CN102084412A - 有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法 - Google Patents

有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明是提供一种有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(101A)具有透明基板(10)、形成在透明基板上的透明布线(LG、LD、LP、L1、L2等)、覆盖透明布线的至少一部分的透明半导体层(44)、覆盖布线及透明半导体层(44)的至少一部分的透明绝缘膜(40、50)。布线包括在行列方向上以相互交叉的方式延伸的主布线(41的一部分等)、和从该主布线分支而与各像素(101a)中的元件连接的副布线(41的一部分、42、43等)，这些布线利用例如ZTO或ITO等半导体材料来形成。

Description

有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法 
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法，涉及包含晶体管元件、特别是包含薄膜晶体管(Thin FilmTransistor：TFT)元件的有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法。 
背景技术
近年来，由于可实现低消耗电力化、低驱动电压化及省空间化等，液晶显示装置(Liquid Crystal Display：LCD)或有机EL(ElectroLuminescence)显示装置等所代表的平板面板显示(Flat Panel Display：FPD)装置的开发正在盛行。 
在FPD装置中，例如液晶显示装置或有机EL显示装置等的驱动方式，大致区分为静态驱动方式和动态驱动方式，其中，被分类为动态驱动方式的有源矩阵驱动方式，由于可降低像素间的色度亮度干扰(crosstalk)，并进行更清晰的影像再现，而备受瞩目。 
在实现有源矩阵驱动方式时，一般而言，采用按照每个像素具有一个以上的开关元件或电容元件等的被称为阵列基板的电路基板。在本说明书中，将它称为有源矩阵基板。 
在例如液晶显示装置的情况下，在有源矩阵基板与对置基板之间，设置液晶元件。在此，从装置内的光源发出的光，虽然透过有源矩阵基板、液晶元件及对置基板被辨认，但此时通过对液晶元件施加适当电压来控制它的分子排列，而表现作为影像的色调、灰度等。 
此外，在例如有机EL显示装置的情况下，在有源矩阵基板的主面中的一个面侧设置每个像素的有机发光二极管。在此，来自有机发光二极管的光，虽然透过有源矩阵基板(背面发光型/底部发光型)来辨认，或者，不透过有源矩阵基板(上表面发光型/顶部发光型)来辨认，但此时通过 控制有机发光二极管中流动的电流量来表现作为影像的色调、灰度等。 
根据以上的结构，有源矩阵基板是决定液晶显示装置或有机EL显示装置等的FPD中的面板部分厚度的重要因素。因此，该有源矩阵基板中的开关元件，考虑到面板部分的薄型化，通常采用晶体管元件、特别是TFT元件等薄膜元件。 
其中，通过电极材料或半导体材料或绝缘膜材料等的开发，可形成透明的TFT(参照例如以下所示的非专利文献1)。 
非专利文献1：神谷利夫等著“非晶氧化物半导体的设计与高性能挠性薄膜晶体管的室温形成”，第19届尖端技术大奖参赛论文[online]、[2008年4月9日检索]、互联网＜URL：http://www.fbi-award.jp/sentan/jusyou/2005/toko_canon.pdf> 
在此，作为决定液晶显示装置或有机EL显示装置等的性能的一个因素，存在有源矩阵基板的开口率。该开口率是用于实现更高密度化或高对比率及亮度等的重要因素，开口率越大，越能够实现高集成化或高对比率或高亮度等。 
然而，在上述现有的技术中，虽然能够实现有源矩阵基板中的晶体管元件的透明化，但无法实现布线部分的透明化。对布线而言，为了实现液晶显示装置或有机EL显示装置等的消耗电力或驱动电压的减低而要求某种程度的大截面积。因此，布线部分不透明会使现有的有源矩阵基板中的开口率的提高受到限制。 
发明内容
因此，本发明鉴于上述问题，其目的在于，提供能够提高开口率的有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法。 
为达到目的，根据本发明， 
[1]一种有源矩阵基板，具有多个晶体管元件，该有源矩阵基板具有： 
基板，其能够透过可见光；布线，其形成在所述基板上，且能够透过可见光；半导体层，其能够透过可见光，且从所述基板的厚度方向看该半导体层与所述布线的至少一部分重叠；和绝缘膜，其覆盖所述布线及半导体层的至少一部分，且能够透过可见光。 
[2]所述[1]所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述布线包括主布线；和副布线，其从该主布线分支，且连接该主布线与所述晶体管元件。 
[3]所述[1]或[2]所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述布线由无机氧化物导电体材料构成。 
[4]所述[1]至[3]的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述半导体层由无机氧化物半导体材料构成。 
[5]所述[1]至[4]的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述布线由导电体材料构成，所述导电体材料由锌锡氧化物或含铟氧化物构成，所述半导体层由半导体材料构成，所述半导体材料的载体浓度比所述布线低且由锌锡氧化物或含铟氧化物构成。 
[6]所述[1]至[5]的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述布线的一部分作为所述晶体管元件中的电极发挥功能。 
[7]所述[1]至[6]的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述布线的一部分作为所述晶体管元件中的栅电极、源电极及漏电极来发挥功能，所述绝缘膜的一部分作为所述晶体管中的栅极绝缘膜来发挥功能。 
[8]所述[1]至[7]的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，该有源矩阵基板还具有第一及第二晶体管、和电容器，所述布线构成：一条以上扫描线的至少一部分、一条以上数据线的至少一部分、和一条以上驱动线的至少一部分，所述第一晶体管，其控制端子与所述扫描线连接，且其输入端子与所述数据线连接，所述第二晶体管，其控制端子与所述第一晶体管的输出端子连接，且其输入端子与所述驱动线连接，所述电容器，其一方的电极与所述驱动线连接，且其另一方的端子与所述第二晶体管的控制端子连接。 
[9]所述[1]至[7]的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，该有源矩阵基板还具有第一晶体管及电容器，所述布线构成：一条以上扫描线的至少一部分、一条以上数据线的至少一部分、和一条以上驱动线的至少一部分，所述第一晶体管，其控制端子与所述扫描线连接，且其输入端子与所述数据线连接，所述电容器，其一方的端子与所述晶体管的输出端子连接。 
[10]一种显示面板，具有所述[1]至[8]的任一项所述的有源矩阵基板； 第一电极，其形成在所述有源矩阵基板上，且能够透过可见光；有机膜，其形成在所述第一电极上；和第二电极，其形成在所述有机膜上。 
[11]所述[10]所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极能够透过可见光。 
[12]所述[11]所述的显示面板，其特征在于，还具有与所述第二电极电连接的辅助电极。 
[13]所述[12]所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极能够透过可见光。 
[14]所述[10]至[13]的任一项所述的显示面板，其特征在于，还具有过滤膜，该过滤膜形成在所述有机膜的上层及下层的任一层或双方。 
[15]一种显示面板，具有：所述[1]至[7]及[9]的任一项所述的有源矩阵基板；对置基板，其能够透过可见光；和液晶元件，其包括液晶层；夹着该液晶层的两个取向膜；和夹持由所述液晶层和所述两个取向膜构成的层叠体的像素电极及公共电极，所述像素电极及公共电极能够透过可见光，所述像素电极与所述有源矩阵基板中的所述布线电连接，所述液晶元件由所述有源矩阵基板与所述对置基板夹持。 
[16]所述[15]所述的显示面板，其特征在于，还具有两个偏振片，该两个偏振片夹着由所述有源矩阵基板、所述液晶元件和所述对置基板构成的层叠体。 
[17]所述[15]或[16]所述的显示面板，其特征在于，还具有：遮光膜，其形成在所述公共电极上；和过滤膜，其至少形成在所述公共电极上，且透过规定频带的波长。 
[18]一种显示装置，具有所述[10]至[17]记载的显示面板。 
[19]一种有源矩阵基板的制造方法，包括：第一布线形成工序，在能够透过可见光的基板上形成第一布线，该第一布线能够透过可见光，且该第一布线的一部分包含构成晶体管元件的电极；第一绝缘膜形成工序，在所述基板上形成第一绝缘膜，该第一绝缘膜能够透过可见光且覆盖所述第一布线的至少一部分，且该第一绝缘膜的一部分包含构成所述晶体管元件的绝缘膜；第二布线形成工序，在所述第一绝缘膜上形成第二布线，该第二布线能够透过可见光，且该第二布线的一部分包含构成所述晶体管元 件的电极；半导体层形成工序，在所述第一绝缘膜上形成半导体层，该半导体层能够透过可见光且覆盖所述第二布线的至少一部分；和第二绝缘膜形成工序，在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，该第二绝缘膜能够透过可见光且覆盖所述半导体层及所述第二布线的至少一部分。 
[20]所述[19]所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，使用无机氧化物导电体材料来形成所述第二布线。 
[21]所述[19]或[20]所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，使用无机氧化物半导体材料来形成所述半导体层。 
[22]所述[19]至[21]的任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，利用由锌锡氧化物或含铟氧化物构成的导电体材料来形成所述第二布线，利用能够比所述布线降低载体浓度的由锌锡氧化物或含铟氧化物构成的半导体材料来形成所述半导体层。 
[23]所述[19]至[22]的任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在所述半导体层形成工序中，在所述第一绝缘膜上形成覆盖所述第二布线的半导体膜，且通过以所述第二布线不露出的方式对该半导体膜进行蚀刻，来形成所述半导体层。 
[24]所述[19]至[23]的任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在所述第一布线形成工序、所述第二绝缘膜形成工序、所述第二布线形成工序、所述半导体层形成工序及所述第二绝缘膜形成工序中的至少一个工序中，利用印刷法或喷墨印刷法，来形成所述第一布线、所述第一绝缘膜、所述第二布线、所述半导体层或所述第二绝缘膜。 
(发明效果) 
根据本发明，有源矩阵基板中的布线对可见光是透明的，因此，能够大幅提高有源矩阵基板的开口率。此外，基于同样的理由，根据本发明，能够制造开口率被大幅提高的有源矩阵基板。而且，利用这样的本发明的有源矩阵基板，能够实现开口率被大幅提高的有源矩阵基板及显示装置。 
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的概略结构的方框图。 
图2是表示本发明的实施方式1的各像素的概略电路结构的示意图。 
图3是用于说明本发明的实施方式1的各像素中的有源矩阵基板的布局构造的概略俯视图。 
图4是用于说明本发明的实施方式1的各像素中的层结构的概略剖面图。 
图5-1是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其一)。 
图5-2是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其二)。 
图5-3是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其三)。 
图5-4是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其四)。 
图5-5是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其五)。 
图5-6是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其六)。 
图5-7是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其七。 
图5-8是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其八)。 
图5-9是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其九)。 
图5-10是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其十)。 
图6是用于说明本发明的实施方式2的各像素中的层构造的概略剖面图。 
图7是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置的概略结构的方框图。 
图8是表示本发明的实施方式3的各像素的概略电路结构的示意图。 
图9是用于说明本发明的实施方式3的各像素中的有源矩阵基板的布局构造的概略俯视图。 
图10是用于说明本发明的实施方式3的各像素中的层构造的概略剖面图。 
图11-1是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其一)。 
图11-2是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其二)。 
图12-1是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其三)。 
图12-2是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其四)。 
图12-3是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其五)。 
图12-4是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其六)。 
图12-5是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其七)。 
图12-6是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其八)。 
图13是表示本发明的实施方式3的液晶显示装置中的显示面板的制造方法的工序剖面图(其九)。 
具体实施方式
以下，参照附图来详细地说明用于实施本发明的最佳方式。而且，本发明不局限于以下实施方式。此外，在以下的说明中，各附图仅以能够理解本发明的内容的程度概略地表示形状、大小及位置关系，因此，本发明不是仅局限于各附图所例示的形状、大小及位置关系。而且，在各附图中，为了结构的清晰，省略剖面中的阴影的一部分。而且，在后述中例示的数值，仅为本发明的优选例，因此，本发明并不局限于例示的数值。 
<实施方式1> 
首先，作为本发明的实施方式1的显示装置，以有机EL显示装置100为例来进行说明。图1是表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的概略结构的方框图。并且，在本实施方式中，以所谓的背面发光型(底部发光(bottom emission)型)的有机EL显示装置100为例，其能够将来自发光元件(例如图4中的有机发光二极管D1)的光经由元件基板(例如图4中的有源矩阵基板101A)从它的下表面(例如图4中的下表面100a)输出到外部。 
(整体结构) 
如图1所示，有机EL显示装置100具有：包含以二维矩阵状排列的像素(PX)101a的显示面板101；与该显示面板101连接的扫描驱动部103、数据驱动部104、电容线驱动部105及驱动信号生成部106；和用于控制各部的信号控制部102。并且，显示面板101具有与红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)的三原色的每一个相关的像素101a。 
在此，显示面板101包括：连接于扫描驱动部103，且分别传送扫描信号的扫描线LG1、LG2...、LGn(以下，将任意扫描线设为LG)；连接于数据驱动部104，且分别传送数据信号的数据线LD1、LD2、LD3、...、LDm(以下，将任意数据线设为LD)；连接于电容线驱动部105，且分别传送电容线驱动信号的电容线LC1、LC2、LC3、...、LCm(以下，将任意电容线设为LC)；连接于驱动信号生成部106，且分别传送驱动信号的驱动线LP1、LP2、LP3、...、LPm(以下，将任意驱动线设为LP)。 
各扫描线LG1至LGn是向图中大致行方向延伸，各数据线LD1至LDm是向图中大致列方向延伸。因此，扫描线LG1至LGn与数据线LD1至LDm以二维矩阵状交叉。各像素101a分别配置于该二维矩阵中的交叉部分，且连接于对应的扫描线LG及数据线LD。此外，各电容线LC1至LCm与数据线LD1至LDm大致平行地延伸，且与配置于各交叉部分的像素101a连接。同样地，各驱动线LP1至LPm与数据线LD1至LDm大致平行地延伸，且与配置于各交叉部分的像素101a连接。在本实施方式中，分别在扫描线LG、数据线LD、电容线LC和驱动线LP中，将以彼此交叉的方式沿行列方向延伸的布线部分设为主布线，将从该主布线分支且与各像素101a 中的开关晶体管Q1或驱动晶体管Q2或电容器C1(例如，参照图2)等元件连接的布线部分设为副布线。此外，将连接各像素间的布线(L1、L2等)设为副布线。 
信号控制部102根据从外部输入的视频信号R、G、B及用于控制其显示的输入控制信号(数据允许信号DE、水平同步信号Hsync、垂直同步信号Vsync、主时钟MCLK等)，生成用于控制影像再现的扫描控制信号CONT1、数据控制信号CONT2、电容线控制信号CONT3、发光控制信号CONT4及视频数据信号DAT等。 
所生成的扫描控制信号CONT1输入至扫描驱动部103。扫描控制信号CONT1包含指示后述的栅极导通电压Von的输出开始的垂直同步开始信号、对栅极导通电压Von的输出时刻进行控制的栅极时钟信号、或对栅极导通电压Von的输出期间进行控制的输出允许信号等。此外，还向扫描驱动部103输入用于使各像素101a所包含的开关晶体管Q1(参照图2)导通/截止的栅极导通电压Von及栅极截止电压Voff。扫描驱动部103根据扫描控制信号CONT1从栅极导通电压Von及栅极截止电压Voff而生成扫描信号，并将它输入至扫描线LG。 
此外，数据控制信号CONT2及视频数据信号DAT，输入至数据驱动部104。数据控制信号CONT2包含指示视频数据信号DAT的输入开始的水平同步信号、或用于将数据信号输入至数据线LD的加载信号。数据驱动部104根据数据控制信号CONT2，使接收到的视频数据信号DAT锁存(latch)之后，适当地生成与视频信号DAT对应的数据信号，并将它输入至数据线LD。 
此外，电容线控制信号CONT3输入至电容线驱动部105。电容线控制信号CONT3是用于生成电容线LC驱动用的电容线驱动信号的信号。电容线驱动部105生成用于根据电容线控制信号CONT3而驱动电容线LC的电容线驱动信号，并将它输入至电容线LC。 
此外，发光控制信号CONT4输入至驱动信号生成部106。发光控制信号CONT4是用于生成有机发光二极管D1(参照图2)驱动用的驱动信号的信号。驱动信号生成部106生成用于根据发光控制信号CONT4而使有机发光二极管D1发光或不发光的驱动信号，并将它输入至驱动线LP。 
而且，驱动信号输入至后述的有机发光二极管D1的正极。此外，向有机发光二极管D1的负极输入公共电压Vcom(参照图2)。因此，在本实施方式中，通过将使有机发光二极管D1发光的期间的驱动信号的电压电平设定得高于公共电压Vcom的电压电平，并且将除此之外的期间的驱动信号的电压电平设定得低于或等于公共电压Vcom，来控制有机发光二极管D1的发光/不发光。在此，公共电压Vcom可设为例如接地电位。此外，也可以使用电源线代替驱动线LP。此时，省略驱动信号生成部106，并对电源线施加电源电压。 
(像素结构) 
接着，用图2来说明各像素101a的概略结构及其动作。并且，以下的说明，针对R、G、B之中任一像素101a均相同。 
图2是表示像素101a的概略电路结构的示意图。如图2所示，像素101a包括：开关晶体管Q1；驱动晶体管Q2；电容器C1和有机发光二极管D1。 
开关晶体管Q1例如是n型的TFT，其源极S例如与节点N4处从数据线LD的主布线分支的副布线连接，漏极D经由包含节点N1的布线L1与驱动晶体管Q2的栅极G连接。此外，开关晶体管Q1的栅极G例如与在节点N3处从扫描线LG的主布线分支的副布线连接。因此，开关晶体管Q1根据扫描信号的电压电平Vg(扫描控制电压)，使数据线LD及节点N1间导通或截止。 
例如，经由在节点N1处分支的布线部分(其也包含于布线L1)，电容器C1的一个端子与布线L1连接。电容器C1的另一个端子，例如与在节点N5处从电容线LC的主布线分支的副布线连接。从上述电容线驱动部105向电容线LC提供电容线驱动信号。该电容线驱动信号的电压电平Vc(电容线驱动电压)，例如可设为接地电位。换言之，电容线LC可设为接地线。此时，能够省略电容线驱动部105。 
在此，若输入至扫描线LG的扫描信号的电压电平Vg(扫描控制电压)为高电平，则开关晶体管Q1为导通状态，且经由该开关晶体管Q1对驱动晶体管Q2的栅极G注入与数据信号的电压电平Vd(数据驱动电压)相应的电荷。其结果是，驱动晶体管Q2成为导通状态，节点N3及有机 发光二极管D1之间导通。 
在此，电容器C1在从扫描线LG的电压电平Vg成为低电平且开关晶体管Q1完全成为截止状态之后，到下一电压电平Vg成为高电平且开关晶体管Q1成为导通状态、且输入下一个数据信号为止的期间，发挥维持驱动晶体管Q2中的栅极G的电位的作用。即，电容器C1将输入至数据线LD的数据保持规定期间。 
驱动晶体管Q2例如是n型的TFT，其漏极D例如与在节点N6处从驱动线LP的主布线分支的副布线连接，其源极S经由节点N2与有机发光二极管D1的正极连接。而且，对有机发光二极管D1的负极，施加公共电压Vcom(例如，接地电位GND)。因此，驱动晶体管Q2成为导通状态，且若对正极施加电源电压VDD，则由于在有机发光二极管D1中流入电流，所以有机发光二极管D1以与电流I的电流量相应的亮度来发光。另一方面，驱动晶体管Q2为截止状态时，由于有机发光二极管D1中不流入电流，所以不发光。 
接着，用图3及图4来详细地说明各像素101a的布局构造及层构造。图3是用于说明像素101a中的有源矩阵基板101A(例如参照图4)的布局构造的概略俯视图。此外，图4是用于说明像素101a的层结构的概略的剖面图。而且，在图3中，为了说明的简化而省略透明基板10、层间绝缘膜40及50等的结构(例如，参照图4)。此外，图4是连续地表示以图3的A-A’截断的截断端面的像素101a的概略层结构。而且，在以下的说明中，为了说明的明确化，对同一层中的同种膜赋予相同符号。 
如图3或图4所示，像素101a具有：作为阵列基板的有源矩阵基板101A(例如，参照图4)；和有源矩阵基板101A上的有机发光二极管D1(例如，参照图4)。有源矩阵基板101A例如包括：扫描线LG；数据线LD；电容线LC；驱动线LP；布线L1及L2；开关晶体管Q1；驱动晶体管Q2；和电容器C1。有机发光二极管D1包含夹持在正电极61及负电极63之间的有机膜62，例如经由布线L2与驱动晶体管Q2的源电极24s连接。并且，也可以将滤色器设置在相对于有机发光二极管D1而言的光导出侧。并且，在图4中，以反白箭头表示发光方向(光的导出方向)。 
扫描线LG例如由透明基板10上的第一布线层41构成(例如，参照 图3)。数据线LD、电容线LC及驱动线LP分别例如由透明基板10上的第一布线层41及层间绝缘膜40上的第二布线层43、层间绝缘膜40上所形成的触点内的触点内布线42、和通过用于连接位于相邻的像素101a间的第一布线层41的触点内布线42及第二布线层43形成的立体布线RC构成。布线L1及L2分别例如由透明基板10上的第一布线层41及层间绝缘层40上的第二布线层43、层间绝缘膜40上所形成的接触孔内的触点内布线42构成。此外，布线L2也包括例如接触插头51，接触插头51用于将与驱动晶体管Q2的源电极24s连接的第一布线层41电连接于有机发光二极管D1的正电极61。而且，图2所示的各节点N1、N2、N3、N4、N5及N6可分别定义在例如图3所示的各位置处。 
在第一布线层41中，向大致行方向或大致列方向延伸的部分，分别相当于扫描线LG、数据线LD、电容线LC或驱动线LP中的主布线部分。此外，相当于从主布线部分分支而用于连接该主布线与各像素101a中的元件(Q1、Q2、C1等)的副布线部分。 
触点内布线42及第二布线层43，例如是用于将数据线LD、电容线LC或驱动线LP引导至层间绝缘膜40上的布线，或者是跨过沿与各布线(LD、LC、LP等)大致垂直的方向延伸的扫描线LG而用于电连接各布线(LD、LC、LP等)中的主布线间的立体布线RC。并且，在本实施方式中，在触点内布线42及第二布线层43中，将各布线(LD、LC、LP等)引导至层间绝缘膜40上的部分包含于副布线部分，用于跨过扫描线LG的部分包含于主布线部分。 
如此，通过利用形成在层间绝缘膜40(例如，参照图4)内的触点内布线42来电连接层间绝缘膜40下的第一布线层41与层间绝缘膜40上的第二布线层43，能够使各信号线(LG、LD、LC、LP等)立体交叉。由此，由于能够在单一的层(本实施方式中透明基板10上的层)上形成各布线(LG、LD、LC、LP等)的多个区域，所以能够实现有源矩阵基板101A中的层构造的简化或布线布局的明确化等，并且，能够提高在上层形成的膜上表面的平坦性。 
此外，在透明基板10上，通过在未形成各种布线(LG、LD、LC、LP、L1、L2等)及各种元件(Q1、Q2、C1等)的区域，形成例如第一布线 层41的一部分冗长的冗长布线41a(例如，参照图3)，从而提高了形成在透明基板10上的层上表面的平坦性。 
开关晶体管Q1是所谓底部栅极构造的薄膜晶体管(TFT)，其例如由透明基板10上的栅电极11、覆盖栅电极11的栅极绝缘膜12、栅极绝缘膜12上的源电极14s及漏电极14d、和源电极14s及漏电极14d之间的栅极绝缘膜12上的透明半导体层13构成(例如，参照图4)。 
栅电极11，例如能够使用构成扫描线LG的第一布线层41的一部分。栅极绝缘膜12，例如能够使用层间绝缘膜40的一部分。透明半导体层13，例如能够使用透明半导体层44的一部分。源电极14s，例如能够使用构成数据线LD的一部分的第二布线层43的一部分。漏电极14d，例如能够使用构成布线L1的一部分的第二布线层43的一部分。然而，本发明不局限于此，例如：也可以作为对于栅电极11使用第二布线层43的一部分、且对于源电极14s及漏电极14d分别使用第一布线层41的一部分的所谓顶部栅极构造的薄膜晶体管(TFT)。 
同样地，驱动晶体管Q2是所谓底部栅极构造的薄膜晶体管(TFT)，其例如由透明基板10上的栅电极21、覆盖栅电极21的栅极绝缘膜22、栅极绝缘膜22上的源电极24s及漏电极24d、和漏电极24d及源电极24s之间的栅极绝缘膜22上的透明半导体层23构成(例如，参照图4)。 
栅电极21，例如能够使用构成布线L1的一部分的第一布线层41的一部分。栅极绝缘膜22，例如能够使用层间绝缘膜40的一部分。透明半导体层23，例如能够使用透明半导体层44的一部分。漏电极24d，例如能够使用构成驱动线LP的一部分的第二布线层43的一部分。源电极24s，例如能够使用构成布线L2的一部分的第二布线层43的一部分。然而，本发明不局限于此，例如，也可以作为对于栅电极21使用第二布线层43的一部分、且对于漏电极24d及源电极24s分别使用第一布线层41的一部分的所谓顶栅极构造的薄膜晶体管(TFT)。 
而且，本实施方式的有源矩阵基板101A具有作为晶体管元件的TFT且被称为所谓阵列基板。 
电容器C1例如由透明基板10上的下部电极31、下部电极31上的上部电极33、以及下部电极31及上部电极33之间的电容绝缘膜32构成(例 如，参照图4)。下部电极31，例如能够使用构成电容线LC的一部分的第一布线层41的一部分。电容绝缘膜32，例如能够使用层间绝缘膜40的一部分。上部电极33，例如能够使用构成驱动线LP的第二布线层43的一部分。 
此外，有源矩阵基板101A上的有机发光二极管D1，例如由正电极61、正电极61上的有机膜62、以及有机膜62上的负电极63构成(例如，参照图4)。并且，也可以在相对于有机发光二极管D1而言的光导出侧的层上，配置滤色器或波长转换器等的颜色变换膜。 
在相邻的像素101a间，例如形成用于按照每个像素来划分负电极61和有机膜62的隔壁70(例如，参照图4)。在层间绝缘膜50上，形成用于保护有机发光二极管D1、下层各元件以及各布线的钝化膜80(例如，参照图4)。 
在此，透明基板10，能够使用玻璃基板。然而，不局限于此，例如能够使用玻璃基板或石英基板或塑料基板等各种透明的绝缘性基板。此外，通过使用可挠性基板作为透明基板10，能够实现可挠性有机EL显示装置100。而且，在本发明中所谓透明，意味着至少相对于可见光的频带所包含的波长的光是透明或半透明。 
第一布线层41、触点内布线42及第二布线层43、和接触插头51是利用锌锡氧化物(Zinc Tin Oxide：ZTO)为主要成分的导电体材料而形成的。然而，并不局限于此，例如也能够利用含铟氧化物(Indium TinOxide：ITO、Indium Zinc Oxide：IZO等)或其它无机氧化物导电体材料，或者利用通过有机物材料等可得到透明导电性膜的导电体材料来形成。而且，ZTO材料例如能够通过使Sn的(摩尔)量多于Zn的(摩尔)量(例如，Zn∶Sn的摩尔比为1∶2等)，而作为导电体来使用。此外，作为导电体材料的ITO，通常，In∶Sn的摩尔比为0.9∶0.1左右，作为导电体材料的IZO，通常In∶Sn的摩尔比为0.9∶0.1左右。 
特别地，ZTO导电性膜能形成为非结晶的膜，所以具有能够实现可挠性的第一布线层41、第二布线层43、触点内布线42及接触插头51的优点。而且，非结晶的ZTO导电性膜可低温形成，所以具有即使在使用例如塑料基板等耐高温性能低的基板作为透明基板10时也能够容易地形 成的优点。由此，可认为：利用ZTO导电性膜来形成第一布线层41、第二布线层43、触点内布线42及接触插头51，适用于形成可挠性有机EL显示装置100。 
层间绝缘膜40及50，例如能够采用SOG(Spin ON Glass)或二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)等的硅系绝缘物、或氧化铝(Al2O3)等的铝氧化物、或二氧化铪(HfO2)等的铪氧化物、或氧化钇(Y2O3)等的钇氧化物、或La2O3等的镧氧化物等；或者由透明的感光性树脂等能够基于涂覆工艺成膜的绝缘物构成的透明绝缘性单层膜；或者采用包含一个以上这些膜的透明绝缘性多层膜。在本实施方式中，以例如包含氧化铝(Al2O3)膜和二氧化铪(HfO2)膜的多层构造的绝缘膜形成层间绝缘膜40，并例如由感光性树脂构成的单层构造的绝缘膜形成层间绝缘膜50。而且，在本实施方式中，层间绝缘膜40及50除了作为用于对各层间进行绝缘的绝缘膜来发挥功能，还可作为用于确保各层的平坦性的平坦化膜来发挥功能。 
在层间绝缘膜40上，以覆盖第二布线层43及触点内布线42的方式形成透明半导体层44。透明半导体层44作为用于降低在后述的制造工序中的例如蚀刻工序时位于下层的第二布线层43或触点内布线42等受到的过程损害的保护膜来发挥功能。在本实施方式中，作为透明半导体层44的示例，使用可使载体浓度低于由所述导电体材料(ZTO导电体材料、且含铟氧化物导电体材料)来构成的布线、且由ZTO或含铟氧化物构成的半导体材料来构成的透明半导体层。并且，ZTO材料例如能通过使Zn的(摩尔)量多于Sn的(摩尔)量(例如，Zn∶Sn的摩尔比为2∶1等)，而作为半导体材料来使用。此外，在该ZTO半导体层的成膜时，可通过增加气氛中的氧浓度等，来进行降低半导体层的载体浓度的调整。此外，与上述第一布线层41等相同，ZTO透明半导体层也能形成为非晶膜，因此，能够实现可挠性的透明半导体层44，且适用于形成可挠性的有机EL显示装置100。此外，本发明不局限于这样的ZTO半导体材料，也可采用含铟氧化物半导体材料(例如，In∶Zn的摩尔比为4∶6的IZO等)等透明无机氧化物半导体材料、或其它含有五苯或四苯并卟啉的前驱体等的透明有机半导体材料等各种透明半导体材料来形成。 
并且，在本实施方式中，形成透明半导体层44的导电体材料的主要成分、和在各元件中形成与该透明电极接触的电极部分的导电体材料的主要成分，使用相同的材料。因此，在本实施方式中，包含源电极14s及漏电极14d、和源电极24s及漏电极24d的第二布线层43，由以ZTO为主要成分的ZTO导电性膜形成，透明半导体层44由以ZTO为主要成分、且载体浓度低于第二布线层43的ZTO半导体膜形成。如此，通过以同种的材料形成两者，例如能够使开关晶体管Q1中的源电极14s或漏电极14d与透明半导体层13欧姆接触。同样地，能够使驱动晶体管Q2中的漏电极24d或源电极24s与透明半导体层23欧姆接触。由此，由于会降低各TFT元件(Q1、Q2等)中的电阻分量，所以，能够降低各TFT元件的驱动功率，结果能降低有机EL显示装置100的消耗电力。 
隔壁70例如能够以由感光性树脂构成的单层构造的绝缘膜形成。然而，并不局限于此，也能采用例如SOG或SiO2、SiNx等的硅系绝缘物、或Al2O3等的铝氧化物、或二氧化铪HfO2等的铪氧化物、或Y2O3等的钇氧化物、或La2O3等的镧氧化物等；或者由透明的感光性树脂等能够基于涂覆工艺成膜的绝缘物构成的透明绝缘性单层膜；或者采用包含一个以上这些膜的透明绝缘性多层膜。 
此外，开关晶体管Q1、驱动晶体管Q2及电容器C1，可使用上述第一布线层41、第二布线层43及层间绝缘膜40的一部分来构成，所以，其材料可与上述材料相同。然而，也可在各电极上形成用于使其低电阻化的透明导电性膜等，进行适当变形。 
此外，在有机发光二极管D1中，有机膜62例如是包含空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层及空穴隔断层的多层构造的层叠膜。在有机膜62中，有机发光层的主材料可使用聚氟化物及其衍生物及共聚物、聚烯丙基及其衍生物及共聚物、聚烯丙基乙烯及其衍生物及共聚物、聚烯丙胺及其衍生物及共聚物等高分子材料；其它荧光性或燐光性的各种低分子发光材料；或高分子发光材料等，且根据空穴输送层等的组合或目标波长等而使用各种发光材料。 
配置在光导出侧的正电极61，例如可使用ZTO或ITO等的氧化物导电体材料、或者由银(Ag)或铝(Al)等的金属材料构成的透明单层膜、 或者包含它们的多层构造的透明层叠膜。而且，在使用金属材料时，包含它的层设为使光透过的程度的薄膜。在本实施方式中，以使用ZTO/Ag/ZTO的层叠膜、且以光透过程度的薄膜形成其中的Ag膜的情况为例。而且，负电极63例如可使用银(Ag)或铝(Al)或镁(Mg)等兼具高导电性与反射率的金属或合金等的导电体材料而获得。在本实施方式中，以使用Mg与Ag的合金膜的情况为例。 
钝化膜80可使用例如以CVD法成膜的SiO2膜或SiNx等的多层膜而形成。在本实施方式中，以使用SiO2膜或SiNx等的多层膜的情况为例。 
由以上说明得知，本实施方式的有机EL显示装置100，相对于有机膜62而言位于光导出侧即下表面100a侧的层的整体以透过光的透明膜或半透明膜形成，因此，可实现光导出面即下表面100a的整个区域被开口的所谓全开口型的有机EL显示装置100。 
(制造方法) 
接着，参照附图来详细地说明本实施方式的有机EL显示装置100的制造方法。图5-1至图5-10是表示本实施方式的有机EL显示装置100中的显示面板101的制造方法的工序剖面图。而且，在图5-1至图5-10中，表示以图3所示的A-A’处截断的连续的端面。 
在本制造方法中，首先，准备透明基板10，通过利用例如溅射法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法或真空蒸镀法等，在该基板的厚度方向(相对于基板垂直的方向)与垂直面的两个主面之中的一个主面(以下，将它称为上表面)上沉积ZTO，而形成透明的非晶状的ZTO导电性膜。接着，利用例如光刻法(在本说明书中，有时“光刻法”包含蚀刻工序那样的图案化工序)对该ZTO导电性膜进行图案化，如图5-1所示，在透明基板10上，形成栅电极11及21、下部电极31、第一布线层41以及冗长布线41a(参照图3)等(第一布线形成工序)。然而，并不局限于此，也可采用使用例如凝胶/溶胶法的印刷技术或喷墨印刷技术等涂覆工艺技术等，来形成栅电极11及21、下部电极31、第一布线层41以及冗长布线41a。 
接着，通过使用例如溅射法、CVD法或真空蒸镀法等，依次将氧化铝(Al2O3)和氧化铪(HfO2)等沉积在形成有各电极及布线(11、21、 31、41、41a等)的透明基板10上表面上，来形成由透明绝缘性层叠膜构成的层间绝缘膜40(第一层间绝缘膜形成工序)。接着，通过利用例如光刻法对该层间绝缘膜40进行图案化，如图5-2所示，在层间绝缘膜40内，形成使第一布线层41的一部分露出的接触孔ap1及ap2。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述涂覆工艺技术等来形成具有接触孔ap1及ap2的层间绝缘膜40。而且，该工序中形成的层间绝缘膜40之中，至少栅电极11上的层间绝缘膜40，作为开关晶体管Q1的栅极绝缘膜12而发挥功能，至少栅电极21上的层间绝缘膜40，作为驱动晶体管Q2的栅极绝缘膜22而发挥功能，至少下部电极31上的层间绝缘膜40，作为电容器C1的电容绝缘膜32而发挥功能。而且，接触孔ap2是在后面的工序中用于形成与第一布线层41电连接的接触插头51的一部分的接触孔。 
接着，通过利用例如溅射法、CVD法或真空蒸镀法将ZTO沉积在形成有接触孔ap1及ap2的层间绝缘膜40上，来形成透明的非晶状的ZTO导电性膜。此时，也可以在接触孔ap2内形成ZTO导电性膜。接着，通过利用例如光刻法对该ZTO导电性膜进行图案化，如图5-3所示，在层间绝缘膜40上，形成源电极14s及漏电极14d、漏电极24d及源电极24s、上部电极33及第二布线层43等，并且，在层间绝缘膜40的接触孔ap1内，形成与第一布线层41电连接的触点内布线42(第二布线形成工序)。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述涂覆工艺技术等形成源电极14s及漏电极14d、漏电极24d、源电极24s、上部电极33、触点内布线42及第二布线层43。并且，在此工序中，也可以不完全去除接触孔ap2内的ZTO导电性膜。 
接着，通过利用例如溅射法、CVD法或真空蒸镀法等将ZTO沉积在形成有各电极及布线(14s、14d、24d、24s、33、42、43等)的层间绝缘膜40上，来形成载体浓度低于ZTO导电性膜的ZTO半导体膜(半导体层形成工序)。此时，也可以在接触孔ap2内形成ZTO半导体膜。而且，如上所述，通过控制Zn与Sn的摩尔比等，ZTO半导体膜，能作成其载体浓度低于构成第一布线层41或第二布线层43等的ZTO导电性膜、且透明的半导体膜。接着，通过利用例如光刻法对该ZTO导电性膜进行图 案化，如图5-4所示，在层间绝缘膜40上，形成覆盖各电极及布线(14s、14d、24d、24s、33、42、43等)的透明半导体层44。此时，优选过蚀刻至完全去除接触孔ap2内的ZTO半导体膜的程度。而且，所形成的透明半导体层之中，至少源电极14s及漏电极14d间的透明半导体层44，作为发挥作为开关晶体管Q1的沟道形成层的作用的透明半导体层13而发挥功能，至少漏电极24d及源电极24s之间的透明半导体层44，发挥作为驱动晶体管Q2的沟道形成层的作用的透明半导体层23而发挥功能。 
在此，在本实施方式中，透明半导体层44与第二布线层43及触点内布线42使用相同材料来形成，因此，难以得到透明半导体层44与第二布线层43等的蚀刻中合适的选择比。为此，如本实施方式所述，图案化后的透明半导体层44以覆盖第二布线层43及触点内布线42的方式构成，从而在蚀刻中第二布线层43及触点内布线42不暴露在蚀刻气氛中，所以能不考虑与第二布线层43等的选择比，对透明半导体层44进行图案化。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述的涂覆工艺技术等来形成透明半导体层44。此时，由于不需要通过蚀刻等对所形成的透明半导体层进行图案化，因此，透明半导体层44可以并不一定要覆盖第二布线层43及触点内布线42。 
若如以上所述形成透明半导体层(13、23、44等)，则接着，在形成透明半导体层(13、23、44等)的层间绝缘膜40上，旋涂例如感光性抗蚀液，且对它进行曝光及显影，如图5-5所示，形成具有与层间绝缘膜40的接触孔ap2连续的接触孔ap3、且由透明感光性树脂构成的层间绝缘膜50(第二层间绝缘膜形成工序)。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述的涂覆工艺技术等来形成具有接触孔ap3的层间绝缘膜50。 
接着，利用例如溅射法、CVD法或真空蒸镀法等将ZTO沉积在形成有接触孔ap3的层间绝缘膜50上，如图5-6所示，至少在层间绝缘膜50的接触孔ap3内及层间绝缘膜40的接触孔ap2内形成与第一布线层41电连接的透明且非晶状的接触插头51。而且，此时形成的层间绝缘膜50上的无用的ZTO导电性膜，利用例如蚀刻等技术来去除。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述的涂覆工艺技术等，在层间绝缘膜40及50内形成接触插头51。 
至此，经过说明的工序，在本实施方式中，制造作为所谓阵列基板的有源矩阵基板101A。 
接着，利用例如溅射法、CVD法或真空蒸镀法等，将ZTO和Ag和ZTO依次沉积在有源矩阵基板101A上，来形成与接触插头51具有电接点的透明ZTO/Ag/ZTO层叠膜。接着，利用光刻法对该ZTO/Ag/ZTO层叠膜进行图案化，如图5-7所示，在层间绝缘膜50上，形成与接触插头51电连接的正电极61。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述涂覆工艺技术等来形成正电极61。 
接着，在形成有正电极61的有源矩阵基板101A上，例如旋涂感光性抗蚀液，且对它进行曝光及显影，如图5-8所示，在划分有源矩阵基板101A上的各像素101a的区域，形成由透明感光性树脂构成的隔壁70。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述涂覆工艺技术等来形成隔壁70。 
接着，利用例如已有的成膜技术，在至少正电极61上依次层叠并形成空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层及空穴隔断层，从而如图5-9所示，在由隔壁70划分的正电极61上形成有机膜62。而且，在有机膜62上，例如空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层及空穴隔断层，可利用使用例如高分子聚合物溶液的印刷技术或喷墨印刷技术等涂覆工艺来形成。然而，并不局限于此，也可以利用例如真空蒸镀法所代表的阴影掩模(shadow mask)蒸镀法；或转写法所代表的激光热转写法(LITI法)、激光再蒸镀法(RIST法、LIPS法)等，将空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层及空穴隔断层依次成膜，来形成与像素101a相应的有机膜62。此外，在正电极61上例如使用了ITO/PEDOT(3，4-伸乙基二氧基噻吩)：PSS(Polystyrenesulfonate)等的无机氧化物导电性膜与导电性高分子聚合物膜的层叠膜时，可将有机膜62作为从下层起为例如空穴注入层/有机发光层/电子注入层的层叠膜。 
接着，利用例如真空蒸镀法等将Mg和Ag的合金材料沉积在形成有机膜62及隔壁70的有源矩阵基板101A的整体上，来形成具有导电性的合金膜。此时，利用阴影掩模法来防止在希望的区域以外蒸镀多余的合金 膜，如图5-11所示，至少在像素(101a)的排列区域整体，形成负电极63。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述涂覆工艺技术等来形成负电极63。 
接着，利用CVD法等，在形成有由被隔壁70划分出的正电极61及有机膜62与负电极63构成的有机发光二极管D1的有源矩阵基板101A上表面整体，形成SiO2及SiNx的多层膜，从而形成保护下层的各元件(Q1、Q2、C1、D1等)及布线(LG、LD、LP、L1、L2等)的钝化膜80。然后，最后在与其上表面的基板101A相反侧贴附基板来进行密封，或者通过溅射法或CVD法形成膜来进行密封。经过以上的工序，制造包括具有图4所示的层构造的像素101a的显示面板101。此时，与基板101A相反侧的基板，可列举玻璃、PET等所代表的透明聚合物薄膜、为了通过溅射法或CVD法等来提高薄膜的阻隔性而交互地层叠有机膜与无机膜的密封膜等。 
之后，通过将如上所制造的显示面板101安装在搭载有信号控制部102、扫描驱动部103、数据驱动部104、电容线驱动部105、驱动信号生成部106或其它部件的壳体中，来制造本实施方式的有机EL显示装置100。 
而且，以上的制造工序，虽然适当包含洗净基板的工序等，但在此为了说明的简化，省略这些工序。 
如以上所说明，本实施方式的有机EL显示装置100，由透过光的膜构成相对于有机膜62位于光导出侧即下表面100a侧的层的整体，因此，能够实现光导出面整体被开口的所谓全开口的背面发光型有机EL显示装置100。 
此外，如此通过构成为光导出面整体被开口，可自由地设计发光元件(本实施方式中是有机发光二极管D1)的配置，因此，能够实现设计自由度大的有机EL显示装置100。 
而且，在本实施方式的制造方法中，在制造过程中，以透明半导体层44覆盖触点内布线42及第二布线层43等，因此，可降低后面的蚀刻工序等中的各布线(42、43等)受到的过程损害。 
再者，在上述实施方式中，也可以使用可挠性材料来形成构成有机 EL显示装置100的各层。 
而且，在上述本发明的实施方式1中，虽然列举以有机材料形成发光层(本实施方式中有机膜62)的有机EL显示装置100来进行了说明，但本发明不局限于此，也可以构成为例如以无机材料形成发光层的无机EL显示装置。 
<实施方式2> 
接着，作为本发明的实施方式2的显示装置，以有机EL显示装置为例来进行了说明。而且，在本实施方式中，以能将来自发光元件(例如图6中的有机发光二极管D2)的光从显示面板101的上表面(例如图6中的上表面200a)及下表面(例如图6中的下表面100a)两方输出到外部的有机EL显示装置为例。即，本实施方式的有机EL显示装置，是兼具上表面发光型(顶部发光型)与背面发光型两者的所谓两面发光型的有机EL显示装置。在图6中，以反白箭头表示发光方向(光的导出方向)。此外，在以下说明中，针对与本发明的实施方式1相同的结构，为了说明的明确化，赋予相同符号，并省略其详细的说明。 
本实施方式的有机EL显示装置的功能结构，与图1所示的有机EL显示装置100的概略功能模块结构相同。然而，在本实施方式中，图1中的显示101a被置换为像素210a。此外，像素201a的概略电路结构，与图2所示的像素101a的概略电路结构相同。然而，在本实施方式中，图2中的有机发光二极管D1被置换为有机发光二极管D2。 
(像素结构) 
接着，对各像素201a的布局构造及层构造进行详细的说明。本实施方式的像素201a中的有源矩阵基板101A的布局构造，与图3所示的像素101a的布局构造相同。然而，本实施方式的像素201a的概略层构造如图6所示。并且，图6与图4相同，将像素201a表示为在与图3的A-A’相同的位置处截断的连续的端面的概略的剖面图。 
比较图6与图4得知，本实施方式的有机EL显示装置，在与本发明的实施方式1的有机EL显示装置100相同的结构中，以透明电极材料形成的负电极63(例如，参照图4)被置换为负电极65，并且，在负电极65上设置有用于降低有机发光二极管D2中的负极的电阻值的辅助电极 66。 
负电极65例如与正电极61相同，能够使用可透过可见光的电极材料来形成。该电极材料可使用例如ZTO或ITO等的氧化物导电体材料、或者由银(Ag)或铝(Al)等金属材料构成的透明单层膜、或者包含它们的多层构造的透明层叠膜。而且，使用金属材料时，包含它的层构成为使光透过程度的薄半透过膜。在本实施方式中，以使用Mg和Ag合金膜、且以光透过的程度的薄膜来形成的情况为例进行说明。如此，除了本发明的实施方式1的底部发光型的结构，还能够通过透明电极来构成负电极65，从而实现能从显示面板101的下表面100a及上表面200a的两方导出光的所谓两面发光型的有机EL显示装置。 
此外，负电极65上的辅助电极66，例如形成在有源矩阵基板101A上的对各像素201a进行划分的区域(例如隔壁70上方)。该辅助电极材料可使用例如ZTO或ITO等无机氧化物导电体材料、或者由银(Ag)或铝(Al)等金属材料构成的单层膜、或者包含它们的多层构造的透明层叠膜。然而，当如本实施方式在各像素201a的各区域上配置辅助电极66时，辅助电极66不需要一定使用透明电极材料来形成，也可由具有例如Al或Ag等高导电性的材料来形成。在本实施方式中，以使用由ZTO构成的导电性单层膜来形成辅助电极66的情况为例进行说明。如此，通过设置降低有机发光二极管D2中的负极的电阻值的辅助电极66，可降低有机发光二极管D2的驱动电压，因此，结果是可降低有机EL显示装置的消耗电力。此外，由于辅助电极66的材料使用了透明电极材料，因此能实现不仅是下表面100a，上表面200a整体也被开口的所谓两面全开口型的有机EL显示装置。 
(制造方法) 
此外，本实施方式的有机EL显示装置的制造方法，在与本发明的实施方式1的有机EL显示装置100的制造方法相同的制造方法中，图5-11所示的负电极63的形成工序成为透明负电极65的形成工序，并且，还追加在负电极65上形成辅助电极66的工序。此外，其它制造工序与在本发明的实施方式1中采用图5-1至图5-10及图4来说明的工序相同，因此在此省略详细说明。 
在负电极65的形成工序中，利用例如真空蒸镀法等将Mg和Ag合金薄膜沉积在利用从图5-1至图5-9制造的有源矩阵基板101A整体上，来形成负电极65。此时，通过使用阴影掩模法，在希望的区域整体上形成负电极65。 
此外，在辅助电极66的形成工序中，在如上述工序形成负电极65之后，例如通过利用阴影掩模法的溅射法、CVD法或真空蒸镀法将ZTO或ITO等氧化物导电材料或Ag、Al、Cu等低电阻率的金属沉积在至少负电极65上，从而例如在负电极65的上表面中的隔壁70的上方的区域形成辅助电极66。 
之后，与本发明的实施方式1相同，在形成钝化膜80之后，将所制造的显示面板101安装在搭载有信号控制部102、扫描驱动部103、数据驱动部104、电容线驱动部105、驱动信号生成部106或其它部件的壳体中，来制造本实施方式的有机EL显示装置。 
而且，以上的制造工序，虽然适当包含洗净基板的工序等，但在此为了说明的简化，省略这些工序。 
如以上所说明，本实施方式的有机EL显示装置，由透过光的膜构成相对于有机膜62位于光导出侧即上表面200a侧及下表面100a侧的层的整体，因此，能够实现光导出面整体被开口的所谓全开口的两面发光型有机EL显示装置100。 
此外，通过如此构成为光导出面整体被开口，从而可自由地设计发光元件(本实施方式中是有机发光二极管D2)的配置，因此，能够实现设计自由度大的有机EL显示装置。而且，本实施方式的有机EL显示装置，由于具有用于降低负电极65的电阻值的辅助电极66，因此，可降低有机发光二极管D2的驱动电压，其结果是，可降低有机EL显示装置的消耗电力。再者，本实施方式的有机EL显示装置，例如可作为贴附在车辆中的窗户或玻璃窗或玻璃制水槽等透明面上而使用的显示器等，以各种目的来使用。 
而且，在本实施方式的制造方法中，与本发明的实施方式1相同，由于在制造过程中，以透明半导体层44覆盖触点内布线42及第二布线层43等，因此，可降低后面的蚀刻工序等中的各布线(42、43等)受到的 过程损害。 
再者，在上述实施方式中，与本发明的实施方式1相同，也可以利用可挠性材料来形成构成有机EL显示装置100的各层。 
而且，本实施方式与本发明的实施方式相同，例如可构成为以无机材料形成发光层的无机EL显示装置。此外，在本实施方式中，通过在一方的光导出侧即上下任一侧的层上例如设置反射膜(反射器)，能够实现亮度等提高的上表面发光型或背面发光型有机EL显示装置。 
<实施方式3> 
接着，作为本发明的实施方式3的显示装置，以液晶显示装置300为例进行说明。图7是表示液晶显示装置300的概略的结构的方框图。而且，在本实施方式中，以在被称为所谓背光的光源(例如，参照图10中的光源350)与液晶元件(例如，参照图10中的液晶元件E31)之间介置有元件基板(例如，参照图10中的有源矩阵基板301A)的结构的液晶显示装置300为例。此外，在本实施方式中，针对与本发明的实施方式1或2相同的结构，赋予相同的符号，省略其详细说明。 
(整体结构) 
如图7所示，液晶显示装置300具有：包含以二维矩阵状排列的像素(PX)301a的显示面板301；与显示面板301连接的扫描驱动部103、数据驱动部104及电容线驱动部105；和用于控制各部的信号控制部102。并且，显示面板301具有与红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)的三原色的每一个相关的像素301a。 
在此，信号控制部102、扫描驱动部103、数据驱动部104及电容线驱动部105的结构，与本发明的实施方式1相同。此外，扫描控制信号CONT1、数据控制信号CONT2、电容线控制信号CONT3及视频数据信号DAT，也适当地被生成为适应于液晶元件的驱动方式的信号而输出。然而，在本实施方式中，可省略驱动线LP、驱动信号生成部106及发光控制信号CONT4。 
此外，显示面板301与扫描线LG、数据线LD和电容线LC连接。并且，在本实施方式中，在扫描线LG、数据线LD和电容线LC的各个中，将以相互交叉的方式延伸的布线部分作为主布线，并将从该主布线分支而 与各像素301a中的开关晶体管Q31或蓄积电容器C31(例如，参照图8)连接的布线作为副布线。此外，将连接各元件间的布线部分作为副布线。此外，其它结构与本发明的实施方式1相同，因此在此省略详细说明。 
(像素结构) 
接着，利用图8来说明各像素301a的概略结构及其动作。而且，以下的说明，针对R、G、B之中任一个像素301a都相同。 
图8表示像素301a的概略电路结构的示意图。如图8所示，像素301a包括：开关晶体管Q31、蓄积电容器C31和液晶元件E31。 
开关晶体管Q31例如是n型的TFT，其源极S例如与在节点N34处从数据线LD的主布线分支的副布线连接，漏极D与包含节点N31的布线L31连接。此外，开关晶体管Q31的栅极G，例如与在节点N33处从扫描线LG的主布线分支的副布线连接。因此，开关晶体管Q31根据扫描信号的电压电平Vg(扫描控制电压)而使数据线LD及节点N31间导通或断开。 
布线L31例如经由在节点N31处分支的布线部分(它也包含布线L31)而连接蓄积电容器C31的一个端子。此外，蓄积电容器C31的另一个端子，例如与在节点N35处从电容线LC的主布线分支的副布线连接。与本发明的实施方式1相同，对电容线LC提供从电容线驱动部105输出的电容线驱动信号。该电容线驱动信号的电压电平Vc(电容线驱动电压)，例如可设为接地电位。例如，连接于与液晶元件Cpx(E31)相同的公共电极即GND(Vcom)端子。换言之，电容线LC可设为接地线。此时，可省略电容线驱动部105。 
此外，液晶元件E31的一个电极(例如图10中的像素电极311)也与布线L31连接。液晶元件E31的另一个电极是公共电极(例如图10中的公共电极313)。因此，液晶元件E31在电路上作为所谓的液晶电容Cpx而发挥功能。如图7或图8所示，对该公共电极313施加公共电压Vcom。根据以上的连接关系，蓄积电容器C31与液晶元件E31，作为与开关晶体管Q31的输出端子并联连接的负载电容而发挥功能。并且，公共电压Vcom例如可设为接地电位GND。 
在此，若输入扫描线LG的扫描信号的电压电平Vg(扫描控制电压) 成为高电平，则开关晶体管Q31成为导通状态，且经由该开关晶体管Q31对液晶元件E31的像素电极311(参照例如图10)注入电荷。其结果是，像素电极311的电位成为数据信号的电压电平Vd，且在与公共电极313(参照例如图10)之间产生电位差(Vd-Vcom)而使液晶元件E31的分子排列发生变化。 
在此，蓄积电容器C31，在从扫描线LG的电压电平Vg成为低电平而开关晶体管Q31完全成为截止状态后到下一个电压电平Vg成为高电平而开关晶体管Q31成为导通状态、并且输入下一个数据信号为止的期间，发挥用于维持像素电极311的电位的作用。即，蓄积电容器C31在规定的期间，保持输入数据线LD的数据信号SD。 
而且，在本实施方式中，也可以采用按照每个规定期间反转输入数据线LD的数据信号的极性和输入电容线LC的电容线驱动信号的电位的所谓反转驱动方式。作为反转驱动方式，虽然存在点反转驱动方式或线反转驱动方式等，但可采用任一种反转驱动方式。 
接着，利用图9及图10来详细说明各像素301a的布局构造及层构造。图9是用于说明像素301a中的有源矩阵基板301A(例如，参照图10)的布局构造的概略的俯视图。此外，图10是用于说明像素301a的层构造的概略的剖面图。并且，在图9中，为了说明的简化而省略透明基板10、层间绝缘膜40及50、和对置基板302A等的结构(例如，参照图10)。此外，在图10中，表示与以图9的B-B’处截断的连续的端面对应的像素301a的概略的层构造。 
如图9或图10所示，像素301a具有：作为阵列基板的有源矩阵基板301A(例如，参照图10)；与有源矩阵基板301A对置的对置基板302A(例如，参照图10)；和配置在有源矩阵基板301A和对置基板302A之间的液晶元件E31(例如，参照图10)。有源矩阵基板301A例如包括：扫描线LG、数据线LD、电容线LC、布线L31、开关晶体管Q31和蓄积电容器C31。对置基板302A具有：作为用于防止不必要的漏光的黑色矩阵的遮光膜321；和用于按照每个像素301a使恰当的频带的波长透过的滤色器64。液晶元件E31包括夹持液晶层312的像素电极311及公共电极313、和进一步夹持像素电极311及公共电极313的取向膜314及315， 且例如以经由布线L31而与开关晶体管Q31及蓄积电容器C31连接的方式配置在有源矩阵基板301A上。并且，对置基板302A与有源矩阵基板301A一起，以夹持液晶元件E31的方式配置。而且，以有源矩阵基板301A、液晶元件E31和对置基板302A形成的层叠构造体，例如被仅用于使在规定方向上振动的光透过的偏振片330及340夹持。 
扫描线LG、数据线LD、电容线LC及布线L31，与本发明的实施方式1相同，分别由例如第一布线层41、触点内布线42、第二布线层43及接触插头51之中至少一部分所形成。开关晶体管Q31由构成扫描线LG的第一布线层41的一部分即栅电极15、层间绝缘膜40的一部分即栅极绝缘膜16、构成数据线LD的一部分的第二布线层43的一部分即源电极18s、构成布线L31的一部分的第二布线层43的一部分即漏电极18d、和透明半导体层44的一部分即透明半导体层17构成。而且，蓄积电容器C31由构成布线L31的第一布线层41的一部分即下部电极35、层间绝缘膜40的一部分即电容绝缘膜36、和构成电容线LC的第二布线层43的一部分即上部电极37构成。再者，图8所示的各节点N31、N33至N35，可分别定义为例如图9所示的各位置。 
此外，本实施方式的开关晶体管Q31，与本发明的实施方式1中的开关晶体管Q1相同，是所谓的底部栅极构造的TFT，但本发明不局限于此，例如也可以作为顶部栅极构造的TFT。而且，本实施方式的有源矩阵基板301A与本发明的实施方式1的有源矩阵基板101A相同，是被称为所谓的阵列基板。 
在透明基板10上，在不形成各种布线(LG、LD、LC、L31等)及各种元件(Q31、C31等)的区域，与本发明的实施方式1相同，通过形成例如冗长了第一布线层41的一部分的冗长布线41a(参照例如图9)，以提高形成在透明基板10上的层上表面的平坦性。而且，在本实施方式中，透明半导体层44不仅作为各元件(例如开关晶体管Q31)的沟道层，还作为用于降低位于下层的第二布线层43或触点内布线42等受到的过程损害的保护膜来发挥功能。 
此外，具有上述结构的有源矩阵基板301A上的液晶元件E31，例如由像素电极311、像素电极311上的液晶层312、液晶层312上的公共电 极313、和从上下夹持液晶层312的取向膜314及315构成(例如，参照图10)。而且，在液晶元件E31中，可以在液晶层312的上部设置大致三角形状的电介质突起316(例如，参照图10)。此外，在相对于液晶元件E31而言的光导出侧，也可配置用于防止从光源350的不必要的漏光的黑色矩阵或滤色器或波长转换器等的颜色变换膜。在本实施方式中，以在公共电极313与对置基板302A之间配置作为黑色矩阵的遮光膜321及滤色器64的情况为例。 
此外，在有源矩阵基板301A及对置基板302A的更外侧，设置夹持它们的偏振片330及340。此外，光源350例如配置在有源矩阵基板301A下。因此，来自光源350的光经由偏振片330、有源矩阵基板301A、液晶元件E31、滤色器64、对置基板302及偏振片340，从显示面板301的光导出面即上表面300a输出至外部。在图10中，以反白箭头表示发光方向(光的导出方向)。 
在此，第一布线层41、层间绝缘膜40、透明半导体层44及第二布线层43，可使用与本发明的实施方式1相同的材料来形成。因此，开关晶体管Q31及蓄积电容器C31也可使用与上述相同的材料来形成。此外，透明基板10、触点内布线42、接触插头51及层间绝缘膜50也可使用与本实施方式1相同的材料来形成。 
滤色器64可根据R、G、B各自的像素301a而使用以使恰当的频带的波长透过的方式混合规定的颜料的感光性树脂等各种滤光材料来形成。在本实施方式中，以使用根据各自的像素301a而混合了规定颜料的透明感光性树脂来形成的情况为例。 
在有源矩阵基板301A的液晶元件E31中，液晶层312的母材，例如可使用酯系、联苯系、苯环己烷系、环己烷系、苯基吡啶系、或二氧杂环乙烷(dioxane)系材料等各种材料。液晶层312通过对上述母材混合与目的相应的材料而形成。 
像素电极311例如可使用ZTO或ITO等氧化物导电体材料。在本实施方式中，以使用ZTO透明导电膜的情况为例进行说明。而且，公共电极313与像素电极311相同，可使用例如ZTO或ITO等氧化物导电体材料。在本实施方式中，以使用ZTO的透明导电膜的情况为例进行说明。 
取向膜314及315是分别用于使液晶层312的分子排列朝固定方向排列的膜，根据在液晶层312中使用的材料，适当地由例如聚酰亚胺(polyimide)等材料形成。 
电介质突起316用于控制在对液晶层312施加偏压电压时的液晶分子的排列方向，例如以夹持液晶层312且与像素电极311的中央部对置的方式从液晶层312向内部突出而设置。这样的电介质突起316，可使用例如感光性树脂等电介质材料来形成。 
遮光膜321可使用例如铬(Cr)等金属膜或使炭黑所代表的遮光性分散颜料被分散的如黑色抗蚀剂那样的感光性抗蚀膜来形成。在本实施方式中，以使用Cr来形成的情况为例。 
垫片317是用于确保密封有源矩阵基板301A与对置基板302A之间的液晶的空间的部件，可使用例如感光性树脂等来构成。然而，并不局限于此。 
此外，偏振片330及340是用于使与光的进行方向垂直且在特定方向上强振动的光透过的滤光器，可使用例如使碘(I)吸附的聚乙烯醇(PVA)等的膜来形成。然而，并不局限于此。 
此外，对置基板302A例如由透明基板320构成。该透明基板320可使用例如玻璃基板或石英基板或塑料基板等各种透明绝缘性基板。并且，也可使用可挠性基板作为透明基板320。 
(制造方法) 
接着，参照附图来详细地说明本实施方式的液晶显示装置300的制造方法。图11-1及图11-2、图12-1至图12-6、和图13是表示本发明的实施方式的液晶显示装置300中的显示面板301的制造方法的工序图。并且，在图11-1及图11-2、图12-1至图12-6、和图13中，表示为在与图9中的B-B’相同的位置处截断的连续的端面。 
在本制造方法中，首先，通过使用与在本发明的实施方式1中利用图5-1至图5-6而说明的各工序相同的工序，来制造包括有源晶体管Q31和蓄积电容器C31的有源矩阵基板301A。 
接着，利用例如溅射法、CVD法等将ZTO在有源矩阵基板301A上成膜，且形成与接触插头51具有电接点的透明ZTO膜。接着，利用例如 光刻法对该ZTO膜进行图案化，如图11-1所示，在层间绝缘膜50上，形成与接触插头51电连接的像素电极311。然而，并不局限于此，也可以利用使用例如凝胶/溶胶法的印刷技术或喷墨印刷技术等的涂覆工艺技术来形成像素电极311。 
接着，在形成有像素电极311的有源矩阵基板301A上，旋涂例如聚酰亚胺溶液，且使它干燥固化后，利用例如摩擦法来摩擦聚酰亚胺膜，如图11-2所示，在有源矩阵基板301A上，形成覆盖像素电极311的取向膜314。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述的涂覆工艺技术等来形成取向膜314，并通过摩擦法等来处理它。 
之后，在有源矩阵基板301A中的像素301a的排列区域周围，形成用于防止液晶材料流出的密封部件。而且，根据需要，可进行涂覆导电胶(transfer)等各种工序。 
此外，在本制造方法中，准备对置基板302A用的透明基板320，并利用例如溅镀法、CVD法或真空蒸镀法等使Cr沉积在与该基板的厚度方向垂直的两个主面之中的一个主面(以下，将它称为上表面)上，来形成具有遮光性的铬膜。接着，利用例如光刻法对该铬膜进行图案化，如图12-1所示，在例如有源矩阵基板301A上的对各像素301a进行划分的区域，形成具有作为黑色矩阵的遮光性的遮光膜321。然而，并不局限于此，也可以使用黑色抗蚀剂及光刻法来形成遮光膜321。 
接着，在形成有遮光膜321的对置基板302A上，旋涂根据R、G、B而混合了规定颜料的感光性抗蚀液，并重复对它进行曝光及显影的工序，如图12-2所示，形成根据R、G、B各自的像素301a而使恰当的频带的波长透过的滤色器64。然而，并不局限于此，也可利用例如上述涂覆工艺技术而按照每个R、G、B各自的像素301a来形成滤色器64。并且，在相邻的滤色器64之间的边界面下，例如有遮光膜321。 
接着，在形成有滤色器64的对置基板302A上，利用例如溅射法、CVD法等将ZTO成膜，而形成透明ZTO膜。接着，利用例如光刻法去除多余的ZTO膜，如图12-3所示，至少在与像素(301a)的排列区域对置的区域整体上形成公共电极313。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述涂覆工艺技术等来形成公共电极313。 
接着，在形成有公共电极313的对置基板302A上，旋涂例如聚酰亚胺溶液，且使它干燥固化后，利用例如摩擦法摩擦聚酰亚胺膜，从而如图11-4所示，形成取向膜315。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述涂覆工艺技术等来形成取向膜315，且以摩擦法等来处理它。 
接着，在形成有取向膜315的对置基板302A上，旋涂感光性抗蚀液，且在对它进行曝光及显像后，对所形成的树脂膜的角部分例如提高烘烤温度，从而如图12-5所示，在取向膜315上形成三角形状的电介质突起316。然而，并不局限于此，也可以利用例如上述涂覆工艺技术等来形成规定形状的电介质突起316，也可以用光刻法以半色调掩模来对图案进行三维加工。 
接着，在形成有电介质突起316的对置基板302上，旋涂例如感光性抗蚀液，且对它进行曝光及显像，从而如图12-6所示，在对置基板302A上的对各像素301a进行划分的区域的至少一部分，形成由感光性树脂构成的垫片317。然而，并不局限于此，可以利用例如上述涂覆工艺技术等来形成垫片317。或者，可以采用散布球体状的垫片的方式来确保液晶层312被密封的空间。 
如上所述，若制造形成有像素电极311及取向膜314的有源矩阵基板301A；和形成有遮光膜321、滤色器64、公共电极313、取向膜315、电介质突起316及垫片317的对置基板302A，则接着，在以对置基板302A中的密封部件包围的区域填充液晶之后，如图13所示，使该有源矩阵基板301A与对置基板302A粘合，将液晶层密封在有源矩阵基板301A与对置基板302A之间。 
接着，准备吸附有例如碘(I)的聚乙烯醇(PVA)等的偏振片330及340，并以夹持用偏振片330及340来密封液晶层312的有源矩阵基板301A及对置基板302A的方式，分别使它们粘合。由此，制造包含具有图10所示的层构造的像素301a的显示面板301。 
之后，将如以上制造的显示面板301安装在搭载有信号控制部102、扫描驱动部103、数据驱动部104、电容线驱动部305或其它部件的壳体中，以制造本实施方式的液晶显示装置300。 
而且，在以上的制造工序中，虽然适当地包含洗净基板的工序等，但 在此，为了说明的简化，省略这些工序。 
如以上所说明，本实施方式的液晶显示装置300，作为黑色矩阵的遮光膜321以外的层整体由透过光的膜构成，因此，能够大幅提高液晶显示装置300中的显示面板301的开口率。并且，遮光膜321根据需要而适当地形成，因此，在不需要黑色矩阵的液晶显示装置中，也能实现全开口型的显示面板。 
此外，通过构成如此提高了开口率的结构，从而使液晶元件E31或光源350的配置自由度得以提高，因此，能够实现设计自由度大的液晶显示装置300。 
而且，在本实施方式的制造方法中，与本发明的实施方式1或2相同，在制造过程中以透明半导体层44覆盖触点内布线42及第二布线层43，因此，能够降低后面蚀刻工序等中的各布线(42、43等)受到的过程损害。 
而且，上述各实施方式仅是用于实施本发明的示例，本发明并不局限于此，根据规格等而进行各种变形也在本发明的范围内，且根据上述记载可知，在本发明的范围内，可有其它各种实施方式。 
附图符号说明： 
10、320-透明基板， 
11、21、15-栅电极， 
12、22、16-栅极绝缘膜， 
13、23、17-透明半导体层， 
14d、18d、24d-漏电极， 
14s、18s、24s-源电极， 
31、35-下部电极， 
32、36-电容绝缘膜， 
33、37-上部电极， 
40、50-层间绝缘膜， 
41-第一布线层， 
41a-冗长布线， 
42-触点内布线， 
43-第二布线层， 
44-透明半导体层， 
51-接触插头， 
61-正电极， 
62-有机膜， 
63、65-负电极， 
64-滤色器， 
66-辅助电极， 
70-隔壁， 
80-钝化膜， 
100-有机EL显示装置， 
100a-下表面， 
101、301-显示面板， 
101A、301A-有源矩阵基板， 
101a、201a、301a-像素， 
200a、300a-上表面， 
300-液晶显示装置， 
302A-对置基板， 
311-像素电极， 
312-液晶层， 
313-公共电极， 
314、315-取向膜， 
316-电介质突起， 
317-垫片， 
321-遮光膜， 
330、340-偏振片， 
C1-电容器， 
C31-蓄积电容器， 
D1、D2-有机发光二极管， 
E31-液晶元件， 
LD-数据线， 
LG-扫描线， 
LP-驱动线， 
LC-电容线， 
L1、L2、L31-布线， 
Q1、Q31-开关晶体管， 
Q2-驱动晶体管， 
RC-立体布线。 

Claims (24)

1.一种有源矩阵基板，具有多个晶体管元件，该有源矩阵基板具有：
基板，其能够透过可见光；
布线，其形成在所述基板上，且能够透过可见光；
半导体层，其能够透过可见光，且从所述基板的厚度方向看该半导体层与所述布线的至少一部分重叠；和
绝缘膜，其覆盖所述布线及半导体层的至少一部分，且能够透过可见光。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述布线包括：
主布线；和
副布线，其从该主布线分支，且连接该主布线与所述晶体管元件。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述布线由无机氧化物导电体材料构成。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述半导体层由无机氧化物半导体材料构成。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述布线由导电体材料构成，所述导电体材料由锌锡氧化物或含铟氧化物构成，
所述半导体层由半导体材料构成，所述半导体材料的载体浓度比所述布线低，且由锌锡氧化物或含铟氧化物构成。
6.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述布线的一部分作为所述晶体管元件中的电极发挥功能。
7.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述布线的一部分作为所述晶体管元件中的栅电极、源电极及漏电极来发挥功能，所述绝缘膜的一部分作为所述晶体管中的栅极绝缘膜来发挥功能。
8.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
该有源矩阵基板还具有第一及第二晶体管、和电容器， 
所述布线构成：一条以上扫描线的至少一部分、一条以上数据线的至少一部分、和一条以上驱动线的至少一部分，
所述第一晶体管，其控制端子与所述扫描线连接，且其输入端子与所述数据线连接，
所述第二晶体管，其控制端子与所述第一晶体管的输出端子连接，且其输入端子与所述驱动线连接，
所述电容器，其一方的电极与所述驱动线连接，且其另一方的端子与所述第二晶体管的控制端子连接。
9.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
该有源矩阵基板还具有第一晶体管和电容器，
所述布线构成：一条以上扫描线的至少一部分、一条以上数据线的至少一部分、和一条以上驱动线的至少一部分，
所述第一晶体管，其控制端子与所述扫描线连接，且其输入端子与所述数据线连接，
所述电容器，其一方的端子与所述晶体管的输出端子连接。
10.一种显示面板，具有：
权利要求1所述的有源矩阵基板；
第一电极，其形成在所述有源矩阵基板上，且能够透过可见光；
有机膜，其形成在所述第一电极上；和
第二电极，其形成在所述有机膜上。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电极能够透过可见光。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，
还具有与所述第二电极电连接的辅助电极。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，
所述辅助电极能够透过可见光。
14.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，
还具有过滤膜，该过滤膜形成在所述有机膜的上层及下层的任一方或双方。
15.一种显示面板，具有： 
权利要求1所述的有源矩阵基板；
对置基板，其能够透过可见光；和
液晶元件，其包括液晶层、夹持该液晶层的两个取向膜、和夹持由所述液晶层和所述两个取向膜构成的层叠体的像素电极及公共电极，
所述像素电极及公共电极能够透过可见光，
所述像素电极与所述有源矩阵基板中的所述布线电连接，
所述液晶元件由所述有源矩阵基板和所述对置基板夹持。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，
还具有两个偏振片，该两个偏振片夹持由所述有源矩阵基板、所述液晶元件和所述对置基板构成的层叠体。
17.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，
还具有：
遮光膜，其形成在所述公共电极上；和
过滤膜，其至少形成在所述公共电极上，且透过规定频带的波长。
18.一种显示装置，具有权利要求10所述的显示面板。
19.一种有源矩阵基板的制造方法，包括：
第一布线形成工序，在能够透过可见光的基板上形成第一布线，该第一布线能够透过可见光，且该第一布线的一部分包含构成晶体管元件的电极；
第一绝缘膜形成工序，在所述基板上形成第一绝缘膜，该第一绝缘膜能够透过可见光且覆盖所述第一布线的至少一部分，且该第一绝缘膜的一部分包含构成所述晶体管元件的绝缘膜；
第二布线形成工序，在所述第一绝缘膜上形成第二布线，该第二布线能够透过可见光，且该第二布线的一部分包含构成所述晶体管元件的电极；
半导体层形成工序，在所述第一绝缘膜上形成半导体层，该半导体层能够透过可见光且覆盖所述第二布线的至少一部分；和
第二绝缘膜形成工序，在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，该第二绝缘膜能够透过可见光且覆盖所述半导体层及所述第二布线的至少一部分。 
20.根据权利要求19所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
使用无机氧化物导电体材料来形成所述第二布线。
21.根据权利要求19所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
使用无机氧化物半导体材料来形成所述半导体层。
22.根据权利要求19所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
使用由锌锡氧化物或含铟氧化物构成的导电体材料来形成所述第二布线，
使用能够比所述布线降低载体浓度的由锌锡氧化物或含铟氧化物构成的半导体材料来形成所述半导体层。
23.根据权利要求19所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
在所述半导体层形成工序中，在所述第一绝缘膜上形成覆盖所述第二布线的半导体膜，且通过以所述第二布线不露出的方式对该半导体膜进行蚀刻，来形成所述半导体层。
24.根据权利要求19所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，
在所述第一布线形成工序、所述第二绝缘膜形成工序、所述第二布线形成工序、所述半导体层形成工序及所述第二绝缘膜形成工序中的至少一个工序中，利用印刷法或喷墨印刷法，来形成所述第一布线、所述第一绝缘膜、所述第二布线、所述半导体层或所述第二绝缘膜。 
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