CN102165095A - 磁性地保持在基片保持器上的阴影掩模 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于在置于基片保持器(1)上的基片(2)上借助以平面在待涂层基片表面(2’)上的阴影掩模(3)沉积侧向结构层的设备，其中，基片保持器(1)具有第一磁性区(4)，以用于磁性地吸引阴影掩模(3)的为此第一磁性区(4)配设的第二磁性区(5)，第一磁性区(4)在基片(2)被涂层前可以在阴影掩模(3)放在基片(2)上的情况下处于激活位置，在此激活位置将第二磁性区(5)向基片表面(2’)吸引，且所述第一磁性区可以为安上或取下阴影掩模(3)而处于非激活位置，在所述非激活位置中作用在第二磁性区(5)上的吸引力被减到最小。重要的是，第一磁性区(4)由位于基片保持器(1)的基片支承面(1’)的凹部(6)内、与第二磁性区(5)在位置上对应的尤其是永磁性元件形成。

Description

磁性地保持在基片保持器上的阴影掩模
技术领域
本发明涉及用于在置于基片保持器上的基片上沉积侧向结构层的方法，所述沉积借助于以平面在待涂层的基片表面上的阴影掩模进行。
此外本发明涉及用于在安放在基片保持器上的基片上沉积侧向结构层的设备，所述沉积借助于以平面在待涂层的基片表面上的阴影掩模进行。
此外本发明涉及用于此类设备或用于执行此类方法的基片保持器以及阴影掩模。
背景技术
在向基片上沉积侧向结构层的涂层过程中，形成层的成分气态地或以气溶胶形式通过进气机构导入到加工室内。加工室可沿水平方向定向。加工室的顶板可由进气机构形成。进气机构可构造为用于过程气体或气溶胶的喷淋头状布置的出口。涂层过程可在真空、负压或也可在大气压下执行。为在基片上沉积侧向结构，使用了阴影掩模。阴影掩模应与待涂层的基片形成直接均匀的面接触。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于给出将掩模尽可能无间隙地安放在基片表面上的措施。
此技术问题的解决通过对方法的如下改进实现，其中重要的是，基片保持器具有第一磁性区而阴影掩模具有为此第一磁性区在位置上对应配设的第二磁性区，所述第一磁性区在基片进行涂层前在阴影掩模安放在基片上的情况下处于激活位置，在所述激活位置中第二磁性区被吸引向基片表面，且所述第一磁性区为安上或取下阴影掩模而处于非激活位置，在此非激活位置作用在第二磁性区上的吸引力减到最小。此外，此技术问题通过对设备的如下改进解决，其中重要的是，基片保持器具有第一磁性区以用于磁性吸引为此第一磁性区位置对应配设的阴影掩模的第二磁性区，其中第一磁性区在在基片进行涂层前在阴影掩模安放在基片上的情况下可处于激活位置，在所述激活位置中将第二磁性区向基片表面吸引，且所述第一磁性区为安上或取下阴影掩模而可处于非激活位置，在此非激活位置中作用在第二磁性区上的吸引力减到最小。
从属权利要求表示了本发明的扩展，且在其并列的文本中也表示了所述技术问题的独立解决。
基本上提供了方法和用于执行方法的设备，其中基片保持器具有第一磁性区且阴影掩模具有第二磁性区。优选地提供了多个第一磁性区和与所述第一磁性区在位置上对应的阴影掩模的第二磁性区。第一磁性区在基片进行涂层前在阴影掩模安放在基片上的情况下处于激活位置。在此激活位置中，将阴影掩模的第二磁性区向基片表面吸引。基片保持器的第一磁性区可为在基片表面上安上或取下阴影掩模而处于非激活位置。在所述非激活位置中，作用在第二磁性区上的吸引力减到最小。基片保持器的特征优选地在于位于基片保持器的凹部内的第一磁体区。凹部可由基片保持器的基片安放表面的凹槽形成。在此凹槽中尤其可放入可运动的永磁元件。第一或第二磁性区可由磁性的、尤其是永磁性的元件形成，而每个另外的磁性区优选地由铁磁性元件形成。根据本发明的构造，阴影掩模在其磁性区的区域内的机械接触通过由永磁体导致的作用力实现。在阴影掩模与基片的直接接触中，在此可将阴影效应最小化到零微米。设备因此实现了激活涂层面相对于被动涂层面的分离。基片安放在其上的基片保持器优选地由冷却器形成。但也可以使用加热的基片保持器。因而特别地由于激活涂层面与被动涂层面的分离将基片且尤其是基片的激活涂层面设定温度。在本发明的优选的构造中，第一磁体区可横向于基片支承面的面法线移动，以在激活位置和非激活位置之间往复移动。为基片保持器对应配设的永磁元件形成了栅格状结构，且置入基片保持器表面的相互交叉的凹槽内。阴影掩模的第二磁性区也形成了栅格结构，其中阴影掩模的栅格片与基片保持器的永磁元件的栅格片在空间上相对应。被动涂层面因此由封闭的掩模部分覆盖，且总是在涂层过程中被以降低的涂层率随同涂层且同时不受温度控制。形成了阴影掩模的第二磁性区的片由铁磁性材料且特别地由因瓦合金(Invar)形成。基片保持器的磁性片多部分地且相互分开地形成。在优选的构造中，此片包括基本上单件的具有栅格形式的支承体和多个由支承体保持的磁体条。磁体条以大约0.1mm的垂直运动间隙与支承体宽松连接，使得每个单独的可运动的磁体条具有此量级的升程或高度灵激活。由此可补偿由制造决定的公差。磁体条自身也形成为两部分。磁体条包括与金属制成的衬底板固定连接的永磁体带。永磁体带可粘合在衬底板上。磁体条和支承体之间的连接通过螺栓、优选地通过沉头螺栓形成，其中沉头放入由永磁体带形成的直径尺寸的凹部内。螺栓杆在此穿过接合衬底板的贯通孔，且旋入到支承体内的螺纹孔内。形成支承体的栅格状框架可通过提升系统以10μm的精度高度调节。提升系统包括至少一个提升设备，所述提升设备布置在基片保持器的背离支承面的侧上，即布置在基片保持器的背侧上。框架状支承体具有多个穿过基片保持器的开口突伸出的起重杆。在基片保持器的背侧上，提升设备作用于此杆。提升设备可以是短升程气动缸。可为每个杆配设一个提升装置。起重缸通过缸控制台与基板连接。基板支承着设计为冷却器的基片保持器。在短升程气动缸上具有气动连接，所述气动连接相对于环境即相对于处理室且相对于该处的真空密封。将磁体条固定在支承体上的螺栓具有间隔螺栓的功能。所述螺栓的旋入深度限定了磁体条可与支承体分开的范围。所述范围在0.1mm至0.3mm之间。此外，此间隔螺栓可提供在可用以调节杆升程的气动缸的区域内。优选地，提升设备移动杆且因此也对支承体进行止挡限位。总升程可为大约2mm至8mm。在非激活状态中，支承体位于基片保持器的支承面的凹部的底部上。磁体条在此状态中位于支承面以下大约2mm至8mm，优选3mm。气动缸在此状态中位于终端限位位置。在此位置中，由玻璃、纸张或另外的合适的材料制成的基片安放在优选地由铝制成的基片保持器的支承面上。然后使阴影掩模与基片面接触。这可通过使阴影掩模下沉或通过使基片保持器上升而实现。提供了调节装置，以将阴影掩模在基片上这样地定位，使得由因瓦合金制成的从掩模框架发出的栅格片全等地位于基片保持器的永磁体片上方。因为磁体条在安上或取下基片表面的阴影掩模时保持为远离基片保持器的支承面的位置，所以由磁体条的永磁体在掩模片上施加的磁性吸引力被最小化。通过液压提升设备将支承体升起直至终端限位位置。在此终端限位位置中，单独的磁体条近似地位于与基片保持器的支承面齐平。但磁体条的表面也可略微位于支承面的上方或下方。由于磁体条与支承体之间的宽松连接，磁体条仍可由于朝向掩模栅格片的吸引力而将在基片下侧上。因而存在与非激活位置相比在磁体条和掩模的铁磁性片之间的最大化的磁体力。所述铁磁性片由磁体条的磁体力向基片表面吸引。在基片保持器的边缘上存在总计四个优选地成对对置的缝隙监测传感器，以用于监测阴影掩模的片的支承面和基片表面之间的可能缝隙。
形成基片保持器的冷却器优选地具有两个冷却循环，通过所述冷却循环，水或另外的合适的冷却剂曲折地被引导通过冷却器的冷却通道。冷却循环这样重叠地布置，使得冷却循环的入口与另外的冷却循环的出口在位置上相对应。以此，将通过冷却路径的冷却率损失最小化。另外，设计为使两条冷却通道多次交叉。因此，冷却循环布置在相对于支承面不同的平面内。使用此类冷却布置可将整个冷却器表面上的温度差异最小化。可实现在整个冷却器表面上的小于1℃的温度均匀性。由铝制成、且其间具有掩模的铁磁性片的框架可具有合适的独立于冷却器的循环。单独的冷却循环可并联或串联连接。优选地，掩模框架的冷却与基片保持器的冷却相独立。
为执行方法，基片通过基片加载和卸载系统放入加工室内。同时，冷却器下降到装载位置。基片然后放在穿过冷却器开口的销上且位于基片保持器和阴影掩模之间，所述阴影掩模的片由因瓦合金制成且其框架由铝制成。掩模框架放在专门的掩模保持件上。在加工室加载以基片-这可由机器臂实现-之后，形成基片保持器的冷却器运行到直接在基片下方的上方位置，且将基片从销升起。基片保持器然后向上运行，直至基片表面贴靠在阴影掩模的支承面上。基片表面和掩模下侧之间的缝隙通过缝隙检测传感器调节。首先，仅重力作用在因瓦合金掩模上，因为磁体条在加载位置和卸载位置中位于下沉的位置。在此位置残余缝隙可达100μm，但通常更小。通过短升程气动缸将杆提升且将支承体向支承面提升以上所述的大约3mm的距离。磁体条然后位于紧靠基片下侧近旁。所述磁体条具有距阴影掩模的因瓦合金片的最小距离，且对因瓦合金掩模建立了充分的永磁力。吸引力在此大到足以使因瓦合金掩模和基片之间的残余缝隙最小化到接近0μm。在涂层过程后，短升程缸再次运行到终端位置，使得因瓦合金片上的磁性吸引力被最小化。
使用前述设备可为基片涂敷有机材料涂层。涂层优选地为用于OLED或SOLAR或显示器、照明的有机蒸汽相沉积(OVPD)。该设备亦适合于处理技术聚合物蒸汽相沉积。此外，作为涂层材料可使用对二甲苯(Para-Xylyene)。此外，可建议使用卤化取代基以用于介电应用和封装应用。在带有对二甲苯Parylene C的涂层中，因瓦合金掩模与基片面接触。
本发明也涉及对掩模的改进。掩模凹口、即掩模片之间的间隙应具有特殊的边缘形状。边缘形状设定为使得涂层在掩模截面上终止，且将涂层框架和涂层片的下行最小化。为此，该片的在支承基片上起支承作用的支承面尖角地过渡到该片的中空的或倾斜地走向的侧面。
磁体条和与之相对应的掩模的因瓦合金片都不与被设定温度的基片保持器导热接触。磁体条和与之相对应的掩模的片热耦合在基片上，因为它们与基片平面地靠放。在Parylene C涂层中，增长速度受到表面温度的决定性影响。在被掩模遮挡的被动的基片表面上的增长低于在基片的激活表面上的增长。此情况下沉积在因瓦合金掩模上的层在此是这样的薄，使得也防止了Parylene C膜从基片到因瓦合金掩模上的生长和/或过度生长(überwachsen)。这导致在提升掩模时，不从基片表面撕下涂层或损坏涂层。布置在片间隙内的基片的激活区由于冷却而被施加涂层，而在被动面上不发生增长。以此设备可实现各种掩模布局形状。可实现圆形的、矩形的、方形的或多边形的形式。以相应的方式形成了栅格间隙。栅格可因此由不同宽度和不同侧向结构的片形成。
在本发明的扩展中建议，借助于磁体条将基片压向基片保持器的支承面。这通过将磁体条固定在支承体上的间隔螺栓的相应的精确调整实现。以此保证了改进的冷却接触和改进的散热。此外，可提供另外的静电卡头系统，以使基片靠着基片保持器施加力。
附图说明
本方面的实施例在下文中根据附图解释，各图为：
图1示出了基片保持器的基本元件以及基片和阴影掩模的分解透视图；
图2示出了图1所示视图，其中基片安放在基片保持器上且阴影掩模安放在基片上；
图3示出了图2所示视图的俯视图；
图4示出了基片保持器的磁体片布置的构造的分解透视图；
图5示出了磁体片布置的俯视图；
图6示出了沿图3中的线VI-VI的截面；
图7示出了沿图3中的线VII-VII的截面；
图8示出了沿图3中的线VIII-VIII的截面；
图9示出了处于非激活运行位置的图6中的放大的截面IX-IX；
图10示出了处于非激活运行位置的图7中的放大的截面X-X；
图11示出了处于非激活运行位置的图8中的放大的截面XI-XI；
图12示出了处于激活运行位置的根据图9的图；
图13示出了处于激活运行位置的根据图10的图；
图14示出了基片保持器连同其所属的提升装置24的示意图；
图15大致示意地示出了处于支承面的平行面内的基片保持器的内部结构。
具体实施方式
在图14中粗略示意性地示出的提升装置布置在反应器内部。反应器是特别地由特种钢(Edelstahl)制造的容器，供气导管开口在所述容器内。供气导管尤其开口在构造为喷淋头状的进气机构内，所述进气机构布置在基片保持器1内部。将可作为气态或气溶胶存在的反应成分和载气一起导入加工室内。这种前体也可以是单体或二聚体。此外，反应器具有出气机构，通过所述出气机构将未消耗的过程气体和载气从加工室导出。为产生真空或低压系统，提供了受控真空泵。反应器此外具有未示出的装载开口，通过所述装载开口可将阴影掩模2和基片2引入加工室内。基片保持器1在实施例中设计为由铝制成的冷却块且安放在提升装置24上。借助于提升装置24可使基片保持器1在垂直方向上移动。在加载位置中，基片保持器1处于未示出的下沉位置。销以附图标号25图示，所述销25穿过未示出的开口通过基片保持器1突伸出，且在基片保持器1下沉时在图14中安放在基片保持器1上的基片2放在所述销25上。基片2可在这个安放在销25上的位置中取出且被另外的基片替换。阴影掩模3在垂直方向上位于基片上方且由掩模保持器保持在此位置中。阴影掩模3平行于基片2走向。从在图14中示出的位置出发，提升装置24可将基片保持器1连同安放在基片保持器1的支承面1’上的基片2一起提升，直至基片表面2’碰在阴影掩模3的下侧上。
从图15中也粗略示意性地可见基片保持器1的内部结构。在此，示出了两个曲折形的冷却循环14、15。第一冷却循环14的入口14’直接位于邻近第二冷却循环15的出口15”旁。第二冷却循环15的入口15’直接位于邻近第一冷却循环14的出口14”旁。两个冷却循环14、15分别位于一个基片支承面1’的平行平面内。冷却循环14、15的曲折形走向的通道多次相交。
图1至图3在不同的总体图中示出了阴影掩模3和基片保持器1上侧的结构。
阴影掩模3具有框架26，所述框架26可提供有未示出的冷却通道。此矩形框架支承着全部十二根条，所述条材料一体地形成由因瓦合金(一种铁磁性材料)制成的栅格5。在实施例中，栅格间隙是矩形的。在未示出的实施形式中，栅格间隙也可具有另外的构造。所述间隙例如可以具有圆形的、椭圆形的或多边形的构造。
基片1包括必要时多部分的铝块，所述铝块带有以上已提及的冷却通道14、15。基片保持器1的指向基片2的支承面1’具有凹部6，所述凹部6在形式上由交叉的凹槽形成。交叉的凹槽6与阴影掩模3的片5在位置上对应。
由栅格形支承体11支承的磁体条10位于凹部6内。磁体条10是单独的带形物体，所述磁体条10通过一个或两个螺栓21单独可运动地与支承体11宽松地连接。单独的磁体条10可在垂直方向上相对于支承它的支承体11略微移动。
支承体11可由铝制成且置入凹槽6内。通过螺栓22将支承框架11与多个杆9连接。为此，杆9的端侧具有所述螺栓22旋入其内的螺纹孔。杆9从基片保持器的下侧1”突伸出，且在此处与仅示意性地图示的提升设备7每个止挡限位地移动。提升设备7可气压操纵。
单独的磁体条10是两部分的。所述磁体条10包括薄的永磁体带12，所述永磁体带与金属板制成的衬底带连接。连接可通过粘合剂实现。永磁体带12具有螺栓头容纳孔18以用于调整和固定螺栓21的沉头。螺栓21的杆通过衬底板13的直径更小的开口19突伸出。衬底板13因此由螺栓21的头保持。螺栓21仅宽松地旋入支承体21的螺纹开口20内，使得在衬底板13的下侧和支承体11的上侧之间保留缝隙23。因此保证了磁体条10相对于支承体11的十分之一毫米量级的垂直运动间隙。
在特别地在图10中图示的非激活位置中，支承体11保持在凹部6的底部附近。这通过所提及的提升设备7实现。在此位置中，磁体条10的表面具有距基片保持器1的基片支承面1’的大约3mm的距离。如从图9和图10中进一步可见，基片2位于凹部6的直接上方且阴影掩模3的由铁磁性材料制成的片5位于基片2的上方。掩模片5的下侧5’可具有未示出的距基片表面2’的距离。
如果现在通过提升装置7将支承体11升起直至终端限位位置，如特别地在图12和图13中所图示，则磁体条10接触地贴靠在基片2的下侧2”上。从图13中可见，螺栓21的头部以有间隔的形状放入衬底板13的开口19内。由永磁体带12所施加的吸引力将磁体条10保持在基片的下侧2”上，且将掩模片5的支承面5’吸向基片2的表面2’。
建议使得螺栓21是调节螺栓，使用所述螺栓21可调节缝隙23的最大缝隙宽度。缝隙因此可被最小化，使得在激活位置中通过螺栓21的头部在磁体条10上施加向下的吸引力。在此情况中通过磁体条10将基片即基片下侧2”向基片保持器1的支承面1’吸引。从而对热交换进行优化。
但也可使用ESC——静电吸盘系统(Electrostatic Chuck System)——施加另外的静电力。
从图9、图10、图12和图13中进一步可见铁磁性掩模片5的横截面。掩模片5的支承面5’通过形成尖角过渡到中空的侧面5”。
在未示出的实施例中，可作为液体冷却的替代提供通过热电效应元件(Peltierelementen)的冷却。
所有公开的特征(本身)对本发明都是实质性的。在本申请的公开中，因此也全文引入了所属的/附加的优先权文件(在先申请副本)，也为此目的而将此文件的特征包括在本申请的权利要求中。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种用于在置于基片保持器(1)上的基片(2)上沉积侧向结构层的设备，所述沉积借助于以平面在待涂层的基片表面(2’)上的阴影掩模(3)进行，其中，基片保持器(1)具有第一磁性区(4)以用于磁性地吸引阴影掩模(3)的为此第一磁性区(4)对应配设的第二磁性区(5)，其中，第一磁性区(4)在基片(2)被涂层前当阴影掩模(3)放在基片(2)上时可处于激活位置，在此激活位置中将第二磁性区(5)向基片表面(2’)吸引，且所述第一磁性区为安上或取下阴影掩模(3)而可处于非激活位置，在所述非激活位置中作用在第二磁性区(5)上的吸引力减到最小，其特征在于，第一磁性区(4)由置入基片保持器(1)的基片支承面(1’)的凹部(6)内、与第二磁性区(5)在位置上对应的尤其是永磁性元件形成。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，第一或第二磁性区(4、5)由磁性的、尤其是永磁性的元件形成，而各自另一个的磁性区(5、4)则由铁磁性元件形成。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，尤其由(永)磁性元件形成的第一磁体区(4)可横向于基片支承面(1’)移动，以在激活位置和非激活位置之间来回移动。
4.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，基片支承面(1’)的凹部(6)由交叉的凹槽形成，在所述凹槽中放入具有栅格的片的形式的(永)磁性元件(4)，所述(永)磁性元件(4)与阴影掩模的也构造为栅格片形式的铁磁性元件(5)磁性地相互作用。
5.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，基片保持器(1)的(永)磁性元件(4)是磁体条(10)，所述磁体条(10)通过凹部(6)内的提升设备(7)可从激活位置移动到非激活位置，在所述激活位置，磁体条(4)基本上与基片支承面(1’)齐平，在所述非激活位置，磁体条(4)位于凹部(6)内的下沉位置。
6.根据前述权利要求5所述的设备，其特征在于，提升设备(7)布置在基片保持器(1)的背离基片支承面(1’)的侧(1”)上，且通过基片保持器(1)的开口(8)使穿过的杆(9)作用在(永)磁性元件(4)上。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，磁体条(10)相对于水平走向的基片支承面具有垂直运动间隙地与支承体(11)连接。
8.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，磁体条(10)由与衬底带(13)相连、尤其是相粘合的永磁性带(12)形成。
9.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，用于监测阴影掩模(3)的片(5)的支承面(5’)和基片支承面(2’)之间的可能缝隙的缝隙监测传感器(16)。
10.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，基片保持器(1)是冷却体且具有曲折的冷却通道(14、15)，其中，两个分离的冷却通道(14、15)提供在两个相互分离的平行于基片支承面走向的平面内，冷却剂反向流过或可反向流过所述冷却通道(14、15)。
11.一种用于根据前述权利要求中任一项所述的设备的基片保持器，其特征在于，基片支承面(1’)内的凹部(6)，在所述凹部(6)内放入永磁性元件，所述永磁性元件可在面法线的方向上相对于基片支承面(1’)移动。
12.一种用于与根据前述权利要求中任一项所述的设备或基片保持器一起使用的阴影掩模(3)，带有由磁性材料制成的栅格状布置的片(5)，其特征在于，片(5)的在支承基片(2)上起支承作用的支承面(5’)尖角地过渡到片(5)的中空的或倾斜地走向的侧面(5”)。

Claims (13)

1.一种用于在置于基片保持器(1)上的基片(2)上沉积侧向结构层的设备，所述沉积借助于以平面在待涂层的基片表面(2’)上的阴影掩模(3)进行，其中，基片保持器(1)具有第一磁性区(4)以用于磁性地吸引阴影掩模(3)的为此第一磁性区(4)对应配设的第二磁性区(5)，其中，第一磁性区(4)在基片(2)被涂层前当阴影掩模(3)放在基片(2)上时可处于激活位置，在此激活位置中将第二磁性区(5)向基片表面(2’)吸引，且所述第一磁性区为安上或取下阴影掩模(3)而可处于非激活位置，在所述非激活位置中作用在第二磁性区(5)上的吸引力减到最小，其特征在于，第一磁性区(4)由置入基片保持器(1)的基片支承面(1’)的凹部(6)内、与第二磁性区(5)在位置上对应的尤其是永磁性元件形成。
2.根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备，其特征在于，第一或第二磁性区(4、5)由磁性的、尤其是永磁性的元件形成，而各自另一个的磁性区(5、4)则由铁磁性元件形成。
3.根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备，其特征在于，尤其由(永)磁性元件形成的第一磁体区(4)可横向于基片支承面(1’)移动，以在激活位置和非激活位置之间来回移动。
4.根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备，其特征在于，基片支承面(1’)的凹部(6)由交叉的凹槽形成，在所述凹槽中放入具有栅格的片的形式的(永)磁性元件(4)，所述(永)磁性元件(4)与阴影掩模的也构造为栅格片形式的铁磁性元件(5)磁性地相互作用。
5.根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备，其特征在于，基片保持器(1)的(永)磁性元件(4)是磁体条(10)，所述磁体条(10)通过凹部(6)内的提升设备(7)可从激活位置移动到非激活位置，在所述激活位置，磁体条(4)基本上与基片支承面(1’)齐平，在所述非激活位置，磁体条(4)位于凹部(6)内的下沉位置。
6.根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备，其特征在于，提升设备(7)布置在基片保持器(1)的背离基片支承面(1’)的侧(1”)上，且通过基片保持器(1)的开口(8)使穿过的杆(9)作用在(永)磁性元件(4)上。
7.根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备，其特征在于，磁体条(10)相对于水平走向的基片支承面具有垂直运动间隙地与支承体(11)连接。
8.根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备，其特征在于，磁体条(10)由与衬底带(13)相连、尤其是相粘合的永磁性带(12)形成。
9.根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备，其特征在于，用于监测阴影掩模(3)的片(5)的支承面(5’)和基片支承面(2’)之间的可能缝隙的缝隙监测传感器(16)。
10.根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备，其特征在于，基片保持器(1)是冷却体且具有曲折的冷却通道(14、15)，其中，两个分离的冷却通道(14、15)提供在两个相互分离的平行于基片支承面走向的平面内，冷却剂反向流过或可反向流过所述冷却通道(14、15)。
11.一种用于根据前述权利要求中一项或多项所述的设备的基片保持器，其特征在于，基片支承面(1’)内的凹部(6)，在所述凹部(6)内放入永磁性元件，所述永磁性元件可在面法线的方向上相对于基片支承面(1’)移动。
12.一种用于与根据或特别地根据前述权利要求中一项或多项所述的设备或基片保持器一起使用的阴影掩模(3)，其特征在于，由磁性材料制成的栅格状布置的片(5)。
13.根据或特别地根据权利要求12所述的阴影掩模(3)，其特征在于，片(5)的在支承基片(2)上起支承作用的支承面(5’)尖角地过渡到片(5)的中空的或倾斜地走向的侧面(5”)。
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