JP2008287061A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反射膜91は、TFTアレイ基板10上に形成された絶縁層41が部分的に除去されることによって形成された凹部41aに形成されている。反射膜91は、TFTアレイ基板10上においてフォトダイオード212に重なるようにフォトダイオード212の下層側に形成されている。したがって、反射膜91は、三次元的に見てフォトダイオード212及び反射膜91間に入射した入射光、即ち表示面20sに入射する外光、或いは表示面20sを指示する指示手段によって反射された反射光をフォトダイオード212に向かって反射する。このような反射膜91は、表示面20sから入射した入射光のうちフォトダイオード212に照射されなかった光をフォトダイオード212に照射できる。反射膜91によれば、液晶装置1の周囲の光が弱い場合、即ち外光の光量が低い場合であっても、フォトダイオード212による指示手段の検出感度を高めることが可能である。
【選択図】図8
Description
<1−1:液晶装置の全体構成>
先ず、図1及び図2を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置1の全体構成を説明する。図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置1の平面図であり、図2は、図1のII−II´断面図である。本実施形態に係る液晶装置1は、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。
次に、図3及び図4を参照しながら、液晶装置1の回路構成を説明する。図3は、液晶装置1の主要な回路構成を示したブロック図であり、図4は、センサ制御回路部201の詳細な回路構成を示したブロック図である。
次に、図5乃至図9を参照しながら、液晶装置1の画素部の構成を詳細に説明する。図5は、液晶装置1の画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図6は、画素部と共にセンサ部204の等価回路を示した等価回路である。図7は、TFTアレイ基板上に形成された画素部の平面図である。図8は、図7のVIII−VIII´断面図である。図9は、図7のIX−IX´断面図である。尚、図7乃至図9においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図8及び図9では、画素電極9aより下層側の構造を詳細に図示している。
次に、図10乃至図13を参照しながら、液晶装置1の製造方法を説明する。図10及び図11は、図8に対応する断面における主要な製造工程を順に示した工程断面図であり、図12及び図13は、図9に対応する断面において、図10及び図11に示した各工程に対応する工程を順に示した工程断面図である。
次に、図14及び図15を参照しながら、上述した液晶装置を具備してなる電子機器の実施形態を説明する。
Claims (7)
- 第1基板と、
前記第1基板上において前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板間に挟持された液晶層と、
前記第1基板から見て、指示手段が指示する表示面の反対側に設けられた光源と、
前記第1基板上の表示領域を構成する複数の画素部の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成されており、互いに平面的に重ならないP型半導体領域、低抵抗領域及びN型半導体領域を有する受光素子と、
前記第1基板上において前記受光素子に重なるように前記受光素子の下層側に形成されており、前記表示領域に入射する入射光を反射する反射膜と
を備えたことを特徴とする液晶装置。 - 前記受光素子は、前記第1基板上に形成された下地膜上に形成されており、
前記反射膜は、前記下地膜を部分的に除去することによって形成された凹部の表面に沿って延びるように形成されていること
を特徴とする請求項1に記載の液晶装置。 - 前記凹部は、前記第1基板の基板面に交わる平面で前記凹部を切った断面上において前記第1基板上に向かって幅広となるテーパ形状を有していること
を特徴とする請求項2に記載の液晶装置。 - 前記反射膜は、前記光源から出射された光源光が前記下層側から前記受光素子に照射されないように前記光源光を射光する遮光膜として兼用されていること
を特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の液晶装置。 - 前記反射膜は、金属膜であること
を特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の液晶装置。 - 請求項1乃至5の何れか一項に記載の液晶装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。 - 第1基板と、前記第1基板上において前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板間に挟持された液晶層と、前記第1基板から見て、指示手段が指示する表示面の反対側に設けられた光源と、前記第1基板上の表示領域を構成する複数の画素部とを有する液晶装置を製造するための液晶装置の製造方法であって、
前記第1基板上において互いに平面的に重ならないP型半導体領域、低抵抗領域及びN型半導体領域を有する受光素子が形成されるべき素子領域に重なるように反射膜を形成する工程と、
前記反射膜の上層側に前記受光素子を形成する際に、前記表示領域における前記複数の画素部の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域において、前記画素部をスイッチング制御する半導体素子を形成する工程と
を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007132650A JP5125222B2 (ja) | 2007-05-18 | 2007-05-18 | 液晶装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007132650A JP5125222B2 (ja) | 2007-05-18 | 2007-05-18 | 液晶装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008287061A true JP2008287061A (ja) | 2008-11-27 |
JP5125222B2 JP5125222B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=40146830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007132650A Expired - Fee Related JP5125222B2 (ja) | 2007-05-18 | 2007-05-18 | 液晶装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5125222B2 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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