CN102187557A - 功率用半导体元件的驱动电路 - Google Patents

功率用半导体元件的驱动电路 Download PDF

Info

Publication number
CN102187557A
CN102187557A CN2009801406081A CN200980140608A CN102187557A CN 102187557 A CN102187557 A CN 102187557A CN 2009801406081 A CN2009801406081 A CN 2009801406081A CN 200980140608 A CN200980140608 A CN 200980140608A CN 102187557 A CN102187557 A CN 102187557A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor element
power semiconductor
voltage
circuit
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801406081A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102187557B (zh
Inventor
中山靖
中川良介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN102187557A publication Critical patent/CN102187557A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102187557B publication Critical patent/CN102187557B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/08128—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in composite switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K2017/066—Maximizing the OFF-resistance instead of minimizing the ON-resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0081—Power supply means, e.g. to the switch driver

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

为了得到可以通过简单的电路结构抑制功耗，同时可以实现针对电压变动dV/dt的高速响应，可以防止功率用半导体元件的误动作的功率用半导体元件的驱动电路，具备：控制电路，对功率用半导体元件的导通截止进行控制；直流电源，对功率用半导体元件的控制端子之间供给电压；以及开关元件，连接在功率用半导体元件的控制端子之间，开关元件在直流电源的电源电压降低了的情况下成为导通，或者在直流电源的电源电压降低了的状态下功率用半导体元件的控制端子间电压上升了的情况下成为导通，使功率用半导体元件的控制端子之间短路。

Description

功率用半导体元件的驱动电路
技术领域
本发明涉及功率用半导体元件的驱动电路，特别涉及具有通过电压变动dV/dt来防止功率用半导体元件误动作的功能的功率用半导体元件的驱动电路。
背景技术
在以往的功率用半导体元件的驱动电路中，在使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极性晶体管)等自消弧形的功率用半导体元件的情况下，如果对功率用半导体元件的集电极-发射极之间施加电压变动dV/dt，则由于功率用半导体元件的栅极中附随的寄生电容，栅电压上升。如果栅电压超过规定的阈值电压，则存如下问题：功率用半导体元件错误地导通，产生臂短路，而功率用半导体元件破坏。为了避免该问题，有在功率用半导体元件是截止状态下对栅极-发射极之间施加负电压的方法。但是，如果通过该方法在栅极驱动电路的电源电压没有确立的状态下施加电压变动dV/dt的电压，则功率用半导体元件的开关动作有可能误动作。
有如下方法：在从功率变换器的主电路供给半导体元件的驱动电力的电源自给式的驱动电路中，在主电源接通后在栅极驱动电路的电源电压确立之前，防止半导体元件的开关动作误动作。具体而言，在栅极驱动电路中在半导体元件的栅极与发射极之间连接电阻和P沟道FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)或者N沟道FET。并且，在栅极驱动电路的电源电压提升之前栅电压上升了的情况下，通过使P沟道FET或者N沟道FET成为导通，限制栅电压的上升，防止半导体元件的开关动作的误动作(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开平10-285909号公报
发明内容
在以往的功率用半导体元件的驱动电路中，为了在栅极驱动电路的电源电压提升之后将P沟道FET或者N沟道FET确保为截止状态，需要总是在电阻中持续流过电流，存在驱动电路的功耗增加这样的问题。另外，需要用于对栅电压达到规定电平进行检测的电平检测电路。进而，在专利文献1中虽然没有进行设想，但当驱动电路在运转中产生了停电的情况下，有时由于续流二极管(free wheel diode)的恢复，而对功率用半导体元件施加大的电压变动dV/dt，在驱动电路中需要针对电压变动dV/dt的高速响应性。为了解决该问题，例如，可以考虑减小与N沟道FET连接的电阻的电阻值，但还存在功耗进一步增加这样的问题。另外，在专利文献1中，虽然有使用常导通(normally-ON)的半导体元件这样的记载，但没有示出具体的电路图。
本发明是为了解决所述那样的课题而完成的，其目的在于得到一种功率用半导体元件的驱动电路，通过简单的电路结构抑制功耗，并且针对电压变动dV/dt高速响应，具有功率用半导体元件的误动作防止功能。
本发明提供一种功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，具备：控制电路，对功率用半导体元件的导通截止进行控制；直流电源，对功率用半导体元件的控制端子之间供给电压；以及开关元件，连接在功率用半导体元件的控制端子之间，开关元件在直流电源的电源电压降低了的情况下成为导通，或者在直流电源的电源电压降低了的状态下功率用半导体元件的控制端子间电压上升了的情况下成为导通，使功率用半导体元件的控制端子之间短路。
在本发明的功率用半导体元件的驱动电路中，连接在功率用半导体元件的控制端子之间的开关元件在直流电源的电源电压降低了的情况下成为导通，或者在直流电源的电源电压降低了的状态下功率用半导体元件的控制端子间电压上升了的情况下成为导通，使功率用半导体元件的控制端子之间短路，所以可以通过简单的电路结构抑制功耗，并且针对电压变动dV/dt，高速响应，防止功率用半导体元件的误动作。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。
图2是示出本发明的实施方式2中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。
图3是示出本发明的实施方式3中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。
图4是示出本发明的实施方式4中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。
图5是示出本发明的实施方式4中的另一功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。
图6是示出本发明的实施方式5中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。
图7是示出本发明的实施方式6中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。
(符号说明)
1：IGBT(功率用半导体元件)；2：控制信号；3：控制电路；4：导通用MOSFET；5：截止用MOSFET；6、7：栅电阻；8：第一直流电源；9：第二直流电源；10、30、40、50、60：dV/dt误动作防止电路；11：JFET；12、14：二极管；13：npn晶体管；15、20～23：电阻；16：pnp晶体管；17：电源电压探测电路；18：第一npn晶体管；19：第二npn晶体管；100、110、120、130、140、150、160：驱动电路。
具体实施方式
实施方式1.
图1是示出用于实施本发明的实施方式1中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。在图1中，功率用半导体元件的驱动电路100包括控制电路3、导通用MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)4、截止用MOSFET5、栅电阻6、7、第一直流电源8、第二直流电源9、dV/dt误动作防止电路10。对驱动电路100，连接了作为功率用半导体元件的IGBT1。IGBT1具备并联连接的二极管。
控制电路3控制作为功率用半导体元件的IGBT1的导通截止，根据来自外部的控制信号2，控制导通用MOSFET4以及截止用MOSFET5。导通用MOSFET4经由栅电阻6与IGBT1的栅极连接，截止用MOSFET5经由栅电阻7与IGBT1的栅极连接。通过控制电路3使导通用MOSFET4成为导通、使截止用MOSFET5成为截止，经由栅电阻6向IGBT1的栅极流过充放电电流，使IGBT1成为导通。另一方面，通过控制电路3使导通用MOSFET4成为截止、使截止用MOSFET5成为导通，经由栅电阻7向IGBT1的栅极流过充放电电流，使IGBT1成为截止。
第一直流电源8以及第二直流电源9构成对IGBT1的控制端子之间供给电压的直流电源。第一直流电源8在IGBT1是导通状态下对作为IGBT1的控制端子之间的栅极-发射极之间供给正电压，第二直流电源9在IGBT1是截止状态下对作为IGBT1的控制端子之间的栅极-发射极之间供给负电压。在IGBT1是导通状态的情况下，通过控制电路3，导通用MOSFET4成为导通、截止用MOSFET5成为截止，所以对IGBT1的栅极-发射极之间，通过第一直流电源8的电源电压施加正电压。对IGBT1的发射极连接有第二直流电源9，在IGBT1是截止状态的情况下，通过控制电路3，导通用MOSFET4成为截止、截止用MOSFET5成为导通，所以对IGBT1的栅极-发射极之间，通过第二直流电源9的电源电压Ve，施加负电压-Ve。
对IGBT1的栅极-发射极之间，连接了dV/dt误动作防止电路10。dV/dt误动作防止电路10具有作为常导通元件的n沟道JFET(Junction Field Effect Transistor，结型场效应晶体管)11、以及为了防止从IGBT1的发射极侧向栅极侧流过逆电流而设置的二极管12。JFET11是连接在IGBT1的栅极-发射极之间(功率用半导体元件的控制端子之间)的开关元件。JFET11的栅极(控制端子)与作为第二直流电源9的负极侧的驱动电路100的GND连接，JFET11的源极与IGBT1的发射极连接，JFET11的漏极经由二极管12与IGBT1的栅极连接。二极管12相对JFET11串联连接，连接在IGBT1的栅极-发射极之间。二极管12的阳极与IGBT1的栅极连接，二极管12的阴极与JFET11连接。
接下来，说明驱动电路100的动作。在正常状态、即第二直流电源9的电源电压确立了的状态下，在IGBT1的截止期间中，例如由于与IGBT1并联连接的二极管的恢复动作等而对IGBT1施加了电压变动dV/dt的情况下，也对IGBT1的栅极-发射极之间施加负电压-Ve。因此，即使IGBT1的栅极-发射极间电压上升了，栅极-发射极间电压也被抑制为IGBT1的阈值电压以下，所以IGBT1不会错误地成为导通。另外，通过对JFET11的栅极-源极之间施加负电压-Ve，并将JFET11的阈值电压Vgs(off)的绝对值|Vgs|设定为低于负电压-Ve的绝对值|Ve|，JFET11成为截止，在dV/dt误动作防止电路10中不会流过电流。因此，不会对正常状态下的IGBT1的开关动作造成影响。
另一方面，如果由于异常状态、即由于停电等而第二直流电源9的电源电压降低，则对IGBT1的栅极-发射极之间施加的负电压-Ve的绝对值|Ve|降低。并且，如果负电压-Ve的绝对值|Ve|低于JFET11的阈值电压Vgs(off)的绝对值|Vgs|，则JFET11成为导通。即，在作为直流电源的第二直流电源9的电源电压降低了的情况下，JFET11成为导通。其结果，JFET11使IGBT1的栅极-发射极之间短路。因此，即使在该状态下对IGBT1施加了电压变动dV/dt，IGBT1的栅电压的上升也被抑制，可以防止IGBT1错误地成为导通的误动作。
在本发明的功率用半导体元件的驱动电路中，无需为了驱动JFET11而设置其他驱动电路、电源等，可以通过简单的电路结构，抑制起因于电压变动dV/dt的IGBT1的误动作。另外，在正常时，不会在包括JFET11的dV/dt误动作防止电路10内流过电流，所以可以抑制驱动电路100的功耗。进而，在第二直流电源9的电源电压降低，负电压-Ve的绝对值|Ve|低于JFET11的阈值电压Vgs(off)的绝对值|Vgs|的时刻，JFET11成为导通，所以高速响应性良好，不仅是在IGBT1的栅极驱动用的电源的提升时，而且在运转状态下产生停电，而被施加了由于二极管的恢复引起的大的电压变动dV/dt的情况下，也可以防止IGBT1的误动作。
本实施方式所示的dV/dt误动作防止电路10的电路结构是一个例子，只要满足防止由电压变动dV/dt引起的误动作的功能即可，也可以并联多个JFET11而使用，或者也可以为了电流限制用而将即使施加电压变动dV/dt也不会使IGBT1误动作的程度的低阻抗的电阻连接到JFET11的栅极或者漏极。另外，在本实施方式中作为常导通元件使用了JFET11，但只要满足该功能即可，例如也可以置换为抑制(depression)型MOSFET等。
如上所述，通过将常导通元件连接到IGBT1的栅极-发射极之间这样的简单的电路结构，可以得到能够抑制功耗，并且实现针对电压变动dV/dt的高速响应，具有功率用半导体元件的误动作防止功能的功率用半导体元件的驱动电路。
实施方式2.
图2是示出用于实施本发明的实施方式2中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。在本实施方式的功率用半导体元件的驱动电路中，在dV/dt误动作防止电路中具备电流放大级这一点与实施方式1不同。电流放大级是如下的放大电路：与功率用半导体元件的栅电容大、且作为常导通元件的JFET的电流容量不足那样的情况对应地，放大JFET的源极电流，增大对dV/dt误动作防止电路流过的电流。在图2中，附加了与图1相同的符号的部分表示相同或者与其相当的部分，其在说明书的全文中是共通的。另外，在说明书全文中表示的结构要素的方式仅为例示，不限于这些记载。
在本实施方式的dV/dt误动作防止电路30中，作为常导通元件的JFET11的栅极与驱动电路110的GND连接，JFET11的漏极经由二极管12与IGBT1的栅极连接这一点和实施方式1相同。而且，在dV/dt误动作防止电路30中，追加了构成放大电路的电流放大用的npn晶体管13、二极管14以及电阻15。npn晶体管13是连接于IGBT1的栅极-发射极之间，放大流过JFET11的电流的常截止的开关元件。JFET11的源极经由电阻15，与IGBT1的发射极连接。另外，JFET11的源极还与作为电流放大用的npn晶体管13的控制端子的基极连接。npn晶体管13的发射极与IGBT1的发射极连接，npn晶体管13的集电极经由二极管14与IGBT1的栅极连接。
接下来，说明驱动电路110的动作。在正常状态、即第二直流电源9的电源电压确立了的状态下，JFET11成为截止，npn晶体管13也成为截止，在dV/dt误动作防止电路30内不流过电流。如果由于异常状态、即停电等而第二直流电源9的电源电压降低，则对IGBT1的栅极-发射极之间施加的负电压-Ve的绝对值|Ve|降低。并且，如果负电压-Ve的绝对值|Ve|小于JFET11的阈值电压Vgs(off)的绝对值|Vgs|，则JFET11成为导通。如果在该状态下对IGBT1施加电压变动dV/dt，则IGBT1的栅电压上升，向npn晶体管13的基极流过电流，npn晶体管13成为导通。即，在作为直流电源的第二直流电源9的电源电压降低了的状态下作为IGBT1的控制端子间电压的栅电压上升了的情况下，npn晶体管13成为导通。由此，IGBT1的栅极-发射极之间被短路，IGBT1的栅电压的上升被抑制，可以防止IGBT1错误地成为导通的误动作。
通过具备npn晶体管13，与实施方式1所示的dV/dt误动作防止电路10相比，dV/dt误动作防止电路30中流过的电流被放大，所以即使在IGBT1的栅电容大的情况下，也可以防止IGBT1的误动作。另外，JFET11的阈值Vgs(off)的绝对值|Vgs|与实施方式1同样地需要设定为低于正常时的负电压-Ve的绝对值|Ve|，但在本实施方式中npn晶体管13成为导通的基极-发射极间电压Vbe也被施加到JFET11的源极，所以将npn晶体管13的基极-发射极间电压Vbe的绝对值|Vbe|设定为低于JFET11的阈值Vgs(off)的绝对值|Vgs|。
在本实施方式中，作为电流放大用的晶体管使用了npn晶体管13，但也可以使用n沟道MOSFET。在该情况下，将MOSFET的栅极-源极间的阈值电压Vth的绝对值|Vth|设定为低于JFET11的阈值Vgs(off)的绝对值|Vgs|。另外，在本实施方式中说明的dV/dt误动作防止电路30的结构是用于放大JFET11的源极电流的一个例子，只要dV/dt误动作防止电路满足该功能即可，也可以根据必要的电流容量并联使用多个JFET11、npn晶体管13，也可以对npn晶体管13进行达林顿连接(Darlington connection)，也可以对JFET11的栅极、漏极、npn晶体管13的集电极、基极连接电流限制用的电阻。
通过以上那样的结构，与在IGBT1的栅极-发射极之间仅连接了作为常导通元件的JFET11的情况相比，通过npn晶体管13等对电流进行放大，所以即使在IGBT1的控制端子(栅端子)的电容大，而仅通过JFET11，电流容量不足的情况下，也可以防止IGBT1错误地成为导通的误动作。
实施方式3.
图3是示出用于实施本发明的实施方式3中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。本实施方式的功率用半导体元件的驱动电路具备pnp晶体管而作为dV/dt误动作防止电路的电流放大用的晶体管这一点与实施方式2不同。在dV/dt误动作防止电路40中，设置有构成放大电路的电流放大用的pnp晶体管16、二极管14、以及电阻15。
在本实施方式的dV/dt误动作防止电路40中，作为常导通元件的JFET11的栅极与驱动电路120的GND连接，JFET11的源极与IGBT1的发射极连接，JFET11的漏极经由电阻15以及二极管12与IGBT1的栅极连接。另外，JFET11的漏极还与作为pnp晶体管16的控制端子的基极连接。pnp晶体管16是连接在IGBT1的栅极-发射极之间，对JFET11中流过的电流进行放大的常截止的开关元件。pnp晶体管16的发射极经由二极管14与IGBT1的栅极连接，pnp晶体管16的集电极与IGBT1的发射极连接。
另外，在本实施方式中，使二极管12的阳极连接到IGBT1的栅极，但也可以使二极管12的阳极连接到第一直流电源8的正极侧，或者不设置二极管12而使电阻15连接到第一直流电源8的正极侧。另外，使pnp晶体管16的集电极连接到IGBT1的发射极，但也可以使pnp晶体管16的集电极连接到驱动电路120的GND。
接下来，说明驱动电路120的动作。在正常状态、即第二直流电源9的电源电压确立了的状态下，JFET11成为截止，pnp晶体管16也成为截止，在dV/dt误动作防止电路40内不流过电流。如果由于异常状态、即停电等而第二直流电源9的电源电压降低，则对IGBT1的栅极-发射极之间施加的负电压-Ve的绝对值|Ve|降低。然后，如果负电压-Ve的绝对值|Ve|低于JFET11的阈值电压Vgs(off)的绝对值|Vgs|，则JFET11成为导通。如果在该状态下对IGBT1施加电压变动dV/dt，则IGBT1的栅电压上升，向pnp晶体管16的基极流过电流，pnp晶体管16成为导通。即，在作为直流电源的第二直流电源9的电源电压降低了的状态下作为IGBT1的控制端子间电压的栅电压上升了的情况下，pnp晶体管16成为导通。由此，IGBT1的栅极-发射极之间被短路，IGBT1的栅电压的上升被抑制，可以防止IGBT1错误地成为导通的误动作。
通过具备pnp晶体管16，与实施方式1所示的dV/dt误动作防止电路10相比，dV/dt误动作防止电路40中流过的电流被放大，所以即使在IGBT1的栅电容大的情况下，也可以防止IGBT1的误动作。
此处，说明作为电流放大用的晶体管代替npn晶体管而使用pnp晶体管16的优点。在如实施方式2那样使用npn晶体管(或者p沟道MOSFET)的情况下，也对JFET11的源极-栅极之间施加npn晶体管的基极-发射极间电压，所以需要将JFET11的阈值Vgs(off)的绝对值|Vgs|设定得高于npn晶体管13的基极-发射极间电压Vbe的绝对值|Vbe|或者MOSFET的栅极-源极间的阈值电压Vth的绝对值|Vth|。但是，在如本实施方式那样使用pnp晶体管16的情况下，对JFET11的栅极-源极之间施加的电压仅成为通过第二直流电源9的电源电压得到的负电压-Ve，而无需将JFET11的阈值电压Vgs(off)的绝对值|Vgs|设定得高于npn晶体管13的基极-发射极间电压Vbe的绝对值|Vbe|或者MOSFET的栅极-源极间的阈值电压Vth的绝对值|Vth|。简单地相对通过正常时的第二直流电源9的电源电压得到的负电压-Ve，将JFET11的阈值电压Vgs(off)的绝对值|Vgs|设定得低于负电压-Ve的绝对值|Ve|即可，可以在宽的范围内设定阈值。
另外，在本实施方式中说明的dV/dt误动作防止电路40的结构是用于对JFET11的源极电流进行放大的一个例子，dV/dt误动作防止电路只要满足该功能即可，也可以根据必要的电流容量并联使用多个JFET11、pnp晶体管16，也可以对pnp晶体管16进行达林顿连接，也可以对JFET11的栅极、漏极、pnp晶体管16的集电极、基极连接电流限制用的电阻。
通过以上那样的结构，与在IGBT1的栅极-发射极之间仅连接了作为常导通元件的JFET11的情况相比，由于通过pnp晶体管16等对电流进行放大，所以即使在IGBT1的控制端子(栅端子)的电容大，而仅通过JFET11的电流容量不足的情况下，也可以防止IGBT1错误地成为导通的误动作。
实施方式4.
图4是示出用于实施本发明的实施方式4中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。本实施方式的功率用半导体元件的驱动电路具备电源电压探测电路这一点与实施方式1不同。
在实施方式1～3中，在由于停电等而驱动电路内的直流电源的电源电压降低了的情况下，通过使用JFET、晶体管、或者MOSFET使IGBT1的栅极-发射极之间短路，防止IGBT1错误地成为导通的误动作。但是，还可能引起在IGBT1是导通的状态下产生停电等而直流电源的电源电压降低。在该情况下，如果与经由栅电阻使IGBT1成为截止相比，dV/dt误动作防止电路更早地动作，则有可能产生IGBT1的栅极-发射极之间被短路，而IGBT1急速地断开这样的问题。虽然还可以通过在dV/dt误动作防止电路中设置限制电阻，来避免急速的IGBT1的断开，但在施加了大的电压变动dV/dt的情况下，dV/dt误动作防止电路的动作还有可能延迟。因此，在本实施方式中的功率用半导体元件的驱动电路中，追加了在dV/dt误动作防止电路动作之前，使IGBT1正常地断开的功能。
在图4中，在功率用半导体元件的驱动电路130中，在实施方式1所示的功率用半导体元件的驱动电路100的基础上，追加了电源电压探测电路17。另外，即使是实施方式1～3所示的以外的dV/dt误动作防止电路，只要有在直流电源的电源电压降低了的状态下抑制IGBT的栅电压的上升这样的功能，则例如即使是不使用常导通元件而使用了常截止元件的电路，也满足避免急速的IGBT的断开这样的功能。
电源电压探测电路17例如由比较器等构成，为了探测第二直流电源9的电源电压，而连接到第二直流电源9的正极侧。将电源电压探测电路17的电压探测电平设定为，可以在第二直流电源9的电源电压降低了ΔV的时刻探测电压降低。此处，ΔV是电源电压探测电路17探测的规定的电源电压降低量。另外，将电源电压探测电路17的电压探测电平设定为高于dV/dt误动作防止电路10开始动作的电压。对导通用MOSFET4以及截止用MOSFET5进行控制，以如果第二直流电源9的电源电压降低到电压探测电平以下、即第二直流电源9的电源电压达到规定的电源电压降低量，则电源电压探测电路17向控制电路3输出截止信号，控制电路3使IGBT1断开，或者维持IGBT1的截止状态。由于进行这样的动作，所以即使在由于停电等而第二直流电源9的电源电压降低了的情况下，也可以在dV/dt误动作防止电路10动作之前使IGBT1正常地断开。
此处，说明使用了实施方式1所示的dV/dt误动作防止电路的情况下的、电源电压探测电路17的电压探测电平“Ve-ΔV”的设定。以相对JFET11的阈值电压Vgs(off)的绝对值|Vgs|，使电源电压探测电路17的电压探测电平“Ve-ΔV”的绝对值|Ve-ΔV|满足|Ve-ΔV|＞|Vgs|的关系的方式，设定电压探测电平。此处，电源电压Ve与作为开关元件的JFET11成为导通的阈值电压Vgs(off)的差分是JFET11成为导通的第二直流电源9的电源电压的降低量。即，满足|Ve-ΔV|＞|Vgs|的关系是指，使电源电压探测电路17探测的规定的电源电压降低量小于JFET11成为导通的第二直流电源9的电源电压的降低量。
通过这样设定，在IGBT1是导通的状态下第二直流电源9的电源电压降低了的情况下，在第二直流电源9的电源电压从正常值Ve降低了ΔV的时刻，电源电压探测电路17探测第二直流电源9的电源电压的降低。然后，电源电压探测电路17向控制电路3输出截止指令，控制电路3使IGBT1断开。接下来，在第二直流电源9的电源电压降低至JFET11的阈值电压Vgs(off)的时刻，JFET11成为导通状态，即使施加电压变动dV/dt，也抑制IGBT1的栅电压的上升。
另外，在图4的功率用半导体元件的驱动电路130中，示出了电源电压探测电路17对第二直流电源9的电源电压的降低进行探测的例子。但是，也可以如图5的功率用半导体元件的驱动电路140所示，使电源电压探测电路17连接到第一直流电源8的正极侧，而对将第一直流电源8和第二直流电源9合起来的电源电压的电压降低进行探测。即使在该情况下，也以使电源电压探测电路17对电源电压的电压降低进行探测，在使IGBT1断开之前，不使dV/dt误动作防止电路10动作的方式，设定电源电压探测电路17的电压探测电平和dV/dt误动作防止电路10开始动作的电压(例如，JFET11的阈值电压Vge(off))。
如果如图5所示，在第一直流电源8的正极侧进行电压探测，则难以判明第一直流电源8和第二直流电源9中的哪一个的电源电压以什么样的比例降低，但如果以仅第二直流电源9的电源电压降低这样的前提设定电压探测电平，则可以设定为dV/dt误动作防止电路10不会先动作。例如，在仅第二直流电源9的电源电压降低的情况下，以满足|Ve-ΔV|＞|Vgs|的关系的方式设定电压探测电平“Ve-ΔV”，以使电源电压探测电路17在将第一直流电源8和第二直流电源9合起来的电源电压降低了ΔV的时刻进行探测。另外，根据直流电源的种类，在产生了停电的情况下，还有时第一直流电源8和第二直流电源9的降低的比例是确定的，所以在该情况下根据该降低的比例来增加电压探测电路17的电压探测电平和JFET11的阈值电压Vgs(off)的设定范围即可。
另外，对于实施方式2、3，也通过附加本实施方式中示出的电源电压探测电路17，除了在实施方式2、3中说明的效果以外，还可以一并得到在本实施方式中得到的效果。
如上所述，由于具备对从第一直流电源8以及第二直流电源9中的至少任意一方供给的电压的降低进行探测的电源电压探测电路17，所以即使在功率用半导体元件是导通的期间中由于停电等而驱动电路130的直流电源的电源电压降低了的情况下，也可以在开关元件成为导通之前，通过电源电压探测电路17使功率用半导体元件正常地成为截止，所以可以防止使功率用半导体元件高速地断开。
实施方式5.
图6是示出用于实施本发明的实施方式5中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。在本实施方式的功率用半导体元件的驱动电路中，在dV/dt误动作防止电路中代替常导通元件而使用了常截止元件的点与实施方式4不同。
使用了常截止元件的dV/dt误动作防止电路50包括：第一npn晶体管18；第二npn晶体管19；电阻20、21，用于对第二直流电源9的电源电压进行分压而输入到第一npn晶体管18的基极-发射极之间；以及电阻22、23，串联连接在IGBT1的栅极-发射极之间，并对该连接点连接第一npn晶体管18的集电极以及第二npn晶体管19的基极。
说明驱动电路150的动作。在正常状态、即第二直流电源9的电源电压被确立了的状态下，对第一npn晶体管18的基极-发射极之间，施加通过电阻20、21对第二直流电源9的电源电压进行分压而得到的电压，第一npn晶体管18成为导通状态。如果第一npn晶体管18成为导通状态，则第二npn晶体管19的基极电压成为与驱动电路150的GND相当的电压，第二npn晶体管19成为截止状态，不会对IGBT1的通常的开关动作造成影响。
在由于停电等而第二直流电源9的电源电压降低了的情况下，将电源电压探测电路17的电压探测电平设定得高于dV/dt误动作防止电路50的阈值，所以首先，电源电压探测电路17动作，使IGBT1断开或者维持截止状态。然后，如果第二直流电源9的电源电压进一步降低，则第一npn晶体管18的基极-发射极间电压降低，第一npn晶体管18成为截止。如果在该状态下施加电压变动dV/dt而IGBT1的栅电压上升，则通过电阻22向第二npn晶体管19的基极流过电流，第二npn晶体管19成为导通。通过第二npn晶体管19成为导通，IGBT1的栅极-发射极之间被短路，可以抑制IGBT1的栅电压的上升。即，与实施方式4同样地，使电源电压探测电路17探测的规定的电源电压降低量小于在作为IGBT1的控制端子间电压的栅电压上升了的情况下第二npn晶体管19成为导通的第二直流电源9的电源电压的降低量。
另外，根据第一以及第二npn晶体管18、19的特性、电路常数，有时向第二npn晶体管19流过逆电流，所以在这样的情况下，在第二npn晶体管19与IGBT1的栅极之间插入逆电流防止用的二极管即可。以使阴极位于第二npn晶体管19侧的方式，插入该逆电流防止用的二极管。
另外，在本实施方式中说明的dV/dt误动作防止电路50的结构是一个例子，只要dV/dt误动作防止电路满足该功能即可，也可以根据必要的电流容量并联连接使用多个第二npn晶体管19，也可以对第二npn晶体管19进行达林顿连接，也可以对JFET11的栅极、漏极、第二npn晶体管19的集电极、基极连接电流限制用的电阻。
另外，在本实施方式中，在正常时，第一npn晶体管18是导通状态，如果IGBT1也是导通状态，则向电阻22持续流过电流。因此，为了抑制电阻22中的功耗而需要增大电阻22的电阻值。由此，第二npn晶体管19的基极电流变小，所以对第二npn晶体管19进行达林顿连接是有效的。另外，在本实施方式中使用了npn晶体管，但也可以代替npn晶体管而使用n沟道MOSFET。
另外，在图6中，示出了电源电压探测电路17对第二直流电源9的电源电压的降低进行探测的例子，但也可以如实施方式4中说明的那样在第一直流电源8的正极侧与驱动电路150的GND之间连接电源电压探测电路17，对将第一直流电源8和第二直流电源9合起来的电源电压的电压降低进行探测。在该情况下，也以使电源电压探测电路17对电源电压的电压降低进行探测，在使IGBT1断开之前，不使dV/dt误动作防止电路50动作的方式，设定电源电压探测电路17的电压探测电平和dV/dt误动作防止电路50开始动作的电压。
如上所述，在dV/dt误动作防止电路50中使用了作为常截止元件的第一以及第二npn晶体管18、19，所以可以通过简单的电路结构来抑制IGBT1的误动作。另外，通过设置电源电压探测电路17，即使在IGBT1成为导通的期间中由于停电等而驱动电路150的直流电源的电源电压降低了的情况下，也可以在dV/dt误动作防止电路50的常截止元件成为导通之前，使功率用半导体元件正常地成为截止，所以可以防止使功率用半导体元件高速地断开。
实施方式6.
图7是示出用于实施本发明的实施方式6中的功率用半导体元件的驱动电路的结构的电路图。在本实施方式的功率用半导体元件的驱动电路中，直流电源仅由对作为IGBT1的控制端子之间的栅极-发射极之间供给正电压的第一直流电源构成这一点与实施方式5不同。本实施方式适用于集电极-发射极之间的电压变动dV/dt小的情况等，即使在截止状态下不对栅极-发射极之间施加负电压，功率用半导体元件也不会误动作的情况。
在图7中，使电源电压探测电路17连接到第一直流电源8的正极侧，对第一直流电源8的电压降低进行探测。另外，电阻20并非连接到第一直流电源8的负极侧，而连接到第一直流电源8的正极侧。使用了常截止元件的dV/dt误动作防止电路60包括：第一npn晶体管18；第二npn晶体管19；电阻20、21，用于对第一直流电源8的电源电压进行分压而输入到第一npn晶体管18的基极-发射极之间；以及电阻22、23，串联连接在IGBT1的栅极-发射极之间，并对该连接点连接第一npn晶体管18的集电极以及第二npn晶体管19的基极。
说明驱动电路160的动作。在正常状态、即第一直流电源8的电源电压被确立了的状态下，经由与第一直流电源8的正极侧连接的电阻20，对第一npn晶体管18的基极-发射极之间，施加通过电阻20、21对第一直流电源8的电源电压进行分压而得到的电压，第一npn晶体管18成为导通状态。此处，通过将第一npn晶体管18的集电极-发射极间电压设定为低于第二npn晶体管19成为导通状态的基极-发射极间电压，第二npn晶体管19成为截止状态，不会对IGBT1的通常的开关动作造成影响。
在由于停电等而第一直流电源8的电源电压降低了的情况下，由于将电源电压探测电路17的电压探测电平设定得高于dV/dt误动作防止电路60的阈值，所以首先，电源电压探测电路17动作，使IGBT1断开或者维持截止状态。并且，如果第一直流电源8的电源电压进一步降低，则第一npn晶体管18的基极-发射极间电压降低，第一npn晶体管18成为截止。如果在该状态下施加电压变动dV/dt而IGBT1的栅电压上升，则通过电阻22而向第二npn晶体管19的基极流过电流，第二npn晶体管19成为导通。通过第二npn晶体管19成为导通，IGBT1的栅极-发射极之间被短路，可以抑制IGBT1的栅电压的上升。
另外，随着第一以及第二npn晶体管18、19的特性、电路常数，有时向第二npn晶体管19流过逆电流，所以在这样的情况下，在第二npn晶体管19与IGBT1的栅极之间插入逆电流防止用的二极管即可。以使阴极位于第二npn晶体管19侧的方式，插入该逆电流防止用的二极管。
另外，在本实施方式中说明的dV/dt误动作防止电路60的结构是一个例子，只要dV/dt误动作防止电路满足该功能即可，也可以根据必要的电流容量并联连接使用多个第二npn晶体管19，也可以对第二npn晶体管19进行达林顿连接，也可以对JFET11的栅极、漏极、第二npn晶体管19的集电极、基极连接电流限制用的电阻。
如上所述，即使仅由第一直流电源1构成直流电源，由于在dV/dt误动作防止电路60中使用了作为常截止元件的第一以及第二npn晶体管18、19，所以可以通过简单的电路结构抑制IGBT1的误动作。另外，通过设置电源电压探测电路17，即使在IGBT1是导通的期间中由于停电等而驱动电路160的直流电源的电源电压降低了的情况下，也可以在dV/dt误动作防止电路60的常截止元件成为导通之前，使功率用半导体元件正常地成为截止，所以可以防止使功率用半导体元件高速地断开。
另外，在所有实施方式中，作为功率用半导体元件，使用了IGBT，但也可以对例如MOSFET等电压驱动型功率用半导体元件，应用所有实施方式中示出的功率用半导体元件的驱动电路。另外，作为半导体，不仅是对Si，还可以对SiC等宽带隙半导体，应用在所有实施方式中示出的驱动电路。另外，对于SiC等宽带隙半导体，有时阈值电压Vth低，所以易于误动作，所以针对由SiC等制作的功率用半导体元件，可以使用在所有实施方式中示出的驱动电路来防止误动作这样的效果更大。

Claims (10)

1.一种功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，具备：
控制电路，对功率用半导体元件的导通截止进行控制；
直流电源，对所述功率用半导体元件的控制端子之间供给电压；以及
开关元件，连接在所述功率用半导体元件的控制端子之间，
所述开关元件在所述直流电源的电源电压降低了的情况下成为导通，或者在所述直流电源的电源电压降低了的状态下所述功率用半导体元件的控制端子间电压上升了的情况下成为导通，使所述功率用半导体元件的控制端子之间短路。
2.根据权利要求1所述的功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，所述直流电源包括：
第一直流电源，在所述功率用半导体元件是导通的状态下对所述功率用半导体元件的控制端子之间供给正电压；以及
第二直流电源，在所述功率用半导体元件是截止的状态下对所述功率用半导体元件的控制端子之间供给负电压，
所述开关元件在所述第二直流电源的电源电压降低了的情况下成为导通，或者在所述第二直流电源的电源电压降低了的状态下所述功率用半导体元件的控制端子间电压上升了的情况下成为导通，使所述功率用半导体元件的控制端子之间短路。
3.根据权利要求1所述的功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，
具备电源电压探测电路，该电源电压探测电路对所述直流电源的电源电压的降低进行探测，在所述直流电源的电源电压达到规定的电源电压降低量的情况下将使所述功率用半导体元件成为截止的信号输出到所述控制电路，
使所述规定的电源电压降低量小于所述开关元件成为导通的所述直流电源的电源电压的降低量，或者使所述规定的电源电压降低量小于在所述功率用半导体元件的控制端子间电压上升了的情况下所述开关元件成为导通的所述直流电源的电源电压的降低量。
4.根据权利要求1所述的功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，
所述开关元件是常导通元件。
5.根据权利要求2所述的功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，
所述开关元件是常导通元件，
所述开关元件的控制端子连接到所述第二直流电源的负极侧。
6.根据权利要求1所述的功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，
所述开关元件是常截止元件。
7.根据权利要求1所述的功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，
具备放大电路，该放大电路连接在所述功率用半导体元件的控制端子之间，对所述开关元件中流过的电流进行放大。
8.根据权利要求1所述的功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，
在所述功率用半导体元件的控制端子之间与所述开关元件串联地插入二极管，
以使阳极侧成为所述功率用半导体元件的栅端子侧的方式，连接所述二极管。
9.根据权利要求2所述的功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，
将所述开关元件的阈值电压的绝对值设定为低于所述第二直流电源的正常时的所述负电压的绝对值。
10.根据权利要求1所述的功率用半导体元件的驱动电路，其特征在于，
所述功率用半导体元件是SiC半导体。
CN200980140608.1A 2008-08-21 2009-07-22 功率用半导体元件的驱动电路 Active CN102187557B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-212614 2008-08-21
JP2008212614 2008-08-21
PCT/JP2009/003419 WO2010021082A1 (ja) 2008-08-21 2009-07-22 電力用半導体素子の駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102187557A true CN102187557A (zh) 2011-09-14
CN102187557B CN102187557B (zh) 2014-12-24

Family

ID=41706975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980140608.1A Active CN102187557B (zh) 2008-08-21 2009-07-22 功率用半导体元件的驱动电路

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9806593B2 (zh)
EP (1) EP2320544B1 (zh)
JP (2) JP5293740B2 (zh)
KR (2) KR101313498B1 (zh)
CN (1) CN102187557B (zh)
CA (1) CA2734701C (zh)
WO (1) WO2010021082A1 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103297012A (zh) * 2012-02-22 2013-09-11 三菱电机株式会社 栅极驱动电路
CN104506028A (zh) * 2015-01-13 2015-04-08 山东大学 一种SiC MOSFET半桥电路驱动器以及半桥电路驱动方法
CN105576945A (zh) * 2014-10-11 2016-05-11 台达电子工业股份有限公司 隔离电源控制装置、电源变换装置及其隔离电源控制方法
CN106104993A (zh) * 2014-05-30 2016-11-09 三菱电机株式会社 电力用半导体元件的驱动电路
CN106464249A (zh) * 2014-11-06 2017-02-22 富士电机株式会社 半导体元件的驱动装置
CN106688183A (zh) * 2014-09-11 2017-05-17 三菱电机株式会社 自灭弧式半导体元件的短路保护电路
US9742285B2 (en) 2012-09-13 2017-08-22 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and automobile
CN108631761A (zh) * 2017-03-16 2018-10-09 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 电磁加热系统以及功率开关管的控制装置和方法
CN112166550A (zh) * 2018-05-28 2021-01-01 三菱电机株式会社 电力变换装置
CN112769320A (zh) * 2021-01-04 2021-05-07 南京博兰得电子科技有限公司 钳位开关驱动电路
CN112787489A (zh) * 2019-11-05 2021-05-11 株式会社日立制作所 半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置
CN108702150B (zh) * 2016-09-09 2021-12-21 富士电机株式会社 功率元件的驱动电路

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012034079A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Fuji Electric Co Ltd 絶縁ゲート型デバイスの駆動回路
CN106411277A (zh) * 2010-10-21 2017-02-15 爱特梅尔公司 用于可编程增益放大器的开关和可编程增益放大器
CN103532353B (zh) * 2013-10-25 2015-10-28 山东大学 具有高负电压的自举供电mosfet/igbt驱动线路
JP5700145B2 (ja) * 2014-02-07 2015-04-15 富士電機株式会社 絶縁ゲート型デバイスの駆動回路
WO2017086113A1 (ja) * 2015-11-17 2017-05-26 株式会社オートネットワーク技術研究所 スイッチ回路及び電源システム
JP6638504B2 (ja) * 2016-03-22 2020-01-29 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 インバータ駆動装置
WO2018186353A1 (ja) * 2017-04-05 2018-10-11 ローム株式会社 パワーモジュール
CN107835002B (zh) 2017-09-20 2024-03-12 同方威视技术股份有限公司 固态脉冲调制器中的保护电路、振荡补偿电路和供电电路
JP7024463B2 (ja) * 2018-02-01 2022-02-24 株式会社Ｇｓユアサ 管理装置、蓄電装置、蓄電素子の管理方法
EP3544183A1 (de) * 2018-03-19 2019-09-25 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zum betreiben eines halbleiterschalters
JP7259430B2 (ja) * 2018-05-30 2023-04-18 富士電機株式会社 電圧駆動型半導体スイッチング素子のゲート駆動装置、該ゲート駆動装置を備える電力変換装置
CN110798186B (zh) * 2018-08-01 2023-09-08 中车株洲电力机车研究所有限公司 一种用于功率半导体器件的驱动装置
JP7120139B2 (ja) * 2019-04-16 2022-08-17 株式会社デンソー スイッチの駆動回路
US11258443B2 (en) * 2020-06-30 2022-02-22 Apple Inc. Fast active clamp for power converters

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3819952A (en) * 1973-01-29 1974-06-25 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
US4492883A (en) * 1982-06-21 1985-01-08 Eaton Corporation Unpowered fast gate turn-off FET
US4691129A (en) * 1986-03-19 1987-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Drive circuit for a power MOSFET with source-side load
JPS6399616A (ja) * 1986-03-24 1988-04-30 Matsushita Electric Works Ltd 固体リレ−及びその製造方法
US4804866A (en) 1986-03-24 1989-02-14 Matsushita Electric Works, Ltd. Solid state relay
US4748351A (en) * 1986-08-26 1988-05-31 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Power MOSFET gate driver circuit
JPH01300617A (ja) * 1988-05-30 1989-12-05 Fuji Electric Co Ltd ゲート駆動回路
US4970420A (en) * 1989-07-13 1990-11-13 Westinghouse Electric Corp. Power field effect transistor drive circuit
JPH0677797A (ja) 1992-08-26 1994-03-18 Sansha Electric Mfg Co Ltd 電力用スイッチング半導体モジュール
JPH0715949A (ja) 1993-06-28 1995-01-17 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置のゲート駆動回路
JP3421507B2 (ja) * 1996-07-05 2003-06-30 三菱電機株式会社 半導体素子の駆動回路
JPH10257755A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Toyota Autom Loom Works Ltd フォトカップラー駆動のスイッチング回路
JPH10285909A (ja) 1997-04-11 1998-10-23 Toshiba Fa Syst Eng Kk 電源自給式のゲート回路
US6331794B1 (en) * 1999-03-10 2001-12-18 Richard A. Blanchard Phase leg with depletion-mode device
JP2006157367A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Sanken Electric Co Ltd 信号伝達回路
FR2911736B1 (fr) 2007-01-23 2009-03-20 Schneider Toshiba Inverter Dispositif de commande d'un interrupteur de puissance et variateur comprenant un tel dipositif.
JP4528321B2 (ja) 2007-09-26 2010-08-18 シャープ株式会社 スイッチング回路、回路、並びにスイッチング回路及び駆動パルス生成回路を含む回路

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103297012A (zh) * 2012-02-22 2013-09-11 三菱电机株式会社 栅极驱动电路
US9742285B2 (en) 2012-09-13 2017-08-22 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and automobile
CN104620480B (zh) * 2012-09-13 2018-01-09 三菱电机株式会社 半导体装置、汽车
CN106104993B (zh) * 2014-05-30 2019-05-10 三菱电机株式会社 电力用半导体元件的驱动电路
CN106104993A (zh) * 2014-05-30 2016-11-09 三菱电机株式会社 电力用半导体元件的驱动电路
US10038438B2 (en) 2014-05-30 2018-07-31 Mitsubishi Electric Corporation Power semiconductor element driving circuit
CN106688183A (zh) * 2014-09-11 2017-05-17 三菱电机株式会社 自灭弧式半导体元件的短路保护电路
CN105576945B (zh) * 2014-10-11 2018-11-16 台达电子工业股份有限公司 隔离电源控制装置、电源变换装置及其隔离电源控制方法
CN105576945A (zh) * 2014-10-11 2016-05-11 台达电子工业股份有限公司 隔离电源控制装置、电源变换装置及其隔离电源控制方法
CN106464249A (zh) * 2014-11-06 2017-02-22 富士电机株式会社 半导体元件的驱动装置
CN106464249B (zh) * 2014-11-06 2020-03-03 富士电机株式会社 半导体元件的驱动装置
CN104506028A (zh) * 2015-01-13 2015-04-08 山东大学 一种SiC MOSFET半桥电路驱动器以及半桥电路驱动方法
CN108702150B (zh) * 2016-09-09 2021-12-21 富士电机株式会社 功率元件的驱动电路
CN108631761A (zh) * 2017-03-16 2018-10-09 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 电磁加热系统以及功率开关管的控制装置和方法
CN112166550A (zh) * 2018-05-28 2021-01-01 三菱电机株式会社 电力变换装置
CN112787489A (zh) * 2019-11-05 2021-05-11 株式会社日立制作所 半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置
CN112787489B (zh) * 2019-11-05 2023-10-03 株式会社日立制作所 半导体装置的驱动装置及驱动方法和电力变换装置
CN112769320A (zh) * 2021-01-04 2021-05-07 南京博兰得电子科技有限公司 钳位开关驱动电路
CN112769320B (zh) * 2021-01-04 2022-11-29 南京博兰得电子科技有限公司 钳位开关驱动电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN102187557B (zh) 2014-12-24
WO2010021082A1 (ja) 2010-02-25
EP2320544A1 (en) 2011-05-11
KR20120101595A (ko) 2012-09-13
JP2013179828A (ja) 2013-09-09
EP2320544B1 (en) 2019-02-20
KR20110031246A (ko) 2011-03-24
CA2734701A1 (en) 2010-02-25
KR101217357B1 (ko) 2012-12-31
JP6132640B2 (ja) 2017-05-24
KR101313498B1 (ko) 2013-10-01
US20110204929A1 (en) 2011-08-25
JP5293740B2 (ja) 2013-09-18
EP2320544A4 (en) 2015-01-07
US9806593B2 (en) 2017-10-31
CA2734701C (en) 2015-02-17
JPWO2010021082A1 (ja) 2012-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102187557B (zh) 功率用半导体元件的驱动电路
US11165423B2 (en) Power switch drive circuit and device
US7737737B2 (en) Drive circuit for voltage driven electronic element
JP5545308B2 (ja) 駆動回路
JP2012090435A (ja) 駆動回路及びこれを備える半導体装置
US20100194451A1 (en) Method of controlling an igbt and a gate driver
CN103825461A (zh) 具有对栅极电压的紧密控制的驱动电路
JP2009194514A (ja) パワー半導体のゲート駆動回路
US9568505B2 (en) Semiconductor device
CN105471417A (zh) 用于反向导通的igbt的控制电路
JP4128700B2 (ja) 誘導性負荷駆動回路
US9684323B2 (en) Regulator circuit that suppresses an overshoot of output voltage
JP2008147786A (ja) 絶縁ゲートトランジスタの駆動回路
JPH11195971A (ja) パワーデバイスの駆動回路
JP2012080488A (ja) ゲート駆動回路
WO2022200819A1 (ja) 駆動回路
WO2023162032A1 (ja) ゲート駆動回路およびこれを用いた電力変換装置
CN116008760A (zh) 短路检测电路
JP2022013339A (ja) 短絡判定装置、および、スイッチ装置
JP2023028099A (ja) 駆動装置
EP0558124A1 (en) Integrated circuit comprising a unit for controlling a load of an inductive nature
JP2016220092A (ja) スイッチング装置
JPH10201087A (ja) 逆電圧防止回路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant