TWI413829B - 反射式觸控顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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Description

反射式觸控顯示面板及其製造方法
本發明是有關於一種觸控顯示面板及其製造方法，且特別是有關於一種反射式觸控顯示面板及其製造方法。
隨著顯示器製造技術的進步，近年來市場上逐漸以薄型顯示器為主流，取代以往厚重、耗電的陰極射線管顯示器，成為消費者選購時的首選。然而隨著能源議題逐漸受到重視，市場上對於顯示器的耗電量有著更嚴苛的要求。為了因應市場上對於綠色能源顯示器的需求，業界係致力於開發耗電量更低、厚度更薄的顯示器。
相較於目前市面上可見的背光穿透式液晶顯示器、電漿顯示器，反射式之電子紙顯示器利用反射外界光線的方式來顯示畫面。因為電子紙顯示器中不需整合背光模組，可以進一步降低顯示器的重量及厚度，並且降低顯示器的耗電量。另外，為了提升使用上的便利性，業界亦開發出整合觸控功能的電子紙顯示器。一般而言，電子紙顯示器整合觸控功能的作法，係於電子紙顯示器上再貼附一層電阻式或電容式的觸控薄膜，不僅提高了成本，更增加了製程複雜度。
為了解決前述關於製程及成本的問題，業界更發展出一種整合性的觸控式電子紙顯示器。此種觸控式電子紙顯示器係將光感測器整合在顯示器原有的畫素結構中。然而整合於畫素結構中的光感測器係位於顯示材料層下方，環境光線必須先穿透過顯示材料層，才能抵達位在顯示材料層下方的光感測器。在這樣的條件下，整合觸控功能的電子紙顯示器便面臨光感測器受光不足，影響光感測器靈敏度的問題，進一步影響觸控操作的實用性，降低了產品品質。
因此，本發明之目的是在提供一種反射式觸控顯示面板及其製造方法，用以解決光感測器靈敏度受到影響的問題。
本發明之一方面係提出一種反射式觸控顯示面板，至少包含一前基板、多個畫素結構、多個光感測器、一後基板以及一反射材料層。前基板用以供入射光線穿透過。畫素結構及光感測器設置於前基板之內表面上。光感測器包含光感測器電晶體及讀出元件。光感測器電晶體具有一透明閘極，讀出元件電性連接於光感測器電晶體。後基板與前基板平行設置，且反射材料層夾設於兩基板之間，用以反射穿過前基板的入射光線。
依據本發明一實施例，透明閘極之材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。
依據本發明一實施例，反射材料層為一電泳結構層或一膽固醇液晶層。
依據本發明一實施例，各畫素結構包含一薄膜電晶體、一畫素電極及一電容下電極。電容下電極係為透明材質，並且設置於前基板之內表面上，電容下電極及畫素電極重疊區域係構成一透明儲存電容。
依據本發明一實施例，光感測器電晶體之透明閘極與電容下電極連接至相同之電壓準位。
依據本發明一實施例，反射式觸控顯示面板更包含多條掃瞄線、多條資料線、多條訊號輸入線及多條訊號輸出線。各掃瞄線電性連接於對應之薄膜電晶體之第二閘極與讀出元件之該第三閘極。條資料線與掃瞄線相交排列，且各資料線電性連接於對應之薄膜電晶體之第二源極。訊號輸入線平行於掃瞄線，且各訊號輸入線電性連接於對應之光感測器電晶體之第一源極。訊號輸出線與訊號輸入線相交排列，且各訊號輸出線電性連接於對應之讀出元件之第三汲極。
依據本發明一實施例，反射式觸控顯示面板更包含一保護層，覆蓋畫素結構及光感測器。保護層部分地被各畫素結構之畫素電極所覆蓋。保護層具有一接觸孔，畫素電極經由接觸孔電性連接於薄膜電晶體之第二汲極。
依據本發明一實施例，各畫素結構之畫素電極及電容下電極分別位於保護層之相對兩側。
依據本發明一實施例，反射材料層藉由電壓或電場的改變而改變反射率。
本發明之另一方面係提出一種反射式觸控顯示面板之製造方法，至少包含下述步驟：形成一第一圖案化透明導電層於一前基板上，第一圖案化透明導電層包含一透明閘極及一電容下電極，透明閘極用於形成一光感測器，電容下電極用於形成一畫素結構之一透明儲存電容；依序形成一第一圖案化導電層、一介電層、一圖案化半導體層、一第二圖案化導電層及一第二圖案化透明導電層於前基板上，以分別形成光感測器及畫素結構；以及，設置一反射材料層及一後基板於前基板上，使反射材料層位於前基板及後基板之間。
依據本發明一實施例，依序形成第一圖案化導電層、介電層、圖案化半導體層、第二圖案化導電層及第二圖案化透明導電層於前基板上之步驟包含以下步驟：依序形成第一圖案化導電層、介電層、圖案化半導體層及第二圖案化導電層於前基板上；形成具有一接觸孔之一保護層覆蓋於前基板上；以及，形成第二圖案化透明導電層覆蓋於保護層上，第二圖案化透明導電層經由接觸孔電性連接於第二圖案化導電層。
依據本發明一實施例，依序形成第一圖案化導電層、介電層、圖案化半導體層、第二圖案化導電層及第二圖案化透明導電層於前基板上之步驟包含以下步驟：形成第一圖案化導電層於前基板上，其係包含一第二閘極；形成介電層覆蓋第二閘極、透明閘極及電容下電極；形成圖案化半導體層於介電層上；形成第二圖案化導電層於介電層上，其係包含一第一源極、一第一汲極、一第二源極及一第二汲極，第一源極、第一汲極及透明閘極構成一光感測器電晶體，第二源極、第二汲極及第二閘極構成畫素結構之一薄膜電晶體；形成具有接觸孔之保護層覆蓋光感測器及薄膜電晶體；以及，形成第二圖案化透明導電層覆蓋於保護層上，第二圖案化透明導電層經由接觸孔電性連接於第二汲極。
依據本發明一實施例，依序形成第一圖案化導電層、介電層、圖案化半導體層、第二圖案化導電層及第二圖案化透明導電層於前基板上之步驟包含以下步驟：依序形成第一圖案化導電層、介電層、圖案化半導體層及第二圖案化導電層於前基板上；形成具有一接觸孔及一開槽之一保護層覆蓋於前基板上，接觸孔暴露出底下的第二圖案化導電層，開槽對應於部分之第一圖案化透明導電層，且開槽下的部分保護層的厚度減薄；以及，形成第二圖案化透明導電層覆蓋於保護層上，第二圖案化透明導電層經由接觸孔電性連接於第二圖案化導電層，且第二圖案化透明導電層覆蓋過開槽，於第一圖案化透明導電層及第二圖案化透明導電層之間形成一儲存電容。
依據本發明一實施例，反射式觸控顯示面板之製造方法更包含黏貼一黏著層於前基板上，用以黏接反射材料層之步驟。
依據本發明一實施例，反射材料層藉由電壓或電場的改變而改變反射率。
本發明實施例之反射式觸控顯示面板及其製造方法，入射光線經由前基板進入顯示面板中，並且在抵達顯示材料層之前先到達光感測器，具有可提升光感測器靈敏度、相容原有顯示器製程之優點。
本發明實施例之反射式觸控顯示面板及其製造方法，係將光感測器設置於前基板，並且讓光線經由前基板進入顯示面板中，使得光線可以直接到達光感測器，不需要先通過反射材料層，可以提升光感測器的靈敏度，進而提升產品品質。
首先對於依照本發明一實施例之反射式觸控顯示面板進行說明。請參照第1圖，其繪示依照本發明一實施例之一種反射式觸控顯示面板之爆炸圖。反射式觸控顯示面板100包含一前基板110、多個畫素結構120、多個光感測器150、一反射材料層160以及一後基板170。前基板110具有一內表面111，且前基板110係用以供一入射光線1穿透過。此些畫素結構120以及此些光感測器150係設置於前基板110之內表面111上。後基板170係與前基板110平行設置。反射材料層160夾設於前基板110及後基板170之間，用以反射穿透過前基板110的入射光線I。
此外，在本發明之一實施例中，可直接將反射材料層160組裝密封於前基板110與後基板170之間，在此實施例不需要黏著層190。本發明之另一實施例之反射式觸控顯示面板100更選擇性包含一黏著層190，設置於反射材料層160及前基板110之間，用以將反射材料層160黏接於前基板110上。然而本發明之技術並不限制於此，凡是可將反射材料層160接合於前基板110上之方式，均可應用於本發明中。實際應用上，反射材料層160例如為一電泳結構層或一膽固醇液晶層，其中可應用之電泳結構層包含一微膠囊陣列結構層或是一微杯陣列結構層，但是並不限於此。
請同時參照第2圖及第3圖，第2圖繪示前基板上之一光感測器及其對應之一畫素結構之示意圖，第3圖繪示第2圖中沿線A-A’、線B-B’及線C-C’之剖面圖。光感測器150包含一光感測器電晶體130及一讀出元件140。光感測器電晶體130具有一透明閘極131、一第一閘極介電層132、一第一半導體層133、一第一源極134及一第一汲極135。透明閘極131設置於前基板110之內表面111上，第一閘極介電層132與第一半導體層133依序設置於透明閘極131上。第一源極134及第一汲極135分別連接於第一半導體層133之兩側。讀出元件140電性連接於光感測器電晶體130。本實施例中，透明閘極131之材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或其他透明導電材料，但是並不限於上述材料。
實際應用上，當入射光線I穿透過前基板110到達光感測器電晶體130時，第一半導體層133受入射光線I照射形成電子電洞對，使第一源極134與第一汲極135之間形成電性通路而產生光電流(photo-current)；亦即第一源極134之電位訊號係可經由第一半導體層133中形成之通道傳遞至第一汲極135。當使用者U遮蔽光感測器電晶體130時(例如使用者U將手指置放在光感測器電晶體130上方時)，光感測器電晶體130之透明閘極131無法受到入射光線I的照射，此時光感測器電晶體130之第一源極134的電位訊號便無法傳遞至第一汲極135。反射式觸控顯示面板100利用前述光感測器電晶體130之感測機制，判斷使用者U觸控的位置。
另外，本實施例之畫素結構120包含一薄膜電晶體126，具有一第二閘極121、一第二閘極介電層122、一第二半導體層123、一第二源極124及一第二汲極125。第二閘極121設置於前基板110之內表面111上，第二閘極介電層122及第二半導體層123依序設置於第二閘極121上。第二源極124及第二汲極125分別連接於第二半導體層123之兩側。本實施例中，第二閘極121及光感測器150之透明閘極131係由不同材質製成；舉例來說，透明閘極131為銦錫氧化物，第二閘極121為不透光導電材料，例如是金屬材料。第二閘極121使用不透光導電材料，可減少入射光線I對第二半導體層123的電性干擾。
畫素結構120更包含一畫素電極127及一電容下電極128。畫素電極127電性連接於薄膜電晶體126之第二汲極125。電容下電極128係為透明材質，並且設置於前基板110之內表面111上。本實施例中電容下電極128之材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或其他透明導電材料。電容下電極128及畫素電極127係構成一透明儲存電容，可以避免反射式觸控顯示面板100的開口率受到影響。在後基板170上設置有共同電極172，每一畫素電極127跟共同電極172之間形成電壓或電場，藉由電壓或電場的改變來改變反射材料層160的反射率，達到顯示控制的目的。此外，電容下電極128與光感測器150之透明閘極131係可連接至相同之電壓準位，以簡化訊號線的輸入。在變化實施例中，光感測器150之透明閘極131亦可連接至掃描線191，或是其他的訊號控制線，此為該項技藝者所熟知，因此不再贅述。
光感測器150之讀出元件140具有一第三閘極141、一第三閘極介電層142、一第三半導體層143、一第三源極144及一第三汲極145。第三閘極141設置於前基板110之內表面111上，第三閘極介電層142及第三半導體層143依序設置於第三閘極141上。第三源極144及第三汲極145分別連接於第三半導體層143之兩側。本實施例中，第三閘極141與薄膜電晶體126之第二閘極121係為相同材質，例如均為不透光之金屬材料。
反射式觸控顯示面板100更包含一保護層180，覆蓋畫素結構120及光感測器150。保護層180係部分地被畫素結構120之畫素電極127所覆蓋，且保護層180具有一接觸孔180a，暴露出底下的第二汲極125，畫素電極127經由接觸孔180a電性連接於第二汲極125。本實施例中，畫素結構120之畫素電極127及電容下電極128分別位於保護層180之相對兩側，如第3圖所繪示。
更進一步來說，反射式觸控顯示面板100更包含多條掃瞄線191、多條資料線192、多條訊號輸入線193及多條訊號輸出線194，如第2圖所示。此些掃瞄線191係相互平行設置，且各掃瞄線191電性連接於對應之薄膜電晶體126之第二閘極121與讀出元件140之第三閘極141，用以提供掃瞄訊號。此些資料線192係相互平行設置，並且與前述掃瞄線191相交排列；於一實施例中，此些資料線192係正交於此些掃瞄線191。各資料線192電性連接於對應之薄膜電晶體126之第二源極124，用以提供資料訊號。此些訊號輸入線193係相互平行設置，並且平行於前述之掃瞄線191。各訊號輸入線193電性連接於對應之光感測器電晶體130之第一源極134，用以提供感測訊號。此些訊號輸出線194係相互平行設置，並且與前述之訊號輸入線193相交排列；於一實施例中，此些訊號輸出線194係正交於此些訊號輸入線193。各訊號輸出線194電性連接於對應之讀出元件140之第三汲極145，用以輸出感測訊號至外部感測判斷電路，以正確判讀出感測訊號。
本實施例之反射式觸控顯示面板100係整合光感測器150及畫素結構120於前基板110上，當入射光線I穿透過前基板110進入反射式觸控顯示面板100時，其係可直接照射於光感測器150。以此方式，入射光線I直接照射於光感測器150，不需先通過反射材料層160，可以提升光感測器150的靈敏度。此外，利用透明閘極131之設計，使得光線可以穿透過透明閘極131到達第一半導體層133。反射式觸控顯示面板100更採用透明材質之電容下電極128與畫素電極127重疊形成透明儲存電容，避免影響到反射式觸控顯示面板100的開口率。
接下來對於依照本發明一實施例之反射式觸控顯示面板的製造方法進行說明。請參照第4圖及第5A至5G圖，第4圖繪示依照本發明一實施例之一種反射式觸控顯示面板之製造方法之流程圖；第5A至5G圖分別繪示第4圖中各步驟之示意圖。
如步驟S1，形成一第一圖案化透明導電層L1於前基板510上，如第5A圖所示。第一圖案化透明導電層L1包含透明閘極531及電容下電極528。透明閘極531用於形成光感測器，電容下電極528用於形成畫素結構之透明儲存電容。本實施例中，第一圖案化透明導電層591之材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或其他透明導電材料。
如步驟S2，接下來依序形成一第一圖案化導電層、一介電層、一圖案化半導體層、一第二圖案化導電層及一第二圖案化透明導電層於前基板510上。更詳盡地來說，本實施例之步驟S2包含步驟S21至步驟S26，以下係對於此些步驟進行說明。
於步驟S21中，形成第一圖案化導電層L2於前基板510上，如第5B圖所示。第一圖案化導電層L2包含一第二閘極521及一第三閘極541，第二閘極521用於形成畫素結構之一薄膜電晶體，第三閘極541用於形成光感測器之一讀出元件。
於步驟S22及步驟S23中，形成介電層L3覆蓋第二閘極521、透明閘極531、電容下電極528及第三閘極541，並且形成圖案化半導體層L4於介電層L3上。圖案化半導體層L4包含一第二半導體層523、一第一半導體層533及一第三半導體層543，如第5C圖所示。第二半導體層523對應位於第二閘極521上方，第一半導體層533對應位於透明閘極531上方，第三半導體層543對應位於第三閘極541上方。
於步驟S24中，本實施例之製造方法接著形成第二圖案化導電層L5於介電層L3及圖案化半導體層L4上。第二圖案化導電層L5包含一第一源極534、一第一汲極535、一第二源極524、一第二汲極525、第三源極544及一第三汲極545，如第5D圖所示。第一源極534、第一汲極535及透明閘極531構成光感測器之一光感測器電晶體530；第二源極524、第二汲極525及第二閘極521構成畫素結構之薄膜電晶體526；第三源極544、第三汲極545及第三閘極541構成光感測器之讀出元件540。進一步來說，光感測器電晶體530及讀出元件540係構成所述之光感測器550。
於步驟S25中，形成具有一接觸孔580a之一保護層580覆蓋於前基板510上。保護層580係覆蓋光感測器550及薄膜電晶體526，接觸孔580a係暴露出部分之第二圖案化導電層L5，如第5E圖所示。
於步驟S26中，形成第二圖案化透明導電層L6覆蓋於保護層580上，第二圖案化透明導電層L6經由接觸孔580a電性連接於第二圖案化導電層L5，如第5F圖所示。更進一步來說，第二圖案化透明導電層L6為一畫素電極527，其係由接觸孔580a電性連接於第二汲極525。薄膜電晶體526、電容下電極528及畫素電極527係構成畫素結構520，畫素電極527及電容下電極528係構成畫素結構520之透明儲存電容。
接下來，本實施例之製造方法進行步驟S3，設置一反射材料層560及一後基板570於前基板510上，使反射材料層560位於前基板510及後基板570之間，如第5G圖所示。在後基板570上設置有共同電極572，每一畫素電極527跟共同電極572之間形成電壓或電場，藉由電壓或電場的改變來改變反射材料層560的反射率，達到顯示控制的目的。實際應用上，在本發明之一實施例中，可直接將反射材料層560組裝密封於前基板510與後基板570之間，在此實施例不需要黏著層190。本發明之另一實施例，步驟S3中更可選擇性包含一黏著步驟，黏貼一黏著層590於前基板510上，用以將反射材料層560黏接於前基板510上。
經由前述依照本發明製造方法之步驟S1至步驟S3，係完成依照本發明一實施例之反射式觸控顯示面板500，如第5G圖所繪示。
反射式觸控顯示面板500中，畫素結構520之畫素電極527及電容下電極528分別位於保護層580之相對兩側，使電容下電極528及畫素電極527之間經由保護層580相隔開來。然而在另一實施例中，畫素電極527及電容下電極528之間係可至少部分地不具有保護層580，以提升透明儲存電容的電容特性，進一步提升反射式觸控顯示面板500的顯示品質。
請參照第6圖，其繪示第5G圖中保護層具有開槽時之示意圖。反射式觸控顯示面板500’與前述實施例之反射式觸控顯示面板500不同之處，在於本實施例之反射式觸控顯示面板500’的保護層580’除具有接觸孔580a外，更具有一開槽580b，開槽580b下的保護層580’的厚度減薄。在製造方法之形成保護層580’的步驟中，例如可使用半色調光罩(Half-tone)，進行微影與蝕刻製程，形成具有接觸孔580a及開槽580b的保護層580’覆蓋於前基板510上。開槽580b對應於部分之第一圖案化透明導電層L1。第二圖案化透明導電層L6’經由接觸孔580a電性連接於第二圖案化導電層L5，且第二圖案化透明導電層L6’覆蓋過開槽580b。本實施例中，第二圖案化透明導電層L6’包含畫素電極527’。開槽580b位於對應電容下電極528之處，使得畫素電極527’及電容下電極528重疊區域形成透明儲存電容。畫素電極527’及電容下電極528之間的部分保護層580’的厚度減薄，可藉此增大儲存電容值。
上述依照本發明實施例之反射式觸控顯示面板及其製造方法，反射式觸控顯示面板中光感測器及畫素結構係整合設置於前基板上，且光線係由前基板進入顯示面板中，使得光線可以直接到達光感測器中之光感測器電晶體，可以提升光感測器的靈敏度。再者，光感測器電晶體具有透明閘極，且儲存電容之下電極係為透明材質，具有不影響開口率之優點。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．反射式觸控顯示面板
110．．．前基板
111．．．內表面
120．．．畫素結構
121．．．第二閘極
122．．．第二閘極介電層
123．．．第二半導體層
124．．．第二源極
125．．．第二汲極
126．．．薄膜電晶體
127．．．畫素電極
128．．．電容下電極
130．．．光感測器電晶體
131．．．透明閘極
132．．．第一閘極介電層
133．．．第一半導體層
134．．．第一源極
135．．．第一汲極
140．．．讀出元件
141．．．第三閘極
142．．．第三閘極介電層
143．．．第三半導體層
144．．．第三源極
145．．．第三汲極
150．．．光感測器
160．．．反射材料層
170．．．後基板
172．．．共同電極
180．．．保護層
180a．．．接觸孔
190．．．黏著層
191．．．掃瞄線
192．．．資料線
193．．．訊號輸入線
194．．．訊號輸出線
500．．．反射式觸控顯示面板
500’．．．反射式觸控顯示面板
510．．．前基板
520．．．畫素結構
521．．．第二閘極
523．．．第二半導體層
524．．．第二源極
525．．．第二汲極
526．．．薄膜電晶體
527．．．畫素電極
527’．．．畫素電極
528．．．電容下電極
530．．．光感測器電晶體
531．．．透明閘極
533．．．第一半導體層
534．．．第一源極
535．．．第一汲極
540．．．讀出元件
541．．．第三閘極
543．．．第三半導體層
544．．．第三源極
545．．．第三汲極
550．．．光感測器
560．．．反射材料層
570．．．後基板
572．．．共同電極
580．．．保護層
580’．．．保護層
580a．．．接觸孔
580b．．．開槽
590．．．黏著層
I．．．入射光線
L1．．．第一圖案化透明導電層
L2．．．第一圖案化導電層
L3．．．介電層
L4．．．圖案化半導體層
L5．．．第二圖案化導電層
L6．．．第二圖案化透明導電層
L6’．．．第二圖案化透明導電層
S1．．．步驟
S2．．．步驟
S3．．．步驟
S21．．．步驟
S22．．．步驟
S23．．．步驟
S24．．．步驟
S25．．．步驟
S26．．．步驟
U．．．使用者
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1圖繪示依照本發明一實施例之一種反射式觸控顯示面板之爆炸圖。
第2圖繪示前基板上之一光感測器及其對應之一畫素結構之示意圖。
第3圖繪示第2圖中沿線A-A’、線B-B’及線C-C’之剖面圖。
第4圖繪示依照本發明一實施例之一種反射式觸控顯示面板之製造方法之流程圖。
第5A至5G圖分別繪示第4圖中各步驟之示意圖。
第6圖繪示第5G圖中保護層具有開槽時之示意圖。
100．．．反射式觸控顯示面板
110．．．前基板
111．．．內表面
120．．．畫素結構
121．．．第二閘極
122．．．第二閘極介電層
123．．．第二半導體層
124．．．第二源極
125．．．第二汲極
126．．．薄膜電晶體
127．．．畫素電極
128．．．電容下電極
130．．．光感測器電晶體
131．．．透明閘極
132．．．第一閘極介電層
133．．．第一半導體層
134．．．第一源極
135．．．第一汲極
140．．．讀出元件
141．．．第三閘極
142．．．第三閘極介電層
143．．．第三半導體層
144．．．第三源極
145．．．第三汲極
150．．．光感測器
160．．．反射材料層
170．．．後基板
172．．．共同電極
180．．．保護層
180a．．．接觸孔
190．．．黏著層
I．．．入射光線
U．．．使用者

Claims (17)

  1. 一種反射式觸控顯示面板，至少包含：一前基板，具有一內表面，該前基板用以供一入射光線穿透過；複數個畫素結構，設置於該前基板之該內表面上；複數個光感測器，設置於該前基板之該內表面上，各該光感測器包含：一光感測器電晶體，具有一透明閘極、一第一閘極介電層、一第一半導體層、一第一源極及一第一汲極，該透明閘極設置於該前基板之該內表面上，該第一閘極介電層與該第一半導體層依序設置於該透明閘極上，該第一源極及該第一汲極分別連接於該第一半導體層之兩側；及一讀出元件，電性連接於該光感測器電晶體；一後基板，與該前基板平行設置；以及一反射材料層，夾設於該前基板及該後基板之間，用以反射穿透過該前基板之該入射光線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之反射式觸控顯示面板，其中該透明閘極之材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之反射式觸控顯示面板，其中該反射材料層為一電泳結構層或一膽固醇液晶層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之反射式觸控顯示面板，其中各該畫素結構包含：一薄膜電晶體，具有一第二閘極、一第二閘極介電層、一第二半導體層、一第二源極及一第二汲極，該第二閘極設置於該前基板之該內表面上，該第二閘極介電層及該第二半導體層依序設置於該第二閘極上，該第二源極及該第二汲極分別連接於該第二半導體層之兩側；一畫素電極，電性連接於該第二汲極；及一電容下電極，係為透明材質，並且設置於該前基板之該內表面上，該電容下電極及該畫素電極係構成一透明儲存電容。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之反射式觸控顯示面板，其中該透明閘極與該電容下電極連接至相同之電壓準位。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之反射式觸控顯示面板，其中各該讀出元件具有一第三閘極、一第三閘極介電層、一第三半導體層、一第三源極及一第三汲極，該第三閘極設置於該前基板之該內表面上，該第三閘極介電層及該第三半導體層依序設置於該第三閘極上，該第三源極及該第三汲極分別連接於該第三半導體層之兩側。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之反射式觸控顯示面板，更包含： 複數條掃瞄線，各該掃瞄線電性連接於對應之該薄膜電晶體之該第二閘極與該讀出元件之該第三閘極；複數條資料線，與該些掃瞄線相交排列，各該資料線電性連接於對應之該薄膜電晶體之該第二源極；複數條訊號輸入線，平行於該些掃瞄線，各該訊號輸入線電性連接於對應之該光感測器電晶體之該第一源極；及複數條訊號輸出線，與該些訊號輸入線相交排列，各該訊號輸出線電性連接於對應之該讀出元件之該第三汲極。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之反射式觸控顯示面板，更包含：一保護層，該保護層係部分地被各該畫素結構之該畫素電極所覆蓋，該保護層具有一接觸孔，該畫素電極經由該接觸孔電性連接於該第二汲極。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之反射式觸控顯示面板，其中各該畫素結構之該畫素電極及該電容下電極分別位於該保護層之相對兩側。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之反射式觸控顯示面板，其中反射材料層藉由電壓或電場的改變而改變反射率。
  11. 一種反射式觸控顯示面板之製造方法，至少包含：形成一第一圖案化透明導電層於一前基板上，該第一圖案化透明導電層包含一透明閘極及一電容下電極，該透明閘極用於形成一光感測器，該電容下電極用於形成一畫素結構之一透明儲存電容；依序形成一第一圖案化導電層、一介電層、一圖案化半導體層、一第二圖案化導電層及一第二圖案化透明導電層於該前基板上，以分別形成該光感測器及該畫素結構；以及設置一反射材料層及一後基板於該前基板上，使該反射材料層位於該前基板及該後基板之間。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中該第一圖案化透明導電層之材質包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋁鋅氧化物。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中依序形成該第一圖案化導電層、該介電層、該圖案化半導體層、該第二圖案化導電層及該第二圖案化透明導電層於該前基板上之該步驟包含：依序形成該第一圖案化導電層、該介電層、該圖案化半導體層及該第二圖案化導電層於該前基板上；形成具有一接觸孔之一保護層覆蓋於該前基板上；及形成該第二圖案化透明導電層覆蓋於該保護層上，該 第二圖案化透明導電層經由該接觸孔電性連接於該第二圖案化導電層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之製造方法，其中依序形成該第一圖案化導電層、該介電層、該圖案化半導體層、該第二圖案化導電層及該第二圖案化透明導電層於該前基板上之該步驟更包含：形成該第一圖案化導電層於該前基板上，包含一第二閘極；形成該介電層覆蓋該第二閘極、該透明閘極及該電容下電極；形成該圖案化半導體層於該介電層上；形成該第二圖案化導電層於該介電層上，包含一第一源極、一第一汲極、一第二源極及一第二汲極，該第一源極、該第一汲極及該透明閘極構成一光感測器電晶體，該第二源極、該第二汲極及該第二閘極構成該畫素結構之一薄膜電晶體；形成具有該接觸孔之該保護層覆蓋該光感測器及該薄膜電晶體；及形成該第二圖案化透明導電層覆蓋於該保護層上，該第二圖案化透明導電層經由該接觸孔電性連接於該第二汲極。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中依序形成該第一圖案化導電層、該介電層、該圖案化半導體 層、該第二圖案化導電層及該第二圖案化透明導電層於該前基板上之該步驟包含：依序形成該第一圖案化導電層、該介電層、該圖案化半導體層及該第二圖案化導電層於該前基板上；形成具有一接觸孔及一開槽之一保護層覆蓋於該前基板上，該接觸孔暴露出底下的該第二圖案化導電層，該開槽對應於部分之該第一圖案化透明導電層，且該開槽下的部分該保護層的厚度減薄；及形成該第二圖案化透明導電層覆蓋於該保護層上，該第二圖案化透明導電層經由該接觸孔電性連接於該第二圖案化導電層，且該第二圖案化透明導電層覆蓋過該開槽，於該第一圖案化透明導電層及該第二圖案化透明導電層之間形成一儲存電容。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，更包含：黏貼一黏著層於該前基板上，用以黏接該反射材料層。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之製造方法，其中反射材料層藉由電壓或電場的改變而改變反射率。
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