JP2009223896A - 表示装置 - Google Patents
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- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/11—Function characteristic involving infrared radiation
Abstract
【解決手段】本発明の表示装置は、第1基板と、第1基板上に形成されるゲート線と、第1基板上に形成され、ゲート線と交差するデータ線と、ゲート線及びデータ線に接続される第1スイッチング素子と、第1スイッチング素子に接続される画素電極と、第1基板上に形成され、赤外線を感知する受光素子と、受光素子と第1基板との間に形成されて配置され、受光素子と重畳して光を遮断する遮光パターンと、第1基板に対向する第2基板とを、有する。
【選択図】 図3
Description
但し、タッチスクリーン表示装置はタッチパネル面に加えられた圧力を検知する方式でタッチスクリーン表示装置に対し機械的な操作が必要とされ信頼性及び精密度が損なわれてしまう可能性があるという問題がある。
しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施形態は本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。従って、いくつかの実施形態で、公知の工程段階、公知の素子構造及び公知の技術は本発明が曖昧に解釈されることを避けるために具体的に説明しない。明細書全体において同一符号は同一構成要素を指称する。
図1〜図4を参照して本発明の第1実施形態による表示装置について詳細に説明する。
ここで、図1は、本発明の第1実施形態による表示装置の概略的な構成図であり、図2は、図1に示す表示装置の概略的な配置図であり、図3は、図1、2に示す表示装置の概略的な断面図であり、図4は、図1、2に示す表示装置の一画素に対する等価回路図である。
ここで、赤外線ランプ151及び光源150は表示パネル30の下部に位置し、赤外線ランプ151及び光源150から発生した光は表示パネル30を透過して物体OJで反射され、物体OJによって反射された光のうち赤外線領域に該当する光を表示パネル30内の赤外線センサ(未図示)で検知(認識)して物体OJを認識する。
また、表示パネル30のサイズほどの大きい物体の認識も可能であり、表示パネル30と物体OJの間に拡散層を必要とせず、より明確に物体OJの像を認識することができるようになる。
表示パネル30の具体的な構造に関しては後で詳細に説明する。
例えば、このうち1つの導電膜はゲート線Gの信号遅延や電圧降下を減少させるように低い比抵抗(resistivity)の金属、例えばアルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで成される。これとは異なり、もう1つの導電膜は他の物質、特にITO(indium tin oxide)やIZO(indium zinc oxide)との接触特性が優秀な物質、例えばモリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどで成される。
このような組み合わせの良い例として、クロム下部膜とアルミニウム上部膜やアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜を挙げることができる。但し、本発明はこれに限定されず、ゲート線Gは多様な様々な金属と導電体で形成することができる。
遮光パターン330は表示パネル30の下部から入射する光を遮断する役割をする。即ち、受光素子320は表示パネル30の上部から入射する光だけでなく下部から入射する光を共に検知することができ、下部から入射する光を遮断するために受光素子320の下部に配置する。遮光パターン330は受光素子320より多少広く形成するのが好ましく、受光素子320は遮光パターン330と完全に重畳するように形成する。このような遮光パターン330はゲート線Gと同一な材質で一緒に形成することができる。
光フィルタ350は予め設定された特定の波長領域の光だけを選択的に透過させる役割をし、表示パネル30の上部から入射する光のうち物体OJで反射した赤外線だけを入射することができるように他の波長の光を遮断する。
光フィルタ350は、例えば、水素化非晶質シリコンゲルマニウム(a−SiGe:H)及び水素化非晶質シリコン(a−Si:H)のうちの少なくとも一つを含む半導体層を含み得る。
例えば、光フィルタ350が1.6eVのエネルギーバンドギャップを有し、受光素子320が1.5eVのエネルギーバンドギャップを有する場合、表示パネル30の上部から入射する光のうち1.6eV以上のエネルギーを有する光は光フィルタ350に吸収される。
ここで、図5は、水素化非晶質シリコンゲルマニウム(a−SiGe:H)と多結晶シリコン(p−Si)のエネルギーに対する光吸収係数の関係を示したグラフであり、図6は、各光フィルタの厚さに伴う透過波長の特性を示したグラフである。
(数1)
IpH ∝ αs(−αf×d)
図6で、横軸は波長の長さを示し、縦軸は光電流IpHを示す。数式1は光電流IpHを比例式で表したものであって、図6の縦軸は任意の単位を有する光電流IpHを意味する。
即ち、光フィルタ350の厚さが1000〜3000nm程度で形成されれば赤外線に対する反応性が良く受光素子320の検知性能が良くなることが分かる。
但し、光フィルタ350の厚さが3000nm以上に厚くなれば光電流IpHのピーク(peak)点が低くなり受光素子320の検知性能が低く成りうる。
光フィルタ350の厚さが3000nmである時、ピーク点を成す光の波長が817nm程度になるため、光フィルタ350の厚さは3000nm以下であるのが好ましく、可視光線領域帯の吸収度を低くするために、光フィルタ350の厚さは1000nm以上であるのが好ましい。
センサ領域A1は受光素子320と重畳される領域をいい、画素領域A2は画素電極340と重畳される領域をいう。
画素領域A2は画素電極340と重畳される領域なので、画素電極340に印加されるデータ電圧によって液晶層35の液晶分子が挙動をするようになる。しかし、センサ領域A1は画素電極340と重畳されないので液晶層35の液晶分子は挙動せず初期状態の配置をそのまま維持する。例えば、垂直配向モードの場合には初期に液晶分子が垂直に配向されており、可視光線はセンサ領域A1を通過することができなくなる。赤外線及び可視光線の透過過程の詳細に関しては後述する。
ここで、図7は、赤外線の検出過程を説明するための図1、2に示す表示装置の概略断面図であり、図8は、可視光線の透過過程を説明するための図1、2に示す表示装置の概略断面図である。
20 表示パネルアッセンブリ
21 ゲート駆動IC
22 データチップフィルムパッケージ
23 印刷回路基板
30 表示パネル
31 下部表示板
35 液晶層
36 上部表示板
50 光学シート
110 上部収納容器
120 中間フレーム
140 拡散板
140’ 導光板
150 光源
151、151’ 赤外線ランプ
152、160 回路基板
170 下部収納容器
311 第1基板
312 第1偏光板
313 薄膜トランジスタアレイ
320、320’ 受光素子
330 遮光パターン
331 第1接続電極
332 第2接続電極
340 画素電極
340’ 接続電極
350、350a、350b、350c 光フィルタ
361 第2基板
362 第2偏光板
Claims (10)
- 第1基板と、
前記第1基板上に形成されるゲート線と、
前記第1基板上に形成され、前記ゲート線と交差するデータ線と、
前記ゲート線及び前記データ線に接続される第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子に接続される画素電極と、
前記第1基板上に形成され、赤外線を感知する受光素子と、
前記受光素子と前記第1基板との間に形成されて配置され、前記受光素子と重畳して光を遮断する遮光パターンとを有することを特徴とする表示装置。 - 前記受光素子の前記第1基板と面する側とは反対側に位置し、前記受光素子と重畳して光の特定波長だけを透過させる光学フィルタを更に有し、
前記光学フィルタは赤外線を透過させ、光学フィルタのエネルギーバンドギャップは、前記受光素子のエネルギーバンドギャップより広いことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記受光素子は水素化非晶質シリコンゲルマニウム(a−SiGe:H)を含み、前記光学フィルタは水素化非晶質シリコン(a−Si:H)を含むことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記受光素子は多結晶シリコン(p−Si)を含み前記光学フィルタは水素化非晶質シリコンゲルマニウムを含むことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記受光素子と重畳するカラーフィルタを更に有し、該カラーフィルタは赤外線を透過させることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1スイッチング素子及び前記受光素子と重畳するブラックマトリックスを更に有し、該ブラックマトリックスは赤外線を透過させることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記受光素子は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、及び結晶シリコン(c−Si)のうちの少なくとも一つを含む半導体層を含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記受光素子は、薄膜トランジスタ、フォトダイオード、及びフォトレジスタのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記受光素子と前記ゲート線とに接続される第2スイッチング素子を更に有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1基板に対向する第2基板と
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された液晶層を更に有し、
前記液晶層の液晶分子は、前記受光素子と重畳する領域では初期配向状態を維持することを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
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