KR101458569B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

화상을 인식하는 기능을 갖는 표시 장치가 제공된다. 표시 장치는, 제1 기판과, 제1 기판 상에 형성된 게이트선과, 게이트선과 교차하는 데이터선과, 게이트선 및 데이터선에 연결된 제1 스위칭 소자와, 제1 스위칭 소자에 연결된 화소 전극과, 제1 기판 상에 형성되며 적외선을 인식하는 수광 소자와, 수광 소자와 중첩되며 빛을 차단하는 차광 패턴과, 제1 기판에 대향하는 제2 기판을 포함한다.
표시 장치, 센서, 적외선

Description

표시 장치{Display device}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 화상을 인식하는 기능을 갖는 표시 장치에 관한 것이다.
현대 사회가 고도로 정보화 되어감에 따라 표시 장치는 대형화 및 박형화에 대한 시장의 요구에 직면하고 있으며, 종래의 CRT 장치로는 이러한 요구를 충분히 만족시키지 못함에 따라 PDP(Plasma Display Panel) 장치, PALC(Plasma Address Liquid Crystal display panel) 장치, LCD(Liquid Crystal Display) 장치, OLED(Organic Light Emitting Diode) 장치 등으로 대표되는 평판 표시 장치에 대한 수요가 폭발적으로 늘어나고 있다.
최근의 표시 장치는 영상을 표시하는 기능뿐만 아니라 외부 정보를 입력 받는 인식 기능을 포함하는 형태로 발전되고 있다. 이와 같은 표시 장치로서 터치 스크린 표시 장치가 있다.
터치 스크린 표시 장치란 키보드와 마우스를 대체하는 최첨단 입력 장치로써 터치 스크린을 표시 패널 상에 장착한 후 표시 패널 상에 직접 손으로 터치하여 원하는 작업을 수행하므로 GUI(Graphic User Interface) 환경(윈도우 운영체제)하에 서 직관적인 업무 수행이 가능한 이상적인 장치로써, 컴퓨터 기반 훈련 및 시뮬레이션 응용 분야, 사무 자동화 응용 분야, 교육 응용 분야 및 게임 응용 분야 등에서 널리 사용될 수 있다.
다만, 터치 스크린 표시 장치는 터치 패널 면에 가해진 압력을 인식하는 방식으로 기계적인 작용을 필요로 하여 신뢰성 및 정밀도가 떨어지는 문제가 있다.
이에 따라 표시 패널 상에 위치하는 화상 자체를 인식하는 기술이 필요하게 되었으며, 특히 표시 장치와 같이 표시 패널의 양면에 편광판이 형성된 경우에도 영상이 인식될 수 있는 장치가 필요하게 되었다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 화상을 인식하는 기능을 갖는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 형성된 게이트선과, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선과, 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결된 제1 스위칭 소자와, 상기 제1 스위칭 소자에 연결된 화소 전극과, 상기 제1 기판 상에 형성되며 적외선을 인식하는 수광 소자와, 상기 수광 소자와 중첩되며 상기 빛을 차단하는 차광 패턴과, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판을 포함한다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 영상을 표시하는 표시 패널과, 상기 표시 패널의 양외면에 배치된 제1 편광판 및 제2 편광판과, 상기 표시 패널의 외측에 배치되어 상기 표시 패널에 적외선을 제공하는 적외선 광원을 포함하되, 상기 표시 패널은 적외선을 인식하는 수광 소자를 포함한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하 도 1a 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 1a은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 구성도이고, 도 1b는 도 1a의 표시 장치의 개략적인 배치도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 1의 표시 장치의 한 화소에 대한 등가회로도이다.
먼저 도 1a를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치(10)는 표시 패널(30) 내에 적외선 센서(미도시)를 내장하여 표시 패널(30)의 상부에 위치하는 물체(OJ)를 인식할 수 있으며, 표시 패널(30), 적외선 램프(151) 및 광원(150)을 포함한다. 여기서, 적외선 램프(151) 및 광원(150)은 표시 패널(30)의 하부에 위치하며, 적외선 램프(151) 및 광원(150)에서 발생된 빛은 표시 패널(30)을 투과하여 물체(OJ)에 반사하게 되며, 물체(OJ)에 반사된 빛 중에서 적외선 영역에 해당되는 빛은 표시 패널(30) 내의 적외선 센서(미도시)에서 인식하여 물체(OJ)를 인식하게 된다. 이때, 광원(150)에서 발생된 가시광선 영역의 빛은 표시 패널(30)에 부착된 두 장의 편광판(미도시)에 의해 차단되거나, 별도의 차광 패턴(미도시)에 의해 차단된다. 반면에 적외선 영역의 빛은 파장이 길어 두 장의 편광판을 투과할 수 있어, 표시 패널(30)에 부착된 편광판이나 액정층(미도시)의 상태와 무관하게 적외선 센서가 인식할 수 있게 된다.
이와 같이 적외선 센서를 표시 패널(30) 내부에 삽입하는 구조는 물체(OJ)와 적외선 센서 사이의 거리가 작게 되어 물체(OJ)를 보다 정확하게 인식할 수 있으며, 복잡한 영상의 인식이 가능하게 된다.
또한, 표시 패널(30)의 크기만큼 큰 물체의 인식도 가능하며, 표시 패널(30)과 물체(OJ) 사이에 확산층을 필요로 하지 않아 보다 명확한 영상을 인식할 있게 된다.
표시 패널(30)의 구체적인 구조에 관해서는 구체적으로 후술한다.
다음으로 도 1b 내지 도 3을 참조하면, 표시 장치(10)는 게이트선(G)과 데이터선(D)에 의해 정의되는 박막 트랜지스터를 구비하는 하부 표시판(31)과, 하부 표 시판(31)과 대향하며 공통 전극(미도시)을 구비하는 상부 표시판(36)과, 하부 표시판(31)과 상부 표시판(36) 사이에 개재된 액정층(35)을 포함한다. 상부 표시판(36) 및 하부 표시판(31)의 외측면에는 제1 편광판(312) 및 제2 편광판(362)이 직교하여 배치된다.
구체적으로, 제1 기판(311) 위에 가로 방향으로 게이트선(G)이 배치된다. 게이트선(G)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 따위로 이루어질 수 있다.
또한 게이트선(G)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 게이트선(G)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 및 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트선(G)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다.
게이트선(G) 상부에는 게이트선(G)과 절연되며 세로 방향으로 연장된 데이터선(D)이 형성된다. 게이트선(G) 및 데이터선(D)은 서로 격자(lattice) 형태로 배열 되어 화소를 정의하게 된다.
데이터선(D)은 알루미늄, 크롬, 몰리브덴, 탄탈륨 및 티타늄으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성된 단일막 또는 다층막으로 이루어질 수 있다.
제1 스위칭 소자(Q1)는 화소부(PX)를 통과하는 빛을 제어하는 스위칭 소자로서, 박막 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제1 스위칭 소자(Q1)는 게이트 전극(미도시), 소스 전극(미도시) 및 드레인 전극(미도시)을 삼단자로 하는 박막 트랜지스터로 형성될 수 있으며, 각 단자는 게이트선(G), 데이터선(D) 및 화소 전극(340)과 연결된다.
화소 전극(340)은 화소부(PX)의 모양을 따라 형성되며, 데이터 전압이 인가되면 상부 표시판(36)의 공통 전극(미도시)과 함께 전기장을 생성함으로써, 화소 전극(340)과 공통 전극 사이에 개재된 액정층(35)의 액정 분자들의 배열을 결정한다.
제2 스위칭 소자(Q2)는 센서부(SEN)와 센서 라인(SR) 사이를 연결하며, 수광 소자(320)에서 발생된 신호를 제어하는 역할을 한다. 제2 스위칭 소자(Q2)는 박막 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제2 스위칭 소자(Q2)의 삼단자는 게이트선(G), 센서부(SEN) 및 센서 라인(SR)에 연결된다.
센서부(SEN)는 특정 파장의 빛을 인식하여 화상을 식별하는 역할을 하는 것으로서, 수광 소자(320), 차광 패턴(330) 및 광필터(350)를 포함한다. 이러한 센서부(SEN)는 각 화소마다 형성될 수 있으며, 필요에 따라 그 밀도를 조절할 수 있다. 이러한 센서부(SEN)의 밀도는 인식할 수 있는 화상의 해상도를 결정하게 된다.
수광 소자(320)는 빛을 입력 받아 특정한 신호를 출력하는 소자로서, 예를 들면, 박막 트랜지스터, 광 다이오드 및 광저항 등이 될 수 있다. 이러한 수광 소자(320)는 PN 다이오드, PIN 다이오드 등과 같이 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. 수광 소자(320)에 포함되는 반도체층을 이루는 물질로는 a-Si, p-Si 및 c-Si 등이 포함될 수 있으며, 특히, a-SiGe:H를 포함하여 형성될 수 있다.
수광 소자(320)는 제1 기판(311) 상에 형성될 수 있으며, 적외선 영역의 빛만을 인식하도록 할 수 있다. 적외선은 가시광선에 비해 긴 파장의 광선으로서, 제1 기판(311) 및 제2 기판(361)의 외측면에 형성된 제1 편광판(312) 및 제2 편광판(362)을 모두 통과할 수 있다. 즉, 적외선은 제1 편광판(312) 및 제2 편광판(362)이 직교하더라도 쉽게 통과할 수 있으며, 표시 패널(30)의 액정 분자의 배열 상태에 무관하게 항상 투과된다.
표시 패널(30) 하부에 배치된 적외선 램프로부터 발생된 적외선은 표시 패널(30)을 투과하여 제2 편광판(362)의 외측에 위치한 물체(미도시)에 반사되어 수광 소자(320)를 통하여 인식된다. 적외선 및 가시광선이 표시 패널(30)을 투과하는 과정에 관해서는 구체적으로 후술한다.
수광 소자(320)의 하부에는 빛을 차단하는 차광 패턴(330)이 형성된다. 차광 패턴(330)은 표시 패널(30)의 하부로부터 입사되는 빛을 차단하는 역할을 한다. 즉, 수광 소자(320)는 표시 패널(30)의 상부로부터 입사되는 빛뿐만 아니라 하부로부터 입사되는 빛을 함께 인식할 수 있어, 하부로부터 입사되는 빛을 차단하기 위 해서 수광 소자(320)의 하부에 배치한다. 차광 패턴(330)은 수광 소자(320) 보다 다소 넓게 형성되는 것이 바람직하며, 수광 소자(320)는 차광 패턴(330)과 완전히 중첩될 수 있도록 형성된다. 이러한 차광 패턴(330)은 게이트선(G)과 동일한 재질로 함께 형성할 수 있다.
수광 소자(320)의 상부에는 광필터(350)가 형성된다. 광필터(350)는 특정 파장 영역의 빛만을 선택적으로 투과시키는 역할을 하는 것으로서, 표시 패널(30)의 상부로부터 입사되는 빛 중 물체에 반사된 적외선 광만을 입사할 수 있도록 다른 파장의 빛을 차단하게 된다.
수광 소자(320)는 광필터(350)와 차광 패턴(330) 사이에 형성되며, 광필터(350)는 제2 기판(361) 상에 형성될 수 있다.
표시 패널(30)의 하부로부터 입사되는 빛은 차광 패턴(330)에 의해 완전히 차단되며, 상부로부터 입사되는 빛은 광필터(350)에 의해 선택적으로 투과될 수 있도록 한다.
광필터(350)는 a-SiGe:H 및 a-Si:H 중 적어도 하나를 포함하는 반도체층을 포함할 수 있다.
한편, 광필터(350)의 에너지 밴드 갭은 수광 소자(320)의 에너지 밴드 갭 보다 넓게 형성할 수 있다. 예를 들면, 광필터(350)는 1.6eV의 에너지 밴드 갭을 갖고, 수광 소자(320)는 1.5eV의 에너지 밴드 갭을 갖는 경우, 표시 패널(30)의 상부로부터 입사되는 빛 중 1.6eV 이상의 에너지를 갖는 빛은 광필터(350)에 흡수된다. 즉, 기준치보다 짧은 파장의 빛은 광필터(350)가 흡수하게 되며, 기준치보다 긴 파 장의 빛은 광필터(350)를 통과하여 수광 소자(320)로 전달된다. 이때, 수광 소자(320)는 1.5eV 이상의 에너지를 갖는 빛 만을 흡수하여 인식하게 되고, 1.5eV 이하의 에너지를 갖는 빛은 그대로 투과하게 된다. 결국, 수광 소자(320)는 1.5eV와 1.6eV 사이의 에너지를 갖는 빛 만을 인식하게 된다.
이와 같은 수광 소자(320)와 광필터(350)의 배치는 다양하게 실시될 수 있다. 예를 들면, 수광 소자(320)는 a-SiGe:H를 포함하고, 광필터(350)는 a-Si:H를 포함하는 형태로 형성될 수 있으며, 수광 소자(320)는 p-Si를 포함하고 광필터(350)는 a-SiGe:H를 포함하도록 형성할 수 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하여 a-SiGe:H를 포함하는 광필터와 p-Si를 포함하는 수광 소자를 포함하는 표시 장치에서 광필터의 두께 특성에 관하여 설명한다. 여기서, 도 4a는 a-SiGe:H와 p-Si의 에너지에 대한 광흡수 계수의 관계를 나타낸 그래프이고, 도 4b는 각 광필터의 두께에 따른 투과 파장의 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4a에서 가로축은 빛의 에너지를 나타내는 것으로서, 빛의 에너지는 각 파장대의 빛으로 대비 가능하다. 즉, 단파장의 빛은 에너지가 높고 장파장의 빛은 에너지가 상대적으로 작게 된다. 그리고 세로축은 각 빛의 에너지에 따른 광흡수 계수를 나타낸다. a-SiGe와 p-Si에 따른 광흡수 계수의 특성을 나타낸다.
한편, 광필터의 흡수 계수를 αf, 수광 소자(320)의 흡수 계수를 αs, 광필터의 두께를 d라 하고, 이와 같은 조건하에서 발생되는 광전류를 Iph라 하면, 이에 대한 관계식은 다음과 같다.
Iph ∝ αs(-αf×d)
도 4b는 a-SiGe:H를 포함하는 광필터(350)와 p-Si를 포함하는 수광 소자(320)를 포함하는 표시 장치에 관한 특성 그래프로서, 상기 관계식 1에 의해 도시된 그래프이다. 도 4b에서 가로축은 파장의 길이를 나타내며, 세로축은 광전류(Iph)를 나타낸다. 관계식 1에서 광전류(Iph)는 비례식으로 나타낸 것으로서, 도 4b의 세로축은 임의의 단위를 갖는 광전류(Iph)를 의미한다.
도 4b에서 그래프의 각 곡선은 광필터(350)의 두께(d)에 따른 특성을 보여준다. 즉, 광필터(350)의 두께가 1000 ~ 3000nm 정도로 형성되면 적외선에 대한 반응성이 좋아 수광 소자(320)의 인식성이 좋아짐을 알 수 있다. 다만, 광필터(350)의 두께가 3000nm 이상으로 두꺼워지면 광전류(Iph)의 피크(peak) 점이 낮아지게 되어 수광 소자(320)의 인식력이 낮아지게 될 수 있다. 광필터(350)의 두께가 3000nm일 때 피크 점을 이루는 빛의 파장이 817nm 정도가 되므로, 광필터(350)의 두께는 3000nm 이하인 것이 바람직하며, 가시광선 영역대의 흡수도를 낮추기 위해서, 광필터(350)의 두께는 1000nm이상인 것이 바람직하다.
수광 소자(320) 및 차광 패턴(330)은 제1 기판(311) 상에 형성된 박막 트랜지스터 어레이(313)에 함께 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니며 제1 기판(311) 및 제2 기판(361) 사이에 어느 곳에나 형성될 수 있다.
한편, 표시 패널(30)은 센서 영역(A1)과 화소 영역(A2)을 포함한다. 센서 영역(A1)은 수광 소자(320)와 중첩되는 영역을 말하며, 화소 영역(A2)은 화소 전 극(340)과 중첩되는 영역을 말한다. 화소 영역(A2)은 화소 전극(340)과 중첩되는 영역으로서, 데이터 전압에 따라 액정층(35)의 액정 분자가 거동을 하게 된다. 그러나, 센서 영역(A1)은 화소 전극(340)과 중첩되지 않아 액정층(35)의 액정 분자들은 거동하지 않고 초기 상태의 배치를 그대로 유지하게 된다. 예를 들면, 수직 배향 모드의 경우에는 초기에 액정 분자가 수직으로 배향되어 있어, 가시광선은 센서 영역(A1)을 통과할 수 없게 된다. 적외선 및 가시 광선의 투과 과정에 관해서는 구체적으로 후술한다.
도 3을 참조하면, 표시 장치의 한 화소는 제1 스위칭 소자(Q1), 제2 스위칭 소자(Q2), 액정 커패시턴스(CLC), 스토리지 커패시턴스(CST), 센서 커패시턴스(CSR) 및 수광 소자(320)를 포함한다.
액정 커패시턴스(CLC)는 공통 전극(미도시)과 화소 전극(340)에 의해 형성되며, 공통 전극과 화소 전극(340) 사이에는 액정층(35)이 유전체로서 개재된다. 스토리지 커패시턴스(CST)는 스토리지 전극(미도시)과 이에 중첩되는 화소 전극(340)에 의해서 형성된다. 이러한 액정 커패시턴스(CLC) 및 스토리지 커패시턴스(CST)는 표시 패널(30)에 영상을 유지할 수 있도록 한다.
한편, 수광 소자(320)는 일단이 제2 스위칭 소자(Q2)의 소스 전극에 연결되며, 타단은 임의의 전압 레벨을 갖는 참조 배선(RF)에 연결된다. 이러한 참조 배선(RF)에는 공통 전압이 인가될 수 있으며, 스토리지 라인(ST)에 함께 연결될 수 있다.
센서 커패시턴스 (CSR)는 일단이 제2 스위칭 소자(Q2)의 소스 전극에 연결되며 타단은 참조 라인(RF)에 연결된다.
수광 소자(320)는 빛을 받으면 일정한 양의 전하를 발생시키며, 이렇게 발생된 전하는 센서 커패시턴스(CSR)에 저장된다. 센서 커패시턴스(CSR)에 저장된 전하는 제2 스위칭 소자(Q2)의 동작에 의해 센서 라인(SR)으로 제공된다. 제2 스위칭 소자(Q2)는 게이트선(G)에 연결되어 게이트 전압에 의해 제어되며, 게이트선(G) 및 센서 라인(SR)이 격자 형태로 배열되어 있어, 각 위치의 전압을 인식할 수 있게 된다.
이하, 도5 및 도 6을 참조하여, 적외선 및 가시광선에 대한 표시 패널의 투과 특성을 구체적으로 설명한다. 여기서, 도 5는 적외선의 검출 과정을 설명하기 위한 도 1의 표시 장치의 개략 단면도이고, 도 6은 가시광선의 투과 과정을 설명하기 위한 도 1의 표시 장치의 개략 단면도이다.
먼저 도 5를 참조하면, 표시 패널(30)은 센서 영역(A1)과 화소 영역(A2)을 포함한다. 센서 영역(A1)은 수광 소자(320)와 중첩되는 영역이며, 화소 영역(A2)은 화소 전극(340)과 중첩되는 영역이다.
물체(OJ)를 센서 영역(A1) 상부에 위치시키고, 하부 표시판(31)의 하부에서 적외선을 조사한다. 이때, 하부로부터 조사되는 적외선은 반드시 평행 광선은 아니며 여러 방향으로 조사될 수 있다.
센서 영역(A1)으로 입사되는 적외선은 하부 표시판(31) 및 상부 표시판(36) 을 모두 통과하며, 물체(OJ)에 반사되어 다시 광필터(350)로 입사된다. 광필터(350)로 입사된 적외선은 그대로 통과하여 수광 소자(320)에 흡수된다. 이때, 센서 영역(A1)의 액정 배열은 초기 배열 상태인 수직 배열로 유지된다.
적외선은 액정의 배열 여부나 제1 편광판(312) 및 제2 편광판(362)에 통과여부와 무관하게 하부 표시판(31) 및 상부 표시판(36)을 통과하게 된다.
다음으로 도 6을 참조하면, 가시광선은 하부 표시판(31)의 하부에서 센서 영역(A1) 및 화소 영역(A2)으로 조사된다. 센서 영역(A1)으로 조사된 가시 광선은 제1 편광판(312)이 배치된 하부 표시판(31) 및 액정층(35)을 지나서 제2 편광판(362)에 도달한다. 이때, 가시 광선은 제2 편광판(362)을 통과하지 못하게 된다.
한편, 화소 영역(A2)으로 조사된 가시광선은 제1 편광판(312) 및 제2 편광판(362)을 모두 관통하게 된다. 이러한 가시광선은 물체(OJ)에 반사되어 다시 상부 표시판(36)으로 입사하게 된다. 이때 반사된 가시광선 중 광필터(350)로 입사된 가시광선은 광필터(350)를 통과하지 못하고 광필터(350)에 흡수된다. 따라서, 가시광선은 수광 소자(320)에 도달되지 않는다.
이하, 도 7a를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 7a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대한 개략도이다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역은 광필터(350a), 수광 소자(320), 차광 패턴(330) 및 접속 전극(340')을 포함한다.
수광 소자(320)는 하부에 형성된 차광 패턴(330)에 전기적으로 연결된다. 즉, 차광 패턴(330)은 게이트선(도 1의 G)과 동일한 금속재질로 형성될 수 있으며, 빛을 차단하는 역할뿐만 아니라 수광 소자(320)의 일 단자가 될 수 있다.
한편, 수광 소자(320)의 상부에는 접속 전극(340')이 형성된다. 접속 전극(340')은 투명한 재질로서 빛이 투과될 수 있는 전극으로 형성될 수 있다. 이와 같은 재질로는 화소 전극과 같은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 형성될 수 있다. 즉, 수광 소자(320)의 두 전극으로서, 접속 전극(340') 및 차광 패턴(330)이 사용될 수 있다. 접속 전극(340')과 차광 패턴(330)은 수광 소자(320)를 사이에 두고 중첩되어 배치된다. 이와 같은 접속 전극(340') 및 차광 패턴(330)이 수광 소자(320)의 두 단자 역할을 하기 위해서는 빛이 수광 소자 하단의 차광 패턴영역까지 충분히 흡수되어야 하므로 수광 소자(320)의 두께가 얇아야 된다. 따라서, 수광 소자(320)의 두께는 약 50nm나 그 이하로 형성할 수 있다.
수광 소자(320)의 상부에는 광필터(350a)가 형성된다. 이와 같은 광필터(350a)는 블랙 매트릭스와 같은 유기막으로 형성될 수 있다.
이하, 도 7b를 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 7b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대한 개략도이다. 설명의 편의상 상기 제2 실시예의 도면에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 동일 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역은 광필터(350b), 수광 소자(320), 차광 패턴(330) 및 접속 전극(340')을 포함한다.
광필터(350)는 적색, 녹색 및 청색의 컬러 필터(R, G, B)를 적층하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 적색, 녹색 및 청색의 컬러 필터(R, G, B)는 가시광선 영역에서 특정 파장의 빛 만을 투과시키는 역할을 한다. 이와 같은 적색, 녹색 및 청색의 컬러 필터(R, G, B)를 모두 중첩하면, 가시광선 영역의 빛은 거의 차단된다. 그러나, 적외선은 모두 차단하지 못하여 상대적으로 많은 양의 적외선이 통과하게 된다. 따라서, 수광 소자(320)의 상부에 적색, 녹색 및 청색의 컬러 필터(R, G, B)를 모두 중첩시키면 적외선만을 투과하는 광필터(350)가 형성된다.
이와 같이, 적색, 녹색 및 청색의 컬러 필터(R, G, B)를 중첩하여 액정 패널의 컬러필터 기판에 광필터를 형성할 경우, 광필터 형성을 위한 별도의 추가적인 공정을 필요로 하지 않게 되어 제조 공정상 유리하다.
또한, 수광 소자의 상부를 커버하도록 적색, 녹색 및 청색의 컬러 필터(R, G, B)를 중첩하여 박막 트랜지스터 어레이 상부에 형성함으로써, 광필터를 추가적인 공정없이 형성할 수도 있다.
이하, 도 7c를 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 7c는 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대한 개략도이다. 설명의 편의상 상기 제2 실시예의 도면에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 동일 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략한다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역은 광필터(350c)를 수광 소자(320)의 바로 위에 형성한다. 즉, 광필터(350)를 접속 전 극(340')의 바로 위에 형성하여 실질적으로 수광 소자(320)와 광필터(350)가 서로 접하도록 형성한다. 광필터(350)와 수광 소자(320) 사이의 간격을 줄이게 됨으로써, 광필터(350)와 수광 소자(320) 사이의 적외선 이외의 광선이 입사되는 것을 방지할 수 있어, 센서의 효율을 증가시킬 수 있다.
이하, 도 7d를 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 7d는 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대한 개략도이다. 설명의 편의상 상기 제4 실시예의 도면에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 동일 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략한다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 장치는 수광 소자(320)와 차광 패턴(330) 사이에 절연막(321)이 형성되어 있으며, 수광 소자(320) 상부에 제1 및 제2 접속 전극(331, 332)을 포함한다.
차광 패턴(330)은 게이트 금속으로 형성될 수 있으며, 게이트 금속의 상부에는 게이트와의 절연을 위해 절연막(321)이 형성될 수 있다. 수광 소자(320)는 절연막(321) 상부에 형성될 수 있으며, 수광 소자(320)의 상부에는 제1 접속 단자(331) 및 제2 접속 단자(332)가 형성된다.
한편, 제1 접속 단자(331) 및 제2 접속 단자(332)는 수광 소자(320)의 상단부의 양측에 형성될 수 있어, 수광 소자(320)의 두 단자 역할을 할 뿐만 아니라 측방향으로 입사되는 빛을 차단하는 역할을 함께 할 수 있다.
이때, 수광 소자(320)의 두께는 제1 접속 단자(331) 및 제2 접속 단자(332) 에 영향을 거의 주지 않고 빛이 이 두 단자 사이의 모든 영역에서 흡수되기 때문에, 상술한 실시예들에 비해 수광 소자(320)의 두께를 더 두껍게 할 수 있다. 즉, 수광 소자(320)의 두께를 50 ~ 100nm 정도 또는 그 이상으로 형성할 수 있다.
이하, 도8을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 8은 도 1의 표시 장치의 분해 사시도이다
본 발명의 제1 실시예에 의한 표시 장치(10)는 표시 패널 어셈블리(20), 중간 프레임(120), 상부 수납 용기(110), 광학 시트(50), 확산판(140) 및 광원(150) 및 하부 수납 용기(170)를 포함한다.
그리고, 표시 패널 어셈블리(20)는 하부 표시판(31), 상부 표시판(36)을 포함하는 표시 패널(30), 액정층(미도시), 게이트 구동 IC(integrated circuit)(21), 데이터 칩 필름 패키지(22) 및 인쇄회로기판(23) 등으로 구성된다.
표시 패널(30)은 게이트 라인(미도시), 데이터 라인(미도시), 박막 트랜지스터 어레이, 화소 전극 등을 포함하는 하부 표시판(31)과, 컬러 필터, 블랙 매트릭스(black matrix), 공통 전극 등을 포함하고 하부 표시판(31)에 대향하도록 설치된 상부 표시판(36)을 포함한다. 여기서 컬러 필터, 공통 전극 등은 하부 표시판(31) 상에 형성될 수도 있다.
그리고, 게이트 구동 IC(21)는 하부 표시판(31) 상에 집적되어 형성되며 하부 표시판(31)에 형성된 각 게이트 라인(미도시)에 접속되고, 데이터 칩 필름 패키지(22)는 하부 표시판(31)에 형성된 각 데이터 라인(미도시)에 접속된다. 여기서 데이터 칩 필름 패키지(22)는 반도체 칩이 베이스 필름 상에 형성된 배선 패턴과 탭(TAB, Tape Automated Bonding) 기술에 의해 접합된 탭 테이프(TAB tape)를 포함한다. 예를 들어 이러한 칩 필름 패키지로는 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package, 이하 TCP) 또는 칩 온 필름(Chip On Film, 이하 COF) 등이 사용될 수 있다. 다만 위에서 언급한 칩 필름 패키지는 예시적인 것에 불과하다.
한편, 인쇄회로기판(23)에서는 게이트 구동 IC(21)에 게이트 구동 신호 및 데이터 칩 필름 패키지(22)에 데이터 구동 신호를 입력가능하도록 하는 게이트 구동신호 및 데이터 구동신호를 모두 처리하기 위한 여러 구동 부품이 실장된다.
광원(150)은 표시 패널(30)에 빛을 공급하는 역할을 한다. 여기서, 광원(150)은 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED) 등의 점광원을 사용할 수 있으며, 냉음극 광원(Cold Cathode Fluorescent Lamp; CCFL) 또는 열음극 광원(Hot Cathode Fluorescent Lamp; HCFL) 등의 선광원을 사용할 수도 있다.
이와 같은 광원(150)은 회로 기판(160)에 실장되며, 광원(150) 사이에는 적외선 램프(151)가 배치되어 있다.
확산판(140)은 광원(150)으로부터 입사되는 빛을 분산시킴으로써 빛이 부분적으로 밀집되는 것을 방지하는 역할을 하는 것으로서, 광원(150)의 상부에 배치된다.
그리고, 광학 시트(130)는 확산판(140)의 상부에 설치되어 확산판(140)으로부터 전달되는 빛을 확산하고 집광하는 역할을 한다. 광학 시트(130)는 필요에 따라 확산 시트, 프리즘 시트, 보호 시트 등 중에서 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
중간 프레임(120)은 직사각형의 틀 형상을 가지도록 4개의 측벽들로 이루어져 있다. 중간 프레임(120)은 하부 수납 용기(170) 위로부터 아래로 내려와 하부 수납 용기(170)의 측벽의 외측에 배치된다.
표시 패널(30)은 보호 시트 위에 배치되며 중간 프레임(120) 내에 안착된다. 중간 프레임(120)에 의해 고정되는 부품들이 파손되는 것을 방지하기 위해 중간 프레임(120)는 플라스틱 재질의 몰드 프레임으로 형성할 수 있다.
중간 프레임(120)에 수납된 표시 패널(30)의 상면을 덮도록 상부 수납 용기(110)가 위로부터 내려와 하부 수납 용기(170)와 결합된다. 상부 수납 용기(110)의 상부면에는 표시 패널(30)을 외부로 노출시키는 윈도우가 형성되어 있다. 상부 수납 용기(110)는 하부 수납 용기(170)와 마찬가지로 외부 충격에 대한 강도와 접지 능력을 확보하기 위하여 예를 들어 샤시 등과 같은 금속 재질로 형성될 수 있다. 상부 수납 용기(110)는 하부 수납 용기(170)와 후크 결합을 할 수 있다. 그리고, 표시 패널 어셈블리(20)의 인쇄회로기판(23)은 중간 프레임(120)의 외측면을 따라 절곡되어 하부 수납 용기(170)의 측면 또는 배면에 안착된다.
이하, 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다. 여기서, 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 설명의 편의상 상기 도 8의 각 부재와 동일 기능을 갖는 동일 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(10)는 광원(150)이 도광판(140')의 측면에 배치되는 에지형 표시 장치이다.
도광판(140')은 광원(150)에서 제공되는 빛을 가이드하여 표시 패널(30)로 제공하는 역할을 한다. 즉, 도광판(140')의 측면에 위치한 광원(150)으로부터 빛을 제공받아 면광원의 형태로 표시 패널(30)로 공급하게 된다.
도광판(140')의 측면에는 광원(150)과 적외선 램프(151')가 배치된 회로 기판(152)가 배치된다. 광원(150) 및 적외선 램프(151)로부터 제공되는 가시광선 및 적외선은 도광판(140') 내부에서 반사되어 표시 패널(30)로 공급된다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1a은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 구성도이다.
도 1b는 도 1a의 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치의 한 화소에 대한 등가회로도이다.
도 4a는 a-SiGe:H와 p-Si의 에너지에 대한 광흡수 계수의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 4b는 각 광필터의 두께에 따른 투과 파장의 특성을 나타낸 그래프이다.
도 5는 적외선의 검출 과정을 설명하기 위한 도 1의 표시 장치의 개략 단면도이다.
도 6은 가시광선의 투과 과정을 설명하기 위한 도 1의 표시 장치의 개략 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대한 개략도이다.
도 7b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대한 개략도이다.
도 7c는 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대한 개략도이다.
도 7d는 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 장치에 포함되는 센서 영역에 대한 개략도이다.
도 8은 도 1의 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 표시 장치 20: 표시 패널 어셈블리
30: 표시 패널 31: 하부 표시판
35: 액정층 36: 상부 표시판
110: 상부 수납 용기 120: 중간 프레임
311: 제1 기판 312: 제1 편광판
313: 박막 트랜지스터 어레이 320, 320': 수광 소자
330: 차광 패턴 340: 화소 전극
350, 350a, 350b, 350c: 광필터 361: 제2 기판
362: 제2 편광판

Claims (32)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 형성된 게이트선;
    상기 게이트선과 교차하는 데이터선;
    상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결된 제1 스위칭 소자;
    상기 제1 스위칭 소자에 연결된 화소 전극;
    상기 제1 기판 상에 형성되며 적외선을 인식하는 수광 소자;
    상기 수광 소자와 중첩되며 빛을 차단하는 차광 패턴; 및
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판을 포함하고,
    상기 수광 소자는, 상기 화소 전극과 중첩하지 않는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수광 소자의 타측에 위치하며 상기 수광 수자와 중첩되고 빛의 특정 파장만을 투과하는 광필터를 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광필터는 적외선을 투과시키는 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 광필터의 에너지 밴드 갭은 상기 수광 소자의 에너지 밴드 갭보다 넓은 표시 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 수광 소자 및 상기 광필터 중 적어도 하나는 a-SiGe:H를 포함하는 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 수광 소자는 a-SiGe:H를 포함하고, 상기 광필터는 a-Si:H를 포함하는 표시 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 수광 소자는 p-Si를 포함하고 상기 광필터는 a-SiGe:H를 포함하는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 수광 소자와 중첩되는 컬러필터를 더 포함하되, 상기 컬러필터는 적외선을 투과시키는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 컬러 필터는 적색, 녹색 및 청색 컬러 필터가 적층된 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스위칭 소자 및 상기 수광 소자와 중첩되는 블랙 매트릭스를 더 포함하되, 상기 블랙 매트릭스는 적외선을 투과시키는 표시 장치
  11. 제1항에 있어서,
    상기 수광 소자는 a-Si, p-Si 및 c-Si 중 적어도 하나를 포함하는 반도체층을 포함하는 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 수광 소자는 박막 트랜지스터, 광 다이오드 및 광저항 중 적어도 하나인 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 수광 소자 및 상기 게이트선에 연결된 제2 스위칭 소자를 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 스위칭 소자에 연결된 센서 라인을 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판 또는 상기 제2 기판의 양 외측면에 제1 편광판 및 제2 편광판을 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 기판 외측에 배치되며 적외선을 방출하는 적외선 광원을 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 적외선 광원은 상기 제1 기판의 직하부에 배치되는 표시 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제1 기판의 직하부에 배치되어 빛을 가이드하는 도광판을 더 포함하되, 상기 적외선 광원은 상기 도광판의 측부에 배치된 표시 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 차광 패턴은 상기 게이트선과 동일한 물질로 형성된 표시 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정층을 더 포함하는 표시 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 액정층은 상기 수광 소자와 중첩되는 영역에는 초기 배향 상태를 유지하는 표시 장치.
  22. 영상을 표시하는 표시 패널;
    상기 표시 패널의 양외면에 배치된 제1 편광판 및 제2 편광판; 및
    상기 표시 패널의 외측에 배치되어 상기 표시 패널에 적외선을 제공하는 적외선 광원을 포함하되,
    상기 표시 패널은 적외선을 인식하는 수광 소자 및 화소 전극을 포함하고,
    상기 수광 소자는, 상기 화소 전극과 중첩하지 않는 표시 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 수광 소자와 중첩되며, 상기 수광 소자와 상기 적외선 광원 사이에 배치된 차광 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 수광 소자와 중첩되며, 특정 대역의 빛을 투과시키는 광 필터를 더 포함하는 표시 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 수광 소자는 상기 광필터 및 상기 차광 패턴 사이에 배치되는 표시 장치.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 광필터는 두께가 1000 ~ 3000nm인 표시 장치.
  27. 제23항에 있어서,
    상기 수광 소자 상부에 배치되는 접속 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 수광 소자의 두께는 50nm 이하인 표시 장치.
  29. 제23항에 있어서,
    상기 수광 소자 상부에 서로 이격되어 배치되는 제1 접속 전극 및 제2 접속 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 수광 소자의 두께는 50 ~ 100nm인 표시 장치.
  31. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 형성된 게이트선;
    상기 게이트선과 교차하는 데이터선;
    상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결된 제1 스위칭 소자;
    상기 제1 스위칭 소자에 연결된 화소 전극;
    상기 제1 기판 상에 형성되며 적외선을 인식하는 수광 소자;
    상기 제1 기판과 상기 수광 소자 사이에 위치하고, 상기 수광 소자와 중첩되며 빛을 차단하는 차광 패턴;
    상기 수광 소자의 타측에 위치하며 상기 수광 소자와 중첩되고 특정 파장 영역의 빛을 투과시키는 광필터; 및
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판을 포함하는 표시 장치.
  32. 영상을 표시하는 표시 패널;
    상기 표시 패널의 양외면에 배치된 제1 편광판 및 제2 편광판; 및
    상기 표시 패널의 외측에 배치되어 상기 표시 패널에 적외선을 제공하는 적외선 광원을 포함하되,
    상기 표시 패널은,
    적외선을 인식하는 수광 소자;
    상기 수광 소자와 중첩되며, 상기 수광 소자와 상기 적외선 광원 사이에 배치된 차광 패턴; 및
    상기 수광 소자와 중첩되며, 특정 파장 영역의 빛을 투과시키는 광 필터;
    를 포함하는 표시 장치.
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL72861A (en) * 1983-09-26 1988-11-30 Dow Chemical Co Process for preparation of derivatives of halo butyryl nitriles
JP2009265512A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Sony Corp 液晶表示装置
KR101641618B1 (ko) * 2009-08-05 2016-07-22 삼성디스플레이 주식회사 가시광 차단 부재, 가시광 차단 부재를 포함하는 적외선 센서 및 적외선 센서를 포함하는 액정 표시 장치
EP2541375A1 (en) * 2010-02-26 2013-01-02 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having optical sensors
KR101761861B1 (ko) * 2010-06-18 2017-07-27 삼성디스플레이 주식회사 접촉 감지 기능이 있는 표시 장치
TWI408437B (zh) * 2010-09-09 2013-09-11 液晶顯示器
US9330243B2 (en) 2010-09-10 2016-05-03 Sony Corporation Method for biometrically controlling device access and device therefor
KR101698454B1 (ko) * 2010-10-22 2017-01-23 삼성디스플레이 주식회사 광원 어셈블리 및 그를 포함하는 터치 스크린 장치
KR101731047B1 (ko) 2010-12-01 2017-05-12 삼성디스플레이 주식회사 적외선 감지 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
KR20130119614A (ko) * 2012-04-24 2013-11-01 삼성디스플레이 주식회사 센싱 장치 및 이미지 센싱 방법
KR101352948B1 (ko) * 2012-05-07 2014-01-27 연세대학교 산학협력단 광 인식 스크린, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법.
US9000452B2 (en) * 2012-09-28 2015-04-07 Industrial Technology Research Institute Display with filter structure
US9977514B1 (en) * 2012-12-06 2018-05-22 Richard Martin Greene Method and apparatus for digital painting with natural textures
TWI587186B (zh) * 2013-07-15 2017-06-11 Ying-Jia Xue Multi-function display
CN205657058U (zh) 2016-06-03 2016-10-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板
CN106571306A (zh) * 2016-10-27 2017-04-19 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
US10168459B2 (en) 2016-11-30 2019-01-01 Viavi Solutions Inc. Silicon-germanium based optical filter
CN109031819B (zh) * 2017-06-09 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板的控制方法和显示设备
CN107479760B (zh) * 2017-09-22 2021-09-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示系统
CN107817926B (zh) * 2017-10-27 2021-03-23 北京京东方显示技术有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN110764638B (zh) * 2018-07-27 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 触控基板和触控装置
CN110109294A (zh) * 2019-05-24 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板、制作方法和显示装置
CN115380625A (zh) 2020-05-25 2022-11-22 夏普株式会社 显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06342146A (ja) * 1992-12-11 1994-12-13 Canon Inc 画像表示装置、半導体装置及び光学機器
JPH11125841A (ja) * 1997-10-20 1999-05-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd イメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルおよびその作製方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04370720A (ja) * 1991-06-20 1992-12-24 Canon Inc 光電変換装置の駆動方法
JPH05347399A (ja) * 1992-06-12 1993-12-27 Japan Energy Corp 赤外線検出装置
JP3317033B2 (ja) * 1994-07-25 2002-08-19 凸版印刷株式会社 赤外線透過インキ組成物
JP2000311048A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 操作装置
TW594247B (en) * 2003-03-05 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a color filter
JP2004318067A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 画像表示装置およびその製造方法
JP4737956B2 (ja) * 2003-08-25 2011-08-03 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置および光電変換素子
JP2006079589A (ja) * 2004-08-05 2006-03-23 Sanyo Electric Co Ltd タッチパネル
JP4955262B2 (ja) * 2004-12-07 2012-06-20 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 液晶表示装置、光感知素子、及びバックライト光源の照度制御装置
JP4765473B2 (ja) * 2005-08-15 2011-09-07 ソニー株式会社 表示装置及び入出力パネルの制御装置
JP2007114315A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP4891666B2 (ja) * 2006-06-22 2012-03-07 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置
JP4201805B2 (ja) * 2006-08-28 2008-12-24 三洋電機株式会社 撮像方法
KR101281830B1 (ko) * 2006-09-26 2013-07-03 엘지디스플레이 주식회사 멀티 터치 감지기능을 갖는 액정표시장치와 그 구동방법
JP2008241807A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器
CN101911159A (zh) * 2008-03-03 2010-12-08 夏普株式会社 带光传感器的显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06342146A (ja) * 1992-12-11 1994-12-13 Canon Inc 画像表示装置、半導体装置及び光学機器
JPH11125841A (ja) * 1997-10-20 1999-05-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd イメージセンサ機能を有する一体型液晶表示パネルおよびその作製方法

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