含氢的非晶半导体可以通过使用包含氢的靶、并且惰性气体或带有氢的惰性气体作为溅射气体进行溅射而沉积在基板120上。注意，当在溅射气体中使用氢时，包含氢的靶并不是必须的。典型地，通过使用包含氢的硅靶、包含氢的锗靶或包含氢的硅锗靶、用惰性气体和/或氢作为溅射气体而进行溅射，来沉积非晶硅、非晶锗、或非晶硅锗。备选地，通过使用包含氢的氧化锌、包含氢的氧化钛、包含氢的氧化镍、包含氢的氧化钒、包含氢的氧化锡、包含氢的氧化铟或包含氢的In-M-Zn氧化物半导体（M选自于一个或多个金属元素Al、Ga、Fe、Ni、Mn和Co）作为靶、并且惰性气体或带有氢的惰性气体作为溅射气体的溅射，包含氢的非晶半导体可以沉积于基板120上。注意，当在溅射气体中使用氢时，包含氢的靶不是必须的。此外，可以使用反应溅射。典型地，包含氢的非晶半导体可以通过使用锌、钛、镍、钒、锡、铟或In-M-Zn合金（M选自于一个或多个金属元素Ga、Fe、Ni、Mn和Co）作为靶、并且使用带有氧的惰性气体或带有氧和氢的惰性气体作为溅射气体的溅射而沉积于基板120上。
此外，包含氢的非晶半导体可以在来源气体中使用包含氢原子的气体通过CVD法而沉积于基板120上。典型地，包含氢的非晶半导体可以使用硅烷、乙硅烷和/或锗烷通过等离子体CVD法而沉积于基板120上。注意，可以在来源气体中使用氢或者氢和惰性气体。
此外，非晶半导体形成于基板120上并且随后将氢加入到非晶半导体；从而，可以形成包含氢的非晶半导体。典型地，包含氢的非晶半导体可以通过在基板120上沉积非晶半导体并且随后在氢气氛中进行加热而形成。备选地，包含氢的非晶半导体可以通过在基板120上沉积非晶半导体、并且随后通过离子掺杂法或离子注入法将氢加入到非晶半导体而形成。
接下来，第一活性材料124和第二活性材料128形成于电解质126上。第一活性材料124和第二活性材料128使用例如溅射法、蒸发法、印刷法和喷墨法等方法而形成。
然后，将第一集流器122和第二集流器130分别形成于第一活性材料124和第二活性材料128上。第一集流器122和第二集流器130使用例如溅射法、蒸发法、印刷法和喷墨法等方法而形成。
本实施例中描述的氧化还原电容器的第一集流器122和第二集流器130可以同时形成。此外，能同时形成第一活性材料124和第二活性材料128。由此，可以减少过程步骤的数量。
此后，保护层132可以通过例如CVD法或溅射法等方法而形成。此外，可以附加粘性片。
通过以上过程，可以制造图1A所图示的氧化还原电容器。
对于图1B所图示的氧化还原电容器，第一集流器142和第二集流器150形成于基板140上。接下来，第一活性材料144和第二活性材料148分别形成于第一集流器142和第二集流器150上。然后，形成电解质146。接着形成保护层152。其制造方法分别与在图1A中所图示的第一集流器122和第二集流器130、第一活性材料124和第二活性材料128、电解质126、以及保护层132的制造方法相似。
在本实施例中，由于能使用半导体制造设备制造氧化还原电容器，所以可以改进生产率。此外，由于在本实施例中描述的氧化还原电容器的模式具有其中电解质与集流器重叠的结构，所以可以增加集流器与电解质的接触区。其结果是，可以增加氧化还原电容器的电容。
（实施例2）
在本实施例中，将参照图3A和图3B描述能够增加的电容大于实施例1的电容的氧化还原电容器。在本实施例描述的氧化还原电容器的特征是其具有形成于基板上的凹凸状的集流器或凹凸状的电解质。
图3A示出了氧化还原电容器，其具有：形成于基板180上的凹凸状的电解质186，形成于电解质186上的第一活性材料184和第二活性材料188，形成于第一活性材料184上的第一集流器182，以及形成于第二活性材料188上的第二集流器190。
图3B示出了氧化还原电容器，其具有：形成于基板200上的凹凸状的第一集流器202和凹凸状的第二集流器210，形成于第一集流器202上的第一活性材料204，形成于第二集流器210上的第二活性材料208，与第一集流器202和第二集流器210的侧面加上第一活性材料204和第二活性材料208的表面和侧面重叠的电解质206。
第一集流器182和202以及第二集流器190和210可以分别由与在实施例1描述的第一集流器122和142以及第二集流器130和150的材料相似的材料形成。
第一活性材料184和204以及第二活性材料188和208可以分别由与在实施例1描述的第一活性材料124和144以及第二活性材料128和148的材料相似的材料形成。
在本实施例描述的氧化还原电容器的第一集流器182和202以及第二集流器190和210可以同时形成。此外，能同时形成第一活性材料184和204以及第二活性材料188和208。由此，可以减少过程步骤的数量。
与在实施例1描述的电解质126和146的材料相似的材料可以用于电解质186和206。
图3A中所示出的凹凸状的电解质186，图3B中所示出的凹凸状的第一集流器202和第二集流器210，可以通过这些而形成：在基板上形成薄膜，通过光刻过程在薄膜上形成凹凸状的抗蚀剂掩模，然后在基板上使用前述抗蚀剂掩模各向异性地蚀刻薄膜。注意，凹凸状的抗蚀剂掩模可以通过使用半色调掩模或灰阶掩模的光刻过程而形成。另外，凹凸的抗蚀剂掩模可以通过用分档器（stepper）减少的投影曝光而形成。
注意，可以在氧化还原电容器周围提供保护层192或保护层212。用于实施例1中描述的保护层132的相似材料可以使用于保护层192和212。
通过在基板上形成凹凸状的集流器，活性材料与层叠于其上的电解质的接触区增加。此外，通过在基板上形成凹凸状的电解质，电解质与形成于其上的活性材料的接触区增加。由此，可以增加氧化还原电容器的电容。
在本实施例中，由于能使用半导体制造设备制造氧化还原电容器，所以可以改进生产率。此外，由于在本实施例中描述的氧化还原电容器具有在其中电解质覆盖集流器的结构，所以可以增加集流器与电解质的接触区。其结果是，可以增加氧化还原电容器的电容。
（实施例3）
在本实施例中，将参照图4描述具有与实施例1和实施例2的结构不同的结构的氧化还原电容器。
图4示出氧化还原电容器，其具有：电解质226，形成于电解质226上的第一活性材料224和第二活性材料228，形成于第一活性材料224上的第一集流器222，以及形成于第二活性材料228上的第二集流器230。
在本实施例中，电解质226作为氧化还原电容器的支撑起作用。典型地，使用硫酸氢铯、磷酸氢铯或包含氢的氧化物半导体的球团（pellet）作为电解质226。
接下来，将描述在本实施例中示出的氧化还原电容器的制造方法。
将成为电解质226的材料的粉末磨碎，并且减小粉末的颗粒大小。然后，在磨碎的粉末放进球团形成装置后，通过施加压力而形成球团。
接下来，第一活性材料224和第二活性材料228，以及第一集流器222和第二集流器230形成于球团上。然后，形成保护层232以覆盖第一活性材料224和第二活性材料228加上第一集流器222和第二集流器230。第一活性材料224和第二活性材料228可以以与在实施例1中描述的第一活性材料124和第二活性材料128的方式项似的方式形成。另外，第一集流器222和第二集流器230可以以与在实施例1中描述的第一集流器122和第二集流器130的方式相似的方式形成。此外，与在实施例1中描述的保护层132的材料相似的材料可以使用于保护层232。此外，形成片状或板状的第一集流器222和第二集流器230，并且在分别在第一集流器222和第二集流器230的一个表面上涂敷包括作为用于第一活性材料224和第二活性材料228的源材料（source material）的粉末的混合物之后，可以将第一集流器222和第二集流器230压进球团，以使混合物接触球团。然后，混合物可以通过加热来干燥。
在本实施例中，由于电解质作为氧化还原电容器的支撑起作用，所以不需要单独的基板；因此，能减少成本。
（实施例4）
将参照图5A和图5B描述在实施例1到实施例3中描述的氧化还原电容器的密封结构。在本实施例中，在实施例1中描述的氧化还原电容器将用于解释。
如图5A所示，氧化还原电容器由密封件302密封。在此情况下，尽管没有图示，但连接到第一集流器122的外部端子以及连接到第二集流器130的外部端子突出在密封件302外。注意，密封件302的内部可以经受减压。此外，密封件302的内部可以用惰性气体填充。作为密封件302，可以使用层压膜、金属密封罐等。此外，在图5A中，层叠了配备有氧化还原电容器的多个基板，并且每个氧化还原电容器可以串联连接或并联连接。
此外，如图5B所示，氧化还原电容器可以通过有机树脂304密封。在此情况下，尽管没有图示，但连接到第一集流器122的外部端子以及连接到第二集流器130的外部端子突出在有机树脂304外。由于在实施例1到实施例3中描述的氧化还原电容器的电解质是固体，所以可以通过有机树脂304容易地密封。注意，在图5B中，层叠了配备有氧化还原电容器的多个基板，并且每个氧化还原电容器串联连接或并联连接并可以通过有机树脂304密封。
通过串联连接形成于基板上的不同的氧化还原电容器，可以增加充电和放电电压。此外，通过并联连接形成于基板上的不同的氧化还原电容器，可以增加电容。
（实施例5）
在本实施例中，将参照图6描述作为电化学电容器的一个实施例的双电层电容器。
图6所示出的双电层电容器包括形成于基板240上的第一集流器242和第二集流器250，分别形成于第一集流器242和第二集流器250上的第一活性材料244和第二活性材料248，以及密封于密封件251内的电解质溶液246。
与在实施例1中描述的基板100的材料相似的材料可以使用于基板240。此外，多孔纤维材料例如无纺织物或聚烯烃基树脂材料的多孔膜可以用作基板240。
第一集流器242和第二集流器250可以使用例如不锈钢或铝形成。
第一活性材料244和第二活性材料248可以使用碳材料、导电材料和粘合剂形成。椰壳活性碳、酚活性碳等可以作为碳材料使用。乙炔黑、炉黑、碳黑或石墨可以作为导电材料使用。聚四氟乙烯、偏氟乙烯共聚物等可以作为粘合剂使用。
硫酸水溶液或盐酸水溶液的水基电解质溶液可以使用于电解质溶液246。备选地，可以使用在碳酸丙烯酯溶剂中溶解的铵盐或磷盐的非水电解质溶液。
由有机树脂夹着铝的层叠膜可以用于密封件251，但不限于此，可以适当地使用其他类型的层压膜。
注意，对于图6中所图示的双电层电容器，分别在基板240上形成第一集流器242和第二集流器250，并且在第一集流器242和第二集流器250上形成第一活性材料244和第二活性材料248。然而，双电层电容器可以用分别在基板240上形成第一活性材料244和第二活性材料248，并且在第一活性材料244和第二活性材料248上形成第一集流器242和第二集流器250而形成。
接下来，描述用于图6所图示的双电层电容器的制造方法。
第一集流器242和第二集流器250形成于基板240上。第一集流器242和第二集流器250可以以与在实施例1中描述的第一集流器122和第二集流器130的方式相似的方式制造。
接下来，在第一集流器242和第二集流器250上，第一活性材料244和第二活性材料248由碳材料、导电材料和粘合剂与溶剂混合的混合物形成。然后，在混合物印刷于第一集流器242和第二集流器250上后，进行干燥。混合物的印刷和干燥可以重复多次。
接下来，将用第一集流器242和第二集流器250加上第一活性材料244和第二活性材料248而形成的基板240设置在密封件251中，并且将电解质溶液注入到密封件251内。此后，密封件在减压下密封。
可以通过以上步骤制造双电层电容器。由于在本实施例中描述的双电层电容器具有在其中电解质覆盖集流器的结构，所以可以增加集流器和电解质的接触区。由此，可以增加双电层电容器的电容。
[示例1]
在此示例中，描述包含氢的In-Ga-Zn氧化物半导体用于电解质的氧化还原电容器的制造方法，并且图示由循环伏安法（CV）测量的氧化还原电容器的电特性。
对于电解质，通过溅射法在玻璃基板上以厚度100nm形成包含氢的In-Ga-Zn氧化物半导体。此时接下来描述沉积法。作为靶的In：Ga：Zn的组分等于1：1：0.5，溅射气体是30sccm的Ar和15sccm的O2，压力是0.4Pa，电力供应是0.5kW，电极之间的距离是60mm，以及膜形成温度是室温。当通过电子探针X线微量分析器（EPMA）分析在玻璃基板上沉积的层叠In-Ga-Zn氧化物半导体的组分时，O：Ga：In：Zn的原子比等于61.3：15.8：16.8：6。此外，根据次级离子质谱法（SIMS），氢浓度是7×1020atoms/cm3。
接下来，准备两个厚度为0.5mm，宽度为10mm，并且长度为63mm的碳板作为集流器，并且在碳板上涂敷包含氧化钌的混合物后，将涂敷有包含氧化钌的混合物的表面压入电解质。此时，两个碳板之间的距离为1mm。另外，此时，使用0.05g的氧化钌和1ml的水的氧化钌混合物。
然后，为了保持两个碳板之间的绝缘，将粘性绝缘胶带压接到暴露的In-Ga-Zn氧化物半导体，并且制造氧化还原电容器。
接下来，氧化还原电容器的电特性由循环伏安法来测量。此时的测量条件为充放电电压为0V到1V，扫描速度为100mV/s，循环次数为5次，并且测量间隔为100ms。在图7中图示循环伏安图。
由图7应理解可以制造In-Ga-Zn氧化物半导体用于电解质的氧化还原电容器。
本申请基于2009年9月30日向日本专利局提交的日本专利申请第2009-227004号，其全部内容通过参照并入与此。

Claims (18)

1.一种电化学电容器，包括：
电解质；
正电极；以及
负电极；
其中所述正电极和所述负电极与所述电解质的相同表平面接触。
2.根据权利要求1所述的电化学电容器，其中所述正电极是与所述电解质接触的活性材料以及与所述活性材料接触的集流器。
3.根据权利要求1所述的电化学电容器，其中所述负电极是与所述电解质接触的活性材料以及与所述活性材料接触的集流器。
4.根据权利要求1所述的电化学电容器，其中所述电解质形成于基板上。
5.根据权利要求1所述的电化学电容器，其中所述电解质包含硫酸氢铯或磷酸氢铯。
6.根据权利要求1所述的电化学电容器，其中所述电解质包含氧化硅。
7.根据权利要求1所述的电化学电容器，其中所述电解质是包含氢的非晶半导体。
8.根据权利要求7所述的电化学电容器，其中所述包含氢的非晶半导体是非晶硅、非晶硅锗或非晶锗。
9.根据权利要求7所述的电化学电容器，其中所述包含氢的非晶半导体是包含氢的氧化物半导体。
10.根据权利要求9所述的电化学电容器，其中所述包含氢的氧化物半导体是氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、氧化锡或氧化铟。
11.根据权利要求7所述的电化学电容器，其中所述包含氢的非晶半导体是In-M-Zn氧化物半导体（M选自于金属元素Al、Ga、Fe、Ni、Mn和Co的一个或多个）。
12.一种电化学电容器，包括：
基板；
电解质溶液；
在所述基板上的正电极；以及
在所述基板上的负电极；
其中所述正电极和所述负电极与相同的绝缘表平面接触，以及
其中密封件密封所述基板和所述电解质溶液。
13.根据权利要求12所述的电化学电容器，其中所述正电极是与所述电解质溶液接触的活性材料以及与所述活性材料接触的集流器。
14.根据权利要求12所述的电化学电容器，其中所述负电极是与所述电解质溶液接触的活性材料以及与所述活性材料接触的集流器。
15.根据权利要求12所述的电化学电容器，其中所述电解质溶液包含硫酸水溶液或盐酸水溶液。
16.根据权利要求12所述的电化学电容器，其中所述电解质溶液包含溶解于碳酸丙烯酯溶剂的铵盐或磷盐。
17.根据权利要求12所述的电化学电容器，其中所述密封件包括由有机树脂夹着铝的层压膜。
18.根据权利要求12所述的电化学电容器，其中所述相同的绝缘表平面是所述基板的表面。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8822088B2 (en) 2011-09-16 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device
CN104808409A (zh) * 2015-05-18 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置
US9646771B2 (en) 2012-03-26 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage element including positive electrode and negative electrode in the same plane over substrate and power storage device

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011040349A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Redox capacitor and manufacturing method thereof
JP5912316B2 (ja) 2010-08-04 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 電気二重層キャパシタ、又は太陽光発電装置
JP5795941B2 (ja) 2010-11-19 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 充電装置
CN102496470B (zh) * 2011-11-14 2014-01-15 清华大学 基于mems技术的非对称微型超级电容及其制作方法
KR101356791B1 (ko) 2012-01-20 2014-01-27 한국과학기술원 박막형 수퍼커패시터 및 그의 제조 방법
US9070950B2 (en) 2012-03-26 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device
US9001496B2 (en) * 2012-06-11 2015-04-07 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electric double-layer capacitor and electrode therefor
US9437369B2 (en) * 2012-07-11 2016-09-06 Jme, Inc. Conductive material with charge-storage material in voids
WO2014148872A1 (ko) * 2013-03-21 2014-09-25 한양대학교 산학협력단 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이, 및 이들의 제조방법
JP2016162904A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2017183299A (ja) * 2015-03-24 2017-10-05 株式会社村田製作所 電気二重層コンデンサ
US10074478B2 (en) * 2015-08-06 2018-09-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Capacitor
JP2018013765A (ja) 2016-04-28 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子デバイス
JP7060289B2 (ja) * 2016-05-23 2022-04-26 デイレル、イヴァン アラウジョ スーパーキャパシタの製造のための製造プロセス、および、細線スーパーキャパシタの製造のための製造プロセス
WO2018011675A1 (en) 2016-07-13 2018-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Graphene compound, method for forming graphene compound, and power storage device
EP3319156A1 (en) * 2016-11-07 2018-05-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrochemical device and method of preparing the same
KR102155871B1 (ko) * 2018-04-30 2020-09-15 한국에너지기술연구원 고용량 마이크로 슈퍼커패시터, 고용량 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법 및 마이크로 슈퍼커패시터용 집전체 형성방법
KR102191930B1 (ko) * 2019-06-28 2020-12-16 전북대학교산학협력단 슈퍼 커패시터 및 3차원 직접 인쇄를 이용한 그 제조 방법
TWI723680B (zh) * 2019-12-13 2021-04-01 位速科技股份有限公司 蓄電裝置及蓄電裝置組結構

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05347233A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Nec Corp 電気二重層コンデンサおよびその製造方法
DE10201267C1 (de) * 2002-01-15 2003-04-24 Epcos Ag Elektrolytlösung und Elektrolytkondensator
JP2006245188A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Mitsubishi Electric Corp 複合コンデンサ
JP2008066681A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Osaka Prefecture Univ 電気化学キャパシタ及び電気化学キャパシタ亜鉛電極の作製方法
JP2008147171A (ja) * 2006-11-14 2008-06-26 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 電気化学的エネルギー変換デバイス用電解質体、これを用いた固体酸塩型電解質体の活性化方法及び大容量キャパシター並びに燃料電池

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3652902A (en) * 1969-06-30 1972-03-28 Ibm Electrochemical double layer capacitor
JPS53133756A (en) * 1977-04-27 1978-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electric double layer capacitor
JPS61163570A (ja) 1985-01-11 1986-07-24 Sharp Corp 固体水素電池
JPS63158761A (ja) 1986-12-19 1988-07-01 Sanyo Electric Co Ltd 固体水素電池
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH01260765A (ja) * 1988-04-08 1989-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気化学素子
JPH0927343A (ja) * 1995-07-10 1997-01-28 Hitachi Ltd 非水系二次電池及び該電池の作製法
JP3311218B2 (ja) * 1995-11-02 2002-08-05 松下電器産業株式会社 炭化水素センサ
JPH10144571A (ja) * 1996-09-13 1998-05-29 Tdk Corp 固体型電気二重層キャパシタ
US6094338A (en) * 1997-07-09 2000-07-25 Mitsubishi Chemical Corporation Electric double-layer capacitor
US6197450B1 (en) * 1998-10-22 2001-03-06 Ramot University Authority For Applied Research & Industrial Development Ltd. Micro electrochemical energy storage cells
JP2000150861A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP2000294454A (ja) * 1999-04-08 2000-10-20 Seiko Instruments Inc 電気二重層キャパシタ
KR100500344B1 (ko) * 1999-10-22 2005-07-12 산요덴키가부시키가이샤 리튬 전지용 전극 및 리튬 2차전지
JP4099637B2 (ja) 2001-01-17 2008-06-11 日清紡績株式会社 分極性電極組成物及びその製造方法、分極性電極、並びに電気二重層キャパシタ
US20020122985A1 (en) * 2001-01-17 2002-09-05 Takaya Sato Battery active material powder mixture, electrode composition for batteries, secondary cell electrode, secondary cell, carbonaceous material powder mixture for electrical double-layer capacitors, polarizable electrode composition, polarizable electrode, and electrical double-layer capacitor
US6887623B2 (en) * 2001-04-09 2005-05-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Electrode for rechargeable lithium battery and rechargeable lithium battery
JP2003109875A (ja) * 2001-10-01 2003-04-11 Katsuhiko Naoi 電極材料およびその使用
JP2004158222A (ja) 2002-11-01 2004-06-03 Mamoru Baba 多層積層電池
JP2004179158A (ja) * 2002-11-12 2004-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd リチウムイオン伝導体および全固体リチウムイオン二次電池
WO2004047122A1 (ja) * 2002-11-18 2004-06-03 Sony Corporation プロトン伝導体、シングルイオン伝導体、およびそれらの製造方法、並びに電気化学キャパシタ
JP2004247646A (ja) * 2003-02-17 2004-09-02 Keiko Waki 電気化学キャパシタ
JP2005025978A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Sanyo Electric Co Ltd リチウム二次電池用電極及びリチウム二次電池
JP2005093239A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Sony Corp 電池
KR100570677B1 (ko) * 2003-09-26 2006-04-12 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지
FR2860925A1 (fr) * 2003-10-14 2005-04-15 Commissariat Energie Atomique Microbatterie dont au moins une electrode et l'electrolyte comportent chacun le groupement [xy1y2y3y4] et procede de fabrication d'une telle microbatterie.
JP4581384B2 (ja) 2003-12-08 2010-11-17 日産自動車株式会社 電池およびその製造方法
JP5197918B2 (ja) 2004-12-02 2013-05-15 株式会社オハラ 全固体リチウムイオン二次電池および固体電解質
US7998622B2 (en) * 2004-12-02 2011-08-16 Kabushiki Kaisha Ohara All solid lithium ion secondary battery and a solid electrolyte therefor
JP2006332446A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Tdk Corp 電気二重層キャパシタ
JP2007005718A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Sanyo Electric Co Ltd 電気化学素子
JP5181413B2 (ja) * 2005-09-13 2013-04-10 日立電線株式会社 電気化学装置用電極、固体電解質／電極接合体及びその製造方法
US7466539B2 (en) * 2005-09-30 2008-12-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Electrochemical double-layer capacitor using organosilicon electrolytes
JP2007123833A (ja) 2005-09-30 2007-05-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 固体酸塩の活性化方法及びこれを用いた大容量キャパシター並びに燃料電池
JP2007134305A (ja) 2005-10-13 2007-05-31 Ohara Inc リチウムイオン伝導性固体電解質およびその製造方法
US9580320B2 (en) * 2005-10-13 2017-02-28 Ohara Inc. Lithium ion conductive solid electrolyte and method for manufacturing the same
JP4864427B2 (ja) * 2005-11-16 2012-02-01 ローム株式会社 電気二重層コンデンサの製造方法
US8470496B2 (en) * 2006-03-14 2013-06-25 Riken Ion conductive material, conductive film for fuel cell, film electrode bonded body and fuel cell
JP2007299580A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非水電解質角型二次電池
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7994000B2 (en) * 2007-02-27 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2008294314A (ja) 2007-05-28 2008-12-04 Sanyo Electric Co Ltd キャパシタ
JP2009026999A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Nisshinbo Ind Inc 電気二重層キャパシタ
JP5251155B2 (ja) * 2008-02-08 2013-07-31 住友電気工業株式会社 蓄電デバイス
JP4992869B2 (ja) * 2008-09-01 2012-08-08 株式会社Ｇｓユアサ イオン性化合物、並びに、これを用いた電解質及び電気化学デバイス
JP5451280B2 (ja) * 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5435638B2 (ja) * 2009-01-21 2014-03-05 セイコーインスツル株式会社 電気化学セルおよび電気化学セルの製造方法
JP2010245031A (ja) * 2009-03-20 2010-10-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蓄電デバイス及びその作製方法
WO2011040349A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Redox capacitor and manufacturing method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05347233A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Nec Corp 電気二重層コンデンサおよびその製造方法
DE10201267C1 (de) * 2002-01-15 2003-04-24 Epcos Ag Elektrolytlösung und Elektrolytkondensator
JP2006245188A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Mitsubishi Electric Corp 複合コンデンサ
JP2008066681A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Osaka Prefecture Univ 電気化学キャパシタ及び電気化学キャパシタ亜鉛電極の作製方法
JP2008147171A (ja) * 2006-11-14 2008-06-26 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 電気化学的エネルギー変換デバイス用電解質体、これを用いた固体酸塩型電解質体の活性化方法及び大容量キャパシター並びに燃料電池

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8822088B2 (en) 2011-09-16 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device
US9911973B2 (en) 2011-09-16 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device
US9646771B2 (en) 2012-03-26 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage element including positive electrode and negative electrode in the same plane over substrate and power storage device
CN104808409A (zh) * 2015-05-18 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置
CN104808409B (zh) * 2015-05-18 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置
US10451939B2 (en) 2015-05-18 2019-10-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display device having the same, and manufacturing method thereof

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