CN101840290B - 反射式触控显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种反射式触控显示面板及其制造方法。反射式触控显示面板的前基板供入射光线穿透过，多个像素结构及多个光感测器设置于前基板的内表面上。光感测器的光感测器晶体管具有一透明栅极。反射式触控显示面板的制造方法包含下述步骤。形成一第一图案化透明导电层于前基板上，其包含透明栅极及电容下电极。依序形成一第一图案化导电层、一介电层、一图案化半导体层、一第二图案化导电层及一第二图案化透明导电层于前基板上，以分别形成光感测器及像素结构。最后，将一反射材料层及一后基板跟前基板组装形成反射式触控显示面板。

Description

反射式触控显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种触控显示面板及其制造方法，且特别是有关于一种反射式触控显示面板及其制造方法。

背景技术

随着显示器制造技术的进步，近年来市场上逐渐以薄型显示器为主流，取代以往厚重、耗电的阴极射线管显示器，成为消费者选购时的首选。然而随着能源议题逐渐受到重视，市场上对于显示器的耗电量有着更严苛的要求。为了因应市场上对于绿色能源显示器的需求，制造业致力于开发耗电量更低、厚度更薄的显示器。

相较于目前市面上可见的背光穿透式液晶显示器、等离子体显示器，反射式的电子纸显示器利用反射外界光线的方式来显示画面。因为电子纸显示器中不需整合背光模块，可以进一步降低显示器的重量及厚度，并且降低显示器的耗电量。另外，为了提升使用上的便利性，制造业亦开发出整合触控功能的电子纸显示器。一般而言，电子纸显示器整合触控功能的作法，在电子纸显示器上再贴附一层电阻式或电容式的触控薄膜，不仅提高了成本，更增加了工艺复杂度。

为了解决前述关于工艺及成本的问题，制造业更发展出一种整合性的触控式电子纸显示器。此种触控式电子纸显示器将光感测器整合在显示器原有的像素结构中。然而整合在像素结构中的光感测器位于显示材料层下方，环境光线必须先穿透过显示材料层，才能抵达位于显示材料层下方的光感测器。在这样的条件下，整合触控功能的电子纸显示器便面临光感测器受光不足，影响光感测器灵敏度的问题，进一步影响触控操作的实用性，降低了产品品质。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种反射式触控显示面板及其制造方法，用以解决光感测器灵敏度受到影响的问题。

本发明的一方面提出一种反射式触控显示面板，至少包含一前基板、多个像素结构、多个光感测器、一后基板以及一反射材料层。前基板用以供入射光线穿透过。像素结构及光感测器设置于前基板的内表面上。光感测器包含光感测器晶体管及读出元件。光感测器晶体管具有一透明栅极、一第一栅极介电层、一第一半导体层、一第一源极及一第一漏极，该透明栅极设置于该前基板的该内表面上，该第一栅极介电层与该第一半导体层依序设置于该透明栅极上，该第一源极及该第一漏极分别连接于该第一半导体层的两侧；读出元件电性连接于光感测器晶体管。后基板与前基板平行设置，且反射材料层夹设于两基板之间，用以反射穿过前基板的入射光线。

依据本发明一实施例，透明栅极的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。

依据本发明一实施例，反射材料层为一电泳结构层或一胆固醇液晶层。

依据本发明一实施例，各像素结构包含一薄膜晶体管、一像素电极及一电容下电极。电容下电极为透明材质，并且设置于前基板的内表面上，电容下电极及像素电极重叠区域构成一透明储存电容。

依据本发明一实施例，光感测器晶体管的透明栅极与电容下电极连接至相同的电压电位。

依据本发明一实施例，反射式触控显示面板更包含多条扫描线、多条数据线、多条信号输入线及多条信号输出线。各扫描线电性连接于对应的薄膜晶体管的第二栅极与读出元件的该第三栅极。多条数据线与扫描线相交排列，且各数据线电性连接于对应的薄膜晶体管的第二源极。信号输入线平行于扫描线，且各信号输入线电性连接于对应的光感测器晶体管的第一源极。信号输出线与信号输入线相交排列，且各信号输出线电性连接于对应的读出元件的第三漏极。

依据本发明一实施例，反射式触控显示面板更包含一保护层，覆盖像素结构及光感测器。保护层部分地被各像素结构的像素电极所覆盖。保护层具有一接触孔，像素电极经接触孔电性连接于薄膜晶体管的第二漏极。

依据本发明一实施例，各像素结构的像素电极及电容下电极分别位于保护层的相对两侧。

依据本发明一实施例，反射材料层通过电压或电场的改变而改变反射率。

本发明的另一方面提出一种反射式触控显示面板的制造方法，至少包含下述步骤：形成一第一图案化透明导电层于一前基板上，第一图案化透明导电层包含一透明栅极及一电容下电极，透明栅极用于形成一光感测器，电容下电极用于形成一像素结构的一透明储存电容；依序形成一第一图案化导电层、一介电层、一图案化半导体层、一第二图案化导电层及一第二图案化透明导电层于前基板上，以分别形成光感测器及像素结构；以及，设置一反射材料层及一后基板于前基板上，使反射材料层位于前基板及后基板之间。

依据本发明一实施例，依序形成第一图案化导电层、介电层、图案化半导体层、第二图案化导电层及第二图案化透明导电层于前基板上的步骤包含以下步骤：依序形成第一图案化导电层、介电层、图案化半导体层及第二图案化导电层于前基板上；形成具有一接触孔的一保护层覆盖于前基板上；以及，形成第二图案化透明导电层覆盖于保护层上，第二图案化透明导电层经接触孔电性连接于第二图案化导电层。

依据本发明一实施例，依序形成第一图案化导电层、介电层、图案化半导体层、第二图案化导电层及第二图案化透明导电层在前基板上的步骤包含以下步骤：形成第一图案化导电层于前基板上，其包含一第二栅极；形成介电层覆盖第二栅极、透明栅极及电容下电极；形成图案化半导体层于介电层上；形成第二图案化导电层于介电层上，其包含一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极，第一源极、第一漏极及透明栅极构成一光感测器晶体管，第二源极、第二漏极及第二栅极构成像素结构的一薄膜晶体管；形成具有接触孔的保护层覆盖光感测器及薄膜晶体管；以及，形成第二图案化透明导电层覆盖于保护层上，第二图案化透明导电层经接触孔电性连接于第二漏极。

依据本发明一实施例，依序形成第一图案化导电层、介电层、图案化半导体层、第二图案化导电层及第二图案化透明导电层于前基板上的步骤包含以下步骤：依序形成第一图案化导电层、介电层、图案化半导体层及第二图案化导电层于前基板上；形成具有一接触孔及一开槽的一保护层覆盖于前基板上，接触孔暴露出底下的第二图案化导电层，开槽对应于部分的第一图案化透明导电层，且开槽下的部分保护层的厚度减薄；以及，形成第二图案化透明导电层覆盖于保护层上，第二图案化透明导电层经接触孔电性连接于第二图案化导电层，且第二图案化透明导电层覆盖过开槽，在第一图案化透明导电层及第二图案化透明导电层之间形成一储存电容。

依据本发明一实施例，反射式触控显示面板的制造方法更包含粘贴一粘着层于前基板上，用以粘接反射材料层的步骤。

依据本发明一实施例，反射材料层通过电压或电场的改变而改变反射率。

本发明实施例的反射式触控显示面板及其制造方法，入射光线经前基板进入显示面板中，并且在抵达显示材料层之前先到达光感测器，具有可提升光感测器灵敏度、相容原有显示器工艺的优点。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1绘示依照本发明一实施例的一种反射式触控显示面板的分解图；

图2绘示前基板上的一光感测器及其对应的一像素结构的示意图；

图3绘示图2中沿线A-A’、线B-B’及线C-C’的剖面图；

图4绘示依照本发明一实施例的一种反射式触控显示面板的制造方法的流程图；

图5A至图5G分别绘示图4中各步骤的示意图；

图6绘示图5G中保护层具有开槽时的示意图。

其中，附图标记

100：反射式触控显示面板    525：第二漏极

110：前基板                526：薄膜晶体管

111：内表面                527：像素电极

120：像素结构              527’：像素电极

121：第二栅极              528：电容下电极

122：第二栅极介电层        530：光感测器晶体管

123：第二半导体层          531：透明栅极

124：第二源极              533：第一半导体层

125：第二漏极                534：第一源极

126：薄膜晶体管              535：第一漏极

127：像素电极                540：读出元件

128：电容下电极              541：第三栅极

130：光感测器晶体管          543：第三半导体层

131：透明栅极                544：第三源极

132：第一栅极介电层          545：第三漏极

133：第一半导体层            550：光感测器

134：第一源极                560：反射材料层

135：第一漏极                570：后基板

140：读出元件                572：共同电极

141：第三栅极                580：保护层

142：第三栅极介电层          580’：保护层

143：第三半导体层            580a：接触孔

144：第三源极                580b：开槽

145：第三漏极                590：粘着层

150：光感测器                I：入射光线

160：反射材料层              L1：第一图案化透明导电层

170：后基板                  L2：第一图案化导电层

172：共同电极                L3：介电层

180：保护层                  L4：图案化半导体层

180a：接触孔                 L5：第二图案化导电层

190：粘着层                  L6：第二图案化透明导电层

191：扫描线                  L6’：第二图案化透明导电层

192：数据线                  S1：步骤

193：信号输入线              S2：步骤

194：信号输出线              S3：步骤

500：反射式触控显示面板      S21：步骤

500’：反射式触控显示面板    S22：步骤

510：前基板                  S23：步骤

520：像素结构                S24：步骤

521：第二栅极                S25：步骤

523：第二半导体层            S26：步骤

524：第二源极                U：使用者

具体实施方式

本发明实施例的反射式触控显示面板及其制造方法，将光感测器设置于前基板，并且让光线经前基板进入显示面板中，使得光线可以直接到达光感测器，不需要先通过反射材料层，可以提升光感测器的灵敏度，进而提升产品品质。

首先对于依照本发明一实施例的反射式触控显示面板进行说明。请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的一种反射式触控显示面板的分解图。反射式触控显示面板100包含一前基板110、多个像素结构120、多个光感测器150、一反射材料层160以及一后基板170。前基板110具有一内表面111，且前基板110用以供一入射光线I穿透过。这些像素结构120以及这些光感测器150设置于前基板110的内表面111上。后基板170与前基板110平行设置。反射材料层160夹设于前基板110及后基板170之间，用以反射穿透过前基板110的入射光线I。

此外，在本发明的一实施例中，可直接将反射材料层160组装密封于前基板110与后基板170之间，在此实施例不需要粘着层190。本发明的另一实施例的反射式触控显示面板100更选择性包含一粘着层190，设置于反射材料层160及前基板110之间，用以将反射材料层160粘接于前基板110上。然而本发明的技术并不限制于此，凡是可将反射材料层160接合于前基板110上的方式，均可应用于本发明中。实际应用上，反射材料层160例如为一电泳结构层或一胆固醇液晶层，其中可应用的电泳结构层包含一微胶囊阵列结构层或是一微杯阵列结构层，但是并不限于此。

请同时参照图2及图3，图2绘示前基板上的一光感测器及其对应的一像素结构的示意图，图3绘示图2中沿线A-A’、线B-B’及线C-C’的剖面图。光感测器150包含一光感测器晶体管130及一读出元件140。光感测器晶体管130具有一透明栅极131、一第一栅极介电层132、一第一半导体层133、一第一源极134及一第一漏极135。透明栅极131设置于前基板110的内表面111上，第一栅极介电层132与第一半导体层133依序设置于透明栅极131上。第一源极134及第一漏极135分别连接于第一半导体层133的两侧。读出元件140电性连接于光感测器晶体管130。本实施例中，透明栅极131的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或其他透明导电材料，但是并不限于上述材料。

实际应用上，当入射光线I穿透过前基板110到达光感测器晶体管130时，第一半导体层133受入射光线I照射形成电子空穴对，使第一源极134与第一漏极135之间形成电性通路而产生光电流(photo-current)；亦即第一源极134的电位信号可经第一半导体层133中形成的通道传递至第一漏极135。当使用者U遮蔽光感测器晶体管130时(例如使用者U将手指置放在光感测器晶体管130上方时)，光感测器晶体管130的透明栅极131无法受到入射光线I的照射，此时光感测器晶体管130的第一源极134的电位信号便无法传递至第一漏极135。反射式触控显示面板100利用前述光感溅器晶体管130的感测机制，判断使用者U触控的位置。

另外，本实施例的像素结构120包含一薄膜晶体管126，具有一第二栅极121、一第二栅极介电层122、一第二半导体层123、一第二源极124及一第二漏极125。第二栅极121设置于前基板110的内表面111上，第二栅极介电层122及第二半导体层123依序设置于第二栅极121上。第二源极124及第二漏极125分别连接于第二半导体层123的两侧。本实施例中，第二栅极121及光感测器150的透明栅极131由不同材质制成；举例来说，透明栅极131为铟锡氧化物，第二栅极121为不透光导电材料，例如是金属材料。第二栅极121使用不透光导电材料，可减少入射光线I对第二半导体层123的电性干扰。

像素结构120更包含一像素电极127及一电容下电极128。像素电极127电性连接于薄膜晶体管126的第二漏极125。电容下电极128为透明材质，并且设置于前基板110的内表面111上。本实施例中电容下电极128的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或其他透明导电材料。电容下电极128及像素电极127构成一透明储存电容，可以避免反射式触控显示面板100的开口率受到影响。在后基板170上设置有共同电极172，每一像素电极127与共同电极172之间形成电压或电场，通过电压或电场的改变来改变反射材料层160的反射率，达到显示控制的目的。此外，电容下电极128与光感测器150的透明栅极131可连接至相同的电压电位，以简化信号线的输入。在变化实施例中，光感测器150的透明栅极131亦可连接至扫描线191，或是其他的信号控制线，此为本领域技术人员所熟知，因此不再赘述。

光感测器150的读出元件140具有一第三栅极141、一第三栅极介电层142、一第三半导体层143、一第三源极144及一第三漏极145。第三栅极141设置于前基板110的内表面111上，第三栅极介电层142及第三半导体层143依序设置于第三栅极141上。第三源极144及第三漏极145分别连接于第三半导体层143的两侧。本实施例中，第三栅极141与薄膜晶体管126的第二栅极121为相同材质，例如均为不透光的金属材料。

反射式触控显示面板100更包含一保护层180，覆盖像素结构120及光感测器150。保护层180部分地被像素结构120的像素电极127所覆盖，且保护层180具有一接触孔180a，暴露出底下的第二漏极125，像素电极127经接触孔180a电性连接于第二漏极125。本实施例中，像素结构120的像素电极127及电容下电极128分别位于保护层180的相对两侧，如图3所绘示。

更进一步来说，反射式触控显示面板100更包含多条扫描线191、多条数据线192、多条信号输入线193及多条信号输出线194，如图2所示。这些扫描线191相互平行设置，且各扫描线191电性连接于对应的薄膜晶体管126的第二栅极121与读出元件140的第三栅极141，用以提供扫描信号。这些数据线192相互平行设置，并且与前述扫描线191相交排列；在一实施例中，这些数据线192正交于这些扫描线191。各数据线192电性连接于对应的薄膜晶体管126的第二源极124，用以提供数据信号。这些信号输入线193相互平行设置，并且平行于前述的扫描线191。各信号输入线193电性连接于对应的光感测器晶体管130的第一源极134，用以提供感测信号。这些信号输出线194相互平行设置，并且与前述的信号输入线193相交排列；在一实施例中，这些信号输出线194正交于这些信号输入线193。各信号输出线194电性连接于对应的读出元件140的第三漏极145，用以输出感测信号至外部感测判断电路，以正确判读出感测信号。

本实施例的反射式触控显示面板100整合光感测器150及像素结构120于前基板110上，当入射光线I穿透过前基板110进入反射式触控显示面板100时，其可直接照射于光感测器150。以此方式，入射光线I直接照射于光感测器150，不需先通过反射材料层160，可以提升光感测器150的灵敏度。此外，利用透明栅极131的设计，使得光线可以穿透过透明栅极131到达第一半导体层133。反射式触控显示面板100更采用透明材质的电容下电极128与像素电极127重叠形成透明储存电容，避免影响到反射式触控显示面板100的开口率。

接下来对于依照本发明一实施例的反射式触控显示面板的制造方法进行说明。请参照图4及图5A至图5G，图4绘示依照本发明一实施例的一种反射式触控显示面板的制造方法的流程图；图5A至图5G分别绘示图4中各步骤的示意图。

如步骤S1，形成一第一图案化透明导电层L1于前基板510上，如图5A所示。第一图案化透明导电层L1包含透明栅极531及电容下电极528。透明栅极531用于形成光感测器，电容下电极528用于形成像素结构的透明储存电容。本实施例中，第一图案化透明导电层591的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或其他透明导电材料。

如步骤S2，接下来依序形成一第一图案化导电层、一介电层、一图案化半导体层、一第二图案化导电层及一第二图案化透明导电层于前基板510上。更详尽地来说，本实施例的步骤S2包含步骤S21至步骤S26，以下对于这些步骤进行说明。

在步骤S21中，形成第一图案化导电层L2于前基板510上，如图5B所示。第一图案化导电层L2包含一第二栅极521及一第三栅极541，第二栅极521用于形成像素结构的一薄膜晶体管，第三栅极541用于形成光感测器的一读出元件。

在步骤S22及步骤S23中，形成介电层L3覆盖第二栅极521、透明栅极531、电容下电极528及第三栅极541，并且形成图案化半导体层L4于介电层L3上。图案化半导体层L4包含一第二半导体层523、一第一半导体层533及一第三半导体层543，如图5C所示。第二半导体层523对应位于第二栅极521上方，第一半导体层533对应位于透明栅极531上方，第三半导体层543对应位于第三栅极541上方。

在步骤S24中，本实施例的制造方法接着形成第二图案化导电层L5于介电层L3及图案化半导体层L4上。第二图案化导电层L5包含一第一源极534、一第一漏极535、一第二源极524、一第二漏极525、第三源极544及一第三漏极545，如图5D所示。第一源极534、第一漏极535及透明栅极531构成光感测器的一光感测器晶体管530；第二源极524、第二漏极525及第二栅极521构成像素结构的薄膜晶体管526；第三源极544、第三漏极545及第三栅极541构成光感测器的读出元件540。进一步来说，光感测器晶体管530及读出元件540构成所述的光感测器550。

在步骤S25中，形成具有一接触孔580a的一保护层580覆盖于前基板510上。保护层580覆盖光感测器550及薄膜晶体管526，接触孔580a暴露出部分的第二图案化导电层L5，如图5E所示。

在步骤S26中，形成第二图案化透明导电层L6覆盖于保护层580上，第二图案化透明导电层L6经接触孔580a 电性连接于第二图案化导电层L5，如图5F所示。更进一步来说，第二图案化透明导电层L6为一像素电极527，其由接触孔580a电性连接于第二漏极525。薄膜晶体管526、电容下电极528及像素电极527构成像素结构520，像素电极527及电容下电极528构成像素结构520的透明储存电容。

接下来，本实施例的制造方法进行步骤S3，设置一反射材料层560及一后基板570于前基板510上，使反射材料层560位于前基板510及后基板570之间，如图5G所示。在后基板570上设置有共同电极572，每一像素电极527跟共同电极572之间形成电压或电场，通过电压或电场的改变来改变反射材料层560的反射率，达到显示控制的目的。实际应用上，在本发明的一实施例中，可直接将反射材料层560组装密封于前基板510与后基板570之间，在此实施例不需要粘着层190。本发明的另一实施例，步骤S3中更可选择性包含一粘着步骤，粘贴一粘着层590于前基板510上，用以将反射材料层560粘接于前基板510上。

经前述依照本发明制造方法的步骤S1至步骤S3，完成依照本发明一实施例的反射式触控显示面板500，如图5G所绘示。

反射式触控显示面板500中，像素结构520的像素电极527及电容下电极528分别位于保护层580的相对两侧，使电容下电极528及像素电极527之间经保护层580相隔开来。然而在另一实施例中，像素电极527及电容下电极528之间可至少部分地不具有保护层580，以提升透明储存电容的电容特性，进一步提升反射式触控显示面板500的显示品质。

请参照图6，其绘示图5G中保护层具有开槽时的示意图。反射式触控显示面板500’与前述实施例的反射式触控显示面板500不同之处，在于本实施例的反射式触控显示面板500’的保护层580’除具有接触孔580a外，更具有一开槽580b，开槽580b下的保护层580’的厚度减薄。在制造方法的形成保护层580’的步骤中，例如可使用半色调光罩(Half-tone)，进行光刻与蚀刻工艺，形成具有接触孔580a及开槽580b的保护层580’覆盖于前基板510上。开槽580b对应于部分的第一图案化透明导电层L1。第二图案化透明导电层L6’经接触孔580a电性连接于第二图案化导电层L5，且第二图案化透明导电层L6’覆盖过开槽580b。本实施例中，第二图案化透明导电层L6’包含像素电极527’。开槽580b位于对应电容下电极528之处，使得像素电极527’及电容下电极528重叠区域形成透明储存电容。像素电极527’及电容下电极528之间的部分保护层580’的厚度减薄，可借此增大储存电容值。

上述依照本发明实施例的反射式触控显示面板及其制造方法，反射式触控显示面板中光感测器及像素结构整合设置于前基板上，且光线由前基板进入显示面板中，使得光线可以直接到达光感测器中的光感测器晶体管，可以提升光感测器的灵敏度。再者，光感测器晶体管具有透明栅极，且储存电容的下电极为透明材质，具有不影响开口率的优点。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (17)

1.一种反射式触控显示面板，其特征在于，至少包含：

一前基板，具有一内表面，该前基板用以供一入射光线穿透过；

多个像素结构，设置于该前基板的该内表面上；

多个光感测器，设置于该前基板的该内表面上，各该光感测器包含：一光感测器晶体管，具有一透明栅极、一第一栅极介电层、一第一半导体层、一第一源极及一第一漏极，该透明栅极设置于该前基板的该内表面上，该第一栅极介电层与该第一半导体层依序设置于该透明栅极上，该第一源极及该第一漏极分别连接于该第一半导体层的两侧；及一读出元件，电性连接于该光感测器晶体管，其中该入射光线穿透该前基板与该透明栅极至该第一半导体层；

一后基板，与该前基板平行设置；以及

一反射材料层，夹设于该前基板及该后基板之间，用以反射穿透过该前基板的该入射光线。

2.根据权利要求1所述的反射式触控显示面板，其特征在于，该透明栅极的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。

3.根据权利要求1所述的反射式触控显示面板，其特征在于，该反射材料层为一电泳结构层或一胆固醇液晶层。

4.根据权利要求1所述的反射式触控显示面板，其特征在于，各该像素结构包含：

一薄膜晶体管，具有一第二栅极、一第二栅极介电层、一第二半导体层、一第二源极及一第二漏极，该第二栅极设置于该前基板的该内表面上，该第二栅极介电层及该第二半导体层依序设置于该第二栅极上，该第二源极及该第二漏极分别连接于该第二半导体层的两侧；

一像素电极，电性连接于该第二漏极；及

一电容下电极，为透明材质，并且设置于该前基板的该内表面上，该电容下电极及该像素电极构成一透明储存电容。

5.根据权利要求4所述的反射式触控显示面板，其特征在于，该透明栅极与该电容下电极连接至相同的电压电位。

6.根据权利要求4所述的反射式触控显示面板，其特征在于，各该读出元件具有一第三栅极、一第三栅极介电层、一第三半导体层、一第三源极及一第三漏极，该第三栅极设置于该前基板的该内表面上，该第三栅极介电层及该第三半导体层依序设置于该第三栅极上，该第三源极及该第三漏极分别连接于该第三半导体层的两侧。

7.根据权利要求6所述的反射式触控显示面板，其特征在于，更包含：

多条扫描线，各该扫描线电性连接于对应的该薄膜晶体管的该第二栅极与该读出元件的该第三栅极；

多条数据线，与这些扫描线相交排列，各该数据线电性连接于对应的该薄膜晶体管的该第二源极；

多条信号输入线，平行于这些扫描线，各该信号输入线电性连接于对应的该光感测器晶体管的该第一源极；及

多条信号输出线，与这些信号输入线相交排列，各该信号输出线电性连接于对应的该读出元件的该第三漏极。

8.根据权利要求4所述的反射式触控显示面板，其特征在于，更包含：

一保护层，覆盖这些像素结构及这些光感测器，该保护层部分地被各该像素结构的该像素电极所覆盖，该保护层具有一接触孔，该像素电极经该接触孔电性连接于该第二漏极。

9.根据权利要求8所述的反射式触控显示面板，其特征在于，各该像素结构的该像素电极及该电容下电极分别位于该保护层的相对两侧。

10.根据权利要求1所述的反射式触控显示面板，其特征在于，反射材料层通过电压或电场的改变而改变反射率。

11.一种反射式触控显示面板的制造方法，其特征在于，至少包含：

形成一第一图案化透明导电层于一前基板上，其中该前基板，具有一内表面，该第一图案化透明导电层包含一透明栅极及一电容下电极，该透明栅极用于形成一光感测器，该电容下电极用于形成一像素结构的一透明储存电容；

依序形成一第一图案化导电层、一介电层、一图案化半导体层、一第二图案化导电层及一第二图案化透明导电层于该前基板上，以分别形成该光感测器及该像素结构，该光感测器包含：一光感测器晶体管，具有该透明栅极、一第一栅极介电层、一第一半导体层、一第一源极及一第一漏极，该透明栅极设置于该前基板的该内表面上，该第一栅极介电层与该第一半导体层依序设置于该透明栅极上，该第一源极及该第一漏极分别连接于该第一半导体层的两侧；及一读出组件，电性连接于该光感测器晶体管，其中一入射光线穿透该前基板与该透明栅极至该第一半导体层；以及

设置一反射材料层及一后基板于该前基板上，使该反射材料层位于该前基板及该后基板之间。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，该第一图案化透明导电层的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。

13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，依序形成该第一图案化导电层、该介电层、该图案化半导体层、该第二图案化导电层及该第二图案化透明导电层于该前基板上的步骤包含：

依序形成该第一图案化导电层、该介电层、该图案化半导体层及该第二图案化导电层于该前基板上；

形成具有一接触孔的一保护层覆盖于该前基板上；及

形成该第二图案化透明导电层覆盖于该保护层上，该第二图案化透明导电层经该接触孔电性连接于该第二图案化导电层。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，依序形成该第一图案化导电层、该介电层、该图案化半导体层、该第二图案化导电层及该第二图案化透明导电层于该前基板上的步骤更包含：

形成该第一图案化导电层于该前基板上，包含一第二栅极；

形成该介电层覆盖该第二栅极、该透明栅极及该电容下电极；

形成该图案化半导体层于该介电层上；

形成该第二图案化导电层于该介电层上，包含一第一源极、一第一漏极、一第二源极及一第二漏极，该第一源极、该第一漏极及该透明栅极构成一光感测器晶体管，该第二源极、该第二漏极及该第二栅极构成该像素结构的一薄膜晶体管；

形成具有该接触孔的该保护层覆盖该光感测器及该薄膜晶体管；及

形成该第二图案化透明导电层覆盖于该保护层上，该第二图案化透明导电层经该接触孔电性连接于该第二漏极。

15.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，依序形成该第一图案化导电层、该介电层、该图案化半导体层、该第二图案化导电层及该第二图案化透明导电层于该前基板上的步骤包含：

依序形成该第一图案化导电层、该介电层、该图案化半导体层及该第二图案化导电层于该前基板上；

形成具有一接触孔及一开槽的一保护层覆盖于该前基板上，该接触孔暴露出底下的该第二图案化导电层，该开槽对应于部分的该第一图案化透明导电层，且该开槽下的部分该保护层的厚度减薄；及

形成该第二图案化透明导电层覆盖于该保护层上，该第二图案化透明导电层经该接触孔电性连接于该第二图案化导电层，且该第二图案化透明导电层覆盖过该开槽，在该第一图案化透明导电层及该第二图案化透明导电层之间形成一储存电容。

16.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，更包含：

粘贴一粘着层于该前基板上，用以粘接该反射材料层。

17.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，反射材料层通过电压或电场的改变而改变反射率。

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